專利名稱：一種深度調(diào)制的高速衰減調(diào)制組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種深度調(diào)制的高速衰減調(diào)制組件，屬于微波技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
衰減器和調(diào)制器是微波領(lǐng)域，射頻仿真，電子對(duì)抗中常用的器件。國(guó)內(nèi)外應(yīng)用均比 較廣泛。衰減器主要用于微波系統(tǒng)的自動(dòng)增益控制、功率電路的幅度控制、放大器增益變化 的溫度補(bǔ)償?shù)?。調(diào)制器常用于對(duì)連續(xù)波信號(hào)進(jìn)行脈沖通斷調(diào)制、收/發(fā)電路的隔離保護(hù)等。在微波及電子對(duì)抗的系統(tǒng)中，通常都要使用到衰減和調(diào)制這兩種功能。而且這兩 種功能都會(huì)放在發(fā)射機(jī)的前端，衰減器用來(lái)對(duì)寬帶微波信號(hào)的幅度進(jìn)行配平及發(fā)射機(jī)的輸 入電平的控制，同時(shí)在目標(biāo)模擬中用來(lái)模擬方向圖。系統(tǒng)的收/發(fā)電路的隔離保護(hù)、輸出信 號(hào)的通斷等則有調(diào)制器來(lái)完成。從使用的角度、時(shí)序控制等方面可以對(duì)兩種功能的器件進(jìn) 行集成，特別是在系統(tǒng)對(duì)體積要求比較高的場(chǎng)合下，不僅做到了小型化還提高了性能和可 靠性。
實(shí)用新型內(nèi)容所要解決的技術(shù)問(wèn)題針對(duì)以上問(wèn)題本實(shí)用新型提供了一種將衰減器和調(diào)制器集成到一個(gè)器件中，在一 個(gè)器件的中實(shí)現(xiàn)兩種功能，通過(guò)使用MMIC的衰減芯片、PIN開(kāi)關(guān)管芯減小衰減調(diào)制組件的 體積，改善其調(diào)制深度和反應(yīng)速度的深度調(diào)制的高速衰減調(diào)制組件。技術(shù)方案—種深度調(diào)制的高速衰減調(diào)制組件包括5個(gè)并聯(lián)的開(kāi)關(guān)PIN 二極管、兩片串聯(lián)的 衰減器芯片、微帶線、SMA接頭、電源及控制走線槽、微帶腔體、組件殼體；5個(gè)并聯(lián)的開(kāi)關(guān) PIN二極管1和兩片串聯(lián)的衰減器芯片通過(guò)微帶線相連，且位于組件殼體內(nèi)；殼體的兩端設(shè) 有SMA接頭，殼體上設(shè)有電源及控制走線槽，殼體內(nèi)設(shè)有微帶腔體。所述的衰減器芯片采用HITTITE公司生產(chǎn)的頻率為DC-13GHZ，衰減動(dòng)態(tài)范圍為 31. 5dB 的芯片。所述的微帶線寬為0. 75mm。有益效果本實(shí)用新型在同一個(gè)器件中實(shí)現(xiàn)兩種功能，即衰減功能和調(diào)制功能；使用微波集 成后實(shí)現(xiàn)了功能模塊的小型化，同時(shí)提高了可靠性、匹配性；利用時(shí)序控制提高了衰減調(diào)制 組件的調(diào)制深度等性能，調(diào)制深度可以到90dB。
圖1為深度調(diào)制的高速衰減調(diào)制組件的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)地說(shuō)明。如圖1所示，一種深度調(diào)制的高速衰減調(diào)制組件包括5個(gè)并聯(lián)的開(kāi)關(guān)PIN 二極管 1、兩片串聯(lián)的衰減器芯片2、微帶線3、SMA接頭4、電源及控制走線槽5、微帶腔體6、組 件殼體7 ；5個(gè)并聯(lián)的開(kāi)關(guān)PIN 二極管1和兩片串聯(lián)的衰減器芯片2通過(guò)微帶線3相連，且 位于組件殼體7內(nèi)；殼體7的兩端設(shè)有SMA接頭4，殼體7上設(shè)有電源及控制走線槽5，殼體 7內(nèi)設(shè)有微帶腔體6。衰減器芯片2采用HITTITE公司生產(chǎn)的頻率為DC-13GHZ，衰減動(dòng)態(tài)范圍為31. 5dB 的芯片；微帶線3寬約為0. 75mm。雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但它們并不是用來(lái)限定本實(shí)用新型， 任何熟悉此技藝者，在不脫離本實(shí)用新型之精神和范圍內(nèi)，自當(dāng)可作各種變化或潤(rùn)飾，因此 本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求保護(hù)范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種深度調(diào)制的高速衰減調(diào)制組件，其特征在于包括5個(gè)并聯(lián)的開(kāi)關(guān)PIN 二極管 (1)、兩片串聯(lián)的衰減器芯片(2)、微帶線(3)、SMA接頭(4)、電源及控制走線槽(5)、微帶腔 體(6)、組件殼體(7) ；5個(gè)并聯(lián)的開(kāi)關(guān)PIN 二極管(1)和兩片串聯(lián)的衰減器芯片(2)通過(guò)微 帶線(3)相連，且位于組件殼體(7)內(nèi)；殼體(7)的兩端設(shè)有SMA接頭(4)，殼體(7)上設(shè)有 電源及控制走線槽(5)，殼體(7)內(nèi)設(shè)有微帶腔體(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深度調(diào)制的高速衰減調(diào)制組件，其特征在于所述的衰 減器芯片(2)采用HITTITE公司生產(chǎn)的頻率為DC-13GHZ，衰減動(dòng)態(tài)范圍為31. 5dB的芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深度調(diào)制的高速衰減調(diào)制組件，其特征在于所述的微 帶線(3)寬為0. 75mm。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種深度調(diào)制的高速衰減調(diào)制組件包括開(kāi)關(guān)PIN二極管(1)、衰減器芯片(2)、微帶線(3)、SMA接頭(4)、電源及控制走線槽(5)、微帶腔體(6)、組件殼體(7)；5個(gè)并聯(lián)的開(kāi)關(guān)PIN二極管(1)和兩片串聯(lián)的衰減器芯片(2)通過(guò)微帶線(3)相連，且位于組件殼體(7)內(nèi)；殼體(7)的兩端設(shè)有SMA接頭(4)，殼體(7)上設(shè)有電源及控制走線槽(5)，殼體(7)內(nèi)設(shè)有微帶腔體(6)。本實(shí)用新型在同一個(gè)器件中實(shí)現(xiàn)兩種功能，即衰減功能和調(diào)制功能；使用微波集成后實(shí)現(xiàn)了功能模塊的小型化，同時(shí)提高了可靠性、匹配性；利用時(shí)序控制提高了衰減調(diào)制組件的調(diào)制深度等性能，調(diào)制深度可以到90dB。
文檔編號(hào)H01P1/22GK201838687SQ20102059996
公開(kāi)日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2010年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月10日
發(fā)明者任加進(jìn), 馮華林, 曾小紅 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十四研究所