專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種提高耐久性并抑制缺陷的產(chǎn)生的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器 及其制造方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器具有自發(fā)光特性，與液晶顯示器不同，OLED顯示器 不需要例如背光的單獨(dú)的光源。因此，OLED顯示器可具有減小了的厚度和重量。另外，由 于OLED顯示器具有諸如低功耗、高亮度、快響應(yīng)等的高質(zhì)量特性，所以O(shè)LED顯示器作為用 于便攜式電子裝置的下一代顯示裝置而引起注意。通常，OLED顯示器包括具有OLED的顯示基底、與顯示基底相對(duì)地設(shè)置以保護(hù)OLED 的封裝基底以及將顯示基底和封裝基底粘合并密封到一起的密封劑。由于在顯示器基底和 封裝基底之間設(shè)置有空的空間，所以存在當(dāng)受到外部沖擊時(shí)會(huì)危害OLED顯示器的機(jī)械強(qiáng) 度的問題。為了解決這個(gè)問題，可通過真空結(jié)合工藝(bonding process)利用填充物填充顯 示基底和封裝基底之間的空的空間，以使OLED顯示器受到外部沖擊時(shí)不容易損壞。然而， 當(dāng)利用填充物填充顯示基底和封裝基底之間的空間時(shí)，填充物與沿顯示基底和封裝基底的 邊緣布置的密封劑接觸。當(dāng)出現(xiàn)這種接觸時(shí)，填充物會(huì)影響密封劑的硬化或凝固過程。結(jié) 果，存在密封劑不能使顯示基底和封裝基底穩(wěn)固地密封和結(jié)合的問題。

發(fā)明內(nèi)容
描述的技術(shù)已經(jīng)致力于提供一種具有降低顯示器受損的可能性并同時(shí)抑制缺陷 的優(yōu)點(diǎn)的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。此外，本發(fā)明提供了一種制造OLED顯示器的方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，所述OLED顯示 器包括顯示基底，包括有機(jī)發(fā)光元件和具有限定有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域的開口的像素 限定層；封裝基底，布置為與顯示基底相對(duì)；密封劑，布置在顯示基底和封裝基底之間的邊 緣處，以從外部密封顯示基底和封裝基底之間的空間；填充物，填充顯示基底和封裝基底之 間的空間，其中，像素限定層具有隨位置而改變的厚度，像素限定層的最接近在顯示基底的 邊緣處的密封劑的部分具有比像素限定層在顯示基底的全部其它部分的厚度厚的厚度?？稍陲@示器中的像素限定層具有相對(duì)小的厚度的位置處布置滴落點(diǎn)，像素限定層 的厚度以階梯方式改變。像素限定層可包括布置在滴落點(diǎn)附近的最薄厚度部分和布置在顯 示基底的邊緣處的最厚厚度部分，像素限定層的厚度從最薄厚度部分到最厚厚度部分逐漸 增大。像素限定層可具有階梯結(jié)構(gòu)的剖面。像素限定層可具有線性傾斜結(jié)構(gòu)的剖面。所述 OLED顯示器還可包括布置在顯示基底和封裝基底中的至少一個(gè)上的多個(gè)分隔件，以保持 顯示基底和封裝基底之間的間距。所述多個(gè)分隔件中的一些可具有根據(jù)位置變化的長(zhǎng)度。 OLED顯示器可包括至少兩個(gè)單獨(dú)的滴落點(diǎn)。滴落點(diǎn)可沿與顯示基底的長(zhǎng)邊平行的方向設(shè)置。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種制造有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的方法，該 方法包括以下步驟設(shè)置顯示基底和封裝基底；在顯示基底上形成像素限定層，像素限定 層具有在不同位置變化的厚度，其中，像素限定層的具有相對(duì)薄的厚度的部分包括滴落點(diǎn)， 像素限定層的邊緣具有最厚的厚度；沿顯示基底和封裝基底中的至少一個(gè)的邊緣涂覆密封 劑；將填充物滴落到顯示基底的滴落點(diǎn)上；允許填充物擴(kuò)散到顯示基底的邊緣；通過使顯 示基底與封裝基底結(jié)合在一起來將顯示基底和封裝基底密封到一起。顯示基底還可包括有機(jī)發(fā)光元件，像素限定層可具有限定有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)光區(qū) 域的開口。像素限定層可包括鄰近滴落點(diǎn)并在滴落點(diǎn)附近布置的最薄厚度部分和在顯示基 底的邊緣處布置的最厚厚度部分，密封劑可布置為接近像素限定層的最厚厚度部分。像素 限定層的厚度可從最薄厚度部分到最厚厚度部分逐漸增大。像素限定層可具有階梯結(jié)構(gòu)的 剖面。像素限定層可具有線性傾斜結(jié)構(gòu)的剖面。該方法還可包括在顯示基底和封裝基底的 至少一個(gè)上形成多個(gè)分隔件。所述多個(gè)分隔件中的一些可具有根據(jù)位置變化的長(zhǎng)度。該方 法還可包括在結(jié)合顯示基底和封裝基底時(shí)使密封劑硬化。OLED顯示器可包括至少兩個(gè)單獨(dú) 的滴落點(diǎn)。滴落點(diǎn)中的一些可沿與顯示基底的長(zhǎng)邊平行的方向布置。


