專利名稱：形成倒裝藍(lán)光led芯片的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體照明領(lǐng)域，尤其涉及一種形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體發(fā)光二極管即LED (Light Emitting Diode)，是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光器件。 它是利用固體半導(dǎo)體芯片作為發(fā)光材料，在半導(dǎo)體中通過載流子發(fā)生復(fù)合放出過剩的能量 而引起光子發(fā)射，直接發(fā)出紅、黃、藍(lán)、綠、青、橙、紫等色的光。藍(lán)光LED通常采用A1203藍(lán)寶石襯底，藍(lán)寶石襯底硬度高、熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率低。如果 采用正裝結(jié)構(gòu)，一方面會帶來靜電的問題，另一方面，在大電流情況下會帶來散熱問題。另 外，由于正面電極朝上，會遮掉一部分光，發(fā)光效率會降低。大功率藍(lán)光LED通過芯片倒裝 技術(shù)(flip chip)可以比傳統(tǒng)的封裝技術(shù)得到更多的有效出光。圖1為現(xiàn)有的一種倒裝藍(lán)光LED芯片的示意圖，圖中僅顯示了一個LED單元，參考 圖1，倒裝藍(lán)光芯片10通過正電極16與負(fù)電極17與焊接面板20連接，焊接面板20的材料 為Si或A1或Cu，當(dāng)在正電極16與負(fù)電極17上施加電壓時，有源層12受激發(fā)光，向正面發(fā) 出的光經(jīng)緩沖層13以及截頂?shù)菇鹱炙蜧aN層15射出芯片，向背面發(fā)出的光經(jīng)帽層11后 由反射層14反射，經(jīng)由有源層12、緩沖層13以及截頂?shù)菇鹱炙蜧aN層反射和折射后射出
-H-- I I心片。圖2為現(xiàn)有技術(shù)的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，參考圖2，現(xiàn)有技術(shù)中，形成圖1 所示的倒裝藍(lán)光LED芯片的方法為，在藍(lán)寶石襯底18上形成藍(lán)光LED芯片后，將其倒裝在 焊接面板20上，通過正電極16與負(fù)電極17與焊接面板20連接，然后用激光30沿箭頭40 方向掃描整個藍(lán)寶石襯底18，激光30穿過藍(lán)寶石襯底18到達(dá)截頂?shù)菇鹱炙蜧aN層15， 并將截頂?shù)菇鹱炙蜧aN層15中的GaN在高溫下熱分解，GaN中的成分氮(N)變?yōu)闅怏w排 出，GaN中的成分鎵(Ga)變?yōu)橐簯B(tài)，從而達(dá)到將藍(lán)寶石襯底與截頂?shù)菇鹱炙蜧aN層15分 離的目的。然而，利用以上所述的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，在用激光照射LED芯片時， 激光會進(jìn)入有源層，對有源層造成損傷，從而會影響LED芯片的性能。2009年3月11日授權(quán)公告的公告號為“CN100468796C”的中國專利公開了一種 “LED倒裝芯片的制備方法”，然而，也沒有解決以上所述的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，容易損傷有源層。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，包括提供襯底；在所述襯底上形成過渡層；在所述過渡層上形成GaN層，且所述過渡層與所述GaN層晶格常數(shù)匹配；
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在所述GaN層上管芯；形成正電極、負(fù)電極；選擇性刻蝕掉所述過渡層，將所述襯底剝離，形成待倒裝的藍(lán)光LED芯片。可選的，所述管芯包括依次形成于所述GaN層上的n-GaN緩沖層、有源層、p_GaN 帽層，所述緩沖層部分與所述有源層、帽層疊加。可選的，所述GaN層呈截頂金字塔形?？蛇x的，還包括在形成帽層后，在所述帽層上形成金屬接觸層；所述正電極形成于所述金屬接觸層上，所述負(fù)電極形成于所述緩沖層上。可選的，在所述襯底上形成過渡層之前，還包括
