專利名稱：用于制造光電子半導體器件的方法和光電子半導體器件的制作方法
用于制造光電子半導體器件的方法和光電子半導體器件文獻WO 2009/075753 A2和WO 02/084749分別描述了一種光電子半導體器件。要解決的任務在于，說明一種用于制造光電子半導體器件的簡化的制造方法。另一要解決的任務在于，說明一種可以特別簡單地制造的光電子半導體器件。說明一種用于制造光電子半導體器件的方法。所述光電子半導體器件例如是被設置用于發(fā)射電磁輻射的發(fā)光二極管。可替代地，所述光電子半導體器件也可以是被設置用于探測電磁輻射的光電二極管。根據所述方法的至少一個實施方式，首先提供載體。所述載體是臨時的載體，其在最后的方法步驟中再次被去除。所述載體可以是例如箔(英語foil)、電路板或者一般地是用塑料材料、金屬、陶瓷材料或者半導體材料構成的板。根據所述方法的至少一個實施方式，在所述載體上的載體上側布置有至少一個光電子半導體芯片。所述光電子半導體芯片例如是發(fā)光二極管芯片或者是光電二極管芯片。 另外可以是激光二極管芯片。所述至少一個光電子半導體芯片在載體上優(yōu)選被固定為，使得在光電子半導體芯片與載體之間得出機械連接，所述載體稍后可以針對光電子半導體芯片無破損地脫落。換句話說，在半導體芯片與載體之間布置有犧牲層。所述光電子半導體芯片例如可以借助于粘合劑固定在載體上。優(yōu)選地，將多個光電子半導體芯片固定在載體上。由載體和多個光電子半導體芯片組成的裝置于是就是所謂的人造晶片，其中多個、優(yōu)選相同類型的光電子半導體芯片布置在共同的載體上。根據所述方法的至少一個實施方式，至少一個光電子半導體芯片、優(yōu)選多個光電子半導體芯片用模塑體改造，其中所述模塑體覆蓋至少一個光電子半導體芯片的所有側面。換句話說，所述至少一個光電子半導體芯片被模塑體包裹。所述改造或者包裹例如可以借助于對箔進行噴射、澆鑄、壓印、層壓等等來進行。所述模塑體由機械穩(wěn)定的材料構成， 所述材料例如是塑料、低熔點的玻璃或者低熔點的玻璃陶瓷。所述模塑體可以包含例如環(huán)氧樹脂、硅樹脂、環(huán)氧硅樹脂混合材料、玻璃或者玻璃陶瓷或者由這些材料之一構成。所述模塑體被施加在載體上，使得所述模塑體覆蓋載體的朝向至少一個光電子半導體芯片的表面并且與該表面直接接觸。另外，所述模塑體與例如橫向于或者垂直于載體表面延伸的側面至少局部地直接接觸。在此可能的是，至少一個半導體芯片的所有側面完全被模塑體覆蓋。但是也可能的是，所述半導體芯片在其側面只被模塑體覆蓋至特定高度并且至少一個半導體芯片的部分從模塑體突出出來，使得至少一個光電子半導體芯片的側面局部地未被模塑體覆蓋。此外還可能的是，所述模塑體在半導體芯片的暴露表面處完全地覆蓋半導體芯片。也就是說，至少一個光電子半導體芯片的背向載體的表面可以被模塑體覆蓋。根據所述方法的至少一個實施方式，去除所述載體。也就是說，在改造至少一個光電子半導體芯片之后，將載體從由模塑體和光電子半導體芯片組成的復合體去除。該去除可以例如通過加熱載體或者使載體變薄來進行。所述加熱可以例如借助于激光射束來進行。所述變薄可以例如通過反復研磨(Zurilckschleifen)載體來進行。另外可能的是，所述去除通過以化學方式剝落載體或可能在載體上存在的粘附層來進行。在去除載體之后， 至少一個光電子半導體芯片的原來朝向載體的底側可以自由到達。所述底側還可以是半導體芯片的輻射側，通過該輻射側在半導體芯片運行時輻射從該輻射側出射。換句話說，所述半導體芯片于是“面朝下”施加到載體上。至少一個光電子半導體芯片的所有側面至少局部地被模塑體覆蓋。也就是說，在去除載體之后，所述模塑體是機械穩(wěn)定的物體，其在至少一個光電子半導體芯片的側面處包圍所述至少一個光電子半導體芯片并且——如果存在的話——將多個光電子半導體芯片彼此連接。根據所述方法的用于制造光電子半導體器件的至少一個實施方式，所述方法包括如下步驟
