專利名稱：顯影裝置和顯影方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對(duì)表面涂敷有抗蝕劑且已被曝光的基板進(jìn)行顯影的顯影裝置和顯影方法。
背景技術(shù)：
在以往的光致抗蝕劑(以下稱為抗蝕劑)的顯影處理中，自噴嘴向涂敷了抗蝕劑且沿規(guī)定的圖案O^ttern)曝光的半導(dǎo)體晶圓(以下稱為晶圓(Wafer))表面供給顯影液。 為了取得晶圓表面的處理的均勻性，而以能夠在晶圓的整個(gè)表面上均勻地形成液膜的方式供給上述顯影液，并利用該液膜來溶解抗蝕劑。作為像這樣形成顯影液的液膜的方法，已知有如下方法一邊使具有長條狀的噴出口的噴嘴移動(dòng)一邊向靜止?fàn)顟B(tài)的晶圓噴出顯影液，來對(duì)晶圓的整個(gè)表面進(jìn)行靜液顯影 (日文液盛)的方法(puddle development 水坑式(旋覆浸沒)顯影)、一邊使晶圓繞鉛直軸線旋轉(zhuǎn)一邊例如沿該晶圓的徑向供給顯影液，而在離心力的作用下涂開顯影液的方法(puddlelessdevelopment 非水坑式(旋覆浸沒)顯影)。考慮到構(gòu)成抗蝕劑的材料的組成，顯影液與抗蝕劑的反應(yīng)會(huì)在比較短的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行。但是，在上述各方法中，為了形成均勻的液膜而需要使用大量的顯影液，且需要花費(fèi)時(shí)間將該顯影液供給到晶圓上。在像這樣供給顯影液的工序中會(huì)花費(fèi)大量的時(shí)間，因此從顯影液的供給開始到該顯影液與抗蝕劑的反應(yīng)完成為止需要一定的時(shí)間，例如大約30秒 60秒。但是，作為晶圓的曝光處理，有時(shí)采用液浸曝光處理，為了抑制用于該液浸曝光處理的液體帶給晶圓的影響，而具有提高抗蝕劑的防水性的趨勢。但是，在使用了防水性高的抗蝕劑的情況下，若利用上述各方法進(jìn)行顯影，則容易出現(xiàn)沒有被顯影液浸潤到的部位。因此，對(duì)于像這樣的高防水性的抗蝕劑，為了均勻地形成顯影液的液膜，需要更多的顯影液， 而導(dǎo)致成本變高、顯影液的供給時(shí)間變得更長，從而有可能妨礙顯影裝置的高生產(chǎn)率。在專利文獻(xiàn)1中記述了將呈霧狀的顯影液供給到收納有基板的腔室(Chamber)內(nèi)的技術(shù)?；逡宰约訜岚甯∑鸬臓顟B(tài)被支承，該基板的溫度通過加熱板來進(jìn)行調(diào)整。并且， 還記述了通過將基板的溫度設(shè)定得比霧狀的顯影液的溫度低來使顯影液在基板表面結(jié)露而形成液膜的方法。但是，對(duì)于將基板載置到調(diào)溫板(溫度調(diào)節(jié)板)上而使顯影液的蒸氣在該基板上結(jié)露的情況沒有記述。專利文獻(xiàn)1 日本特開2005-277^8 (第0139、0141段)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而做出的，其目的在于提供一種能夠抑制顯影液的使用量且快速地在基板的整個(gè)表面上形成顯影液的液膜的顯影裝置和顯影方法。本發(fā)明的顯影裝置是對(duì)已曝光的基板進(jìn)行顯影的顯影裝置，其特征在于，包括氣密的處理容器，其用于形成處理氣氛；
調(diào)溫板，其設(shè)在上述處理容器內(nèi)，用于載置基板；氣氛氣體供給部，其用于向上述處理容器內(nèi)的基板的表面供給包含顯影液霧沫 (mist)和顯影液蒸氣的氣氛氣體；第1溫度調(diào)整部，其用于將上述調(diào)溫板的溫度調(diào)整為使上述氣氛氣體在基板上結(jié)露的溫度，上述處理容器的內(nèi)壁的溫度被維持為上述氣氛氣體難以在該內(nèi)壁上結(jié)露的溫度。上述顯影裝置還包括例如溫度設(shè)定部，其借助上述第1溫度調(diào)整部來設(shè)定調(diào)溫板的溫度，以使上述基板表面的顯影液的液膜的厚度成為與基板的處理制程程序(recipe) 相對(duì)應(yīng)的厚度。另外，上述顯影裝置也可以包括第2溫度調(diào)整部，其用于將上述處理容器的內(nèi)壁的溫度維持為上述顯影液蒸氣在該內(nèi)壁上不結(jié)露的溫度。而且，上述調(diào)溫板包括例如用于將基板吸附在該調(diào)溫板的表面上的吸附機(jī)構(gòu)。上述顯影氣氛氣體也可以包含顯影液蒸氣來取代包含顯影液霧沫和顯影液蒸氣， 例如上述氣氛氣體供給部包括用于加熱氣氛氣體的加熱部件。氣氛氣體也可以利用上述加熱部件加熱到比加熱氣氛中的顯影液的飽和溫度高的溫度。另外，本發(fā)明的顯影方法是對(duì)已曝光的基板進(jìn)行顯影的顯影方法，其特征在于，包括向形成處理氣氛的氣密的處理容器內(nèi)搬入基板的工序；向已搬入到處理容器內(nèi)的基板的表面供給包含顯影液霧沫和顯影液蒸氣的氣氛氣體的工序；將設(shè)在處理容器內(nèi)且用于載置基板的調(diào)溫板的溫度調(diào)整為上述顯影液蒸氣在基板上結(jié)露的溫度以下的工序；將基板載置在上述調(diào)溫板上而使上述顯影液蒸氣結(jié)露、利用上述顯影液霧沫和該結(jié)露部分形成顯影液的液膜的工序，上述處理容器的內(nèi)壁的溫度被維持為上述顯影液蒸氣難以在該內(nèi)壁上結(jié)露的溫度。上述顯影方法也可以包括如下工序，即設(shè)定調(diào)溫板的溫度以使上述基板表面的顯影液的液膜的厚度成為與基板的處理制程程序相對(duì)應(yīng)的厚度的工序。上述顯影氣氛氣體的特征在于，例如包含顯影液蒸氣來取代包含顯影液霧沫和顯影液蒸氣。上述顯影方法也可以包括利用加熱部件對(duì)上述氣氛氣體進(jìn)行加熱的工序，在該情況下，氣氛氣體的特征在于， 其被加熱到比加熱氣氛的顯影液的飽和溫度高的溫度。采用本發(fā)明，將包含顯影液霧沫和顯影液蒸氣的氣氛氣體供給到基板上，并將載置有基板的調(diào)溫板的溫度設(shè)定為顯影液蒸氣在基板上結(jié)露的溫度以下，因此能夠抑制顯影液的使用量，且能夠在基板的整個(gè)表面上快速地形成液膜。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式的顯影裝置的縱剖側(cè)視圖。圖2是上述顯影裝置的俯視圖。圖3是上述顯影裝置的立體圖。圖4是表示顯影液的蒸氣壓曲線的坐標(biāo)圖。