在所述襯底上形成掩膜層；圖形化所述掩膜層，定義出LED單元；在所述襯底上形成過渡層包括在所述襯底上定義出的LED單元上形成過渡層?？蛇x的，所述過渡層的材料為磷化硼?？蛇x的，所述形成過渡層的方法為氫化物氣相外延?？蛇x的，所述在所述過渡層上形成GaN層的方法為金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積?？蛇x的，在選擇性刻蝕掉所述過渡層，將所述襯底剝離之前，還包括形成光刻膠層，包覆所述襯底、過渡層、GaN層、緩沖層、有源層、帽層、正電極以及 負(fù)電極；圖形化所述光刻膠層，露出所述過渡層的側(cè)面；在露出所述過渡層的側(cè)面后，所述 選擇性刻蝕掉所述過渡層，將所述襯底剝離包括用氯化氫氣體從所述過渡層的側(cè)面選擇性刻蝕掉過渡層，將所述襯底剝離。可選的，在所述緩沖層上形成負(fù)電極包括在所述襯底、金屬接觸層以及緩沖層形成的表面上形成光刻膠層；圖形化所述光刻膠層，在所述光刻層上形成位于緩沖層上的開孔，定義出負(fù)電極 的位置；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，在所述開孔內(nèi)沉積導(dǎo)電材料；灰化去除光刻膠，光刻膠層上的導(dǎo)電材料被剝離，去除被剝離的導(dǎo)電材料，所述開 孔內(nèi)的導(dǎo)電材料作為負(fù)電極。可選的，所述導(dǎo)電材料為Ti或者Al或者Au?？蛇x的，所述在所述金屬接觸層上形成正電極包括在所述襯底、金屬接觸層以及緩沖層形成的表面上形成光刻膠層；圖形化所述光刻膠層，在所述光刻層上形成位于所述金屬接觸層上開孔，定義出 正電極的位置；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，沉積導(dǎo)電材料于所述光刻膠層上以及所述開孔 內(nèi)；灰化去除光刻膠層，光刻膠層上的導(dǎo)電材料被剝離，去除被剝離的導(dǎo)電材料，所述 開孔內(nèi)的導(dǎo)電材料作為正電極?？蛇x的，所述導(dǎo)電材料為Al。
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可選的，所述形成管芯的方法包括用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積在所述GaN層上依次形成n-GaN緩沖層、有源層、 p-GaN帽層、金屬接觸層；在所述金屬接觸層上形成光刻膠層；圖形化所述光刻膠層，露出邊緣部分的金屬接觸層；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，依次刻蝕去除有源層、帽層、金屬接觸層，使所 述緩沖層部分與所述有源層、帽層、金屬接觸層疊加。可選的，所述襯底為藍(lán)寶石襯底。可選的，還包括將所述待倒裝的藍(lán)光LED芯片倒裝于焊接面板上；在GaN層上形成光刻膠層；圖形化光刻膠層，利用圖形化的光刻膠層為掩膜干法刻蝕GaN層形成光子晶體。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，通過在襯底與GaN層之間形成過渡層，在 LED芯片形成之后，利用選擇性刻蝕腐蝕掉過渡層，使襯底與LED芯片剝離，在選擇性刻蝕 腐蝕掉過渡層時，不會損失有源層，不會降低LED芯片的性能。


圖1為現(xiàn)有的一種倒裝藍(lán)光LED芯片的示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法；圖3為本發(fā)明具體實施方式
的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法的流程圖；圖4a 圖4o為本發(fā)明具體實施例的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法的剖面結(jié)構(gòu)示 意圖。
具體實施例方式本發(fā)明具體實施方式
的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，通過在襯底與GaN層之間 形成過渡層，在LED芯片形成之后，利用選擇性刻蝕腐蝕掉過渡層，使襯底與LED芯片剝離。為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明，下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的 具體實施例。圖3為本發(fā)明具體實施方式
的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法的流程圖，參考圖3， 本發(fā)明具體實施方式