-提供載體，
-將至少一個光電子半導體芯片布置在載體的上側，
-用模塑體改造至少一個光電子半導體芯片，其中模塑體覆蓋至少一個光電子半導體芯片的所有側面，并且 -去除載體。所述方法步驟在此優(yōu)選以說明的順序執(zhí)行。根據所述方法的至少一個實施方式，多個光電子半導體芯片被布置在載體的上側，其中半導體芯片中的每一個被設置為在運行時產生具有被分配給該半導體芯片的尖峰波長的波長范圍的電磁輻射。也就是說，半導體芯片中的每一個適于產生電磁輻射。所述半導體芯片在此在運行時產生特定波長范圍中的電磁輻射。所產生的電磁輻射在波長范圍中在特定波長、即尖峰波長的情況下具有最大值。換句話說，尖峰波長是由半導體芯片在運行時產生的電磁輻射的主要波長。半導體芯片中的每一個的尖峰波長在此與所有光電子半導體芯片的尖峰波長的平均值偏差最高+/_2%。也就是說，所述光電子半導體芯片是以相同或者相似的波長發(fā)射電磁輻射的光電子半導體芯片。優(yōu)選地，半導體芯片中的每一個的尖峰波長與所有光電子半導體芯片的尖峰波長的平均值偏差最高+/_1%、特別優(yōu)選地偏差最高+/-0. 5%。換句話說，布置在載體上的光電子半導體芯片在其發(fā)射波長方面被預分類。這樣的光電子半導體芯片被共同地布置在載體上，這些光電子半導體芯片在其尖峰波長方面彼此間幾乎沒有或者根本沒有區(qū)別。例如，所述光電子半導體芯片在其制造之后在其尖峰波長方面被分類(所謂的合并(binning))。在這種分類的情況下被劃分到一個共同的組中的光電子半導體芯片被布置在載體上。根據所述方法的至少一個實施方式，在改造之前或者之后在所述光電子半導體芯片的后面在其上側或者其底側處布置一個共同的發(fā)光材料層?！肮餐陌l(fā)光材料層”在此表示，在所有光電子半導體芯片之后布置具有相同或者相似特性的發(fā)光材料層。也就是說，所有光電子半導體芯片的發(fā)光材料層例如由相同的材料構成并且具有相同的厚度。所述發(fā)光材料層包含如下發(fā)光材料或者由如下發(fā)光材料構成所述發(fā)光材料被設置用于吸收由半導體芯片在運行時產生的電磁輻射并且以與所述光電子半導體芯片不同的波長范圍重新發(fā)射電磁輻射。例如，所述光電子半導體芯片在運行時產生藍光并且由所述發(fā)光材料層的發(fā)光材料重新發(fā)射黃光，該黃光與藍光混合成白光。所述發(fā)光材料層可以例如以發(fā)光材料顆粒的形式施加，所述發(fā)光材料顆粒被置入在例如硅樹脂或者陶瓷的基質材料中。另外，所述發(fā)光材料層可以作為包含發(fā)光材料或者由陶瓷發(fā)光材料構成的陶瓷片被施加到背向所述載體的半導體芯片表面上。在此可能的是，所述發(fā)光材料層被直接施加到所述光電子半導體芯片的背向載體的表面上。特別優(yōu)選地，如目前所述的光電子半導體芯片是相似的光電子半導體芯片，這些光電子半導體芯片在其尖峰波長方面彼此間幾乎沒有或者根本沒有區(qū)別。有利地，可以在這些相似的光電子半導體芯片的后面布置一個共同的發(fā)光材料層。由于所述光電子半導體芯片和共同的發(fā)光材料層的相似性，這樣制造的光電子半導體芯片在運行時發(fā)射具有相似或者相同特性的混合光。