專利名稱：發(fā)光二極管及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體發(fā)光領域，特別是涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法。
背景技術：
發(fā)光二極管(LED，Light Emitting Diode)由于具有壽命長、耗能低等優(yōu)點，應用 于各種領域，尤其隨著其照明性能指標日益大幅提高，LED在照明領域常用作發(fā)光裝置。其 中，以氮化鎵(GaN)為代表的III-V族化合物半導體由于具有帶隙寬、發(fā)光效率高、電子飽 和漂移速度高、化學性質(zhì)穩(wěn)定等特點，在高亮度藍光發(fā)光二極管、藍光激光器等光電子器件 領域有著巨大的應用潛力，引起了人們的廣泛關注。然而，目前半導體發(fā)光二極管存在著發(fā)光效率低的問題。對于普通的未經(jīng)封裝的 發(fā)光二極管，其出光效率一般只有百分之幾，大量的能量聚集在器件內(nèi)部不能出射，既造成 能量浪費，又影響器件的使用壽命。因此，提高半導體發(fā)光二極管的出光效率至關重要?；谏鲜龅膽眯枨螅S多種提高發(fā)光二極管出光效率的方法被應用到器件結構 中，例如表面粗糙化法，金屬反射鏡結構等。在申請?zhí)枮?00510066898. 3的中國專利中公開了一種全角度反射鏡結構GaN基 發(fā)光二極管及其制作方法。參考圖1，所述發(fā)光二極管包括襯底1、生長在襯底1上的全角 度反射鏡4、以及制作在全角度反射鏡4上的GaN LED芯片13。所述GaN LED芯片13包括 藍寶石襯底5、N型GaN層6、有源區(qū)量子阱層7、P型GaN層8、P型電極9、P型焊盤10、N型 電極U、N型焊盤12 ；其中，所述全角度反射鏡4生長在襯底1上，其是由高折射率3和低 折射率2堆疊排列成的，高折射率層3與藍寶石襯底5接觸，低折射率層2和襯底1接觸， 高折射率層的折射率nH >低折射率層的折射率& >藍寶石材料的折射率n，且滿足θ
< 9,，其中，11、1111、1^為折射率。該專利通過在發(fā)光二極管下表面形成全角度反射鏡結構， 可以將GaN材料所發(fā)光在全角度范圍內(nèi)以高反射率向上反射，來提高發(fā)光二極管的出光效 率。然而，該發(fā)光二極管制造方法需要在襯底上形成多層由高折射率層與低折射率層堆疊 而成的薄膜結構，制作工藝非常復雜，制作成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管，以解決現(xiàn)有的發(fā)光二極管出光效率低的 問題。本發(fā)明的另一目的在于提供一種制作工藝簡單的發(fā)光二極管制造方法，以提高發(fā) 光二極管的出光效率。為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管，包括藍寶石襯底；依次位于 所述藍寶石襯底上方的外延層、有源層和帽層；其中，所述藍寶石襯底在靠近外延層的表面 上具有多個錐形結構。在所述的發(fā)光二極管中，所述錐形結構為四棱錐結構，所述四棱錐結構的底面為 正方形，四個傾斜面為大小相等的等腰三角形，相鄰的四棱錐結構共用一個邊，且相鄰的四棱錐結構之間的夾角為60度 120度。在所述的發(fā)光二極管中，所述錐形結構為三棱錐結構、六棱錐結構、八棱錐結構或 圓錐結構。在所述的發(fā)光二極管中，所述發(fā)光二極管還包括位于所述藍寶石襯底和外延層之 間的緩沖層。所述發(fā)光二極管還包括位于所述帽層上的透明導電層。在所述的發(fā)光二極管中，所述發(fā)光二極管還包括第一電極、第二電極和深度延伸 至所述外延層的開口，其中，所述第一電極位于所述透明導電層上方，用于連接透明導電層 和電源正極；所述第二電極位于所述開口內(nèi)，用于連接外延層和電源負極。在所述的發(fā)光二極管中，所述外延層的材料為N型摻雜的氮化鎵；所述有源層包 括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵；所述帽層的材料為P型摻雜 的氮化鎵。