專利名稱：半導(dǎo)體封裝件的制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件的制法，特別涉及一種提升芯片的定位精確度的半導(dǎo)體封裝件的制法。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁入多功能、高性能的研發(fā)方向。目前用以承載半導(dǎo)體芯片的封裝基板包括有打線式封裝基板、芯片尺寸封裝(CSP)基板及覆晶基板(FCBGA)等，例如將芯片接置于封裝基板上，且在該芯片及封裝基板之間適當(dāng)?shù)卦O(shè)置導(dǎo)電凸塊、或金線，使該芯片電性連接至該封裝基板上。而為達(dá)成多功能、高工作功率，且為滿足半導(dǎo)體封裝件高整合度(integration) 及微型化(miniaturization)的封裝需求，遂發(fā)展出嵌埋式封裝件，即將芯片埋入基板的封裝方式。請(qǐng)參閱圖IA至1C，是第2008/0012144號(hào)美國(guó)專利及第7，189，596號(hào)美國(guó)專利所揭露的現(xiàn)有晶片級(jí)芯片尺寸封裝(Wafer Level Chip Scale Package, WLCSP)的半導(dǎo)體封裝件的制法。如圖IA及1A’所示，在一承載板10的四個(gè)角落上設(shè)有對(duì)位標(biāo)記(alignment mark) K，且于該承載板10上形成膠膜11，通過(guò)各該對(duì)位標(biāo)記K，將多個(gè)具有電極墊120的芯片12 設(shè)于該承載板10上，以令各該芯片12陣列排設(shè)，且該電極墊120設(shè)于該膠膜11上。如圖 IB所示，在該膠膜11及各該芯片12上形成封裝材14。如圖IC所示，去除該承載板10及膠膜11，以外露出該電極墊120。然而，上述制造方法的缺點(diǎn)在于將芯片以作用面粘貼于膠膜上而固定的方式，常因膠膜11于制造過(guò)程中受熱而發(fā)生伸縮問(wèn)題，造成粘置于膠膜11上的芯片12位置發(fā)生位移，此時(shí)無(wú)法確認(rèn)各芯片12的位置是否正確，因而影響后續(xù)的線路重布(Redistribution layer, RDL)制造過(guò)程，使線路無(wú)法有效電性連接該電極墊120，而降低產(chǎn)品的成品率。因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問(wèn)題，實(shí)為當(dāng)前所要解決的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)的種種缺陷，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝件的制法，包括提供一具有多個(gè)開(kāi)孔的對(duì)位板，且該對(duì)位板上設(shè)有對(duì)應(yīng)各該開(kāi)孔的對(duì)位標(biāo)記；通過(guò)各該對(duì)位標(biāo)記， 在該對(duì)位板上對(duì)應(yīng)各該開(kāi)孔的位置設(shè)置芯片；壓合該設(shè)有芯片的對(duì)位板及一表面具有軟質(zhì)層的承載板，以令該芯片嵌入該承載板的軟質(zhì)層中；以及去除該對(duì)位板。在前述的制法中，該承載板的材質(zhì)為硅或銅，且該軟質(zhì)層為封裝材、干膜或增層絕緣膜。在前述的制法中，該對(duì)位標(biāo)記位于該開(kāi)孔的孔緣。在前述的制法中，該承載板與該軟質(zhì)層之間可設(shè)有離形膜(release tape)。故可通過(guò)該離形膜，以輕易地去除該承載板。在前述的制法中，可通過(guò)粘著材將芯片設(shè)置于該對(duì)位板上。此外，該粘著材可預(yù)形成于該對(duì)位板的開(kāi)孔的孔緣上。且當(dāng)去除該對(duì)位板時(shí)，優(yōu)選的一并去除該粘著材。又去除該粘著材的方式可通過(guò)溶劑溶解該粘著材。前述的制法進(jìn)一步可包括在該芯片嵌埋入該軟質(zhì)層之后，先固化該軟質(zhì)層，再去除該對(duì)位板。由上可知，本發(fā)明半導(dǎo)體封裝件的制法，通過(guò)將芯片設(shè)于對(duì)位板上，而非現(xiàn)有技術(shù)的膠膜上，故芯片不會(huì)隨膠膜受熱伸縮而發(fā)生位移，再將芯片埋入軟質(zhì)層中，使粘著材亦無(wú)法帶動(dòng)芯片產(chǎn)生位移，因而不會(huì)影響后續(xù)的線路重布(RDL)制造過(guò)程，使線路可有效電性連接芯片，以提升產(chǎn)品的成品率。再者，通過(guò)對(duì)位板上的對(duì)位標(biāo)記，即可確認(rèn)芯片的位置，因而提升芯片位置的精確度。


