專利名稱：圖案化金屬層的方法以及利用其的半導(dǎo)體器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種圖案化金屬層的方法，且特別是有關(guān)于一種在金屬氧化物層上圖案化金屬層的方法。
背景技術(shù)：
蝕刻技術(shù)廣泛地被應(yīng)用在半導(dǎo)體工藝、微機(jī)電、顯示器以及其它電子裝置的制造過程中。傳統(tǒng)上，蝕刻技術(shù)可大致分為濕式蝕刻以及干式蝕刻。針對(duì)不同的材料及特征尺寸，制造者選擇不同的蝕刻方式。濕式蝕刻主要是利用化學(xué)反應(yīng)原理，使用化學(xué)蝕刻液與所欲蝕刻的層別進(jìn)行反應(yīng)，而將其溶解。因此，濕式蝕刻具有低工藝成本的優(yōu)勢(shì)。但是，濕式蝕刻的本質(zhì)為等方向性蝕刻，導(dǎo)致其尚難應(yīng)用在具有大的高寬比(aspect ratio)的結(jié)構(gòu)中。此外，在濕式蝕刻中， 所欲蝕刻的層別與相鄰的其它層別之間必須具有不同的化學(xué)性質(zhì)，否則蝕刻液在進(jìn)行蝕刻時(shí)，便會(huì)損害其它的層別或結(jié)構(gòu)。干式蝕刻通常是利用粒子或離子轟擊的原理，常用的干式蝕刻包括等離子蝕刻及反應(yīng)性離子蝕刻等。干式蝕刻可以完成大高寬比(aspect ratio)的蝕刻結(jié)構(gòu)，因此常被應(yīng)用在半導(dǎo)體工藝中。例如，在介電層中形成通孔通常使用干式蝕刻。但是，為了得到較佳的蝕刻輪廓以及蝕刻均勻性，在所欲蝕刻層別的下方必須存在有蝕刻停止層，否則其蝕刻輪廓以及蝕刻均勻性并不理想。在某些結(jié)構(gòu)中，無法使用上述已知的蝕刻技術(shù)。例如，在金屬層的下方存有具有半導(dǎo)體性質(zhì)的一金屬氧化物層的結(jié)構(gòu)中，若欲利用傳統(tǒng)的蝕刻技術(shù)對(duì)金屬層進(jìn)行蝕刻，便很難達(dá)成目的。詳言之，因金屬層與其下的金屬氧化物層的化學(xué)性質(zhì)接近，若使用濕式蝕刻法來進(jìn)行金屬層的蝕刻，在接近蝕刻終點(diǎn)時(shí)，蝕刻液會(huì)一并損害其下方的金屬氧化物層。因此，常造成最終所形成的半導(dǎo)體器件的電性表現(xiàn)不佳。反之，若使用干式蝕刻，也有類似的問題。有鑒于此，目前仍亟需一種可以克服上述問題的嶄新的蝕刻方法，以圖案化金屬層。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的在于提供一種圖案化金屬層的方法，以能突破以知技術(shù)的干式蝕刻法及濕式蝕刻法的限制。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，此圖案化金屬層的方法包含以下步驟。提供一基材，此基材表面具有一金屬層。在金屬層上形成一導(dǎo)電高分子圖案層，此金屬層的一部分由導(dǎo)電高分子圖案層露出。將形成有導(dǎo)電高分子圖案層的基材置入一電解槽中，讓露出的金屬層接觸電解槽中的電解液，電解槽的陽極電性連接導(dǎo)電高分子圖案層，電解槽的陰極接觸電解液。隨后，提供一電位差于電解槽的陽極與該極間，以進(jìn)行一氧化還原反應(yīng)，讓露出部分的金屬層溶解于電解液中。
根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，上述的方法更包含以下步驟于提供電位差后，移除基材上的導(dǎo)電高分子圖案層。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，上述的金屬層包含鉬、鉻、鎳、鋁、釹或上述的組合。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，上述的形成導(dǎo)電高分子圖案層的步驟包含形成一感旋光性導(dǎo)電高分子層于該金屬層上；以及對(duì)該感旋光性導(dǎo)電高分子層進(jìn)行曝光顯影，以形成該導(dǎo)電高分子圖案層。