專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。
背景技術(shù)：
以往，對(duì)具有放射綠 紫外區(qū)域的光的特性的半導(dǎo)體發(fā)光元件進(jìn)行了研究。這樣的半導(dǎo)體發(fā)光元件是采用了作為GaN系氮化物半導(dǎo)體材料的Al JnyGazBuN(0彡χ彡1， 0彡y彡1，0彡ζ彡1，0彡u彡1，并且x+y+z+u = 1)的發(fā)光二極管(LED)或激光二極管 (LD)。藍(lán)色發(fā)光二極管或紫外發(fā)光二極管等半導(dǎo)體發(fā)光元件被與螢光體組合而使用。藍(lán)色發(fā)光二極管或紫外發(fā)光二極管發(fā)出藍(lán)色光或紫外光。放射出的藍(lán)色光或紫外光通過(guò)螢光體而變化成白光。而且，還對(duì)具有藍(lán)色發(fā)光二極管或紫外發(fā)光二極管、和螢光體的發(fā)光裝置進(jìn)行了研究。在制造采用了 GaN系氮化物半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體發(fā)光元件時(shí)，可使用晶體生長(zhǎng)用基板。該晶體生長(zhǎng)用基板被要求具有耐熱性。而且，該晶體生長(zhǎng)基板還被要求具有與氮化物半導(dǎo)體材料所具有的熱膨脹率接近的熱膨脹率。鑒于此，一般采用藍(lán)寶石晶片作為晶體生長(zhǎng)用基板。但是，藍(lán)寶石晶片一般導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性較低。而且，藍(lán)寶石晶片較硬。另外， 藍(lán)寶石晶片具有較低的裂開性。因此，所具有的半導(dǎo)體發(fā)光元件具備藍(lán)寶石基板的器件其形狀受限制，而且，所具有的半導(dǎo)體發(fā)光元件具備藍(lán)寶石基板的器件需要按照高效率散熱的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)。即，為了使1個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件大量放出光，需要對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光元件供給大的電流。如果對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光元件供給了大的電流，則半導(dǎo)體發(fā)光元件會(huì)散發(fā)大量的熱。 因此，器件需要進(jìn)行具有高散熱性的設(shè)計(jì)。與之相對(duì)，以往藍(lán)寶石晶片通過(guò)研磨而變薄。而且，以往藍(lán)寶石晶片被從氮化物半導(dǎo)體除去。若具體說(shuō)明，則首先在藍(lán)寶石晶片的上面形成緩沖層。該緩沖層例如是在低溫下生長(zhǎng)的GaN。接下來(lái)，在緩沖層的上面晶體生長(zhǎng)η型氮化物半導(dǎo)體層。接下來(lái)，在η型氮化物半導(dǎo)體層的上面晶體生長(zhǎng)P型氮化物半導(dǎo)體層。接著， 在P型氮化物半導(dǎo)體層的上表面接合支承晶片。接下來(lái)，隔著藍(lán)寶石晶片對(duì)緩沖層照射紫外光等激光。由此，將藍(lán)寶石晶片從η型氮化物半導(dǎo)體層剝離。研究了對(duì)這樣的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。但是，藍(lán)寶石晶片具有與氮化物半導(dǎo)體層所具有的熱膨脹率不同的熱膨脹率。因此，在通過(guò)研磨藍(lán)寶石基板而使其變薄的情況下，氮化物半導(dǎo)體層受到藍(lán)寶石晶片與氮化物半導(dǎo)體層之間的熱膨脹率之差所引發(fā)的應(yīng)力。該應(yīng)力使藍(lán)寶石晶片和多層氮化物半導(dǎo)體層產(chǎn)生翹曲。該翹曲使藍(lán)寶石晶片、多層氮化物半導(dǎo)體層產(chǎn)生裂紋。另外，在將藍(lán)寶石晶片從多層氮化物半導(dǎo)體層剝離時(shí)，隔著藍(lán)寶石晶片對(duì)多層氮化物半導(dǎo)體層照射激光。即，多層氮化物半導(dǎo)體層的緩沖層受到激光照射。由于緩沖層受到激光照射，所以GaN被分解成( 和N。若GaN分解，則產(chǎn)生隊(duì)。由于該隊(duì)氣體存在于多層氮化物半導(dǎo)體和藍(lán)寶石晶片之間，所以對(duì)多層氮化物半導(dǎo)體層賦予氣壓。因此，隊(duì)氣體的氣壓使多層氮化物半導(dǎo)體層產(chǎn)生微米數(shù)量級(jí)的裂紋。該裂紋成為電流泄漏的原因。因此， 如此制造的半導(dǎo)體發(fā)光元件成品率低。
