專利名稱：具有消氣劑層的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，且更具體地，涉及一種制造具有消氣劑層的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光器件是包括陽極和陰極以及設(shè)置在陽極和陰極之間的有機(jī)功能膜的器件。所述有機(jī)功能膜包括有機(jī)發(fā)光層。通過所述陽極注入的空穴和通過所述陰極注入的電子在所述有機(jī)發(fā)光層中重組，從而引起光線發(fā)射。不同于液晶顯示器，由于這樣的有機(jī)電致發(fā)光器件是發(fā)出它自己的光的器件，因而它具有不需要背光源的優(yōu)勢(shì)。進(jìn)一步地，不同于等離子體顯示器，由于這樣的有機(jī)電致發(fā)光器件具有很低的驅(qū)動(dòng)電壓，因而有低耗電量的優(yōu)勢(shì)。然而，所述有機(jī)功能膜是存在問題的，因?yàn)樗菀妆粷駳飧g。為了解決該問題， 可以在封裝所述有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝基板上設(shè)置消氣劑層。

發(fā)明內(nèi)容
因此，設(shè)計(jì)本發(fā)明來解決上述問題，且本發(fā)明的目的是提供一種制造具有改善的防潮性的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法。本發(fā)明的目的不限于上述目的，且本領(lǐng)域技術(shù)人員將從以下的描述中可以清晰的理解到未提及的本發(fā)明的其他目的。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明一方面提供一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法。 所述方法包括以下步驟利用干法在單元密封基板(unit sealing substrate)上形成消氣劑層；提供包括形成于其上的元件陣列的元件基板，所述元件陣列包括多個(gè)單元有機(jī)電致發(fā)光器件；將所述元件基板附著到所述單元密封基板上以使所述消氣劑層面向所述元件陣列，從而形成組件(module)；以及賦予所述消氣劑層流動(dòng)性以使所述消氣劑層覆蓋所述元件陣列的上面和側(cè)面。此處，可以將組件進(jìn)行熱處理以賦予所述消氣劑層流動(dòng)性。所述消氣劑層可以是含有多孔納米粒子和聚合物粘合劑的膜，且所述組件的熱處理可以在等于或大于聚合物粘合劑的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度下進(jìn)行?？梢岳脽岚?hot plate)、燃燒室(chamber)或氣刀(air knife)進(jìn)行所述組件的熱處理?？梢酝ㄟ^將消氣劑膜壓到所述單元密封基板上或通過蒸發(fā)方法進(jìn)行所述消氣劑層的形成?？梢栽趯⑺鱿麣鈩┠旱剿鰡卧芊饣迳现?，除去提供在所述消氣劑膜至少一面上的保護(hù)膜。在所述蒸發(fā)方法中，所述消氣劑層可以通過蒸發(fā)多孔納米粒子和單體以沉積所述蒸發(fā)的多孔納米粒子和單體在所述單元密封基板上來形成的。在形成所述組件前可以熱處理所述消氣劑層?？梢岳脽岚濉⑷紵一驓獾哆M(jìn)行所述消氣劑層的熱處理。所述消氣劑層可以是光學(xué)透明的消氣劑層。
根據(jù)本發(fā)明，通過賦予所述消氣劑層流動(dòng)性使得所述消氣劑層覆蓋所述元件陣列的上面和側(cè)面，從而大大地改善所述有機(jī)電致發(fā)光器件的防潮性。


圖1至5是順序表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法的示意圖；圖6是表示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法的剖面圖；以及圖7仍是表示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法的剖面圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。但是，本發(fā)明不限于以下實(shí)施方式，且可以有不同的變化。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不偏離隨附的權(quán)利要求書中公開的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，各種修改、補(bǔ)充和替換都是可能的。在附圖中，相同的參考數(shù)字表示相同的或相似的部件，多余的描述將被省略。從以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述和優(yōu)選實(shí)施方式將更清晰地理解本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。在本說明書中，術(shù)語“有”、“包括”、“含有”等是用于從其他組件中區(qū)分某一組件， 但是這些組件結(jié)構(gòu)的解釋不應(yīng)受這些術(shù)語的限制。