專利名稱：一種發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
目前，為了防止導(dǎo)電層與金屬基底之間連接而造成短路，在金屬基底上要制作出 一層絕緣層，為了制作的方便，也把晶片也直接安裝在該絕緣層上?，F(xiàn)在，發(fā)光二極管的發(fā)展越來越快，對發(fā)光二極管的發(fā)光質(zhì)量和發(fā)光效率要求越 來越高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提出一種新的發(fā)光二極管，其發(fā)光質(zhì)量和發(fā)光 效率比現(xiàn)有的發(fā)光二極管有較大的提升。對此，本實(shí)用新型提供一種發(fā)光二極管，包括基底、與所述基底直接連接的晶片， 和至少兩個(gè)通過絕緣層附于所述基底上的導(dǎo)電層；在所述基底的邊緣，設(shè)置有圍壩，在所述 圍壩內(nèi)填有膠層以覆蓋所述基底、晶片和導(dǎo)電層。其中，基底一般采用諸如金屬材料制成，具有一定的硬度、導(dǎo)電性和較好的導(dǎo)熱 性。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)在于，圍壩具有更好的發(fā)光效率，有效的提 高發(fā)光質(zhì)量和發(fā)光效率，而且其壽命也更長，可靠性也更高。

圖1是本實(shí)用新型一種實(shí)施例的剖面視圖；圖2是圖1所示實(shí)施例的俯視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型的較優(yōu)的實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)說明如圖1和圖2所示，該發(fā)光二極管包括絕緣層100，金屬基座101，第一導(dǎo)電層 102，第二導(dǎo)電層103，晶片104，金屬導(dǎo)線105，熒光膠層106，以及圍壩107。具體來說，晶片104直接安裝在所述金屬基座101上，即其間沒有絕緣層。金屬基 座101上設(shè)有絕緣層100，第一導(dǎo)電層102和第二導(dǎo)電層103分別設(shè)置在絕緣層100上。晶 片104上的第一電極和第二電極分別通過金屬導(dǎo)線105分別與第一導(dǎo)電層102和第二導(dǎo)電 層103連接。在金屬基座101上邊緣設(shè)有圍壩107。在封裝此LED燈時(shí)，將采用熒光膠的膠 體，滴到圍壩107圍住的區(qū)域內(nèi)，待熒光膠凝固，則形成熒光膠層106，熒光膠層106將晶片 104、金屬導(dǎo)線105、第一導(dǎo)電層102和第二導(dǎo)電層103完全包住。在圍壩107內(nèi)側(cè)表面，涂 有高反射率的反射層，圍壩的材料是透明硅膠。這樣能夠進(jìn)一步提高該發(fā)光二極管的出光 率。[0013]由于晶片104與金屬基座101直接連接，因此兩者之間的熱阻很低，從而使晶片 104的熱量能及時(shí)散出去，晶片104不會溫度過高而損壞，并且晶片104不會因?yàn)闇囟冗^高 而降低了發(fā)光效率，造成了晶片發(fā)光色度的偏差。其中，沒有被絕緣層100覆蓋的金屬基座101的面積是晶片面積的35倍，此區(qū)域 都經(jīng)過光學(xué)鏡面處理，例如，拋光處理或光學(xué)處理以在其表面形成蜂巢式分布小反射腔。當(dāng) 然，在沒有被絕緣層100覆蓋的金屬基座101的區(qū)域內(nèi)，可以設(shè)置多個(gè)晶片104，相鄰晶片 104之間的水平距離為一個(gè)晶片104的寬度，晶片104與第一導(dǎo)電層102和第二導(dǎo)電層103 的水平距離均為一個(gè)晶片104的寬度，這樣，金屬導(dǎo)線105的距離不會過長，而導(dǎo)致容易與 金屬基座101接觸從而造成短路，并節(jié)省了金屬導(dǎo)線105的材料，而且，晶片104的發(fā)光分 別受第一導(dǎo)電層102和第二導(dǎo)電層103的影響最低，相鄰的晶片104之間的發(fā)光恰好不會 相互影響。同時(shí)，在經(jīng)過光學(xué)鏡面處理的金屬基座101表面的面積最小的情況下，達(dá)到了最 佳的出光效果。另外，在本具體實(shí)施例中，一方面，晶片照射到金屬基座101表面的光經(jīng)過反射， 一部分光直接透過熒光膠層106射出，大部分經(jīng)過圍壩107內(nèi)表面的反射后，透過熒光膠層 106射出，另一方面，晶片104發(fā)出的一部分光照射到圍壩104后反射回金屬基座101表面， 經(jīng)過金屬基座101表面的反射后透過熒光膠層106，進(jìn)而射出，與現(xiàn)有技術(shù)相比，其出光率 提高25%以上。如果僅僅只對金屬基底101表面進(jìn)行光學(xué)鏡面處理，與現(xiàn)有技術(shù)相比，其出光率 提高20%以上。如果僅僅只對圍壩107的表面增加反射涂層，其出光率提高10%以上。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能 認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視 為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管，包括基底、與所述基底直接連接的晶片，和至少兩個(gè)通過絕緣層 附于所述基底上的導(dǎo)電層；其特征在于，在所述基底的邊緣，設(shè)置有圍壩，在所述圍壩內(nèi)填 有膠層以覆蓋所述基底、晶片和導(dǎo)電層。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述圍壩采用透明硅膠。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述圍壩的內(nèi)側(cè)進(jìn)行了拋光處理。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述基底采用金屬材料制成。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述基底的部分未被所述晶片或絕 緣層覆蓋；在所述基底的表面進(jìn)行了表面處理，以增強(qiáng)反光效果。
6.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，對所述基底所進(jìn)行的表面處理選擇 拋光處理，或光學(xué)處理以在其表面形成蜂巢式分布的小反射腔。專利摘要本實(shí)用新型提供一種發(fā)光二極管，包括基底、與所述基底直接連接的晶片，和至少兩個(gè)通過絕緣層附于所述基底上的導(dǎo)電層；在所述基底的邊緣，設(shè)置有圍壩，在所述圍壩內(nèi)填有膠層以覆蓋所述基底、晶片和導(dǎo)電層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)在于，圍壩具有更好的發(fā)光效率，有效的提高發(fā)光質(zhì)量和發(fā)光效率，而且其壽命也更長，可靠性也更高。
文檔編號H01L33/00GK201893369SQ201020650218
公開日2011年7月6日 申請日期2010年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月9日
發(fā)明者吳少紅 申請人:深圳市凱信光電有限公司