專利名稱：蒸鍍處理裝置和蒸鍍處理方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在例如有機EL元件的制造中的發(fā)光層的成膜中使用的蒸鍍處理裝置和蒸鍍處理方法。
背景技術：
近年，開發(fā)有利用場致發(fā)光(EL=Electro Luminescence)的有機EL元件。有機 EL元件幾乎不放出熱，與陰極射線管等相比消耗電力小，此外，由于自發(fā)發(fā)光，所以與液晶顯示裝置(LCD)等相比有在視角方面優(yōu)良等優(yōu)點，期待今后的發(fā)展。該有機EL元件最基本的結構是在玻璃基板上使正極(陽極)層、發(fā)光層和負極 (陰極)層層疊而形成的層狀結構。為了向外取出發(fā)光層的光，在玻璃基板上的正極層使用由ITOandium Tin Oxide 氧化銦錫)等形成的透明電極。該有機EL元件一般是通過在表面預先形成了 ITO層(正極層)的玻璃基板上將發(fā)光層和負極層按順序成膜、并且使密封膜層成膜而制造的。上述有機EL元件的結構的發(fā)光層的成膜一般在蒸鍍處理裝置實施。在專利文獻 1公布了實施有機EL元件的制造中進行成膜的蒸鍍處理裝置和方法。此外，在專利文獻2公布了蒸鍍裝置的粉體材料供給室用的真空用閘閥和具備該真空用閘閥的蒸鍍處理裝置。專利文獻1 :US2007/0098891A1 號公報專利文獻2 日本特開2007-155005號公報

發(fā)明內容
發(fā)明要解決的課題在上述專利文獻1記載的蒸鍍裝置具備的有機材料的材料供給機構中，有機材料是固態(tài)的顆粒和球團等、或者是溶液狀，使這些有機材料蒸汽化，在基板等被處理體上通過蒸鍍來實施成膜。此外，在上述專利文獻2記載的蒸鍍裝置中，作為材料舉例表示的MgO以單晶或球團狀被供給。如上述專利文獻1、2記載，在通過閘閥等開閉式閥供給顆粒狀的有機材料的時候，有機材料的流動性變高不會發(fā)生篩眼堵塞等，能有效地從材料供給機構向材料蒸發(fā)室等供給有機材料。但是，在使有機材料為顆粒狀等、并使用開閉式閥來實施供給的時候，由于顆粒的大小和開閉式閥的開閉時間的長短等因素，有機材料的投入量中出現(xiàn)偏差。此外，根據(jù)投入的有機材料的顆粒的大小，升華和溶解的速度發(fā)生變化，成膜率出現(xiàn)偏差。此外，與例如成為粉末狀的有機材料比較，存在升華、溶解的速度變慢且蒸鍍處理裝置的運轉效率下降這樣的問題點。另一方面，在使有機材料成為粉末狀、并從材料供給機構向材料蒸發(fā)室等供給的時候，由于是粉末狀而流動性低，所以在設置于材料供給機構等的供給用的配管等處堵塞，或者附著在開閉閥的密封面，可能有損密閉性等。
因此，本發(fā)明的目的是提供能使保持在高流動性的狀態(tài)的顆粒狀的有機材料有效地以均一比率升華、溶解的蒸鍍處理裝置和蒸鍍處理方法。解決問題的方法根據(jù)本發(fā)明，提供一種通過蒸鍍在基板上使薄膜成膜的蒸鍍處理裝置，其包括供給材料氣體的、自由減壓的材料供給裝置和在所述基板使薄膜成膜的成膜裝置，所述材料供給裝置具有對材料進行定量的定量部和使通過了所述 定量部的材料氣化的材料氣體生成部。所述定量部可以具有向上凸的圓錐形狀的蓋體、相對于所述蓋體的上表面設置的圓錐形狀的凹面體和使所述蓋體和所述凹面體相對地旋轉的旋轉機構。所述蓋體的側面由傾斜相對不同的上側面和下側面形成，所述上側面的傾斜可以比所述下側面的傾斜平緩。 此外，所述定量部可以具有被抽真空的且向所述定量部投入材料的材料投入機構和能自由變更所述蓋體與所述凹面體之間的間隙的升降機構。并且，可以包括所述定量部和使所述定量部附近振動的振動機構。此外，在所述材料供給裝置中，在所述定量部的上方設置有具有攪拌顆粒狀的材料的攪拌器的攪拌部。所述材料氣體生成部，是經(jīng)由規(guī)定的長度的通路與所述定量部連通的、使材料升華的材料升華室，所述通路和所述材料升華室具備加熱器，所述通路被賦予所述定量部一側的溫度低而所述材料氣體生成部一側的溫度高的溫度梯度。在所述通路和所述材料升華室的外面，形成內部具有所述加熱器的密閉空間，在所述密閉空間內封入揮發(fā)性的液體。此外，在所述材料升華室設置有通過使材料透過而分散的材料分散板和在上表面具有突出部的、由多孔性陶瓷形成的升華材料蒸發(fā)部。此外，在所述材料升華室可以設置通過加熱材料使之升華的材料升華板；穿過能自由旋轉的所述通路內的軸；和固定于所述軸的端部并配置于所述材料升華板的上表面附近的材料分散機構。此處，所述通路和所述材料升華室的內表面可加工為粗糙面。此外，所述材料氣體生成部是經(jīng)由規(guī)定的長度的通路與所述定量部連通的、使材料溶解的材料溶解室，所述通路和所述材料溶解室具備加熱器，所述通路被賦予所述定量部一側的溫度低而所述材料氣體生成部一側的溫度高的溫度梯度。在所述通路和所述材料溶解室的外面形成有內部具有所述加熱器的密閉空間，可以在所述密閉空間內封入揮發(fā)性的液體。所述通路和所述材料溶解室的內表面可以加工為粗糙面。所述成膜裝置由與外部的真空泵連通的處理腔室和保持基板的基板保持室構成， 可以在內部具有經(jīng)由材料導入路與所述材料氣體生成部連通的蒸鍍頭。在所述材料導入路設置有控制材料的流量的閥，在所述材料導入路設置有與外部的真空泵連通且具有自由開閉的閥的材料退避路，在所述蒸鍍頭設置有與外部的真空泵連通且具有自由開閉的閥的流出用流路。所述材料投入機構由導入材料的、可抽真空的材料導入部和將導入的材料投入所述材料供給裝置的、可抽真空的材料投入部構成，所述材料投入部與所述材料導入部可以經(jīng)由間閥連接。所述材料導入部可具備精制材料的精制機構。此外，向所述定量部和所述材料氣體生成部導入氬氣等惰性氣體作為載氣(carrier gas)。此外，根據(jù)從其他觀點看的本發(fā)明，提供向在基板上使薄膜成膜的成膜裝置供給材料氣體的材料供給裝置，具有對材料進行定量的定量部和使通過了所述定量部的材料氣化的材料氣體生成部。所述定量部具有向上凸的圓錐形狀的蓋體、相對于所述蓋體的上表面設置的圓錐形狀的凹面體和使所述蓋體和所述凹面體相對地旋轉的旋轉機構。此外，所述定量部具有被抽真空的、向所述定量部投入材料的材料投入機構和自由改變所述蓋體與所述凹面體之間的間隙的升降機構。此外，所述材料供給裝置也可以具備所述定量部和使所述定量部附近振動的振動機構。