專利名稱：具有小芯片的發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及采用獨(dú)立控制元件的發(fā)光顯示裝置，這些獨(dú)立控制元件具有分布在該發(fā)光顯示裝置的基板上的多個(gè)獨(dú)立的基板，更具體地說，本發(fā)明涉及由小芯片(chiplet) 控制的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
平板顯示裝置被廣泛地與計(jì)算裝置相結(jié)合用于便攜式裝置，并且用于諸如電視機(jī)的娛樂裝置。這些顯示器通常采用分布在基板上的多個(gè)像素來顯示圖像。各個(gè)像素包含多個(gè)不同顏色的通常被稱為子像素的發(fā)光元件，這些發(fā)光元件通常發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光，以表示各個(gè)圖像元素。已知各種平板顯示技術(shù)，例如，等離子體顯示器、液晶顯示器和發(fā)光二極管顯示器。包含形成發(fā)光元件的發(fā)光材料的薄膜的發(fā)光二極管(LED)在平板顯示裝置中具有許多優(yōu)點(diǎn)，并且在光學(xué)系統(tǒng)中是有用的。2002年5月7日授權(quán)給Tang等人的美國(guó)專利No. 6，384，5 示出了包括有機(jī)LED發(fā)光元件的陣列的有機(jī)LED (OLED)彩色顯示器。 另選地，可以采用無機(jī)材料，并且這些無機(jī)材料可以包括多晶半導(dǎo)體基體中的磷光晶體 (phosphorescent crystal)或量子點(diǎn)。還可以采用有機(jī)材料或無機(jī)材料的其它薄膜來控制對(duì)發(fā)光薄膜材料的電荷注入、電荷傳輸或電荷阻斷(blocking)，并且這些有機(jī)材料或無機(jī)材料的其它薄膜在本領(lǐng)域中是已知的。這些材料被設(shè)置在電極之間的基板上并具有封裝覆蓋層或板。當(dāng)電流通過發(fā)光材料時(shí)，從子像素發(fā)出光。所發(fā)出的光的頻率取決于所使用的材料的性質(zhì)。在這種顯示器中，光可以穿過基板(底部發(fā)射器)或穿過封裝覆蓋物(頂部發(fā)射器)或者這兩者被發(fā)出。LED裝置可以包括經(jīng)構(gòu)圖的發(fā)光層，其中，不同的材料被用在該圖案中，從而當(dāng)電流通過這些材料時(shí)發(fā)出不同顏色的光。另選地，可以采用單個(gè)發(fā)射層(例如，白光發(fā)射器)與濾色器一起用于形成全彩色顯示器，如Cok的名為“STACKED OLED DISPLAY HAVING IMPROVED EFFICIENCY”的美國(guó)專利No. 6，987，355中所教導(dǎo)的。采用不包括濾色器的白色子像素也是公知的，例如，如Cok等人的名為“COLOR OLED DISPLAY WITH IMPROVED POWER EFFICIENCY”的美國(guó)專利No. 6，919，681中所教導(dǎo)的。已經(jīng)提出了采用未經(jīng)構(gòu)圖的白色發(fā)射器以及四色像素(該四色像素包括紅色、綠色和藍(lán)色濾色器和子像素以及未經(jīng)濾色的白色子像素)的設(shè)計(jì)，從而提高該裝置的效率(參見例如2007年6月12日授權(quán)給Miller等人的美國(guó)專利No. 7，230，594)。通常已經(jīng)知道用于控制平板顯示裝置中的像素的兩種不同的方法有源矩陣控制和無源矩陣控制。在有源矩陣裝置中，控制元件分布在平板基板上。通常，每一個(gè)子像素由一個(gè)控制元件來控制，并且每一個(gè)控制元件包括至少一個(gè)晶體管。例如，在簡(jiǎn)單的現(xiàn)有技術(shù)中的有源矩陣有機(jī)發(fā)光(OLED)顯示器中，每一個(gè)控制元件包括兩個(gè)晶體管(選擇晶體管和電力晶體管)以及用于存儲(chǔ)指定子像素的亮度的電荷的一個(gè)電容器。各個(gè)發(fā)光元件通常采用獨(dú)立的控制電極和公共電極。
