專利名稱：發(fā)光二極管封裝結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種封裝結構，特別是一種發(fā)光二極管的封裝結構。
背景技術：
相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)具有重量輕、體積小、污染低、壽命長等優(yōu)點，其作為一種新型的發(fā)光源，已經被越來越多地應用到各領域當中，如路燈、交通燈、信號燈、射燈及裝飾燈等等。常見的發(fā)光二極管封裝結構通常包括基板、設置在基板上的電極、發(fā)光二極管芯片、以及圍繞在發(fā)光二極管芯片周圍的反射杯。然而，現有技術中，反射杯往往采用塑料材質制成，使得發(fā)光二極管封裝結構產生不需要的特定光場，影響發(fā)光二極管封裝結構的光學特性。另外，反射杯、電極分別固定在基板上，制造工藝復雜，并且因為反射杯、電極及基板之間的接合力欠佳，使得發(fā)光二極管封裝結構的可靠度降低，直接影響到發(fā)光二極管封裝結構的使用壽命。有鑒于此，有必要提供一種具有較佳可靠度及光學性能的發(fā)光二極管封裝結構。

發(fā)明內容
以下將以實施例說明一種具有較佳可靠度的發(fā)光二極管封裝結構。一種發(fā)光二極管封裝結構，包括支架、設置在支架上的第一電極、第二電極及發(fā)光二極管芯片，該第一電極包括一個電極部、一體連接電極部的反射部，該第二電極包括電極部、一體連接電極部的反射部，所述發(fā)光二極管芯片分別電性連接第一電極的電極部、第二電極的電極部，所述第一電極的反射部、第二電極的反射部共同圍繞發(fā)光二極管芯片以將發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線反射出去。本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結構通過第一電極、第二電極的反射部用作反射杯將發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線反射出去，結構簡單可靠。


圖1為本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管封裝結構的俯視圖。圖2為圖1發(fā)光二極管封裝結構的剖面示意圖。圖3為圖1發(fā)光二極管封裝結構的仰視圖。主要元件符號說明發(fā)光二極管封裝結構10支架20第一表面21第二表面22第一電極30電極部31、41
底面311、411頂面312、412側部313、413切口314、414反射部32、42嵌入部33、43端緣335、435接觸部；34、44第二電極40發(fā)光二極管芯片50導線51、52封裝層60絕緣層70
具體實施例方式請參閱圖1至圖3，本發(fā)明一實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構10包括一個支架 20、嵌設于支架20內的第一電極30及第二電極40、設置與第一電極30上的發(fā)光二極管芯片50以及封裝發(fā)光二極管芯片50的封裝層60。該支架20呈矩形設置，在其它實施例中可根據特定的需求而相應調整。該支架20 利用高導熱絕緣的材質構成，如高分子化合物、硅或陶瓷。該支架20具有一第一表面21及與第一表面21相對的第二表面22。該支架20中部設有容置槽(圖未標)以設置發(fā)光二極管芯片50及封裝層60。所述第一電極30由金屬材料一體制成，其厚度小于支架20的厚度。第一電極30 呈半盤狀設置，包括一置于支架20的容置槽內的電極部31、自電極部31向上向外延伸的反射部32、連接反射部32頂緣的嵌入部33。所述電極部31呈平板狀設置。該電極部31 具有一底面311及與底面311相對的頂面312。該頂面312用于安置所述發(fā)光二極管芯片 50，該底面311與支架20的第一表面21共面，以將發(fā)光二極管芯片50產生的熱量從底面 311傳遞至外界。該電極部31具有一靠近第二電極40的側部313，該側部313底部設有一切口 314。該反射部32自電極部31除側部313以外的邊緣上傾斜向上延伸。反射部32的表面可以鍍設反射材料薄層，如金屬銀。該嵌入部33設置于支架20內部，呈彎折設置。嵌入部33與反射部32共同形成η形拱起結構，以與支架20相互卡持結合。嵌入部33的頂面(圖未標)與支架20的第二表面22相隔一定距離。嵌入部33遠離反射部32的一端緣 335與支架20的第一表面21共面。所述第一電極30還包括二自嵌入部33的端緣335延伸的接觸部；34。所述第二電極40與第一電極30的結構相似，并與第一電極30相隔絕緣。第二電極40包括置于支架20的容置槽內的電極部41、自電極部41向上向外延伸的反射部42、連接反射部42頂緣的嵌入部43。該電極部41具有一底面411及與底面411相對的頂面412。 該底面411與支架20的第一表面21共面。該電極部41具有一靠近第一電極30的側部 413，該側部413底部設有一切口 414。該反射部42自電極部41除側部413以外的邊緣上傾斜向上延伸。該嵌入部43設置于支架20內部，呈彎折設置。嵌入部43與反射部42共同形成η形拱起部，以與支架20緊密結合。嵌入部43遠離反射部42的一端緣435與支架 20的第一表面21共面。所述第二電極40還包括二自嵌入部43的端緣435延伸的接觸部 44。所述第一電極30與第二電極40之間設有絕緣層70。該絕緣層70連接支架20的兩側部并將第一電極30與第二電極40電性隔絕。該絕緣層70嵌入于第一電極30的切口 314與第二電極的切口 414以增加第一電極30、第二電極40與支架20的密合度?？梢岳斫獾?，絕緣層70可以是與支架20 —體制成。所述發(fā)光二極管芯片50設置于第一電極30的電極部31上，并通過導線51、52分別電性連接第一電極30的電極部31、第二電極40的電極部41。