并且，也可在所述定量部的上方設置具有攪拌顆粒狀的材料的攪拌器的攪拌部。所述材料氣體生成部是經(jīng)由規(guī)定的長度的通路與所述定量部連通的使材料升華的材料升華室，所述通路和所述材料升華室可具備加熱器，所述通路被賦予所述定量部一側的溫度低而所述材料氣體生成部一側的溫度高的溫度梯度，在所述材料升華室可設置通過使材料透過來使其分散的材料分散板和在上表面具有突出部的、由多孔性陶瓷形成的升華材料蒸發(fā)部。此外，在所述材料升華室可設置通過加熱材料來使其升華的材料升華板； 穿過能自由旋轉的所述通路內的軸；固定于所述軸的端部且配置于所述材料升華板的上表面附近的材料分散機構。此處，所述通路和所述材料升華室的內表面可加工為粗糙面。此外，所述材料氣體生成部是通過規(guī)定的長度的通路與所述定量部連通且使材料溶解的材料溶解室，所述通路和所述材料溶解室具備加熱器，所述通路被賦予所述定量部一側的溫度低而所述材料氣體生成部一側的溫度高的溫度梯度。此處，所述通路和所述材料溶解室的內表面可加工為粗糙面。并且根據(jù)從其他的觀點看的本發(fā)明，提供通過蒸鍍在基板上使薄膜成膜的蒸鍍處理方法，將顆粒狀的材料粉碎，通過使已粉碎的所述材料升華或者溶解來氣化，使用已氣化的材料氣體在基板上使薄膜成膜。此處，顆粒狀的所述材料是將粉狀的材料粒狀化而制作的。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能提供能使保持為高流動性的狀態(tài)的有機材料有效地升華、溶解的蒸鍍處理裝置。通過使有機材料有效地升華、溶解，能實現(xiàn)使有機層在基板上成膜時的成膜時間的縮短和基板成膜后接著用于基板的成膜的等待時間的縮短等。此外，通過使有機材料及時地升華、溶解，能防止有機材料的劣化。并且，由于能使恒定量的有機材料升華、溶解，所以能得到均一的蒸發(fā)率。


圖1是有機EL元件A的制造工序的說明圖。圖2是蒸鍍處理裝置1的概略的說明圖。圖3是材料供給裝置30的擴大圖。圖4是升華材料瓶80的概略的截面圖。圖5是溶解材料瓶90的概略的截面圖。圖6是材料蒸發(fā)板82的概略圖。圖7是升華材料瓶80’的概略的截面圖。圖8是材料分散機構95的概略的立體圖。圖9是表示在升華材料瓶80和與升華材料瓶80的上部連通的落下通路72的外面設置密閉空間100的狀態(tài)的說明圖。圖10是具有二段傾斜的圓錐形狀的蓋體60’的側面擴大圖。
圖11是用圖表表示從開始供給材料的時間推移與材料的累積供給量的圖。
圖12是表示蓋體60的變形例的側面圖。
圖13是表示材料投入機構40的結構的一個例子的說明圖。
符號說明
1蒸鍍處理裝置
10正極層
11發(fā)光層
12負極層
13密封膜層
15成膜裝置
20處理腔室
21基板保持室
22蒸鍍頭
26、55真空泵
30材料供給裝置
30a控制部
30b供給部
30c材料氣體生成部
31材料導入路
33彈性密封體
40材料投入機構
41攪拌器
42攪拌部
43落下孔
44旋轉筒
50、62旋轉機構
51旋轉傳達部
52加熱器
57氣體導入器
60、60，蓋體
61軸
63凹面體
64間隙部
65升降機構
66測量器
70定量部
71空間
72落下通路80、80，升華材料瓶81材料分散板82材料蒸發(fā)板82，突出部90溶解材料瓶91氣體通過孔92 隔板95材料分散機構96材料散布體97材料均一體98材料升華板100密閉空間101 側面IOla 緩斜面IOlb 陡斜面103 境界104圓錐部105圓柱部120材料導入部121 排氣口125材料投入路130 閘閥132 空間133 導入口140精制機構142加熱器145攪拌機構147 車由149攪拌棒150 管道A有機EL元件B液化有機材料G 基板L 液體
具體實施例方式以下，參照

本發(fā)明的實施方式。并且，在本說明書和附圖中，通過對實質性地具有相同功能結構的要素賦予相同的符號來省略重復說明。
圖1是由含有本發(fā)明的實施方式的蒸鍍處理裝置1的各種成膜裝置制造的有機EL 元件A的制造工序的說明圖。如圖1(a)所示，準備在上表面正極(陽極)層10已成膜的基板G?；錑由例如由玻璃等形成的透明的材料形成。此外，正極層10由ITO (Indium Tin Oxide:氧化銦錫)等透明的導電性材料形成。并且，正極層10例如通過濺射法等在基板G 的上表面形成。首先，如圖1(a)所示，在正極層10上，發(fā)光層(有機層)11通過蒸鍍法成膜。并且，發(fā)光層11是由將例如孔輸送層、非發(fā)光層(電子塊層(Electron Block Layer))、藍發(fā)光層、紅發(fā)光層、綠發(fā)光層、電子輸送層進行層疊后的多層結構等形成。接著，如圖1(b)所示，在發(fā)光層11上，例如由Ag、Al等形成的負極(陰極)層12 通過例如使用了掩膜的濺射而形成。接著，如圖1(c)所示，將負極層12作為掩膜，通過使發(fā)光層11進行例如干刻，發(fā)光層11被施加圖形。接著，如圖1(d)所示，按照覆蓋發(fā)光層11及負極層12的周圍和正極層10的露出部的方式，例如由氮化硅(SiN)形成的絕緣性的密封膜層13被成膜。該密封膜層13的形成例如由μ波等離子CVD法來實施。這樣，被制造的有機EL元件Α，通過在正極層10與負極層12之間施加電壓，能使發(fā)光層11發(fā)光。該有機EL元件A能適用于顯示裝置和面發(fā)光元件(照明、光源等)，另外， 能用于各種的電子裝置。圖2是本實施方式的蒸鍍處理裝置1的概略的說明圖。并且，在通常的蒸鍍處理裝置中，使有機材料氣體噴出到基本G的蒸鍍頭，可為了例如孔輸送層、非發(fā)光層(電子塊層)、藍發(fā)光層、紅發(fā)光層、綠發(fā)光層、電子輸送層等多個有機層的蒸鍍而準備多個，但是在本實施方式中參照附圖舉例說明蒸鍍頭為一個的情況，以下進行說明。圖2所示的蒸鍍處理裝置1包括在基板G使薄膜成膜的成膜裝置15和給成膜裝置15供給成膜的材料氣體的材料供給裝置30。在成膜裝置15設置用于實施成膜處理的處理腔室20和基板保持室21，跨著處理腔室20和基板保持室21設置有蒸鍍頭22?；灞３质?1設置于處理腔室20的下方，在基板保持室21的內部設置以成膜對象面朝向上的狀態(tài)(面朝上狀態(tài))保持基板G的保持臺23。