一種形成有源矩陣控制元件的常見的、現(xiàn)有技術(shù)的方法通常將諸如硅的半導(dǎo)體材料的薄膜沉積在玻璃基板上，然后通過光刻工藝將這些半導(dǎo)體材料形成為晶體管和電容器。該薄膜硅可以是非晶硅或多晶硅。與在晶體硅晶片中制成的傳統(tǒng)的晶體管相比，由非晶硅或多晶硅制成的薄膜晶體管(TFT)相對(duì)較大且具有較低的性能。此外，這些薄膜器件通常在整個(gè)玻璃基板上展現(xiàn)出的局部的或大面積的不均勻性，從而導(dǎo)致采用這些材料的顯示器的電氣性能和視覺外觀方面的不均勻性。Matsumura等人在美國(guó)專利申請(qǐng)No. 2006/0055864中描述了用于驅(qū)動(dòng)LCD顯示器的晶體硅基板。該申請(qǐng)描述了一種用于將由第一半導(dǎo)體基板制成的像素控制裝置選擇性地轉(zhuǎn)移和固定在第二平面顯示基板上的方法。示出了像素控制裝置中的布線互連以及從總線 (buss)和控制電極到該像素控制裝置的連接。因此，存在針對(duì)使用并包含小芯片的經(jīng)改進(jìn)的發(fā)光裝置的需要。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，一種發(fā)光裝置包括a)具有基板表面的基板；b)粘接(adhere)到所述基板表面的小芯片，該小芯片具有一個(gè)或更多個(gè)連接墊；c)形成在所述基板表面上的底部電極，形成在該底部電極上的一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層，以及形成在所述一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層上的頂部電極；d)電導(dǎo)體，該電導(dǎo)體包括形成在所述小芯片的僅一部分和所述基板表面的僅一部分上的過渡層，該過渡層暴露出至少一個(gè)連接墊，所述電導(dǎo)體被形成為與所述底部電極和所暴露的連接墊電接觸；以及e)與所述小芯片間隔開的LED，該LED包括形成在所述底部電極上的發(fā)光材料層以及形成在所述發(fā)光層上的頂部電極。有益效果本發(fā)明提供了用于控制使用小芯片的發(fā)光二極管裝置的經(jīng)簡(jiǎn)化的結(jié)構(gòu)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的裝置的局部截面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的另選實(shí)施方式的裝置的局部截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的具有濾色器的裝置的局部截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的具有蓋的裝置的局部截面圖；以及圖5是例示形成根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的裝置的流程圖。
具體實(shí)施例方式參照?qǐng)D1，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，發(fā)光裝置包括具有基板表面11的基板 10 ；粘接到基板表面11的小芯片20，該小芯片20具有形成在該小芯片20上的一個(gè)或更多個(gè)連接墊對(duì)。過渡層30位于小芯片20的僅一部分和基板表面11的僅一部分上，并暴露出至少一個(gè)連接墊24。底部電極12被形成在基板表面11上，一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層14被形成在該底部電極12上，并且頂部電極16被形成在一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層14上。電導(dǎo)體40形成與底部電極12和所暴露出的連接墊M的電接觸。 所述一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層14和頂部電極16可以不止形成在該底部電極 12上。一般地說，所述一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層14和頂部電極16可以未經(jīng)構(gòu)圖，雖然底部電極12被構(gòu)圖以形成針對(duì)發(fā)光元件的有源矩陣控制。