專利名稱：汽相沉積裝置和使用其制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例性實(shí)施例涉及汽相沉積(vapor deposition)裝置。更具體地，示例性實(shí)施例 涉及具有用于將升華的汽相沉積源移動(dòng)到對(duì)象的改進(jìn)的載氣供給結(jié)構(gòu)的汽相沉積裝置，以 及使用汽相沉積裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
在制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的薄膜，如薄膜晶體管(TFT)的方法中，汽相沉積設(shè)備 可以用于升華汽相沉積源，并用于將升華的汽相沉積源附著到汽相沉積對(duì)象，例如基板上。 汽相沉積設(shè)備可以包括裝有汽相沉積源的罐、用于對(duì)罐進(jìn)行加熱的加熱器和例如位于室中 的、用于汽相沉積對(duì)象的支撐件。不過，由于各種實(shí)際狀況，在汽相沉積裝置的罐中可能發(fā) 生湍流，在罐內(nèi)的部分之間可能出現(xiàn)大的溫差，并且在汽相沉積裝置的汽相沉積對(duì)象上可 能導(dǎo)致不均勻的沉積。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例致力于汽相沉積裝置和使用該汽相沉積裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方 法，能夠基本克服由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題。因此實(shí)施例的一特征在于提供具有能夠防止罐中的湍流的結(jié)構(gòu)的汽相沉積裝置。因此實(shí)施例的另一特征在于提供具有能夠減小罐內(nèi)的部分之間的溫差的結(jié)構(gòu)的 汽相沉積裝置。實(shí)施例的再一特征在于提供一種使用具有上述特征中的一個(gè)或多個(gè)的汽相沉積 裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。至少一個(gè)上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)可以通過提供一種汽相沉積裝置來實(shí)現(xiàn)，該汽相 沉積裝置包括被配置為容納汽相沉積源的罐，所述罐包括彼此相對(duì)的氣體入口和氣體出 口 ；被配置為對(duì)所述罐進(jìn)行加熱的加熱器；與所述罐流體連通的室，所述室被配置為容納 汽相沉積對(duì)象；以及載氣供給單元，被配置為將載氣供給到所述罐中。所述載氣供給單元可以包括位于所述罐內(nèi)的旋管(coil)，用于引導(dǎo)所述載氣，使 得所述載氣在通過所述氣體入口被注入所述罐中之前在所述旋管中流通。所述旋管可以具 有螺旋形。所述旋管可以具有向所述氣體入口逐漸減小的直徑。所述旋管可以是熱交換器。 整個(gè)旋管可以位于所述罐內(nèi)。所述旋管可以連接在所述氣體入口和載氣儲(chǔ)存單元之間。所 述載氣可以包括氬(Ar)氣。所述汽相沉積源可以為粉末狀態(tài)。所述氣體入口和所述氣體 出口可以沿穿過所述罐的同一軸被對(duì)準(zhǔn)。所述氣體入口和所述氣體出口可以位于所述罐的 相對(duì)側(cè)上。至少一個(gè)上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)還可以通過提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的 方法來實(shí)現(xiàn)，該方法包括將汽相沉積源放入罐中，所述罐包括彼此相對(duì)的氣體入口和氣體 出口 ；將汽相沉積對(duì)象放入室中，所述室與所述罐流體連通；使用加熱器對(duì)所述罐進(jìn)行加 熱，使得所述汽相沉積源被升華；由載氣供給單元通過所述氣體入口將載氣注入所述罐中，使得所述載氣攜帶著所升華的汽相沉積源通過所述氣體出口進(jìn)入所述室中，以被沉積到所 述汽相沉積對(duì)象上；并且在所述汽相沉積對(duì)象上沉積所述汽相沉積源后，使用所述汽相沉 積對(duì)象作為所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置中的薄膜晶體管的半導(dǎo)體層。至少一個(gè)上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)還可以通過提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的 方法來實(shí)現(xiàn)，該方法包括準(zhǔn)備包括彼此相對(duì)布置的載氣的氣體入口和氣體出口的罐；準(zhǔn) 備通過所述氣體出口連接至所述罐的室；將待用作TFT的半導(dǎo)體層的非晶硅布置在室中； 將待沉積在所述非晶硅上的金屬催化劑粉末填充到所述罐中；通過對(duì)所述罐加熱來使所述 金屬催化劑粉末升華；通過將載氣通過所述載氣的所述氣體入口注入，并將所述載氣上攜 帶的升華的金屬催化劑粉末通過所述氣體出口移動(dòng)到所述室，將所升華的金屬催化劑粉末 沉積到所述非晶硅的表面上；并且通過使沉積的金屬催化劑彌散到所述非晶硅中并在所述 非晶硅中被結(jié)晶化這樣的方式執(zhí)行熱退火。該方法可以進(jìn)一步包括引導(dǎo)所述載氣通過旋 管，使得所述載氣在通過所述氣體入口被注入所述罐中之前在所述罐內(nèi)流通。