圖5是表示在晶圓上顯影液結(jié)露的狀態(tài)的說明圖。圖6是表示控制部中所具有的載物臺(tái)(stage)溫度與顯影液膜膜厚之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系的說明圖。圖7是表示利用上述顯影裝置進(jìn)行處理的順序的工序圖。圖8是表示利用上述顯影裝置進(jìn)行處理的順序的工序圖。圖9是表示利用上述顯影裝置進(jìn)行處理的順序的工序圖。圖10是表示利用上述顯影裝置進(jìn)行處理的順序的工序圖。圖11是其他的顯影裝置的縱剖側(cè)視圖。圖12是表示利用上述顯影裝置進(jìn)行處理的順序的工序圖。圖13是表示其他的處理順序的工序圖。圖14是表示顯影裝置的處理容器的其他結(jié)構(gòu)的說明圖。圖15是通過評(píng)價(jià)試驗(yàn)得到的晶圓的縱剖視圖。圖16是通過評(píng)價(jià)試驗(yàn)得到的晶圓的縱剖視圖。圖17是表示根據(jù)評(píng)價(jià)試驗(yàn)得到的圖案的CD的平均值和3 σ的坐標(biāo)圖。圖18是表示根據(jù)評(píng)價(jià)試驗(yàn)得到的圖案的CD的平均值和3 σ的坐標(biāo)圖。圖19是表示根據(jù)評(píng)價(jià)試驗(yàn)得到的圖案的CD的平均值和3 σ的坐標(biāo)圖。
具體實(shí)施例方式第1實(shí)施方式分別參照顯影裝置1的縱剖側(cè)視圖的圖1、橫剖俯視圖的圖2，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯影裝置1進(jìn)行說明。該顯影裝置1包括殼體11，在殼體11的側(cè)壁上開設(shè)有晶圓W的輸送口 12。利用圖2所示的輸送部件21將晶圓W經(jīng)由該輸送口 12輸送到殼體11內(nèi)。例如在該晶圓W的表面上形成有防水性的抗蝕劑膜，該抗蝕劑膜由正性抗蝕劑 (Positive resist)構(gòu)成，在曝光裝置中，沿規(guī)定的圖案被曝光。但是，本發(fā)明的顯影裝置和顯影方法既能夠適用于有機(jī)顯影，也能夠與適用于正性抗蝕劑同樣地適用于負(fù)性抗蝕劑 (Negative resist)。有機(jī)顯影是指利用了以有機(jī)物為主要藥材的顯影液的顯影。另外，晶圓W在上述曝光之后、且輸送到上述顯影裝置1之前接受加熱(PEB(P0StEXp0Sure Bake) 曝光后烘烤)處理。輸送部件21包括臂體22，其圍繞晶圓W的側(cè)周；支承部23，其在上述臂體22的側(cè)周上設(shè)有多個(gè)，在本例中為4個(gè)，用于支承晶圓W的背面。在殼體11內(nèi)設(shè)有將該殼體11的內(nèi)部上下隔開的隔板13。隔板13的上側(cè)被構(gòu)成為用于向后述的處理容器5搬入晶圓W的搬入?yún)^(qū)域14a。搬入?yún)^(qū)域14a內(nèi)設(shè)有冷卻板15。 冷卻板15大致形成為圓形，在該冷卻板15上設(shè)有從側(cè)周向中央的缺口 16，以便在該冷卻板 15與上述輸送部件21之間進(jìn)行晶圓W的交接時(shí)該冷卻板15與該輸送部件21的支承部23 互不干涉。冷卻板15的背面?zhèn)染哂欣绻┙?jīng)溫度調(diào)整后的水流過的未圖示的流路，當(dāng)將經(jīng)顯影裝置1的前一級(jí)的加熱裝置加熱處理后的晶圓W載置到冷卻板15上時(shí)，該晶圓W被冷卻。在冷卻板15上設(shè)有狹縫(slit) 17a、17b，后述升降銷42經(jīng)由該狹縫17a、17b從冷卻板15的表面突出。在隔板13下側(cè)的下方區(qū)域14b設(shè)有與冷卻板15連接的驅(qū)動(dòng)部18，該驅(qū)動(dòng)部18使該冷卻板15沿從顯影裝置1跟前側(cè)向里側(cè)形成的引導(dǎo)件(guide) 15a在水平方向上移動(dòng)。也參照作為顯影裝置1的立體圖的圖3進(jìn)行說明。在顯影裝置1的里側(cè)設(shè)有用于載置晶圓W的圓形的調(diào)溫板3，在該調(diào)溫板3的內(nèi)部形成有溫度調(diào)節(jié)后的流體、例如水的流路31。調(diào)溫板3分別與調(diào)溫水供給管32、調(diào)溫水回收管33的一端連接，調(diào)溫水供給管32、 調(diào)溫水回收管33的另一端分別與泵34連接。在調(diào)溫水供給管32中途設(shè)有調(diào)溫部35，該調(diào)溫部35包括加熱器，其用于對(duì)供給到該調(diào)溫部35內(nèi)的水進(jìn)行加熱；制冷劑的流路，其通過熱交換來冷卻上述水。通過控制上述加熱器的輸出和上述制冷劑的流通量，能夠?qū)⑸鲜鏊臏囟日{(diào)節(jié)至用戶設(shè)定的溫度。調(diào)溫水供給管32、調(diào)溫水回收管33和流路31形成調(diào)溫水的循環(huán)路徑，利用泵34 供給到調(diào)溫水供給管32內(nèi)的水經(jīng)上述調(diào)溫部35調(diào)節(jié)溫度后供給到流路31內(nèi)。