小芯片20提供用于控制底部電極12的電路并能夠用于代替包含例如多晶硅或非晶硅的傳統(tǒng)的薄膜晶體管。Winters 等人在名為 “OLED DEVICE WITH EMBEDDED CHIP DRIVING” 的共同受讓、 共同待決的美國(guó)專利申請(qǐng)No. 12/191，478 (通過引用將其全部?jī)?nèi)容并入本文)中描述了與大玻璃基板相結(jié)合使用多個(gè)小的晶體硅片(“小芯片”)，從而在顯示裝置中提供有源矩陣控制。這些小芯片包含諸如晶體管的驅(qū)動(dòng)元件并首先被形成在半導(dǎo)體晶片上。這些小的小芯片器件然后被從硅晶片基板上釋放并被安裝在玻璃顯示基板上。采用一系列的平坦化層來粘接并掩埋這些小芯片。本發(fā)明采用過渡層來降低成本并提高采用了小芯片的電光顯示器的光學(xué)性能。本發(fā)明可用于頂部發(fā)射器構(gòu)造和底部發(fā)射器構(gòu)造這兩者。在底部發(fā)射器構(gòu)造中， 底部電極12是透明的(例如，由ITO構(gòu)成)，并且頂部電極16是反射性的(例如，由諸如鋁，銀，鎂的金屬或金屬合金構(gòu)成)。在底部發(fā)射器構(gòu)造中，基板10也必須是透明的，但在頂部發(fā)射器構(gòu)造中沒有這種限制。在頂部發(fā)射器構(gòu)造中，底部電極12可以是反射性的，而頂部電極16必須是透明的。圖1例示了本發(fā)明的可以是頂部發(fā)射或者底部發(fā)射的實(shí)施方式。 圖3例示了一種底部發(fā)射器結(jié)構(gòu)。圖2和圖4是頂部發(fā)射器結(jié)構(gòu)。粘合劑層36可被形成在基板10的至少一部分上，并且可被用來將小芯片20粘接到基板10上。該粘合劑層36可僅被形成在小芯片20與基板10之間(如圖1所示)或者該粘合劑層36可以在整個(gè)基板10上延伸并形成基板表面11 (未示出)。一個(gè)或更多個(gè)總線18可被形成在基板10上并可被用來向小芯片20上的連接墊M傳導(dǎo)電力信號(hào)、接地信號(hào)或控制信號(hào)?？偩€絕緣層32可以將總線18與發(fā)光層14絕緣。如圖1所示，總線18A能夠穿過形成在總線絕緣層32中的通孔(via) 19來電連接到頂部電極16。小芯片絕緣層34 同樣可以將小芯片20和連接墊M與發(fā)光層14或頂部電極16絕緣，并保護(hù)小芯片20和連接墊24。無論是在頂部發(fā)射器構(gòu)造還是在底部發(fā)射器構(gòu)造中，可采用可選的濾色器來對(duì)發(fā)光層14所發(fā)射的光進(jìn)行過濾。參照?qǐng)D3，濾色器50可被形成在基板10的至少一部分與底部電極12之間。濾色器50可被直接形成在基板10的一部分上或被形成在基板10上形成的其它層的一部分上。在頂部發(fā)射器的實(shí)施方式中，濾色器50可被設(shè)置在蓋60 (圖4)上或直接設(shè)置在頂部電極16 (未示出)上。在顯示裝置中，多個(gè)濾色器可以與多個(gè)小芯片和多個(gè)獨(dú)立控制的底部電極一起被采用，以使得多個(gè)像素元件具有不同顏色的子像素。在發(fā)光材料沒有在基板上被構(gòu)圖的情況下，這些濾色器特別有用。另選地，不同的發(fā)光材料可以與底部電極相對(duì)應(yīng)地在基板上被構(gòu)圖，各種發(fā)光材料發(fā)出不同顏色的光，以形成多顏色的顯不。根據(jù)本發(fā)明，通常被涂敷在基板10上但沒有被涂敷在小芯片20或底部電極12上或小芯片20或底部電極12上方的任何層都可以形成基板表面11。僅在小芯片20與基板表面11之間被構(gòu)圖的任何層(例如，粘合劑層36)可被認(rèn)為是小芯片20的一部分，以使得即使當(dāng)存在這種經(jīng)構(gòu)圖的層時(shí)，小芯片20也被粘接到基板表面11。同樣地，僅在底部電極 12與基板表面11之間被構(gòu)圖的任何層(例如，濾色器)被認(rèn)為是底部電極12或基板表面 11的一部分，以使得即使當(dāng)存在這種經(jīng)構(gòu)圖的層時(shí)，底部電極12也被形成在基板表面11 上。