對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，上述和其它特征及優(yōu)點(diǎn)通過參考附圖對(duì)示例性實(shí)施 例進(jìn)行的具體描述將變得更加清楚，附圖中圖1示出根據(jù)一實(shí)施例的汽相沉積裝置的示意圖；圖2示出根據(jù)一實(shí)施例的汽相沉積裝置中的旋管的放大透視圖；并且圖3示出根據(jù)一實(shí)施例的使用汽相沉積裝置制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖。
具體實(shí)施例方式于2009年12月23日遞交至韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局，并且名稱為“Vapor Deposition Apparatus Having Improved Carrier Gas Supplying Structure and Method of Manufacturing Organic Light Emitting Display Apparatus by Using Vapor Deposition Apparatus (具有改進(jìn)的載氣供給結(jié)構(gòu)的汽相沉積裝置和使用汽相沉積裝置制 造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法)”的韓國(guó)專利申請(qǐng)No. 10-2009-0130025通過引用整體合并于 此。以下將參考附圖更充分地描述示例性實(shí)施例；但這些示例性實(shí)施例可以以不同的 形式被具體化，而不應(yīng)當(dāng)解釋為限于這里給出的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了使本 公開內(nèi)容更徹底和完整，并將向本領(lǐng)域技術(shù)人員更充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，元件和區(qū)域的尺寸可能為了清楚起見而被放大。還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)一 層或一元件被稱作位于另一元件或基板“上”時(shí)，該層或元件可以直接位于另一元件或基板 上，也可以存在中間元件。另外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)一元件被稱作位于兩個(gè)元件“之間”時(shí)， 該元件可以是這兩個(gè)元件之間僅有的元件，也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間元件。相同的附圖 標(biāo)記始終表示相同的元件。下文中，將參考圖1具體描述汽相沉積裝置的示例性實(shí)施例。圖1示出根據(jù)一實(shí) 施例的汽相沉積裝置的示意圖。參見圖1，汽相沉積裝置可以包括裝有汽相沉積源10的罐100、用于加熱罐100以 升華汽相沉積源10的加熱器400、連接至罐100且其中安裝有汽相沉積對(duì)象20的室200，以及用于將惰性載氣，例如氬(Ar)氣通過氣體入口 101注入到罐100中的載氣供給單元300。 載氣將升華的汽相沉積源10通過氣體出口 102輸運(yùn)到室200。因此，例如粉末形式的汽相沉積源10可以被放在罐100中，并且加熱器400可以 加熱罐100以使罐100中的汽相沉積源10升華。然后，汽相沉積源10可以被載氣攜帶著 通過氣體出口 102進(jìn)入室200中。移動(dòng)到室200的汽相沉積源10可以通過噴頭210被噴 到汽相沉積對(duì)象20上，以被附著到汽相沉積對(duì)象20的表面上。罐100可以被配置為具有彼此相對(duì)的氣體入口 101和氣體出口 102。也就是說， 如圖1所示，氣體入口 101和氣體出口 102可以被安排為位于罐100的相對(duì)側(cè)上。例如，氣 體入口 101可以被安排在罐100的底側(cè)，即支撐罐100的側(cè)，并且氣體出口可以被安排在罐 100的頂側(cè)，即與罐100的底側(cè)相對(duì)且在罐100的底側(cè)上方的側(cè)。例如，氣體入口 101和氣 體出口 102可以彼此重疊，例如，氣體入口 101和氣體出口 102可以在關(guān)于罐100的底側(cè)的 同一垂直軸上被對(duì)準(zhǔn)。位于罐100的相對(duì)側(cè)上的氣體入口 101和氣體出口 102的位置關(guān)系 可以有效地用于消除罐100內(nèi)部的湍流(fluid turbulence)。