相應的，本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管制造方法，該發(fā)光二極管制造方法包括提 供藍寶石襯底；刻蝕所述藍寶石襯底以形成多個錐形結構；在所述多個錐形結構上方依次 形成外延層、有源層和帽層。在所述的發(fā)光二極管制造方法中，所述錐形結構為四棱錐結構，所述四棱錐結構 的底面為正方形，四個傾斜面為大小相等的等腰三角形，相鄰的四棱錐結構共用一個邊，且 相鄰的四棱錐結構之間的夾角為60度 120度。在所述的發(fā)光二極管制造方法中，所述錐形結構為三棱錐結構、六棱錐結構、八棱 錐結構或圓錐結構。在所述的發(fā)光二極管制造方法中，形成所述多個錐形結構的步驟包括在所述藍 寶石襯底上形成多個光刻膠臺；對所述光刻膠臺進行烘烤；以烘烤后的光刻膠臺為掩膜， 執(zhí)行感應耦合等離子體刻蝕工藝，直至所述烘烤后的光刻膠臺被完全去除，其中，藍寶石襯 底的刻蝕速率與烘烤后的光刻膠臺的刻蝕速率之比在1 1. 8的范圍內(nèi)。在所述的發(fā)光二極管制造方法中，所述光刻膠臺的橫截面為三角形、四邊形、六邊 形、八邊形或圓形。在所述的發(fā)光二極管制造方法中，在所述感應耦合等離子體刻蝕工藝中，刻蝕氣 體為三氯化硼、氦氣和氬氣的混合氣體，腔室壓力為50mTorr 2Τοπ·，底板射頻功率為 400W 600W，線圈射頻功率為300W 500W。在所述的發(fā)光二極管制造方法中，對所述光刻膠臺進行烘烤的溫度為120°C ^O0C。在所述的發(fā)光二極管制造方法中，所述外延層的材料為N型摻雜的氮化鎵；所述 有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵；所述帽層的材料為 P型摻雜的氮化鎵。在所述的發(fā)光二極管制造方法中，在形成所述外延層之前，還包括在所述藍寶石 襯底上形成緩沖層。在形成所述帽層之后，還包括在所述帽層上形成透明導電層。在所述的發(fā)光二極管制造方法中，在形成所述透明導電層之后，還包括在所述透 明導電層上方形成第一電極；形成深度延伸至所述外延層的開口 ；在所述開口內(nèi)形成第二 電極。由于采用了以上技術方案，與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點
5
所述發(fā)光二極管的藍寶石襯底在靠近外延層的表面上具有多個錐形結構，所述錐 形結構可以增加藍寶石襯底對光的反射，提高發(fā)光二極管的外量子效率，從而提高發(fā)光二 極管的光利用率；并且，由于形成了多個錐形結構，可提高藍寶石襯底與其它膜層的晶格匹 配度，減小形成于藍寶石襯底上的膜層的晶體缺陷，提高發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率，并可確 保器件不易破裂；此外，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管制造方法的工藝步驟簡單。


圖1為現(xiàn)有的發(fā)光二極管的示意圖；圖2為本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管的示意圖；圖3為本發(fā)明一實施例的錐形結構的俯視圖；圖4為本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管制造方法的流程示意圖；圖5A 5E為本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管制造方法的剖面示意圖；圖6為本發(fā)明一實施例的圓形光刻膠臺的俯視圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明 的具體實施方式