此處按照蒸鍍頭22的材料氣體噴出面面向基板G的上表面(成膜對象面)的方式設置蒸鍍頭22。此外，處理腔室20通過排氣管25與真空泵26連通，在成膜時抽真空。此外，材料供給裝置30由控制部30a、供給部30b、材料氣體生成部30c構成，蒸鍍頭22經(jīng)由將材料氣體導入蒸鍍頭22的材料導入路31與材料氣體供給裝置30的材料氣體生成部30c連通。即，從材料氣體生成部30c供給的材料氣體被導入蒸鍍頭22，并從蒸鍍頭 22向基板G噴出。此外，在材料導入路31設置有能切換有無向蒸鍍頭22導入材料氣體的閥33。在材料導入路31中在材料氣體生成部30c與閥33之間設置有與真空泵26連通并具有自由開閉的閥35的材料退避路34。此外，在蒸鍍頭22設置有與真空泵26連通并具有自由開閉的閥37的流出用流路36。此外，在蒸鍍頭22的兩側部和基板保持室21的兩側部設置使光透過的窗39。使光透過這些窗39，利用例如傅里葉變換型紅外分光法(FTIR)等方法能核查蒸鍍頭22內的材料氣體的蒸汽量 的蒸汽量測量裝置38設置于基板保持室21的外部。
以下參照圖2和作為圖2中的材料供給裝置30的擴大圖的圖3，說明材料供給裝置30的結構。如圖3所示，材料供給裝置30由控制部30a、供給部30b和材料氣體生成部 30c形成，控制部30a與供給部30b通過伸縮自由的彈性密封材39連結。在材料供給裝置 30設置有實施有機材料的投入的例如負載鎖定式的材料投入機構40，從 材料投入機構40 對具備攪拌器41的攪拌部42導入顆粒狀的有機材料。如圖3所示，攪拌部42是越向下越窄的圓錐形狀的空間，在攪拌部42的最下部設置有機材料落下的落下孔43。此外，攪拌器 41垂直地設置于攪拌部42的中央。此處，攪拌器41與設置于材料供給裝置30內部的旋轉筒44連結，在旋轉筒44的上部設置滑輪45a。此外，在設置于控制部30a的上部的旋轉機構50的下方通過軸46設置滑輪45b，通過在上述滑輪45a與滑輪45b之間展開傳動帶47， 旋轉機構50的旋轉動力傳達到旋轉筒44，在攪拌部42內攪拌器41旋轉。并且，攪拌器41 成為在旋轉筒44的外周垂直地設置多個攪拌用棒狀體48的結構。因而，被投入到攪拌部 42的有機材料通過攪拌器41的旋轉被各棒狀體48攪拌。此外，在攪拌部42的兩側部安裝有加熱器52，能實施攪拌部42的溫度控制。此夕卜，攪拌部42通過彈性密封材39相對于材料供給裝置30的上部(控制部30a)被密封，攪拌部42的內部由真空泵55抽真空，由氣體導入器57導入例如氬等載氣。在攪拌部42的下方，按照從下方堵塞落下孔43的方式設置向上凸的圓錐形狀的蓋體60。蓋體60由設置于蓋體60的上部的軸61支承。軸61由隔著結合部材61’的上下兩個軸61a和61b構成，在軸61a的上部安裝例如旋轉用發(fā)動機等旋轉機構62，軸61呈自由旋轉。即，由軸61支承的蓋體60呈自由旋轉。此外，在控制部30a的上方設置有升降機構65，升降機構65使包含旋轉機構62、軸61和由軸61支承的蓋體60的控制部30a升降。 此處，針對依靠升降機構65的升降距離，因為伴隨該升降控制部30a進行升降，所以能由安裝在控制部30a的例如千分尺等測量器66進行測量。在蓋體60的上部附近設置有相對于蓋體60的上表面而設置的圓錐形狀的凹面體 63，通過蓋體60的升降，在蓋體60與凹面體63之間產(chǎn)生的間隙部64的寬度發(fā)生變化。即， 間隙部64的寬度的變化由測量器66測量。并且，在以下，將由該蓋體60和凹面體63構成的、通過旋轉機構和升降機構蓋體60旋轉、升降的、使間隙部64的寬度變化的部分作為定量部70進行說明。在定量部70的下方設置有逆圓錐形狀的空間71，在空間71的下部設置有機材料落下的落下通路72。氣體導入器57與空間71連通，例如，導入氬氣作為載氣，其壓力由壓力計73測量。此外，在落下通路72的兩側部具備加熱器52，實施溫度控制。此處，在落下通路72優(yōu)選賦予溫度梯度使得定量部70 —側的溫度低而材料氣體生成部30c —側的溫度
尚ο如圖2所示，落下通路72與材料氣體生成部30c連通。此處，在材料氣體生成部 30c具備加熱器52，有機材料在材料氣體生成部30c被液化或氣化。落下通路72是用于使有機材料落下的通路，為了避免在材料氣體生成部30c被氣化的有機材料氣體逆流，落下通路72的長度設為有機材料氣體不逆流的程度的規(guī)定以上的長度。在材料氣體生成部30c實施有機材料的液化或者氣化。此處，在有機材料使用例如Alq3等升華材料和α -NPD等溶解材料，但是由于升華材料與溶解材料的蒸發(fā)機理不同， 所以材料氣體生成部30c的結構是在使用升華材料的情況下與使用溶解材料的情況下有很大不同的結構時，能有效地實施蒸發(fā)。于是，針對設置在作為材料氣體生成部30c的有機材料使用升華材料時采用的升華材料瓶80，參照圖4進行說明。此外，針對設置在材料氣體生成部30c的有機材料使用溶解材料時采用的溶解材料瓶90，參照圖5進行說明。圖4是在從材料供給裝置30供給的有機材料為升華材料時，使有機材料升華并使材料氣體產(chǎn)生的升華材料瓶80的概略的截面圖。如圖4所示，在升華材料瓶80的上部設置有與材料供給裝置30連通的落下通路72的出口，此外，在下部設置有與處理腔室20內的蒸鍍頭22連通的材料導入路31。此外，在升華材料瓶80的內部上方設置有例如網(wǎng)狀的材料分散板81，在其下方，在比材料導入路31更靠上方處設置例如由多孔性陶瓷形成的材料蒸發(fā)板82。此處，材料蒸發(fā)板82在上表面呈具有多個突起部82’的形狀，成為與通常的平板形狀比表面積大的形狀。并且，在落下通路72、材料導入路31如上所述分別在兩側部設置有加熱器52，此外，在升華材料瓶80的上表面部和兩側部也設置有加熱器52，可進行溫度控制。此外，此處的升華材料瓶80的溫度控制，基于需要穩(wěn)定并有效地實施有機材料的升華的觀點，優(yōu)選使其在士0.2°C左右的范圍內均熱，進而更優(yōu)選使其在士0. 1°C左右的范圍內均熱。圖5是在從材料供給裝置30供給的有機材料為溶解材料時，使有機材料溶解并使材料氣體產(chǎn)生的溶解材料瓶90的概略的截面圖。如圖5所示，在溶解材料瓶90的一個端部上方設置有與材料供給裝置30連通的落下通路72的出口，此外，在另一個端部連接與處理腔室20內的蒸鍍頭22連通的材料導入路31。