的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法包括步驟S1，提供襯底；步驟S2，在所述襯底上形成過渡層；步驟S3，在所述過渡層上形成GaN層，該GaN層呈截頂金字塔形，且所述過渡層與 所述GaN層晶格常數(shù)匹配；步驟S4，在所述GaN層上形成管芯；步驟S5，形成正電極、負(fù)電極；步驟S6，選擇性刻蝕掉所述過渡層，將所述襯底與所述管芯剝離，形成待倒裝的藍(lán) 光LED芯片。
圖4a 圖4ο為本發(fā)明具體實施例的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法的剖面結(jié)構(gòu)示 意圖，下面結(jié)合圖3與圖4a 圖4ο詳細(xì)說明本發(fā)明具體實施例的形成倒裝藍(lán)光LED芯片 的方法。結(jié)合參考圖3與圖4a，執(zhí)行步驟Si，提供襯底40。襯底40可以為碳化硅SiC襯 底，藍(lán)寶石(Al2O3)襯底或者硅襯底，在本發(fā)明的具體實施例中，采用藍(lán)寶石(Al2O3)襯底。參考圖4b與圖4c，圖4c為圖4b的俯視示意圖，在本發(fā)明具體實施例中，在執(zhí)行 步驟S2之前，即在所述襯底40上形成過渡層之前，還包括在所述襯底40上形成掩膜層 41 ；圖形化所述掩膜層41，定義出LED單元42。具體為，在襯底40上沉積掩膜層41，在掩 膜層41上形成光刻膠層，圖形化光刻膠層，以圖形化的光刻層為掩膜刻蝕掩膜層41，形成 圖形化的掩膜層，定義出LED單元42，之后用灰化工藝去除光刻膠，圖中只示意出掩膜層， 并未示出光刻膠層，此為本領(lǐng)域公知常識，即使不做說明，本領(lǐng)域技術(shù)人員也可以理解。在 本發(fā)明具體實施例中，掩膜層41的材料為二氧化硅(SiO2)，在其他實施例中，可以為氮化硅 (Si3N4)，以及本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他材料。結(jié)合參考圖3與圖4d，執(zhí)行步驟S2，在所述襯底40上形成過渡層43。在本發(fā)明 具體實施例中，在所述襯底40上形成過渡層43包括在襯底上定義出的LED單元上形成過 渡層43，即過渡層43分別形成于每一個LED單元上，在每一個LED單元之間通過掩膜層41 隔開，在本發(fā)明具體實施例中，過渡層43的材料為磷化硼，所述形成過渡層43的方法為氫 化物氣相外延。過渡層43的厚度為10納米(nm)以下。結(jié)合參考圖3與圖4e，執(zhí)行步驟S3，在所述過渡層43上形成GaN層44，該GaN層 44呈截頂金字塔形，且所述過渡層43與所述GaN層44晶格常數(shù)匹配，過渡層43與所述GaN 層44晶格常數(shù)匹配時可以使在過渡層43上形成GaN時，不會產(chǎn)生層錯，提高LED芯片的良 率，另外，在之后的腐蝕去除過渡層時，過渡層與GaN層有好的選擇性腐蝕比，這樣可以確 保GaN不受腐蝕，其中，在過渡層43上形成GaN層44的方法為金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積。 在本發(fā)明的其他實施例中，GaN層也可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他形狀，例如平板狀。結(jié)合參考圖3與圖4f、圖4g，執(zhí)行步驟S4,在所述GaN層44上管芯，其中，所述管 芯包括依次形成n-GaN緩沖層45、有源層46、p_GaN帽層47，所述緩沖層45部分與所述有 源層46、帽層47疊加。參考圖4f，在所述GaN層44上依次形成n_GaN緩沖層45、有源層46、p-GaN帽層 47，在本發(fā)明具體實施例中，在形成帽層47后，在所述帽層47上形成金屬接觸層48。在本 發(fā)明具體實施例中，形成n-GaN緩沖層45、有源層46、p-GaN帽層47的方法為金屬有機(jī)物 化學(xué)氣相沉積(MOCVD)，形成金屬接觸層48的方法為物理氣相沉積(PVD)。金屬接觸層48 的材料為M或者Au或者Al，以及本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他技術(shù)。參考圖4g，在形成n-GaN緩沖層45、有源層46、p_GaN帽層47以及金屬接觸層48 后，在金屬接觸層48上形成光刻膠層(圖中未示)，利用光刻工藝圖形化光刻膠層，之后以 圖形化的光刻膠層為掩膜依次刻蝕金屬接觸層48、p-GaN帽層47以及有源層46，以露出部 分n-GaN緩沖層45，在本發(fā)明具體實施例中，露出n_GaN緩沖層45的邊緣部分451，也就是 使所述緩沖層45部分與所述有源層46、帽層47、金屬接觸層48疊加，未與有源層46、帽層 47、金屬接觸層48疊加的n-GaN緩沖層45的邊緣部分，用于之后的工藝中，在其上形成負(fù) 電極。
