專利名稱：倒裝芯片封裝件和制造該倒裝芯片封裝件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例涉及一種倒裝芯片封裝件和制造該倒裝芯片封裝 件的方法。更具體地說，本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例涉及一種包括在封裝件基底和半導(dǎo) 體基底之間電連接的導(dǎo)電凸起的倒裝芯片封裝件和一種制造該倒裝芯片封裝件的方法。
背景技術(shù)：
通常，可以對半導(dǎo)體基底執(zhí)行多個半導(dǎo)體制造工藝，以形成多個半導(dǎo)體芯片。為了 在印刷電路板(PCB)上安裝半導(dǎo)體芯片，可以對半導(dǎo)體芯片執(zhí)行封裝工藝，以形成半導(dǎo)體 封裝件。半導(dǎo)體封裝件可以包括半導(dǎo)體芯片、封裝件基底和電連接構(gòu)件。電連接構(gòu)件可以 包括導(dǎo)線、導(dǎo)電凸起等。可以將包括可在封裝件基底和半導(dǎo)體芯片之間電連接的導(dǎo)電凸起的半導(dǎo)體封裝 件稱作倒裝芯片封裝件。此外，倒裝芯片封裝件中的任何一種可以包括位于導(dǎo)電凸起和封 裝件基底之間的導(dǎo)電顆粒，以將導(dǎo)電凸起彼此電連接。包括導(dǎo)電顆粒的電連接構(gòu)件可以包含各向異性導(dǎo)電粘合劑。各向異性導(dǎo)電粘合劑 可以包括各向異性導(dǎo)電膜、各向異性導(dǎo)電膏等。導(dǎo)電顆?？梢圆贾迷趯?dǎo)電凸起和封裝件基 底的焊盤之間，以將凸起與焊盤電連接。因此，導(dǎo)電凸起和焊盤之間的導(dǎo)電顆粒的數(shù)量可以 確定半導(dǎo)體芯片和封裝件基底之間的電連接可靠性。當(dāng)焊盤可具有寬的寬度時，足夠數(shù)量的導(dǎo)電顆?？晌挥诤副P和凸起之間。然而，當(dāng) 焊盤可具有窄的寬度時，不足數(shù)量的導(dǎo)電顆粒會位于焊盤和凸起之間。這會導(dǎo)致凸起和焊 盤之間的電斷開。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例提供了一種倒裝芯片封裝件，所述倒裝芯片封裝件 可以通過在窄的焊盤和導(dǎo)電凸起之間布置預(yù)定數(shù)量的和/或足夠數(shù)量的導(dǎo)電顆粒而具有 提高的和/或改進(jìn)的半導(dǎo)體芯片和封裝件基底之間的電連接可靠性。本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例還提供了一種制造上述倒裝芯片封裝件的方法。本發(fā)明總體構(gòu)思的附加方面和用途將部分地在下面的描述中進(jìn)行說明，并部分地 根據(jù)描述將是明顯的，或者可以由本發(fā)明總體構(gòu)思的實施而明了。本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例還提供了一種倒裝芯片封裝件。所述倒裝芯片封裝 件可以包括半導(dǎo)體芯片、封裝件基底、導(dǎo)電磁性凸起和各向異性導(dǎo)電構(gòu)件。所述半導(dǎo)體芯片 可以具有第一焊盤。所述封裝件基底可以具有面對所述第一焊盤的第二焊盤。所述導(dǎo)電磁 性凸起可以設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片和所述封裝件基底之間，以產(chǎn)生磁力。所述各向異性導(dǎo)電構(gòu)件可以布置在所述半導(dǎo)體芯片和所述封裝件基底之間。所述各向異性導(dǎo)電構(gòu)件可以具 有導(dǎo)電磁性顆粒，所述導(dǎo)電磁性顆粒由所述磁力誘導(dǎo)朝向所述導(dǎo)電磁性凸起，以將所述第 一焊盤與所述第二焊盤電連接。在本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例中，所述導(dǎo)電磁性凸起可以布置在所述第一焊盤 或所述第二焊盤上。在本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例中，所述導(dǎo)電磁性凸起可以包括位于所述第一焊 盤上的第一凸起和位于所述第二焊盤上的第二凸起。在本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例中，所述倒裝芯片封裝件還可以包括安裝在所述 封裝件基底上的外部端子。本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例還提供了一種制造倒裝芯片封裝件的方法。在制造 所述倒裝芯片封裝件的方法中，可以在具有第一焊盤的半導(dǎo)體芯片上方放置具有第二焊盤 的封裝件基底?？梢栽谒霭雽?dǎo)體芯片和所述封裝件基底之間形成導(dǎo)電磁性凸起，以產(chǎn)生 磁力?？梢栽谒霭雽?dǎo)體芯片和所述封裝件基底之間布置各向異性導(dǎo)電構(gòu)件。所述各向異 性導(dǎo)電構(gòu)件可以具有導(dǎo)電磁性顆粒，所述導(dǎo)電磁性顆粒由所述磁力誘導(dǎo)朝向所述導(dǎo)電磁性 凸起，以將所述第一焊盤與所述第二焊盤電連接。在本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例中，可以在所述第一焊盤或所述第二焊盤上布置 所述導(dǎo)電磁性凸起。