專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及具有其的照明系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝、以及具有其的照明系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
由于它們的物理和化學(xué)性能，III-V族氮化物半導(dǎo)體已經(jīng)被關(guān)注作為諸如發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)等等的發(fā)光器件的核心材料。III-V族氮化物半導(dǎo)體的示例是具有hxAlyGai_x_yN(其中0彡χ彡1，0彡y彡1，并且0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料。LED是一種半導(dǎo)體器件，其使用半導(dǎo)體的特性將電變成光，或者被用作光源。使用氮化物半導(dǎo)體材料的LED或LD主要被用在發(fā)光器件中以獲得光，或者被應(yīng)用為用于諸如蜂窩電話的鍵區(qū)發(fā)光部分、電子標(biāo)識(shí)牌、以及照明裝置、顯示裝置等等的各種裝置的光源。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例提供能夠提高透明電極層的透射率的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝、以及具有其的照明系統(tǒng)。實(shí)施例提供能夠通過(guò)調(diào)整透明電極層的厚度來(lái)提高光提取效率的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝、以及具有其的照明系統(tǒng)。實(shí)施例提供一種發(fā)光器件，包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層上的有源層、以及在有源層上的第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層；和透明電極層，該透明電極層形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)的上面和下面中的至少一個(gè)處，其中該透明電極層具有30nm至70nm的范圍內(nèi)的厚度以獲得相對(duì)于420nm至510nm的光的波長(zhǎng)范圍的等于或者大于70%的透射率。實(shí)施例提供一種發(fā)光器件，包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層上的有源層、以及在有源層上的第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層；和透明電極層，該透明電極層形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)的上面和下面中的至少一個(gè)處，其中該透明電極層具有150nm至190nm的范圍內(nèi)的厚度。


圖1是根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖。圖2是使用圖1中所示的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的示意性截面圖。圖3是示出組成發(fā)光器件的各層中的光反射的示意圖。圖4是示出在實(shí)施例中當(dāng)ITO層是60nm厚時(shí)的根據(jù)光的波長(zhǎng)的反射率的圖。圖5是示出實(shí)施例中當(dāng)ITO層是220nm厚時(shí)的根據(jù)光的波長(zhǎng)的反射率的圖。圖6是實(shí)施例中比較根據(jù)ITO層的厚度的透射率和反射率的圖。圖7是示出根據(jù)實(shí)施例的使用UV光源的透射率的測(cè)量的示意圖。
圖8是示出在光的若干波長(zhǎng)處的利用比較示例的發(fā)光器件測(cè)量的透射率與利用圖7的發(fā)光器件測(cè)量的透射率之間的差異的圖。圖9至圖16是示出用于形成ITO層的濺射之前和之后的根據(jù)ITO層的厚度的光的透射率的圖。圖17是比較當(dāng)ITO層是600A和2000A厚時(shí)的CIE顏色坐標(biāo)上的發(fā)光器件的光分布的圖。圖18是根據(jù)實(shí)施例的取決于ITO層的厚度的箱線和發(fā)光強(qiáng)度的圖。圖19是設(shè)置有圖2的發(fā)光器件封裝的顯示裝置的分解透射圖。圖20是示出設(shè)置有圖2的發(fā)光器件封裝的顯示裝置的另一示例的示意性截面圖。圖21是設(shè)置有圖2的發(fā)光器件封裝的照明裝置的透視圖。
具體實(shí)施例方式在實(shí)施例的描述中，將會(huì)理解的是，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)被稱(chēng)為在另一層(或膜)、區(qū)域、焊盤(pán)或者圖案“上”時(shí)，術(shù)語(yǔ)“上”和“下”包括“直接地”和“間接地”的意義。此外，將基于附圖參考關(guān)于每層的“上”和“下”?，F(xiàn)在參考附圖將會(huì)更加完全地描述實(shí)施例，其中示出本發(fā)明的示例性實(shí)施例。在附圖中，為了描述方便或清楚起見(jiàn)，每層的厚度和尺寸被夸大、省略或示意性繪制。此外，每個(gè)元件的尺寸沒(méi)有完全反映真實(shí)尺寸。圖1是根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖。參考圖1，發(fā)光器件100包括襯底111、半導(dǎo)體層112、第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層 113、有源層114、第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115、透明電極層120、第一電極160、以及第二電極 117。