專利名稱：具有聚合物突出物的靜電吸盤的制作方法
具有聚合物突出物的靜電吸盤相關(guān)申請案本申請案主張2009年5月15日申請的美國臨時申請案第61/216，305號的權(quán)益。 上述申請案的全部教示內(nèi)容以引用的方式并入本文中。
背景技術(shù)：
靜電吸盤在制造制程中固持且支撐基板，且亦在不機(jī)械夾持該基板下自該基板移除熱。在使用靜電吸盤期間，基板(諸如半導(dǎo)體晶圓)背面由靜電力固持于靜電吸盤的表面上。該基板與該靜電吸盤表面中的一或多個電極由覆蓋電極的表面材料層隔開。在庫侖吸盤(Coulombic chuck)中，表面層為電絕緣的；而在瓊森-雷貝克靜電吸盤 (Johnsen-Rahbek electrostatic chuck)中，表面層為弱導(dǎo)電的。靜電吸盤的表面層可為平坦的，或可具有一或多個將基板背面與經(jīng)覆蓋的電極進(jìn)一步隔開的突出物、凸起或其它表面特征。加工期間傳遞至基板之熱可藉由與突出物進(jìn)行接觸熱傳導(dǎo)及/或藉由與冷卻氣體進(jìn)行氣體熱傳導(dǎo)而自該基板轉(zhuǎn)移走且轉(zhuǎn)移至靜電吸盤。在自基板移除熱方面，接觸熱傳導(dǎo)一般比氣體熱傳導(dǎo)有效。然而，控制基板與突出物之間的接觸量可為困難的。在微電子生產(chǎn)中，由于半導(dǎo)體及內(nèi)存裝置的幾何尺寸日益變小且晶圓、平面屏幕顯示器、主光罩及其它加工基板的尺寸日益變大，所以可容許的微粒污染制程規(guī)格變得更具限制性。粒子對靜電吸盤的影響尤其受關(guān)注，因為晶圓實體接觸或安裝于吸盤夾持表面。 若靜電吸盤的安裝表面容許任何微粒截留于安裝表面與基板之間，則基板可能因所截留的粒子而變形。舉例而言，若晶圓背面與平坦參考表面相抵靜電夾持，則所截留的粒子可能引起晶圓正面變形，從而其將不處于平坦平面中。根據(jù)美國專利第6，835，415號，已有研究顯示，平坦靜電吸盤上的10微米粒子可使主光罩(亦即測試晶圓)的表面位移1吋或1吋以上的徑向距離。粒子誘導(dǎo)的位移的實際高度及直徑取決于多個參數(shù)，諸如粒度、粒子硬度、 夾持力及主光罩厚度。在基板加工期間，重要的是能夠控制基板的溫度，限制基板的最大溫度上升，維持基板表面上的溫度均勻性，或這些方面的任何組合。若由于不良及/或不均勻熱轉(zhuǎn)移而使得整個基板表面上存在過度溫度變化，則該基板可變形且制程化學(xué)可受影響。與靜電吸盤直接接觸的區(qū)域愈大，接觸熱傳導(dǎo)所轉(zhuǎn)移的熱則愈多。直接接觸的區(qū)域的尺寸隨基板與靜電吸盤的接觸表面的粗糙度、平坦度及硬度以及在接觸表面之間施加的壓力而變。由于接觸表面的特征在基板間有所變化，且由于接觸表面的特征可隨時間而變，所以精確控制靜電吸盤與基板之間的接觸熱傳導(dǎo)有困難?？刂苹鍦囟燃盎灞趁嫔系牧Ｗ訑?shù)目對于減少或消除對微電子裝置、主光罩及其它此類結(jié)構(gòu)的損壞以及減少制造產(chǎn)率損失或使該損失降至最低而言為重要的。靜電吸盤突出物的磨蝕特性、粗糙化突出物的高接觸面積以及制造靜電吸盤期間研磨與拋光操作的作用皆可能促使在基板與靜電吸盤一起使用期間粒子進(jìn)入基板背面
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一具體實例，提供一種靜電吸盤。該靜電吸盤包含一表面層，該表面層由一電極中的一電壓激活以形成一電荷，從而將一基板靜電夾持于該靜電吸盤。該表面層包括多個聚合物突出物及該多個聚合物突出物所黏著的一電荷控制層，該多個聚合物突出物延伸至高于圍繞該多個聚合物突出物的該電荷控制層的部分的一高度以在靜電夾持該基板期間將該基板支撐于該多個聚合物突出物上。在其它相關(guān)具體實例中，形成該多個聚合物突出物的聚合物可包含聚醚酰亞胺 (PEI)、聚酰亞胺或聚醚醚酮(PEEK)。電荷控制層可由諸如聚醚酰亞胺(PEI)、聚酰亞胺或聚醚醚酮(PEEK)的聚合物形成。一黏著層可位于該電荷控制層下方，且可包含聚醚酰亞胺 (PEI)。該靜電吸盤可包含一黏著涂層。該黏著涂層可包含含硅氮化物、含硅氧化物、含硅碳化物及此類物質(zhì)的非化學(xué)計量型式中的至少一個，例如(但不限于)SiOxNy、氮化硅、氧化硅或碳化硅。黏著涂層亦可包含碳或碳氮化合物，且可包含類鉆石碳。黏著涂層可延伸以包含一圍繞該靜電吸盤的一邊緣的至少一部分的金屬減少層。