通過參照下面當(dāng)結(jié)合附圖考慮進(jìn)行的詳細(xì)描述來更好地理解本發(fā)明時(shí)，對(duì)本發(fā)明 的更完整的理解以及本發(fā)明的許多附加優(yōu)點(diǎn)將變得明顯，在附圖中，相同的標(biāo)號(hào)表示相同 或相似的組件，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的剖視 圖；圖2是圖1的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的集中體現(xiàn)密封劑和像素限定層的 俯視圖；圖3是沿圖2的線III-III截取的局部透視圖；圖4是示出圖1的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造工藝的一部分的剖視圖；圖5是示出圖1的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的放大的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的布局圖；圖6是沿圖5的線VI-VI截取的剖視圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的俯視 圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的剖視圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí) 施例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將了解的，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的所有情況下，可以以許 多不同的方式修改描述的實(shí)施例。另外，當(dāng)描述多個(gè)示例性實(shí)施例時(shí)，相同的標(biāo)號(hào)指示與將在第一示例性實(shí)施例中 描述的元件相同的元件。因此，在其它示例性實(shí)施例中，將僅描述不同的元件。因此，附圖和說明將被看作本質(zhì)是示意性的而不是限制性的。相同的標(biāo)號(hào)在整個(gè)說明書中表示相同的元件。為了使層和區(qū)域清楚，示意性地示出了層和區(qū)域的厚度和大小，因此本發(fā)明不限 于此。在附圖中，為了清楚起見，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。此外，為了使一些層 和一些區(qū)域清楚，在附圖中擴(kuò)大了它們的厚度和大小。應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件(例如，層、 膜、區(qū)域或基底)被稱作“在”另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接在所述另一元件上，或者 也可以存在中間元件。此外，雖然在附圖中示出了 2Tr-lCap結(jié)構(gòu)(在該結(jié)構(gòu)中，一個(gè)像素具有兩個(gè)薄膜 晶體管和一個(gè)電容器)的有源矩陣式OLED顯示器，但是本發(fā)明不限于此。因此，可由均具 有三個(gè)或更多個(gè)薄膜晶體管以及兩個(gè)或更多個(gè)電容器的像素來形成OLED顯示器。此外，可 通過增加額外的金屬線來以多種結(jié)構(gòu)形成OLED顯示器。這里，像素是能夠顯示圖像的最小 單元，OLED顯示器利用多個(gè)像素來顯示圖像。接下來，將參照?qǐng)D1至圖3描述第一示例性實(shí)施例。如圖1所示，根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器101包括顯 示基底110、封裝基底210、密封劑350和填充物300。顯示基底110包括第一基底主體111 以及形成在第一基底主體111上的驅(qū)動(dòng)電路DC、有機(jī)發(fā)光元件70和像素限定層190。第一 基底主體111可由絕緣基底(例如，玻璃、石英、陶瓷或塑料)制成，然而由于第一基底主體 111可改由例如不銹鋼的金屬基底制成，所以第一示例性實(shí)施例不限于此。驅(qū)動(dòng)電路DC包括薄膜晶體管10和20 (如圖5所示)，以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光元件70。有 機(jī)發(fā)光元件70根據(jù)從驅(qū)動(dòng)電路DC發(fā)送的驅(qū)動(dòng)信號(hào)來發(fā)射光并顯示圖像。圖5和圖6中示出了有機(jī)發(fā)光元件70和驅(qū)動(dòng)電路DC的詳細(xì)結(jié)構(gòu)，然而由于有機(jī) 發(fā)光元件70和驅(qū)動(dòng)電路DC可在本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易想到的范圍內(nèi)進(jìn)行各種改變，所 以第一示例性實(shí)施例絕不限于圖5和圖6中示出的結(jié)構(gòu)。