發(fā)光器件100可以包括使用包括多個(gè)半導(dǎo)體元素的化合物半導(dǎo)體層，例如，使用 III-V族化合物半導(dǎo)體層的發(fā)光二極管(LED)，并且III-V族化合物半導(dǎo)體可以包括具有 InxAlyGa1^yN(0 ^ χ ^ 1, 0 ^ y ^ 1,0 ^ x+y ^ 1)的組成式的半導(dǎo)體材料。LED可以是發(fā)射諸如藍(lán)光、綠光或者紅光的彩色光的彩色LED，或者UV (紫外線)LED?？梢酝ㄟ^(guò)在實(shí)施例的技術(shù)范圍內(nèi)使用各種半導(dǎo)體實(shí)施從LED發(fā)射的光。襯底111可以是從其可以生長(zhǎng)III-V族化合物半導(dǎo)體的絕緣或者導(dǎo)電生長(zhǎng)襯底。 可以從由藍(lán)寶石(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、feiP JnPja2O3、以及GaAs襯底組成的組中選擇襯底111。在下文中，將會(huì)描述使用諸如藍(lán)寶石(Al2O3)襯底的絕緣襯底的示例的實(shí)施例。不均勻圖案或者光提取結(jié)構(gòu)可以以透鏡形狀、柱形或者椎形形成在襯底111上。 襯底111可以具有大約100 μ m至大約400 μ m的范圍的厚度，其可以隨著襯底111的下表面的拋光或/和研磨而變化。半導(dǎo)體層112(例如，作為緩沖層)可以形成在襯底111上。使用利用II族至VI 族元素的元素(或者組合)的化合物半導(dǎo)體可以以層或圖案形成半導(dǎo)體層112從而摻雜材料可以是例如 ZnO、GaN、A1N、AlGaN、InGaN, InN, InAlGaN,AlInN, AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、 AlGaInP等等的II族至VI族材料。例如，半導(dǎo)體層112可以形成為緩沖層或者未摻雜的層。當(dāng)半導(dǎo)體層112形成為緩沖層時(shí)，半導(dǎo)體層112允許襯底111和覆蓋層之間的晶格常數(shù)差減少。例如，未摻雜的半導(dǎo)體層可以由緩沖層或者襯底上的未摻雜的GaN基半導(dǎo)體形成。不需要形成半導(dǎo)體層112，但是為了解釋的方便，將會(huì)描述包括半導(dǎo)體層112的結(jié)構(gòu)。第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層113形成在半導(dǎo)體層112上，有源層114可以形成在第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層113上，并且第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115可以形成在有源層114上?；蛘?，中間層可以被布置在各層的上或者下面，但是本發(fā)明的實(shí)施例不限于此。可以從被摻雜有第一導(dǎo)電類(lèi)型摻雜物的III-V族化合物半導(dǎo)體中選擇第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層113。例如，可以從具有LxAlyGEt1TyN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0≤x+y≤1) 的組成式的半導(dǎo)體材料中，例如，從由AWaAs、GaP、GaAs, GaAsP,以及AWaInP組成的組中選擇第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層113。在第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層113是N型半導(dǎo)體層的示例中， 第一導(dǎo)電類(lèi)型摻雜物是諸如Si、Ge、Sn、Se、Te等等的N型摻雜物。第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層 113可以形成為單層或者多層，但是本發(fā)明不限于此。而且，第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層113可以形成有等于或者不同于有源層114的面積的面積，但是本發(fā)明不限于此。有源層114可以在第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層113上形成為單量子阱結(jié)構(gòu)，或者多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)。有源層114甚至可以形成為量子線結(jié)構(gòu)、或者量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。有源層114 可以形成為使用一對(duì)由III族元素和V族元素組成的化合物半導(dǎo)體材料的周期重復(fù)的阱層 /勢(shì)壘層。例如，有源層114可以包括周期的InGaN阱層/GaN勢(shì)壘層、周期的InGaN阱層/ AlGaN勢(shì)壘層、或者周期的InGaN阱層/InGaN勢(shì)壘層中的至少一個(gè)。勢(shì)壘層的帶隙可以高于阱層的帶隙。導(dǎo)電包覆層可以形成在有源層114上和/或下面。導(dǎo)電包覆層可以由GaN基半導(dǎo)體、或者具有高于有源層114的帶隙的帶隙的材料形成。第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115形成在有源層114上。第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115 可以包括被摻雜有第二導(dǎo)電類(lèi)型摻雜物的III-V族化合物半導(dǎo)體。例如，可以從具有 InxAlyGa1^yN(0 ^ χ ^ 1,0 ^ y ^ 1,0 ^ x+y ^ 1)的組成式的半導(dǎo)體材料，例如，從 AlGaAs、 GaP、GaAs, GaAsP, AlGaInP等等中選擇第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115。