專利名稱：薄膜型太陽能電池及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種太陽能電池，尤其涉及一種薄膜型太陽能電池。
背景技術：
具有半導體特性的太陽能電池將光能轉換成電能。根據(jù)相關技術的太陽能電池的結構和原理將簡單地闡述如下。太陽能電池形成在 PN結結構中，其中正(P)型半導體與負(N)型半導體接合。當太陽光線入射到具有PN結結構的太陽能電池上時，太陽光線的能量使得在半導體中產(chǎn)生空穴⑴和電子(_)。在PN 結區(qū)域中產(chǎn)生的電場的作用下，空穴⑴向著P型半導體遷移，電子㈠向著N型半導體遷移，從而隨著電動勢的出現(xiàn)而產(chǎn)生了電能。太陽能電池可以被大致分成晶片型太陽能電池和薄膜型太陽能電池。晶片型太陽能電池采用由諸如硅的半導體材料制成的晶片。同時，薄膜型太陽能電池通過在玻璃基板上形成薄膜型半導體來制造。就效率而言，晶片型太陽能電池比薄膜型太陽能電池好。然而，在晶片型太陽能電池的情況中，由于執(zhí)行制造工藝的困難而難以實現(xiàn)小的厚度。此外，晶片型太陽能電池采用價高的半導體基板，由此其制造成本增加。盡管薄膜型太陽能電池效率不及晶片型太陽能電池，薄膜型太陽能電池仍具有諸如外形薄和使用的材料價廉的優(yōu)勢。因此薄膜型太陽能電池適于大規(guī)模生產(chǎn)。下面將參考附圖描述相關技術的薄膜型太陽能電池。圖1是圖示相關技術的薄膜型太陽能電池的截面圖。如圖1所示，相關技術的的薄膜型太陽能電池包括基板10、在基板10上的前電極層30、在前電極層30上的半導體層40、在半導體層40上的透明導電層50、以及在透明導電層50上的后電極層60。然而，相關技術的薄膜型太陽能電池具有下面的缺點。為了提高太陽能電池的效率，必須增加空穴和電子的產(chǎn)生速率以增加太陽光線穿過半導體層40的路徑長度。然而，相關技術的薄膜型太陽能電池不可能獲得半導體層40 中太陽光線的增加的路徑長度，從而難以獲得期望的電池效率。通常，基板10由含堿離子的玻璃形成。在高溫沉積工藝中，玻璃基板10中含有的堿離子向前電極層30遷移，從而遷移的堿離子充當雜質的作用，因此降低了電池效率。公開內容因此，鑒于上述問題而設計了本發(fā)明，并且本發(fā)明的方面是提供能夠防止相關技術中的一個或更多個問題的薄膜型太陽能電池及其制造方法。本發(fā)明的一個目的是提供能夠通過增加半導體層中的太陽光線的路徑長度而提高電池效率的薄膜型太陽能電池及其制造方法。本發(fā)明的另一個目的是提供能夠通過防止基板中含有的堿離子向前電極層遷移的薄膜型太陽能電池及其制造方法。
為了實現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點，并根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里具體和概括描述的， 提供一種太陽能電池，包括基板；包含珠粒和粘結劑的光散射膜，其中提供粘結劑來粘結珠粒；在光散射膜上的前電極層；在前電極層上的半導體層；和在半導體層上的后電極層。在本發(fā)明的另一方面，提供一種薄膜型太陽能電池，包括其中包含珠粒的基板； 在基板上的前電極層；在前電極層上的半導體層；和在半導體層上的后電極層。在本發(fā)明的另一方面，提供一種用于制造薄膜型太陽能電池的方法，包括在基板上形成光散射膜，其中光散射膜包含珠粒和粘結劑，粘結劑用來粘結珠粒；在光散射膜上形成前電極層；在前電極層上形成半導體層；和在半導體層上形成后電極層。在本發(fā)明的另一方面，提供一種用于制造薄膜型太陽能電池的方法，包括制備其中包含珠粒的柔性基板；在柔性基板上形成前電極層；在前電極層上形成半導體層；和在半導體層上形成后電極層。


圖1是圖示相關技術的薄膜型太陽能電池的截面圖；圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的薄膜型太陽能電池的截面圖；圖3 (A到C)是圖示根據(jù)本發(fā)明實施例的各種類型珠粒的截面圖；圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的薄膜型太陽能電池的截面圖；圖5是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的薄膜型太陽能電池的截面圖；圖6(A到E)是圖示根據(jù)本發(fā)明一個實施例的用于制造薄膜型太陽能電池的方法的一系列截面圖；圖7(A到E)是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的用于制造薄膜型太陽能電池的方法的一系列截面圖；圖8(A到E)是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的用于制造薄膜型太陽能電池的方法的一系列截面圖。