該靜電吸盤可包含一將該靜電吸盤的一介電層黏結(jié)至該靜電吸盤的一絕緣體層的陶瓷-陶瓷黏結(jié)層，該陶瓷-陶瓷黏結(jié)層包含聚合物，諸如聚四氟乙烯(PTFE)及改良的聚四氟乙烯(PTFE)中的至少一個，及/ 或全氟烷氧基(PFA)、氟化乙烯-丙烯(FEP)及聚醚醚酮(PEEK)中的至少一個。改良的聚四氟乙烯(PTFE)可包含全氟烷氧基(PFA)及氟化乙烯-丙烯(FEP)中的至少一個。如相鄰聚合物突出物對之間的中心-中心距離所量測，該多個聚合物突出物可實質(zhì)上等間隔橫越該表面層。這些聚合物突出物可呈三角形圖案排列。聚合物突出物的中心-中心距離可介于約6mm與約8mm之間，且高度可介于約3微米與約12微米之間；且直徑可為約900微米。電荷控制層的表面電阻率可介于約IO8奧姆/平方(ohm per square)至約IO11奧姆/ 平方之間。靜電吸盤可另外包含一氣封環(huán)，該氣封環(huán)包含諸如聚醚酰亞胺(PEI)、聚酰亞胺或聚醚醚酮(PEEK)的聚合物。該多個聚合物突出物的表面粗糙度可介于約0.02 μ m與約 0. 05 μ m 之間。在本發(fā)明的另一具體實例中，提供一種制造一靜電吸盤的方法。該方法包含使用包含聚四氟乙烯(PTFE)、改良的聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基(PFA)、氟化乙烯-丙烯 (FEP)及聚醚醚酮(PEEK)中的至少一個的黏結(jié)聚合物將該靜電吸盤的一介電層黏結(jié)至該靜電吸盤的一絕緣體層；用包含含硅氮化物、含硅氧化物、含硅碳化物、非化學(xué)計量的含硅氮化物、非化學(xué)計量的含硅氧化物、非化學(xué)計量的含硅碳化物、碳及碳氮化合物中的至少一個的黏著涂層涂布該靜電吸盤的該介電層；將一包含電荷控制層聚合物的電荷控制層黏結(jié)至該靜電吸盤的該表面，該電荷控制層聚合物包含聚醚酰亞胺(PEI)、聚酰亞胺及聚醚醚酮 (PEEK)中的至少一個；將一光阻劑沈積至該電荷控制層上；對該電荷控制層進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻以移除將圍繞多個于該電荷控制層中形成的聚合物突出物的該電荷控制層的部分； 及將該光阻劑自該靜電吸盤剝離，從而露出由與該電荷控制層相同的該電荷控制層聚合物形成的該多個聚合物突出物。


圖1為根據(jù)本發(fā)明具體實例的靜電吸盤的頂層的橫截面圖。圖2為展示根據(jù)本發(fā)明具體實例的靜電吸盤的其它層的橫截面圖。圖3說明根據(jù)本發(fā)明具體實例的靜電吸盤的表面上突出物的圖案。
圖4為根據(jù)本發(fā)明具體實例的靜電吸盤的表面外觀的圖。圖5為根據(jù)本發(fā)明具體實例的靜電吸盤上突出物的特征圖。
具體實施例方式前述內(nèi)容將自以下對本發(fā)明的例示性具體實例的更具體描述顯而易見，如附圖中所說明，其中貫穿不同視圖，相同參考數(shù)字是指相同部件。圖式不需要按比例繪制，而是著重于說明本發(fā)明的具體實例。對本發(fā)明的例示性具體實例的描述如下。根據(jù)本發(fā)明的一具體實例，提供一種靜電吸盤，其在表面上包括突出物以供安裝基板。這些突出物由諸如聚醚酰亞胺(PEI)、聚酰亞胺或聚醚醚酮(PEEK)的聚合物質(zhì)形成。 另外，該靜電吸盤的特征為這些聚合物突出物所黏著的電荷控制表面層。該電荷控制表面層可由與突出物相同的諸如聚醚酰亞胺(PEI)、聚酰亞胺或聚醚醚酮(PEEK)的聚合物質(zhì)形成。這些突出物及該電荷控制表面層可幫助促使靜電吸盤與基板接觸以促進(jìn)接觸冷卻，同時亦減少不合需要的粒子產(chǎn)生。圖1為根據(jù)本發(fā)明具體實例的靜電吸盤的頂層的橫截面圖。該靜電吸盤的特征為突出物101，其是由諸如聚醚酰亞胺(PEI)、聚酰亞胺或聚醚醚酮(PEEK)的聚合物形成。靜電吸盤的氣封環(huán)(圖中未示)可由聚合物形成，諸如與突出物101相同的聚合物。突出物 101黏著于亦可由聚合物形成的電荷控制層102。電荷控制層102的目的在于提供導(dǎo)電層以導(dǎo)走表面電荷。電荷控制層102降低在移除吸盤電源后晶圓或其它基板靜電黏著于吸盤表面時發(fā)生“晶圓附著(wafer sticking) ”的可能性。表面電阻率在適當(dāng)范圍內(nèi)，諸如約 1 X IO8奧姆/平方至約1 X IO11奧姆/平方的范圍內(nèi)的電荷控制層102顯示減少表面電荷滯留，此表面電荷滯留可產(chǎn)生不合需要的靜電力且最終導(dǎo)致晶圓附著。