在第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115是P型半導(dǎo)體層的示例中，第二導(dǎo)電類(lèi)型半摻雜物可以包括諸如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba 等等的P型摻雜物。第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115可以形成為單層或者多層中，但是本發(fā)明不限于此。而且，例如，具有與第二導(dǎo)電類(lèi)型的極性相反的極性的第三導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層可以形成在第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115上。因此，發(fā)光器件100可以形成有N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N 結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、或者P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)。在下面討論的實(shí)施例中，將描述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115被布置在發(fā)光器件的上部處的結(jié)構(gòu)作為一個(gè)示例。粗糙或者圖案可以形成在發(fā)光器件的上表面處，例如，形成在第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115的上表面處。透明電極層120形成在第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115上。透明電極層120可以形成在第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115的上表面的至少50%或者更多面積上，但是本發(fā)明不限于此。而且，在從發(fā)光器件移除襯底111和半導(dǎo)體層112的示例中，透明電極層120可以形成在第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層113的下表面的至少50%或者更多面積上，但是本發(fā)明不限于此。在實(shí)施例中，透明電極層120可以形成在第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層113上或者第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115下中的至少一個(gè)處，但是為了便于描述，將會(huì)描述透明電極層120被布置在第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115上的示例。在粗糙或者圖案形成在第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115 的上表面處的示例中，透明電極層120可以形成有不規(guī)則表面。
透明電極層120可以用作用于擴(kuò)散輸入到半導(dǎo)體層的電流的電流擴(kuò)散層，并且可以包括透明材料、透射材料或者導(dǎo)電材料。透明電極層120可以包括透明金屬氧化物或者透明金屬氮化物，并且可以由從由銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、銦鋅錫氧化物 (IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物 (AZO)、銻錫氧化物(ATO)、鎵鋅氧化物(GZO)、ITO氮化物(ITON)、以及IZO氮化物(IZON) 組成的組中選擇的材料形成。在實(shí)施例中，將會(huì)描述使用ITO層作為透明電極層的示例。另一材料層，例如，金屬層或者絕緣層可以被布置在透明電極層120上面或者下面，但是本發(fā)明不限于此。透明電極層120可以具有大約30nm至70nm范圍的厚度，和大約1. 7至2. 1的范圍的折射率。例如，相對(duì)于430nm至500nm范圍的波長(zhǎng)，透明電極層120具有大約80%或者更多的透射率，并且相對(duì)于預(yù)定的波長(zhǎng)，例如，相對(duì)于大約430nm至500nm的波長(zhǎng)具有大約 5%至10%的反射率。從有源層114反射的光可以具有大約430nm至500nm范圍的波長(zhǎng)。 而且，透明電極層120可以具有大約150nm至190nm范圍的厚度，并且當(dāng)透明電極層120具有大約150nm至190nm范圍的厚度時(shí)，透明電極層120具有相對(duì)于大約435nm至500nm范圍的波長(zhǎng)的大約80%或者更多的透射率。波長(zhǎng)可以是從有源層114發(fā)射的光的波長(zhǎng)或者另一光的波長(zhǎng)。透明電極層120的透射率能夠提高發(fā)光器件100的光提取效率?？梢酝ㄟ^(guò)選擇性地使用濺射、電子束、或者M(jìn)OCVD技術(shù)的設(shè)備形成透明電極層120。第二電極117形成在透明電極層120上。第二電極117形成在透明電極層120的一部分上并且可以連接到透明電極層120和第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115中的至少一個(gè)。第二電極117可以包括至少一個(gè)焊盤(pán)?？梢允褂脧挠蒚i、Al、Al合金、InJa、Pd、 Co、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、以及Au組成的組中選擇的一個(gè)或者多個(gè)材料或者合金以單層或者多層形成第二電極117。