也就是說，當(dāng)氣體入口與氣體出口被布置在同一側(cè)時(shí)，例如，當(dāng)氣體入口和氣體出 口二者均在罐的頂側(cè)上時(shí)，通過氣體入口注入的載氣會(huì)與汽相沉積源相撞，并回到氣體出 口。由于載氣被引向兩個(gè)方向，例如，在被注入到罐中時(shí)引向向下的方向，并且在離開罐時(shí) 被引向向上的方向，在罐中可能會(huì)發(fā)生湍流。在這種情況下，流體可能不能順暢地流動(dòng)。進(jìn) 一步，例如粉末形式的汽相沉積源可能由于湍流而彌散，并且汽相沉積源中固體形式的部 分，即沒有升華的部分可能被載氣攜帶到室中，從而導(dǎo)致在汽相沉積對(duì)象上沉積不均勻。然而，根據(jù)實(shí)施例，當(dāng)氣體入口 101和氣體出口 102在罐100的相對(duì)側(cè)上，例如罐 100的相應(yīng)下部和上部時(shí)，載氣被引向單個(gè)方向，即僅被引向向上的方向。因此，可以防止或 充分地最小化罐100中的湍流。例如，載氣通過氣體入口 101沿向上的方向被注入，吸收升 華的汽相沉積源10，并繼續(xù)沿向上的方向以通過與氣體入口 101相對(duì)布置的氣體出口 102 在沒有湍流的情況下排出。相應(yīng)地，升華的汽相沉積源10可以在例如充分減小的彌散或干 擾的情況下流暢地移動(dòng)到室200。載氣供給單元300可以包括載氣儲(chǔ)存單元310和旋管320。旋管320可以充當(dāng)螺 旋形卷繞的管，用于在載氣通過氣體入口 101被注入罐100中之前，通過罐100的熱對(duì)從載 氣儲(chǔ)存單元310供給的載氣進(jìn)行預(yù)加熱。如果在注入到例如保持約80°C的內(nèi)部溫度的罐 100之前，不對(duì)例如處于約25°C的室溫的載氣進(jìn)行預(yù)加熱，則在新注入的載氣，例如載氣的 緊靠氣體入口 101的部分，與罐100中的容納物，例如載氣的緊靠氣體出口 102的部分之間 的溫差可能很大。旋管320可以具有多個(gè)連接的環(huán)的螺旋形形狀，以確保甚至在狹窄空間中也有長(zhǎng) 通路，如圖1和圖2所示。當(dāng)載氣移動(dòng)經(jīng)過螺旋形旋管320時(shí)，在旋管320中的載氣與罐 100內(nèi)部的載氣發(fā)生熱交換。在旋管320中通過熱交換預(yù)加熱了的載氣通過氣體入口 101 被注入到罐100中。因此，與處于室溫下的載氣不經(jīng)預(yù)加熱就被直接注入到罐中的傳統(tǒng)汽 相沉積裝置相比，罐100內(nèi)部的部分之間的溫差可以被充分地減小。由于罐100內(nèi)部的部 分之間的溫差被充分減少，因此罐100中的汽相沉積源10可以被均勻地升華，并且可以在 汽相沉積過程中將均勻量的汽相沉積源10供給到室200。具體來說，如圖2所示，旋管320的螺旋形通路可以被配置為具有減小的直徑的圓錐體，即多個(gè)連接的環(huán)可以具有減小的直徑。例如，旋管320的底部，即最底部的環(huán)，可以具 有逐漸減小的第一直徑D1，因此旋管320的頂部，即最頂部的接觸氣體入口 101的環(huán)，可以 具有小于第一直徑D1的第二直徑D2，即D1 > D2。應(yīng)當(dāng)注意的是，旋管320的底部可以連接 至載氣儲(chǔ)存單元310，使得載氣可以從載氣儲(chǔ)存單元310被注入到旋管320的底部。然后， 載氣可以在旋管320內(nèi)從底部移動(dòng)到頂部，以從旋管320的頂部被輸運(yùn)到氣體入口 101。例 如，旋管320的底部可以位于罐100的底側(cè)上，例如，整個(gè)旋管320可以在罐100內(nèi)部。旋 管320的長(zhǎng)度，即環(huán)的尺寸和數(shù)目可以被調(diào)節(jié)以為熱交換提供足夠的時(shí)間。應(yīng)當(dāng)注意的是，如果旋管被配置為具有恒定直徑的圓柱形，即D1 = D2，則實(shí)現(xiàn)充分 熱交換，即將載氣充分加熱所需要的螺旋通路的長(zhǎng)度可能會(huì)太長(zhǎng)，從而占用罐100內(nèi)的大 的空間，并且會(huì)減小罐100內(nèi)汽相沉積源10的可用空間。然而，根據(jù)本實(shí)施例，旋管320可 以被配置為具有非恒定直徑的圓錐體，從而在罐100內(nèi)占有減小的空間，同時(shí)確保用于預(yù) 加熱載氣的足夠的時(shí)間。因此，汽相沉積源10的均勻升華可以發(fā)生。上述汽相沉積裝置可以有效地用于例如制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的TFT的方法中。 也就是說，當(dāng)金屬催化劑被沉積以使TFT的非晶半導(dǎo)體層結(jié)晶時(shí)，可以使用汽相沉積裝置。 在這種情況下，汽相沉積源10可以包括鎳(Ni)粉末，并且載氣可以包括氬(Ar)氣。為了解釋汽相沉積裝置在制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的TFT的方法中的使用，現(xiàn)在將 參考圖3描述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)。