日本專利公報(bào)專利第3518455號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn))以及專利第3795765號(hào)公報(bào) (專利文獻(xiàn)2)公開了這樣的問(wèn)題的解決方法。專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2公開了在透明晶體晶片與氮化物半導(dǎo)體層的界面預(yù)先設(shè)置空隙的工序。該空隙緩和了在透明晶體晶片與多層氮化物半導(dǎo)體層之間產(chǎn)生的隊(duì)所產(chǎn)生的氣壓。專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2公開了以下的工序。首先，在藍(lán)寶石晶片的上表面通過(guò)MOVPE法使包含構(gòu)成多層氮化物半導(dǎo)體層的一部分的緩沖層的基底層晶體生長(zhǎng)。緩沖層由GaN構(gòu)成。接下來(lái)，通過(guò)光刻及蝕刻在基底層以及藍(lán)寶石晶片的上面進(jìn)行圖案形成。接著，在緩沖層及藍(lán)寶石晶片的上表面形成η型氮化物半導(dǎo)體層及P型氮化物半導(dǎo)體層。該η型氮化物半導(dǎo)體層及P型氮化物半導(dǎo)體層通過(guò)基于橫向外延過(guò)生成(Epitaxial Lateral Overgrowth)的晶體生長(zhǎng)而形成。由此，在藍(lán)寶石晶片與多層氮化物半導(dǎo)體層的界面形成空隙。接下來(lái)，隔著藍(lán)寶石晶片對(duì)緩沖層照射激光，由此將藍(lán)寶石晶片剝離。另外，在日本專利公報(bào)第3525061號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)3)中，也公開了一種通過(guò)光刻及蝕刻在藍(lán)寶石晶片的上表面形成凹凸的工序。在專利文獻(xiàn)3中，首先在藍(lán)寶石晶片的上表面形成凹凸。接著，進(jìn)行形成氮化物半導(dǎo)體層的工序。接下來(lái)，進(jìn)行隔著藍(lán)寶石晶片對(duì)氮化物半導(dǎo)體層照射激光的工序。由此，藍(lán)寶石晶片被從多層氮化物半導(dǎo)體層剝離。但是，在專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2所記載的方法中，進(jìn)行了 2個(gè)階段的晶體生長(zhǎng)。 因此，當(dāng)利用專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2所記載的方法制造多層氮化物半導(dǎo)體層時(shí)，需要很多制造時(shí)間，而且需要很多成本。另外，在形成了基底層后，藍(lán)寶石晶片被從真空的腔室中取出。接下來(lái)，進(jìn)行對(duì)基底層實(shí)施處理的第1形成工序。然后，再次在真空的腔室內(nèi)進(jìn)行對(duì)基底層的上面形成半導(dǎo)體層的第2形成工序。這里，在第1形成工序與第2形成工序之間，藍(lán)寶石晶片被從真空的腔室取出。當(dāng)藍(lán)寶石晶片被取出到外部時(shí)，存在表面附著雜質(zhì)的可能性。結(jié)果，有可能在多層氮化物半導(dǎo)體層中混入不必要的雜質(zhì)。即，由于藍(lán)寶石晶片被取出到外部，有可能導(dǎo)致多層氮化物半導(dǎo)體層的質(zhì)量降低。另外，在專利文獻(xiàn)3中，在具有凹凸的藍(lán)寶石晶片的上表面形成包含緩沖層的多層氮化物半導(dǎo)體層。這樣形成的多層氮化物半導(dǎo)體層通過(guò)與橫向外延過(guò)生成法不同性質(zhì)的晶體生長(zhǎng)而形成。