專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在以往的半導(dǎo)體裝置中已知具有被稱為CSP(chip size package 芯片尺寸封裝) 且螺旋形狀的薄膜感應(yīng)元件。例如，在日本專利公開公報2008-210828號公報中公開了下 述這樣的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置具備半導(dǎo)體襯底。在半導(dǎo)體襯底的上表面設(shè)有絕緣膜。 在絕緣膜的上表面上設(shè)有多個布線以及螺旋形狀的薄膜感應(yīng)元件。在布線的連接焊盤部上 表面設(shè)有柱狀電極。在柱狀電極的周圍設(shè)有密封膜。在柱狀電極的上表面設(shè)有焊球。然而，在上述這樣的半導(dǎo)體裝置中，絕緣膜構(gòu)成為包括了設(shè)置在半導(dǎo)體襯底的上 表面上的由氧化硅等構(gòu)成的鈍化膜以及在其上表面上設(shè)置的由聚酰亞胺類樹脂等構(gòu)成的 保護(hù)膜，若在保護(hù)膜的上表面上設(shè)有布線以及薄膜感應(yīng)元件，則當(dāng)布線中流過電流時，通過 感應(yīng)會在半導(dǎo)體襯底中產(chǎn)生渦流。而且，該渦流會在薄膜感應(yīng)元件中產(chǎn)生渦流損失，導(dǎo)致薄 膜感應(yīng)元件的特性劣化。為了解決該問題，在上述日本專利公開公報2008-210828號公報所記載的半導(dǎo)體 裝置中，在半導(dǎo)體襯底上的鈍化膜和薄膜感應(yīng)元件之間設(shè)置了由下述材料構(gòu)成的磁性膜， 以取代由聚酰亞胺類樹脂等構(gòu)成的保護(hù)膜，所述材料是在由聚酰亞胺類樹脂等構(gòu)成的熱硬 化性樹脂中摻入軟磁性體粉末后所形成的材料。而且，通過這樣，能夠降低因在半導(dǎo)體襯底 中產(chǎn)生渦流而引起的薄膜感應(yīng)元件的渦流損失。然而，在上述的半導(dǎo)體裝置中，由于磁性膜是向由聚酰亞胺類樹脂等構(gòu)成的熱硬 化性樹脂中摻入價格比較高的材料即軟磁性體粉末而形成的，因此價格變得比較高。另外， 很難均勻地向熱硬化性樹脂中分散軟磁性體粉末。在此，若產(chǎn)生軟磁性體粉末的分散過密 的部位，則有發(fā)生電路短路的危險。另一方面，若產(chǎn)生軟磁性體粉末的分散過疏的部位，則 降低渦流損失的效果會變差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的優(yōu)點在于能夠提供一種價格比較低廉且能夠防止電路短路，并且能夠?qū)?現(xiàn)均勻的降低渦流損失的效果的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。可以獲得上述優(yōu)點的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具備形成有集成電路的半導(dǎo)體襯底； 第一樹脂膜，設(shè)在上述半導(dǎo)體襯底上；第二樹脂膜，設(shè)在上述第一樹脂膜的至少除了周邊部 之外的上表面上；以及薄膜感應(yīng)元件，設(shè)在上述第二樹脂膜上?？梢垣@得上述優(yōu)點的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括在半導(dǎo)體襯底的整個上表面上形成第一樹脂膜的工序，該半導(dǎo)體襯底上形成有集成電路，并且在周邊部上設(shè)有與上述集成電路連接的多個連接焊盤；在上述第一樹脂膜上的上述連接焊盤的內(nèi)側(cè)區(qū)域形 成第二樹脂膜的工序；以及在上述第二樹脂膜上形成薄膜感應(yīng)元件的工序。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，由于在第二樹脂膜上設(shè)置薄膜感應(yīng)元件，該第二樹脂膜設(shè)置在半導(dǎo) 體襯底上所設(shè)置的第一樹脂膜的至少除了周邊部之外的上表面上，利用第一和第二樹脂膜 的合計厚度，能夠降低因在半導(dǎo)體襯底中產(chǎn)生渦流而引起薄膜感應(yīng)元件的渦流損失。在該 情況下，由于第二樹脂膜是由價格比較低的樹脂形成的，因此能夠以比較低的價格，防止電 路短路，并且，能夠均勻地發(fā)揮降低渦流損失的效果。