參見圖3，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括TFT 130和 電連接至TFT 130的有機(jī)發(fā)光顯示器件140。TFT 130可以包括多晶硅層131、第一絕緣層112和柵極132。第二絕緣層113可 以被布置在柵極132上，并且源極133和漏極134可以通過接觸孔135電連接至多晶硅層 131。源極133和漏極134之一可以電連接至有機(jī)發(fā)光器件140的第一電極141。鈍化層115可以形成在源極133和漏極134與第一電極141之間，以保護(hù)TFT 130。 鈍化層115可以包括無機(jī)絕緣層和/或有機(jī)絕緣層。無機(jī)絕緣層可以包括例如Si02、SiNx、 SiON,A1203、TiO2,Ta2O5>HfO2、&02、BST、PZT等中的一種或多種。有機(jī)絕緣層可以包括例如 PMMA或PS之類的聚合物、含有聚合物衍生物的苯酚組、丙烯酸聚合物、酰亞胺基聚合物、芳 基聚合物、氨基聚合物、氟化聚合物、P-二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或其混合物。鈍 化層115可以被形成為包括無機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層的復(fù)合堆疊結(jié)構(gòu)。在圖像朝基板110實(shí)現(xiàn)的底發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，有機(jī)發(fā)光器件140的第 一電極141可以被形成為透明電極，并且第二電極143可以被形成為反射電極。在這種情 況下，第一電極141可以由具有高功函的材料，如氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化 鋅(SiO)或氧化銦(III) (In2O3)形成，并且第二電極143可以由具有低功函的材料，如銀 (Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鉛(Pb)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li) 或鈣(Ca)形成。在圖像朝向基板110的相對(duì)方向?qū)崿F(xiàn)以確保開口率的頂發(fā)射型的有機(jī)發(fā)光顯示 裝置中，第一電極141可以被形成為反射電極，并且第二電極143可以被形成為透明電極。 在這種情況下，作為第一電極141的反射電極可以通過將48、1%^1、？丨、？(1^11、慰、而、11·、 Cr、Li、Ca或其復(fù)合物形成到反射層中，然后將具有高功函的材料，例如ΙΤ0、IZO、ZnO或 ^i2O3形成到反射層上的層中來形成。另外，作為第二電極143的透明電極可以通過沉積具 有低功函的材料，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其復(fù)合物，然后將透明導(dǎo)電材料，例如ITO、IZO、ZnO或In2O3形成到沉積材料上的輔助電極層或總線電極線上 來形成。介于第一電極141和第二電極143之間的有機(jī)發(fā)光層142通過電驅(qū)動(dòng)第一電極 141和第二電極143來發(fā)光。有機(jī)發(fā)光層142可以是小分子重量的有機(jī)材料或聚合物有機(jī) 材料。當(dāng)有機(jī)發(fā)光層142由小分子重量的有機(jī)材料形成時(shí)，可以在相對(duì)于有機(jī)發(fā)光層 142朝向第一電極141的方向上順序堆疊空穴傳輸層(HTL)和空穴注入層(HIL)，并且可以 在相對(duì)于有機(jī)發(fā)光層142的第二電極143的方向上順序堆疊電子傳輸層(ETL)和電子注入 層(EIL)。另外，在必要時(shí)可以形成各種附加層。用于形成有機(jī)發(fā)光層142的有機(jī)材料可以 是酞菁銅(CuPc) ,N,N' -Di (萘-1-基)-N、N' - 二苯基聯(lián)苯胺(NPB)、三-8-氧代喹啉鋁 (Alq3)等。當(dāng)有機(jī)發(fā)光層142由聚合物有機(jī)材料形成時(shí)，在相對(duì)于有機(jī)發(fā)光層142的朝向第 一電極141的方向上可以只堆疊HTL。聚合物HTL可以由聚_(2，4)_乙烯-二烴基噻吩 (PED0T)、聚苯胺(PANI)等形成，并且可以使用噴墨印刷或旋轉(zhuǎn)涂敷被形成在第一電極141 上。由聚合物形成的有機(jī)發(fā)光層142可以由PPV、可溶PPV、藍(lán)色-PPV、多氟化物等形成。可 以使用通用的方法，例如噴墨印刷、旋轉(zhuǎn)涂敷或使用激光的熱傳送在有機(jī)發(fā)光層142中形 成彩色圖案。盡管沒有示出，但可以在有機(jī)發(fā)光器件140上形成用于密封有機(jī)發(fā)光器件140的 密封件(未示出)，例如玻璃。進(jìn)一步，可以提供吸濕劑(未示出)，以吸收外部濕氣或氧氣?，F(xiàn)在將描述形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。