另選地，被涂敷在基板10的一部分上但沒有在小芯片20或底部電極12上或在小芯片 20或底部電極12上方延伸、并且包括與過渡層30不同的材料或者按照與過渡層30不同的步驟被沉積的層可被認(rèn)為形成基板表面11的一部分。按照該另選的理解，如果濾色器50 被用在基板10與底部電極12之間，則該濾色器50的表面可用作基板表面11 (圖3)。因此，發(fā)光層14、頂部電極16和小芯片絕緣層34不能被認(rèn)為形成基板表面11，盡管濾色器層 50、總線絕緣層32(只在圖2中)或粘合劑層36可以被認(rèn)為形成基板表面11。雖然圖1的設(shè)計(jì)可用在頂部發(fā)射器構(gòu)造和底部發(fā)射器構(gòu)造這兩者中，但這種設(shè)計(jì)限制了該裝置的發(fā)光面積。參照?qǐng)D2，底部電極12在一個(gè)或更多個(gè)總線18和總線絕緣層 32上延伸，從而通過使電流從頂部電極16和底部電極12經(jīng)過發(fā)光層14并形成頂部發(fā)射器結(jié)構(gòu)來增加可以發(fā)射光的面積。因?yàn)檫^渡層30所覆蓋的基板面積被最小化并且總線絕緣層32被限制為僅在需要該總線絕緣層32的基板面積上，所以本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施方式具有需要最少的材料的優(yōu)點(diǎn)。 同樣，小芯片絕緣材料34以及小芯片粘合劑層36被最小化。目前存在大規(guī)模制造的基礎(chǔ)設(shè)施來制造和銷售用于LCD行業(yè)的“濾色器玻璃”。這些產(chǎn)品包括由經(jīng)構(gòu)圖的透明導(dǎo)體(通常是ΙΤ0)覆蓋的玻璃上的經(jīng)構(gòu)圖的濾色器。利用作為基板的該濾色器玻璃和用于發(fā)光裝置的下電極來開始本發(fā)明的低成本的實(shí)施方式。根據(jù)如上所述并且如圖5所示的本發(fā)明的方法，可以通過提供具有基板表面的基板(步驟100)來制造發(fā)光裝置。提供小芯片(步驟105)并將該小芯片粘接到該基板表面 (步驟110)，該小芯片有一個(gè)或更多個(gè)連接墊。僅在該小芯片的一部分和該基板表面的一部分上形成過渡層(步驟115)，該過渡層暴露出至少一個(gè)連接墊。底部電極被形成在該基板表面上(步驟120)。在一個(gè)實(shí)施方式中，可以在將這些小芯片粘接到該基板以前形成該底部電極；另選地，可以在將這些小芯片粘接到該基板以后形成該底部電極。將電導(dǎo)體形成為與底部電極和所暴露出的連接墊電連接(步驟12 。將一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層形成在該底部電極上(步驟130)以及將頂部電極形成在該一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層上(步驟13 。通常，在形成這些發(fā)光層(步驟130)以及形成該頂部電極 (步驟135)之前形成該電導(dǎo)體(步驟125)。在本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施方式中，該底部電極可以與該電導(dǎo)體一起在共同的步驟中被形成，從而降低制造成本。一個(gè)或更多個(gè)總線可以被形成在基板上，并且這些總線可以與該底部電極一起在共同的步驟中被形成或者這些總線可以與該電導(dǎo)體一起在共同的步驟中被形成(例如，圖1)。總線絕緣層可以被形成在該一個(gè)或更多個(gè)總線與該底部電極之間。 該總線絕緣層可以與過渡層一起在共同的步驟中被形成(例如，圖2和圖4)。小芯片絕緣層可被形成在小芯片和連接墊上方并在該頂部電極或該一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光層下方。該總線絕緣層可以與該小芯片絕緣層一起在共同的步驟中被形成(例如，圖1和圖幻。通過在共同的步驟中形成本發(fā)明的多個(gè)元件，減少了工藝步驟和成本。同樣，被形成在小芯片上的連接墊與底部電極之間的電導(dǎo)體可以在該底部電極以前或該底部電極以后或最理想地在與該底部電極相同的步驟中被形成，以減少工藝步驟和成本(例如，圖1)。