通過下面的描述和附圖可以充分地理解本發(fā)明，但下面的描述和附圖僅用于解釋 本發(fā)明，并不以此來限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。圖IA是本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分的俯視圖(除去圖IB中 的密封膜的狀態(tài))。圖IB是沿圖IA的B-B線的剖視圖。圖2是圖1A、1B所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個例子，是最初準(zhǔn)備的結(jié)構(gòu)的 剖視圖。圖3是圖2的下一工序的剖視圖。圖4是圖3的下一工序的剖視圖。圖5是圖4的下一工序的剖視圖。圖6是圖5的下一工序的剖視圖。圖7是圖6的下一工序的剖視圖。圖8是圖7的下一工序的剖視圖。圖9是圖8的下一工序的剖視圖。圖10是圖9的下一工序的剖視圖。圖11是圖10的下一工序的剖視圖。圖12是圖11的下一工序的剖視圖。圖13A是本發(fā)明的第二實施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分的俯視圖(除去圖13B 中的密封膜(封止膜)的狀態(tài))。圖13B是沿圖13A的B-B線的剖視圖。圖14是圖13A、13B所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個例子，是規(guī)定的工序的剖 視圖。圖15是圖14的下一工序的剖視圖。圖16是圖15的下一工序的剖視圖。圖17是圖16的下一工序的剖視圖。
具體實施例方式下面，參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進(jìn)行說明。但是，在以下所述的實施方式中，雖然對實施本發(fā)明的技術(shù)進(jìn)行了多種優(yōu)選的限定，但本發(fā)明的范圍并不僅限于下述實 施方式以及圖示例。(第一實施方式)圖IA是表示本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分的俯視圖(除去圖 IB中的密封膜后的狀態(tài))。圖IB是表示沿圖IA的B-B線的剖視圖。該半導(dǎo)體裝置具有一般被稱為CSP的平面方形狀的硅襯底(半導(dǎo)體襯底)1。在硅 襯底1的上表面形成有用于構(gòu)成規(guī)定功能的集成電路的元件，例如，晶體管、二極管、電阻、 電容等的電路元件(未圖示)，在上表面周邊部設(shè)有由鋁系金屬等構(gòu)成的多個連接焊盤2a、 2b，該多個連接焊盤2a、2b與集成電路連接。在該情況下，附圖標(biāo)記2b所表示的連接焊盤 是與后述的螺旋形狀的薄膜感應(yīng)元件11的外端部連接的構(gòu)件。在除了連接焊盤2a、2b的中央部之外的硅襯底1的上表面上設(shè)有由氧化硅等構(gòu)成 的鈍化膜3。連接焊盤2a、2b的中央部通過鈍化膜3上設(shè)置的開口部4a、4b而露出。在鈍 化膜3的上表面上設(shè)有由聚酰亞胺類樹脂、聚苯并噁唑(polybenzoxazole)等的樹脂構(gòu)成 的第一保護(hù)膜(第一樹脂膜)5。在第一保護(hù)膜5的與鈍化膜3的開口部4a、4b對應(yīng)的部分 上設(shè)有開口部6a、6b。在第一保護(hù)膜5上的比半導(dǎo)體襯底1的上述連接焊盤更內(nèi)側(cè)的區(qū)域，即除了設(shè)有 開口部6a、6b的周邊部之外的區(qū)域中設(shè)有第二保護(hù)膜(第二樹脂膜)7。第二保護(hù)膜7也可 以由與第一保護(hù)膜5相同的樹脂構(gòu)成。在該情況下，第二保護(hù)膜7的側(cè)面為傾斜面8。在此，第一保護(hù)膜5的厚度為例如2 6μπι左右的比較薄的厚度，第二保護(hù)膜7 的厚度是例如8 14 μ m左右，比第一保護(hù)膜5厚，是第一保護(hù)膜5的2倍以上的厚度。