如圖1和圖3所示，像素限定層190具有限定有機(jī)發(fā)光元件70的發(fā)光區(qū)的多個(gè) 開口 195。此外，像素限定層190具有以階梯形式改變的厚度。像素限定層190的具有最 厚的厚度的部分設(shè)置在顯示基底110的邊緣，像素限定層190的具有最薄的厚度的部分設(shè) 置在顯示基底110的中心部分。此外，如圖2所示，滴落點(diǎn)DP (drop point)位于像素限定 層190的具有最薄的厚度的部分。即，像素限定層190包括滴落點(diǎn)DP所處的最薄厚度部分 191、位于顯示基底110的邊緣的最厚厚度部分193和具有在最薄厚度部分191和最薄厚度 部分193之間的中間厚度的中間厚度部分192。這里，中間厚度部分192可具有以若干階梯 的形式改變的厚度。通過按照第一示例性實(shí)施例這樣設(shè)計(jì)像素限定層190，像素限定層190 的厚度從最薄厚度部分191到最厚厚度部分193以階梯的形式逐漸增大，并且像素限定層 190的剖面具有階梯結(jié)構(gòu)。此外，在第一示例性實(shí)施例中，像素限定層190的最薄厚度部分 191設(shè)置在顯示基底110的中心部分，因此滴落點(diǎn)DP也設(shè)置在顯示基底110的中心部分。 此外，像素限定層190可由聚丙烯酰類樹脂(polyacryl-based resin)、聚酰亞胺類樹脂或 二氧化硅類無(wú)機(jī)材料制成。再參照?qǐng)D1和圖2，封裝基底210與顯示基底110相對(duì)地布置，從而覆蓋顯示基底 110的有機(jī)發(fā)光元件70和驅(qū)動(dòng)電路DC。封裝基底210包括由諸如玻璃或塑料的透明材料 制成的第二基底主體211。
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密封劑350沿顯示基底110和封裝基底210的邊緣設(shè)置，從而將顯示基底110結(jié) 合到封裝基底210。這里，密封劑350被設(shè)置為接近像素限定層190的最厚厚度部分193。填充物300設(shè)置在顯示基底110和封裝基底210之間，從而填充顯示基底110和 封裝基底210之間的空間。此外，填充物300可由樹脂材料、液晶材料或各種其它已知材料 制成。填充物300填充顯示基底110和封裝基底210之間的空的空間，從而能夠提高有 機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器101的機(jī)械強(qiáng)度。即，填充物300占據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 顯示器101的內(nèi)部，使得OLED顯示器101受到外部沖擊時(shí)不容易損壞。通過將填充物材料滴落到設(shè)置在像素限定層190的最薄厚度部分191中的滴落 點(diǎn)DP上來施加填充物300。填充物材料可隨后擴(kuò)散到顯示基底110的邊緣。像素限定層 190的厚度在滴落點(diǎn)DP所處的位置處最薄，在最接近密封劑350的顯示基底110的邊緣處 最厚。因此，可通過像素限定層190的輪廓來控制填充物300從滴落點(diǎn)DP的擴(kuò)散和流動(dòng)。 即，像素限定層190的輪廓或外形抑制了填充物300與密封劑350的過快接觸，使得密封劑 350不受填充物300影響地凝固和硬化。此外，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器101還可包括形成在顯示基底110和封裝基 底210的至少一個(gè)上的多個(gè)分隔件250，以保持顯示基底110和封裝基底210之間的間距。 在根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器101中，分隔件250防止 顯示基底110和封裝基底210彼此接觸。另外，分隔件250的高度不需要在整個(gè)顯示基底 110和封裝基底210的區(qū)域中始終均勻。分隔件250與顯示基底110和封裝基底210接觸以防止顯示基底110的有機(jī)發(fā)光 元件70損壞并防止出現(xiàn)劣化。此外，根據(jù)多個(gè)分隔件250的位置，考慮到像素限定層190的厚度隨位置變化而變 化，所以分隔件可具有不同的長(zhǎng)度。這里，分隔件250的長(zhǎng)度表示沿與顯示基底110的表面 垂直的方向取得的分隔件250的高度。此外，多個(gè)分隔件250與像素限定層190 —起能夠控制填充物300從滴落點(diǎn)DP到 顯示器上的其它位置的擴(kuò)散和流動(dòng)。這里，可適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)分隔件250的寬度、高度、形狀和 密度來控制填充物300的擴(kuò)散和流動(dòng)。通過上述構(gòu)造，提高了有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器101對(duì)外部沖擊的耐久性， 并抑制了密封劑劣化的產(chǎn)生。接下來，將參照?qǐng)D2和圖4描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 顯示器101的制造方法。首先，形成包括具有若干階梯的像素限定層190的顯示基底110。像素限定層190 具有在滴落點(diǎn)DP所處位置的最薄厚度部分，以及設(shè)置在顯示基底110的邊緣上的最厚厚度 部分。即，像素限定層190包括最薄厚度部分191，在滴落點(diǎn)DP所處的位置；最厚厚度部 分193，設(shè)置在顯示基底110的邊緣上；中間厚度部分192，具有在最薄厚度部分191和最厚 厚度部分193之間的中間厚度。另外，在第一示例性實(shí)施例中，像素限定層190的最薄厚度 部分191和滴落點(diǎn)DP設(shè)置在顯示基底110的中心部分。這樣，像素限定層190的厚度從滴落點(diǎn)DP所處的最薄厚度部分191到最厚厚度部 分193逐漸增大，并且像素限定層190的剖面具有階梯。
