專利名稱：發(fā)光二極管封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的封裝方法，特別是一種發(fā)光二極管的封裝方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體發(fā)光二極管，憑借其發(fā)光效率高、體積小、重量輕、環(huán)保等優(yōu)點，已被廣泛地應(yīng)用到當(dāng)前的各個領(lǐng)域當(dāng)中，例如用作指示燈、照明燈、顯示屏等。發(fā)光二極管在應(yīng)用到上述各領(lǐng)域中之前，需要將發(fā)光二極管芯片進行封裝，以保護發(fā)光二極管芯片，從而獲得較高的發(fā)光效率及較長的使用壽命。發(fā)光二極管的封裝通常包括固晶、灌膠、烘烤等步驟。其中，固晶是將發(fā)光二極管芯片固定于封裝基板的一凹槽內(nèi)； 灌膠是利用注射或模鑄的方式將液態(tài)封裝材料包覆發(fā)光二極管芯片，發(fā)光二極管芯片所發(fā)之光可透過封裝材料以及通過凹槽內(nèi)壁的反射到達外部空間。然而由于液態(tài)封裝材料具有粘稠性，在注射或模鑄的過程中往往造成封裝材料滲出到凹槽外或使封裝材料在發(fā)光二極管芯片外表面不均勻，如此導(dǎo)致發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)外觀不良，甚至影響發(fā)光二極管發(fā)光性能乃至使用壽命。因此如何克服上述缺陷是業(yè)界面臨的一個問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種發(fā)光二極管封裝方法，利用該種封裝方法得到的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，封裝材料不會外滲。一種發(fā)光二極管封裝方法，包括提供封裝基材，該封裝基材上具有至少一凹杯，凹杯內(nèi)形成一容置槽；提供發(fā)光二極管芯片，將該發(fā)光二極管芯片固定于容置槽底部；使用點膠機具，將點膠機具內(nèi)的液態(tài)封裝膠涂布于發(fā)光二極管芯片表面，且點膠機具在涂布液態(tài)封裝膠時相對容置槽移動，以避免液態(tài)封裝膠滲出該容置槽；及烘烤固化液態(tài)封裝膠，形成封裝層。上述的封裝方法在將液態(tài)封裝膠涂布在發(fā)光二極管芯片表面上時，點膠機具相對容置槽移動，可合理控制容置槽內(nèi)不同位置的封裝膠量，從而避免容置槽內(nèi)某處膠量太多以致滲出容置槽，也可避免某處膠量大、其他處膠量小的膠量不均勻的現(xiàn)象。下面參照附圖，結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步的描述。


圖1至圖4為本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管封裝方法各步驟及由各步驟得到的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為點膠機具各參數(shù)隨容置槽的深度及點膠機具移動方向的變化而變化的曲線示意圖。圖6為本發(fā)明另一實施例的發(fā)光二極管封裝方法中的灌膠步驟示意圖。
主要元件符號說明
封裝基材10
第一表面101
第二表面102
凹杯103
容置槽12
電路結(jié)構(gòu)14
發(fā)光二極管芯片20
固晶膠201
封裝膠30
點膠機具35,351,352
點膠機具移動路徑X
容置槽深度Y
移動速度A
吐膠量B
吐膠壓力C