最佳實施方式現(xiàn)在將詳細參考本發(fā)明的優(yōu)選實施例，實施例的例子在附圖中示出。只要有可能， 在所有附圖中將用相同的參考數(shù)字指示相同或相似的部件。下面將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的薄膜型太陽能電池及其制造方法。薄膜型太陽能電池圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明一個實施例的薄膜型太陽能電池的截面圖。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明一個實施例的薄膜型太陽能電池包括基板100、光散射膜200、前電極層300、半導體層400、透明導電層500、和后電極層900?；?00通常由玻璃制成。然而，基板100可以由透明的塑料制成。如果需要，基板100可以由采用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亞胺(PI)、或聚酰胺(PA)的柔性基板制成。這種柔性基板使得能夠獲得柔性的薄膜型太陽能電池。采用柔性基板的這種柔性薄膜型太陽能電池可以通過卷對卷(roll-to-roll)方法來制造，這種方法能夠降低制造成本。光散射膜200形成在基板100上，其中光散射膜200包含珠粒220和粘結劑M0。 光散射膜200以不同的角度散射穿過基板100的太陽光線，并還防止基板100中含有的雜質向前電極層300遷移。首先，太陽光線被光散射膜200以不同的角度散射，這將闡述如下。光散射膜200包含珠粒220和粘結劑MO。首要的是粘結劑240與基板100和前電極層300接觸。在這種情況下，如果用于粘結劑240的材料與基板100和前電極層300 的材料折射率不同，則穿過了基板100的太陽光線在穿過粘結劑240時被折射，然后在穿過前電極層300時又被折射。結果是入射到基板100上的太陽光線以不同的角度被折射，并入射到半導體層400上，從而增加了半導體層400中太陽光線的路徑長度。有時，珠粒220可以與基板100和前電極層300接觸。在這種情況下，如果用于珠粒220的材料與基板100和前電極層300的材料折射率不同，則根據(jù)與前述相同的機制，入射到基板100上的太陽光線以不同的角度被折射，然后在以不同的角度被折射的同時入射到半導體層400上，從而增加了半導體層400中太陽光線的路徑長度。用于常用的基板100的玻璃的折射率是約1. 52，用于柔性基板100的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的折射率是約1. 57，以及前電極層300的折射率是約1. 9到2. 0。必須要考慮前述的基板100和前電極層300的折射率來選擇用于珠粒200或粘結劑240的材料。 舉例來說，珠粒200可以由Si02、Ti02、或( 制成，以及粘結劑240可以由硅酸鹽制成，但不是必須的。如果光散射膜200中含有的珠粒220和粘結劑MO由具有不同折射率的不同材料制成，則太陽光線甚至在光散射膜200中也能以不同的角度被折射。也就是，如果用于珠粒 220的材料與用于粘結劑240的材料折射率不同，則穿過了珠粒220的太陽光線在穿過粘結劑240的同時被折射，穿過了粘結劑240的太陽光線在穿過珠粒220的同時被折射，從而太陽光線以不同的角度被折射。可以不用相同的材料形成珠粒220，多個珠粒220可用具有不同折射率的不同材料制成。在這種情況下，在太陽光線穿過由具有不同折射率的不同材料制成的多個珠粒220 的同時，以不同的角度被折射。而且，珠粒220包括芯部和表層。當太陽光線穿過每一個包括芯部和表層的珠粒 220時，太陽光線以不同的角度被折射。圖3(A到C)是圖示根據(jù)本發(fā)明的實施例的不同類型珠粒220的系列截面圖。如圖3(A)所示，珠粒220包括芯部222和表層224，其中芯部220被表層2 包圍。而且，芯部222的材料與表層224的材料折射率不同。