微導(dǎo)電表面層將電荷導(dǎo)向地面(圖中未示)，而不干擾靜電吸盤與基板之間的靜電吸引。在一具體實例中，突出物101與電荷控制層102均由單一聚合物形成，諸如聚醚酰亞胺(PEI)、聚酰亞胺或聚醚醚酮(PEEK)。黏著層103可在電荷控制層102下方，且可包含不同于電荷控制層的聚合物。 詳言之，若電荷控制層由聚醚醚酮(PEEK)形成，則黏著層103可包含聚醚酰亞胺(PEI)?；蛘?，黏著層103無需存在。在黏著層103下方(或直接在電荷控制層102下方)，靜電吸盤包括黏著涂層104，其促使其上方的聚合物層黏著于介電層105。黏著涂層104保持埋于處于其上方的聚合物層之下，且掩蓋聚合物中的外觀瑕疵。黏著涂層104可包括例如含硅氮化物、含硅氧化物、含硅碳化物及這些物質(zhì)的非化學(xué)計量型式，例如(但不限于)SiOxNy、氮化硅、氧化硅或碳化硅。黏著涂層亦可包含碳或碳氮化合物；且可包含類鉆石碳；及/或前述物質(zhì)的組合。黏著涂層104下方為介電層105，諸如氧化鋁介電質(zhì)。圖2為展示根據(jù)本發(fā)明具體實例的靜電吸盤的其它層的橫截面圖。除突出物201、 電荷控制層202、黏著層203、黏著涂層204及介電層205以外，該靜電吸盤亦包括金屬電極 206。金屬電極206經(jīng)由導(dǎo)電環(huán)氧樹脂黏結(jié)體208黏結(jié)至電極針腳207。介電層205經(jīng)由陶瓷-陶瓷黏結(jié)體210黏結(jié)至絕緣體層209，諸如氧化鋁絕緣體。陶瓷-陶瓷黏結(jié)體210可由諸如聚四氟乙烯(PTFE)或改良的PTFE (除PTFE以外，其亦包括PFA及/或FEP)的聚合物形成。另外，陶瓷-陶瓷黏結(jié)體210可由諸如全氟烷氧基(PFA)、氟化乙烯-丙烯(FEP)及聚醚醚酮(PEEK)的聚合物形成。在絕緣體209下方，存在導(dǎo)熱黏結(jié)體211(其可例如使用由TRA-CON公司(Bedford，ΜΑ, U. S. Α.)出售的TRA-CON導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂形成)及水冷基座 212。黏著涂層204可沿靜電吸盤的一邊緣向下(包括沿氣封環(huán)的邊緣向下)延伸以形成金屬減少層213，其防止光束撞擊在靜電吸盤的邊緣上，引起鋁粒子撞擊基板。根據(jù)本發(fā)明的一具體實例，用于靜電吸盤的突出物201、電荷控制層202或其它組件的聚醚酰亞胺(PEI)可由厚度介于約12微米與約25微米之間的未填充無晶型聚醚酰亞胺(PEI)形成。舉例而言，可使用由Sabic Innovative Plastics Holdings BV以商標(biāo)名ULTEM 1000出售的PEI。若突出物201及/或電荷控制層202或其它組件由聚醚醚酮 (PEEK)形成，則其可由厚度介于約12微米與約25微米之間的未填充PEEK制成。舉例而言，可使用由 Victrex U.S.A.公司(West Conshohocken, PA, U. S. Α.)以商標(biāo)名 Victrex APTIV PEEK FILM 2000-006 (未填充無晶型等級)出售的PEEK。根據(jù)本發(fā)明的一具體實例，特征為聚合物突出物及聚合物電荷控制層的靜電吸盤可包括2009年5月15日申請、以美國專利申請公開案第2009/(^84894號公開的美國專利申請案第12/454，336號的靜電吸盤的特征，該案的教示內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。詳言之，可包括與等間隔的突出物、三角形圖案的突出物及低粒子產(chǎn)生相關(guān)的特征，且亦可包括其它特征。圖3說明根據(jù)本發(fā)明具體實例的靜電吸盤的表面上的突出物314的圖案，其中該突出物圖案用以減小基板與突出物314之間的力?？墒褂檬惯@些力均等分布的突出物圖案，例如突出物的三角形或一般六角形圖案。應(yīng)了解，如本文中所用的“三角形(trigonal)” 圖案欲意謂突出物的等邊三角形的規(guī)則重復(fù)圖案，使得這些突出物實質(zhì)上均等隔開。(此類圖案的形狀亦可視為一般六角形，其中中心突出物在形成正六角形頂點的六個突出物的數(shù)組的中心)。亦可藉由增大突出物的直徑315或藉由減小突出物314的中心-中心間隔316 來減小力。