在本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例中，形成所述導(dǎo)電磁性凸起可以包括在所述第一 焊盤上形成第一凸起和在所述第二焊盤上形成第二凸起。在本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例中，所述方法還可以包括在所述封裝件基底上安 裝外部端子。根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例，所述導(dǎo)電磁性顆粒可以由所述導(dǎo)電磁性凸起 產(chǎn)生的磁力誘導(dǎo)至所述導(dǎo)電磁性凸起。因此，預(yù)定數(shù)量的和/或足夠數(shù)量的導(dǎo)電磁性顆粒 可以位于所述導(dǎo)電磁性凸起和所述焊盤之間，從而可以提高和/或改進(jìn)焊盤之間的電連接
可靠性。本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實施例還可以提供一種倒裝芯片封裝件，所述倒裝芯片 封裝件包括布置在半導(dǎo)體芯片和封裝件基底之間的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件，所述各向異性導(dǎo)電 構(gòu)件具有導(dǎo)電磁性顆粒，所述導(dǎo)電磁性顆粒由磁力誘導(dǎo)朝向設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的第一 焊盤上的第一導(dǎo)電磁性凸起和設(shè)置在所述封裝件基底的第二焊盤上的第二導(dǎo)電磁性凸起 中的至少一個，以將所述第一焊盤和所述第二焊盤彼此電連接，其中，所述第一焊盤的表面 面對所述第二焊盤的表面。所述倒裝芯片封裝件的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件可以包括預(yù)定數(shù)量的導(dǎo)電磁性顆粒。所述倒裝芯片封裝件的導(dǎo)電磁性顆粒可以包括圓形的聚合物芯、形成在所述聚合 物芯的外表面上的鎳層、形成在所述鎳層的外表面上的金層和形成在所述金層的外表面上 的聚合物層。所述導(dǎo)電磁性顆粒可以具有鈷層、鉬層和鐵層中的至少一個。本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實施例還可以提供一種制造倒裝芯片封裝件的方法，所 述方法包括在半導(dǎo)體芯片和封裝件基底之間形成各向異性導(dǎo)電構(gòu)件；在所述半導(dǎo)體芯片 的第一焊盤上形成第一導(dǎo)電磁性凸起；在所述封裝件基底的第二焊盤上形成第二導(dǎo)電磁性凸起，其中，所述各向異性導(dǎo)電構(gòu)件包括導(dǎo)電磁性顆粒，所述導(dǎo)電磁性顆粒由所述第一導(dǎo)電 磁性凸起和所述第二導(dǎo)電磁性凸起中的至少一者的磁力誘導(dǎo)，以將所述第一焊盤和所述第 二焊盤彼此電連接。在所述方法中，所述各向異性導(dǎo)電構(gòu)件的形成步驟可以包括在所述各向異性導(dǎo)電 構(gòu)件中設(shè)置預(yù)定數(shù)量的導(dǎo)電磁性顆粒。所述導(dǎo)電磁性顆?？梢园▓A形的聚合物芯、形成在所述聚合物芯的外表面上的 鎳層、形成在所述鎳層的外表面上的金層和形成在所述金層的外表面上的聚合物層。所述導(dǎo)電磁性顆?？梢跃哂锈拰?、鉬層和鐵層中的至少一個。


根據(jù)結(jié)合附圖進(jìn)行的示例性實施例的以下描述，本發(fā)明總體構(gòu)思的以上和/或其 它方面將變得明顯和更易于理解，在附圖中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例的倒裝芯片封裝件的剖視圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實施例的圖1中的倒裝芯片封裝件的各 向異性導(dǎo)電構(gòu)件中的導(dǎo)電磁性顆粒的放大剖視圖；圖3和圖4是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實施例的制造圖1中的倒裝芯片 封裝件的方法的剖視圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例的倒裝芯片封裝件的剖視圖；圖6和圖7是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實施例的制造圖5中的倒裝芯片 封裝件的方法的剖視圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例的倒裝芯片封裝件的剖視圖；圖9至圖11是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實施例的制造圖8中的倒裝芯 片封裝件的方法的剖視圖。