雖然實(shí)施例示出并且描述被布置在透明電極層 120上的第二電極117作為示例，但是可以以第二電極117可以被布置在芯片的預(yù)定位置上并且可以被電氣地連接到透明電極層120和/或第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115的方式實(shí)施發(fā)光器件。第二電極117的一部分具有線形并且可以被布置在第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層115或 /和透明電極層120上。第一電極116形成在第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層113上以將電流提供到第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層113。第一電極116可以由包括從由Cu、Ti、Cr、Ta、Al、In、Pd、Co、Ni、Ge、Ag、& 及Au組成的組中選擇的一個(gè)或者多個(gè)元素的金屬材料形成，但是本發(fā)明不限于此。雖然本實(shí)施例示出并且描述形成在第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層113上的第一電極116，但是可以通過(guò)形成在第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層113的頂表面、底表面以及側(cè)表面中的一個(gè)上并且被電氣地連接到其的電極圖案來(lái)實(shí)施第一電極116，但是本發(fā)明不限于此。圖2是通過(guò)封裝圖1的發(fā)光器件獲得的發(fā)光器件封裝的示意性截面圖。參考圖2，發(fā)光器件封裝30包括主體20、第一和第二引線電極31和32，該第一和第二引線電極31和32被安裝在主體20中；根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件100，發(fā)光器件100被安裝在主體20中并且被電氣地連接到第一和第二電極31和32 ；以及樹(shù)脂層40，該樹(shù)脂層 40包封發(fā)光器件100。主體20可以形成為包括硅材料、合成樹(shù)脂材料、或者金屬材料中的至少一個(gè)。而
6且，主體20可以包括陶瓷印制電路板(PCB)、金屬PCB、或者柔性PCB。主體20可以形成有空腔22，S卩，具有預(yù)定的深度的凹陷。主體20可以形成為不具有空腔22，但是本發(fā)明不限于此。雖然被定位在發(fā)光器件100周?chē)目涨?2的外圍可以形成為傾斜表面，但是本發(fā)明不限于此。第一和第二引線電極31和32被布置在主體20中并且相互電氣地分離，以將電力提供給發(fā)光器件100。而且，第一和第二引線電極31和32可以反射從發(fā)光器件100產(chǎn)生的光從而增加光效率，并且可以將從發(fā)光器件100產(chǎn)生的熱發(fā)散到其外部。發(fā)光器件100可以被安裝在第二引線電極32上。發(fā)光器件100可以被安裝在主體20、第一引線電極31、或者第二引線電極32中的至少一個(gè)上，但是本發(fā)明不限于此。通過(guò)使用多條線的鍵合方法、使用一條線和貼片方法、倒裝芯片方法、或者不具有線的貼片方法中的任何一個(gè)可以將發(fā)光器件100電氣地連接到第一引線電極31和第二引線電極32，但是本發(fā)明不限于此。樹(shù)脂層40被布置在圖1的透明電極層120上，并且可以由具有低于透明電極層 120的折射率的諸如硅或者環(huán)氧樹(shù)脂的透明樹(shù)脂材料形成。樹(shù)脂層40可以包圍并且保護(hù)發(fā)光器件100。而且，熒光材料可以被包括在樹(shù)脂層40中以改變從發(fā)光器件100發(fā)射的光的波長(zhǎng)。樹(shù)脂層40被布置在空腔22中或者可以以透鏡形狀突出，但是本發(fā)明不限于此。透鏡可以被進(jìn)一步布置在樹(shù)脂層40上，但是本發(fā)明不限于此。在根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝30中，透明電極層被布置在諸如芯片的發(fā)光器件 100上，并且樹(shù)脂層40被布置在透明電極層上?？梢钥紤]根據(jù)其厚度的透射率和反射率以最佳的厚度形成透明電極層。盡管當(dāng)前實(shí)施例示出并且描述了頂視圖型發(fā)光器件封裝，但是發(fā)光器件封裝可以通過(guò)側(cè)視圖型發(fā)光器件封裝來(lái)實(shí)施以在散熱特性、導(dǎo)電性以及反射特性方面提供改進(jìn)的效果。在頂視圖型或者側(cè)視圖型發(fā)光器件封裝中，在樹(shù)脂層40由樹(shù)脂材料形成之后，透鏡可以形成或者附著在樹(shù)脂層40上，但是本發(fā)明不限于此。圖3是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝中的光反射特性的示意圖。參考圖3，光通過(guò)GaN層、ITO層、以及樹(shù)脂層被發(fā)射到空氣。GaN層是組成發(fā)射光的有源層的化合物半導(dǎo)體層的一個(gè)示例。從發(fā)光器件發(fā)射的光，特別地，從有源層發(fā)射的光具有450nm的波長(zhǎng)。對(duì)于藍(lán)色波長(zhǎng)的光，從有源層發(fā)射的光的波長(zhǎng)可以根據(jù)其材料在430nm至480nm的范圍內(nèi)變化。而且， 對(duì)于紅光、綠光或者UV光，有源層的生長(zhǎng)材料可以根據(jù)波長(zhǎng)而改變。GaN層的折射率是2. 5，ITO層的折射率是2. 0，并且樹(shù)脂層的折射率是1. 5。諸如 GaN層的半導(dǎo)體層的折射率可以具有2. 3至2. 5的范圍，根據(jù)光的波長(zhǎng)，ITO層的折射率可以具有1. 7至2. 1的范圍，并且樹(shù)脂層的折射率可以具有1. 5士0. 2的范圍。在下文中，為了便于描述，將會(huì)描述當(dāng)GaN層的折射率是2. 5時(shí)，ITO層的折射率是2，并且樹(shù)脂層的折射率是1. 5的示例。光通過(guò)GaN層、ITO層、以及樹(shù)脂層發(fā)射到空氣。這時(shí)，從有源層發(fā)射的光中的一些被透射并且由于層之間的邊界中的折射率差導(dǎo)致其它的或者剩下的光被反射。通過(guò)GaN 層和ITO層之間的邊界中的反射率(rl)和由于樹(shù)脂層和ITO層之間的邊界中的折射率的差導(dǎo)致的反射率(r2)來(lái)確定反射率(R)。