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，上述的形成該導(dǎo)電高分子圖案層的方法包含網(wǎng)板印刷法。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，上述的電解液包含至少一硫酸、鹽酸、磷酸或氫氟酸。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，上述的電位差為約5伏特至約30伏特。本發(fā)明的另一目的在于提供一種在金屬氧化物層上圖案化金屬層的方法，以能確保金屬氧化物層原有的物理及化學(xué)性質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，上述的在圖案化金屬層的方法包含以下步驟。提供一基材，此基材表面具有一金屬氧化物層。形成一金屬層覆蓋金屬氧化物層。在金屬層上形成一導(dǎo)電高分子圖案層，其中金屬層的一部分由導(dǎo)電高分子圖案層露出。將形成有導(dǎo)電高分子圖案層的基材置入一電解槽中，讓露出部分的金屬層接觸電解槽的電解液，電解槽的陽極電性連接導(dǎo)電高分子圖案層，電解槽的陰極接觸電解液。在電解槽的陽極與陰極間提供一電位差，以進(jìn)行一氧化還原反應(yīng)，讓露出部分的金屬層溶解于電解液中，并暴露出金屬氧化物層。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，上述的金屬氧化物層包含氧化銦、氧化鎵、氧化鋅、氧化銦鎵、氧化鋅鎵、氧化銦鋅或上述的組合。本發(fā)明的又一目的在于提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，以能改善半導(dǎo)體器件的電性表現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，此半導(dǎo)體器件制造方法包含以下步驟。在一基板上形成一柵電極。形成一柵介電層覆蓋柵電極以及基板。形成一圖案化的金屬氧化物層于柵介電層上，其中該金屬氧化物層大致位于柵電極上方。形成一金屬層覆蓋金屬氧化物層以及柵介電層。在金屬層上形成一導(dǎo)電高分子圖案層，其中金屬層的一部分由導(dǎo)電高分子圖案層露出，其中露出部分的金屬層位于金屬層與金屬氧化物層重迭處。將形成有導(dǎo)電高分子圖案層的基材置入一電解槽中，讓露出的金屬層接觸電解槽的電解液，電解槽的陽極電性連接導(dǎo)電高分子圖案層，電解的陰極接觸電解液。在電解槽的陽極與陰極之間提供一電位差，以進(jìn)行一氧化還原反應(yīng)，讓露出的金屬層溶解在電解液中，并暴露出下方的金屬氧化物層。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明的方法可以改善已知技術(shù)的缺點(diǎn)，尤其是當(dāng)金屬層下方存在有金屬氧化物層時(shí)，已知的濕蝕刻法或干蝕刻法將會(huì)嚴(yán)重破壞金屬氧化物層原本的特性，而導(dǎo)致最終半導(dǎo)體器件的性能不佳，而本發(fā)明的方法則避免了這樣的問題。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附附圖的說明如下圖1繪示本發(fā)明一實(shí)施方式的圖案化金屬層方法的流程圖2A-2E是本發(fā)明一實(shí)施方式的各工藝階段的剖面示意圖；圖3繪示本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件制造方法300的流程圖；圖4A-4F是繪示方法300中各工藝階段的剖面示意圖；其中，主要的符號(hào)說明100 方法110、120、130、140、150 步驟210 基材212金屬氧化物層220:金屬層 230:導(dǎo)電高分子圖案層232 開口240:電解槽M2:電解液M4:陽極M6:陰極M8:電位差300 方法310、320、330、340、350、360、370、380 步驟410:基板420:柵電極430:柵介電層 440:金屬氧化物層450:金屬層 460:導(dǎo)電高分子圖案層462:開口。