具體實施例方式在下文中將參照附圖更充分地描述本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例，在附圖中示出 了若干示例實施例。然而，本發(fā)明總體構(gòu)思可以以許多不同的形式來實施，而不應(yīng)該被理解 為局限于在此提出的示例實施例。而是提供這些示例實施例使本公開將是徹底的且完整 的，并將把本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見，會夸 大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。為了解釋本發(fā)明總體構(gòu)思，下面將參照附圖描述實施例。應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“結(jié)合到” 另一元件或?qū)訒r，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由?、直接結(jié)合到或直接連接到另一 元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖谥虚g元件或中間層。相反，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件或?qū)?“上”、“直接連接到”或“直接結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或中間層。相同的 標(biāo)號始終表示相同的元件。如在這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)所列的項 目的任意組合和所有組合。應(yīng)該理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述不同的元件、組 件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語的限制。 這些術(shù)語僅是用來將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個區(qū)域、層或部分區(qū)分開來。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可被命名 為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。為了便于描述，在這里可使用空間相對術(shù)語，如“在…下面”、“在…下方”、“下部 的”、“在…上面”、“上部的”等來描述如圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān) 系。應(yīng)該理解的是，空間相對術(shù)語意在包含除了在附圖中描述的方位之外的裝置在使用或 操作中的不同方位。例如，如果在附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為在其它元件或特征“下方” 或“下面”的元件隨后將被定位為“在”其它元件或特征“上面”。因此，示例性術(shù)語“在…下 方”可包括“在…上方”和“在…下方”兩種方位。所述裝置可被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或者 在其它方位)，相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對描述符。這里使用的術(shù)語僅是為了描述特定示例實施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明總體 構(gòu)思。如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式的“一個(種)”和“所述 (該)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包 括”時，說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或 多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。在此參照作為理想示例實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意性圖示的剖視圖來描述本發(fā) 明總體構(gòu)思的示例實施例。這樣，預(yù)計這些圖形的形狀出現(xiàn)由例如制造技術(shù)和/或公差而 引起的變化。因此，本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例不應(yīng)該被理解為局限于在此示出的區(qū)域 的具體形狀，而應(yīng)該包括例如由制造導(dǎo)致的形狀變形。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)域在其邊 緣通常具有倒圓或曲線的特征和/或注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的 二元變化。同樣地，通過注入形成的埋區(qū)可導(dǎo)致在埋區(qū)和通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū) 域中出現(xiàn)一定程度的注入。因此，在圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀并不意 圖示出裝置的區(qū)域的實際形狀，也不意圖限制本發(fā)明的范圍。除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本 發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。