在 該情況下，第一保護(hù)膜5和第二保護(hù)膜7的厚度的合計是10 20 μ m左右即可，并不一定 需要使第二保護(hù)膜7的厚度比第一保護(hù)膜5的厚度大。但是，為了實現(xiàn)布線的高密度化，需 要形成開口部6a、6b的第一保護(hù)膜5的厚度盡可能地優(yōu)選薄的厚度。在第一保護(hù)膜5的周邊部上表面以及第二保護(hù)膜7的包括傾斜面8在內(nèi)的上表面 上設(shè)有多個布線9以及一個薄膜感應(yīng)元件用布線10。由此，在第二保護(hù)膜7的上表面上設(shè) 有螺旋形狀的薄膜感應(yīng)元件11。布線9、薄膜感應(yīng)元件用布線10以及薄膜感應(yīng)元件11是在 由銅等構(gòu)成的基底金屬層12、13、14的上表面上設(shè)置由銅構(gòu)成的上部金屬層15、16、17而成 的2層結(jié)構(gòu)。另外，薄膜感應(yīng)元件11的螺旋形狀在圖IA中是四邊形，但也可以是比四邊形 邊數(shù)多的多邊狀、圓形、橢圓形、多邊形和圓弧形的組合形狀等。此外，不僅限于螺旋形狀， 也可以是大致單圈(single winding)的環(huán)狀。布線9的一端部通過鈍化膜3的開口部4a以及第一保護(hù)膜5的開口部6a與連接 焊盤2a連接。薄膜感應(yīng)元件用布線10的一端部通過鈍化膜3的開口部4b以及第一保護(hù) 膜5的開口部6b與連接焊盤2b連接。薄膜感應(yīng)元件11的外端部與薄膜感應(yīng)元件用布線 10的另一端部連接。布線9的另一端部以及薄膜感應(yīng)元件11的內(nèi)端部成為連接焊盤部9a、 11a。該情況下，布線9的連接焊盤部9a僅設(shè)在第二保護(hù)膜7的上表面上。

在布線9以及薄膜感應(yīng)元件11的連接焊盤部9a、lla的上表面上設(shè)有由銅構(gòu)成的 柱狀電極18、19。在第一保護(hù)膜5的周邊部上表面、布線9、薄膜感應(yīng)元件用布線10及薄膜 感應(yīng)元件11的上表面、以及第二保護(hù)膜7的包含傾斜面8的上表面設(shè)有由環(huán)氧類樹脂等構(gòu)成的密封膜20。柱狀電極18、19的上表面設(shè)為與密封膜20的上表面成為一個面 低于密 封膜20的上表面幾μπι。在柱狀電極18、19的上表面設(shè)有焊球21、22。如上所述，在該半導(dǎo)體裝置中，在硅襯底1上隔著鈍化膜3以及第一保護(hù)膜5而設(shè) 置的第二保護(hù)膜7的上表面上設(shè)有薄膜感應(yīng)元件11，因此能夠降低因硅襯底1中產(chǎn)生的渦 流而引起的薄膜感應(yīng)元件11的渦流損失，進(jìn)一步能夠抑制薄膜感應(yīng)元件11的特性劣化。此外，在形成有用于與連接焊盤2a、2b連接的開口部6a、6b的第一保護(hù)膜5上設(shè) 有第二保護(hù)膜7，因此能夠?qū)崿F(xiàn)高密度布線。另外，由于第二保護(hù)膜7是通過聚酰亞胺類樹 脂等的價格比較低的樹脂而形成的，因此，價格比較低，而且能夠防止電路短路，且能夠均勻地實現(xiàn)降低渦流損失的效果。接著，對該半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個例子進(jìn)行說明。首先，如圖2所示，準(zhǔn)備下述結(jié)構(gòu)在晶片狀態(tài)的硅襯底(以下，稱為半導(dǎo)體晶片 31)的上表面形成由鋁系金屬等構(gòu)成的連接焊盤2a、2b以及由氧化硅等構(gòu)成的鈍化膜3，連 接焊盤2a、2b的中央部通過鈍化膜3上所形成的開口部4a、4b而被露出。另外，在圖2中， 附圖標(biāo)記32所示的區(qū)域是切割道(dicing street)。接著，如圖3所示，在包括通過鈍化膜3的開口部4a、4b而露出的連接焊盤2a、2b 的上表面在內(nèi)的鈍化膜3的上表面上，通過絲網(wǎng)印刷(screenprinting)法、旋壓覆蓋(spin coat)法等，形成由聚酰亞胺類樹脂和/或聚苯并噁唑等的樹脂構(gòu)成的第一保護(hù)膜5。接著，如圖4所示，在與鈍化膜3的開口部4a、4b對應(yīng)的部分的第一保護(hù)膜5上， 通過光刻法形成開口部6a、6b。