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結(jié)合參考圖3與圖4h、圖4i、圖4j，執(zhí)行步驟S5，形成正電極53、負(fù)電極52。在本發(fā)明具體實施例中，負(fù)電極52形成于在所述緩沖層上未與所述有源層、帽層 疊加的部分，即緩沖層的邊緣部分451。形成負(fù)電極52的方法具體為參考圖4h，在所述襯 底40、金屬接觸層48以及緩沖層45形成的表面上形成光刻膠層49 (為了簡化視圖，圖中沒 有畫出襯底表面的光刻膠層)；圖形化所述光刻膠層49，在所述光刻層上形成位于所述緩 沖層上的開孔50，定義出負(fù)電極的位置；以所述圖形化的光刻膠層49為掩膜，沉積導(dǎo)電材 料51于所述光刻膠層49上以及所述開孔50內(nèi)；參考圖4i，灰化去除光刻膠層49，在灰化 去除光刻膠層49后，光刻膠層49上的導(dǎo)電材料51被剝離，也就是說，光刻膠層49被灰化 去除后，導(dǎo)電材料51自然與下層分離(即與金屬接觸層48分離)，此時可以將被剝離的導(dǎo) 電材料去除，將所述開孔內(nèi)的導(dǎo)電材料作為負(fù)電極52。在本發(fā)明具體實施例中，所述導(dǎo)電材 料為Ti或者A1或者Au。需要說明的是，在本發(fā)明的其他實施例中，所述形成負(fù)電極的方法，也可以為在襯 底40、金屬接觸層48以及緩沖層45形成的表面上沉積一層導(dǎo)電層，導(dǎo)電層的材料為Ti或 者A1或者Au，然后刻蝕導(dǎo)電層形成負(fù)電極52。在本發(fā)明具體實施例中，在所述金屬接觸層48上形成正電極53。形成正電極53 的方法包括在所述襯底40、金屬接觸層48以及緩沖層45形成的表面上形成光刻膠層； 圖形化所述光刻膠層，在所述光刻層上形成位于金屬接觸層48上的開孔，定義出正電極的 位置；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，沉積導(dǎo)電材料于所述光刻膠層上以及所述開孔內(nèi)； 灰化去除光刻膠層，光刻膠層上的導(dǎo)電材料被剝離，也就是說，光刻膠層49被灰化去除后， 導(dǎo)電材料51自然與下層分離(即與金屬接觸層48分離)，此時可以將被剝離的導(dǎo)電材料去 除，將所述開孔內(nèi)的導(dǎo)電材料作為正電極53。所述導(dǎo)電材料為A1。圖中，并未如形成負(fù)電 極那樣，將光刻膠層以及導(dǎo)電材料的沉積過程顯示出來，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)形成負(fù)電極 的教導(dǎo)，可以清楚的知道形成正電極的方法，因此并未在圖中顯示過多的細(xì)節(jié)。需要說明的是，在本發(fā)明的其他實施例中，所述形成正電極的方法，也可以為在所 述襯底40、金屬接觸層48以及緩沖層45形成的表面上沉積一層導(dǎo)電層，導(dǎo)電層的材料為 A1，然后刻蝕導(dǎo)電層形成正電極53。結(jié)合參考圖3與圖4k、圖41，執(zhí)行步驟S7，選擇性刻蝕掉所述過渡層43，將所述襯 底40剝離，去除被剝離的襯底40，形成待倒裝的藍(lán)光LED芯片。在本發(fā)明的具體實施例中， 在選擇性刻蝕掉所述過渡層43，將所述襯底40剝離之前，還包括形成光刻膠層，包覆所述 襯底40、過渡層43、GaN層44、緩沖層45、有源層46、帽層47、正電極53以及負(fù)電極52 (圖 中并未示出光刻膠層)；圖形化所述光刻膠層，露出所述過渡層43的側(cè)面。在露出所述過 渡層43的側(cè)面后，用氯化氫(Hcl)氣體從所述過渡層43的側(cè)面選擇性刻蝕掉過渡層43， 將所述襯底40剝離。在本發(fā)明的具體實施例中，HC1氣體流速50 500SCCm、溫度20 80°C、壓力0. 1 lOTorr。需要說明的是，圖4k顯示的是刻蝕過渡層43的過程，即過渡層 43還未被完全刻蝕掉的一種狀態(tài)示意圖，圖41顯示出了，在過渡層43被完全刻蝕掉后，襯 底40被剝離，將被剝離的襯底40去除后，灰化去除光刻膠，形成待倒裝的藍(lán)光LED芯片。在本發(fā)明具體實施例中，形成倒裝藍(lán)光LED芯片后，參考圖4m，將待倒裝的藍(lán)光 LED芯片倒裝，即將待倒裝的藍(lán)光LED芯片與焊接面板60連接，此時可以通過控制焊接面板 使倒裝藍(lán)光LED芯片發(fā)光，其中，焊接面板60的材料為Si或A1或Cu。