將進(jìn)一步理解，除非這里明 確定義，否則術(shù)語(例如在通用的字典中定義的術(shù)語)應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的上 下文中它們的意思一致的意思，而不是理想地或者過于正式地解釋它們的意思。在下文中，將參照附圖詳細(xì)解釋本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例的倒裝芯片封裝件的剖視圖。圖2 是示出圖1中的倒裝芯片封裝件的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件中的導(dǎo)電磁性顆粒的放大剖視圖；參照圖1，本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例的倒裝芯片封裝件100可以包括半導(dǎo)體 芯片、封裝件基底120、導(dǎo)電磁性凸起130、各向異性導(dǎo)電構(gòu)件140和外部端子150。半導(dǎo)體芯片110可以具有多個第一焊盤112。在本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例中， 第一焊盤112可以布置在半導(dǎo)體芯片110的下表面上。封裝件基底120可以放置在半導(dǎo)體芯片110下方。封裝件基底120可以具有多個 第二焊盤122。在本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例中，第二焊盤112可以布置在封裝件基底 120的上表面上。因此，第二焊盤122可以面對第一焊盤112。即，第一焊盤112的表面可 以面對第二焊盤122的表面。導(dǎo)電磁性凸起130可以布置在第一焊盤112和第二焊盤122之間。在本發(fā)明總體 構(gòu)思的示例實施例中，導(dǎo)電磁性凸起130可以與第一焊盤112接觸。因此，導(dǎo)電磁性凸起130可以電連接到第一焊盤112。導(dǎo)電磁性凸起130可以與第二焊盤122隔開。因此，導(dǎo)電 磁性凸起130可以與第二焊盤122電隔離。在本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例中，導(dǎo)電磁性凸起130可以產(chǎn)生磁力。磁力可以 施加于導(dǎo)電磁性凸起130和第二焊盤122之間的空間?？赡艿氖牵帕梢允┘佑谂c導(dǎo)電 磁性凸起130和第二焊盤122之間的空間相鄰的空間和/或圍繞導(dǎo)電磁性凸起130和第二 焊盤122的空間。導(dǎo)電磁性凸起130可以通過電鍍工藝或使用磁性材料(例如，鎳、鈷、鉬、 鐵等)的非電涂鍍工藝來形成。導(dǎo)電磁性凸起130可以具有諸如永磁體的鐵磁性。導(dǎo)電磁 性凸起130產(chǎn)生的磁力可以通過優(yōu)選的定向控制來控制。即，導(dǎo)電磁性凸起130產(chǎn)生的磁 力可以通過導(dǎo)電磁性凸起130相對于第二焊盤122的布置來控制。各向異性導(dǎo)電構(gòu)件140可以填充半導(dǎo)體芯片110和封裝件基底120之間的空間。 在本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例中，各向異性導(dǎo)電構(gòu)件140可以包括絕緣材料和放置在絕 緣材料中的多個導(dǎo)電磁性顆粒142。各向異性導(dǎo)電構(gòu)件140可以包括各向異性導(dǎo)電粘合劑、 各向異性導(dǎo)電膏等。在本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例中，各向異性導(dǎo)電構(gòu)件140中的導(dǎo)電磁性顆粒 142可以具有磁力。如圖2所示，導(dǎo)電磁性顆粒142可以包括圓形的聚合物芯143、涂鍍和 /或形成在聚合物芯143的外表面上的鎳層144、涂鍍和/或形成在鎳層144的外表面上的 金層145和形成在金層145的外表面上的聚合物層146。鎳層144可以通過電鍍工藝、非 電涂鍍工藝或任何其它適當(dāng)工藝來形成，以執(zhí)行本文公開的本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實施 例，從而具有磁力，使得導(dǎo)電磁性顆粒142可以具有磁力?？蛇x地，導(dǎo)電磁性顆粒142可以 包括鈷層、鉬層、鐵層等。在本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例中，導(dǎo)電磁性凸起130產(chǎn)生的磁力可以施加到設(shè) 置在至少一個上述空間中的導(dǎo)電磁性顆粒142?？沙?qū)щ姶判酝蛊?30誘導(dǎo)導(dǎo)電磁性顆 粒142。因此，預(yù)定數(shù)量的和/或足夠數(shù)量的導(dǎo)電磁性顆粒142可以分布在導(dǎo)電磁性凸起 130和第二焊盤122之間的空間中。具體地說，預(yù)定數(shù)量的和/或足夠數(shù)量的導(dǎo)電磁性顆粒 142可以布置在窄的第一焊盤112和窄的第二焊盤122之間。導(dǎo)電磁性凸起130和第二焊 盤122可以經(jīng)由預(yù)定數(shù)量的和/或足夠數(shù)量的導(dǎo)電磁性顆粒142彼此電連接，從而可以提 高和/或改進(jìn)半導(dǎo)體芯片110和封裝件基底120之間的電連接可靠性。