從而當太陽光線在穿過表層224 之后穿過芯部222時被折射，然后在穿過芯部222之后穿過表層224時再一次被折射。如圖3(B)所示，芯部222由空氣構成。也就是，中空形狀的珠粒220僅由表層224 構成。這種結構也能起到相同的功能效果。如圖3(C)所示，芯部222可以包括具有不同折射率的多個材料層22 和222b ； 并且表層2M可以包括具有不同折射率的多個材料層22 和224b。珠粒220的截面形狀可以不同，例如圓形或橢圓形，從而可以不同地改變太陽光線的折射角。如從圖2的放大圖中可知，光散射膜200可以具有不平整的表面，從而不同地改變太陽光線的折射角。其次，光散射膜200可防止基板100中含有的雜質向前電極層300遷移，這將闡述如下。光散射膜200位于基板100和前電極層300之間。從而，光散射膜200，尤其是光散射膜200中含有的粘結劑240起到前電極層300的沉積工藝的屏障的作用，從而可以防止基板100中含有的雜質向前電極層300遷移。前電極層300形成在光散射膜200上。由于前電極層300形成在太陽光線入射面上，所以前電極層300可以由諸如ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2 = F或ITO(氧化銦錫)這樣的透明導電材料制成。前電極層300具有能夠以不同的角度散射入射太陽光線的不平整表面，由此提高半導體層400中的太陽光線吸收效率。然而，如果前電極層300的不平整表面太過多的話，那么會對前電極層300上的半導體層400和透明導電層500造成損害，由此會降低電池效率。如果根據(jù)本發(fā)明的薄膜型太陽能電池中的光散射膜200能夠實現(xiàn)足夠的光散射效率，就不必提供前電極層300的過多不平整表面。優(yōu)選的是，調整前電極層300的不平整表面，使得前電極層300的不平整表面足夠小到對半導體層400和透明導電層500沒有損害。半導體層400形成在前電極層300上。如果前電極層300具有不平整表面，則半導體層400也可具有不平整表面。半導體層400形成為PIN結結構，其中P(正)型半導體層、1(本征)型半導體層、 N(負)型半導體層順序沉積。在具有PIN結構的半導體層400中，由P型半導體層和N型半導體層在I型半導體層中產(chǎn)生耗盡，由此在其中產(chǎn)生電場。從而，在電場的作用下，太陽光線產(chǎn)生的電子和空穴發(fā)生遷移，由此空穴通過P型半導體層聚集在前電極300中，電子通過N型半導體層聚集在后電極層600中。同時，如果形成具有PIN結構的半導體層400，則優(yōu)選首先在前電極300上形成P型半導體層，然后在其上形成I型和N型半導體層。這是因為空穴的遷移率比電子的遷移率小。為了使入射光線的會聚效率最大化，鄰近光入射表面設置P型半導體層。半導體層400可以由硅基化合物制成，或可以由CIGS(Cuhfe^e2)化合物制成。如從圖2的放大圖可知，半導體層400可以形成為串聯(lián)結構，其中第一半導體層 410、緩沖層420、和第二半導體層430順序沉積。第一半導體層410和第二半導體層430可以形成為PIN結構，其中P型半導體層、 I型半導體層、和N型半導體層順序沉積。第一半導體層410可以形成為非晶半導體材料的PIN結構；第二半導體層430可以形成為微晶半導體材料的PIN結構。非晶半導體材料的特征在于吸收短波光，而微晶半導體材料的特征在于吸收長波光。非晶半導體材料和微晶半導體材料的混合物能夠提高光吸收效率，但是不限于這種類型的混合物。也就是，第一半導體層410可以由非晶半導體/鍺材料或微晶半導體材料制成，第二半導體層430可以由非晶半導體材料或非晶半導體/鍺材料制成。緩沖層420夾在第一半導體層410和第二半導體層430之間，其中緩沖層420能夠通過隧道結使電子和空穴平滑地遷移。緩沖層420可以由透明材料，例如ZnO制成。半導體層400可以形成為三重結構，而不是串聯(lián)結構。在三重結構的情況下，每一個緩沖層夾在半導體層400中包括的每個第一、第二、和第三半導體層之間。透明導電層500形成在半導體層400上。透明導電層500可以由透明導電材料，例如ZnO、ZnO:B, ZnO:Al, SnO2、SnO2:F、或ITO(氧化銦錫)制成。透明導電層500可以具有不平整的表面。透明導電層500可以省略。后電極層600形成在透明導電層500上。后電極層600可以由金屬材料，例如Ag、 Al、Ag+Mo、Ag+Ni、或 Ag+Cu 制成。圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的薄膜型太陽能電池的截面圖。如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的薄膜型太陽能電池包括基板100、光散射膜200、前電極層300、半導體層400、透明導電層500、和后電極層600。除了前電極層300 不設置有不平整的表面以外，根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的薄膜型太陽能電池與參考圖2闡述的薄膜型太陽能電池結構相同。因此將省略對相同部件的詳細說明。用于形成前電極層300的不平整表面的方法是當沉積前電極層300時調整前電極層300的沉積條件。也就是，前電極層300 —旦沉積，前電極層300的表面就變得不平整。 在這種情況中，不容易調整沉積條件，也就是不容易獲得所需的不平整圖案。不需要的不平整圖案會對前電極層300上的半導體層400和透明導電層500造成損害。另一個用于形成前電極層300的不平整表面的方法是沉積具有平整表面的前電極層300，然后對前電極層300的平整表面執(zhí)行化學蝕刻工藝以形成前電極層300的不平整表面。該方法會由于另外執(zhí)行的化學蝕刻工藝而復雜，化學蝕刻工藝中使用的化學物質會造成環(huán)境污染，并且由于處置這些化學物質還會造成成本增加。圖4中示出的本發(fā)明的另一個實施例公開了前電極層300不設置有不平整表面。 在本發(fā)明的情況中，在太陽光線穿過光散射膜200的同時以不同的角度被折射。從而，即使前電極層300不設置有不平整表面，也沒有什么差別。如果前電極層300不設置有不平整表面，則形成在前電極層300上的半導體層400 和透明導電層500也不設置有不平整表面。然而，透明導電層500可以設置有不平整表面。圖5是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的薄膜型太陽能電池的截面圖。在圖5的薄膜型太陽能電池的情況中，在基板100和前電極層300之間不形成光散射膜200，而是在基板100中包含珠粒220。除此以外，圖5的薄膜型太陽能電池與前述的圖2的薄膜型太陽能電池結構相同。因此，在所有附圖中將使用相同的參考數(shù)字指示相同或類似的部件，并將省略對相同部件的詳細闡述。圖5的薄膜型太陽能電池可以用作使用具有包含在其中的珠粒220的柔性基板 100的柔性薄膜型太陽能電池，其中柔性基板100中包含的珠粒220能夠以不同的角度散射太陽光線。也就是，如果用于珠粒220的材料與用于柔性基板100和前電極層300的材料折射率不同，則在太陽光線穿過柔性基板100、珠粒220、和前電極層300的同時發(fā)生各種折射，由此增加了半導體層400中太陽光線的路徑長度。而且，如上所述，如果珠粒220是通過混合由具有不同折射率的不同材料制成的多個珠粒形成的，則在太陽光線穿過多個珠粒的同時被以不同的角度折射。而且，如圖3 (A 到C)所示，每一個珠粒220包括芯部和表層，由此在太陽光線穿過每一個珠粒220的同時被以不同的角度折射。用于制造薄膜型太陽能電池的方法圖6(A到E)是圖示根據(jù)本發(fā)明一個實施例用于制造薄膜型太陽能電池的方法的系列截面圖，其圖示圖2的薄膜型太陽能電池的制造方法。
首先，如圖6(A)所示，在基板100上形成光散射膜200，其中光散射膜200包含珠粒220和用來粘結珠粒220的粘結劑M0?；?00由玻璃、透明塑料或柔性基板制成。光散射膜200可以通過下面的步驟形成通過將珠粒220均勻地分散在粘結劑 240中來制備糊狀物；以及，使用制備好的糊狀物實施印刷方法、溶膠-凝膠方法、浸凃方法、或旋涂方法。在通過上述方法形成光散射膜200之后，還可以對其進行紅外線燒結工藝或低溫 /高溫燒結工藝，由此致使基板100和光散射膜200之間改善的粘合。光散射膜200可以具有不平整的表面。為了形成光散射膜200的不平整表面，向通過前述的印刷、溶膠-凝膠方法、浸涂方法、或旋涂方法形成的薄膜的表面上施加物理接觸。光散射膜200中含有的珠粒220和粘結劑240與前述的相同，由此將省略對珠粒 220和粘結劑MO的詳細闡述。如圖6(B)所示，在光散射膜200上形成前電極層300。前電極層300可以通過下面的步驟形成沉積諸如&ι0、ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, Sn02:F、或ITO(氧化銦錫)這樣的透明導電材料；然后在沉積的材料層上形成不平整表面。