因此，與在其他情況下常見的光電子半導體器件制造中不同地，不必在每個光電子半導體芯片的后面布置合適的發(fā)光材料層，使得出現由從光電子半導體芯片直接發(fā)射的電磁輻射和從發(fā)光材料層重新發(fā)射的電磁輻射構成的期望的混合輻射。根據所述方法的至少一個實施方式，至少一個半導體芯片的背向載體的表面被模塑體暴露或者所述表面保持未被模塑體覆蓋。也就是說，所述模塑體要么這樣被施加，即至少一個半導體芯片的背向載體的表面不被模塑體的材料覆蓋?？商娲?，所述模塑體可以在施加模塑體之后從半導體芯片的上側被再次去除。于是例如可以將發(fā)光材料層施加到未被模塑體覆蓋的表面上。但是還有可能的是，所述半導體芯片用其輻射側固定到載體上。在去除載體的情況下，朝向載體的表面、即底側被暴露。在所述方法的該變型中，在半導體芯片中的每一個的輻射側上存在至少一個端子觸點。根據所述方法的至少一個實施方式，在改造之前或者之后針對每個半導體芯片產生具有導電材料的至少一個貫通接觸部。所述貫通接觸部在此與所分配的半導體芯片在橫向上間隔開地布置。也就是說，在例如平行于分配給半導體芯片的載體表面延伸的方向上， 與半導體芯片相間隔地產生貫通接觸部。所述貫通接觸部在此完全地穿過模塑體并且從模塑體的上側延伸至模塑體的底側。在所述方法結束以后，也就是說在去除載體以后，所述貫通接觸部至少在模塑體的底側處是可自由到達的。在所述模塑體的上側處，所述貫通接觸部可以被發(fā)光材料層覆蓋。在改造模塑體之前，可以例如借助于接觸銷來產生貫通接觸部，所述接觸銷在改造之前被布置在半導體芯片之間的載體的上側處。所述接觸銷在此由例如銅的導電材料構成。所述接觸銷在此也可以單塊地用載體構造。也就是說，作為載體使用具有現有貫通接觸部的襯底。另外，所述載體可以是引線框。替代地可能的是，所述貫通接觸部通過在模塑體中產生凹陷而在改造半導體芯片之后產生。例如，可以通過激光鉆孔或者其他形式的材料損害而在模塑體中產生孔，這些孔完全地穿過模塑體并且從模塑體的上側延伸至模塑體的底側。這些孔然后用導電材料填充。所述導電材料可以例如是電鍍材料、焊劑材料或者導電粘合劑。根據所述方法的至少一個實施方式，在所述貫通接觸部與所分配的半導體芯片之間產生導電連接。該導電連接在此導電地與半導體芯片上側處的背向載體的表面連接并且沿著模塑體的上側延伸。所述導電連接例如與所分配的半導體芯片上側處的接合盤導電接觸并且延伸至貫通接觸部。所述連接在此在模塑體的上側處要么在模塑體的外表面上延伸，要么緊挨在模塑體的外表面的下方延伸。所述導電連接可以借助于噴鍍、光刻、電鍍和/或回蝕來產生。另外可能的是，為了產生導電連接壓印絕緣材料和金屬，借助于絲網印刷方法作為金屬膏來施加(尤其是在所述模塑體由陶瓷材料構成時)，作為導電粘合劑施加等等。因此例如也可能，借助于壓塑方法施加所述導電連接。也就是說，所述導電連接于是按照“模制互連裝置(Molded interconnected device)”(MID，德語Spritzgogossene Schaltungstrager)白勺方式施力口。在所述光電子半導體芯片在其上側和背向上側的底側具有導電接觸處時，產生貫通接觸部和所分配的導電連接是有利的?？商娲?，可以使用倒裝片半導體芯片，所述倒裝片半導體芯片僅在一側——即要么在底側要么在上側——具有電接觸處。在這種情況下， 可以取消穿過模塑體的貫通接觸部。另外說明一種光電子半導體器件。該光電子半導體器件可優(yōu)選借助于這里所述的方法之一來制造。也就是說，對于所述方法公開的全部特征也對于所述光電子半導體器件公開，并且反之亦然。