進(jìn)一步地，在本發(fā)明的描述中，以防相關(guān)領(lǐng)域的詳細(xì)說明會(huì)掩蓋本發(fā)明的主旨，因此決定將它的描述省略。本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書中用到的術(shù)語和詞語不應(yīng)理解成限于典型意義或字典上的定義，而應(yīng)該基于發(fā)明人可以依照其適當(dāng)?shù)囟x術(shù)語的概念以描述他或她知道實(shí)施本發(fā)明的最佳方法的原則，理解成具有與本發(fā)明的技術(shù)范圍相關(guān)的意義和概念。圖1至5是順序表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法的示意圖。具體地，圖2是沿圖1的A-A’線的剖面圖。參照?qǐng)D1和2，提供密封基板10。所述密封基板10包括由繪制線IOa劃定的多個(gè)單元密封基板10u。描述所述單元密封基板IOu以便從所述密封基板10中區(qū)分它們。所述密封基板10可以是光學(xué)透明的絕緣基板，如玻璃基板或塑料基板等等。通過干法在每個(gè)所述單元密封基板IOu上形成消氣劑層G。當(dāng)所述密封基板10較大時(shí)，適當(dāng)?shù)乩盟龈煞?，并可以形成各種形狀的消氣劑層G。作為所述干法的例子，可以通過將消氣劑膜(getter film)GF壓到所述單元密封基板IOu上形成所述消氣劑層G。在所述消氣劑層GF的至少一面上提供保護(hù)膜。在這種情況下，將所述消氣劑層GF 壓到所述單元密封基板IOu上之前，可以除去所述保護(hù)膜。特別地，將上面和下面分別提供有上保護(hù)膜和下保護(hù)膜的所述消氣劑膜切成預(yù)定的大小，利用真空吸引器(vacuum suction machine) 50將所述消氣劑層GF的上面進(jìn)行附著，然后除去提供在所述消氣劑層GF下面的所述下保護(hù)膜。可以熱處理所述消氣劑層GF 的下面以改善其表面狀態(tài)。之后，將所述消氣劑層GF壓到所述單元密封基板IOu上，從而形成所述消氣劑層G。在這種情況下，將所述單元密封基板IOu或所述真空吸引器50加熱到40-100°C以改善所述消氣劑層G與所述單元密封基板IOu間的附著力。隨后，將所述單元密封基板IOu冷卻到室溫或以下，然后也可以除去提供在所述消氣劑層G上面的上保護(hù)膜。可以依照所述單元密封基板IOu的行數(shù)使用多個(gè)真空吸引器50。同時(shí)，所述消氣劑層G可以選擇性地形成于部分所述單元密封基板IOu上，而不是所有的單元密封基板IOu上。所述消氣劑層GF或所述消氣劑層G可以是光學(xué)透明的消氣劑，且可以具有多孔納米粒子和聚合物粘結(jié)劑。所述多孔納米粒子的例子可以包括金屬氧化物，如氧化鋁、二氧化硅、氧化鈣(CaO)、氧化硒和氧化鋇(BaO)以及碳化合物。當(dāng)使用氧化鋁、二氧化硅或碳化合物作為多孔納米粒子時(shí)，它與聚合物粘結(jié)劑化學(xué)結(jié)合而存在。進(jìn)一步地，當(dāng)使用氧化鈣(CaO)、氧化硒或氧化鋇(BaO)作為多孔納米粒子時(shí)，可以使用丙烯酸樹脂作為聚合物粘結(jié)劑。之后，可以熱處理所述消氣劑層G?？梢岳脽岚濉⑷紵一驓獾哆M(jìn)行所述消氣劑層G的熱處理。因此，可以除去所述消氣劑層G含有的水分和溶劑，另外，還可以改善所述消氣劑層G的表面狀態(tài)。然后，將所述消氣劑層G冷卻以使其凝固。參照?qǐng)D3，沿繪制線IOa切割所述密封基板10以將其分成所述單元密封基板10u。參照?qǐng)D4，提供其上形成有包括多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光器件23的元件陣列ELa的元件基板20u。所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括下電極23a，上電極23c和設(shè)置在這些電極23a和23c 之間的有機(jī)功能膜2 。所述有機(jī)功能膜2 可以包括至少一層的有機(jī)發(fā)光層，所述下電極 23a可以是陽極，且所述上電極23c可以是陰極。在這種情況下，所述有機(jī)功能膜2 在所述下電極23a和所述有機(jī)發(fā)光層之間可以進(jìn)一步包括空穴注入層和/或空穴傳輸層，且在所述有機(jī)發(fā)光層和所述上電極23c之間可以進(jìn)一步包括電子注入層和/或電子傳輸層。這些電極23a和23c中，所述上電極23c可以至少是光學(xué)透明的電極。當(dāng)所述上電極23c是陰極時(shí)，它可以是具有光可透過厚度的Mg-Ag膜或ITO膜?？紤]到所述下電極 23a和所述上電極23c之間逸出功(work function)的差異，當(dāng)為陰極的所述上電極23c是 Mg-^Vg膜時(shí)，為陽極的所述下電極23a可以是ITO膜。進(jìn)一步地，當(dāng)為陰極的所述上電極23c 是ITO膜時(shí)，為陽極的所述下電極23a可以是金(Au)膜或鉬(Pt)膜。下面詳細(xì)描述在所述元件基板20u上形成所述元件陣列ELa的方法。