專利名稱：薄型電阻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種薄型電阻，特別涉及一種利用金屬薄片制造的薄型電阻。
背景技術(shù)：
隨著科技的進(jìn)步，現(xiàn)在的電子產(chǎn)品都以輕薄為設(shè)計(jì)的目標(biāo)。因此市場上已經(jīng)出現(xiàn) 一種薄型化電視，例如LED電視。以一般LED電視的規(guī)格而言，其厚度約為20毫米。但其 面板占去約10毫米，殼體厚度為2毫米，因此其余內(nèi)部電路元件的厚度勢必要減少。如此 一來，薄型化的無源元件將為設(shè)計(jì)的趨勢。在現(xiàn)有技術(shù)中已經(jīng)揭露一種薄型電阻，其利用轉(zhuǎn) 印圖形(Print pattern)及應(yīng)用激光雕刻的方式制成。但利用此方式制造的薄型電阻必須 在轉(zhuǎn)印后，逐一的修整或刻劃所需的阻抗值及誤差值，因此在量產(chǎn)速度及制造成本上是一 大問題。且利用激光蝕刻的方式可制造出的阻抗值選擇將因轉(zhuǎn)印的圖形而受限制，導(dǎo)電層 的厚度比本設(shè)計(jì)薄，在利用上會(huì)有許多限制。若要制成較薄的無源元件，也會(huì)有脈沖強(qiáng)度不 足的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種薄型電阻，其利用精密沖壓金屬薄片的技術(shù) 制造。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型薄型電阻，包括金屬薄片、陶瓷基體以及至少兩金屬 導(dǎo)線。該金屬薄片包括多個(gè)導(dǎo)電通路。該陶瓷基體具有凹槽，金屬薄片嵌合于凹槽。該至 少兩金屬導(dǎo)線分別與金屬薄片焊接連接。金屬薄片通過多個(gè)導(dǎo)電通路以提供一電阻值。本實(shí)用新型所述的薄型電阻，其中，該金屬薄片利用一沖壓工藝形成。本實(shí)用新型所述的薄型電阻，其中，還包括一硅樹脂，用以絕緣密封該陶瓷基體及 該金屬薄片。本實(shí)用新型所述的薄型電阻，其中，該金屬薄片的厚度為0.025毫米至0. 1毫米之 間。本實(shí)用新型所述的薄型電阻，其中，該薄型電阻的厚度為1.9毫米至2. 1毫米之 間。本實(shí)用新型具有以下有益效果為可提供同時(shí)滿足電阻值和厚度要求的薄型電 阻，也可克服現(xiàn)有技術(shù)中強(qiáng)度不足的問題，明顯優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的電阻。

圖1A-1B為本實(shí)用新型的金屬薄片嵌合于陶瓷基體的一實(shí)施方式的示意圖。圖IC為本實(shí)用新型薄型電阻的外觀示意圖。圖2為本實(shí)用新型的金屬薄片的正面視圖。圖3為本實(shí)用新型的金屬薄片的側(cè)視圖。圖4為本實(shí)用新型薄型電阻的制造方法的步驟流程圖。
3[0015]主要元件符號(hào)說明[0016]薄型電阻10[0017]金屬薄片20[0018]導(dǎo)電通路21[0019]壓痕22[0020]陶瓷基體30[0021]凹槽31[0022]金屬導(dǎo)線40[0023]硅樹脂50[0024]間距d[0025]厚度t[0026]寬度W[0027]長度L
具體實(shí)施方式
為讓本實(shí)用新型的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出本實(shí) 用新型的具體實(shí)施例，并配合所示附圖，作詳細(xì)說明如下。請先同時(shí)參考圖IA到IC關(guān)于本實(shí)用新型薄型電阻的相關(guān)示意圖，其中圖1A-1B 為本實(shí)用新型的金屬薄片嵌合于陶瓷基體的一實(shí)施方式的示意圖，圖IC為本實(shí)用新型薄 型電阻的外觀示意圖。其中金屬薄片20通過圖1A-1B所示的方式以嵌合于陶瓷基體30，最 后再形成圖IC中所示的薄型電阻10。本實(shí)用新型薄型電阻10用于電子裝置(圖未示)內(nèi)，用以提供一電阻值。薄型電 阻10的厚度優(yōu)選介于1. 9毫米至2. 