即，預(yù)定數(shù)量的導(dǎo) 電磁性顆粒142可以布置在第一焊盤112和第二焊盤122之間，從而提高半導(dǎo)體芯片110 和封裝件基底120之間的電連接。導(dǎo)電磁性凸起130和封裝件基底120之間的間隙可以具 有距離，從而將被填充有至少一些導(dǎo)電磁性顆粒142。該距離可以比導(dǎo)電磁性凸起130或封 裝件基底122的沿表面的寬度短。該距離可以比至少一個導(dǎo)電磁性顆粒142的直徑長。外部端子150可以安裝在封裝件基底120的下表面上。外部端子150可以電連接 到第二焊盤122。在本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例中，外部端子150可以包括焊料球。圖3和圖4是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實施例的制造圖1中的倒裝芯片 封裝件的方法的剖視圖。參照圖3，可以在半導(dǎo)體芯片110的第一焊盤112上形成導(dǎo)電磁性凸起130。在本 發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例中，導(dǎo)電磁性凸起130可以通過電鍍工藝或使用磁性材料(例 如，鎳、鈷、鉬、鐵等)的非電涂鍍工藝來形成。參照圖4，可以將半導(dǎo)體芯片110放置在封裝件基底120上。在本發(fā)明總體構(gòu)思
8的示例實施例中，導(dǎo)電磁性凸起130和第一焊盤112可以朝向封裝件基底120定位。半導(dǎo) 體芯片110和封裝件基底120之間的空間可以填充有各向異性導(dǎo)電構(gòu)件140。在本發(fā)明總 體構(gòu)思的示例實施例中，各向異性導(dǎo)電構(gòu)件140可以包括含有導(dǎo)電磁性顆粒142的各向異 性導(dǎo)電粘合劑、各向異性導(dǎo)電膏等。即，在本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實施例中，半導(dǎo)體芯片 110和封裝件基底120之間的空間可以填充有可包括預(yù)定數(shù)量的導(dǎo)電磁性顆粒142的各向 異性導(dǎo)電構(gòu)件140。預(yù)定數(shù)量的導(dǎo)電磁性顆粒142可以提高半導(dǎo)體芯片110和封裝件基底 120之間的電連接?？梢栽诘寡b芯片封裝件100的封裝件基底120上安裝諸如焊料球的外部端子150。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例的倒裝芯片封裝件的剖視圖。這里，除了導(dǎo)電磁性凸起130a之外，本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例的倒裝芯片封 裝件IOOa可以包括與在圖1中示出的倒裝芯片封裝件100的元件基本相同的元件。因此， 為了簡潔起見，相同的標(biāo)號表示相同的元件，并且這里省略了關(guān)于相同元件的任何進(jìn)一步 示例。參照圖5，本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例的倒裝芯片封裝件IOOa可以包括位于封 裝件基底120的第二焊盤122上的導(dǎo)電磁性凸起130a?？梢圆辉诎雽?dǎo)體芯片110的第一焊 盤112上布置導(dǎo)電磁性凸起130a。圖6和圖7是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實施例的制造圖5中的倒裝芯片 封裝件的方法的剖視圖。參照圖6，可以在封裝件基底120的第二焊盤122上形成導(dǎo)電磁性凸起130a。參照圖7，可以在封裝件基底120上方布置被形成的倒裝芯片封裝件IlOa的半導(dǎo) 體芯片110。在本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例中，第一焊盤112可以朝向?qū)щ姶判酝蛊?30a 定位。半導(dǎo)體芯片110和封裝件基底120之間的空間可以填充有各向異性導(dǎo)電構(gòu)件140。 在本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實施例中，各向異性導(dǎo)電構(gòu)件140可以包括預(yù)定數(shù)量的導(dǎo)電磁 性顆粒142，從而提高半導(dǎo)體芯片110和封裝件基底120之間的電連接。可以在封裝件基底120上安裝諸如焊料球的外部端子150，從而完成圖5中的倒裝 芯片封裝件100a。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例的倒裝芯片封裝件IOOb的剖視圖。這里，除了導(dǎo)電磁性凸起130b之外，本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例的倒裝芯片封 裝件IOOb可以包括與在圖1中示出的倒裝芯片封裝件100及上面描述的元件基本相同的 元件。因此，為了簡潔起見，相同的標(biāo)號表示相同的元件，并且這里省略了關(guān)于相同元件的 任何進(jìn)一步示例。