此外，在溶解材料瓶90內部的落下通路 72出口附近的材料導入路31 —側設置有具有多處氣體通過孔91的隔板92。此處，如圖5 所示，隔板92成為以下的結構不將溶解材料瓶90的內部空間完全地隔開，在溶解材料瓶 90的內部空間的下方部分，隔板92不到達下表面，不將溶解材料瓶90的內部下方隔開。此處，由液化的有機材料形成的溶解材料B，如圖5所示，為不堵塞氣體通過孔91、材料導入路 31的程度的規(guī)定的量。即，氣體通過孔91設置于比溶解材料B的液面靠近上方處。并且， 與上述升華材料瓶80相同，在溶解材料瓶90的上表面、下表面、側面設置加熱器52，可進行溫度控制。在參照圖2和圖3說明的蒸鍍處理裝置1中，作為對于基板G圖1(a)所示的發(fā)光層的形成，利用蒸鍍法實施有機層的成膜時，首先，來自材料投入機構40的顆粒狀有機材料被投入攪拌部42。此處，攪拌部42通過連通的真空泵55被抽真空，成為從氣體導入部 57導入載氣的氬氣的狀態(tài)。被投入到攪拌部42的顆粒狀有機材料通過利用旋轉機構50而旋轉的攪拌器41被均一地攪拌。這時，在攪拌部42，有機材料被設置于側部的加熱器52加熱，并且為了實施攪拌部42的抽真空，水分等有機材料以外的雜質被除去，精制。接著，已攪拌的顆粒狀有機材料從落下孔43落下到定量部70的蓋體60與凹面體 63之間的間隙部64。此處，間隙部64的寬度為比顆粒狀有機材料的直徑小。此外，蓋體60 被軸61從上部支承，由于軸61依靠旋轉機構62進行旋轉，所以蓋體60也同樣地旋轉。因此落下到間隙部64的顆粒狀有機材料，以研磨棒(wooden pestle)的要領在間隙部64旋轉的同時被壓碎為粉末狀。此處，被壓碎的粉末狀的有機材料因蓋體60的旋轉，外周部的圓周速度快，所以沿著蓋體60的上表面漸漸地向外側落下。而且，落下到設置于定量部70 的下方的空間71。
此外，蓋體60成為隨著因升降機構65的軸61的升降也升降的結構。該升降距離由測量器66測量。因而，間隙部64的寬度根據(jù)蓋體60的升降能自由地變更，間隙部64的寬度可由測量器66測量。另一方面，如上所述，載氣的氬氣從氣體導入器57被導入攪拌部 42，但是定量部70和空間71也同樣地被導入載氣。攪拌部42與空間71的載氣的壓力的差成為主要因素中的一個，粉末狀的有機材料從定量部70落下。即，在從材料投入機構40投入足夠的有機材料時，根據(jù)間隙部64的寬度、蓋體60 的旋轉速度、攪拌部42與空間71的壓力差這三個主要因素來決定從攪拌部42向空間71 的有機材料的落下量。上述三個主要因素，能通過升降機構65、旋轉機構50、氣體導入器57 來控制，因此能將從定量部70落下的粉末狀的有機材料的量定量為所需的量。并且，通過使導入攪拌部42與空間71的載氣的壓力相等，并消除攪拌部42與空間71的壓差，能僅通過控制部30a的升降機構65和旋轉機構50的控制來實施落下的有機材料的定量，能更簡便地實施有機材料的向材料氣體生成部32的導入。接著，定量為所需的量的粉末狀的有機材料從空間71通過落下通路72導入材料氣體生成部30c。此處，材料氣體生成部30c根據(jù)導入的有機材料是升華材料還是溶解材料而結構不同，其結構如參照圖4和圖5進行的上述說明。以下針對有機材料為升華材料的情況和為溶解材料的情況，參照圖4、圖5進行說明。有機材料為升華材料時，使用圖4所示的升華材料瓶80。從落下通路72向升華材料瓶80落下的粉末狀有機材料，通過例如從網(wǎng)狀的材料分散板81通過來進行分散。而且， 在由例如多孔性陶瓷形成的材料蒸發(fā)板82的上表面進行堆積。材料蒸發(fā)板82通過加熱器保持在比有機材料(升華材料)的升華點更高的溫度，堆積在材料蒸發(fā)板82的有機材料升華，成為材料氣體。并且，由于有機材料以粉末的狀態(tài)堆積在材料蒸發(fā)板82，所以該升華與使例如有機材料以顆粒狀原樣升華的情況相比能在極短的時間有效地進行升華，能使材料氣體大量地產(chǎn)生。產(chǎn)生的材料氣體以被從落下流路72流入到升華材料瓶80的載氣推出的方式從材料導入路31流出。作為材料蒸發(fā)板82的形狀，只要是能有效地加熱堆積的粉末狀的有機材料并使其升華的形狀即可，例如如圖6所示，優(yōu)選在上表面具有多個突起部82’的形狀。此外，作為材料蒸發(fā)板82的材料，只要是能對堆積的粉末狀的有機材料均一加熱的、具有均熱性的材料即可，舉例說明有多孔性陶瓷。另一方面，有機材料為溶解材料的情況，使用圖5所示的溶解材料瓶90。由于溶解材料瓶90內部保持為比溶解點高的溫度，所以從落下通路72落至溶解材料瓶90的粉末狀的有機材料發(fā)生液化，如圖5所示，作為液化有機材料B蓄積在溶解材料瓶90的下部。此夕卜，在溶解材料瓶90內設置隔板92，該隔板92如上所述僅下部沒有隔開部分，且在上部設置兩處氣體通過孔91。液化有機材料B由安裝于溶解材料瓶90的加熱器52被一直加熱，所以在溶解材料瓶90內氣化，在溶解材料瓶90內充滿材料氣體。而且，由于載氣從落下通路72流向溶解材料瓶90，所以材料氣體從材料導入路31流出，該材料導入路31設置于與溶解材料瓶 90的設置落下通路72的部分相對的部分。如以上說明，有機材料氣化的材料氣體從升華材料瓶80或者溶解材料瓶90的材料氣體生成部30c向材料導入路31流出。而且，如圖2所示，由于材料導入路31與處理腔室20內的蒸鍍頭22連通，所以在閥33打開的時候，材料氣體被導入蒸鍍頭22內。在蒸鍍頭22安裝有加熱器52，在蒸鍍頭22的內部材料氣體不析出，從蒸鍍頭22對基板G噴出材料氣體。 并且，在從蒸鍍頭22向基板G不實施材料氣體的噴出時，通過關閉閥33來阻止從材料導入路31向蒸鍍頭22的材料氣體的導入。這時，由于在材料氣體導入路31殘留有材料氣體，所以在材料導入路31具備閥35，設置與真空泵沈連通的材料退避路34，材料氣體被真空泵沈吸引、回收。此外，在成膜結束時吸引、回收殘留在蒸鍍頭22內的材料氣體，在蒸鍍頭22設置用于將蒸鍍頭22內部抽真空的、與真空泵沈連通的流出用流路36。利用這些材料退避路34和流出用流路36，殘留在材料導入路31和蒸鍍頭22內的材料氣體被完全地回收，在有多個實施成膜的基板G的情況下，能使各基板G的成膜環(huán)境均一，能實施對多個基板G進行均一性高的成膜。