當形成具有不平整表面的前電極層300時，可以通過調整MOCVD (金屬有機化學氣相沉積)沉積工藝中的沉積條件來直接形成不平整表面，或者也可以通過對利用濺射獲得的前電極層300的平整表面執(zhí)行蝕刻工藝來形成。這里，蝕刻工藝可以采用光刻法、使用化學溶液的各向異性蝕刻法、或機械劃線法。如上所述，優(yōu)選調整前電極層300的不平整表面使得前電極層300的不平整表面足夠小到對通過下面的工藝待形成的半導體層400和透明導電層500不造成損害。如圖6(C)所示，在前電極層300上形成半導體層400。半導體層400可以通過等離子體化學氣相沉積(CVD)方法由硅基非晶半導體材料形成，其中半導體層400可以形成為PIN結構，其中P型半導體層、I型半導體層、和N型半導體層順序沉積。半導體層400可以形成為串聯(lián)結構，其中第一半導體層410、緩沖層420和第二半導體層430順序沉積(見圖2)。如圖6(D)所示，在半導體層400上形成透明導電層500。透明導電層500可以通過利用濺射或MOCVD (金屬有機化學氣相沉積)來沉積諸如ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, Sn02:F、或ITO(氧化銦錫)這樣的透明導電材料而形成。透明導電層500可以省略。如圖6 (E)所示，在透明導電層500上形成后電極層600。后電極層600可以通過利用濺射或印刷來沉積諸如Ag、Al、Ag+Mo、Ag+Ni、或Ag+Cu 這樣的金屬材料而形成。如果圖6(A到E)的前述工藝應用于采用柔性基板的柔性薄膜型太陽能電池的制造方法，則圖6 (A到E)的工藝可以通過卷對卷的方法來進行。圖7(A到E)是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的用于制造薄膜型太陽能電池的方法的一系列截面圖，其圖示用于制造圖4的薄膜型太陽能電池的方法。對于與前述實施例相同結構的詳細闡述將被省略。首先，如圖7(A)所示，在基板100上形成光散射膜200，其中光散射膜200包含珠粒220、和用來粘結珠粒220的粘結劑M0。如圖7(B)所示，在基板100上形成前電極層300。不需要在前電極層300中形成不平整表面。在這個方面，前電極層300可以通過常規(guī)的濺射方法來沉積。如圖7(C)所示，在前電極層300上形成半導體層400。如圖7 (D)所示，在半導體層400上形成透明導電層500。用來形成透明導電層500 的步驟可以省略。如圖7(E)所示，在透明導電層500上形成后電極層600。圖8(A到E)是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的用于制造薄膜型太陽能電池的方法的一系列截面圖，其圖示用于制造圖5的薄膜型太陽能電池的方法。對于與前述實施例相同結構的詳細闡述將被省略。首先，如圖8(A)所示，制備其中含有珠粒220的基板100。其中含有珠粒220的基板100可以通過下面的步驟制備通過將珠粒220包含在用于形成基板的熔融液體中來形成薄膜；以及對形成的薄膜進行處理。珠粒200的詳細結構如上闡述，其與前述結構相同。如圖8(B)所示，在基板100上形成前電極層300。如圖8(C)所示，在前電極層300上形成半導體層400。如圖8 (D)所示，在半導體層400上形成透明導電層500。用于形成透明導電層500 的步驟可以省略。如圖8(E)所示，在透明導電層500上形成后電極層600。根據(jù)本發(fā)明的薄膜型太陽能電池及其制造方法不限于前述實施例。尤其是，如果本發(fā)明應用于大尺寸的基板，則大尺寸的基板可以被分成多個單元電池，并且多個單元電池串聯(lián)連接。工業(yè)適用性因此，根據(jù)本發(fā)明的薄膜型太陽能電池及其制造方法具有下面的優(yōu)點。根據(jù)本發(fā)明的薄膜型太陽能電池在基板和前電極層之間設置有光散射膜，由此太陽光線能夠以不同的角度發(fā)生各種折射，從而使得太陽光線的路徑長度增加。結果是提高了電池效率?？梢酝ㄟ^適當?shù)馗淖児馍⑸淠ぶ械闹榱：驼辰Y劑的材料和圖案，來很容易地調整用來折射太陽光線的圖案，由此實現(xiàn)電池效率的提高最佳化。而且，光散射膜形成在基板和前電極層之間，光散射膜起到前電極層的沉積工藝的屏障的作用，從而可以防止基板中含有的雜質向前電極層遷移，由此防止了電池效率降低。
