專利名稱：一種硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管及制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管及制作方法，屬于半導體二極管制作技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
瞬態(tài)電壓抑制二極管是一種高效能的電路保護器件。近年來，航空、航天用電子元器件朝著小型化方向發(fā)展，原有的金屬封裝、玻璃鈍化封裝瞬態(tài)電壓抑制二極管已不能滿足要求，要求有體積更小的瞬態(tài)電壓抑制二極管以滿足電子設備小型化的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管及制作方法，以縮小硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的體積、便于工程安裝，從而克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣構(gòu)成的本發(fā)明的一種硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法是在P型硅片兩面擴散出兩個N區(qū)，在兩個N區(qū)表面鍍鎳，劃片后得正六邊形芯片， 將芯片封裝在管殼內(nèi)，引出電極得硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管。前述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法中，所述擴散采用擴散臺面工藝進行磷擴散。前述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法中，所述P型硅片為P型無錯位硅單晶片，電阻率在0. 09 0. 15 Ω. cm之間，厚度在290 310 μ m之間。前述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法中，所述N區(qū)厚度在40 50 μ m之間。前述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法中，所述N區(qū)表面噴砂后鍍鎳。前述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法中，所述正六邊形的頂角為3mm。前述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法中，所述封裝采用貼片式封裝。按照前述的制作方法制成的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管，包括管殼，管殼內(nèi)設有芯片，芯片的一個N區(qū)直接與A極連接，芯片的另一個N區(qū)經(jīng)連接片與B極連接。前述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管中，所述管殼與A極和B極之間均設有絕緣體， A極與B極之間也設有絕緣體。前述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管中，所述管殼上設有蓋板。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用貼片式封裝，具有體積小，重量輕、瞬間吸收功率大及可靠性高的特點。隨著武器裝備系統(tǒng)向著小型化、智能化方向發(fā)展，具有更小體積和更便于安裝的表貼類瞬態(tài)電壓抑制二極管有更好的發(fā)展前景；并且該器件在研制過程中采用了非常先進的平行縫焊封裝技術(shù)，使得器件內(nèi)部氣氛能夠控制在更低的水平，很好的提升的器件的使用壽命，具有更好的可靠性。


圖1是本發(fā)明芯片的結(jié)構(gòu)示意圖 圖2是本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中的標記為1-管殼，2-芯片，3-A極，4-連接片，5-B極，6-絕緣體，7-蓋板。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明，但不作為對本發(fā)明的任何限制。
具體實施例方式本發(fā)明的一種硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法是在P型硅片兩面擴散出兩個N區(qū)，在兩個N區(qū)表面鍍鎳，劃片后得正六邊形芯片，將芯片封裝在管殼內(nèi)，引出電極得硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管。所述擴散采用擴散臺面工藝進行磷擴散。所述P型硅片為P型無錯位硅單晶片，電阻率在0. 09 0. 15 Ω . cm之間，厚度在290 310 μ m 之間。所述N區(qū)厚度在40 50μπι之間。所述N區(qū)表面噴砂后鍍鎳。所述正六邊形的頂角為3mm。所述封裝采用貼片式封裝。按照本發(fā)明的制作方法制成的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖1 和圖2所示，本發(fā)明的制作方法制成的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管包括管殼1，制作時，在管殼1內(nèi)設有芯片2，將芯片2的一個N區(qū)直接與A極3連接，芯片1的另一個N區(qū)經(jīng)連接片4與B極5連接；在管殼1與A極3和B極5之間均設有絕緣體6，在A極與B極之間也設有絕緣體6 ；然后再管殼1上安裝上蓋板7即成。本發(fā)明的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管型號為SY023型，屬瞬態(tài)電壓保護器，在整機中做過壓保護用，其技術(shù)指標要求瞬間吸收功率大、反向漏電流小，外形需采用YE0-01A (SMD-0. 5)貼片式封裝，其外形尺寸較小，綜合產(chǎn)品特點和我廠實際生產(chǎn)情況，我們采用了擴散工藝制作PN結(jié)。該器件為雙向器件，要求擊穿電壓V (BE) :37V 40. 3V，電壓一致性要求高，反向漏電流Ik < 3μ Α，ΙΡ=9. 9Α，Vc彡53. 3V。瞬態(tài)電壓抑制器的特點是在規(guī)定的反向應用條件下，當承受一個高能量的瞬時過壓脈沖時，其工作阻抗能立即降至很低的導通值，允許大電流通過，并將電壓箝制到預定水平，從而有效地保護電子線路中的精密元器件免受損壞。根據(jù)器件的特點，設計時必須考慮瞬時大能量的吸收問題。當器件管芯尺寸選定后，如何降低瞬態(tài)熱阻是提高器件瞬態(tài)脈沖功率的關(guān)鍵。根據(jù)瞬態(tài)熱阻公式
權(quán)利要求
1.一種硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法，其特征在于該方法是在P型硅片兩面擴散出兩個N區(qū)，在兩個N區(qū)表面鍍鎳，劃片后得正六邊形芯片，將芯片封裝在管殼內(nèi)，引出電極得硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法，其特征在于所述擴散采用擴散臺面工藝進行磷擴散。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法，其特征在于所述P 型硅片為P型無錯位硅單晶片，電阻率在0. 09 0. 15 Ω . cm之間，厚度在290 310 μ m之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法，其特征在于所述N 區(qū)厚度在40 50 μ m之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法，其特征在于所述N 區(qū)表面噴砂后鍍鎳。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法，其特征在于所述正六邊形的頂角為3mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法，其特征在于所述封裝采用貼片式封裝。
8.按照權(quán)利要求1 7任一權(quán)利要求所述的制作方法制成的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于包括管殼(1)，管殼(1)內(nèi)設有芯片(2)，芯片(2)的一個N區(qū)直接與A極 (3)連接，芯片(1)的另一個N區(qū)經(jīng)連接片(4)與B極(5)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于所述管殼(1)與A 極(3 )和B極(5 )之間均設有絕緣體(6 )，A極與B極之間也設有絕緣體(6 )。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于所述管殼(1)上設有蓋板(7)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管及制作方法，該方法是在P型硅片兩面擴散出兩個N區(qū)，在兩個N區(qū)表面鍍鎳，劃片后得正六邊形芯片，將芯片封裝在管殼內(nèi)，引出電極得硅雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管。本發(fā)明采用貼片式封裝，具有體積小，重量輕、瞬間吸收功率大及可靠性高的特點。隨著武器裝備系統(tǒng)向著小型化、智能化方向發(fā)展，具有更小體積和更便于安裝的表貼類瞬態(tài)電壓抑制二極管有更好的發(fā)展前景；并且該器件在研制過程中采用了非常先進的平行縫焊封裝技術(shù)，使得器件內(nèi)部氣氛能夠控制在更低的水平，很好的提升的器件的使用壽命，具有更好的可靠性。
文檔編號H01L21/329GK102543720SQ20101057516
公開日2012年7月4日 申請日期2010年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月7日
發(fā)明者吳貴松, 周廷榮, 周鵬 申請人:中國振華集團永光電子有限公司