具體實(shí)施例方式為了使本揭示內(nèi)容的敘述更加詳盡與完備，下文針對(duì)了本發(fā)明的實(shí)施態(tài)樣與具體實(shí)施例提出了說明性的描述；但這并非實(shí)施或運(yùn)用本發(fā)明具體實(shí)施例的唯一形式。實(shí)施方式中涵蓋了多個(gè)具體實(shí)施例的特征以及用以建構(gòu)與操作這些具體實(shí)施例的方法步驟與其順序。然而，亦可利用其它具體實(shí)施例來達(dá)成相同或均等的功能與步驟順序。此外，以下所揭露的各實(shí)施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實(shí)施例中附加其它的實(shí)施例，而無須進(jìn)一步的記載或說明。本發(fā)明的一態(tài)樣，是揭露一種圖案化金屬層的方法。圖1繪示本發(fā)明一實(shí)施方式的圖案化金屬層方法100的流程圖。圖2A-2E是繪示方法100中各工藝階段的剖面示意圖。在步驟110中，提供基材210?；?10的表面具有金屬層220，如圖2A圖所示。 金屬層220可為多層的金屬所組成，例如為一鋁層以及一釹層堆棧而成(Al/Nd)，或者金屬層220可具有一鋁層夾置于兩鉬層之間的三明治結(jié)構(gòu)(Mo/Al/Mo)。金屬層220也可為單一層的結(jié)構(gòu)，其可由單一種金屬或金屬合金所制成。在一實(shí)施方式中，金屬層220可包含鉬、 鉻、鎳、鋁、釹或上述的組合，并可藉由例如為濺鍍、蒸鍍或其它氣相沉積方法來形成金屬層 220。金屬層220的厚度并無特殊限制，例如可為IOOnm至約lOOOnm。在一實(shí)施方式中，基材210包括具有半導(dǎo)體材料性質(zhì)的一金屬氧化物層212，而金屬層220覆蓋金屬氧化物層212，如圖2A所示。在此實(shí)施方式中，基材210上預(yù)先形成金屬氧化物層212，然后再形成金屬層220。金屬氧化物層212可具有特定圖案，其材料包括但不限于氧化銦、氧化鎵、氧化鋅、氧化銦鎵、氧化鋅鎵、氧化銦鋅或上述的組合。在步驟120中，形成一導(dǎo)電高分子圖案層230于金屬層220上，導(dǎo)電高分子圖案層 230露出金屬層220的一部分，如圖2B所示。具體而言，導(dǎo)電高分子圖案層230具有至少一開口 232，以露出一部分的金屬層220。導(dǎo)電高分子圖案層230可例如為導(dǎo)電高分子所制成，其具有低的電阻率，例如導(dǎo)電高分子的電阻率可小于或等于0.1Ω -Cm0換言之，導(dǎo)電高分子圖案層230具有良好的導(dǎo)電性。導(dǎo)電高分子圖案層230的厚度會(huì)影響其導(dǎo)電性。若厚度太薄，導(dǎo)電高分子圖案層230的導(dǎo)電性可能不夠，將不利于后續(xù)工藝。若厚度太厚，將使開口 232的深度增加而導(dǎo)致開口 232內(nèi)的質(zhì)量傳輸速率趨緩，可能增加后續(xù)工藝所須的時(shí)間。因此，導(dǎo)電高分子圖案層230的厚度可例如為約0. 5 μ m至約3 μ m。導(dǎo)電高分子的材料種類可為利用共軛雙鍵(conjugated double bond)的非定域特性而形成的高分子聚合物。