權利要求
1.一種薄膜型太陽能電池，包括 基板；包含珠粒和粘結劑的光散射膜，其中提供所述粘結劑用來粘結所述珠粒； 在所述光散射膜上的前電極層； 在所述前電極層上的半導體層；和在所述半導體層上的后電極層。
2.如權利要求1所述的薄膜型太陽能電池，其中與所述基板接觸的所述光散射膜的材料與所述基板或所述前電極層的材料折射率不同。
3.如權利要求1所述的薄膜型太陽能電池，其中所述光散射膜中含有的所述珠粒的材料與所述光散射膜中含有的所述粘結劑的材料折射率不同。
4.如權利要求1所述的薄膜型太陽能電池，其中通過混合折射率彼此不同的多個珠粒來形成所述珠粒。
5.如權利要求1所述的薄膜型太陽能電池，其中所述珠粒包括芯部和表層，其中所述芯部被所述表層包圍，并且芯部的材料與表層的材料折射率不同。
6.如權利要求1所述的薄膜型太陽能電池，其中所述光散射膜設置有不平整表面。
7.如權利要求1所述的薄膜型太陽能電池，其中所述前電極層不設置有不平整表面。
8.如權利要求1所述的薄膜型太陽能電池，其中所述半導體層包括第一半導體層和第二半導體層，在該第一半導體層和該第二半導體層之間有緩沖層。
9.如權利要求1所述的薄膜型太陽能電池，還包括在所述半導體層和所述后電極層之間的透明導電層。
10.一種薄膜型太陽能電池，包括 其中包含珠粒的基板；在所述基板上的前電極層； 在所述前電極層上的半導體層；以及在所述半導體層上的后電極層。
11.如權利要求10所述的薄膜型太陽能電池，其中所述珠粒的材料與所述基板和所述前電極層的材料折射率不同。
12.一種用于制造薄膜型太陽能電池的方法，包括在基板上形成光散射膜，其中所述光散射膜包含珠粒和粘結劑，所述粘結劑用來粘結所述珠粒；在所述光散射膜上形成前電極層； 在所述前電極層上形成半導體層；以及在所述半導體層上形成后電極層。
13.如權利要求12所述的方法，其中形成光散射膜的步驟是通過印刷方法、溶膠-凝膠方法、浸涂方法、或旋涂方法來實施的。
14.如權利要求13所述的方法，其中形成光散射膜的步驟包括在該膜形成之后進行的附加的燒結工藝，以改善基板與光散射膜之間的粘合。
15.如權利要求12所述的方法，其中所述光散射膜的材料與所述基板或前電極層的材料折射率不同。
16.如權利要求12所述的方法，其中所述珠粒的材料與所述粘結劑的材料折射率不同。
17.如權利要求12所述的方法，其中所述珠粒是通過混合彼此的折射率不同的多個珠粒而形成的。
18.如權利要求12所述的方法，其中所述珠粒包括芯部和表層，其中所述芯部被所述表層包圍，并且所述芯部的材料與所述表層的材料折射率不同。
19.如權利要求12所述的方法，其中所述光散射膜設置有不平整表面。
20.如權利要求12所述的方法，其中形成前電極層的步驟是通過如下方式實施的通過沉積工藝直接形成具有不平整表面的前電極層；或者通過沉積工藝形成具有平整表面的前電極層，然后通過蝕刻工藝在所述前電極層中形成不平整表面。
21.如權利要求12所述的方法，其中所述前電極層不設置有不平整表面。
22.如權利要求12所述的方法，還包括在所述半導體層和所述后電極層之間另外形成透明導電層。
23.如權利要求12所述的方法，其中所述半導體層包括第一半導體層和第二半導體層，在該第一半導體層和該第二半導體層之間有緩沖層。
24.—種用于制造薄膜型太陽能電池的方法，包括 制備其中包含珠粒的柔性基板；在所述柔性基板上形成前電極層； 在所述前電極層上形成半導體層；以及在所述半導體層上形成后電極層。
25.如權利要求M所述的方法，其中所述珠粒的材料與所述基板和所述前電極層的材料折射率不同。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種薄膜型太陽能電池及其制造方法。該薄膜型太陽能電池包括基板；光散射膜，該光散射膜形成在該基板上，并且所述光散射膜包含珠粒和用于固定該珠粒的粘結劑；形成在該光散射膜上的前電極層；形成在該前電極上的半導體層；以及形成在該半導體層上的后電極層。由于本發(fā)明的薄膜型太陽能電池具有夾在基板和前電極層之間的光散射層，該薄膜型太陽能電池能夠在所有方向上折射太陽光線，由此增加了半導體層中太陽光線的路徑長度。因此，提高了太陽能電池的效率。
文檔編號H01L31/042GK102257631SQ200980151262
公開日2011年11月23日 申請日期2009年12月22日 優(yōu)先權日2008年12月26日
發(fā)明者金泰勛 申請人:周星工程股份有限公司