具體實施例方式本發(fā)明提供的發(fā)光二極管封裝方法可大致包括固晶、灌膠、烘烤等步驟。首先，提供一封裝基材10，圖1為該封裝基材10的剖示示意圖，圖2為該封裝基材10的俯視示意圖。該封裝基材10具有一第一表面101和相對的一第二表面102，該一第一表面101可以是例如頂表面，第二表面102可以是例如底表面。頂表面上具有至少一凹杯103，凹杯103 內(nèi)形成一容置槽12。進一步的，該底表面上形成電路結(jié)構(gòu)14，且該電路結(jié)構(gòu)14貫穿封裝基材10并暴露于容置槽12底部。請參圖2，本實施例中的容置槽12具有一大致呈橢圓狀的開口，底部大致呈方形。當(dāng)然，在其他實施例中，該容置槽12可呈其他形狀，例如是圓臺狀寸。請再參考圖3，提供發(fā)光二極管芯片20，并將發(fā)光二極管芯片20固定于容置槽12 的底部。本實施例中發(fā)光二極管芯片20為覆晶式發(fā)光二極管，并通過固晶膠201固定于容置槽12，并與電路結(jié)構(gòu)14形成電連接。其他實施例中發(fā)光二極管芯片20可為垂直式發(fā)光二極管，也可以通過打線的方式固定在容置槽12的底部。圖4示出了灌膠的步驟，一點膠機具35內(nèi)盛裝液態(tài)的封裝膠30，該封裝膠30被涂布在發(fā)光二極管芯片20表面，且在涂布封裝膠30時，該點膠機具35相對容置槽12移動。 由于容置槽12各處深度不一，可容納封裝膠30的量也不一樣。點膠機具35相對容置槽12 移動，則可合理控制容置槽12內(nèi)不同位置的封裝膠30的量，從而避免容置槽12內(nèi)某處膠量太多以致滲出容置槽12，也可避免某處膠量大、其他處膠量小的膠量不均勻的現(xiàn)象。該點膠機具35可沿圖4中箭頭所示的方向，從容置槽12的一側(cè)移動至相對的另一側(cè)，也即沿容置槽12開口的長軸方向移動。當(dāng)然點膠機具35的移動路徑不限于此，還可以是從中間向四周的重復(fù)往返路徑，或者螺旋形路徑等。在一實施例中，封裝膠30在容置槽12中形成為平面，并與封裝基材10的凹杯103頂部相平。由于不需采用模具即可達成該形狀的封裝結(jié)構(gòu)，因此本發(fā)明提供的封裝方法形成平面的封裝膠30更簡便。進一步的，該點膠機具35的移動速度、吐膠量、吐膠壓力等參數(shù)還可以隨對應(yīng)容置槽12的不同位置發(fā)生變化。請再參考圖5，其中坐標X軸表示點膠機具35在圖4中所示的移動路徑，坐標Y軸表示容置槽12的深度，曲線A表示點膠機具35的移動速度，曲線 B表示點膠機具35的吐膠量，曲線C表示點膠機具35的吐膠壓力。在一些實施例中，點膠機具35的吐膠量、吐膠壓力可保持不變，而點膠機具35的移動速度可如圖5中的曲線A所示的趨勢變化，即，對應(yīng)容置槽12的深度越大的位置，點膠機具35的移動速度越小。當(dāng)點膠機具35對應(yīng)在容置槽12的底部的上方時，點膠機具35的移動速度保持最小值不變。在一實施例中，點膠機具35的移動速度、吐膠壓力可保持不變，而點膠機具35的吐膠量可如圖5中的曲線B所示的趨勢變化，即對應(yīng)容置槽12的深度越大的位置，點膠機具35的吐膠量越大。當(dāng)點膠機具35對應(yīng)在容置槽12的底部的上方時，點膠機具35的吐膠量保持最大值不變。在一實施例中，點膠機具35的移動速度、吐膠量可保持不變，而點膠機具35的吐膠壓力可如圖5中的曲線C所示的趨勢變化，即對應(yīng)容置槽12的深度越大的位置，點膠機具35的吐膠壓力越大。當(dāng)點膠機具35對應(yīng)在容置槽12的底部的上方時，點膠機具35的吐膠壓力保持最大值不變。圖5中只是定性的示意出點膠機具35的各參數(shù)的變化趨勢，點膠機具35的移動速度、吐膠量、吐膠壓力的具體數(shù)值可依容置槽12的具體尺寸確定。另外，在一實施例中， 點膠機具35的移動速度、吐膠量、吐膠壓力各參數(shù)在點膠機具35移動過程中，可同時有兩個發(fā)生變化，或者三者同時都發(fā)生變化，變化趨勢均與圖5中所示相同，但具體數(shù)值會依參數(shù)的變化量及容置槽12的尺寸而有所不同。采用上述方法灌膠可避免封裝膠30滲出至容置槽12外，且可保證封裝膠30在發(fā)光二極管芯片20表面均勻。灌膠后，再進行烘烤的步驟，使封裝膠30固化形成封裝層。至此，已得到發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，必要時還可以進行切割等其他步驟。圖6所示為本發(fā)明另一實施例的發(fā)光二極管封裝方法中的灌膠步驟。與前述實施例中不同的是，該實施例中具有兩臺點膠機具351、352，灌膠時，該兩臺點膠機具35按圖6 中箭頭所示方向，從容置槽12的中間分別向容置槽12的兩側(cè)移動。點膠機具351、352的移動速度、吐膠量、吐膠壓力等參數(shù)也可如上述實施例中作相同的變化，在此不再贅述。