例如，聚乙炔(polyacetylene)、聚對(duì)苯硫醚(poly(p-phenylene sulfide))、聚對(duì)亞苯基(poly (p-phenylene))、聚對(duì)苯乙炔 (poly (p-phenylene vinylene))、聚噻盼(polythiophene)、聚噻嗯乙塊(poly (thienylene vinylene))、聚 3，4-乙撐二氧噻吩(poly (3，4-ethylenedioxythiophene)、聚苯胺 (polyaniline)、聚口比口各(polypyrrole)、聚 4_ 苯乙；I；希石黃酸納(poly (styrenesulfonate, PEDOT =PSS)或3-己基噻吩-3-噻吩-乙烷-甲基丙烯酸酯共聚物(3-hexyl-thiophene-3-thiophene-ethane-methacrylate copolymer)。導(dǎo)電高分子圖案層230亦可包含諸如碳粉、石墨或金屬顆粒等導(dǎo)電顆粒子以增加其導(dǎo)電性，導(dǎo)電顆粒在導(dǎo)電高分子圖案層230中的重量百分率可為約10%至約80%。當(dāng)然導(dǎo)電高分子的材質(zhì)不限定于上述成分，本發(fā)明亦可選用其它市售配方成分的導(dǎo)電光阻產(chǎn)品來應(yīng)用。在一實(shí)施方式中，可以使用具有感旋光性的一導(dǎo)電高分子材料來形成上述的導(dǎo)電高分子圖案層230。具體而言，可先在金屬層220上形成感旋光性導(dǎo)電高分子層，接著對(duì)感旋光性導(dǎo)電高分子層進(jìn)行曝光，而在感旋光性導(dǎo)電高分子層上形成一曝光區(qū)域及一未曝光區(qū)域。隨后，對(duì)已曝光的感旋光性導(dǎo)電高分子層進(jìn)行顯影步驟，來移除未曝光區(qū)的的感旋光性導(dǎo)電高分子層而形成開口 232。換言之，感旋光性導(dǎo)電高分子層可為一負(fù)型光阻。在一實(shí)施例中，感旋光性導(dǎo)電高分子材料可包含有導(dǎo)電樹脂、溶劑和感光物質(zhì)(sensitizer)，例如導(dǎo)電樹脂可以是3-己基噻吩-3-噻吩-乙烷-甲基丙烯酸酯共聚物(3-hexyl-thiophene-3-thiophene-ethane-methacrylate copolymer)，溶劑可用氯化金的乙膽(aceto-nitrile solution ofgold chloride)溶液，感光物質(zhì)則可為氯化金(gold chloride)等。在另一實(shí)施方式中，可利用網(wǎng)板印刷來形成導(dǎo)電高分子圖案層230，而不需使用黃光工藝。簡(jiǎn)言之，可使用網(wǎng)板印刷形成一層具有圖案的導(dǎo)電高分子溶液于金屬層220上，然后再干燥導(dǎo)電高分子溶液層，而形成導(dǎo)電高分子圖案層230。在步驟130中，將形成有導(dǎo)電高分子圖案層230的基材210置入電解槽240中，如圖2C所示。電解槽240包含電解液M2、陽極M4以及陰極M6。電解槽MO的陽極M4 電性連接導(dǎo)電高分子圖案層230，電解槽MO的陰極246接觸電解液M2。電解液242與露出部分的金屬層220接觸，金屬層220被導(dǎo)電高分子圖案層230覆蓋的部分則無法與電解液242接觸。電解液242可為包含酸的水溶液，酸可例如為硫酸、鹽酸、磷酸或氫氟酸，當(dāng)然其它用于電解金屬的商品化電解液亦可應(yīng)用于本發(fā)明中。在步驟140中，在陽極244與陰極246之間提供一電位差M8，以進(jìn)行氧化還原反應(yīng)，而移除露出的金屬層220部分，如圖2D所示。在此步驟中，陽極M4電性連接于導(dǎo)電高分子圖案層230，且導(dǎo)電高分子圖案層230接觸金屬層220。因此，電流由陽極244經(jīng)導(dǎo)電高分子圖案層230而傳遞至金屬層220。在存在電位差的情況下，露出于導(dǎo)電高分子圖案層230的金屬層220部分將發(fā)生氧化反應(yīng)，而成為金屬離子，并溶解在電解液M2中，因此移除露出的金屬層220部分。上述氧化反應(yīng)可以如下化學(xué)式(1)表示