如圖3的具體實例所示，突出物可以等間隔的排列形式安置，其中各突出物與相鄰?fù)怀鑫镆灾行?中心間隔尺寸316實質(zhì)上均等隔開。藉助于該間隔，基板背面的實質(zhì)部分接觸突出物的頂部部分，在突出物之間留下供氦氣或其它氣體進(jìn)行背面冷卻的間隙。相比之下，若無該突出物間隔，則僅一小部分(10%或低于10%)突出物可接觸基板。根據(jù)本發(fā)明的一具體實例，基板可接觸25%以上的突出物頂部表面區(qū)域。在一實施例中，靜電吸盤可呈300mm如下組態(tài)其包括鋁基座、約0. 120吋厚的氧化鋁絕緣體209、約0. 004吋厚的氧化鋁介電質(zhì)205，且具有旋轉(zhuǎn)滾筒設(shè)計以允許安裝至靜電吸盤的基板旋轉(zhuǎn)及傾斜。靜電吸盤的直徑可為例如300mm、200mm或450mm。突出物314 可呈三角形圖案，其中中心-中心間隔尺寸316為例如約6mm至約8mm。突出物的直徑315 可為例如約900微米。突出物314的高度可為例如約3微米至約12微米，諸如約6微米。 突出物314可完全由可與電荷控制層202 (見圖2、相同的聚合物形成。圖4為根據(jù)本發(fā)明具體實例的靜電吸盤的表面外觀圖。該靜電吸盤表面包括氣體入口 417、地針通道418、氣封環(huán)419、包括自身氣封環(huán)(圖4中頂針信道420的外部淡色結(jié)構(gòu))的頂針信道420、及在吸盤中心的小氣體入口 421(入口在圖4中不可見)。地針通道 418可包括其自身的氣封環(huán)(圖4中地針通道的外環(huán)419)。詳圖(圖4中的插圖422)展示突出物414。氣封環(huán)419 (及頂針信道420與地針信道418的氣封環(huán))的寬度可為約0. 1 吋，且高度可與突出物414的高度相等，諸如約3微米至約12微米，例如約6微米，不過亦可能使用其它寬度及高度。
根據(jù)本發(fā)明的一具體實例，靜電吸盤可由如下制程來制造首先，使用陶瓷-陶瓷黏結(jié)體制備陶瓷總成。舉例而言，可使用上文關(guān)于圖2的具體實例所描述的黏結(jié)物質(zhì)將介電層205黏結(jié)至絕緣體層209。接著用黏著涂層204，諸如上文關(guān)于圖1的具體實例所論述的物質(zhì)涂布該陶瓷總成，達(dá)到約1或2微米的厚度。接著將構(gòu)成電荷控制層202及突出物 201的聚合物質(zhì)黏結(jié)至黏著涂層204的表面。接著可對聚合物質(zhì)的頂部進(jìn)行電漿處理以有助于光阻劑(隨后涂覆)附著。接著使光阻劑沈積于聚合物質(zhì)上，且曝光并顯影。繼而使用反應(yīng)性離子蝕刻制程以移除聚合物質(zhì)的厚度(諸如介于約3微米與約12微米之間，尤其為約6微米)，從而在突出物201之間形成區(qū)域?？舍槍⒂糜陟o電吸盤的背面氣壓來優(yōu)化蝕刻去除量(產(chǎn)生突出物的高度)。突出物的高度較佳近似等同于或?qū)嵸|(zhì)上等于背面冷卻中所用的氣體的平均自由路徑。蝕刻之后，接著剝離光阻劑，且制程進(jìn)行至最終靜電吸盤總成。圖5為根據(jù)本發(fā)明具體實例的靜電吸盤上突出物的特征圖。寬度及高度以微米展示。突出物的高度為約6微米，且具有極平滑的晶圓接觸表面523。舉例而言，突出物的晶圓接觸表面523上的表面粗糙度可為約0. 02 μ m至約0. 05 μ m。同樣，氣封環(huán)可具有類似平滑的表面，以良好密封基板。下表1展示根據(jù)本發(fā)明的一具體實例的氣體泄漏速率實驗的結(jié)果。左欄展示所施加的背面氣壓；右欄展示背面氣體流速，其是因氣體自靜電吸盤邊緣下方泄漏出而產(chǎn)生；且中間欄展示腔室壓力，其將隨著更多氣體自靜電吸盤邊緣泄漏出而升高。背面氣體流速(此處)小于Isccm的結(jié)果視為理想的。表1 氣體泄漏速率測試
權(quán)利要求