在本發(fā)明具體實施例中，完成倒裝藍(lán)光LED芯片后，參考圖4η，同時參考圖4ο，為 倒裝藍(lán)光LED芯片的俯視示意圖，為了增加出光率，在GaN層44上形成光子晶體441，光子 晶體441呈圓柱狀。形成光子晶體的具體工藝為首先在GaN層44上形成光刻膠層，然后 圖形化光刻膠層，之后利用圖形化的光刻膠層為掩膜干法刻蝕GaN層44形成光子晶體441。 采用光子晶體可以使光通過不同的表面直接出光以及光經(jīng)光子晶體側(cè)壁反射后改變臨界 角后從另一側(cè)壁出光。形成光子晶體的工藝比較簡單，通過光刻及干法反應(yīng)離子刻蝕就可 實現(xiàn)。本發(fā)明的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，通過在襯底與GaN層之間形成過渡層，在 LED芯片形成之后，利用選擇性刻蝕腐蝕掉過渡層，使襯底與LED芯片剝離，在選擇性刻蝕 腐蝕掉過渡層時，不會損失有源層，不會降低LED芯片的性能。需要說明的是，本發(fā)明中形成的過渡層以及GaN層均為截頂金字塔形，在文中并 沒有對其進(jìn)行詳細(xì)的描述，關(guān)于更詳細(xì)的方法，可以參考文獻(xiàn)“Jung-Tsimg Hsu, Wen-Yung Yeh, Chang-Cheng Chuo, Jenq-Dar Tsay, Chih-ShuHuang, and Chao-Ying Lin, Beveled sidewall formation and its effect on the lightoutput of a GaInN multiquantum well light-emitting diode with sapphire substrate,Opt. Eng. /Volume 44/Issue 11/ Special Section on Solid State Lighting，，。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域 技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā) 明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明 的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案 的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，其特征在于包括提供襯底；在所述襯底上形成過渡層；在所述過渡層上形成GaN層，且所述過渡層與所述GaN層晶格常數(shù)匹配；在所述GaN層上形成管芯；形成正電極、負(fù)電極；選擇性刻蝕掉所述過渡層，將所述襯底剝離，形成待倒裝的藍(lán)光LED芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，其特征在于，所述管芯包括依 次形成于所述GaN層上的n-GaN緩沖層、有源層、p-GaN帽層，所述緩沖層部分與所述有源層、帽層疊加。
3.如權(quán)利要求1所述的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，其特征在于，所述GaN層呈截頂金字塔形。
4.如權(quán)利要求2所述的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，其特征在于，還包括在形成帽 層后，在所述帽層上形成金屬接觸層；所述正電極形成于所述金屬接觸層上，所述負(fù)電極形成于所述緩沖層上。
5.如權(quán)利要求1所述的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，其特征在于，在所述襯底上形成 過渡層之前，還包括在所述襯底上形成掩膜層； 圖形化所述掩膜層，定義出LED單元；在所述襯底上形成過渡層包括在所述襯底上定義出的LED單元形成過渡層。
6.如權(quán)利要求1或5所述的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，其特征在于，所述過渡層的 材料為磷化硼。
7.如權(quán)利要求6所述的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，其特征在于，所述形成過渡層的 方法為氫化物氣相外延。
8.如權(quán)利要求1所述的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，其特征在于，所述在所述過渡層 上形成GaN層的方法為金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積。