此外，顯示基底110還包括有機(jī)發(fā)光元件70，像素限定層190具有限定有機(jī)發(fā)光元 件70的發(fā)光區(qū)的多個(gè)開口 195。然后，在顯示基底110的像素限定層190上形成多個(gè)分隔件250。然而，第一示例 性實(shí)施例不限于此，這是因?yàn)榉指艏?50也可形成在將要與顯示基底110相對(duì)地布置的封 裝基底210上。另外，分隔件250可與像素限定層190—體地形成。即，當(dāng)通過半色調(diào)(half-tone) 工藝形成像素限定層190時(shí)，可通過控制曝光量來一起形成像素限定層190和分隔件250。 此外，像素限定層190和分隔件250可由聚丙烯酰類樹脂、聚酰亞胺類樹脂或二氧化硅類無(wú) 機(jī)材料制成。然后，將密封劑350涂敷到顯示基底110的邊緣上。這里，密封劑350被設(shè)置為接 近于像素限定層190的最厚厚度部分193。然而，密封劑350并不總是需要形成在顯示基 底110上。因此，密封劑350也可被涂敷到封裝基底210。當(dāng)密封劑350被涂敷到封裝基底 210并且當(dāng)顯示基底110和封裝基底210隨后結(jié)合時(shí)，密封劑350位于接近像素限定層190 的最厚厚度部分193處。然后，填充物材料被最初滴落到設(shè)置在像素限定層190的最薄厚度部分191中的 滴落點(diǎn)DP上，然后填充物材料朝顯示基底110的邊緣擴(kuò)散。這里，具有以若干階梯的形式改 變的厚度的像素限定層190控制最初滴落到滴落點(diǎn)DP上的填充物300的擴(kuò)散和流動(dòng)。艮口， 像素限定層190用于延遲填充物300與密封劑350的接觸。結(jié)果，像素限定層190使在密 封劑350的凝固過程中由填充物300與密封劑350的快速接觸而導(dǎo)致的對(duì)密封劑350的損 壞最小化。接下來，通過真空結(jié)合法將顯示基底110和封裝基底210結(jié)合，使得密封劑350和 填充物300置于顯示基底110和封裝基底210之間。然后，密封劑350硬化，從而區(qū)別于顯 示器的外部完全地密封顯示基底110和封裝基底210之間的空間。通過該制造方法，實(shí)現(xiàn)了有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器101抗沖擊的耐久性，并 且抑制了密封劑劣化的產(chǎn)生。然后，將參照?qǐng)D5和圖6描述有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器101的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖 5是示出在顯示基底上聚焦的像素的結(jié)構(gòu)的布局圖，圖6是示出了沿圖5的線VI-VI截取的 顯示基底110和封裝基底210的剖視圖。如圖5和圖6所示，顯示基底110在每個(gè)像素中包括開關(guān)薄膜晶體管10、驅(qū)動(dòng)薄 膜晶體管20、電容器80和OLED 70。這里，包括開關(guān)薄膜晶體管10、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管20和 電容器80的構(gòu)造稱作驅(qū)動(dòng)電路DC。此外，顯示基底110還包括沿一個(gè)方向設(shè)置的柵電極 線151、與柵電極線151交叉并絕緣的數(shù)據(jù)線171和共電源線172。這里，一個(gè)像素可由柵 電極線151、數(shù)據(jù)線171和共電源線172限定，然而本發(fā)明不限于此。有機(jī)發(fā)光元件70包括像素電極710、形成在像素電極710上的有機(jī)發(fā)射層720和 形成在有機(jī)發(fā)射層720上的共電極730。這里，像素電極710是正(+)極或陽(yáng)極，并且是空 穴注入電極，共電極730是負(fù)(-)極或陰極，并且是電子注入電極。然而，本發(fā)明不需局限于 此，根據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管顯示器101的驅(qū)動(dòng)方法，像素電極710可以是陰極并且共電極730 可以是陽(yáng)極。空穴和電子分別從像素電極710和共電極730注入到有機(jī)發(fā)射層720中。當(dāng) 作為注入的空穴和電子的結(jié)合的激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)，發(fā)射光。