根據所述光電子半導體器件的至少一個實施方式，所述光電子半導體器件包括光電子半導體芯片，所述光電子半導體芯片的側面被模塑體覆蓋。所述側面在此是如下表面， 其橫向于光電子半導體芯片的外表面在所述光電子半導體芯片的上側和其底側處延伸并且將這些外表面彼此連接。所述側面在此可以完全被模塑體覆蓋。除此之外還有可能的是， 所述側面只被模塑體覆蓋至特定高度。例如，所述光電子半導體芯片可以是如下半導體芯片，其中半導體層被外延地沉積到襯底上。于是可能的是，所述半導體芯片的側面被覆蓋為使得外延制造的層未被模塑體覆蓋。外延制造的層于是可以借助于另一材料、例如通過印刷過程被覆蓋或者保持未被覆蓋。根據所述光電子半導體器件的至少一個實施方式，所述光電子半導體器件包括至少一個包括導電材料的貫通接觸部。所述導電材料例如是金屬或者有導電能力的粘合劑。根據所述光電子半導體器件的至少一個實施方式，所述器件包括導電連接，所述導電連接導電地與半導體芯片和貫通接觸部連接。所述導電連接例如用金屬或者有導電能力的粘合劑構成。根據所述光電子半導體器件的至少一個實施方式，所述貫通接觸部與半導體芯片在橫向上間隔開地布置。所述橫向方向在此是如下方向，其橫向于或者垂直于光電子半導體芯片的側面延伸。也就是說，所述貫通接觸部布置在半導體芯片的側面并且例如平行于或者基本上平行于光電子半導體芯片的側面延伸。所述貫通接觸部在此優(yōu)選完全穿過模塑體并且從模塑體的上側延伸至模塑體的底側。在此可能的是，所述貫通接觸部可以在模塑體的上側和底側處自由到達。根據所述光電子半導體器件的至少一個實施方式，所述導電連接在模塑體的上側處延伸。也就是說，所述導電連接將半導體芯片與貫通接觸部連接并且在此在模塑體的上側處在半導體本體與貫通接觸部之間延伸。所述導電連接在此可以布置在模塑體的外表面上。根據所述光電子半導體器件的至少一個實施方式，所述光電子半導體器件包括光電子半導體芯片，所述光電子半導體芯片的側面被模塑體覆蓋。另外，所述光電子半導體器件包括至少一個貫通接觸部和導電連接，所述貫通接觸部包括導電材料并且所述導電連接與半導體芯片和貫通接觸部導電連接。所述貫通接觸部在此與半導體芯片在橫向上間隔開地布置并且完全穿過模塑體。所述貫通接觸部從模塑體的上側延伸至模塑體的底側，并且導電連接在模塑體的上側處從半導體芯片延伸至貫通接觸部。根據所述光電子半導體器件的至少一個實施方式，所述模塑體被構造為光學反射的。這可以例如通過如下方式實現，即反射電磁輻射、尤其是光的顆粒被置入到模塑體的基質材料中。在所述光電子半導體芯片的側面處出射的電磁輻射于是可以被模塑體反射。在這種情況下，所述模塑在光電子半導體芯片的上側處至少局部地不覆蓋該光電子半導體芯片。所述顆粒例如用至少一種如下材料構成或者包含至少一種如下材料Ti02、BaS04、Zn0、 Alx0y。作為特別有利地已經證實的是，所述模塑體包含硅樹脂或者由硅樹脂構成并且所述顆粒由二氧化鈦構成。優(yōu)選地，所述顆粒以這樣的濃度被置入到模塑體中，即所述模塑體顯現為白色。另外可能的是，所述模塑體被構造為輻射可透過的。這對于通過側面發(fā)射大部分其電磁輻射的光電子半導體芯片是特別有利的。根據所述光電子半導體器件的至少一個實施方式，所述半導體器件包括多個半導體芯片，這些半導體芯片借助于在模塑體上側處延伸的導電連接彼此導電連接。例如，所述半導體芯片可以經由所述導電連接串聯或者并聯。所述半導體芯片分別在其側面被模塑體覆蓋。所述模塑體是用于將導電半導體芯片連接至光電子半導體器件的連接材料。下面根據實施例和所屬附圖詳細闡述這里所述的方法以及這里所述的光電子半導體器件。