根據(jù)斯涅爾定律，當(dāng)光通過(guò)兩個(gè)不同介質(zhì)之間的邊界時(shí)，盡管折射的角度根據(jù)入射角而改變，但是入射角的正弦和折射角的正弦的比率是常數(shù)。因此當(dāng)光經(jīng)過(guò)兩個(gè)不同的介質(zhì)之間的邊界時(shí)，始終為常數(shù)的正弦的比率被稱(chēng)為“折射率”，并且通過(guò)正弦sin(入射角)/正弦sin(折射角)來(lái)表示。當(dāng)光經(jīng)過(guò)兩個(gè)相鄰的透明介質(zhì)時(shí)，通過(guò)使用菲涅耳方程獲得反射率(R)，并且反射率(R)可以隨著兩個(gè)透明介質(zhì)的折射率而變化。通過(guò)下面的等式可以表達(dá)反射率(P = R)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層上的有源層、以及在所述有源層上的第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層；和透明電極層，所述透明電極層形成在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的上面和下面中的至少一個(gè)處， 其中所述透明電極層具有30nm至70nm的范圍內(nèi)的厚度以獲得相對(duì)于420nm至510nm 的光的波長(zhǎng)范圍的等于或者大于70%的透射率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述透明電極層具有等于或者小于大約2.1 的折射率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述透明電極層包括金屬氧化物基導(dǎo)電材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述透明電極層被布置在所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層上，并且所述發(fā)光器件進(jìn)一步包括第一電極，所述第一電極被電氣地連接到所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層；和第二電極，所述第二電極被電氣地連接到所述透明電極層和所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層中的至少一個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述透明電極層具有40nm至50nm的范圍內(nèi)的厚度，和相對(duì)于430nm至500nm的光的波長(zhǎng)范圍的等于或者大約80%的透射率。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中所述透明電極層具有55nm至65nm的范圍內(nèi)的厚度，和相對(duì)于440nm至480nm的光的波長(zhǎng)范圍的等于或者大約80%的透射率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述透明電極層包括具有1.7至2. 1的折射率范圍的透明材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述透明電極層形成在所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的下表面或者所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的上表面的50%或者更多的面積上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述透明電極層具有5%至10%的范圍內(nèi)的反射率。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層下面的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括II-VI族化合物和 III-V族化合物中的一個(gè)；和在所述半導(dǎo)體層下面的襯底。
全文摘要
本發(fā)明提供發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及具有其的照明系統(tǒng)。發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層上的有源層、以及在有源層上的第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層；和透明電極層，該透明電極層形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)的上面和下面中的至少一個(gè)處，其中透明電極層具有30nm至70nm的范圍內(nèi)的厚度以獲得相對(duì)于420nm至510nm的光的波長(zhǎng)范圍的等于或者大于70％的透射率。
文檔編號(hào)H01L33/38GK102163672SQ201110038199
公開(kāi)日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2011年2月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月12日
發(fā)明者林祐湜, 秋圣鎬, 金明洙, 金省均 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司