此外，將利用設置于蒸鍍頭22的側部(基板保持室21的側部)的FIlR檢測器等蒸汽量測量器38來測量的蒸鍍頭22內部的蒸汽量與希望的蒸汽量比較，將其結果作為信號送到材料供給裝置30的氣體導入器57和設置于各部的加熱器52，根據(jù)該信號控制從氣體導入器57導入的載氣的量和各部的溫度，能使蒸鍍頭22內的蒸汽量最優(yōu)化。在以上說明的本實施方式的蒸鍍處理裝置1中，能將顆粒狀的有機材料在材料供給裝置30中進行定量，并且使其為粉末狀、有效地進行氣化且生成材料氣體。并且，在使材料氣體向基板G噴出并通過蒸鍍來實施成膜時，在對一個基板G實施成膜后，在對下一個基板G實施成膜時，將蒸鍍頭22和材料導入路31的內部暫時抽真空，通過在與第一個基板G 大致相同的條件下進行成膜，也能總是均一地實施向基板G的成膜。例如，在使用負載鎖定式的材料投入機構40將顆粒狀的材料投入到定量部70時， 與材料為粉狀的情況相比，能正確地進行材料投入時的材料的定量，而且，能順利地連續(xù)投入。以上，說明了本發(fā)明的實施方式的一個例子，但是本發(fā)明不限定于上述實施方式。 顯然，只要是本領域的技術人員，在專利權利要求的范圍記載的思想的范疇內，能想到各種變形例或修正例，這些也當然屬于本發(fā)明的技術范圍。在上述實施方式中，舉例說明制造有機EL元件的情況，針對使用有機材料在基板使有機層蒸鍍的情況進行了說明，但是本發(fā)明不限定于此，也能適用于通過利用蒸鍍處理來實施成膜、表面處理等進行制造的各種電子裝置、光學裝置等。此外，在上述實施方式中，在從圖2或圖3所示的材料供給裝置30供給的有機材料為升華材料時，升華材料瓶80的結構為圖4所示的結構，但是不限定于此。以下參照圖7 和圖8針對采用其他的結構的升華材瓶80’進行說明。并且，通過對具有與上述實施方式相同的功能結構的結構要素賦予相同的符號來省略其說明。如圖7所示，在升華材料瓶80，的內部設置配置于落下通路72的軸94。軸94的上端與蓋體60連接，軸94在落下通路72內與蓋體60 —起旋轉。此外，如圖8所示，在升華材料瓶80’內，在軸94的下端部安裝材料散布體96和材料均一體97作為材料分散機構 95。材料散布體96是向上凸的圓錐形狀。材料均一體97通過軸97a水平安裝在材料散布體96的下方。此外，在升華材料瓶80’內，在材料均一體97的下方設置例如網(wǎng)狀的材料升華板98。通過安裝在材料升華板98的加熱器52，材料升華板98被加溫。材料均一體97是截面為三角形的棒形狀，材料均一體97的底面與材料升華板98的上表面空出適當?shù)拈g隔相互平行。如上述實施方式的說明中所述，蓋體60通過旋轉機構62的運轉而旋轉。因此構成為與蓋體60連接的軸94也旋轉，進而，與軸94的旋轉連動，安裝于軸94的材料散布體 96和材料均一體97也旋轉。

在按照以上方式構成的升華材料瓶80’中，通過載氣從材料供給裝置30的流動而通過落下通路72而落下的、作為升華材料的粉末狀的有機材料，通過旋轉的材料散布體96 廣闊散布在材料升華板98。而且，在材料升華板98上堆積的粉末狀的有機材料，通過材料均一體97旋轉而在材料升華板98上均一地擴散。而且，均一地擴散的有機材料在被加溫的材料升華板98上被加熱而升華。升華的有機材料(有機材料氣體)與上述實施方式相同，從材料導入路31流出。此外，在上述實施方式中，說明了在材料氣體生成部30c (升華材料瓶80、80’、溶解材料瓶90)的上表面及側面和落下通路72的側面設置加熱器52的目的，該加熱器52優(yōu)選設置于以覆蓋例如材料氣體生成部30c和落下通路72的外面整個面的方式設置的密閉空間內。于是，以下參照圖9說明覆蓋材料氣體生成部30c和落下通路72的外面的密閉空間100的結構。并且，在以下的說明中作為材料氣體生成部30c以升華材料瓶80為例進行說明，但是在材料氣體生成部30c的結構為其他的結構時(溶解材料瓶90或升華材料瓶 80’等結構)，當然也能在其外面設置密閉空間100。圖9是表示在圖4所示的升華材料瓶80和與升華材料瓶80的上部連通的落下通路72的外面形成密閉空間100的狀態(tài)的說明圖。如圖9所示在升華材料瓶80的外面整個面(側面、上表面、底面)和落下通路72的側面分別設置密閉空間100。密閉空間100也可以分別設置于升華材料瓶80的側面、上表面、底面，也可以按照覆蓋升華材料瓶80的外面整個面的方式配置。密閉空間100的內部是密閉結構，在其內部封入揮發(fā)性的液體L，并且以浸漬在液體L的方式配置加熱器52。液體L為例如水或萘(naphthalene)等在規(guī)定的溫度下氣化的物質。此外，液體L的封入量不是能填充各密閉空間100內的那樣多的量，而是蓄積在密閉空間100的底部程度的量。在浸漬于液體L的狀態(tài)下配置的加熱器52具有能將周圍的液體L充分加熱的大小和長度，其大小、長度可適當決定。在密閉空間100中，蓄積在密閉空間100內的液體L通過加熱器52的加熱而蒸發(fā)，通過蒸發(fā)的蒸汽接觸密閉空間100的內部側面整個面來加熱密閉空間100全體。S卩，密閉空間100具有所謂被稱為熱導管的結構、動作原理。這時，與密閉空間100的內部側面接觸的液體L的蒸汽通過與該內部側面的熱交換被冷卻，再度回到液體(液體L)，回到在密閉空間100內蓄積的液體L。S卩，在密閉空間100內，液體L 一邊重復進行蒸發(fā)和液化一邊循環(huán)。并且，在本變形例中，密閉空間100的內部側面的形狀無特別限定，通常的平面形狀即可，但是為了在密閉空間100的內部側面液化的液體L能更有效地回流到蓄積在密閉空間100的底部的液體L，優(yōu)選內部側面的表面積大、并且易于引起毛細管現(xiàn)象的形狀，例如可以表面加工為網(wǎng)狀或槽形。在是具有圖9所示的密閉空間100的結構的升華材料瓶80中，在實施材料的升華時，在密閉空間100內液體L由加熱器52加熱成為蒸汽，密閉空間100內充滿大致一定的溫度的蒸汽。由此，成為其外面整個面由密閉空間100覆蓋的結構的升華材料瓶80的外面分別通過與密閉空間100的熱交換被均一加熱到規(guī)定的溫度。此外，根據(jù)同樣的原理，落下通路72的側面也被均一加熱到規(guī)定的溫度。因而，通過來自各自外面、側面的輻射熱，被均熱、加熱的落下通路72的內部和升華材料瓶80的內部也被精度良好地、均一加熱到規(guī)定的溫度。