圖1至3根據示例性剖面圖示出這里所述方法的實施例。圖4和5示出這里所述的光電子半導體器件的實施例的示意圖。相同的、相同類型的或者起相同作用的元件在附圖中配備有同樣的附圖標記。附圖和附圖中所示元件彼此間的大小關系不應視為是按照比例的。更確切地說，為了更好的可表示性和/或為了更好的理解可以夸大地示出各個元件。根據圖IA的示意性剖面圖，詳細闡述了這里所述的用于制造光電子半導體器件的方法的第一方法步驟。在該方法中首先提供載體1。載體1例如是用如銅或鋁的金屬、用陶瓷、用半導體材料或者塑料構成的載體。在載體1的上側Ia布置有多個光電子半導體芯片2，所述光電子半導體芯片在此是發(fā)光二極管芯片。半導體芯片2借助于粘結劑5固定在載體1處。粘結劑5例如是粘合劑。半導體芯片2的底側2b在此朝向載體1的上側la。 在半導體芯片2的底側2b處存在接觸處如，該接觸處被設置用于電接觸半導體芯片2。所述接觸處如例如是半導體芯片2的底側2b處的金屬化層。半導體芯片2的輻射出射面可以包括側面2c和上側加處的外表面。在此可能的是，在上側加處存在接觸處如并且在底側2b處存在接觸處4b。另夕卜，在相同位置處可以存在兩個接觸處^、4b。另外可能的是，底側2b或者上側加是半導體芯片2的輻射側。也就是說，半導體芯片2的輻射出射面可以包括側面2c和上側加和 /或底側2b處的外面表。結合圖IB闡述另一方法步驟。在該方法步驟中，模塑體3例如通過噴涂模塑料被施加為，使得半導體芯片2的側面2c被模塑體覆蓋并且模塑體將半導體芯片2彼此連接。 模塑體的底側北在此與載體1或者載體1的上側Ia處的粘結劑5直接接觸。模塑體3可以在其上側3a與半導體芯片2的上側加處的表面齊平地接界。此外可能的是，與圖IB中所示不同的模塑體3將半導體芯片2的側面2c僅覆蓋至特定高度，并且半導體芯片2在模塑體3的上側3a處突出于該模塑體3。模塑體3可以被構造為輻射可透過的，例如被構造為透明的、吸收輻射的或者反射的。在結合圖IC闡述的方法步驟中，載體1連同可選地存在的粘結劑層5從模塑體和半導體芯片2脫落。剩下的是由借助于模塑體3彼此連接的半導體芯片2組成的復合體。 在半導體芯片2的底側2b處，接觸處如以及在“面朝下(face-down)”裝置的情況下還有輻射透射面是暴露的。在另一方法步驟中，在圖ID中示意性示出地，半導體芯片2的復合體可以被分隔成各個光電子半導體器件，所述光電子半導體器件包括一個或多個半導體芯片2。通過分隔，產生模塑體的具有材料損害痕跡的側面3c。例如，側面3c可以具有由分隔模塑體3造成的鋸槽或者打磨痕跡。半導體芯片2的每一個在其側面2c處被模塑體3至少局部地覆
至
ΓΤΠ ο根據圖2的示意性剖視圖闡述另一方法步驟，該另一方法步驟可以在用模塑料改造半導體芯片2之前或者之后以及在去除載體之前或者之后進行。在該方法步驟中，產生由導電材料組成的貫通接觸部6，該貫通接觸部6從模塑體3的上側3a至模塑體3的底側北穿透該模塑體3。貫通接觸部6與半導體本體2在橫向上間隔開地布置。給每個半導體本體2優(yōu)選分配一個貫通接觸部。在此，所述分配也可以是單義的(eindeutig)。另外可能的是，針對多個半導體芯片2存在一個貫通接觸部6。在產生貫通接觸部6之后，在上側3a 處、當前在模塑體3的上表面上構造導電連接7，所述導電連接將半導體芯片2的接觸處如與貫通接觸部6導電連接。在模塑體的底側北處，貫通接觸部6可以自由到達并且在那里構成半導體器件的接觸處4b。根據圖3以示意性剖視圖闡述另一方法步驟，該另一方法步驟可以在施加模塑體之后進行。在該方法步驟中，發(fā)光材料層8在模塑體3的上側在半導體芯片2的上側加被施加到半導體芯片2上。