并且，利用泵34從流路31經(jīng)由調(diào)溫水回收管33回收的水再次供給到調(diào)溫水供給管32內(nèi)而進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)。通過像這樣使調(diào)溫水流通，能夠控制調(diào)溫板3的整個(gè)表面的溫度均勻，且與被調(diào)溫部 35調(diào)節(jié)溫度的水的溫度為相同的溫度。而且，載置在調(diào)溫板3上的晶圓W的溫度被調(diào)節(jié)為與該調(diào)溫板3表面相同的溫度。在調(diào)溫板3表面的中央部開設(shè)有吸引口 36，在調(diào)溫板3表面的周緣部沿調(diào)溫板3 的周向開設(shè)有多個(gè)吸引口 37。這些吸引口 36、37分別與排氣管38的一端連接。各排氣管 38的另一端合在一起，并經(jīng)由流量控制部39與由真空泵等構(gòu)成的排氣部件40連接。流量控制部39包括閥門(Valve)、質(zhì)量流量控制器(MassFlow Controller)，控制排氣量。這些吸引口 36、37、流量控制部39和排氣部件40構(gòu)成使晶圓W吸附在調(diào)溫板上的吸附機(jī)構(gòu)。在調(diào)溫板3的表面上，沿該調(diào)溫板3的周向排列有3個(gè)孔41，在該孔41內(nèi)沿調(diào)溫板3的厚度方向穿過有3根升降銷42(為了方便起見，在圖1中僅表示了兩根)。升降銷 42在升降機(jī)構(gòu)43的帶動(dòng)下從調(diào)溫板3的表面突出或沒入調(diào)溫板3的表面下，在冷卻板15 與調(diào)溫板3之間進(jìn)行晶圓W的交接。在調(diào)溫板3內(nèi)設(shè)有用于防止在升降銷42周圍漏出上述的調(diào)溫水的密封構(gòu)件44。在隔板13上以圍繞調(diào)溫板3的方式開設(shè)有多個(gè)排氣口 45，該排氣口 45與排氣管 46的一端連接。排氣管46的另一端合在一起，并經(jīng)由流量控制部47與排氣部件40連接。 流量控制部47與流量控制部39相同地構(gòu)成。另外，在隔板13上以圍繞排氣口 45的方式設(shè)有0型圈48。在調(diào)溫板3上方設(shè)有處理容器5，該處理容器5被構(gòu)成為下方開口的扁平的圓形的容器。該處理容器5借助于支承部51與升降機(jī)構(gòu)52連接，且在該升降機(jī)構(gòu)52的作用下能夠升降。如圖1所示，在處理容器5下降時(shí)該處理容器5的下端與0型圈48緊貼，而在處理容器5內(nèi)形成氣密的處理空間(處理氣氛)S。在處理容器5的壁部設(shè)有加熱器59。該加熱器59將處理容器5內(nèi)壁的溫度維持為后述的顯影氣氛氣體難以結(jié)露的溫度。顯影氣氛氣體難以結(jié)露的溫度是指，包含顯影氣氛氣體不結(jié)露的溫度，比包含在被供給到處理空間S 內(nèi)的顯影氣氛氣體中的顯影液蒸氣的結(jié)露點(diǎn)高的溫度。在處理容器5頂部的中央下表面上設(shè)有用于將顯影液蒸氣供給到處理空間S內(nèi)的噴嘴53。噴嘴53經(jīng)由設(shè)在處理容器5頂部中央部的開口部M與顯影氣氛氣體供給管陽的一端連接。顯影氣氛氣體供給管55的另一端依次經(jīng)由顯影氣氛氣體加熱部56、流量控制部 57而與存儲(chǔ)顯影液的顯影液供給源58連接。顯影液供給源58包括未圖示的壓送部件，向顯影氣氛氣體供給管陽的下流側(cè)供給顯影液。與流量控制部39、47相同，流量控制部57 也包括閥門、質(zhì)量流量控制器，控制向下流側(cè)的顯影液的供給流量。顯影氣氛氣體加熱部56 能夠?qū)⒂娠@影氣氛氣體供給管55供給的顯影液與由后述的非活性氣體供給管61供給的N2 氣體混合，而生成含有顯影液的霧沫(以下稱為顯影霧沫)的顯影氣氛氣體。生成的顯影氣氛氣體經(jīng)由顯影氣氛氣體供給管陽供給到處理空間S內(nèi)。而且，顯影氣氛氣體加熱部56例如包括加熱器等加熱部件，該加熱部56能夠加熱該顯影氣氛氣體并將其調(diào)整到規(guī)定的溫度。在第1實(shí)施方式中，該顯影氣氛氣體的溫度被控制為包含顯影霧沫和顯影液蒸氣(以下稱為顯影蒸氣)的溫度。為了如后述那樣控制調(diào)溫板3的溫度來控制向晶圓W的結(jié)露量，例如在顯影處理時(shí)，利用流量控制部57將供給到顯影氣氛氣體加熱部56的顯影液的供給流量、上述顯影蒸氣中的顯影液的含量(g/cm3)和顯影氣氛氣體的溫度控制為在每個(gè)晶圓W的處理中恒定。而且，向處理空間S供給顯影氣氛氣體的時(shí)間也控制為在每個(gè)晶圓W的處理中恒定，自排氣口 45和吸引口 36、37的排氣量也控制為例如在每個(gè)晶圓W的處理中恒定。由此，進(jìn)行控制，以使得在各晶圓W上附著有恒定量的顯影霧沫。顯影氣氛氣體供給管陽和顯影氣氛氣體加熱部56構(gòu)成氣氛氣體供給部。顯影氣氛氣體加熱部56與非活性氣體供給管61的一端連接。非活性氣體供給管 61的另一端經(jīng)由流量控制部63與存儲(chǔ)非活性氣體例如隊(duì)氣體的隊(duì)氣體供給源64連接。 N2氣體能夠以如上述那樣包含在顯影氣氛氣體中的狀態(tài)供給到處理空間S內(nèi)，也能夠作為吹掃氣體(Purge gas)經(jīng)由顯影氣氛氣體供給管55單獨(dú)供給到處理空間S內(nèi)。在此，對(duì)第1實(shí)施方式的顯影裝置1所進(jìn)行的處理的概略進(jìn)行說明。圖4表示顯影液的蒸氣壓曲線R1，坐標(biāo)的橫軸表示顯影蒸氣的溫度，坐標(biāo)的縱軸表示包含在顯影蒸氣中的顯影液含量(g/cm3)。在此，對(duì)利用顯影氣氛氣體加熱部56生成且供給到處理空間S內(nèi)的顯影氣氛氣體中的顯影蒸氣例如為坐標(biāo)中所示的點(diǎn)P的狀態(tài)的顯影蒸氣進(jìn)行說明。