即，通過控制加熱器52的溫度，能高精度地控制落下通路72的內部和升華材料瓶80 的內部的溫度，其結果是，通過落下通路72的有機材料的溫度和在升華材料瓶內升華的有機材料的溫度的溫度控制能精密地進行。并且，圖9表示在材料氣體生成部30c (升華材料瓶80)和落下通路72中，其外面設置內含加熱器52的密閉空間100的情況，但是也考慮使本發(fā)明中具備其他的加熱器52 的裝置和通路等(例如材料導入路31等)的加熱器結構為在密閉空間100設置加熱器52 的結構。此外，在上述實施方式中，針對蒸鍍頭為一個的情況進行了說明，但是通常在蒸鍍處理裝置中，準備多個向基板G噴出有機材料氣體的蒸鍍頭，用于例如孔輸送層、非發(fā)光層 (電子塊層)、藍發(fā)光層、紅發(fā)光層、綠發(fā)光層、電子輸送層等多個有機層的蒸鍍。對應這些多個蒸鍍頭的數(shù)量而設置多個本發(fā)明的材料供給部的情況的蒸鍍處理裝置當然也屬于本發(fā)明的范疇。而且，在上述實施方式中，也考慮在例如攪拌部42和空間71設置超聲波振動器等振動機構。由此，在顆粒狀或者粉末狀的有機材料堆積、滯留在攪拌部42和空間71時，通過振動機構的運轉該堆積、滯留的有機材料能順利地落下。并且，作為設置振動機構的場所舉例了攪拌部42和空間71，但是不限定于此，只要是有機材料可能堆積、滯留的場所，可設置在蒸鍍處理裝置1內的任何地方。此外，定量部70內的例如空間71和落下通路72的內表面不是鏡面，優(yōu)選是粗糙面。由此，粉末狀的有機材料不附著在空間71和落下通路72的內表面而落下。此外，在上述實施方式中，說明了作為定量部70的結構要素中的一個的蓋體60的形狀是向上凸的圓錐形狀，但是蓋體60的形狀也可以是具有二段傾斜的向上凸的圓錐形狀。圖10是具有二段傾斜的圓錐形狀的蓋體60’的側面擴大圖。如圖10所示，蓋體60’ 是向上凸的圓錐形狀，其側面(傾斜面)101是由上部的斜度平緩的緩斜面IOla(上側面) 與下部的斜度陡峭的陡斜面IOlb (下側面)連續(xù)地連接而形成的。即，在比較緩斜面IOla 與陡斜面IOlb的斜度的時候，相對而言緩斜面IOla的斜度比陡斜面IOlb的斜度平緩。此外，緩斜面IOla與陡斜面IOlb的境界103在側面101的中央附近。并且，緩斜面IOla與陡斜面IOlb的斜度的差、境界103的位置、還有緩斜面IOla與陡斜面IOlb的具體的斜度， 可適當?shù)貨Q定使得在定量部70中被定量的有機材料的量成為規(guī)定的量。在上述實施方式中，說明了利用蓋體60的外周部比內周部圓周速度快來使有機材料的粉末向空間71落下，但是也有通過蓋體60的斜度有機材料不一定有效地全部落下而在蓋體60的上表面(側面)殘留的情況。此外，在蒸鍍處理裝置1的運轉時間連續(xù)為長時間時，隨著時間推移在蓋體60的上表面(側面)有機材料殘留、堆積，在運轉初期的蒸鍍處理裝置與長時間運轉后的蒸鍍處理裝置中，定量部70的有機材料的落下效率可能不同。因此，圖10所示的變形例，作為對應于這樣有機材料在蓋體60的上表面(側面) 殘留、堆積的情況的措施是有效的。即，如圖10所示，通過在定量部70中使蓋體60為具有二段傾斜的向上凸的圓錐形狀的蓋體60’，能使殘留在蓋體60’的側面101的有機材料降低，能通過凹面體63與蓋體60’的間隙部64使落下至空間71的有機材料的量穩(wěn)定。此夕卜，通過使緩斜面IOla與陡斜面IOlb的斜度的差、境界103的位置、緩斜面IOla與陡斜面 IOlb的具體的斜度分別為規(guī)定的位置、數(shù)值，能在定量部70更精密地對希望的有機材料進行定量并向空間71落下。圖11 是分別針對在定量部70設置向上凸的圓錐形狀的蓋體60的情況和設置具有二段傾斜的向上凸的圓錐形狀的蓋體60’的情況，將向定量部70穩(wěn)定地供給規(guī)定的量的有機材料的情況下的、從開始供給材料的時間推移和材料的從定量部70的累積供給量用圖表來表示的附圖。在測量圖11的圖表的條件下，如圖11所示，在將具有二段傾斜的蓋體 60’設置于定量部70時，材料的累積供給量與時間推移成比例地增加(也就是，不根據(jù)時間推移地供給恒定量)，與此相對，在將通常的圓錐形狀的蓋體60設置于定量部70時，隨著時間的推移供給的材料的量減少。這可能是因為有機材料在通常圓錐形狀的蓋體60的上表面(側面)殘留、堆積。并且，圖11所示的圖表的測量在某規(guī)定的條件下進行，根據(jù)有機材料的種類和定量條件等材料供給的特性不同，因此優(yōu)選對應對有機材料進行定量時的條件來選擇合適的蓋體60的形狀。在上述圖10的變形例中舉例說明了作為蓋體60’的形狀的具有二段傾斜的向上凸的圓錐形狀，但是蓋體60的形狀不限定于此。圖12表示蓋體60的其他的變形例，以下針對其形狀進行說明。圖12是表示蓋體60的變形例的側面圖。蓋體60的形狀，如圖12(a)所示，可以是僅去除向上凸的圓錐形狀的一部分(周邊部)、并在圓錐部104的下方形成圓柱部105的形狀。此外，蓋體60的形狀，如圖12(b)所示，也可以是在向上凸的圓錐形狀的側面101設置從圓錐形狀的中心向周邊方向伸長的縱槽106的形狀。進而，如圖12(c)所示，也可以在蓋體60的側面101實施噴射(blast)處理。并且，當然也能聯(lián)想在上述圖10所示的具有二段傾斜的蓋體60’設置縱槽106的結構，和在緩斜面IOla和陡斜面IOlb中的任一面和雙方實施噴射處理。在使用由圖12(a)所示的圓錐部104和圓柱部105構成蓋體60時，能實現(xiàn)降低殘留在蓋體60的有機材料，并且能提高材料的落下效率。此外，在使用設計有圖12(b)所示的縱槽106的蓋體60時，通過改變縱槽106的數(shù)目和槽寬度，能在蓋體60對希望的有機材料進行定量，能擔保有機材料的落下的穩(wěn)定性。在使用在圖12(c)所示的側面101實施了噴射處理的蓋體60時，由于在側面101實施噴射處理，因此在蓋體60的旋轉時，通過該旋轉，運動能量有效地傳達到蓋體60上的材料，能有效地進行有機材料的落下。此外，在上述實施方式中，說明了負載鎖定方式的材料投入機構40，作為其具體的結構可以是以下參照圖13進行說明的結構。圖13是表示材料投入機構40的結構的一個例子的說明圖。如圖13所示，材料投入機構40包括實施材料的導入的材料導入部120和將從材料導入部120導入的材料投入材料供給裝置30內的材料投入路125。材料導入部120配置于材料投入路125的上方，材料導入部120與材料投入路125通過閘閥130連接。材料導入部120是可密閉的結構，由于在材料導入部120設置排氣口 121，因此通過與排氣口 121連通的未圖示的真空泵的運轉，材料導入部120為可抽真空。此外，材料投入路125與圖13中未圖示的材料供給裝置 30的攪拌部42連通，與攪拌部42連動被抽真空。