做詳細的說明。本發(fā)明的核心思想在于，提供一種發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括藍寶石襯 底；依次位于所述藍寶石襯底上方的外延層、有源層和帽層；其中，藍寶石襯底在靠近外延 層的表面上具有多個錐形結構。所述錐形結構可以增加光的反射，提高發(fā)光二極管的外量 子效率，從而提高發(fā)光二極管的光利用率；并且，由于形成了多個錐形結構，可提高藍寶石 襯底與其它膜層的晶格匹配度，減小形成于藍寶石襯底上的膜層的晶體缺陷，提高發(fā)光二 極管的內(nèi)量子效率，并可確保器件不易破裂；此外，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管制造方法的工 藝步驟較少，制作成本較低。請參考圖2，其為本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管的示意圖。所述發(fā)光二極管為以 藍寶石(sapphire)為襯底的發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管為氮化鎵基的藍光二極管。如圖 2所示，所述發(fā)光二極管包括藍寶石襯底200，外延層220、有源層230、帽層M0，所述藍寶 石襯底200在靠近外延層220的表面上具有多個錐形結構201。所述錐形結構201可以改 變?nèi)瓷渑R界角，增加藍寶石襯底200對光的反射，提高發(fā)光二極管的外量子效率，從而提 高發(fā)光二極管的光利用率；并且，所述錐形結構201可提高藍寶石襯底200與其它膜層(在 本實施例中為緩沖層210)的晶格匹配度，減小形成于藍寶石襯底上的緩沖層210的晶體缺 陷，提高發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率，并可確保器件不易破裂。如圖3所示，并結合圖2，在本實施例中，所述錐形結構201優(yōu)選為四棱錐結構，所 述四棱錐結構的底面為正方形，所述四棱錐結構的四個傾斜面為大小相等的等腰三角形， 相鄰的四棱錐結構共用一個邊(即所述四棱錐結構是緊密排列的)，相鄰的四棱錐結構之 間的夾角α為60度 120度，該角度下藍寶石襯底200對光的反射性能更佳，可最大程度 的提高發(fā)光二極管的外量子效率。然而應當認識到，本發(fā)明的錐形結構并不局限于四棱錐結構。在本發(fā)明其它實施 例中，所述錐形結構還可以是其它形狀的錐形結構，例如，三棱錐結構、六棱錐結構、八棱錐結構或圓錐結構，相鄰的錐形結構的夾角也可相應的調(diào)整。進一步的，所述發(fā)光二極管還包括緩沖層210，所述緩沖層210位于所述藍寶石襯 底200和外延層220之間，所述緩沖層210可進一步改善藍寶石襯底200與氮化鎵材料之 間的晶格常數(shù)失配的問題，所述緩沖層210 —般采用低溫條件下生長的氮化鎵薄膜。其中，所述外延層220、有源層230和帽層240依次位于所述藍寶石襯底200上方， 所述外延層220、有源層230和帽層240構成發(fā)光二極管的管芯；其中，外延層220的材料 為N型摻雜的氮化鎵(n-GaN)；所述有源層230包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層 的材料為銦氮化鎵(InGaN)，用于發(fā)出波長為470nm的藍光；所述帽層240的材料為P型摻 雜的氮化鎵(P-GaN)。由于所述外延層220與帽層240的摻雜類型相反，N型摻雜的氮化鎵 通過外部電壓驅動使電子漂移，P型摻雜的氮化鎵通過外部電壓驅動使空穴漂移，所述空穴 和電子在多量子阱有源層(也稱為活性層)中相互重新結合，從而反射光。進一步的，所述發(fā)光二極管還包括透明導電層(TCL) 250，所述透明導電層250位 于帽層240上方。由于P型摻雜的氮化鎵的電導率比較小，因此在帽層240表面沉積一層 金屬的電流擴散層，有助于提高電導率，所述透明導電層250的材料例如是Ni/Au材料。此外，由于藍寶石襯底200不導電，為了將發(fā)光二極管的管芯連接到電源正負極， 所述發(fā)光二極管還包括第一電極沈0、第二電極270和深度延伸至所述外延層220的開口 221，其中，所述第一電極260位于所述透明導電層250上方，用于連接透明導電層250和電 源正極；所述第二電極270位于所述開口 221內(nèi)，用于連接外延層220和電源負極。所述發(fā)光二極管用于發(fā)光時，將第一電極260連接至電源正極、第二電極270連接 至電源負極，發(fā)光二極管管芯通過第一電極260與電源正極相連，通過第二電極270與電源 負極相連，發(fā)光二極管管芯中的有源層230在電流作用下發(fā)光，所述多個錐形結構201增加 光的反射，提高發(fā)光二極管的外量子效率。