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一個(gè)或更多個(gè)濾色器可被形成在基板與底部電極之間或被形成在頂部電極上方， 例如，被形成在蓋上。本發(fā)明具有減少所使用的材料的量的優(yōu)點(diǎn)。這不但降低了該裝置的成本，而且如果光將穿過該材料，則本發(fā)明還增加了該裝置的光輸出效率?？梢岳帽绢I(lǐng)域已知的噴墨或微噴(micro-dispensing)技術(shù)來逐個(gè)圖案地沉積用于該總線絕緣層、小芯片絕緣層、過渡層或粘合劑層的材料(例如，樹脂)。另選地，可以使用本領(lǐng)域已知的光刻方法?？梢允褂美醚谀５恼舭l(fā)方法或傳統(tǒng)的光刻方法來形成金屬層?？梢酝ㄟ^對(duì)沉積進(jìn)行構(gòu)圖或激光燒蝕(ablation)來形成通孔。本發(fā)明的附加優(yōu)點(diǎn)在于，噴墨或微噴方法可以用來形成各種絕緣層，以使得所采用的材料不必如同傳統(tǒng)的光刻工藝的情況那樣是光敏的。因此，這些材料可以不昂貴。此外，如果使用光敏材料，則小芯片20本身可以被用來在曝光時(shí)(從上方)掩蔽這些小芯片 20下面的粘合劑材料，從而消除了在將小芯片20粘接到基板10上時(shí)針對(duì)昂貴的掩模和對(duì)準(zhǔn)(alignment)過程的需要。類似地，當(dāng)從下方(穿過基板10)進(jìn)行曝光時(shí)利用小芯片20 掩蔽光可固化樹脂可以形成小芯片絕緣層34并對(duì)該小芯片絕緣層34進(jìn)行構(gòu)圖。該裝置基板10可以包括玻璃?？偩€18，頂部電極16或底部電極12或者電導(dǎo)體40 可由經(jīng)蒸發(fā)或?yàn)R射的金屬(例如，鋁或銀、或者金屬合金)制成。可以利用集成電路行業(yè)中已經(jīng)確立的傳統(tǒng)技術(shù)來形成小芯片20，并可以利用上文引用的共同待決、共同受讓的美國(guó)申請(qǐng)No. 12/191，478中所述的方法來將小芯片20設(shè)置在基板10上。絕緣層30、32、34可由樹脂制成。商業(yè)化材料(例如，苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene))可被用來有效地粘接小芯片并形成各個(gè)絕緣層30、32和34。小芯片與顯示基板分開制造，并且接著應(yīng)用到該顯示基板。優(yōu)選地利用用于制造半導(dǎo)體器件的已知工藝來使用硅或絕緣體上硅(SOI)晶片制造小芯片。然后，各個(gè)小芯片在附接到顯示基板之前被分開。因此，各個(gè)小芯片的晶體基底(base)可以被認(rèn)為是與裝置的基板分開、并且其上面設(shè)置有小芯片的電路的基板。具體地說，該獨(dú)立基板與上面形成有像素的基板10分開，并且用于多小芯片裝置的這些獨(dú)立的小芯片基板的面積合計(jì)起來比裝置基板10小。小芯片可以具有晶體基板，以提供比例如在薄膜非晶硅或多晶硅器件中所得到的更高性能的有源組件。小芯片可以優(yōu)選地具有100 μ m或更小的厚度，更優(yōu)選地為 20 μ m或更小。這有利于在小芯片的一部分上形成過渡層30。由于小芯片20被形成在半導(dǎo)體基板中，所以可以利用現(xiàn)代光刻工具來形成小芯片的電路。利用這些工具，0.5微米或更小的特征尺寸是容易獲得的。例如，現(xiàn)代半導(dǎo)體生產(chǎn)線可以實(shí)現(xiàn)90nm或45nm的線寬度，并可以用于制造本發(fā)明的小芯片。因此，小芯片的用于驅(qū)動(dòng)像素的電路(諸如，各個(gè)像素的兩個(gè)晶體管)可以被制造得很小。但是，小芯片還需要連接墊，用于在組裝到顯示基板上時(shí)電連接到設(shè)置在小芯片上的布線層。連接墊必須基于顯示基板上使用的光刻工具的特征尺寸(例如，5μπι)以及小芯片對(duì)于布線層的對(duì)準(zhǔn)(例如，+/-5um)來調(diào)節(jié)尺寸。因此，連接墊可以是例如15um寬，并且連接墊之間的間隔為5 μ m。 這意味著連接墊通常將明顯比小芯片中形成的晶體管電路大。連接墊M通常可以形成在小芯片20上的在晶體管上方的金屬化層中。期望使小芯片具有盡可能小的表面面積，以實(shí)現(xiàn)低的制造成本。因此，通常是連接墊的尺寸和數(shù)量而不是晶體管的尺寸和數(shù)量限制了小芯片的尺寸。