發(fā)光材料層8在此可以在整個半導體芯片2上連續(xù)地構造，如這在圖3中示出的那樣。另外可能的是，可以在每個半導體芯片2上施加自己的發(fā)光材料層。 這于是也可以在施加模塑料之前進行。光電子半導體芯片在圖3的實施例中優(yōu)選是具有相似或者相同的輻射特性的、也就是說與上面描述的具有相似或者相同的尖峰波長的發(fā)光二極管芯片。將整體的發(fā)光材料層8施加到半導體芯片2上。結果得到具有相似或者相同的輻射特性的光電子半導體器件。例如，所述半導體器件在運行時產生具有相似或者相同色點和/或具有相似或者相同色溫的白光。圖4A和4B以示意性透視圖示出這里所述的光電子半導體器件的視圖。圖4A示出從半導體芯片2的上側加看的半導體器件。該半導體器件包括恰好一個半導體芯片2， 該半導體芯片2在其側面2c完全被模塑料3包圍。貫通接觸部6穿過模塑料3，所述貫通接觸部借助于導電連接7與半導體芯片2上側加處的接觸處如連接。在該半導體器件的底側，參見圖4B，構造有接觸處4a，借助于該接觸處半導體芯片2例如被在ρ側接觸。η側接觸于是借助于接觸處4b進行，接觸處4b通過貫通接觸部6構成。在貫通接觸部6與半導體芯片2之間同樣布置有模塑體3，該模塑體將貫通接觸部6與半導體芯片2電隔離。替代于所示實施例，半導體芯片2也可以是這樣的半導體芯片，其中例如η側和ρ側觸點共同地布置在半導體芯片的底側2b處。在這種情況下可以放棄貫通接觸部6。圖5根據示意性俯視圖示出這里所述的半導體器件的另一實施例。在該實施例中，半導體器件包括四個半導體芯片2，這些半導體芯片借助于模塑體3彼此連接。半導體芯片2借助于布置在模塑體3的上側3a處并且例如在模塑體的外表面上延伸的導電連接7 彼此導電連接。當前，半導體芯片經由導電連接7串聯并且經由通過貫通接觸部6構成的接觸處4b以及接觸處如電接觸。這里所述的方法和這里所述的半導體器件的特征尤其是在于以下優(yōu)點半導體器件的冷卻可以在半導體芯片2的整個底側2b上整面地進行。經由貫通接觸部6，可以進行半導體器件的倒裝片接觸。也就是說，可以取消機械上易受侵蝕的接合線。由于可以同時用模塑體3包圍多個半導體芯片2的事實，涉及一種特別節(jié)省費用的方法。對光電子半導體芯片例如在其尖峰波長方面的預分類使得能夠同時將共同的發(fā)光材料層8施加到所有的半導體芯片上，這些半導體芯片的特征于是在于相似或者相同的輻射特性。另外可以借助于所述方法靈活地產生具有幾乎任意數目的半導體芯片2的半導體器件。該半導體器件的表面使用(Flkhermutzimg)是最優(yōu)的。該專利申請要求德國專利申請10 2009 036 621. 0的優(yōu)先權，該德國專利申請的公開內容通過回引結合于此。本發(fā)明不通過根據實施例的描述而受限于此。更確切地說，本發(fā)明包括每種新的特征以及特征的每種組合，這尤其是包含權利要求書中的特征的每種組合，即使在該特征或者該組合本身未明確地在權利要求書或者實施例中說明時也是如此。
權利要求
1.用于制造光電子半導體器件的方法，具有如下步驟 -提供載體(1)，-將至少一個光電子半導體芯片(2)布置在載體(1)的上側(la)， -用模塑體(3)改造至少一個光電子半導體芯片(2)，其中模塑體(3)覆蓋至少一個光電子半導體芯片(2)的所有側面(2c)，并且其中至少一個半導體芯片(2)的上側(2a)處的背向載體(1)的表面和/或底側(2b )處的朝向載體的表面保持未被模塑體(3 )覆蓋或者被暴露，-去除載體(1)。
2.根據權利要求1的方法，其中模塑體(3)包括基質材料并且反射光的顆粒被置入到該基質材料中，使得模塑體 (3)顯現為白色。