相應的，本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管制造方法，具體請參考圖4，其為本發(fā)明一 實施例的發(fā)光二極管制造方法的流程示意圖，所述發(fā)光二極管制造方法包括以下步驟S40，提供藍寶石襯底；S41，刻蝕所述藍寶石襯底以形成多個錐形結構；S42，在所述多個錐形結構上方依次形成外延層、有源層和帽層。下面將結合剖面示意圖對本發(fā)明的發(fā)光二極管制造方法進行更詳細的描述，其中 表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍 然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道， 而并不作為對本發(fā)明的限制。參考圖5A，首先，提供藍寶石襯底200，所述藍寶石襯底200是由Al2O3形成的，在 本實施例中，所述藍寶石襯底200用以形成氮化鎵基的藍光二極管。參考圖5B，然后，可通過涂膠、曝光和顯影工藝，在所述藍寶石襯底200上形成多 個光刻膠臺觀0。在本實施例中，如圖5B和圖6所示，光刻膠臺280是指四棱柱光刻膠臺， 即光刻膠臺280的橫截面(平行于藍寶石襯底方向的截面)是四邊形，優(yōu)選為正方形。所述 光刻膠臺280的厚度hi例如是0. Ιμπι 5μπι，邊長L例如是0. Ιμπι 5μπι?？梢岳斫獾?是，本領域技術人員可根據(jù)實際要獲得的錐形結構的形狀相應的調(diào)整光刻膠臺的形狀。例 如，所述光刻膠臺的橫截面還可以是三角形、六邊形、八邊形或圓形。
參考圖5C，隨后，對所述光刻膠臺280進行烘烤，使所述光刻膠臺280發(fā)生流動，從 而形成烘烤后的光刻膠臺觀1。可選的，在溫度為120°C 250°C的范圍內(nèi)，對所述光刻膠臺280進行烘烤，所述 光刻膠臺280在高于光刻膠的玻璃軟化溫度下，由于表面張力的作用表面被圓弧化或錐形 化。具體的說，當所述光刻膠臺為圓柱形光刻膠臺時，經(jīng)過烘烤后所述圓柱形光刻膠臺會變 為球冠狀；當所述光刻膠臺的橫截面為三角形或四邊形或其它多邊形時，所述光刻膠臺被 烘烤后表面被錐形化(烘烤后的光刻膠臺底部尺寸較大、頂部尺寸較小)。參考圖5D，其后，以所述烘烤后的光刻膠臺281為掩膜，執(zhí)行一步感應耦合等離子 體anductive Coupled Plasma，I CP)刻蝕工藝，直至所述烘烤后的光刻膠臺被完全刻 蝕掉，即可在所述藍寶石襯底200靠近外延層的表面上形成多個錐形結構201。在所述感應 耦合等離子體刻蝕工藝中，可使藍寶石襯底的刻蝕速率與烘烤后的光刻膠臺的刻蝕速率之 比在1 1. 8的范圍內(nèi)，以形成多個錐形結構。在本實施例中，所述錐形結構201優(yōu)選為四 棱錐結構，所述四棱錐結構的底面為正方形，所述四棱錐結構的四個傾斜面為大小相等的 等腰三角形，相鄰的四棱錐結構共用一個邊，且相鄰的四棱錐結構之間的夾角α為60度 120度，所述錐形結構201的高度可以為0. Iym 5μπι。在本實施例中，可通過使底板射頻功率(plate power)大于線圈射頻功率 (Coilpower)，來控制感應耦合等離子體刻蝕工藝的刻蝕選擇比之比在1 1. 8的范圍內(nèi)。 當然，本發(fā)明并不局限于此，可通過控制其它刻蝕工藝參數(shù)來達到控制感應耦合等離子體 刻蝕工藝的刻蝕選擇比的目的。進一步的，在所述感應耦合等離子體刻蝕工藝中，刻蝕氣體例如為三氯化硼 (BCl3)、氦氣(Ar)和氬氣(He)的混合氣體，腔室壓力例如為50mTorr 2Torr，底板射頻功 率為400W 600W，線圈射頻功率為300W 500W?？梢岳斫獾氖?，上述描述并不用于限定本發(fā)明，本領域技術人員可根據(jù)刻蝕機臺 的實際情況，相應的調(diào)整刻蝕氣體以及各項工藝參數(shù)，并相應的調(diào)整刻蝕選擇比，以達到在 藍寶石襯底200上形成錐形結構201的目的。參考圖5E，為了進一步改善藍寶石襯底200與氮化鎵材料之間的晶格常數(shù)失配的 問題，接下來，在具有多個錐形結構201的藍寶石襯底200上形成緩沖層210，所述緩沖層 210完全覆蓋多個錐形結構201。