1.一種靜電吸盤，其包含一表面層，其由一電極中的一電壓激活以形成一電荷，從而將一基板靜電夾持于該靜電吸盤，該表面層包括多個聚合物突出物及該多個聚合物突出物所黏著的一電荷控制層， 該多個聚合物突出物延伸至高于圍繞該多個聚合物突出物的該電荷控制層的部分的一高度以在靜電夾持該基板期間將該基板支撐于該多個聚合物突出物上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中形成該多個聚合物突出物的該聚合物包含聚醚酰亞胺PEI。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電吸盤，其中該電荷控制層由聚醚酰亞胺PEI形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中形成該多個聚合物突出物的該聚合物包含聚醚醚酮PEEK。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中形成該多個聚合物突出物的該聚合物包含聚酰亞胺。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中該電荷控制層由第二種聚合物形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜電吸盤，其中該電荷控制層由聚醚酰亞胺PEI形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜電吸盤，其中該電荷控制層由聚醚醚酮PEEK形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的靜電吸盤，其中形成該多個聚合物突出物的該聚合物包含聚醚醚酮PEEK。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜電吸盤，其中該電荷控制層由聚酰亞胺形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的靜電吸盤，其中形成該多個聚合物突出物的該聚合物包含聚酰亞胺。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其另外包含一在該電荷控制層下方的黏著層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的靜電吸盤，其中該黏著層包含聚醚酰亞胺PEI。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其另外包含一黏著涂層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的靜電吸盤，其中該黏著涂層包含含硅氮化物、含硅氧化物、 含硅碳化物、非化學(xué)計量的含硅氮化物、非化學(xué)計量的含硅氧化物、非化學(xué)計量的含硅碳化物、碳及碳氮化合物中的至少一個。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的靜電吸盤，其中該黏著涂層包含SiOxNy、氮化硅、氧化硅、碳化硅及類鉆石碳中的至少一個。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的靜電吸盤，其中該黏著涂層延伸以包含一圍繞該靜電吸盤的一邊緣的至少一部分的金屬減少層。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其另外包含一將該靜電吸盤的一介電層黏結(jié)至該靜電吸盤的一絕緣體層的陶瓷-陶瓷黏結(jié)層，該陶瓷-陶瓷黏結(jié)層包含第三種聚合物。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的靜電吸盤，其中該第三種聚合物包含聚四氟乙烯PTFE及改良的聚四氟乙烯(PTFE)中的至少一個。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的靜電吸盤，其中該改良的聚四氟乙烯PTFE包含全氟烷氧基 PFA及氟化乙烯-丙烯FEP中的至少一個。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的靜電吸盤，其中該第三種聚合物包含全氟烷氧基PFA、氟化乙烯-丙烯FEP及聚醚醚酮PEEK中的至少一個。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中如相鄰聚合物突出物對之間的中心-中心距離所量測，該多個聚合物突出物實質(zhì)上等間隔橫越該表面層。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的靜電吸盤，其中這些突出物呈三角形圖案排列。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的靜電吸盤，其中這些聚合物突出物的中心-中心距離介于約6mm與約8mm之間。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的靜電吸盤，其中這些聚合物突出物的高度介于約3微米與約12微米之間。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的靜電吸盤，其中這些聚合物突出物的直徑為約900微米。
