專利名稱：一種改進(jìn)型三極管引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種引線框架，特別是一種在芯片定位區(qū)的上方設(shè)置有兩條V形 槽的三極管引線框架。
背景技術(shù)：
塑封后的三極管會(huì)產(chǎn)生飛邊和膠衣，現(xiàn)在大多采用酸液浸泡沖刷來去除飛邊及膠 衣的生產(chǎn)工藝，而現(xiàn)有的三極管引線框架的結(jié)構(gòu)，在酸液浸泡沖刷過程中會(huì)有少量的酸液 浸入塑封體的內(nèi)部而腐蝕芯片，造成被腐蝕的芯片在較短的時(shí)間內(nèi)就失效報(bào)廢。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的是提供一種在芯片定位區(qū)的上方設(shè)置有兩條V形槽的三極管引線 框架，能夠有效地防止酸液腐蝕芯片。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種改進(jìn)型三極管引線框架，包括若干個(gè)框架單元，相鄰的所述的框架單元之間 通過中筋和底筋相連，每個(gè)所述的框架單元包括芯片區(qū)、位于所述的芯片區(qū)的上方的散熱 區(qū)，所述的芯片區(qū)與所述的散熱區(qū)之間設(shè)置有一圓形通孔，所述的芯片區(qū)的下方的中部向 下延伸形成中間管腳，所述的中間管腳的左右兩側(cè)各設(shè)置有側(cè)管腳，所述的中筋延伸至所 述的中間管腳與兩個(gè)側(cè)管腳之間，所述的底筋延伸至所述的中間管腳與兩個(gè)所述的側(cè)管腳 之間，所述的芯片區(qū)設(shè)置有方形的芯片定位區(qū)，所述的芯片定位區(qū)的四周設(shè)置有第一 V形 槽，所述的圓形通孔與所述的芯片定位區(qū)之間設(shè)置有第二 V形槽，所述的第二 V形槽的兩端 延伸至所述的芯片區(qū)的左右兩邊緣、且兩端低于其他部位。優(yōu)選地，所述的第二 V形槽包括第一段、第二段和第三段，所述的第一段為與所述 的圓形通孔同圓心的左右分布的一弧形段，所述的第二段為從所述的弧形段的左端起向左 下方延伸至所述的芯片區(qū)的左邊緣的直線段，所述的第三段為從所述的弧形段的右端起向 右下方延伸至所述的芯片區(qū)的右邊緣的直線段，進(jìn)一步地，所述的第二段的延長線與所述 的第三段的延長線均經(jīng)過所述的圓形通孔的圓心、且二者之間的成角為90度。本實(shí)用新型的有益效果是在芯片定位區(qū)的四周加設(shè)第一 V形槽、在芯片定位區(qū) 與圓形通孔之間加設(shè)第二 V形槽，在對(duì)塑封好的三極管進(jìn)行酸液浸泡沖刷時(shí)，如有少量的 酸液浸入塑封體內(nèi)，也會(huì)被阻擋在第二 V形槽的“V”字的底部，而如果因塑封體與引線框架 結(jié)合不牢的原因造成少數(shù)的酸液透過第二 V形槽，第一 V形槽會(huì)將其有效地與芯片之間進(jìn) 行阻隔，從而徹底解決芯片浸入酸液失效報(bào)廢的問題，且結(jié)構(gòu)簡單、無需外加任何部件，適 合在該行業(yè)內(nèi)推廣使用。

附圖1為本實(shí)用新型的改進(jìn)型三極管引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2為附圖1中的A處的放大示意圖；[0010]附圖3為附圖1中的B-B向剖視示意圖；附圖4為附圖1中的C-C向剖視示意圖。附圖中1、中筋；2、底筋；3、芯片區(qū)；4、散熱區(qū)；5、圓形通孔；6、中間管腳；7、側(cè)管 腳；8、芯片定位區(qū)；9、第一 V形槽；10、第二 V形槽。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖所示的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案作以下詳細(xì)描述如附圖1、附圖2及附圖3所示，本實(shí)用新型中的改進(jìn)型三極管引線框架包括若干 個(gè)框架單元，相鄰的框架單元之間通過中筋1和底筋2相連，每個(gè)框架單元包括芯片區(qū)3、位 于芯片區(qū)3的上方的散熱區(qū)4，芯片區(qū)3與散熱區(qū)4的左右邊緣分別向芯片定位的一面垂直 延伸出一個(gè)凸棱，芯片區(qū)3與散熱區(qū)4之間設(shè)置有一圓形通孔5，芯片區(qū)3的下方的中部向 下延伸形成中間管腳6，中間管腳6的左右兩側(cè)各設(shè)置有側(cè)管腳7，中間管腳6、兩個(gè)側(cè)管腳 7的與底筋2相連接的一端呈尖角狀，每個(gè)側(cè)管腳7的上端設(shè)置有引線區(qū)，中筋1延伸至中 間管腳6與兩個(gè)側(cè)管腳7之間，底筋2延伸至中間管腳6與兩個(gè)側(cè)管腳7之間，芯片區(qū)3設(shè) 置有方形的芯片定位區(qū)8，芯片定位區(qū)8的四周設(shè)置有第一 V形槽9，圓形通孔5與芯片定 位區(qū)8之間設(shè)置有第二 V形槽10，第二 V形槽10的兩端延伸至芯片區(qū)3的左右兩邊緣、且 兩端低于其他部位。