艮口， 上述顯影蒸氣其溫度為t0且包含Xg/cm3的顯影液。圖5的(a)表示顯影處理前的晶圓W。當(dāng)將顯影蒸氣供給到處理空間S內(nèi)并將上述晶圓W載置到調(diào)溫板3上時(shí)，晶圓W的溫度隨著該調(diào)溫板3的溫度下降而下降。由此，如坐標(biāo)圖中的點(diǎn)P'所示那樣晶圓W周圍的顯影蒸氣的溫度自to下降到結(jié)露點(diǎn)tl。結(jié)露點(diǎn) tl為顯影蒸氣成為飽和蒸氣的最高溫度。即，比該結(jié)露點(diǎn)tl高的溫度為該顯影蒸氣不結(jié)露的溫度，結(jié)露點(diǎn)tl以下的溫度為該顯影蒸氣結(jié)露的溫度。并且，像這樣當(dāng)顯影蒸氣的溫度為結(jié)露點(diǎn)tl時(shí)，包含在該顯影蒸氣中的顯影液在晶圓W表面結(jié)露，且如圖5的(b)所示那樣形成極薄的顯影液膜50。當(dāng)與結(jié)露點(diǎn)tl相比進(jìn)一步降低顯影蒸氣的溫度時(shí)，顯影液的結(jié)露量增加，而使圖5的(c)中的Hl所示的顯影液膜50的膜厚加大。另外，例如當(dāng)使顯影蒸氣的溫度降低到坐標(biāo)中所示的t2時(shí)，結(jié)露點(diǎn)tl時(shí)顯影液的飽和量X與溫度t2時(shí)顯影液的飽和量Y的差值所對(duì)應(yīng)的量的顯影液在晶圓W表面上結(jié)露。 同樣，當(dāng)使顯影蒸氣的溫度降低到t3時(shí)，上述X與溫度t3時(shí)顯影液的飽和量Z的差值所對(duì)應(yīng)的量的顯影液在晶圓W表面上結(jié)露。顯影液膜50的膜厚Hl與像這樣在晶圓W表面上結(jié)露的顯影液量相應(yīng)地發(fā)生變化。因此，通過控制調(diào)溫板3的溫度，能夠控制上述結(jié)露量，而控制顯影液膜50的膜厚Hl的大小。如上所述，由于在晶圓W表面上附著有一定量的顯影霧沫，因此實(shí)際上形成在晶圓W上的顯影液膜的膜厚Hl為包含在顯影蒸氣中的顯影液結(jié)露了的部分與顯影霧沫的附著部分合在一起的厚度。在顯影裝置1中，后述的控制部100的存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)有晶圓W的溫度同顯影液膜50的膜厚Hl之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。當(dāng)用戶決定膜厚Hl時(shí)，根據(jù)該對(duì)應(yīng)關(guān)系， 使調(diào)溫部35動(dòng)作，以便控制調(diào)溫板3的溫度。在形成顯影液膜50之后，在該顯影裝置1中除去顯影液膜50的液體成分，使晶圓 W表面成為干燥狀態(tài)，停止抗蝕劑與顯影液的反應(yīng)。為了這樣使晶圓W成為干燥的狀態(tài)，優(yōu)選顯影液膜50的膜厚越薄越好。另外，只要在形成抗蝕圖案(Resistpattern)時(shí)不會(huì)出現(xiàn)顯影不良、缺陷，則膜厚H 1越薄越好。用戶可以考慮到上述情況而任意決定膜厚HI。圖5 的(c)的膜厚Hl的具體的數(shù)值例如為1 μ m 100 μ m。返回到對(duì)顯影裝置1結(jié)構(gòu)的說明，對(duì)控制部100進(jìn)行說明?？刂撇?00例如由計(jì)算機(jī)構(gòu)成，具有未圖示的程序存儲(chǔ)部。在該程序存儲(chǔ)部中存儲(chǔ)有為了能夠進(jìn)行在后述的作用中所說明的顯影處理而編譯有命令的例如由軟件構(gòu)成的程序。通過使控制部100讀取該程序，使控制部100向顯影裝置1的各部發(fā)送控制信號(hào)。由此來控制處理容器5和升降銷 42的升降、調(diào)溫部35對(duì)水的溫度調(diào)節(jié)、調(diào)溫水向調(diào)溫板3的流路31的供給、處理容器5的加熱器59的輸出、顯影氣氛氣體向處理空間S的供給等。該程序例如以收納在硬盤、光盤、 磁光盤或存儲(chǔ)卡等存儲(chǔ)介質(zhì)中的狀態(tài)存儲(chǔ)在程序存儲(chǔ)部中。另外，控制部100的存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)有圖6所示的圖表65。圖中附圖標(biāo)記66是總線。該圖表65在每個(gè)處理制程程序的號(hào)碼中都存儲(chǔ)有載置有晶圓W時(shí)的調(diào)溫板3的溫度同顯影液膜50的膜厚Hl之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。如以上所述那樣，調(diào)溫板3的溫度與載置在該調(diào)溫板3上的晶圓W的溫度相同?？刂撇?00例如具有由顯示器構(gòu)成的顯示部，該顯示部上也顯示有上述對(duì)應(yīng)關(guān)系。用戶根據(jù)顯示部所顯示的對(duì)應(yīng)關(guān)系，例如通過從未圖示的輸入部選擇處理制程程序的號(hào)碼，來決定上述調(diào)溫板3的溫度和顯影液膜50的膜厚HI。接下來，對(duì)顯影裝置1的作用進(jìn)行說明。首先，用戶從未圖示的輸入部選擇上述處理制程程序的號(hào)碼，來決定調(diào)溫板3的溫度和顯影液膜50的膜厚HI。然后，向調(diào)溫板3供給與用戶選擇的處理制程程序相對(duì)應(yīng)的溫度的調(diào)溫水，將調(diào)溫板3表面的溫度調(diào)節(jié)到該溫度例如20°C。此外，以規(guī)定的排氣量從排氣口 45和吸引口 36、37排氣，且利用加熱器59將處理容器5內(nèi)壁的溫度調(diào)節(jié)為例如與供給到晶圓W的顯影氣氛氣體的溫度相同的溫度。