M — M++e" 化學(xué)式(1)其中M代表金屬原子；M+代表金屬離子；e_代表電子。被導(dǎo)電高分子圖案層230覆蓋的金屬層220部分，并未與電解液242接觸，因此不會(huì)被氧化成金屬離子。換言之，露出于導(dǎo)電高分子圖案層230的金屬層220部分將溶解在電解液242中；反之，金屬層220被導(dǎo)電高分子圖案層230覆蓋的部分，并沒有與電解液接觸， 所以不會(huì)發(fā)生電解現(xiàn)象。因此，導(dǎo)電高分子圖案層230的圖案形狀可以轉(zhuǎn)移到金屬層220， 而將金屬層220圖案化。在金屬層220進(jìn)行氧化反應(yīng)之同時(shí)，陰極246將發(fā)生還原反應(yīng)。陰極246與電解液242接觸，并提供電子給電解液M2，而將其中的陰離子還原。還原反應(yīng)可以如下化學(xué)式 (2)表示2H++2e" — H2 化學(xué)式 O)其中H+代表氫離子；H2代表氫分子；e_代表電子。根據(jù)上述還原反應(yīng)，陰極246會(huì)產(chǎn)生氫氣。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，電解槽MO 可包含有一排氣口對(duì)9，用以收集氫氣。在上述提供電位差的步驟中，電位差可例如為約1伏特至約100伏特，依不同的導(dǎo)電高分子圖案層材料與金屬層材料而定。一般而言，電位差可例如為約5伏特至約30伏特。在基材210上包括有金屬氧化物層212的實(shí)施方式中，移除露出的金屬層220部分將使其下的金屬氧化物層212暴露出來。但是，因?yàn)榻饘傺趸飳?12不具導(dǎo)電性，所以金屬氧化物層212在進(jìn)行步驟140的過程中不會(huì)發(fā)生電解反應(yīng)。所以，在步驟140的電解過程中，金屬氧化物層212不會(huì)因?yàn)檫M(jìn)行圖案化金屬層220而被破壞，而能保有其應(yīng)有的半導(dǎo)體特性。亦即，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可以確保金屬氧化物層212在電子器件中的電性表現(xiàn)。在已知技術(shù)中，常使用濕蝕刻法或干蝕刻法來圖案化金屬層。但是，當(dāng)金屬層下方存在有金屬氧化物層時(shí)，因?yàn)榻饘賹优c金屬氧化物層的化學(xué)性質(zhì)接近，在濕蝕刻金屬層時(shí)會(huì)伴隨發(fā)生損害金屬氧化物層的情況。舉例而言，當(dāng)金屬氧化物層的材料為氧化銦、氧化鎵、氧化鋅、氧化銦鎵、氧化鋅鎵、氧化銦鋅時(shí)，已知的濕蝕刻法或干蝕刻法將會(huì)嚴(yán)重破壞金屬氧化物層原本的特性，而導(dǎo)致最終半導(dǎo)體器件的性能不佳。因此，相較于已知，本案揭露的實(shí)施方式，可以改善已知技術(shù)的缺點(diǎn)。在完成步驟140后，可非必要性地進(jìn)行步驟150，移除基材210上的導(dǎo)電高分子圖案層230，如圖2E所示。移除基材210上的導(dǎo)電高分子圖案層230方法可例如為濕式剝離法或等離子蝕刻法。若使用濕式剝離法，其剝離液(stripper)可例如為T0K105 或TOK 106 (TOKYO OHKA KOGYO Co.，Ltd, Japan ；東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社，日本)。若使用等離子蝕刻法，可使用例如氧等離子( plasma)或六氟化硫等離子(SF6 plasma)來移除導(dǎo)電高分子圖案層230。本發(fā)明的另一態(tài)樣是提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法。圖3繪示本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件制造方法300的流程圖。圖4A-4F是繪示方法300中各工藝階段的剖面示意圖。在步驟310中，在基板410上形成一柵電極420，如圖4A所示?；?10可例如為玻璃或其它具可撓性的塑料所制成。