圖IA至IC為現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件的制法的剖面示意圖；圖1A’為圖IA的上視圖； 以及圖2A至2E為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝件的制法的剖面示意圖；圖2A’為圖2A的上視圖，圖2D，及2E，為圖2D及2E的另一實(shí)施例。主要元件符號(hào)說(shuō)明10、23 承載板11 膠膜12、22 芯片120 電極墊14 封裝材20 對(duì)位板200 開(kāi)孔21 粘著材230 離形膜24 軟質(zhì)層K、M 對(duì)位標(biāo)記。
具體實(shí)施例方式以下通過(guò)特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。須知，本說(shuō)明書(shū)所附的附圖所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件， 故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書(shū)中所引用的如“一”及“上”等的用語(yǔ)，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
請(qǐng)參閱圖2A至2E，揭示了本發(fā)明半導(dǎo)體封裝件的制法。如圖2A及2A’所示，提供一具有多個(gè)開(kāi)孔200的對(duì)位板20，且該對(duì)位板20上設(shè)有位于各該開(kāi)孔200的孔緣的對(duì)位標(biāo)記(alignment mark)M，舉例而言，在每一開(kāi)孔200的斜對(duì)角均具有該對(duì)位標(biāo)記M。如圖2B所示，在該對(duì)位板20的開(kāi)孔200的孔緣上形成多點(diǎn)狀的粘著材21，但不以此外形為限。如圖2C所示，通過(guò)各該開(kāi)孔200周圍所對(duì)應(yīng)的粘著材21，將芯片22分別對(duì)應(yīng)各該開(kāi)孔200而設(shè)于該對(duì)位板20上。如圖2D所示，壓合該設(shè)有芯片22的對(duì)位板20及一表面具有軟質(zhì)層M的承載板 23，以令各該芯片22完全嵌入該軟質(zhì)層M中；再固化該軟質(zhì)層24，以令各該芯片22固定于該軟質(zhì)層M中。在本實(shí)施例中，可依封裝件的設(shè)計(jì)或需求，選擇承載板23的材質(zhì)，例如硅或選擇銅使該承載板23作為散熱件，而該軟質(zhì)層M可為封裝材(molding compound)、干膜(dry film)或增層絕緣膜(Ajinomoto Build-up Film, ABF)等介電材料。如圖2E所示，可通過(guò)溶劑溶解去除該些粘著材21，以去除該對(duì)位板20，以外露各該芯片22。在本實(shí)施例中，可將該對(duì)位板20浸泡于丙酮液中，使丙酮流入該對(duì)位板20與該承載板23之間，以溶解該與丙酮互溶的粘著材21，并可利用超音波振動(dòng)加速溶解。在后續(xù)制造過(guò)程中，可進(jìn)行線路重布(Redistribution layer, RDL)制造過(guò)程；若該承載板23為硅晶片，則可提供支撐的功用，以防止翹曲；若該承載板23為銅板，不僅可提供支撐的功用以防止翹曲，且具有散熱的功用。本發(fā)明通過(guò)將該芯片22設(shè)置于該對(duì)位板20上，而非現(xiàn)有技術(shù)的膠膜上，故該芯片 22不會(huì)隨膠膜受熱伸縮而發(fā)生位移。再者，通過(guò)各該芯片22埋入該軟質(zhì)層24，使該粘著材 21也無(wú)法帶動(dòng)各該芯片22產(chǎn)生位移。因此，通過(guò)本案的制法，該芯片22不會(huì)產(chǎn)生位移，因而不會(huì)影響后續(xù)的線路重布 (RDL)制造過(guò)程，使線路可有效電性連接各該芯片22，以提升產(chǎn)品的成品率。另外，通過(guò)該對(duì)位板20上的對(duì)位標(biāo)記M與開(kāi)孔200，即可分別確認(rèn)各該芯片22的位置，因而提升各該芯片22的位置的精確度。在另一實(shí)施例中，如圖2D’所示，該承載板23與該軟質(zhì)層M之間具有離形膜230。 