接下來，輸送部件21以保持著已被前一級(jí)的加熱裝置加熱處理過的晶圓W的狀態(tài)，經(jīng)由輸送口 12進(jìn)入殼體11內(nèi)(圖7的(a))，然后下降而將該晶圓W交接到冷卻板15 上，之后該輸送部件21后退(圖7的(b))。冷卻板15 —邊冷卻晶圓W —邊向調(diào)溫板3上方行進(jìn)。由該冷卻板15冷卻的晶圓W的溫度被控制為比供給到處理容器5內(nèi)的顯影蒸氣的結(jié)露點(diǎn)高的溫度、例如50°C。當(dāng)利用冷卻板15將晶圓W輸送到調(diào)溫板3上方時(shí)，使升降銷42上升來保持晶圓 W(圖7的(c))。冷卻板15向輸送口 12側(cè)后退(圖8的(a))，使升降銷42下降，而使晶圓 W載置到調(diào)溫板3上。晶圓W的中央部、周緣部分別被吸引口 36、37吸引，而使晶圓W的整個(gè)背面與調(diào)溫板3的表面緊貼，從而使晶圓W整體的溫度被調(diào)節(jié)為與調(diào)溫板3的表面溫度相同的溫度，且使處理容器5下降而形成處理空間S(圖8的(b))。利用顯影氣氛氣體加熱部56生成包含顯影霧沫和顯影蒸氣的顯影氣氛氣體，并供給到處理空間S。顯影氣氛氣體中的顯影霧沫附著到晶圓W上，且包含在顯影蒸氣中的顯影液在晶圓W表面被冷卻而結(jié)露，從而形成顯影液膜50，當(dāng)顯影液膜50的膜厚Hl成為用戶設(shè)定的膜厚時(shí)(圖8的(C))，停止上述顯影氣氛氣體的供給和從排氣口 45的排氣，進(jìn)行顯影液膜50與抗蝕劑的反應(yīng)(圖9的(a))。從開始向處理空間S供給上述顯影氣氛氣體起經(jīng)過預(yù)先設(shè)定的時(shí)間后，再次開始自排氣口 45進(jìn)行排氣且向處理空間S供給隊(duì)氣體(圖9的(b))，處理空間S內(nèi)的顯影氣氛氣體被吹掃除去，且晶圓W的表面在N2氣體的作用下而成為干燥的狀態(tài)(圖9的(c))。 晶圓W干燥之后，停止隊(duì)氣體的供給，升降銷42使晶圓W自調(diào)溫板3浮起，且處理容器5上升而使處理空間S向外部氣氛開放(圖10的(a))。然后，冷卻板15向調(diào)溫板3上方移動(dòng)，將該晶圓W載置到冷卻板15上，冷卻板15 向輸送口 12移動(dòng)(圖10的(b))。之后，輸送部件21以與交接到冷卻板15時(shí)的動(dòng)作相反的動(dòng)作接收晶圓W，而從顯影裝置1中搬出晶圓W。之后，晶圓W被輸送到未圖示的清洗裝置中，而向該晶圓W的表面供給清洗液。然后，在抗蝕劑膜處與顯影液反應(yīng)而改性了的部分被沖洗掉，從而形成抗蝕圖案。采用該第1實(shí)施方式的顯影裝置1，使包含在顯影氣氛氣體中的顯影霧沫附著在晶圓W上，且利用調(diào)溫板3冷卻晶圓W，而使包含在顯影氣氛氣體中的顯影蒸氣在晶圓W表面結(jié)露，從而形成顯影液膜50。因此，與利用噴嘴向晶圓W表面供給顯影液的情況相比，能夠快速地在晶圓W的整個(gè)表面上形成顯影液膜，因此能夠謀求生產(chǎn)率的提高。另外，在顯影裝置1中，在形成上述顯影液膜時(shí)沒有必要向晶圓W供給大量的顯影液，因此能夠削減顯影液的使用量，而謀求處理的低成本化。而且，采用該顯影裝置1，能夠使在晶圓W表面的各部形成顯影液膜50的時(shí)間相同，所以能夠使晶圓W的各部接觸顯影液膜50的時(shí)間相同。因此，能夠提高晶圓W表面各部的圖案的均勻性。在顯影裝置1中當(dāng)晶圓W載置在調(diào)溫板3上時(shí)，晶圓W的中央部和周緣部被吸引口 36、37吸引，因此即使在晶圓W存在彎曲的情況下也能夠使晶圓W整體緊貼調(diào)溫板3。因此， 能夠高均勻性地調(diào)節(jié)晶圓W表面各部的溫度，且進(jìn)一步可靠地形成均勻性高的抗蝕圖案。第2實(shí)施方式接下來，第2實(shí)施方式的顯影裝置7表示在圖11中。該顯影裝置7與顯影裝置1 的不同點(diǎn)在于，在顯影裝置7中沒有設(shè)冷卻板15。對(duì)于該顯影裝置7的處理順序而言，除了未利用冷卻板15進(jìn)行輸送之外，與顯影裝置1的處理順序相同。利用圖12對(duì)該處理順序簡單地進(jìn)行說明，首先，直接從輸送部件21向升降銷42交接晶圓W(圖12的(a))，之后與第1實(shí)施方式相同，使升降銷42下降且使處理容器5下降來形成處理空間S，使晶圓W載置到調(diào)溫板3上。接著供給顯影氣氛氣體，形成顯影液膜50 (圖12的(b))。從在調(diào)溫板3上載置晶圓W開始經(jīng)過預(yù)先設(shè)定的時(shí)間之后供給隊(duì)氣體，晶圓W表面成為干燥的狀態(tài)。然后，處理容器5上升，將晶圓W從升降銷42交接到輸送部件21上。在以上各實(shí)施方式中，顯影霧沫的最大粒徑例如為50μπι以下，平均粒徑例如為 ΙΟμπι以下。通過這樣控制粒徑，將顯影霧沫形成為所謂的干霧(Dry Fog)，能夠抑制在進(jìn)行顯影處理時(shí)晶圓W以外的部位被顯影液浸潤。由此，能夠抑制顯影缺陷、顆粒(Particle) 的產(chǎn)生。另外，上述顯影氣氛氣體的形成方法不限于加熱顯影液，也可以對(duì)顯影液施加超聲波。此外，也可以在顯影氣氛氣體加熱部56處將顯影氣氛氣體加熱到比顯影液的飽和溫度高的溫度例如50°C，使顯影霧沫蒸發(fā)，而將不包含該霧沫的僅由氣體構(gòu)成的顯影氣氛氣體供給到處理空間S。在該情況下，顯影液膜50僅由包含在顯影氣氛氣體中的顯影蒸氣的結(jié)露部分形成。而且，例如用戶與第1實(shí)施方式同樣地控制該結(jié)露量，能夠形成所期望的膜厚Hl的顯影液膜50。以下以與上述第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)為中心，對(duì)供給這樣的顯影氣氛氣體時(shí)的處理順序進(jìn)行說明。將晶圓W載置到調(diào)溫板3上，并將其溫度調(diào)節(jié)至包含在顯影氣氛氣體中的顯影蒸氣的結(jié)露點(diǎn)以下的溫度，且形成處理空間S(圖13的(a))。