在形成緩沖層210之后，在所述緩沖層210上依次形成外延層220、有源層230、帽 層M0，所述外延層220、有源層230和帽層240構成發(fā)光二極管的管芯。所述外延層220 的材料為N型摻雜的氮化鎵；所述有源層230包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的 材料為銦氮化鎵；所述帽層240的材料為P型摻雜的氮化鎵。在形成帽層240之后，在所述帽層240上形成透明導電層250，所述透明導電層 250有助于提高電導率，所述透明導電層250的材料可采用Ni/Au材料。可利用常規(guī)的金屬 有機化學氣相沉積(MOCVD)工藝形成緩沖層210、外延層220、有源層230、帽層MO以及透 明導電層250。請再次參考圖2，最后，在所述透明導電層250上方形成第一電極260，用于連接透 明導電層250和電源正極；并利用光刻和刻蝕的方法，形成深度延伸至所述外延層230的開 口 221，再在所述開口 221內(nèi)形成第二電極270，用于連接外延層220和電源負極，從而形成
8了如圖2所示的發(fā)光二極管。需要說明的是，上述實施例以藍色發(fā)光二極管為例，但是本發(fā)明并不限制于此，上 述實施例還可以是紅色發(fā)光二極管、黃色發(fā)光二極管，本領域技術人員可以根據(jù)上述實施 例，對本發(fā)明進行修改、替換和變形。綜上所述，本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管及其制造方法，所述發(fā)光二極管的藍寶 石襯底在靠近外延層的表面上具有多個錐形結構，所述錐形結構一方面可以增加光的反 射，提高發(fā)光二極管的外量子效率，從而提高發(fā)光二極管的光利用率；另一方面，所述錐形 結構可提高藍寶石襯底與其它膜層的晶格匹配度，減小形成于藍寶石襯底上的膜層的晶體 缺陷，提高發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率，并可確保器件不易破裂；此外，與現(xiàn)有技術相比，本發(fā) 明的發(fā)光二極管制造方法工藝簡單，制作成本較低。顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管，包括藍寶石襯底；依次位于所述藍寶石襯底上方的外延層、有源層和帽層；其中，所述藍寶石襯底在靠近外延層的表面上具有多個錐形結構。
2.如權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述錐形結構為四棱錐結構。
3.如權利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述四棱錐結構的底面為正方形，四 個傾斜面為大小相等的等腰三角形，相鄰的四棱錐結構共用一個邊，且相鄰的四棱錐結構 之間的夾角為60度 120度。
4.如權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述錐形結構為三棱錐結構、六棱錐 結構、八棱錐結構或圓錐結構。
5.如權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括位于所述藍 寶石襯底和外延層之間的緩沖層。
6.如權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括位于所述帽 層上的透明導電層。
7.如權利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括第一電極、第 二電極和深度延伸至所述外延層的開口，其中，所述第一電極位于所述透明導電層上方，用于連接透明導電層和電源正極；所述第二電極位于所述開口內(nèi)，用于連接外延層和電源負極。
8.如權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述外延層的材料為N型摻雜的氮化 鎵；所述有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵；所述帽層 的材料為P型摻雜的氮化鎵。
9.一種發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，包括提供藍寶石襯底；刻蝕所述藍寶石襯底以形成多個錐形結構；在所述多個錐形結構上方依次形成外延層、有源層和帽層。