本發(fā)明可用于具有多像素或多小芯片基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)的裝置，本發(fā)明也可用于有源矩陣構(gòu)造，在該有源矩陣構(gòu)造中，小芯片具有作為有源矩陣元件或作為無源矩陣控制器來控制各個(gè)像素的電路。當(dāng)降低成本和提高性能很重要時(shí)，本發(fā)明提供了優(yōu)勢(shì)。具體地說，本發(fā)明可以與有機(jī)有源矩陣LED裝置或無機(jī)有源矩陣LED裝置一起實(shí)施，并且在信息顯示裝置中尤其有用。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，本發(fā)明被用在由小分子或聚合物OLED構(gòu)成的平板OLED裝置中，如1988年9月6日授權(quán)給Tang等人的美國(guó)專利No. 4，769，292和1991年10月四日授權(quán)給Van Slyke等人的美國(guó)專利No. 5，061，569中所公開的，但并不限于此?？梢圆捎脽o機(jī)裝置，該無機(jī)裝置例如采用形成在多晶半導(dǎo)體基體中的量子點(diǎn)(例如，如在Kahen的美國(guó)公開No. 2007/0057263中所教導(dǎo)的)并采用有機(jī)電荷控制層或無機(jī)電荷控制層，或者可以采用混合的有機(jī)/無機(jī)裝置。有機(jī)發(fā)光顯示器或無機(jī)發(fā)光顯示器的許多組合和變型可以用來制造這種裝置，該裝置包括具有頂部發(fā)射器構(gòu)造或底部發(fā)射器構(gòu)造的有源矩陣顯示器。盡管已經(jīng)具體參照特定的優(yōu)選實(shí)施方式詳細(xì)描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)多種變型和修改。部件列表
10裝置基板
11基板表面
12底部電極
14發(fā)光層
16頂部電極
18，18A總線
19通孔
20小芯片
24連接墊
30過渡層
32總線絕緣層
34小芯片絕緣層
36粘合劑層
40電導(dǎo)體
50濾色器
60至 ΓΤΠ
100提供基板的步驟
105提供小芯片的步驟
110粘接小芯片的步驟
115形成過渡層的步驟
120形成底部電極的步驟
125形成導(dǎo)體的步驟
130形成發(fā)射層的步驟
135形成頂部電極的步驟
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括a)具有基板表面的基板；b)粘接到所述基板表面的小芯片，該小芯片具有一個(gè)或更多個(gè)連接墊；c)形成在所述基板表面上的底部電極，形成在該底部電極上的一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層，以及形成在所述一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層上的頂部電極；d)電導(dǎo)體，該電導(dǎo)體包括形成在所述小芯片的僅一部分和所述基板表面的僅一部分上的過渡層，該過渡層暴露出至少一個(gè)連接墊，所述電導(dǎo)體被形成為與所述底部電極和所暴露出的連接墊電接觸；以及e)與所述小芯片間隔開的LED，該LED包括形成在所述底部電極上的發(fā)光材料層以及形成在所述發(fā)光層上的頂部電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置還包括形成在所述基板的至少一部分上的粘合劑層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置還包括形成在所述上的一個(gè)或更多個(gè)總線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其中，所述一個(gè)或更多個(gè)總線與所述底部電極一起被形成，或者其中，所述一個(gè)或更多個(gè)總線與所述電導(dǎo)體一起被形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其中，所述底部電極在所述一個(gè)或更多個(gè)總線上延伸，并且所述發(fā)光裝置還包