首先，可以在基板110上形成緩沖層 111。接著，可以在緩沖層111上沉積非晶硅，然后將非晶硅結(jié)晶化為多晶硅?？梢允褂美?如固相結(jié)晶化(SPC)方法、場(chǎng)增強(qiáng)快速熱退火(FERTA)方法、準(zhǔn)分子激光退火(ELA)方法、 連續(xù)橫向固化(SLS)方法、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶化(MIC)方法、金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶化(MILC)方法 或超細(xì)硅(SGQ方法來將非晶硅結(jié)晶化為多晶硅。在這些方法中，當(dāng)使用SGS方法時(shí)，根據(jù) 示例性實(shí)施例，即先前參見圖1-2描述的汽相沉積裝置可以被有效地使用?，F(xiàn)在具體描述SGS方法?？梢允褂没瘜W(xué)汽相沉積(CVD)法、等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽 相沉積(PECVD)等方法，在非晶硅層上形成蓋層(未示出)，例如氮化硅層或氧化硅層。接下來，可以通過汽相沉積裝置在蓋層上沉積金屬催化劑粉末，例如鎳(Ni)。也 就是說，罐100中的汽相沉積源10可以包括Ni粉末，并且具有非晶硅層和非晶硅層上的蓋 層的基板110，即汽相沉積對(duì)象20，可以安裝在室200中。氬(Ar)氣可以從載氣供給單元 300通過旋管320和氣體入口 101被供給到罐100。加熱器400可以對(duì)罐100進(jìn)行加熱，使 得罐100內(nèi)的Ni粉末可以升華并由Ar氣攜帶到室200中，以被沉積到蓋層上。由于根據(jù) 示例性實(shí)施例通過汽相沉積裝置使Ni沉積，因此可以將Ni均勻地供給到蓋層上，并且可以 使汽相沉積過程穩(wěn)定。然后，可以例如使用熱退火方法將非晶硅結(jié)晶化。可以通過在熔爐中對(duì)非晶硅長(zhǎng) 時(shí)間加熱，或者通過執(zhí)行快速熱退火(RTA)來執(zhí)行熱退火方法。金屬催化劑，即蓋層上升華 的Ni可以通過熱退火彌散到非晶硅中，并且可以在非晶硅層上形成種子層。非晶硅層可以 從種子層開始生長(zhǎng)，并可以到達(dá)相鄰晶粒。然后，可以形成晶粒邊界，并且可以使非晶硅完
全結(jié)晶化。
在使非晶硅結(jié)晶化后，可以移除蓋層。然后，可以使用如Si02、SiNx等順序形成第 一絕緣層112和第二絕緣層113。源極133和漏極1；34可以形成在第二絕緣層113上，并且可以通過接觸孔135連 接至作為半導(dǎo)體層的多晶硅層131。然后，可以形成鈍化層115，并且然后可以在鈍化層115 上形成有機(jī)發(fā)光器件140。因此，根據(jù)示例性實(shí)施例，可以使用汽相沉積裝置均勻地供給金屬催化劑。因此， 可以在制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置時(shí)將非晶硅層，即TFT的半導(dǎo)體層，結(jié)晶化為多晶硅層。由于 在對(duì)非晶硅結(jié)晶化的過程中均勻地供給金屬催化劑，因此多晶硅層131的晶粒的尺寸可以 是均勻的。在根據(jù)示例性實(shí)施例的汽相沉積裝置中，由于氣體入口和氣體出口被布置為彼此 相對(duì)，因此可以防止罐中的湍流。另外，由于載氣被適當(dāng)預(yù)加熱并被供給，因此可以充分地 減小罐內(nèi)的部分之間的溫差。因此，當(dāng)將汽相沉積裝置用于制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法 中時(shí)，可以將作為汽相沉積源的金屬催化劑均勻且穩(wěn)定地供給到作為汽相沉積對(duì)象的非晶 半導(dǎo)體層，因此可以將半導(dǎo)體層均勻地結(jié)晶化。這里已經(jīng)公開了示例性實(shí)施例，并且雖然采用了特定術(shù)語，但這些術(shù)語僅以一般 性和描述性意義上被使用和解釋，而不用于限定目的。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解， 可以在不背離所附權(quán)利要求給出的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)進(jìn)行形式上和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種汽相沉積裝置，包括被配置為容納汽相沉積源的罐，所述罐包括彼此相對(duì)的氣體入口和氣體出口 ；被配置為對(duì)所述罐進(jìn)行加熱的加熱器；與所述罐流體連通的室，所述室被配置為容納汽相沉積對(duì)象；以及載氣供給單元，被配置為將載氣供給到所述罐中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的汽相沉積裝置，其中所述載氣供給單元包括位于所述罐內(nèi)的 旋管，所述載氣被配置為在通過所述氣體入口被注入所述罐中之前通過所述旋管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的汽相沉積裝置，其中所述旋管具有螺旋形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的汽相沉積裝置，其中所述旋管具有向所述氣體入口逐漸減小 的直徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的汽相沉積裝置，其中所述旋管是熱交換器。