專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
一般發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)封裝結(jié)構(gòu)是將熒光粉沉積在封裝材料的底部，封裝材料直接覆蓋在發(fā)光二極管芯片上，使得熒光粉與發(fā)光二極管芯片直接接觸，由于發(fā)光二極管芯片發(fā)光時(shí)散發(fā)大量的熱，熒光粉受高溫的影響，使得發(fā)光亮度減弱。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種能夠避免熒光粉受高溫影響的封裝結(jié)構(gòu)。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、發(fā)光二極管芯片、透明隔熱層和含有熒光粉的封裝層。所述發(fā)光二極管芯片設(shè)于所述基板上，并與所述基板電性連接。所述透明隔熱層位于所述發(fā)光二極管芯片和所述封裝層之間。上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，由于透明隔熱層具有優(yōu)良的隔熱效果，使得發(fā)光二極管芯片發(fā)光時(shí)發(fā)出的熱量被有效的阻擋，極大的減少了熱量對(duì)封裝層中熒光粉的影響。 因此在發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中增加透明隔熱層，得到了能夠避免熒光粉受高溫影響的封裝結(jié)構(gòu)。


圖1是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖視圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10基板11第一表面111發(fā)光二極管芯片12透明隔熱層13封裝層14熒光粉1具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10包括基板11、發(fā)光二極管芯片12、透明隔熱層13及封裝層14。所述基板11包括第一表面111。所述基板11用于支撐所述發(fā)光二極管芯片12。所述發(fā)光二極管芯片12設(shè)置在所述基板11的第一表面111上，具體地，該發(fā)光二極管芯片12可通過(guò)粘著膠固定于第一表面111上。該發(fā)光二極管芯片12與所述基板11 電性連接。該發(fā)光二極管芯片12可以利用覆晶(flip-chip)或共晶(eutectic)等方式電性連接所述基板11。所述發(fā)光二極管芯片12可以為藍(lán)光LED芯片。所述透明隔熱層13覆蓋于所述發(fā)光二極管芯片12上，包覆所述發(fā)光二極管芯片 12。所述透明隔熱層13的材料為透明絕熱材料。優(yōu)選地，所述透明隔熱層13的材料為氣凝膠材料，如二氧化硅氣凝膠或二氧化鈦氣凝膠等。這種氣凝膠材料具有優(yōu)良的隔熱效果， 可以有效的阻擋所述發(fā)光二極管芯片12發(fā)出的熱量。所述透明隔熱層13的厚度可為1-20 微米。所述封裝層14覆蓋在所述透明隔熱層13上。所述封裝層14用于保護(hù)發(fā)光二極管芯片12免受灰塵、水氣等影響。所述封裝層14的材質(zhì)可以為硅膠(silicone)、環(huán)氧樹(shù)脂 (epoxy)或其組合物。所述封裝層14中還含有熒光粉15，所述熒光粉15受激輻射，產(chǎn)生所需顏色的光。所述熒光粉15可以為石榴石結(jié)構(gòu)的化合物、硫化物、磷化物、氮化物、氮氧化物、硅酸鹽類、砷化物、硒化物或碲化物中的一種。本發(fā)明實(shí)施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，透明隔熱層13位于發(fā)光二極管芯片12與封裝層14之間，由于透明隔熱層具有優(yōu)良的隔熱效果，使得發(fā)光二極管芯片發(fā)光時(shí)發(fā)出的熱量向封裝層14傳遞的部分被有效的阻擋，極大的減少了熱量對(duì)封裝層中熒光粉的影響。因此在發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中增加透明隔熱層，得到了能夠避免熒光粉受高溫影響的封裝結(jié)構(gòu)?？梢岳斫獾兀景l(fā)明的透明隔熱層13不局限于附圖所示的包覆所述發(fā)光二極管芯片12，熒光粉15也不局限于附圖所示的分布于整個(gè)封裝層14，也可以根據(jù)出光需求熒光粉15設(shè)置于封裝層14的某一部分，透明隔熱層13則對(duì)應(yīng)熒光粉15設(shè)置于發(fā)光二極管芯片12與熒光粉15之間即可?？梢岳斫獾氖?，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它各種相應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基板、發(fā)光二極管芯片、透明隔熱層和含有熒光粉的封裝層，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)于所述基板上，并與所述基板電性連接，所述透明隔熱層位于所述發(fā)光二極管芯片和所述封裝層之間。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述透明隔熱層的材料為透明氣凝膠。
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述透明隔熱層的厚度為1-20微米。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述透明氣凝膠為二氧化硅氣凝膠或二氧化鈦氣凝膠。
5.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述透明隔熱層覆蓋于所述發(fā)光二極管芯片上。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述封裝層覆蓋于所述透明隔熱層上。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述發(fā)光二極管芯片為藍(lán)光LED芯片。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述發(fā)光二極管芯片利用覆晶或共晶方式電性連接所述基板。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述封裝層的材質(zhì)為硅膠、 環(huán)氧樹(shù)脂或其組合物。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述熒光粉為石榴石結(jié)構(gòu)的化合物、硫化物、磷化物、氮化物、氮氧化物、硅酸鹽類、砷化物、硒化物或碲化物中的至少一種。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、發(fā)光二極管芯片、透明隔熱層和含有熒光粉的封裝層。所述發(fā)光二極管芯片設(shè)于所述基板上，并與所述基板電性連接。所述透明隔熱層位于所述發(fā)光二極管芯片和所述封裝層之間。
文檔編號(hào)H01L33/54GK102468397SQ20101053496
公開(kāi)日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月8日
發(fā)明者郭德文 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司