括形成在所述一個(gè)或更多個(gè)總線與所述底部電極之間的總線絕緣層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其中，所述總線絕緣層與所述過渡層一起被形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置還包括小芯片絕緣層，該小芯片絕緣層被設(shè)置在所述小芯片和所述一個(gè)或更多個(gè)連接墊上方并且在所述一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層下方或在所述頂部電極下方，其中，所述總線絕緣層與所述小芯片絕緣層一起被形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其中，所述一個(gè)或更多個(gè)總線被連接到連接墊，所述一個(gè)或更多個(gè)總線被連接到所述頂部電極，或者所述頂部電極被連接到連接墊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置還包括小芯片絕緣層，該小芯片絕緣層被形成在所述小芯片和所述一個(gè)或更多個(gè)連接墊上方并且在所述一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層下方或在所述頂部電極下方。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層和所述頂部電極沒有與所述底部電極相對(duì)應(yīng)地被構(gòu)圖。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置還包括濾色器，該濾色器位于所述底部電極與所述基板之間或位于所述頂部電極上方。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其中，所述濾色器形成所述基板表面的一部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層與所述底部電極相對(duì)應(yīng)地被構(gòu)圖。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述底部電極與所述電導(dǎo)體一起被形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述底部電極、所述發(fā)光層和所述頂部電極形成有機(jī)發(fā)光二極管或無機(jī)發(fā)光二極管。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置還包括粘接到所述基板的多個(gè)小芯片以及限定多個(gè)發(fā)光元件的多個(gè)底部電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，該發(fā)光裝置是顯示器。
全文摘要
一種發(fā)光裝置包括具有基板表面的基板；粘接到所述基板表面的小芯片，該小芯片具有一個(gè)或更多個(gè)連接墊；形成在所述基板表面上的底部電極，形成在該底部電極上的一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層，以及形成在所述一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層上的頂部電極；電導(dǎo)體，該電導(dǎo)體包括形成在所述小芯片的僅一部分和所述基板表面的僅一部分上的過渡層，該過渡層暴露出至少一個(gè)連接墊，所述電導(dǎo)體被形成為與所述底部電極和所暴露出的連接墊電接觸；以及與所述小芯片間隔開的LED，該LED包括形成在所述底部電極上的發(fā)光材料層以及形成在所述發(fā)光層上的頂部電極。
文檔編號(hào)H01L27/32GK102282696SQ200980145942
公開日2011年12月14日 申請(qǐng)日期2009年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月17日
發(fā)明者約翰·W·哈默, 羅納德·史蒂文·科克 申請(qǐng)人:全球Oled科技有限責(zé)任公司