此外，在材料導入部120設置將越向下越窄的圓錐形狀的空間132包圍的形狀 (研缽形狀)的精制機構140 ；和在精制機構140內的圓錐形狀的空間132內進行攪拌的攪拌機構145。在材料導入部120設置向精制機構140內的空間132導入材料的自由開閉的導入口 133。此處，攪拌機構145由在空間132的中心部通過未圖示的驅動機構的運轉來旋轉的旋轉軸147和在旋轉軸147水平安裝的多個攪拌棒149構成。此外，精制機構140的底部(空間132的下部)和閘閥130由在精制機構140被精制的材料的通過用的管道150連接，在閘閥130開放時，從精制機構140落下的材料通過管道150，被送到材料投入路125。此外，在精制機構140的外側面安裝有加熱器142，能對導入到精制機構140內的材料進行加熱。并且，對于加熱器的設置、配置，優(yōu)選在材料投入機構40中，在各種部分安裝加熱器來將材料的溫度保持在規(guī)定的溫度。并且，在精制機構140內，對于精制機構140 以外的部分沒有圖示加熱器，但是從有效地對材料進行加熱、均熱的觀點出發(fā)，優(yōu)選在其他的部分也設置加熱器。以上，在如圖13所示構成的材料投入機構40的材料供給裝置中，首先，在閘閥130 關閉的狀態(tài)下，材料導入部120被大氣開放，從導入口 133向材料導入部120的精制機構 140內導入(有機)材料。而且，在精制機構140中材料一邊由攪拌棒149攪拌一邊被加熱、精制。接著，材料導入部I20內通過來自排氣口 121的排氣被抽真空。此處，在材料供給裝置30運轉中的時候，例如圖3所示的材料供給裝置30內部、即攪拌部42為被抽真空的狀態(tài)。因此，在為了材料投入而開放閘閥130的時候，材料導入部120內和材料投入路125 內的真空度(內壓)需要大致相同，因此上述材料導入部120的排氣以成為與材料供給裝置30內的真空度同程度的真空度的方式實施。在材料導入部120內排氣后，閘閥130開放，在精制機構140被精制的材料通過管道150并從材料導入路125被導入材料供給裝置30的攪拌部42。而且，在向材料供給裝置 30導入材料后關閉閘閥130，材料導入部120再次被大氣開放，接著實施用于投入的新的材料的精制。通過使圖13所示的材料投入機構40也在以上說明的工序中運轉并向材料供給裝置30導入材料，能向材料供給裝置30內導入不影響在被抽真空的狀態(tài)下運轉中的材料供給裝置30的真空度(內壓)的、新的材料，并能實現(xiàn)生產(chǎn)性的提高。此外，在蒸鍍處理裝置1內也可以設置例如氣化精制機構這樣的材料的精制機構。通過精制機構，使用稍微純度不高的材料來實施蒸鍍處理的情況下也在蒸鍍處理裝置1 內實施材料的精制，之后，通過實施蒸鍍處理能使高品質的膜成膜。并且，雖然在上述實施方式中未圖示，但是優(yōu)選在例如攪拌部42的內部等設置精制機構。此外，對于各種構成要素的形狀不限定于上述實施方式。例如，在上述實施方式中，攪拌器通過具備棒狀體的旋轉軸旋轉來實施攪拌，但是不限定于該方式，也可以采用在旋轉軸安裝羽狀的平板的方式。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明能適用于在例如有機EL元件的制造的發(fā)光層的成膜中使用的蒸鍍處理裝置和蒸鍍處理方法。
權利要求
1.一種蒸鍍處理裝置，其通過蒸鍍使薄膜成膜于基板，該蒸鍍處理裝置的特征在于，包括供給材料氣體的自由減壓的材料供給裝置；和使薄膜成膜于所述基板的成膜裝置，其中，所述材料供給裝置具有對材料進行定量的定量部；和使通過了所述定量部的材料氣化的材料氣體生成部。
2.如權利要求1所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于所述定量部包括向上凸的圓錐形狀的蓋體；相對于所述蓋體的上表面設置的圓錐形狀的凹面體；和使所述蓋體與所述凹面體相對地旋轉的旋轉機構。
3.如權利要求2所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于所述蓋體的側面由傾斜相對不同的上側面和下側面形成，所述上側面的傾斜比所述下側面的傾斜平緩。
4.如權利要求2所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于所述定量部包括被抽真空的并向所述定量部投入材料的材料投入機構；和自由改變所述蓋體與所述凹面體之間的間隙的升降機構。
5.如權利要求1所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于具備使所述定量部和所述定量部附近振動的振動機構。
6.如權利要求1所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于在所述材料供給裝置中，具有攪拌顆粒狀的材料的攪拌器的攪拌部設置于所述定量部的上方。
7.如權利要求1所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于所述材料氣體生成部是經(jīng)由規(guī)定的長度的通路與所述定量部連通的使材料升華的材料升華室，所述通路和所述材料升華室具有加熱器，所述通路被賦予所述定量部一側的溫度低而所述材料氣體生成部一側的溫度高的溫度梯度。
8.如權利要求7所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于在所述通路和所述材料升華室的外面形成有內部具有所述加熱器的密閉空間，在所述密閉空間內封入揮發(fā)性的液體。
9.如權利要求7所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于在所述材料升華室設置有通過使材料透過而分散的材料分散板；和在上表面具有突出部的由多孔性陶瓷形成的升華材料蒸發(fā)部。