1毫米之間。當(dāng)超薄型電子裝置(例如超薄型電視或 顯示器)的厚度僅有2厘米時(shí)，其內(nèi)部所需的零件，相對應(yīng)地也必須非常薄，因此本實(shí)用新 型薄型電阻10可滿足此需求。薄型電阻10包括金屬薄片20、陶瓷基體30及金屬導(dǎo)線40。薄型電阻10主要通 過金屬薄片20的材料及形狀等特征以提供不同電阻值。關(guān)于金屬薄片20的制造方式在之 后會(huì)有詳細(xì)描述，故在此先不贅述。陶瓷基體30由一陶瓷材料制成，并具有凹槽31，金屬 薄片20可嵌合于陶瓷基體30的凹槽31內(nèi)。陶瓷材料制成的陶瓷基體30可提供薄型電阻 10的支撐作用，以解決現(xiàn)有技術(shù)中薄型無源元件容易變形的缺點(diǎn)。金屬導(dǎo)線40較佳為一銅線或一銅包鋼線(但本實(shí)用新型不限于此)所制成。金屬 導(dǎo)線40焊接于金屬薄片20上，以使得薄型電阻10可與電子裝置的其它零件(圖未顯示) 電性連接。金屬導(dǎo)線40與金屬薄片20的焊接方式可為點(diǎn)焊的方式，但本實(shí)用新型并不以 此為限。金屬導(dǎo)線40可為2條或是4條，本實(shí)用新型并不以圖中所示的數(shù)量為限。薄型電阻10還可包括硅樹脂(Silicon Resin) 50。硅樹脂50用以絕緣密封金屬 薄片20及陶瓷基體30，用以保護(hù)薄型電阻10的結(jié)構(gòu)。金屬薄片20與金屬導(dǎo)線40焊接后， 再嵌合于陶瓷基體30的凹槽31內(nèi)。嵌合后的薄型電阻10即如圖IB所示。最后再利用硅 樹脂50將金屬薄片20與陶瓷基體30密封，經(jīng)過烘干固化處理后以保護(hù)薄型電阻10的結(jié) 構(gòu)。
4[0034]接著請參考圖2及圖3關(guān)于本實(shí)用新型的金屬薄片的相關(guān)示意圖，其中圖2為本 實(shí)用新型的金屬薄片的正面視圖，圖3為本實(shí)用新型的金屬薄片的側(cè)視圖。本實(shí)用新型的金屬薄片20可用機(jī)器精密沖壓制造而成，并為自動(dòng)帶狀 (Auto-tape)形式，以利于與其它構(gòu)件進(jìn)行自動(dòng)組裝。金屬薄片20的材料可為銅，但本實(shí)用 新型并不以此為限，也可由其它金屬制成，以調(diào)整薄型電阻10所需的阻值。金屬薄片20包 括多個(gè)導(dǎo)電通路21及壓痕22。金屬薄片20可通過其形狀，即導(dǎo)電通路21的數(shù)量及/或間 距調(diào)整薄型電阻10所需的阻值。在本實(shí)施例中，任意兩相鄰的導(dǎo)電通路21的間距d約為 0. 2毫米，但本實(shí)用新型并不以此為限。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，金屬導(dǎo)線40利用點(diǎn)焊的方式固定在壓痕22，因此壓 痕22的數(shù)量配合金屬導(dǎo)線40的數(shù)量。另一方面，薄型電阻10的阻抗值也可由金屬薄片20的厚度t決定。在本實(shí)施例 中，金屬薄片20的厚度t為0. 025毫米至0. 1毫米之間。詳細(xì)地說，薄型電阻10的阻抗值可由以下公式求得t = -X P
RxW其中t為金屬薄片20的厚度，L為金屬薄片20的導(dǎo)電通路21的長度，W為金屬 薄片20的導(dǎo)電通路21的寬度，P為金屬薄片20的材料的電阻率，最后R即為薄型電阻10 的阻抗值。由上述的說明可知，金屬薄片20可以利用其厚度t、其導(dǎo)電通路21的長度L與寬 度W以及其材料(P)來得到所需的阻抗值。因此，在本實(shí)用新型中，金屬薄片20可以利用 不同的搭配方式，以得到0. 025歐姆到47歐姆的電阻值。接著請參考圖4為本實(shí)用新型薄型電阻的制造方法的步驟流程圖。此處需注意的 是，以下雖以上述薄型電阻10為例說明本實(shí)用新型薄型電阻的制造方法，但本實(shí)用新型薄 型電阻的制造方法并不以使用在上述薄型電阻10為限。首先進(jìn)行步驟401 根據(jù)所需的一電阻值，利用一沖壓工藝形成一金屬薄片，該金 屬片包括多個(gè)導(dǎo)電通路。首先根據(jù)所需電阻值選取金屬薄片20，并設(shè)計(jì)金屬薄片20的形狀。