向處理空間S供給顯影氣氛氣體，上述顯影蒸氣在晶圓W表面結(jié)露(圖13的(b))，當(dāng)形成與用戶選擇的處理制程程序相對(duì)應(yīng)的膜厚的顯影液膜50時(shí)，停止顯影蒸氣的供給和從排氣口 45的排氣。之后，與上述第 1實(shí)施方式同樣地供給N2氣體，來除去處理空間S內(nèi)的顯影氣氛氣體且使晶圓W干燥。像這樣將不包含顯影霧沫的顯影氣氛氣體供給到晶圓W的情況下，也能夠得到與上述的各實(shí)施方式同樣的效果。在供給上述顯影氣氛氣體的情況下，也可以在形成處理空間S時(shí)，升降銷42以使晶圓W自調(diào)溫板3浮起的狀態(tài)保持該晶圓W，在向處理空間S內(nèi)供給了顯影氣氛氣體之后，將晶圓W載置到調(diào)溫板3上來冷卻晶圓W，從而形成顯影液膜50。另外，在利用這樣的顯影氣氛氣體進(jìn)行處理的情況下，例如也可以借助升降銷42使晶圓W自調(diào)溫板3上浮，利用殘留在處理空間S內(nèi)的顯影蒸氣的熱來干燥晶圓W，使顯影處理停止。在上述各例中使晶圓W干燥時(shí)，例如在上述的處理工序中，也可以在晶圓W上形成顯影液膜50后，從將晶圓W載置到調(diào)溫板3上開始經(jīng)過預(yù)先設(shè)定的時(shí)間時(shí)，在該晶圓W位于調(diào)溫板3上的狀態(tài)下使處理容器5上升，來使處理空間S向外部氣氛開放。通過開放處理空間S來使處理容器5外部的空氣在晶圓W的周圍流動(dòng)，使晶圓W周圍的顯影蒸氣的分壓降低，因此使顯影液膜50的蒸氣壓降低。結(jié)果，顯影液膜50的液體成分蒸發(fā)，而使晶圓 W表面成為干燥的狀態(tài)。另外，這樣的使晶圓W干燥的狀態(tài)是指，除去了構(gòu)成顯影液的液體成分的狀態(tài)，而構(gòu)成顯影液的其他成分可以附著在晶圓W上。當(dāng)除去上述液體成分時(shí)，顯影液與抗蝕劑的反應(yīng)就會(huì)停止這一現(xiàn)象能夠利用后述的評(píng)價(jià)試驗(yàn)確認(rèn)到。在各實(shí)施方式中，通過設(shè)置處理容器5的加熱器59，能夠進(jìn)一步可靠地防止顯影液附著到處理容器5上而成為顆粒，但也可以不設(shè)置這樣的加熱器59。例如將已被顯影氣氛氣體加熱部56加熱的N2氣體單獨(dú)供給到處理空間S內(nèi)，加熱處理容器5的內(nèi)壁。由此， 也可以將上述內(nèi)壁的溫度控制為比顯影蒸氣結(jié)露的溫度高的溫度，之后，供給上述顯影氣氛氣體。在各實(shí)施方式中，在將顯影蒸氣和顯影霧沫供給到處理空間S內(nèi)時(shí)利用了噴嘴 53，但不限于這樣利用噴嘴的情況。也可以例如如圖14所示那樣在開口部M上設(shè)置了形成有許多孔82的金屬板83，經(jīng)由該孔82將顯影氣氛氣體供給到處理空間S內(nèi)。評(píng)價(jià)試驗(yàn)評(píng)價(jià)試驗(yàn)1利用噴嘴分別向涂敷了抗蝕劑且沿規(guī)定的圖案曝光的晶圓Wl 晶圓W3供給顯影液。針對(duì)晶圓W1，對(duì)供給顯影液后的抗蝕劑的截面進(jìn)行了拍攝。針對(duì)晶圓W2，對(duì)供給顯影液后又向該晶圓W2供給了兩秒清洗液之后的抗蝕劑的截面進(jìn)行了拍攝。針對(duì)晶圓W3，對(duì)供給顯影液后又向該晶圓W3供給了 13秒清洗液之后的抗蝕劑的截面進(jìn)行了拍攝。另外，更換涂敷在各晶圓Wl W3上的抗蝕劑的種類，并進(jìn)行了同樣的試驗(yàn)。
圖15表示該評(píng)價(jià)試驗(yàn)1的結(jié)果。圖15的(a) (c)是使用了彼此相同的抗蝕劑的晶圓Wl W3的拍攝結(jié)果，圖15的(d) (f)是使用了彼此相同的抗蝕劑的晶圓Wl W3的拍攝結(jié)果。不論是使用了哪一種抗蝕劑的情況，沒有對(duì)未供給清洗液的晶圓Wl進(jìn)行圖案析像。相對(duì)于此，對(duì)供給了清洗液的晶圓W2、W3進(jìn)行了圖案析像。從該試驗(yàn)結(jié)果可知，已曝光的抗蝕劑不是在供給顯影液的階段而是在供給清洗液的階段開始洗提。即，可知不是利用顯影液來淘出已溶解了的殘?jiān)?。因此，可認(rèn)為在進(jìn)行顯影處理時(shí)，向抗蝕劑供給的顯影液即使是少量也可以。根據(jù)該試驗(yàn)，本發(fā)明人想到了通過如上述各實(shí)施方式那樣在晶圓W表面使顯影蒸氣中的顯影液結(jié)露，并向晶圓W表面供給顯影霧沫，來形成顯影液的薄膜。評(píng)價(jià)試驗(yàn)2準(zhǔn)備了與評(píng)價(jià)試驗(yàn)1同樣地已曝光的晶圓W1、W2。將晶圓Wl載置到旋轉(zhuǎn)卡盤(Spin chuck)上，并一邊利用該旋轉(zhuǎn)卡盤繞鉛直軸線旋轉(zhuǎn)，一邊自噴嘴供給顯影液。供給顯影液的同時(shí)使該顯影液的供給位置沿徑向從晶圓Wl的周緣部向中心部移動(dòng)，之后連續(xù)向中心部供給規(guī)定時(shí)間的顯影液。顯影液供給之后，向晶圓Wl供給清洗液來除去顯影液，并對(duì)抗蝕劑的截面進(jìn)行了拍攝。另外，將晶圓W2輸送到由容器主體和上蓋構(gòu)成的處理容器內(nèi)。在關(guān)閉上蓋、處理容器內(nèi)形成氣密的處理空間之后，一邊對(duì)該處理空間進(jìn)行排氣，一邊與第1實(shí)施方式同樣地將顯影霧沫供給到處理空間內(nèi)，來形成處理氣氛。顯影霧沫供給之后，向晶圓W2供給清洗液來除去顯影液，并對(duì)抗蝕劑的截面進(jìn)行了拍攝。圖16的(a)、(b)表示晶圓Wl的拍攝結(jié)果，圖16的(c)、(d)表示晶圓W2的拍攝結(jié)果。這樣在晶圓W1、W2上形成的圖案的形狀基本上沒有發(fā)現(xiàn)差異。