即，在晶體生長(zhǎng)的初期階段，藍(lán)寶石晶片的凹凸影響多層氮化物半導(dǎo)體的結(jié)晶。結(jié)果，導(dǎo)致多層氮化物半導(dǎo)體層的質(zhì)量降低。對(duì)此，日本公開專利公報(bào)特開2007-299935號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)4)公開了其他的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。專利文獻(xiàn)4公開了一種在藍(lán)寶石晶片的上面使多層氮化物半導(dǎo)體層晶體生長(zhǎng)的工序。接著，進(jìn)行形成從多層氮化物半導(dǎo)體層的上表面到達(dá)藍(lán)寶石晶的上表面的槽的工序。接下來(lái)，隔著藍(lán)寶石晶片對(duì)多層氮化物半導(dǎo)體層照射激光。由此，藍(lán)寶石晶片被從多層氮化物半導(dǎo)體層剝離。根據(jù)專利文獻(xiàn)4記載的制造方法，能夠保持多層氮化物半導(dǎo)體層的高結(jié)晶性。而且，可以防止由于在剝離藍(lán)寶石晶片時(shí)產(chǎn)生的N2氣體所引發(fā)的沖擊而產(chǎn)生微米數(shù)量級(jí)的裂紋。但是，在專利文獻(xiàn)4所記載的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法中，當(dāng)形成槽時(shí)，在槽的附近產(chǎn)生微小的凹凸。該微小的凹凸使多層氮化物半導(dǎo)體層與支承晶片的接合力降低。因此，存在通過(guò)切斷而得到的半導(dǎo)體發(fā)光元件中的、多層氮化物半導(dǎo)體層與由支承晶片的一部分構(gòu)成的支承基板的接合可靠性降低的可能性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決上述問(wèn)題而提出。本發(fā)明的第1目的在于，提供一種多層氮化物半導(dǎo)體層發(fā)生微米數(shù)量級(jí)的裂紋得到抑制的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。而且，本發(fā)明的第2目的在于，提供一種多層氮化物半導(dǎo)體層與支承基板可靠地接合的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。為了解決上述課題，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法具有半導(dǎo)體層形成工序、接合工序、槽形成工序、光照射工序、剝離工序和切斷工序。在半導(dǎo)體層形成工序中，在透過(guò)第1光的第1晶片的上表面形成多層氮化物半導(dǎo)體層。第1晶片具有上述第1面、和第2面。第2面位于與第1面相反一側(cè)。所述多層氮化物半導(dǎo)體層包括n型或ρ型的第1 氮化物半導(dǎo)體層、和位于該第1氮化物半導(dǎo)體層的上表面并且具有與該第1氮化物半導(dǎo)體層相反型的第2氮化物半導(dǎo)體層。多層氮化物半導(dǎo)體層具有與所述第1面對(duì)置的第3面。 接合工序在所述半導(dǎo)體層形成工序后進(jìn)行。在接合工序中，在多層氮化物半導(dǎo)體層上接合第2晶片。槽形成工序在接合工序后進(jìn)行。在槽形成工序中，形成從第1晶片的第2面至少到達(dá)多層氮化物半導(dǎo)體層的深度的槽。光照射工序在槽形成工序后進(jìn)行。光照射工序隔著第1晶片對(duì)多層氮化物半導(dǎo)體層的下表面照射第1光，由此將位于多層氮化物半導(dǎo)體層的第3面的氮化物半導(dǎo)體分解。通過(guò)位于多層氮化物半導(dǎo)體層的第3面的氮化物半導(dǎo)體分解，而產(chǎn)生氮?dú)?。該氮?dú)馔ㄟ^(guò)槽向外部放出。而且，通過(guò)位于多層氮化物半導(dǎo)體層的第3面的氮化物半導(dǎo)體分解，多層氮化物半導(dǎo)體層與第1晶片之間的接合力降低。剝離工序在光照射工序后進(jìn)行。在剝離工序中，第1氮化物半導(dǎo)體層被從第1晶片剝離。切斷工序在剝離工序后進(jìn)行。