專利名稱：發(fā)光二極管封裝結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體發(fā)光元件，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結構。
背景技術：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)是一種可將電流轉換成特定波長范圍的光的半導體元件。發(fā)光二極管以其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與集成電路匹配、驅動簡單、壽命長等優(yōu)點，從而可作為光源而廣泛應用于照明領域。在現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結構中，一般需要膠體將發(fā)光二極管芯片粘結固定至基板上，膠體夾置于發(fā)光二極管芯片與基板之間。由于發(fā)光二極管芯片工作時會產(chǎn)生熱量，如果膠體的導熱性能不良的話，這些熱量將無法快速、有效地傳遞至基板上而累積起來，進而造成發(fā)光二極管芯片的工作溫度升高，導致發(fā)光二極管芯片工作壽命縮短甚至損毀。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種具有較好熱傳導性能的膠體的發(fā)光二極管封裝結構。一種發(fā)光二極管封裝結構，包括基板、設置在基板上的發(fā)光二極管芯片及將發(fā)光二極管芯片固定于基板上的膠體，所述膠體內(nèi)部摻入有碳納米材料。本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結構中所述發(fā)光二極管芯片與基板之間的膠體內(nèi)部摻入有碳納米材料，由于碳納米材料具有較好的熱傳導性能，使得發(fā)光二極管芯片工作時產(chǎn)生的熱量可以快速、有效地通過膠體傳導至基板上并最終散發(fā)出去，從而保證發(fā)光二極管芯片正常工作。下面參照附圖，結合具體實施例對本發(fā)明作進一步的描述。


圖1是本發(fā)明第一實施例中的發(fā)光二極管封裝結構的截面示意圖。圖2是本發(fā)明第二實施例中的發(fā)光二極管封裝結構的截面示意圖。主要元件符號說明基板10第一電連接部11第二電連接部12發(fā)光二極管芯片20半導體發(fā)光結構 21第一電極22第二電極23膠體30導線40反光杯50
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封裝體60熒光粉70碳納米材料100
具體實施例方式如圖1所示，本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管封裝結構包括基板10，設置在基板 10上的發(fā)光二極管芯片20、將發(fā)光二極管芯片20固定到基板10上的膠體30以及導線40。所述基板10可以是塑料基板或陶瓷基板如氧化鋁基板、氧化鋅基板或者硅基板等。所述基板10的表面設置有第一電連接部11和第二電連接部12。所述第一電連接部 11和第二電連接部12之間相互絕緣。在本實施例中，所述第一電連接部11和所述第二電連接部12從基板10的上表面延伸到下表面，從而形成一種可表面貼裝的結構。所述發(fā)光二極管芯片20設置在第一電連接部11的上表面。所述發(fā)光二極管芯片 20包括半導體發(fā)光結構21以及設置在半導體發(fā)光結構21頂部的第一電極22和第二電極 23。在本實施例中，所述第一電極22、第二電極23間隔設置在半導體發(fā)光結構21遠離基板 10的頂面上。所述第一電極22通過一導線40與第一電連接部11形成電性連接，同樣，所述第二電極23通過另一導線40與第二電連接部12形成電性連接。所述膠體30夾置于發(fā)光二極管芯片20與基板10之間，用以將發(fā)光二極管芯片20 粘結固定于基板10上。該膠體30可采用樹脂材料或合成材料制成。該膠體30中摻雜有碳納米材料100。所述碳納米材料100均勻、間隔分布于該膠體30的內(nèi)部。如圖1所示，在本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管封裝結構中，膠體30中摻雜的碳納米材料100為碳納米顆粒。如圖2所示，本發(fā)明的第二實施例與第一實施例的區(qū)別之處在于膠體30中摻雜的碳納米材料100為碳納米管。所述導線40具有良好的導電性能，通常由金屬材料制成。所述導線40由電極(第一電極22、第二電極2 延伸而出與電連接部(第一電連接部11、第二電連接部1 相連。根據(jù)需要，該發(fā)光二極管封裝結構可以進一步包括一環(huán)繞所述發(fā)光二極管芯片20 設置的反光杯50。所述反光杯50用以反射聚攏發(fā)光二極管芯片20發(fā)出的光線。該發(fā)光二極管封裝結構可以進一步包括封裝體60。該封裝體60容置于反光杯50內(nèi)，并完全覆蓋發(fā)光二極管芯片20以及導線40。封裝體60用于防止發(fā)光二極管芯片20受外界的環(huán)境如潮濕或者灰塵等雜質(zhì)的影響。