參照圖8，本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例的倒裝芯片封裝件IOOb可以包括導(dǎo)電磁 性凸起130b。導(dǎo)電磁性凸起130b可以包括位于半導(dǎo)體芯片110的第一焊盤112上的第一 凸起132b和位于封裝件基底120的第二焊盤122上的第二凸起134b。因此，第一凸起132b 和第二凸起134b產(chǎn)生的磁力可比導(dǎo)電磁性凸起130或130a產(chǎn)生的磁力強(qiáng)，并可以施加到 各向異性導(dǎo)電構(gòu)件140中的導(dǎo)電磁性顆粒142。圖9至圖11是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實施例的制造在圖8中示出的 倒裝芯片封裝件的方法的剖視圖。參照圖9，可以在半導(dǎo)體芯片110的第一焊盤112上形成第一凸起132b。
參照圖10，可以在封裝件基底120的第二焊盤122上形成第二凸起134b。參照圖11，可以在封裝件基底120上方布置半導(dǎo)體芯片110。在示例實施例中，第 一焊盤112可以面對第二焊盤122。S卩，第一焊盤112的表面可以面對第二焊盤122的表 面。半導(dǎo)體芯片110和封裝件基底120之間的空間可以填充有各向異性導(dǎo)電構(gòu)件140。在 本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實施例中，各向異性導(dǎo)電構(gòu)件140可以包括預(yù)定數(shù)量的導(dǎo)電磁性 顆粒142，從而提高半導(dǎo)體芯片110和封裝件基底120之間的電連接?？梢栽诜庋b件基底120上安裝諸如焊料球的外部端子150，從而完成圖8中的倒裝 芯片封裝件100b。根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例，導(dǎo)電磁性顆?？梢酝ㄟ^導(dǎo)電磁性凸起產(chǎn)生的 磁力誘導(dǎo)至導(dǎo)電磁性凸起。因此，預(yù)定數(shù)量的和/或足夠數(shù)量的導(dǎo)電磁性顆?？梢晕挥趯?dǎo) 電磁性凸起和焊盤之間，從而可以提高和/或改進(jìn)焊盤之間的電連接可靠性。前述是示例實施例的舉例說明，并不應(yīng)解釋為對示例實施例進(jìn)行限制。雖然已經(jīng) 描述了若干示例實施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易地理解，在本質(zhì)上不脫離本發(fā)明的 新穎教導(dǎo)和優(yōu)點的情況下，可以在示例實施例中做出許多修改。因此，意圖將所有這樣的修 改包括在本發(fā)明的如權(quán)利要求中限定的范圍之內(nèi)。在權(quán)利要求中，功能性限定意在覆蓋這 里被描述為執(zhí)行所述功能的結(jié)構(gòu)，并且不僅覆蓋結(jié)構(gòu)的等同物而且覆蓋等同的結(jié)構(gòu)。因此， 應(yīng)該理解的是，前述是本發(fā)明總體構(gòu)思的示例實施例的舉例說明，并不應(yīng)被解釋為局限于 公開的具體示例實施例，并且對公開的示例實施例的修改以及其它示例實施例意圖被包括 在權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種倒裝芯片封裝件，所述倒裝芯片封裝件包括 半導(dǎo)體芯片，具有第一焊盤；封裝件基底，具有面對所述第一焊盤的第二焊盤；導(dǎo)電磁性凸起，設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片和所述封裝件基底之間，以產(chǎn)生磁力； 各向異性導(dǎo)電構(gòu)件，布置在所述半導(dǎo)體芯片和所述封裝件基底之間，所述各向異性導(dǎo) 電構(gòu)件具有導(dǎo)電磁性顆粒，所述導(dǎo)電磁性顆粒由所述磁力誘導(dǎo)朝向所述導(dǎo)電磁性凸起，以 將所述第一焊盤和所述第二焊盤彼此電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝件，其中，所述導(dǎo)電磁性凸起布置在所述第一 焊盤上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝件，其中，所述導(dǎo)電磁性凸起布置在所述第二焊盤上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝件，其中，所述導(dǎo)電磁性凸起包括第一凸起，布置在所述第一焊盤上； 第二凸起，布置在所述第二焊盤上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝件，其中，所述導(dǎo)電磁性凸起包括鎳、鈷、鉬或鐵。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝件，其中，所述導(dǎo)電磁性顆粒包括鎳、鈷、鉬或鐵。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝件，其中，所述各向異性導(dǎo)電構(gòu)件包括各向異 性導(dǎo)電粘合劑或各向異性導(dǎo)電膏。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝件，所述倒裝芯片封裝件還包括安裝在所述封 裝件基底上的外部端子。