在切斷工序中，將第1氮化物半導(dǎo)體層、第2氮化物半導(dǎo)體層和第2晶片沿所述槽切斷。由此，分割成多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件。該情況下，在光照射工序中產(chǎn)生的N2氣體通過(guò)槽被放出。因此，可以防止多層氮化物半導(dǎo)體層產(chǎn)生裂紋。另外，在槽形成工序中，在將多層氮化物半導(dǎo)體層與支承晶片接合后形成槽。該多層氮化物半導(dǎo)體層通過(guò)被切斷而被分割成由支承基板和形成在支承基板上的多層氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件。這里，能夠得到多層氮化物半導(dǎo)體與支承基板可靠接合的半導(dǎo)體發(fā)光元件。在形成所述槽時(shí)，優(yōu)選形成到達(dá)所述第2晶片的深度的槽。該情況下，在切斷工序中，可以省略對(duì)第2晶片新形成槽的工序。因此，能夠容易地分割成多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件。在形成所述槽時(shí)，優(yōu)選通過(guò)照射激光來(lái)形成槽。該情況下，能夠利用比通過(guò)切割來(lái)形成槽時(shí)所花費(fèi)的時(shí)間短的時(shí)間形成槽。而且， 能夠形成比通過(guò)切割而形成的槽的寬度窄的寬度的槽。由此，可以由一枚第2晶片制造多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件。結(jié)果，能夠降低半導(dǎo)體發(fā)光元件的成本。在照射所述第1光時(shí)，優(yōu)選將所述第1光照射到從所述槽離開了規(guī)定距離的區(qū)域。在槽形成工序中，有可能在槽的內(nèi)面形成使電流泄漏的泄漏通道要素。但在該情況下，可以將形成有泄漏通道要素的部分在剝離工序中與第1晶片一起除去。優(yōu)選本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法還具有絕緣膜形成工序。絕緣膜形成工序在將第1晶片從多層氮化物半導(dǎo)體層分離后進(jìn)行。在絕緣膜形成工序中，在槽的內(nèi)面形成絕緣膜。所述切斷工序在絕緣膜形成工序后進(jìn)行。該情況下，可以防止切斷工序后的半導(dǎo)體發(fā)光元件的多層氮化物半導(dǎo)體層的側(cè)面被暴露在大氣中。由此，可以防止在多層氮化物半導(dǎo)體層的側(cè)面附著異物。結(jié)果，可以防止半導(dǎo)體發(fā)光元件的電流泄漏。優(yōu)選所述第2晶片具有多個(gè)元件形成區(qū)域、和劃片線區(qū)域。元件形成區(qū)域通過(guò)劃片線區(qū)域被與其他元件形成區(qū)域分離。在所述槽形成工序中，按照沿著通過(guò)劃片線區(qū)域的寬度方向的中心的中心線的方式形成槽。優(yōu)選多層氮化物半導(dǎo)體層還具有緩沖層。該緩沖層由氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成。緩沖層位于第1晶片上。第1氮化物半導(dǎo)體層位于緩沖層的上表面。緩沖層的下表面規(guī)定多層氮化物半導(dǎo)體層的第3面。優(yōu)選所述緩沖層由氮化鎵構(gòu)成。另外，優(yōu)選所述第1光為紫外光。優(yōu)選多層氮化物半導(dǎo)體層具有多個(gè)第1區(qū)域、和第2區(qū)域。多個(gè)第1區(qū)域與所述半導(dǎo)體發(fā)光元件對(duì)應(yīng)。所述第2區(qū)域使所述第1區(qū)域與其他第1區(qū)域分離。第1光不被照射到第2區(qū)域而被照射到所述第1區(qū)域。所述第2區(qū)域具有與槽的槽寬度的中心一致的中心的非照射寬度。第2區(qū)域具有比槽的槽寬度大的非照射寬度。