此外，在根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中，有機(jī)發(fā)光二極管70 向封裝基底210的方向發(fā)光。即，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器101為前發(fā)射型。這里，為了有機(jī) 發(fā)光元件70向封裝基底210的方向發(fā)光，像素電極710是反射電極并且共電極730是透明 電極或半透明電極。然而，在第一示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器101不 限于前發(fā)光型。因此，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器101也可是后發(fā)光型或雙側(cè)發(fā)光型。電容器80具有一對(duì)電容器電極板158和178以及插入到兩個(gè)電容器電極板158 和178之間的層間絕緣層160。層間絕緣層160用作電介質(zhì)。根據(jù)充入到電容器80的電荷 以及施加到兩個(gè)電容器電極板158和178的電壓來確定電容。開關(guān)薄膜晶體管10包括開關(guān)半導(dǎo)體層131、開關(guān)柵電極152、開關(guān)源電極173和開 關(guān)漏電極174。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管20包括驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層132、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155、驅(qū)動(dòng)源電極176 和驅(qū)動(dòng)漏電極177。開關(guān)薄膜晶體管10用作選擇將發(fā)光的像素的開關(guān)。開關(guān)柵電極152連接到柵電 極線151，開關(guān)源電極173連接到數(shù)據(jù)線171，開關(guān)漏電極174連接到一個(gè)電容器電極板158 同時(shí)與開關(guān)源電極173分開。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管20將驅(qū)動(dòng)電壓施加到像素電極710，以激發(fā)所選擇的像素中的第 一有機(jī)發(fā)光二極管70的有機(jī)發(fā)射層720。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155連接到與開關(guān)漏電極174連接的 電容器電極板158。驅(qū)動(dòng)源電極176和另一電容器電極板178均連接到共電源線172。驅(qū) 動(dòng)漏電極177通過接觸孔連接到有機(jī)發(fā)光二極管70的像素電極710。通過上述結(jié)構(gòu)，利用施加到柵電極線151的柵電極電壓操作開關(guān)薄膜晶體管10， 并開關(guān)且薄膜晶體管10將施加到數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)電壓傳輸?shù)津?qū)動(dòng)薄膜晶體管20。與從 共電源線172施加到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管20的共電壓和從開關(guān)薄膜晶體管10傳輸?shù)臄?shù)據(jù)電壓 之間的差對(duì)應(yīng)的電壓存儲(chǔ)在電容器80中，與存儲(chǔ)在電容器80中的電壓對(duì)應(yīng)的電流通過驅(qū) 動(dòng)薄膜晶體管20流到有機(jī)發(fā)光二極管70，從而激發(fā)有機(jī)發(fā)光二極管70。此外，如圖6所示， 用于保護(hù)有機(jī)發(fā)光元件70的封裝基底210設(shè)置在有機(jī)發(fā)光元件70上。下面，將參照?qǐng)D7描述本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例。如圖7所示，根據(jù)第二示例性 實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器102具有兩個(gè)或多個(gè)滴落點(diǎn)DP。此外，可形成包括 兩個(gè)或多個(gè)滴落點(diǎn)DP的像素限定層290的最薄厚度部分291。像素限定層290的最厚厚度 部分293被設(shè)置為接近在顯示基底110的邊緣處的密封劑350。代替在第一實(shí)施例中的像 素限定層290的厚度以階梯形式而變化，第二實(shí)施例的像素限定層290的厚度從最薄厚度 部分291通過中間厚度部分292逐漸增大到最厚厚度部分293。顯示基底110具有矩形形狀并具有一對(duì)長(zhǎng)邊和一對(duì)短邊。滴落點(diǎn)DP沿與顯示基 底110的長(zhǎng)邊平行的方向設(shè)置。當(dāng)?shù)温潼c(diǎn)DP如在第一實(shí)施例中那樣設(shè)置在矩形形狀的顯示基底110的一個(gè)中心 部分時(shí)，填充物300從滴落點(diǎn)DP擴(kuò)散到顯示基底110的長(zhǎng)邊緣和短邊緣所需的時(shí)間彼此不 同。