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的汽相沉積裝置，其中所述整個(gè)旋管位于所述罐內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的汽相沉積裝置，其中所述旋管被連接在所述氣體入口和載氣 儲(chǔ)存單元之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的汽相沉積裝置，其中所述載氣包括氬氣。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的汽相沉積裝置，其中所述汽相沉積源為粉末狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的汽相沉積裝置，其中所述氣體入口和所述氣體出口沿穿過 所述罐的同一軸被對(duì)準(zhǔn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的汽相沉積裝置，其中所述氣體入口和所述氣體出口位于所 述罐的相對(duì)側(cè)上。
12.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括將汽相沉積源放入罐中，所述罐包括彼此相對(duì)的氣體入口和氣體出口 ；將汽相沉積對(duì)象放入室中，所述室與所述罐流體連通；使用加熱器對(duì)所述罐進(jìn)行加熱，使得所述汽相沉積源被升華；由載氣供給單元通過所述氣體入口將載氣注入所述罐中，使得所述載氣攜帶著所升華 的汽相沉積源通過所述氣體出口進(jìn)入所述室中，以被沉積到所述汽相沉積對(duì)象上；并且在所述汽相沉積對(duì)象上沉積所述汽相沉積源后，使用所述汽相沉積對(duì)象作為所述有機(jī) 發(fā)光顯示裝置中的薄膜晶體管的半導(dǎo)體層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述汽相沉積對(duì)象是 非晶硅，并且所述汽相沉積源是金屬催化劑粉末。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，進(jìn)一步包括執(zhí)行熱退火， 使得所沉積的金屬催化劑粉末被彌散到所述非晶硅中并在所述非晶硅中被結(jié)晶化。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述金屬催化劑粉末 包括鎳粉末。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中將載氣注入到所述罐 中包括引導(dǎo)所述載氣通過旋管，使得所述載氣在通過所述氣體入口被注入所述罐中之前 在所述罐內(nèi)流通經(jīng)過所述旋管。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述旋管被形成為具 有螺旋形。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述旋管被形成為具 有向所述氣體入口減小的直徑的圓錐體。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中引導(dǎo)所述載氣通過所 述旋管包括在所述載氣經(jīng)過所述旋管時(shí)，由所述加熱器產(chǎn)生的熱對(duì)所述載氣進(jìn)行預(yù)加熱。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述載氣包括氬氣。
全文摘要
本發(fā)明提供一種汽相沉積裝置和使用該汽相沉積裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。該汽相沉積裝置包括被配置為容納汽相沉積源的罐，所述罐包括彼此相對(duì)的氣體入口和氣體出口；被配置為對(duì)所述罐進(jìn)行加熱的加熱器；與所述罐流體連通的室，所述室被配置為容納汽相沉積對(duì)象；以及載氣供給單元，被配置為將載氣供給到所述罐中。
文檔編號(hào)H01L27/32GK102108500SQ20101051235
公開日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2010年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月23日
發(fā)明者李吉遠(yuǎn), 羅興烈, 鄭珉在 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社