9.如權(quán)利要求1所述的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，其特征在于，在選擇性刻蝕掉所 述過渡層，將所述襯底剝離之前，還包括形成光刻膠層，包覆所述襯底、過渡層、GaN層、緩沖層、有源層、帽層、正電極以及負(fù)電極；圖形化所述光刻膠層，露出所述過渡層的側(cè)面；在露出所述過渡層的側(cè)面后，所述選擇性刻蝕掉所述過渡層，將所述襯底剝離包括 用氯化氫氣體從所述過渡層的側(cè)面選擇性刻蝕掉過渡層，將所述襯底剝離。
10.如權(quán)利要求4所述的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，其特征在于，在所述緩沖層上 形成負(fù)電極包括在所述襯底、金屬接觸層以及緩沖層形成的表面上形成光刻膠層；圖形化所述光刻膠層，在所述光刻層上形成位于緩沖層上的開孔，定義出負(fù)電極的位置；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，在所述開孔內(nèi)沉積導(dǎo)電材料；灰化去除光刻膠，光刻膠層上的導(dǎo)電材料被剝離，去除被剝離的導(dǎo)電材料，所述開孔內(nèi) 的導(dǎo)電材料作為負(fù)電極。
11.如權(quán)利要求10所述的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料為 Ti或者A1或者Au。
12.如權(quán)利要求4所述的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，其特征在于，所述在所述金屬 接觸層上形成正電極包括在所述襯底、金屬接觸層以及緩沖層形成的表面上形成光刻膠層； 圖形化所述光刻膠層，在所述光刻層上形成位于所述金屬接觸層上的開孔，定義出正 電極的位置；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，沉積導(dǎo)電材料于所述光刻膠層上以及所述開孔內(nèi)； 灰化去除光刻膠層，光刻膠層上的導(dǎo)電材料被剝離，去除被剝離的導(dǎo)電材料，所述開孔 內(nèi)的導(dǎo)電材料作為正電極。
13.如權(quán)利要求12所述的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料為A1。
14.如權(quán)利要求4所述的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，其特征在于，所述管芯的形成 方法包括用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積在所述GaN層上依次形成n-GaN緩沖層、有源層、p_GaN帽 層、金屬接觸層；在所述金屬接觸層上形成光刻膠層； 圖形化所述光刻膠層，露出邊緣部分的金屬接觸層；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，依次刻蝕金屬接觸層、p-GaN帽層以及有源層，使所 述緩沖層部分與所述有源層、帽層、金屬接觸層疊加。
15.如權(quán)利要求1所述的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，其特征在于，所述襯底為藍(lán)寶 石襯底。
16.如權(quán)利要求1所述的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，其特征在于，還包括 將所述待倒裝的藍(lán)光LED芯片倒裝于焊接面板上；在GaN層上形成光刻膠層；圖形化光刻膠層，利用圖形化的光刻膠層為掩膜干法刻蝕GaN層形成光子晶體。
全文摘要
一種形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，包括提供襯底，在所述襯底上形成過渡層；在所述過渡層上形成GaN層，且所述過渡層與所述GaN層晶格常數(shù)匹配；在所述GaN層上形成管芯；形成正電極、負(fù)電極；選擇性刻蝕掉所述過渡層，將所述襯底剝離，形成待倒裝的藍(lán)光LED芯片。本發(fā)明的形成倒裝藍(lán)光LED芯片的方法，通過在襯底與GaN層之間形成過渡層，在LED芯片形成之后，利用選擇性刻蝕腐蝕掉過渡層，使襯底與LED芯片剝離，在選擇性刻蝕腐蝕掉過渡層時，不會損失有源層，不會降低LED芯片的性能。
文檔編號H01L33/12GK101984509SQ201010299089
公開日2011年3月9日 申請日期2010年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月28日
發(fā)明者張汝京, 肖德元 申請人:映瑞光電科技(上海)有限公司