具體地，第二 V形槽10包括第一段、第二段和第三段，第一段為與圓形通孔5同圓 心的左右分布的一弧形段，第二段為從弧形段的左端起向左下方延伸至芯片區(qū)3的左邊緣 的直線段，第三段為從弧形段的右端起向右下方延伸至芯片區(qū)3的右邊緣的直線段，進(jìn)一 步地，第二段的延長線與第三段的延長線均經(jīng)過圓形通孔5的圓心、且二者之間的成角為 90度。另外，第二 V形槽10也可以是一條左右分布的位于圓形通孔5與方形的芯片定位 區(qū)8之間的左右對(duì)稱的弧形。上述的結(jié)構(gòu)在芯片定位區(qū)8的外圍加設(shè)第一 V形槽9和第二 V形槽10，在對(duì)塑封 好的三極管進(jìn)行酸液浸泡沖刷時(shí)，如有少量的酸液浸入塑封體內(nèi)，也會(huì)被阻擋在第二 V形 槽10的“V”字的底部，而如果因塑封體與引線框架結(jié)合不牢的原因造成少數(shù)的酸液透過第 二 V形槽10，第一 V形槽9會(huì)將酸液有效地與芯片之間進(jìn)行阻隔，能夠徹底解決芯片浸入酸 液失效報(bào)廢的問題，且結(jié)構(gòu)簡單、無需外加任何部件，適合在該行業(yè)內(nèi)推廣使用。上述實(shí)施例只為說明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù) 的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。 凡根據(jù)本實(shí)用新型精神所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種改進(jìn)型三極管引線框架，包括若干個(gè)框架單元，相鄰的所述的框架單元之間通 過中筋和底筋相連，每個(gè)所述的框架單元包括芯片區(qū)、位于所述的芯片區(qū)的上方的散熱區(qū)， 所述的芯片區(qū)與所述的散熱區(qū)之間設(shè)置有一圓形通孔，所述的芯片區(qū)的下方的中部向下延 伸形成中間管腳，所述的中間管腳的左右兩側(cè)各設(shè)置有側(cè)管腳，所述的中筋延伸至所述的 中間管腳與兩個(gè)側(cè)管腳之間，所述的底筋延伸至所述的中間管腳與兩個(gè)所述的側(cè)管腳之 間，其特征在于所述的芯片區(qū)設(shè)置有方形的芯片定位區(qū)，所述的芯片定位區(qū)的四周設(shè)置有 第一 V形槽，所述的圓形通孔與所述的芯片定位區(qū)之間設(shè)置有第二 V形槽，所述的第二 V形 槽的兩端延伸至所述的芯片區(qū)的左右兩邊緣、且兩端低于其他部位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改進(jìn)型三極管引線框架，其特征在于所述的第二V形 槽包括第一段、第二段和第三段，所述的第一段為與所述的圓形通孔同圓心的左右分布的 一弧形段，所述的第二段為從所述的弧形段的左端起向左下方延伸至所述的芯片區(qū)的左邊 緣的直線段，所述的第三段為從所述的弧形段的右端起向右下方延伸至所述的芯片區(qū)的右 邊緣的直線段。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改進(jìn)型三極管引線框架，其特征在于所述的第二段的 延長線與所述的第三段的延長線均經(jīng)過所述的圓形通孔的圓心、且二者之間的成角為90度。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種改進(jìn)型三極管引線框架，包括若干個(gè)框架單元，相鄰的所述的框架單元之間通過中筋和底筋相連，每個(gè)所述的框架單元包括芯片區(qū)、位于所述的芯片區(qū)的上方的散熱區(qū)，所述的芯片區(qū)與所述的散熱區(qū)之間設(shè)置有一圓形通孔，所述的芯片區(qū)的下方的中部向下延伸形成中間管腳，所述的中間管腳的左右兩側(cè)各設(shè)置有側(cè)管腳，所述的中筋延伸至所述的中間管腳與兩個(gè)側(cè)管腳之間，所述的底筋延伸至所述的中間管腳與兩個(gè)所述的側(cè)管腳之間，所述的芯片區(qū)設(shè)置有方形的芯片定位區(qū)，在所述的圓形通孔與所述的芯片定位區(qū)之間設(shè)置有第一V形槽和第二V形槽，用以阻擋酸液腐蝕芯片，本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)簡單、無需外加任何的部件，適合在該行業(yè)領(lǐng)域內(nèi)推廣使用。
文檔編號(hào)H01L23/495GK201845766SQ201020619668
公開日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2010年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月23日
發(fā)明者鐘俊東, 陸麗強(qiáng) 申請(qǐng)人:吳江恒源金屬制品有限公司