金屬薄片利用 機(jī)器精密沖壓的工藝制造，并生產(chǎn)成為自動(dòng)帶狀形式，如此一來即可以增加生產(chǎn)速度及產(chǎn) 量。在本實(shí)施例中，金屬薄片20的形狀如圖2所示，金屬薄片20形成多個(gè)導(dǎo)電通路21與 至少兩壓痕22。并且金屬薄片20可根據(jù)所需電阻值以決定其形狀，即導(dǎo)電通路21的數(shù)量 與其長度L與寬度W。本實(shí)用新型并不以圖2所示的形狀為限。除了利用上述的形狀外， 也可利用利用機(jī)器沖壓的工藝制造出不同材料及厚度的金屬薄片20，以決定所得到的電阻 值。接著進(jìn)行步驟402 提供至少兩金屬導(dǎo)線以分別連接該金屬薄片。接著提供至少兩金屬導(dǎo)線40，以分別連接至金屬薄片20。在本實(shí)用新型的一實(shí)施 例中，金屬導(dǎo)線40分別利用點(diǎn)焊的方式焊接于金屬薄片20的壓痕22。再進(jìn)行步驟403 提供一陶瓷基體，該陶瓷基體包括一凹槽，以嵌合該金屬薄片于 該陶瓷基體的凹槽。接著再提供陶瓷基體30，此陶瓷基體30包括凹槽31。金屬薄片20嵌合于陶瓷基體30的凹槽31內(nèi)，即如圖1A-1B所示。步驟404 提供一硅樹脂，以絕緣密封該陶瓷基體及該金屬薄片，并執(zhí)行烘干流 程。將陶瓷基體30及金屬薄片20利用硅樹脂50密封，再執(zhí)行烘干流程將硅樹脂50 烘干固化以完成全部的工藝過程。最后會(huì)得到如圖IC所示的薄型電阻10。最后進(jìn)行步驟405 測量該薄型電阻的電阻值。在上述步驟401到步驟404完成后，即可得到薄型電阻10。最后可測量薄型電阻 10的電阻值，以確定是否符合需求。此處需注意的是，本實(shí)用新型薄型電阻的制造方法并不以上述步驟的次序?yàn)橄蓿?只要能達(dá)到本實(shí)用新型的目的，上述步驟的次序也可加以改變。通過上述步驟，即可制造出電阻范圍在0. 025歐姆到47歐姆的薄型電阻10，且薄 型電阻10的厚度約為1. 9毫米至2. 1毫米之間，也可克服現(xiàn)有技術(shù)中強(qiáng)度不足的問題，明 顯優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的電阻。綜上所述，本實(shí)用新型無論就目的、手段及功效，均顯示其不同于現(xiàn)有技術(shù)的特 征。但應(yīng)注意的是，上述實(shí)施例僅為了便于說明而舉例而已，本實(shí)用新型所主張的保護(hù)范圍 應(yīng)以本實(shí)用新型公開的范圍為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。
權(quán)利要求一種薄型電阻，其特征在于，包括一金屬薄片，包括多個(gè)導(dǎo)電通路；一陶瓷基體，具有一凹槽，該金屬薄片嵌合于該凹槽；以及至少兩金屬導(dǎo)線，這些金屬導(dǎo)線分別與該金屬薄片焊接連接。
2.如權(quán)利要求1所述的薄型電阻，其特征在于，該金屬薄片利用一沖壓工藝形成。
3.如權(quán)利要求1所述的薄型電阻，其特征在于，還包括一硅樹脂，用以絕緣密封該陶瓷 基體及該金屬薄片。
4.如權(quán)利要求1所述的薄型電阻，其特征在于，該金屬薄片的厚度為0.025毫米至0.1 毫米之間。
5.如權(quán)利要求1所述的薄型電阻，其特征在于，該薄型電阻的厚度為1.9毫米至2. 1毫 米之間。
專利摘要本實(shí)用新型為一種薄型電阻。該薄型電阻包括金屬薄片、陶瓷基體以及至少兩金屬導(dǎo)線。該金屬薄片包括多個(gè)導(dǎo)電通路。該陶瓷基體具有凹槽，金屬薄片嵌入于凹槽，并利用硅樹脂進(jìn)行絕緣封裝。該至少兩金屬導(dǎo)線分別與金屬薄片焊接連接。
文檔編號(hào)H01C1/01GK201698851SQ201020229149
公開日2011年1月5日 申請日期2010年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月17日
發(fā)明者廖進(jìn)忠 申請人:臺(tái)灣雙羽電機(jī)股份有限公司;雙羽電子(深圳)有限公司;雙羽電子(蘇州)有限公司