接著，如圖5所示，在被切割道32包圍的各半導(dǎo)體裝置形成區(qū)域中，在除了第一保 護(hù)膜5的周邊部，即形成有開口部6a、6b的周邊部之外的上表面上，通過絲網(wǎng)印刷法，形成 由與第一保護(hù)膜5相同的樹脂或者不同的樹脂構(gòu)成的第二保護(hù)膜7。在該情況下，通過絲網(wǎng) 印刷法而涂敷的液狀樹脂膜的周邊部發(fā)生松弛(slope down)，從而第二保護(hù)膜7的側(cè)面成 為傾斜面8。接著，如圖6所示，在包括經(jīng)由鈍化膜3以及第一保護(hù)膜5的開口部4a、6a以及開 口部4b、6b而露出的連接焊盤2a、2b的上表面在內(nèi)的第一保護(hù)膜5的上表面，以及，包括第 二保護(hù)膜7的傾斜面8在內(nèi)的上表面上，形成基底金屬層33。在該情況下，基底金屬層33 可以是通過化學(xué)鍍而形成的僅銅層，或者可以是通過濺射法而形成的僅銅層，還可以在通 過濺射法而形成的鈦等的薄膜層上再通過濺射法來形成銅層。接著，在基底金屬層33的上表面進(jìn)行電鍍抗蝕(plated resist)膜34的圖案形 成。在該情況下，在電鍍抗蝕膜34中的與上部金屬層15、16、17形成區(qū)域?qū)?yīng)的部分上形 成有開口部35、36、37。接著，通過進(jìn)行以基底金屬層33為電鍍電路的銅的電解電鍍，在電 鍍抗蝕膜34的開口部35、36、37內(nèi)的基底金屬層33的上表面上形成上部金屬層15、16、17。 接著，剝離電鍍抗蝕膜34。接著，如圖7所示，在上部金屬層15、16、17以及基底金屬層33的上表面上進(jìn)行電 鍍抗蝕膜38的圖案形成。在該情況下，在電鍍抗蝕膜38中與上部金屬層15、17的連接焊 盤部9a、lla即柱狀電極18、19形成區(qū)域?qū)?yīng)的部分形成開口部39、40。接著，通過進(jìn)行以 基底金屬層33為電鍍電路的銅的電解電鍍，在電鍍抗蝕膜38的開口部39、40內(nèi)的上部金 屬層15、17的連接焊盤部9a、Ila的上表面形成柱狀電極18、19。
接著，剝離電鍍抗蝕膜38，然后，以上部金屬層15、16、17為掩模通過蝕刻除去基底金屬層33的不要的部分。由此，如圖8所示，僅在上部金屬層15、16、17下方殘留基底金 屬層12、13、14。在該狀態(tài)下，通過上部金屬層15、16、17以及其下方殘留的基底金屬層12、 13、14，形成2層結(jié)構(gòu)的布線9、薄膜感應(yīng)元件用布線10以及薄膜感應(yīng)元件11。另外，在上述內(nèi)容中，說明了通過半加成(semi-additive)法來形成布線9、薄膜 感應(yīng)元件用布線10以及薄膜感應(yīng)元件11的情況，也可以通過去除(subtract)法來形成。 在該情況下，在圖6中，在包括經(jīng)由鈍化膜3以及第一保護(hù)膜5的開口部4a、6a以及開口部 4b,6b而露出的連接焊盤2a、2b的上表面在內(nèi)的第一保護(hù)膜5的上表面以及包括第二保護(hù) 膜7的傾斜面8在內(nèi)的上表面上形成基底金屬層33。然后，通過電解電鍍法在該基底金屬 層33的整個上表面上形成上部金屬形成用層。然后，在上部金屬形成用層上的形成上部 15、16、17的區(qū)域上形成光刻掩模。而且，對從該光刻掩模露出的區(qū)域的上部金屬形成用層 以及基底金屬層33進(jìn)行蝕刻即可。其中，該蝕刻如圖7所示(其中，在去除法的情況下，取 代了上部金屬層15、16、17而在整個基底金屬層33上形成有上部金屬形成用層)，在形成了 柱狀電極18、19后進(jìn)行。在此，布線9以及薄膜感應(yīng)元件用布線10形成在第一和第二保護(hù)膜5、7的上表 面，第二保護(hù)膜7的側(cè)面為傾斜面8，因此，能夠使布線9以及薄膜感應(yīng)元件用布線10很難 斷線。此外，如圖6所示，在整個上表面上形成基底金屬層33時，能夠良好地形成基底金屬 層33ο接著，如圖9所示，在包括布線9、薄膜感應(yīng)元件用布線10、薄膜感應(yīng)元件11以及 柱狀電極18、19的第一和第二保護(hù)膜5、7的上表面上，通過絲網(wǎng)印刷法或旋壓覆蓋法等來 形成由環(huán)氧類樹脂等構(gòu)成的密封膜20，并將其厚度形成為比柱狀電極18、19的高度厚。