柵電極420可例如為鋁、銅、銀或其它導(dǎo)電性佳的金屬所制成。柵電極420可藉由薄膜沉積、黃光以及蝕刻等步驟而形成，其為本領(lǐng)域技術(shù)人員所習(xí)知。在步驟320中，形成一柵介電層430覆蓋柵電極420以及基板410，如圖4B所示。 柵介電層430的材料可例如為氮化硅或氧化硅。在步驟330中，形成圖案化的金屬氧化物層440于柵介電層430上，如圖4C所示。 金屬氧化物層440具有特定圖案，其大致位于柵電極420上方。金屬氧化物層440的面積可大于或小于柵電極420的面積。金屬氧化物層440的材料包括但不限于氧化銦、氧化鎵、 氧化鋅、氧化銦鎵、氧化鋅鎵、氧化銦鋅或上述的組合。在步驟340中，形成一金屬層450覆蓋金屬氧化物層440以及柵介電層430，如圖 4D所示。金屬層450可為多層的金屬所組成，例如為一鋁層以及一釹層堆棧而成(Al/Nd)， 或者金屬層450可為一鋁層夾置于兩鉬層之間的三明治結(jié)構(gòu)(Mo/Al/Mo)。金屬層450也可為單一層的結(jié)構(gòu)，其可由單一種金屬或金屬合金所制成。在一實(shí)施方式中，金屬層450可包含鉬、鉻、鎳、鋁、釹或上述的組合，并可藉由例如為濺鍍、蒸鍍或其它氣相沉積方法來形成金屬層450。在步驟350中，形成一導(dǎo)電高分子圖案層460于金屬層450上，如圖4E所示。導(dǎo)電高分子圖案層460露出金屬層450的一部分。具體而言，導(dǎo)電高分子圖案層460具有一開口 462，其位于金屬層450與金屬氧化物層440重迭處的上方，因此開口 462中的金屬層得以曝露出。導(dǎo)電高分子圖案層460的形成方法可與上述方法100的步驟120相似。在步驟360中，將形成有導(dǎo)電高分子圖案層460的基材410置入一電解槽中，電解槽可如上述圖2C所示。步驟360可與上述方法100的步驟130相似。簡(jiǎn)言之，露出的金屬層450與電解槽內(nèi)的電解液接觸。電解槽的陽極電性連接導(dǎo)電高分子圖案層460，電解槽的陰極接觸電解液。在步驟370中，在電解槽的陽極與陰極間提供一電位差，以進(jìn)行一氧化還原反應(yīng)， 而移除開口 462中露出的金屬層450。步驟370可與上述方法100的步驟140相似，使露出的金屬層450溶解在電解液中。因此，金屬層下方的金屬氧化物層440將會(huì)暴露出來。換言之，在本步驟中將完成金屬層450的圖案化。更具體地說，此步驟可形成半導(dǎo)體器件中的漏極/源極。在金屬層450進(jìn)行氧化反應(yīng)的同時(shí)，陰極將發(fā)生還原反應(yīng)并產(chǎn)生氫氣。在步驟380中，移除基材上的導(dǎo)電高分子圖案層460，而形成半導(dǎo)體器件400，如圖 4F所示。半導(dǎo)體器件400可例如為一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOS transistor) 0步驟 380可與上述方法100的步驟150相似，于此不再重述。雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種圖案化金屬層的方法，包含提供一基材，其表面具有一金屬層；形成一導(dǎo)電高分子圖案層于該金屬層上，其中該導(dǎo)電高分子圖案層露出該金屬層的一部分；將形成有該導(dǎo)電高分子圖案層的基材置入一電解槽中，讓該露出部分的金屬層接觸該電解槽的電解液，其中該電解槽的一陽極電性連接該導(dǎo)電高分子圖案層，且該電解槽的一陰極接觸該電解液；以及提供一電位差于該陽極與該陰極間，以進(jìn)行一氧化還原反應(yīng)，讓該露出部分的金屬層溶解于該電解液中。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，更包含于提供該電位差之后，移除該基材上的該導(dǎo)電高分子圖案層。