該試驗(yàn)表示了利用呈霧沫狀的顯影液的情況也能夠與自噴嘴供給顯影液的情況同樣地進(jìn)行顯影。評(píng)價(jià)試驗(yàn)3準(zhǔn)備了多張與評(píng)價(jià)試驗(yàn)1、2同樣地已曝光的晶圓W。按順序依次向由容器主體和上蓋構(gòu)成的處理容器內(nèi)輸送晶圓W，在關(guān)閉上蓋形成氣密的處理空間之后，一邊對(duì)該處理空間進(jìn)行排氣，一邊向該處理空間供給上述顯影霧沫來形成處理氣氛。變更每個(gè)晶圓W的顯影霧沫的供給時(shí)間分別為45秒、60秒、90秒。顯影霧沫供給之后，打開上蓋使處理空間向外部氣氛開放，之后取出晶圓W，并對(duì)該晶圓進(jìn)行了清洗處理。然后，算出各晶圓W表面內(nèi)的各部位的抗蝕圖案的CD的平均值且針對(duì)該CD算出了作為該CD的偏差的指標(biāo)3 σ。將顯影霧沫的供給時(shí)間為45秒、60秒、90秒的試驗(yàn)分別作為評(píng)價(jià)試驗(yàn)3-1、3-2、3-3。評(píng)價(jià)試驗(yàn)4與評(píng)價(jià)試驗(yàn)2同樣地自噴嘴供給顯影液，也與評(píng)價(jià)試驗(yàn)3同樣地算出已進(jìn)行了清洗處理的晶圓W的CD的平均值和3 σ。變更每個(gè)晶圓W的自噴嘴的顯影液的供給時(shí)間。按該供給時(shí)間由短到長的順序分別作為評(píng)價(jià)試驗(yàn)4-1、4-2、4-3。評(píng)價(jià)試驗(yàn)5使具有沿晶圓W的徑向延伸的噴出口的噴嘴從晶圓W的一端側(cè)向另一端側(cè)一邊噴出顯影液一邊移動(dòng)，而對(duì)晶圓W進(jìn)行靜液顯影之后進(jìn)行清洗處理。變更每個(gè)晶圓W的顯影液的供給時(shí)間，將該供給時(shí)間為30秒、60秒的試驗(yàn)分別作為評(píng)價(jià)試驗(yàn)5-1、5-2。圖17表示評(píng)價(jià)試驗(yàn)3 5的結(jié)果。圖中的柱狀圖表示各評(píng)價(jià)試驗(yàn)的CD的平均值，圖中的點(diǎn)表示各評(píng)價(jià)試驗(yàn)的3 0。從該結(jié)果可知，以顯影霧沫的方式供給顯影液的情況也與利用噴嘴供給顯影液的情況同樣，當(dāng)顯影液的供給時(shí)間變長時(shí)，CD的平均值變小。另外，對(duì)于3 σ而言，以顯影霧沫的方式供給顯影液的情況與利用噴嘴供給顯影液的情況之間沒有大的差異。這些評(píng)價(jià)試驗(yàn)的結(jié)果表示了利用顯影霧沫的顯影與利用噴嘴供給顯影液的顯影相比，沒有給圖案形狀帶來較大的影響。評(píng)價(jià)試驗(yàn)6與評(píng)價(jià)試驗(yàn)3相同，一邊對(duì)搬入有已曝光的晶圓W的處理空間進(jìn)行排氣，一邊向該處理空間供給顯影霧沫。顯影霧沫的供給時(shí)間設(shè)為30秒。顯影霧沫的供給停止后，使處理空間向外部氣氛開放而使晶圓W表面干燥，之后進(jìn)行晶圓W的清洗處理。然后，與評(píng)價(jià)試驗(yàn) 3同樣地算出抗蝕圖案的CD的平均值和CD的3 σ。設(shè)定每個(gè)晶圓W的從顯影霧沫的供給停止時(shí)起到處理空間開放為止的時(shí)間分別為30秒、180秒。將到該開放為止的時(shí)間為30秒的試驗(yàn)作為評(píng)價(jià)試驗(yàn)6-1，到該開放為止的時(shí)間為180秒的試驗(yàn)作為評(píng)價(jià)試驗(yàn)6-2。另外，將顯影霧沫的供給時(shí)間設(shè)為60秒并進(jìn)行與評(píng)價(jià)試驗(yàn)6-1、6-2同樣的試驗(yàn)。 變更每個(gè)晶圓W的從顯影霧沫的供給停止時(shí)起到上述處理空間開放為止的時(shí)間分別為0 秒、30秒、180秒。將到該開放為止的時(shí)間為0秒、30秒、180秒的試驗(yàn)分別作為評(píng)價(jià)試驗(yàn)
6-3、6-4、6-5。圖18表示評(píng)價(jià)試驗(yàn)6的結(jié)果。圖中的柱狀圖表示CD的平均值，圖中的點(diǎn)表示CD 的3 σ。與評(píng)價(jià)試驗(yàn)6-1 6-4相比，在評(píng)價(jià)試驗(yàn)6_5中3 σ要大一些。即，在評(píng)價(jià)試驗(yàn)6_5 中圖案的CD的偏差要大一些。另外，隨著到開放處理空間為止的時(shí)間變長，CD的平均值變小?？烧J(rèn)為其原因在于，即使停止顯影霧沫的供給，也能通過殘留在處理空間內(nèi)的顯影霧沫的作用而使晶圓W表面不會(huì)干燥，而是繼續(xù)進(jìn)行顯影。從該評(píng)價(jià)試驗(yàn)6的結(jié)果可知，圖案的形狀受到直到晶圓W干燥為止的時(shí)間影響。評(píng)價(jià)試驗(yàn)7與評(píng)價(jià)試驗(yàn)3相同，一邊對(duì)搬入有已曝光的晶圓W的處理空間進(jìn)行排氣，一邊向該處理空間供給顯影霧沫。顯影霧沫的供給時(shí)間設(shè)為60秒。顯影霧沫的供給停止后，開放處理空間使晶圓W表面干燥，之后進(jìn)行晶圓W的清洗處理。設(shè)定每個(gè)晶圓W的從開放處理空間時(shí)起到進(jìn)行清洗處理為止的時(shí)間分別為10秒、45秒、90秒、180秒、600秒。清洗處理之后，與評(píng)價(jià)試驗(yàn)3同樣地算出抗蝕圖案的CD的平均值和CD的3 ο。將到進(jìn)行清洗處理為止的時(shí)間為10秒、45秒、90秒、180秒、600秒的試驗(yàn)分別作為評(píng)價(jià)試驗(yàn)7-1、7_2、7-3、7_4、