因 此，在該狀態(tài)下，柱狀電極18、19的上表面被密封膜20覆蓋。接著，對密封膜20的上表面?zhèn)冗M(jìn)行適當(dāng)?shù)难心?，如圖10所示，使柱狀電極18、19 的上表面露出，并且，使包括露出的柱狀電極18、19的上表面在內(nèi)的密封膜20的上表面平 坦化。接著，如圖11所示，在柱狀電極18、19的上表面上形成焊球21、22。接著，如圖12所示，若沿著切割道32切斷密封膜20、第一保護(hù)膜5、鈍化膜3以及 半導(dǎo)體晶片31，則獲得多個圖1Α、1Β所示的半導(dǎo)體裝置。 在此，如圖4、5所示，沒有在第一保護(hù)膜5的整個上表面上形成第二保護(hù)膜7，而是 在被切割道32包圍的各半導(dǎo)體裝置形成區(qū)域中，在除了第一保護(hù)膜5的周邊部即形成有開 口部6a、6b的周邊部之外的上表面上形成第二保護(hù)膜7，下面對上述形成方式的理由以及 第一和第二保護(hù)膜5、7的厚度進(jìn)行說明。 在將第二保護(hù)膜7形成在第一保護(hù)膜5的整個上表面上的情況下，為了使連接焊 盤2a、2b露出，需要在第二保護(hù)膜7中的與第一保護(hù)膜5的開口部6a、6b對應(yīng)的部分形成 開口部。然而，隨著器件的微小化，在連接焊盤2a、2b的間距(pitch)以及平面大小變小的 情況下，與此同時，在第二保護(hù)膜7中的與第一保護(hù)膜5的開口部6a、6b以及該開口部6a、 6b對應(yīng)的部分所形成的開口部的間距以及平面大小也變小。在通過光刻法來形成上述開 口部的情況下，由于第一和第二保護(hù)膜3、7的合計厚度較厚，析像度變差，因此不優(yōu)選該方 案。
因此，如本實施方式所述，若不在第一保護(hù)膜5的整個上表面上形成第二保護(hù)膜 7，而在被切割道32包圍的各半導(dǎo)體裝置形成區(qū)域中，除了第一保護(hù)膜5的周邊部即形成有 開口部6a、6b的周邊部之外的上表面上形成第二保護(hù)膜7，則僅在厚度為例如2 6μπι左 右的比較薄的第一保護(hù)膜5上形成開口部6a、6b即可，因此能夠應(yīng)對微小化的情況。其中， 第一保護(hù)膜5的厚度不僅限定于此。此外，如上所述，為了獲得降低渦流損失的效果，使第 一保護(hù)膜5和第二保護(hù)膜7的厚度的合計為10 20 μ m左右即可，第二保護(hù)膜7的厚度對 應(yīng)于第一保護(hù)膜5的厚度來決定。(第二實施方式)圖13A是本發(fā)明的第二實施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分的俯視圖(除去圖13B 中的密封膜后的狀態(tài))。圖13B是沿B-B線的剖視圖。在該半導(dǎo)體裝置中，與圖1A、1B所示的半導(dǎo)體裝置較大的不同點在于，不僅螺旋 形狀的薄膜感應(yīng)元件11的外端部，連內(nèi)端部也與連接了硅襯底1的上表面上所形成的集成 電路(未圖示)的連接焊盤相連接。S卩，附圖標(biāo)記2b、2c所示的連接焊盤與螺旋形狀的薄膜感應(yīng)元件13的內(nèi)端部以及 外端部連接，并在圖13A中被相鄰配置。在除了連接焊盤2a、2b、2c的中央部之外的硅襯底 1的上表面上設(shè)有鈍化膜3，連接焊盤2a、2b、2c的中央部通過鈍化膜3上設(shè)置的開口部4a、 4b,4c而露出。在鈍化膜3的上表面設(shè)有由不同于連接焊盤2a、2b、2c的金屬例如鉻系金屬構(gòu)成 的薄膜感應(yīng)元件用(下層)布線10b。薄膜感應(yīng)元件用布線IOb的一端部通過鈍化膜3的 開口部4b與連接焊盤2b連接。在包括薄膜感應(yīng)元件用布線IOb在內(nèi)的鈍化膜3的上表面 上設(shè)有第一保護(hù)膜5。在第一保護(hù)膜5中的與鈍化膜3的開口部4a、4c對應(yīng)的部分設(shè)有開 口部 6a、6c。在除了第一保護(hù)膜5的周邊部，即設(shè)有開口部6a、6c的周邊部之外的上表面設(shè)有 第二保護(hù)膜7。在該情況下，第二保護(hù)膜7的側(cè)面成為傾斜面8。此外，第一保護(hù)膜5的厚 度以及第二保護(hù)膜7與第一實施方式的情況相同。