首先，可以在所述元件基板20u上形成沿第一方向延伸的所述下電極23a?？梢栽谒鱿码姌O23a上形成像素定義膜(pixel defining film) 25?？梢栽谒鱿袼囟x膜25上形成與所述第一方向垂直的沿第二方向延伸的間隔圖案(s^aration pattern) 27。可以在所述下電極23a 上依次形成所述有機(jī)功能膜2 和所述上電極23c。在這種情況下，也可以在所述間隔圖案 27上依次形成另一有機(jī)功能膜2 和另一上電極23c。隨后，在所述元件陣列ELa的邊緣應(yīng)用密封劑30。將所述單元密封基板IOu設(shè)置在涂覆有所述密封劑30的元件基板20u上以便在所述單元密封基板IOu上形成的所述消氣劑層G面向所述元件基板20u。所述單元密封基板IOu和所述元件基板20u通過在真空中沖壓而互相附著以形成單元組件M。所述單元組件M的內(nèi)部，也就是所述單元密封基板 IOu和所述元件基板20u之間的空間可以是空的。參照?qǐng)D5，通過賦予所述消氣劑層G流動(dòng)性使所述消氣劑層G覆蓋所述元件陣列 ELa的上面和側(cè)面。賦予所述消氣劑層G流動(dòng)性的過程可以在高于真空壓強(qiáng)的常壓下進(jìn)行。 在這種情況下，外部的壓強(qiáng)高于所述單元組件M處于真空條件下的內(nèi)部的壓強(qiáng)。因此，當(dāng)賦予所述消氣劑層G流動(dòng)性時(shí)，減少了所述單元密封基板IOu與所述元件基板20u之間的距離，從而所述消氣劑層G可以覆蓋所述元件陣列ELa的上面和側(cè)面。在這種情況下，由于只有當(dāng)外部滲入的污染物(如水分等)穿過所述消氣劑層G 時(shí)才能到達(dá)所述有機(jī)功能膜23b，所述消氣劑層G可以充分地保護(hù)所述有機(jī)功能膜2 免受污染物(如水分等)的侵害。因此，可以大大地改善所述有機(jī)電致發(fā)光器件23的防潮性。 而且，所述消氣劑層G可以充滿所述元件基板20u、所述單元密封基板IOu和所述密封劑30 之間的空間?？梢酝ㄟ^熱處理所述單元組件M來實(shí)現(xiàn)賦予所述消氣劑層G流動(dòng)性的過程。在所述單元組件M的熱處理中，所述熱處理的溫度可以是能夠賦予所述消氣劑層G流動(dòng)性的溫度，例如，所述消氣劑層G中含有的聚合物粘結(jié)劑的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)或以上的溫度。但是，由于在熱處理所述單元組件M過程期間會(huì)破壞所述有機(jī)功能膜23b，如果可能，所述單元組件M的熱處理優(yōu)選在低溫下進(jìn)行。例如，所述熱處理的溫度可以為40-100°C。可以利用熱板、燃燒室或氣刀進(jìn)行所述單元組件M的熱處理。圖6是表示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法的剖面圖。根據(jù)該實(shí)施方式的方法與參照?qǐng)D1至5描述的方法相似，除以下描述外。參照?qǐng)D6，可以通過將消氣劑層GF壓到所述單元密封基板IOu上形成所述消氣劑層G。具體地，可以將所述消氣劑層GF設(shè)置在基膜(base film)70的下方。所述基膜70可以分開所述消氣劑層G，使得每個(gè)所述消氣劑層G對(duì)應(yīng)于每個(gè)所述單元密封基板10u，因?yàn)樗龌?0具有通孔70a?？梢栽谒鱿麣鈩覩F的下面設(shè)置保護(hù)膜。在這種情況下，可以在將所述消氣劑層GF壓到所述單元密封基板IOu上之前除去所述保護(hù)膜。可以熱處理所述消氣劑層GF的下面以改善其表面的狀態(tài)。然后，利用壓力機(jī)(如滾軸80)壓所述基膜70的上面，從而形成所述消氣劑層G。 在這種情況下，將所述單元密封基板IOu或滾軸80加熱到40-100°C以改善所述消氣劑層G 和所述單元密封基板IOu間的附著力。然后，將所述單元密封基板IOu冷卻到室溫或以下， 并除去設(shè)置在所述消氣劑層G上面的基膜70。按照所述單元密封基板IOu的行數(shù)可以使用多個(gè)所述滾軸80。同時(shí)，所述消氣劑層G選擇性地形成在部分所述單元密封基板IOu上，而不是在所有的單元密封基板IOu上。圖7仍是表示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法的剖面圖。根據(jù)該實(shí)施方式的方法與參照?qǐng)D1至5描述的方法相似，除以下描述外。參照?qǐng)D7，可以通過蒸發(fā)的方法形成消氣劑層G，如通過汽相淀積聚合等等。具體地，將放置多孔納米粒子和單體的坩堝95加熱以使所述多孔納米粒子和單體蒸發(fā)，從而使蒸發(fā)的多孔納米粒子和單體沉積在所述單元密封基板IOu上，從而形成所述消氣劑層G。在這種情況下，利用蔭罩(shadow mask)90可以在對(duì)應(yīng)于每個(gè)所述消氣劑層G的每個(gè)所述單元密封基板IOu上形成所述消氣劑層G。在該過程中，將所述單體聚合成聚合物粘結(jié)劑。如果需要，在所述坩堝95中放置聚合反應(yīng)引發(fā)劑，從而可以使得所述聚合反應(yīng)引發(fā)劑與所述多孔納米粒子和所述單體一起蒸發(fā)。