專利名稱：高分子化合物和使用其的發(fā)光元件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及高分子化合物和使用其的發(fā)光元件。
背景技術：
有機電致發(fā)光元件等發(fā)光元件適用于顯示器用途而備受矚目。在該發(fā)光元件的制造中，使用發(fā)光材料、電荷傳輸材料。作為發(fā)光材料、電荷傳輸材料，一直在研究可以通過涂布法來形成有機層的高分子化合物，作為該高分子化合物，已知具有芴二基和亞苯基的高分子化合物(日本特開2002-161130號公報)。

發(fā)明內(nèi)容
然而，使用上述高分子化合物制作的有機電致發(fā)光元件的亮度半衰期都不足夠長。本發(fā)明的目的在于，提供在用于制作有機電致發(fā)光元件時可以得到亮度半衰期長的有機電致發(fā)光元件的高分子化合物。本發(fā)明的第一方面提供具有下述式(1)所表示的重復單元的高分子化合物。
權利要求
1. 一種具有下述式(1)所表示的重復單元的高分子化合物，
2.如權利要求1所述的高分子化合物，其中，所述式(1)所表示的重復單元為下述式(4)所表示的重復單元，
3.如權利要求2所述的高分子化合物，其中，所述式(4)所表示的重復單元為下述式 (5)所表示的重復單元，
4.如權利要求1 3中任一項所述的高分子化合物，其中，還具有從下述式( 所表示的重復單元和下述式C3)所表示的重復單元中選擇的至少一種重復單元， -(Ar4)-(2)式中，Ar4表示取代或未取代的亞芳基、或取代或未取代的2價芳香族雜環(huán)基，
5.如權利要求4所述的高分子化合物，其中，在所述式O)中，Ar4為取代或未取代的亞苯基、取代或未取代的萘二基、取代或未取代的蒽二基、取代或未取代的菲二基、取代或未取代的并四苯二基、取代或未取代的芴二基、取代或未取代的芘二基、取代或未取代的茈二基、取代或未取代的吡啶二基、取代或未取代的噻吩二基、取代或未取代的呋喃二基、取代或未取代的喹啉二基、取代或未取代的異喹啉二基、取代或未取代的喹喔啉二基、取代或未取代的苯并[1，2，5]噻二唑二基、取代或未取代的苯并噻唑二基、取代或未取代的咔唑二基、取代或未取代的吩噁嗪二基、取代或未取代的吩噻嗪二基、或取代或未取代的二苯并噻咯二基。
6.如權利要求5所述的高分子化合物，其中，所述式O)中，Ar4為下述式(6)、(7)、 (8)、(9)或(10)所表示的基團，
7.如權利要求4 6中任一項所述的高分子化合物，其中，所述式(3)中，Ar5、Ar6和 Ar7分別獨立地為取代或未取代的亞芳基。
8.如權利要求4 7中任一項所述的高分子化合物，其中，相對于全部重復單元的總摩爾數(shù)，所述式(1)所表示的重復單元、所述式( 所表示的重復單元和所述式C3)所表示的重復單元的總摩爾數(shù)為90 100%。
9.一種組合物，其含有從空穴傳輸材料、電子傳輸材料和發(fā)光材料中選擇的至少1種材料以及權利要求1 8中任一項所述的高分子化合物。
10.一種溶液，其含有權利要求1 8中任一項所述的高分子化合物和溶劑。
11.一種薄膜，其含有權利要求1 8中任一項所述的高分子化合物。
12.一種發(fā)光元件，其具有包含陽極和陰極的電極、以及在該電極間設置的含有權利要求1 8中任一項所述的高分子化合物的有機層。
13.一種具有下述式(1)所表示的重復單元的高分子化合物的制造方法，其含有將下述式(a)所表示的化合物縮聚的工序，
14. 一種下述式(a’ )所表示的化合物，
全文摘要
本發(fā)明提供具有下述式(1)所表示的重復單元的高分子化合物。式中，Ar1和Ar2表示亞芳基或2價芳香族雜環(huán)基，Ar3表示單鍵，取代或未取代的(a+1)價芳香族烴基或(a+1)價芳香族雜環(huán)基。R1和R2表示烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環(huán)基、氨基、甲硅烷基、鹵原子、羧基、或氰基。a表示1以上的整數(shù)，但Ar3為單鍵時，a為1。b和c表示0～4的整數(shù)。
文檔編號H01L51/50GK102292375SQ20108000537
公開日2011年12月21日 申請日期2010年1月28日 優(yōu)先權日2009年1月29日
發(fā)明者后藤修, 淺田浩平, 福島大介, 秋野喜彥 申請人:住友化學株式會社