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝方法，包括提供封裝基材，該封裝基材上具有至少一凹杯，凹杯內(nèi)形成一容置槽；提供發(fā)光二極管芯片，將該發(fā)光二極管芯片固定于容置槽底部；使用點膠機具，將點膠機具內(nèi)的液態(tài)封裝膠涂布于發(fā)光二極管芯片表面，且點膠機具在涂布液態(tài)封裝膠時相對該容置槽移動，以避免液態(tài)封裝膠滲出該容置槽；及烘烤固化液態(tài)封裝膠，形成封裝層。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于所述點膠機具的數(shù)量為一個，且該點膠機具在涂布液態(tài)封裝膠的過程中從容置槽的一側(cè)移動到相對的另一側(cè)。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于所述點膠機具的數(shù)量為兩個，且兩臺點膠機具在涂布液態(tài)封裝膠的過程中從容置槽的中間分別向兩側(cè)移動。
4.如權(quán)利要求1-3項中任意一項所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于所述點膠機具的移動速度隨點膠機具與容置槽的相對位置變化，對應(yīng)容置槽的深度越大的位置，點膠機具的移動速度越小。
5.如權(quán)利要求1-3項中任意一項所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于所述點膠機具的吐膠量隨點膠機具與容置槽的相對位置變化，對應(yīng)容置槽的深度越大的位置，點膠機具的吐膠量越大。
6.如權(quán)利要求1-3項中任意一項所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于所述點膠機具的吐膠壓力隨點膠機具與容置槽的相對位置變化，對應(yīng)容置槽的深度越大的位置，點膠機具的吐膠壓力越大。
7.如權(quán)利要求1-3項中任意一項所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于所述點膠機具的移動速度、吐膠量、吐膠壓力三個參數(shù)中至少兩個參數(shù)同時發(fā)生變化，且對應(yīng)容置槽的深度越大的位置，點膠機具的移動速度越小、吐膠量越大、吐膠壓力越大。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于所述封裝基材上還形成電路結(jié)構(gòu)，發(fā)光二極管芯片固定于容置槽底部時與電路結(jié)構(gòu)形成電連接。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于所述封裝層與凹杯的頂部相平。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝方法，包括提供封裝基材，該封裝基材上具有至少一凹杯，凹杯內(nèi)形成一容置槽；提供發(fā)光二極管芯片，將該發(fā)光二極管芯片固定于容置槽底部；使用點膠機具，將點膠機具內(nèi)的液態(tài)封裝膠涂布于發(fā)光二極管芯片表面，且點膠機具在涂布液態(tài)封裝膠時相對容置槽移動，以避免液態(tài)封裝膠滲出該容置槽；及烘烤固化液態(tài)封裝膠，形成封裝層。本發(fā)明提供的封裝方法在將液態(tài)封裝膠涂布在發(fā)光二極管芯片表面上時，點膠機具相對容置槽移動，可合理控制容置槽內(nèi)不同位置的封裝膠量，從而避免容置槽內(nèi)某處膠量太多以致滲出容置槽，也可避免某處膠量大、其他處膠量小的膠量不均勻的現(xiàn)象。
文檔編號H01L33/48GK102412344SQ201010288449
公開日2012年4月11日 申請日期2010年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月23日
發(fā)明者張超雄, 胡必強 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司