接著，如圖2E’所示，先去除該對(duì)位板20及粘著材21，再通過(guò)該離形膜230，以去除該承載板23，并外露各該芯片22。綜上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法，通過(guò)該芯片設(shè)于該對(duì)位板上，再將該芯片埋入該軟質(zhì)層中，以確保芯片不會(huì)產(chǎn)生位移，因而不會(huì)影響后續(xù)的線路重布(RDL)制造過(guò)程，以提升產(chǎn)品的成品率。上述實(shí)施例是用以例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書(shū)范圍所列。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝件的制法，包括提供一具有多個(gè)開(kāi)孔的對(duì)位板，且該對(duì)位板上設(shè)有對(duì)應(yīng)各該開(kāi)孔的對(duì)位標(biāo)記； 通過(guò)各該對(duì)位標(biāo)記，在該對(duì)位板上對(duì)應(yīng)各該開(kāi)孔的位置設(shè)置芯片； 壓合該設(shè)有芯片的對(duì)位板及一表面具有軟質(zhì)層的承載板，以令該芯片嵌入該承載板的軟質(zhì)層中；以及去除該對(duì)位板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該承載板的材質(zhì)為硅及銅的其中之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該對(duì)位標(biāo)記位于該開(kāi)孔的孔緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該軟質(zhì)層為封裝材、干膜及增層絕緣膜(ABF)的其中之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該承載板與該軟質(zhì)層之間設(shè)有離形膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，進(jìn)一步包括在去除該對(duì)位板之后，通過(guò)該離形膜，以去除該承載板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，通過(guò)粘著材將芯片設(shè)置于該對(duì)位板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該粘著材預(yù)形成于該對(duì)位板的開(kāi)孔的孔緣上。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，當(dāng)去除該對(duì)位板時(shí)，一并去除該粘著材。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，通過(guò)溶劑去除該粘著材。
11.根據(jù)權(quán)利要求1項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，進(jìn)一步包括在該芯片嵌埋入該軟質(zhì)層之后，固化該軟質(zhì)層，再去除該對(duì)位板。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體封裝件的制法，包括提供一具有多個(gè)開(kāi)孔的對(duì)位板，且該對(duì)位板上設(shè)有對(duì)應(yīng)各該開(kāi)孔的對(duì)位標(biāo)記；通過(guò)各該對(duì)位標(biāo)記，在該對(duì)位板上對(duì)應(yīng)各該開(kāi)孔的位置設(shè)置芯片；壓合該設(shè)有芯片的對(duì)位板及一表面具有軟質(zhì)層的承載板，以令該芯片嵌入該承載板的軟質(zhì)層中；以及去除該對(duì)位板。通過(guò)對(duì)位板上的對(duì)位標(biāo)記，即可確認(rèn)芯片的位置，因而提升芯片位置的精確度。
文檔編號(hào)H01L21/68GK102479726SQ20101056682
公開(kāi)日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2010年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月26日
發(fā)明者姜亦震, 林畯棠, 胡延章, 邱世冠, 黃暉閔 申請(qǐng)人:矽品精密工業(yè)股份有限公司