即，在填充劑300到達(dá)沿短邊緣形成的密封劑350之前，填充物300到達(dá)沿顯示基底110 的長(zhǎng)邊緣形成的密封劑350。因此，填充物300對(duì)密封劑350的凝固的影響變得不均勻，使 得會(huì)在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器101中出現(xiàn)密封劑的劣化。然而，在第二示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器102具有兩個(gè)或多 個(gè)滴落點(diǎn)DP，并且滴落點(diǎn)DP沿與顯示基底110的長(zhǎng)邊緣平行的方向設(shè)置，從而利用本發(fā)明
9第二實(shí)施例的設(shè)計(jì)，填充物300擴(kuò)散并到達(dá)密封劑350的不同部分所需的時(shí)間差縮短。通過上述構(gòu)造，提高了有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器102抗沖擊的耐久性，并抑 制了密封劑劣化的產(chǎn)生。此外，除了將填充物300滴落在兩個(gè)或多個(gè)滴落點(diǎn)DP(而不是一個(gè))，并且填充 物的擴(kuò)散從兩個(gè)或多個(gè)滴落點(diǎn)DP(而不是一個(gè))發(fā)散之外，根據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī) 發(fā)光二極管(OLED)顯示器102的制造方法與根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管 (OLED)顯示器101的制造方法相同。下面，將參照?qǐng)D8描述本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例。如圖8所示，根據(jù)第三示例性 實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器104包括具有逐漸傾斜的剖面的像素限定層490。 即，像素限定層490的厚度從滴落點(diǎn)所處的部分向顯示基底110的邊緣逐漸線性增大。在 圖8中，元件標(biāo)號(hào)495表示像素限定層490中的限定有機(jī)發(fā)光元件70的發(fā)光區(qū)的開口。通過上述構(gòu)造，當(dāng)填充物300滴落到設(shè)置在像素限定層490的最薄厚度部分上的 滴落點(diǎn)中，并擴(kuò)散到顯示基底110的邊緣時(shí)，像素限定層490防止填充物快速擴(kuò)散至密封劑 350，從而填充物300不影響密封劑350的凝固過程。另外，根據(jù)第三示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器104的制造方法與 根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器101的制造方法相同。雖然已經(jīng)結(jié)合當(dāng)前認(rèn)為可實(shí)施的示例性實(shí)施例描述了本公開，但是應(yīng)該理解的 是，本發(fā)明不限于公開的實(shí)施例，而是相反，本發(fā)明意圖覆蓋包括在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)的 各種修改和等同布置。
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權(quán)利要求
一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括顯示基底，包括有機(jī)發(fā)光元件和具有限定有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域的開口的像素限定層；封裝基底，布置為與顯示基底相對(duì)；密封劑，布置在顯示基底和封裝基底之間的邊緣處，以從外部密封顯示基底和封裝基底之間的空間；填充物，填充顯示基底和封裝基底之間的空間，其中，像素限定層具有隨位置而改變的厚度，像素限定層的最接近在顯示基底的邊緣的密封劑的部分具有比像素限定層在顯示基底的全部其它部分的厚度厚的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，在顯示基底中的像素限定層具 有相對(duì)小的厚度的位置處布置滴落點(diǎn)，像素限定層的厚度以階梯方式改變。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，像素限定層包括布置在滴落點(diǎn) 附近的最薄厚度部分和布置在顯示基底的邊緣處的最厚厚度部分，像素限定層的厚度從最 薄厚度部分到最厚厚度部分逐漸增大。
4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，像素限定層具有階梯結(jié)構(gòu)的剖
5.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，像素限定層具有線性傾斜結(jié)構(gòu) 的剖面。