27.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中該電荷控制層的表面電阻率介于約IO8奧姆 /平方ohm per square至約IO11奧姆/平方之間。
28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其另外包含一包含聚合物的氣封環(huán)。
29.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的靜電吸盤，其中該氣封環(huán)包含聚醚酰亞胺PEI、聚酰亞胺及聚醚醚酮PEEK中的至少一個。
30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中該多個聚合物突出物的表面粗糙度介于約 0. 02 μ m 與約 0. 05 μ m 之間。
31.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中形成該多個聚合物突出物的該聚合物包含聚醚酰亞胺PEI，其中該電荷控制層由聚醚酰亞胺PEI形成，且其中該靜電吸盤包含一黏著涂層，該黏著涂層包含含硅氮化物、含硅氧化物、含硅碳化物、非化學(xué)計量的含硅氮化物、非化學(xué)計量的含硅氧化物、非化學(xué)計量的含硅碳化物、碳及碳氮化合物中的至少一個。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的靜電吸盤，其另外包含一將該靜電吸盤的一介電層黏結(jié)至該靜電吸盤的一絕緣體層的陶瓷-陶瓷黏結(jié)層，該陶瓷-陶瓷黏結(jié)層包含聚四氟乙烯PTFE 及改良的聚四氟乙烯PTFE中的至少一個。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的靜電吸盤，其中該電荷控制層的表面電阻率介于約IO8奧姆/平方至約IO11奧姆/平方之間。
34.一種制造一靜電吸盤的方法，該方法包含使用包含聚四氟乙烯PTFE、改良的聚四氟乙烯PTFE、全氟烷氧基PFA、氟化乙烯-丙烯 FEP及聚醚醚酮PEEK中的至少一個的黏結(jié)聚合物將該靜電吸盤的一介電層黏結(jié)至該靜電吸盤的一絕緣體層；用一包含含硅氮化物、含硅氧化物、含硅碳化物、非化學(xué)計量的含硅氮化物、非化學(xué)計量的含硅氧化物、非化學(xué)計量的含硅碳化物、碳及碳氮化合物中的至少一個的黏著涂層涂布該靜電吸盤的該介電層；將一包含電荷控制層聚合物的電荷控制層黏結(jié)至該靜電吸盤的該表面，該電荷控制層聚合物包含聚醚酰亞胺PEI、聚酰亞胺及聚醚醚酮PEEK中的至少一個；將一光阻劑沈積至該電荷控制層上；對該電荷控制層進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻以移除將圍繞多個于該電荷控制層中形成的聚合物突出物的該電荷控制層的部分；及將該光阻劑自該靜電吸盤剝離，從而露出由與該電荷控制層相同的該電荷控制層聚合物形成的該多個聚合物突出物。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的一具體實例，提供一種靜電吸盤。該靜電吸盤包含一表面層，該表面層由一電極中的一電壓激活以形成一電荷，從而將一基板靜電夾持于該靜電吸盤。該表面層包括多個聚合物突出物及該多個聚合物突出物所黏著的一電荷控制層，該多個聚合物突出物延伸至高于圍繞該多個聚合物突出物的該電荷控制層的部分的一高度以在靜電夾持該基板期間將該基板支撐于該多個聚合物突出物上。
文檔編號H01L21/687GK102449754SQ201080019939
公開日2012年5月9日 申請日期2010年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月15日
發(fā)明者劉研, 史蒂文·唐涅爾, 奈特·理查, 理查·A·庫克, 馬克·沃斯 申請人:恩特格林斯公司