在此，在第一和第二保護(hù)膜5、7中的與 薄膜感應(yīng)元件用布線IOb的連接焊盤部對應(yīng)的部分設(shè)有開口部41。在第一保護(hù)膜5的周邊部上表面以及包括第二保護(hù)膜7的傾斜面8在內(nèi)的上表面 上設(shè)有多個布線9以及1個薄膜感應(yīng)元件用布線10c。由此，在第二保護(hù)膜7的上表面上設(shè) 有螺旋形狀的薄膜感應(yīng)元件11。布線9、薄膜感應(yīng)元件用布線IOc以及薄膜感應(yīng)元件11是 在基底金屬層12、13、14的上表面上設(shè)有上部金屬層15、16、17的2層結(jié)構(gòu)。布線9的一端部通過鈍化膜3以及第一保護(hù)膜5的開口部4a、6a與連接焊盤2a 連接。薄膜感應(yīng)元件用布線IOc的一端部通過鈍化膜3以及第一保護(hù)膜5的開口部4c、6c 與連接焊盤2c連接。薄膜感應(yīng)元 件11的內(nèi)端部通過第一和第二保護(hù)膜5、7的開口部41 與薄膜感應(yīng)元件用布線IOb的連接焊盤部連接，外端部與薄膜感應(yīng)元件用布線IOc的另一 端部連接。在布線9的連接焊盤部9a的上表面設(shè)有柱狀電極18。第一保護(hù)膜5的周邊部上 表面，布線9，薄膜感應(yīng)元件用布線IOc以及薄膜感應(yīng)元件11的上表面以及包括第一保護(hù)膜 5的傾斜面8的上表面設(shè)有密封膜20。在柱狀電極18的上表面設(shè)有焊球21。
如上所述，在該半導(dǎo)體裝置中，在硅襯底1上隔著鈍化膜3以及第一保護(hù)膜5設(shè)置的第二保護(hù)膜7的上表面設(shè)有薄膜感應(yīng)元件11，因此能夠降低因硅襯底1中產(chǎn)生的渦流而 引起的薄膜感應(yīng)元件11的渦流損失，進(jìn)而能夠抑制薄膜感應(yīng)元件11的特性劣化。接著，對半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個例子進(jìn)行說明。在該情況下，在準(zhǔn)備了圖2所示的結(jié)構(gòu)之后，如圖14所示，在鈍化膜3的上 表面，通過光刻法，對通過濺射法等而成膜的由鉻系金屬等構(gòu)成的金屬膜進(jìn)行構(gòu)圖 (patterning)，從而形成薄膜感應(yīng)元件用布線10b。在該狀態(tài)下，薄膜感應(yīng)元件用布線IOb 的一端部通過鈍化膜3的開口部4b與連接焊盤2b連接。在此，由于連接焊盤2a通過鈍化膜3的開口部4a而露出，為了對該露出的連接焊 盤2a不進(jìn)行蝕刻，薄膜感應(yīng)元件用布線IOb由不同于連接焊盤2a、2b的金屬形成。另外， 省略了圖13A中的附圖標(biāo)記2c所表示的連接焊盤的說明。接著，如圖15所示，在通過鈍化膜3的開口部4a而露出的連接焊盤2a以及包括 薄膜感應(yīng)元件用布線IOb的鈍化膜3的上表面上，通過絲網(wǎng)印刷法、旋壓覆蓋法等來形成第 一保護(hù)膜5。接著，在被切割道32圍成的各半導(dǎo)體裝置形成區(qū)域中，在除了第一保護(hù)膜5的 周邊部之外的上表面上，通過絲網(wǎng)印刷法來形成第二保護(hù)膜7。在該情況下，由于通過絲網(wǎng) 印刷法而涂敷的液狀樹脂膜的周邊部松弛，第二保護(hù)膜7的側(cè)面成為傾斜面8。接著，如圖16所示，通過光刻法，在第一保護(hù)膜5中的與鈍化膜3的開口部2a對 應(yīng)的部分形成開口部6a。在第一和第二保護(hù)膜5、7中的與薄膜感應(yīng)元件用布線IOb的連 接焊盤部對應(yīng)的部分形成開口部41。在該情況下，在第一和第二保護(hù)膜5、7上形成的開口 部41與連接焊盤2a、2b的微小化無關(guān)，因此，即使由于析像度的關(guān)系而使平面大小變得比 較大也沒有問題。接著，如圖17所示，在包括通過鈍化膜3以及第一保護(hù)膜5的開口部4a、6a而露 出的連接焊盤2a的上表面在內(nèi)的第一保護(hù)膜5的上表面，以及，包括通過第一和第二保護(hù) 膜5、7的開口部41而露出的薄膜感應(yīng)元件用布線IOb的連接焊盤部的上表面在內(nèi)且包括 第二保護(hù)膜7的傾斜面8在內(nèi)的上表面上，形成基底金屬層33。