10.如權利要求9所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，所述錐形結構為四棱錐結構。
11.如權利要求10所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，所述四棱錐結構的底面 為正方形，四個傾斜面為大小相等的等腰三角形，相鄰的四棱錐結構共用一個邊，且相鄰的 四棱錐結構之間的夾角為60度 120度。
12.如權利要求9所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，所述錐形結構為三棱錐結 構、六棱錐結構、八棱錐結構或圓錐結構。
13.如權利要求10或12所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，形成所述多個錐形 結構的步驟包括在所述藍寶石襯底上形成多個光刻膠臺；對所述光刻膠臺進行烘烤；以烘烤后的光刻膠臺為掩膜，執(zhí)行感應耦合等離子體刻蝕工藝，直至所述烘烤后的光 刻膠臺被完全去除，其中，藍寶石襯底的刻蝕速率與烘烤后的光刻膠臺的刻蝕速率之比在 1 1.8的范圍內(nèi)。
14.如權利要求13所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，所述光刻膠臺的橫截面 為三角形、四邊形、六邊形、八邊形或圓形。
15.如權利要求14所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，在所述感應耦合等離 子體刻蝕工藝中，刻蝕氣體為三氯化硼、氦氣和氬氣的混合氣體，腔室壓力為50mTorr 2Torr，底板射頻功率為400W 600W，線圈射頻功率為300W 500W。
16.如權利要求13所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，對所述光刻膠臺進行烘 烤的溫度為120°C 250°C。
17.如權利要求9所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，所述外延層的材料為N型 摻雜的氮化鎵；所述有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵； 所述帽層的材料為P型摻雜的氮化鎵。
18.如權利要求9所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，在形成所述外延層之前， 還包括在所述藍寶石襯底上形成緩沖層。
19.如權利要求9所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，在形成所述帽層之后，還 包括在所述帽層上形成透明導電層。
20.如權利要求9所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，在形成所述透明導電層之 后，還包括在所述透明導電層上方形成第一電極；形成深度延伸至所述外延層的開口；在所述開口內(nèi)形成第二電極。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管及其制造方法，所述發(fā)光二極管包括藍寶石襯底；依次位于所述藍寶石襯底上方的外延層、有源層和帽層；其中，所述藍寶石襯底在靠近外延層的表面上具有多個錐形結構。所述錐形結構可以增加藍寶石襯底對光的反射，提高發(fā)光二極管的外量子效率，從而提高發(fā)光二極管的光利用率；并且，由于形成了多個錐形結構，可提高藍寶石襯底與其它膜層的晶格匹配度，減小形成于藍寶石襯底上的膜層的晶體缺陷，提高發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率。
文檔編號H01L33/22GK102130256SQ201010508108
公開日2011年7月20日 申請日期2010年10月15日 優(yōu)先權日2010年10月15日
發(fā)明者張汝京, 程蒙召, 肖德元, 許繼仁 申請人:映瑞光電科技(上海)有限公司