所述多孔納米粒子的例子可以包括金屬氧化物，如氧化鋁、二氧化硅、氧化鈣 (CaO)、氧化硒和氧化鋇(BaO)以及碳化合物。當(dāng)使用氧化鋁、二氧化硅或碳化合物作為多孔納米粒子時(shí)，它處于與所述單體化學(xué)結(jié)合的狀態(tài)。進(jìn)一步地，當(dāng)使用氧化鈣(CaO)、 氧化硒或氧化鋇(BaO)作為多孔納米粒子時(shí)，將金屬氧化物和單體填充在另一個(gè)坩堝中，以共蒸發(fā)(co-evaporate)所述金屬氧化物和單體，從而形成所述消氣劑層G?？梢酝ㄟ^在形成所述消氣劑層G的過程中旋轉(zhuǎn)所述密封基板10，以減少所述消氣劑層G的厚度差異。同時(shí)，所述消氣劑層G可以選擇性地形成于部分所述單元密封基板IOu上，而不是所有的單元密封基板IOu上。為此，可以封閉所述蔭罩90的一些通孔90a。雖然為了說明的目的公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但對(duì)本發(fā)明的簡(jiǎn)單修改、補(bǔ)充和替換都屬于本發(fā)明的范圍，且本發(fā)明的具體范圍將通過隨附的權(quán)利要求書明確規(guī)定。
權(quán)利要求
1.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，該方法包括以下步驟利用干法在單元密封基板上形成消氣劑層；提供包括形成于其上的元件陣列的元件基板，所述元件陣列包括多個(gè)單元有機(jī)電致發(fā)光器件；將所述元件基板附著到所述單元密封基板上，以使所述消氣劑層面向所述元件陣列， 從而形成組件；以及賦予所述消氣劑層流動(dòng)性以使所述消氣劑層覆蓋所述元件陣列的上面和側(cè)面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，其中，對(duì)所述組件進(jìn)行熱處理以賦予所述消氣劑層流動(dòng)性。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，其中，所述消氣劑層是含有多孔納米粒子和聚合物粘合劑的膜，且所述組件的熱處理在等于或大于該聚合物粘合劑的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度下進(jìn)行。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，其中，利用熱板、燃燒室或氣刀進(jìn)行所述組件的熱處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，其中，通過將消氣劑膜壓到所述單元密封基板上或通過蒸發(fā)方法進(jìn)行所述消氣劑層的形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，該方法進(jìn)一步包括在將所述消氣劑膜壓到所述單元密封基板上之前，除去提供在所述消氣劑膜的至少一面上的保護(hù)膜的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，其中，在所述蒸發(fā)方法中，所述消氣劑層是通過蒸發(fā)多孔納米粒子和單體以沉積所述蒸發(fā)的多孔納米粒子和單體在所述單元密封基板上來形成的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，該方法進(jìn)一步包括在形成所述組件之前熱處理所述消氣劑層的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，其中，利用熱板、燃燒室或氣刀進(jìn)行所述消氣劑層的熱處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，其中，所述消氣劑層是光學(xué)透明的消氣劑層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制造方法，該方法包括以下步驟利用干法在單元密封基板上形成消氣劑層；提供包括形成于其上的元件陣列的元件基板，所述元件陣列包括多個(gè)單元有機(jī)電致發(fā)光器件；將所述元件基板附著到所述單元密封基板上以使所述消氣劑層面向所述元件陣列，從而形成組件；以及賦予所述消氣劑層流動(dòng)性以使所述消氣劑層覆蓋所述元件陣列的上面和側(cè)面。本發(fā)明所述方法的優(yōu)點(diǎn)在于賦予所述消氣劑層流動(dòng)性以使所述消氣劑層覆蓋元件陣列的上面和側(cè)面，因此可以顯著改善所述有機(jī)電致發(fā)光器件的防潮性。
文檔編號(hào)H01L51/56GK102449804SQ201080022937
公開日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2010年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月28日
發(fā)明者任友彬, 徐元奎, 樸宰漢, 樸顯植, 白丞桓 申請(qǐng)人:娜我比可隆株式會(huì)社