3.根據權利要求2的方法，其中基質材料包含硅樹脂或者由硅樹脂構成，并且反射光的顆粒由二氧化鈦構成。
4.根據前述權利要求之一的方法，其中-將多個光電子半導體芯片(2)布置在載體(1)的上側(la)，其中 -每個半導體芯片(2)被設置為在運行時產生具有被分配給該半導體芯片(2)的尖峰波長的波長范圍的電磁輻射，-半導體芯片(2)的每一個的尖峰波長與所有光電子半導體芯片(2)的尖峰波長的平均值偏差最高+/_2%。
5.根據權利要求4的方法，其中在改造之前或者之后將共同的發(fā)光材料層(8)在光電子半導體芯片(2)的上側 (2a)或者光電子半導體芯片(2)的底側(2b)處布置在所述光電子半導體芯片(2)之后。
6.根據前述權利要求之一的方法，其中-在改造之前或者之后為每個半導體芯片(2)產生至少一個具有導電材料的貫通接觸部(6)，其中-貫通接觸部(6)與所分配的半導體芯片(2)在橫向上間隔開地布置，并且 -貫通接觸部(6)完全地穿過模塑體(3)，其中所述貫通接觸部(6)從模塑體(3)的上側(3a)延伸至模塑體(3)的底側(3b)。
7.根據權利要求6的方法，其中在貫通接觸部(6)與所分配的半導體芯片(2)之間產生導電連接(7)，所述導電連接導電地與半導體芯片(2)上側(2a)處的背向載體(1)的表面連接并且在模塑體(3)的上側(3a)處延伸。
8.光電子半導體器件，具有-光電子半導體芯片(2)，其側面(2c)被模塑體(3)覆蓋， -至少一個貫通接觸部(6)，其包圍導電材料，以及 -導電連接(7)，其導電地與半導體芯片(2)和貫通接觸部(6)連接，其中 -貫通接觸部(6)與半導體芯片(1)在橫向上間隔開地布置， -貫通接觸部(6)完全地穿過模塑體(3)，其中貫通接觸部(6)從模塑體(3)的上側 (3a)延伸至模塑體(3)的底側(3b)，-導電連接(7)在模塑體(3)的上側(3a)處延伸。
9.根據權利要求8的光電子半導體器件， 其中模塑體(3)被構造為光學反射的。
10.根據權利要求9的光電子半導體器件，其中模塑體(3)包括基質材料，其中反射光的顆粒被置入到該基質材料中，使得模塑體 (3)顯現為白色的。
11.根據權利要求10的光電子半導體器件，其中基質材料包含硅樹脂或者由硅樹脂構成，并且反射光的顆粒由二氧化鈦構成。
12.根據權利要求8的光電子半導體器件， 其中模塑體(3)被構造為輻射可透過的。
13.根據前述權利要求之一的光電子半導體器件，具有多個光電子半導體芯片(2)，這些光電子半導體芯片借助于在模塑體(3)的上側 (3a)處延伸的導電連接(7)彼此導電連接。
全文摘要
公開一種用于制造光電子半導體器件的方法，具有如下步驟-提供載體(1)；-將至少一個光電子半導體芯片(2)布置在載體(1)的上側(1a)；-用模塑體(3)改造至少一個光電子半導體芯片(2)，其中模塑體(3)覆蓋至少一個光電子半導體芯片(2)的所有側面(2c)并且其中至少一個半導體芯片(2)的上側(2a)處的背向載體(1)的表面和/或底側(2b)處的朝向載體的表面保持未被模塑體(3)覆蓋或者被暴露；-去除載體(1)。
文檔編號H01L33/62GK102473814SQ201080034923
公開日2012年5月23日 申請日期2010年7月19日 優(yōu)先權日2009年8月7日
發(fā)明者卡爾滕巴歇 A., 巴希曼 B., 馬費爾德 J., 魏德納 K., 武茨 O., 韋爾特 R, 維格萊特 W. 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司