10.如權利要求7所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于在所述材料升華室設置有通過加熱材料來使材料升華的材料升華板；穿過能自由旋轉的所述通路內的軸；和固定于所述軸的端部并配置于所述材料升華板的上表面附近的材料分散機構。
11.如權利要求7所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于所述通路和所述材料升華室的內表面是粗糙面。
12.如權利要求1所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于所述材料氣體生成部是經(jīng)由規(guī)定的長度的通路與所述定量部連通的使材料溶解的材料溶解室，所述通路和所述材料溶解室具有加熱器，所述通路被賦予所述定量部一側的溫度低而所述材料氣體生成部一側的溫度高的溫度梯度。
13.如權利要求12所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于在所述通路和所述材料溶解室的外面形成有內部具有所述加熱器的密閉空間，在所述密閉空間內封入揮發(fā)性的液體。
14.如權利要求12所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于 所述通路和所述材料溶解室的內表面是粗糙面。
15.如權利要求1所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于所述成膜裝置具有與外部的真空泵連通的處理腔室和保持基板的基板保持室，在內部具有經(jīng)由材料導入路與所述材料氣體生成部連通的蒸鍍頭。
16.如權利要求15所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于在所述材料導入路設置有控制材料的流量的閥，在所述材料導入路設置有與外部的真空泵連通并具有能夠自由開閉的閥的材料退避路，在所述蒸鍍頭設置有與外部的真空泵連通并具有自由開閉的閥的流出用流路。
17.如權利要求4所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于所述材料投入機構包括導入材料的可抽真空的材料導入部；和將導入的材料投入所述材料供給裝置的可抽真空的材料投入部，所述材料導入部與所述材料投入部經(jīng)由間閥連接。
18.如權利要求17所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于 所述材料導入部具有將材料精制的精制機構。
19.如權利要求1所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于 向所述定量部和所述材料氣體生成部導入作為載氣的氬氣。
20.一種材料供給裝置，其向使薄膜成膜于基板的成膜裝置供給材料氣體，該材料供給裝置的特征在于，包括對材料進行定量的定量部；和使通過了所述定量部的材料氣化的材料氣體生成部。
21.如權利要求20所述的材料供給裝置，其特征在于所述定量部具有向上凸的圓錐形狀的蓋體；相對于所述蓋體的上表面設置的圓錐形狀的凹面體；和使所述蓋體與所述凹面體相對地旋轉的旋轉機構。
22.如權利要求20所述的材料供給裝置，其特征在于所述定量部具有被抽真空的向所述定量部投入材料的材料投入機構；和自由改變所述蓋體與所述凹面體之間的間隙的升降機構。
23.如權利要求20所述的材料供給裝置，其特征在于 具備使所述定量部和所述定量部附近振動的振動機構。
24.如權利要求20所述的材料供給裝置，其特征在于具有攪拌顆粒狀的材料的攪拌器的攪拌部設置于所述定量部的上方。
25.如權利要求20所述的材料供給裝置，其特征在于所述材料氣體生成部是經(jīng)由規(guī)定的長度的通路與所述定量部連通的使材料升華的材料升華室，所述通路和所述材料升華室具有加熱器，所述通路被賦予所述定量部一側的溫度低而所述材料氣體生成部一側的溫度高的溫度梯度。
26.如權利要求25所述的材料供給裝置，其特征在于在所述材料升華室設置有通過使材料透過而分散的材料分散板；和在上表面具有突出部的由多孔性陶瓷形成的升華材料蒸發(fā)部。
27.如權利要求25所述的材料供給裝置，其特征在于所述材料升華室設置有通過加熱材料來使材料升華的材料升華板；穿過能自由旋轉的所述通路內的軸；和固定于所述軸的端部并配置于所述材料升華板的上表面附近的材料分散機構。
28.如權利要求25所述的材料供給裝置，其特征在于 所述通路和所述材料升華室的內表面是粗糙面。
29.如權利要求20所述的材料供給裝置，其特征在于所述材料氣體生成部經(jīng)由規(guī)定的長度的通路與所述定量部連通的使材料溶解的材料溶解室，所述通路和所述材料溶解室具有加熱器，所述通路被賦予所述定量部一側的溫度低而所述材料氣體生成部一側的溫度高的溫度梯度。
30.如權利要求29所述的材料供給裝置，其特征在于 所述通路和所述材料溶解室的內表面是粗糙面。
31.一種蒸鍍處理方法，其通過蒸鍍使薄膜成膜于基板上，該蒸鍍處理方法的特征在于將顆粒狀的材料粉碎，通過使已粉碎的所述材料升華或溶解來氣化， 使用已氣化的材料氣體使薄膜成膜于基板。
32.如權利要求31所述的蒸鍍處理方法，其特征在于 顆粒狀的所述材料通過使粉狀的材料粒狀化而制成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能使保持了高流動性的狀態(tài)的顆粒狀的有機材料有效地升華、溶解的蒸鍍處理裝置和蒸鍍處理方法。是通過蒸鍍在基板上使薄膜成膜的蒸鍍處理裝置，具備供給材料氣體的、自由減壓的材料供給裝置和在上述基板上使薄膜成膜的成膜裝置，所述材料供給裝置具有對材料進行定量的定量部和使通過了所述定量部的材料氣化的材料氣體生成部。
文檔編號H01L51/50GK102414339SQ20108001794
公開日2012年4月11日 申請日期2010年4月21日 優(yōu)先權日2009年4月24日
發(fā)明者大槻志門, 小野裕司, 林輝幸, 桑田拓岳, 江面知彥, 田村明威, 齊藤美佐子 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社