以下，在經(jīng)過與上述第一實 施方式的情況相同的工序后，就獲得了多個如圖13A，13B所示的半導(dǎo)體裝置。另外，在第二實施方式中，對薄膜感應(yīng)元件用布線IOb的材料以及構(gòu)造與薄膜感 應(yīng)元件用布線IOc不同的情況進(jìn)行了說明，但兩布線是相同的材料以及構(gòu)造也當(dāng)然可以。 在該情況下，在圖14所圖示的、通過光刻法對金屬膜進(jìn)行構(gòu)圖從而形成薄膜感應(yīng)元件用布 線IOb的工序中，為了不對連接焊盤2a進(jìn)行蝕刻，可以在連接焊盤2a上形成掩模后，通過 光刻法對金屬膜進(jìn)行構(gòu)圖。此外，在上述各實施方式中，說明了在被切割道32包圍的各半導(dǎo)體裝置形成區(qū)域 中，在除了第一保護(hù)膜5的周邊部即形成有開口部6a、6b的周邊部之外的上表面形成第二 保護(hù)膜7的情況，但本發(fā)明并不僅限于此。例如，也可以僅在第一保護(hù)膜3中的與薄膜感應(yīng) 元件11的形成區(qū)域?qū)?yīng)的部分的上表面形成第二保護(hù)膜7。另外，說明了通過絲網(wǎng)印刷來形成第二保護(hù)膜7的情況，但也可以在第一保護(hù)膜5 的整個上表面上通過旋涂、涂敷、絲網(wǎng)印刷法等而覆蓋了第二保護(hù)膜7后，再通過濕蝕刻來 形成第二保護(hù)膜7。在該情況下，通過使用各向同性的蝕刻液，能夠使第二保護(hù)膜7的側(cè)面 成為合適的角度的傾斜面。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備形成有集成電路的半導(dǎo)體襯底；第一樹脂膜(5)，設(shè)在上述半導(dǎo)體襯底上；第二樹脂膜(7)，設(shè)在上述第一樹脂膜的至少除了周邊部之外的上表面上；以及薄膜感應(yīng)元件(11)，設(shè)在上述第二樹脂膜上。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述第二樹脂膜的側(cè)面是傾斜面。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述半導(dǎo)體襯底的周邊部上設(shè)有與上述集成電路連接的多個連接焊盤， 上述第二樹脂膜設(shè)置在上述半導(dǎo)體襯底上的比上述連接焊盤靠內(nèi)側(cè)的區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述第二樹脂膜的厚度比上述第一樹脂膜的厚度厚。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第一樹脂膜的厚度和上述第二樹脂膜的厚度的合計是10 μ m 20 μ m。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第二樹脂膜的厚度是上述第一樹脂膜的厚度的2倍或者大于2倍。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述第一樹脂膜的厚度是2 μ m 6 μ m。
8 .如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述第一樹脂膜和上述第二樹脂膜上設(shè)有布線以及薄膜感應(yīng)元件用布線， 上述布線的一端部以及上述薄膜感應(yīng)元件用布線的一端部與上述連接焊盤連接， 上述薄膜感應(yīng)元件用布線的另一端部與上述薄膜感應(yīng)元件的外端部連接。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述第二樹脂膜的側(cè)面是傾斜面。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述布線的連接焊盤部上以及上述薄膜感應(yīng)元件的內(nèi)端部上設(shè)有柱狀電極。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在上述第一樹脂膜下設(shè)有薄膜感應(yīng)元件用下層布線，上述薄膜感應(yīng)元件用下層布線的一端部與上述連接焊盤連接，另一端部通過在上述第 一樹脂膜和上述第二樹脂膜上設(shè)置的開口部，與上述薄膜感應(yīng)元件的內(nèi)端部連接。