9.一種制造倒裝芯片封裝件的方法，所述方法包括在封裝件基底上方布置具有第一焊盤的半導(dǎo)體芯片，所述封裝件基底具有面對所述第 一焊盤的第二焊盤；在所述半導(dǎo)體芯片和所述封裝件基底之間形成導(dǎo)電磁性凸起，所述導(dǎo)電磁性凸起產(chǎn)生 磁力；在所述半導(dǎo)體芯片和所述封裝件基底之間填充各向異性導(dǎo)電構(gòu)件，所述各向異性導(dǎo)電 構(gòu)件具有導(dǎo)電磁性顆粒，所述導(dǎo)電磁性顆粒由所述磁力誘導(dǎo)朝向所述導(dǎo)電磁性凸起，以將 所述第一焊盤和所述第二焊盤彼此電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述第一焊盤上形成所述導(dǎo)電磁性凸起。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述第二焊盤上形成所述導(dǎo)電磁性凸起。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成所述導(dǎo)電磁性凸起的步驟包括 在所述第一焊盤上形成第一凸起；在所述第二焊盤上形成第二凸起。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述導(dǎo)電磁性凸起通過電鍍工藝或非電涂鍍工 藝形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，所述方法還包括在所述封裝件基底上安裝外部端子。
15.一種倒裝芯片封裝件，所述倒裝芯片封裝件包括各向異性導(dǎo)電構(gòu)件，布置在半導(dǎo)體芯片和封裝件基底之間，所述各向異性導(dǎo)電構(gòu)件具 有導(dǎo)電磁性顆粒，所述導(dǎo)電磁性顆粒由磁力誘導(dǎo)朝向設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的第一焊盤上 的第一導(dǎo)電磁性凸起和設(shè)置在所述封裝件基底的第二焊盤上的第二導(dǎo)電磁性凸起中的至 少一個，以將所述第一焊盤和所述第二焊盤彼此電連接，其中，所述第一焊盤的表面面對所 述第二焊盤的表面。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的倒裝芯片封裝件，其中，所述各向異性導(dǎo)電構(gòu)件包括預(yù)定 數(shù)量的導(dǎo)電磁性顆粒。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的倒裝芯片封裝件，其中，所述導(dǎo)電磁性顆粒包括圓形的聚合物芯；鎳層，形成在所述聚合物芯的外表面上；金層，形成在所述鎳層的外表面上；聚合物層，形成在所述金層的外表面上。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的倒裝芯片封裝件，其中，所述導(dǎo)電磁性顆粒包括鈷層、鉬層 和鐵層中的至少一個。
19.一種制造倒裝芯片封裝件的方法，所述方法包括在半導(dǎo)體芯片和封裝件基底之間形成各向異性導(dǎo)電構(gòu)件；在所述半導(dǎo)體芯片的第一焊盤上形成第一導(dǎo)電磁性凸起；在所述封裝件基底的第二焊盤上形成第二導(dǎo)電磁性凸起，其中，所述各向異性導(dǎo)電構(gòu)件包括導(dǎo)電磁性顆粒，所述導(dǎo)電磁性顆粒由所述第一導(dǎo)電 磁性凸起和所述第二導(dǎo)電磁性凸起中的至少一者的磁力誘導(dǎo)，以將所述第一焊盤和所述第 二焊盤彼此電連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述各向異性導(dǎo)電構(gòu)件的形成步驟包括在所 述各向異性導(dǎo)電構(gòu)件中設(shè)置預(yù)定數(shù)量的導(dǎo)電磁性顆粒。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種倒裝芯片封裝件和一種制造倒裝芯片封裝件的方法。所述倒裝芯片封裝件可以包括半導(dǎo)體芯片、封裝件基底、導(dǎo)電磁性凸起和各向異性導(dǎo)電構(gòu)件。所述半導(dǎo)體芯片可以具有第一焊盤。所述封裝件基底可以具有面對所述第一焊盤的第二焊盤。所述導(dǎo)電磁性凸起可以設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片和所述封裝件基底之間，以產(chǎn)生磁力。所述各向異性導(dǎo)電構(gòu)件可以布置在所述半導(dǎo)體芯片和所述封裝件基底之間。所述各向異性導(dǎo)電構(gòu)件可以具有導(dǎo)電磁性顆粒，所述導(dǎo)電磁性顆粒由所述磁力誘導(dǎo)朝向所述導(dǎo)電磁性凸起，以將所述第一焊盤與所述第二焊盤電連接。預(yù)定數(shù)量的導(dǎo)電磁性顆?？梢晕挥谒鰧?dǎo)電磁性凸起和所述焊盤之間，從而可以提高焊盤之間的電連接可靠性。
文檔編號H01L23/488GK102074511SQ20101055686
公開日2011年5月25日 申請日期2010年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月13日
發(fā)明者鄭世泳, 金南錫 申請人:三星電子株式會社