6.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括布 置在顯示基底和封裝基底中的至少一個(gè)上的多個(gè)分隔件，以保持顯示基底和封裝基底之間 的間距。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述多個(gè)分隔件中的一些具有 根據(jù)位置變化的長(zhǎng)度。
8.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包 括至少兩個(gè)單獨(dú)的滴落點(diǎn)。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，滴落點(diǎn)沿與顯示基底的長(zhǎng)邊平 行的方向設(shè)置。
10.一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，該方法包括以下步驟設(shè)置顯示基底和封裝基底；在顯示基底上形成像素限定層，像素限定層具有在不同位置而變化的厚度，其中，像素 限定層的具有相對(duì)薄的厚度的部分包括滴落點(diǎn)，像素限定層的邊緣具有最厚的厚度；沿顯示基底和封裝基底中的至少一個(gè)的邊緣涂覆密封劑；將填充物滴落到顯示基底的滴落點(diǎn)上；允許填充物擴(kuò)散到顯示基底的邊緣；通過使顯示基底與封裝基底結(jié)合在一起來將顯示基底和封裝基底密封到一起。
11.如權(quán)利要求10所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，其中顯示基底還包括有機(jī)發(fā)光元件，像素限定層具有限定有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域的開口。
12.如權(quán)利要求10所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，其中像素限定層包括鄰近滴落點(diǎn)并在滴落點(diǎn)附近布置的最薄厚度部分和在顯示基底的邊 緣布置的最厚厚度部分，密封劑布置成接近像素限定層的最厚厚度部分。
13.如權(quán)利要求12所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，其中，像素限定層的厚 度從最薄厚度部分到最厚厚度部分逐漸增大。
14.如權(quán)利要求13所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，其中，像素限定層具有 階梯結(jié)構(gòu)的剖面。
15.如權(quán)利要求13所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，其中，像素限定層具有 線性傾斜結(jié)構(gòu)的剖面。
16.如權(quán)利要求10所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，還包括在顯示基底和封 裝基底的至少一個(gè)上形成多個(gè)分隔件。
17.如權(quán)利要求16所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，其中，所述多個(gè)分隔件 中的一些具有根據(jù)位置而變化的長(zhǎng)度。
18.如權(quán)利要求10所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，還包括在將顯示基底和 封裝基底結(jié)合在一起時(shí)使密封劑硬化。
19.如權(quán)利要求11所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，其中，有機(jī)發(fā)光二極管 顯示器包括至少兩個(gè)單獨(dú)的滴落點(diǎn)。
20.如權(quán)利要求19所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，其中，滴落點(diǎn)沿與顯示 基底的長(zhǎng)邊平行的方向布置。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括顯示基底，包括有機(jī)發(fā)光元件和具有限定有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域的開口的像素限定層；封裝基底，布置為與顯示基底相對(duì)；密封劑，布置在顯示基底和封裝基底之間的邊緣處，以從外部密封顯示基底和封裝基底之間的空間；填充物，填充顯示基底和封裝基底之間的空間，其中，像素限定層具有隨位置而改變的厚度，像素限定層的最接近在顯示基底的邊緣處的密封劑的部分具有比像素限定層在顯示基底的全部其它部分的厚度厚的厚度。
文檔編號(hào)H01L51/52GK101950795SQ201010227430
公開日2011年1月19日 申請(qǐng)日期2010年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月10日
發(fā)明者李京俊, 裴圣鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社