12.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括在半導(dǎo)體襯底的整個上表面上形成第一樹脂膜的工序，該半導(dǎo)體襯底上形成有集成電 路，并且在周邊部上設(shè)有與上述集成電路連接的多個連接焊盤；在上述第一樹脂膜上的上述連接焊盤的內(nèi)側(cè)區(qū)域形成第二樹脂膜的工序；以及 在上述第二樹脂膜上形成薄膜感應(yīng)元件的工序。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，形成上述第二樹脂膜的工序包括將上述第二樹脂膜形成為比上述第一樹脂膜的厚度 厚的工序。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，形成上述第二樹脂膜的工序包括使上述第一樹脂膜的厚度和上述第二樹脂膜的厚度 的合計為10 μ m 20 μ m的工序。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，形成上述第二樹脂膜的工序包括使上述第二樹脂膜的厚度是上述第一樹脂膜的厚度 的2倍或者大于2倍的工序。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，形成第一樹脂膜的工序包括使上述第一樹脂膜的厚度為2 μ m 6 μ m的工序。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還包括下述工序在形成上述第一樹脂膜的工序之后，在形成上述第二樹脂膜的工序之前，通過光刻法 在上述第一樹脂膜的與在上述半導(dǎo)體襯底的周邊部上形成的上述多個連接焊盤相對應(yīng)的 部分形成開口部的工序。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，形成上述薄膜感應(yīng)元件的工序包括在上述第一樹脂膜和上述第二樹脂膜上形成布線 以及薄膜感應(yīng)元件用布線的工序，上述布線的一端部以及上述薄膜感應(yīng)元件用布線的一端 部與上述連接焊盤連接，上述薄膜感應(yīng)元件用布線的另一端部與上述薄膜感應(yīng)元件的外端 部連接。
19.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，形成上述第二樹脂膜的工序包括通過絲網(wǎng)印刷法形成上述第二樹脂膜的工序。
20.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，通過上述絲網(wǎng)印刷法形成上述第二樹脂膜的工序包括如下工序通過上述絲網(wǎng)印刷法 而涂敷的液狀樹脂膜的側(cè)面發(fā)生松弛，上述第二樹脂膜的側(cè)面變?yōu)閮A斜面。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。在硅襯底(1)的上表面形成有構(gòu)成集成電路的多個電路元件，在其上設(shè)有鈍化膜(3)以及第一保護(hù)膜(3)。在硅襯底(1)的上表面周邊部設(shè)有與集成電路連接的多個連接焊盤(2a、2b)。在第一保護(hù)膜(3)的除了周邊部之外的上表面設(shè)有第二保護(hù)膜(7)。在第二保護(hù)膜(7)的上表面上設(shè)有螺旋形狀的薄膜感應(yīng)元件(11)。在該情況下，第一和第二保護(hù)膜(5、7)的合計厚度形成得比較厚，由此能夠降低因硅襯底(1)中產(chǎn)生渦流而引起的薄膜感應(yīng)元件(11)的渦流損失。
文檔編號H01L23/29GK101847610SQ20101014322
公開日2010年9月29日 申請日期2010年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月25日
發(fā)明者三原一郎 申請人:卡西歐計算機株式會社