所述封裝層60設置于支架20的容置槽內，即設置于第一電極30的電極部31、反射部32、第二電極40的電極部41、 反射部42、及絕緣層70所圍成的凹槽內。該封裝層60 —并覆蓋發(fā)光二極管芯片50及導線 51、52。該封裝層60采用透光材料制成，該封裝層60的內部還可以包含光波長轉換材料， 以改善發(fā)光二極管芯片50發(fā)出光的光學特性。當然，該封裝層60的上表面也可涂覆一層光波長轉換材料(圖未示)，以起到改變光學特性的效果。在其它實施例中，該發(fā)光二極管芯片50可以是覆晶結構設置，導線51、52則可以省略。由于第一電極30與第二電極40的反射部32、42形成圍繞發(fā)光二極管芯片50的金屬反射杯，避免了現有技術中因使用塑料反光杯造成的亮度衰減及老化的情況，提高出光效率，并且減少了反光杯的制造程序，節(jié)約制造成本。同時，第一電極30、第二電極40的嵌入部33彎折嵌入于所述支架20內，使第一電極30、第二電極40不易從支架20處脫落， 從而加強了支架20與第一電極30、第二電極40之間的連接強度。另外，第一電極30增加了對發(fā)光二極管芯片50的散熱面積，提高發(fā)光二極管封裝結構的壽命。本發(fā)明的技術內容及技術特點已揭露如上，然而本領域技術人員仍可能基于本發(fā)明的教示及揭示而作出種種不背離本發(fā)明精神的替換及修飾。因此，本發(fā)明的保護范圍應不限于實施例所揭示的內容，而應包括各種不背離本發(fā)明的替換及修飾，并為所附的權利要求所涵蓋。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結構，包括支架、設置在支架上的第一電極、第二電極及發(fā)光二極管芯片，其特征在于該第一電極包括一個電極部、一體連接電極部的反射部，該第二電極包括電極部、一體連接電極部的反射部，所述發(fā)光二極管芯片分別電性連接第一電極的電極部、第二電極的電極部，所述第一電極的反射部、第二電極的反射部共同圍繞發(fā)光二極管芯片以將發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線反射出去。
2.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所述第一電極的反射部自第一電極的電極部向上向外傾斜延伸，所述第二電極的反射部自第二電極的電極部向上向外傾斜延伸。
3.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所述第一電極還包括一連接該第一電極的反射部的嵌入部，所述第二電極還包括一連接該第二電極的反射部的嵌入部，該第一電極、第二電極的嵌入部彎折設置并嵌入于所述支架內。
4.如權利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所述第一電極的嵌入部與第一電極的發(fā)射部共同形成一拱起結構以與支架相互卡持，所述第二電極的嵌入部與第二電極的發(fā)射部共同形成一拱起結構以與支架相互卡持。
5.如權利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所述第一電極的嵌入部、第二電極的嵌入部均相隔所述支架的頂面一定距離。
6.如權利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所述第一電極的嵌入部、第二電極的嵌入部均呈彎折設置。
7.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所述第一電極與第二電極之間設有一絕緣層，該絕緣層與所述支架連接。
8.如權利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所述第一電極靠近絕緣層的一側底部設有切口，第二電極靠近絕緣層的一側底部設有另一切口，所述絕緣層嵌入所述第一電極、第二電極的切口。
9.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所述發(fā)光二極管芯片設置在第一電極的電極部上。
10.如權利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所述支架包括一第一表面及一與該第一表面相對的第二表面，所述第一電極的電極部的底面與該支架的第一表面共面，以將發(fā)光二極管芯片產生的熱量第一電極的電極部的底面?zhèn)鬟f出去。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結構，包括支架、設置在支架上的第一電極、第二電極及發(fā)光二極管芯片，該第一電極包括一個電極部、一體連接電極部的反射部，該第二電極包括電極部、一體連接電極部的反射部，所述發(fā)光二極管芯片分別電性連接第一電極的電極部、第二電極的電極部，所述第一電極的反射部、第二電極的反射部共同圍繞發(fā)光二極管芯片以將發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線反射出去。本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結構通過第一電極、第二電極的反射部用作反射杯將發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線反射出去，結構簡單可靠。
文檔編號H01L33/60GK102569595SQ201010611480
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月29日 優(yōu)先權日2010年12月29日
發(fā)明者張耀祖, 簡克偉 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司