7-5。圖19表示評(píng)價(jià)試驗(yàn)7的結(jié)果。圖中的柱狀圖表示CD的平均值，圖中的點(diǎn)表示CD 的3 ο。在各評(píng)價(jià)試驗(yàn)中CD的平均值和3 σ沒有大的變動(dòng)。因此，可知從進(jìn)行晶圓W的干燥時(shí)起到進(jìn)行清洗處理為止的時(shí)間沒有給圖案的形狀帶來大的影響。因此，確認(rèn)了如上述那樣在使晶圓W表面干燥之后，能夠?qū)⒃摼AW輸送到清洗裝置進(jìn)行清洗處理。
權(quán)利要求
1.一種顯影裝置，該顯影裝置是對(duì)已曝光的基板進(jìn)行顯影的顯影裝置，其特征在于，包括氣密的處理容器，其用于形成處理氣氛； 調(diào)溫板，其設(shè)在上述處理容器內(nèi)，用于載置基板；氣氛氣體供給部，其用于向上述處理容器內(nèi)的基板的表面供給包含顯影液霧沫和顯影液蒸氣的氣氛氣體；第1溫度調(diào)整部，其用于將上述調(diào)溫板的溫度調(diào)整為上述氣氛氣體在基板上結(jié)露的溫度，上述處理容器的內(nèi)壁的溫度被維持為上述氣氛氣體難以在該內(nèi)壁上結(jié)露的溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影裝置，其特征在于，該顯影裝置還包括溫度設(shè)定部，該溫度設(shè)定部借助上述第1溫度調(diào)整部設(shè)定調(diào)溫板的溫度，以使上述基板表面的顯影液的液膜的厚度成為與基板的處理制程程序相對(duì)應(yīng)的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影裝置，其特征在于，該顯影裝置還包括第2溫度調(diào)整部，該第2溫度調(diào)整部用于將上述處理容器的內(nèi)壁的溫度維持為上述顯影液蒸氣難以在該內(nèi)壁上結(jié)露的溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任意一項(xiàng)所述的顯影裝置，其特征在于， 上述調(diào)溫板包括用于將基板吸附在該調(diào)溫板的表面上的吸附機(jī)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任意一項(xiàng)所述的顯影裝置，其特征在于， 上述氣氛氣體包含顯影液蒸氣來取代包含顯影液霧沫和顯影液蒸氣。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任意一項(xiàng)所述的顯影裝置，其特征在于， 上述氣氛氣體供給部包括用于加熱氣氛氣體的加熱部件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯影裝置，其特征在于，氣氛氣體被上述加熱部件加熱到比加熱氣氛中的顯影液的飽和溫度高的溫度。
8.—種顯影方法，該顯影方法是對(duì)已曝光的基板進(jìn)行顯影的顯影方法，其特征在于，包括向形成處理氣氛的氣密的處理容器內(nèi)搬入基板的工序；向已搬入到處理容器內(nèi)的基板的表面供給包含顯影液霧沫和顯影液蒸氣的氣氛氣體的工序；將設(shè)在處理容器內(nèi)且用于載置基板的調(diào)溫板的溫度調(diào)整為上述顯影液蒸氣在基板上結(jié)露的溫度以下的工序；將基板載置在上述調(diào)溫板上而使上述顯影液蒸氣結(jié)露并利用上述顯影液霧沫和該結(jié)露部分形成顯影液的液膜的工序，上述處理容器的內(nèi)壁的溫度被維持為上述顯影液蒸氣難以在該內(nèi)壁上結(jié)露的溫度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯影方法，其特征在于，該顯影方法還包括如下工序設(shè)定調(diào)溫板的溫度，以使上述基板的表面的顯影液的液膜的厚度成為與基板的處理制程程序相對(duì)應(yīng)的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的顯影方法，其特征在于，上述氣氛氣體包含顯影液蒸氣來取代包含顯影液霧沫和顯影液蒸氣。
11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的顯影方法，其特征在于，該顯影方法還包括利用加熱部件對(duì)上述氣氛氣體進(jìn)行加熱的工序。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯影方法，其特征在于，氣氛氣體被加熱到比加熱氣氛中的顯影液的飽和溫度高的溫度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠抑制顯影液的使用量且快速地在基板的整個(gè)表面上形成顯影液的液膜的顯影裝置和顯影方法。該顯影裝置包括氣密的處理容器，其用于形成處理氣氛；調(diào)溫板，其設(shè)在上述處理容器內(nèi)，用于載置基板；氣氛氣體供給部，其用于向上述處理容器內(nèi)供給包含霧沫和蒸氣的氣氛氣體；第1溫度調(diào)整部，其用于將上述調(diào)溫板的溫度調(diào)整為上述顯影液蒸氣在基板上結(jié)露的溫度，其中，上述處理容器的內(nèi)壁的溫度被維持為上述顯影液蒸氣難以在該內(nèi)壁上結(jié)露的溫度。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102193343SQ201110039010
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月15日
發(fā)明者吉原孝介, 吉田勇一, 山本太郎, 有馬裕, 滝口靖史 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社