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該金屬層為鉬、鉻、鎳、鋁、釹或上述的組合。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成該導(dǎo)電高分子圖案層的步驟包含 形成一感旋光性導(dǎo)電高分子層于該金屬層上；以及對(duì)該感旋光性導(dǎo)電高分子層進(jìn)行曝光顯影，以形成該導(dǎo)電高分子圖案層。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成該導(dǎo)電高分子圖案層的方法為網(wǎng)板印刷法。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該電解液包含至少一酸，該酸為硫酸、鹽酸、磷酸或氫氟酸。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該電位差為5伏特至30伏特。
8.—種在金屬氧化物層上圖案化金屬層的方法，包含 提供一基材，其表面具有一金屬氧化物層；形成一金屬層覆蓋該金屬氧化物層；形成一導(dǎo)電高分子圖案層于該金屬層上，其中該導(dǎo)電高分子圖案層露出該金屬層的一部分；將形成有該導(dǎo)電高分子圖案層的基材置入一電解槽中，讓該露出部分的金屬層接觸該電解槽的電解液，其中該電解槽的一陽極電性連接該導(dǎo)電高分子圖案層，且該電解槽的一陰極接觸該電解液；以及提供一電位差于該陽極與該陰極間，以進(jìn)行一氧化還原反應(yīng)，讓該露出部分的金屬層溶解于該電解液中，以暴露出該金屬氧化物層。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中該金屬氧化物層為氧化銦、氧化鎵、氧化鋅、氧化銦鎵、氧化鋅鎵、氧化銦鋅或上述的組合。
10.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包含 在一基板上形成一柵電極；形成一柵介電層覆蓋該柵電極以及該基板；形成一圖案化的金屬氧化物層于該柵介電層上，其中該金屬氧化物層位于該柵電極上方；形成一金屬層覆蓋該金屬氧化物層以及該柵介電層；形成一導(dǎo)電高分子圖案層于該金屬層上，其中該導(dǎo)電高分子圖案層露出該金屬層的一部分，該露出部分位于該金屬層與該金屬氧化物層重迭處；將形成有該導(dǎo)電高分子圖案層的基材置入一電解槽中，讓該露出部分的金屬層接觸該電解槽的電解液，其中該電解槽的一陽極電性連接該導(dǎo)電高分子圖案層，且該電解槽的一陰極接觸該電解液；以及提供一電位差于該陽極與該陰極間，以進(jìn)行一氧化還原反應(yīng)，讓該露出部分的金屬層溶解于該電解液中，以暴露出該金屬氧化物層。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種圖案化金屬層的方法，其包含以下步驟。提供一基材，此基材表面具有一金屬層。在金屬層上形成一導(dǎo)電高分子圖案層，此金屬層的一部分由導(dǎo)電高分子圖案層露出。將形成有導(dǎo)電高分子圖案層的基材置入一電解槽中，讓露出的金屬層接觸電解槽中的電解液，電解槽的陽極電性連接導(dǎo)電高分子圖案層，電解槽的陰極接觸電解液。隨后，在電解槽的陽極與該陰極之間提供一電位差，以進(jìn)行一電解反應(yīng)，讓露出部分的金屬層溶解于電解液中。本發(fā)明還揭露了一種利用上述方法的半導(dǎo)體器件制造方法。
文檔編號(hào)H01L21/336GK102477578SQ201010597938
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2010年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月29日
發(fā)明者葉佳俊, 藍(lán)緯洲, 辛哲宏, 黃松輝 申請(qǐng)人:元太科技工業(yè)股份有限公司