具體地，該封裝體60可以是環(huán)氧樹脂或者是硅樹脂又或者是玻璃材料。此外，該封裝體60內(nèi)還可以摻入熒光粉70以實現(xiàn)光的轉換。所述熒光粉70可為石榴石(garnet)結構的化合物、硫化物(sulfide)、磷化物(phosphate)、氮化物(nitride)、 氮氧化物(oxynitride)、硅酸鹽類(silicate)、砷化物、硒化物或碲化物中的至少一種。另外，上述發(fā)光二極管芯片20的兩電極并不限于上述實施例中分布于發(fā)光二極管芯片20的同一側，其也可以位于發(fā)光二極管芯片20的相反兩側。此種情況僅需要一根導線40連接相應的電極22、23與電連接部11、12如第二電極23與第二電連接部12，此時所述膠體30需要進一步摻入導電材料，使得第一電極22與第一電連接部11可直接通過膠體30實現(xiàn)電連接而無需使用導線40。綜上所述，所述發(fā)光二極管芯片20與基板10之間的膠體30中摻入有碳納米材料 100，由于碳納米材料100具有較好的熱傳導性能，使得發(fā)光二極管芯片20工作時產(chǎn)生的熱量可以快速、有效地通過膠體30傳導至基板10上并最終散發(fā)出去，從而保證發(fā)光二極管芯片20的正常工作。 應該指出，上述實施方式僅為本發(fā)明的較佳實施方式，本領域技術人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化。這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應包含在本發(fā)明所要求保護的范圍之內(nèi)。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結構，包括基板、設置在基板上的發(fā)光二極管芯片及將發(fā)光二極管芯片固定于基板上的膠體，其特征在于所述膠體內(nèi)部摻入有碳納米材料。
2.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所述碳納米材料為碳納米顆粒。
3.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所述碳納米材料為碳納米管。
4.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所述膠體夾置于基板與發(fā)光二極管芯片之間。
5.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所述碳納米材料均勻、間隔分布于膠體內(nèi)部。
6.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于還包括設置在基板上的電連接部，所述發(fā)光二極管芯片設置在電連接部上，所述膠體夾置于電連接部與發(fā)光二極管芯片之間。
7.如權利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所述電連接部包括相互電性絕緣的第一連接部和第二電連接部，所述發(fā)光二極管芯片包括半導體發(fā)光結構及設置在半導體發(fā)光結構上的電極，所述電極包括第一電極和第二電極，所述第一電極與第一電連接部電性連接，所述第二電極與第二電連接部電性連接。
8.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于還包括環(huán)繞所述發(fā)光二極管芯片設置的反光杯及容置于反光杯內(nèi)的封裝體，該封裝體完全覆蓋發(fā)光二極管芯片以及導線。
9.如權利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于還包括摻入封裝體內(nèi)的熒光粉，所述熒光粉為石榴石結構的化合物、硫化物、磷化物、氮化物、氮氧化物、硅酸鹽類、砷化物、硒化物或碲化物中的至少一種。
10.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所述基板為陶瓷基板或者娃基板。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結構，包括基板、設置在基板上的發(fā)光二極管芯片及將發(fā)光二極管芯片固定于基板上的膠體，所述膠體內(nèi)部摻入有碳納米材料。本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結構中所述發(fā)光二極管芯片與基板之間的膠體內(nèi)部摻入有碳納米材料，由于碳納米材料具有較好的熱傳導性能，使得發(fā)光二極管芯片工作時產(chǎn)生的熱量可以快速、有效地通過膠體傳導至基板上并最終散發(fā)出去，從而保證發(fā)光二極管芯片正常工作。
文檔編號H01L33/56GK102456822SQ20101052178
公開日2012年5月16日 申請日期2010年10月27日 優(yōu)先權日2010年10月27日
發(fā)明者林嘉豪, 簡克偉 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司