圖1是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的側(cè)面剖視圖。圖2是表示實(shí)施方式2的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的側(cè)面剖視圖。圖3是表示用于說(shuō)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的側(cè)面剖視圖。圖4是用于說(shuō)明上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的說(shuō)明圖。圖5是上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的說(shuō)明圖。圖6是表示實(shí)施方式4的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的側(cè)面剖視圖。
具體實(shí)施例方式(實(shí)施方式1)本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體發(fā)光元件A是使用了氮化物半導(dǎo)體材料的發(fā)光二極管。其中，在半導(dǎo)體發(fā)光元件A的制造過(guò)程中，將支承晶片倒過(guò)來(lái)進(jìn)行制造。因此，為了易于說(shuō)明， 在圖1(a) (g)中，將箭頭的方向作為上方進(jìn)行說(shuō)明。圖1(g)表示了半導(dǎo)體發(fā)光元件A 的側(cè)面剖視圖。如圖1(g)所示，半導(dǎo)體發(fā)光元件A具有支承基板3、多層氮化物半導(dǎo)體層 2、陰極電極42、陽(yáng)極電極44。支承基板3由硅構(gòu)成。多層氮化物半導(dǎo)體層2具有ρ型氮化物半導(dǎo)體層24、發(fā)光層23和η型氮化物半導(dǎo)體層22。即，ρ型氮化物半導(dǎo)體層摻雜有與 η型氮化物半導(dǎo)體層中摻雜的摻雜劑相反型的摻雜劑。陽(yáng)極電極44形成在支承基板3的上面。P型氮化物半導(dǎo)體層被配置在陽(yáng)極電極44的上面。而且，ρ型氮化物半導(dǎo)體層被接合在支承基板3的上面。發(fā)光層23被配置在ρ型氮化物半導(dǎo)體層的上面。η型氮化物半導(dǎo)體層被配置在發(fā)光層23的上面。陰極電極42被配置在η型氮化物半導(dǎo)體層的上面。本實(shí)施方式的發(fā)光二極管是藍(lán)色發(fā)光二極管。η型氮化物半導(dǎo)體層22由摻雜有η 型摻雜劑的η型GaN構(gòu)成。η型摻雜劑例如為Si。發(fā)光層23具有單一量子阱結(jié)構(gòu)。在該單一量子阱結(jié)構(gòu)中，由GaN構(gòu)成的勢(shì)壘層和由^iGaN構(gòu)成的阱層交替層疊。ρ型氮化物半導(dǎo)體層M由摻雜有P型摻雜劑的P型AlGaN層Ma、和摻雜有ρ型摻雜劑的ρ型GaN層M構(gòu)成。其中，P型摻雜劑例如為Mg、Zn。在本實(shí)施方式中，η型氮化物半導(dǎo)體層M具有2000nm 的厚度。發(fā)光層23具有50nm的厚度。ρ型氮化物半導(dǎo)體層M具有IOOnm的厚度。但是， 這些數(shù)值只是一個(gè)例子，并不被限定為這些厚度。而且，η型氮化物半導(dǎo)體層22、發(fā)光層23、 P型氮化物半導(dǎo)體層各自的層構(gòu)造也沒(méi)有被特別限定。即，η型氮化物半導(dǎo)體層22、發(fā)光層 23、ρ型氮化物半導(dǎo)體層根據(jù)用途等，其材料、構(gòu)成、構(gòu)造可以適當(dāng)變更。例如，也可以使用η 型GaN層和帶隙能量比η型GaN層大的η型AWaN層構(gòu)成η型氮化物半導(dǎo)體層22。由此， 可提高載流子的禁閉效率，從而促進(jìn)了發(fā)光層23中的電子與空穴的再結(jié)合，結(jié)果提高了內(nèi)部量子效率。另外，還可以代替上述的發(fā)光層23而采用具有單一量子阱結(jié)構(gòu)或單層構(gòu)造的發(fā)光層。陰極電極42由Ni膜、Ti膜、Au膜構(gòu)成。Ni膜形成在η型氮化物半導(dǎo)體層22的上表面。Ti膜形成在Ni膜的上表面。Au膜形成在Ti膜的上表面。該陰極電極42的材料及其層構(gòu)造只是一個(gè)例子。因此，陰極電極的材料及其層構(gòu)造不被限定。另外，陽(yáng)極電極44由形成在ρ型氮化物半導(dǎo)體層M的上表面的Pd膜和Pd膜上的Au膜構(gòu)成。但是，陽(yáng)極電極44的材料及其層構(gòu)造僅為一個(gè)例子。因此，陽(yáng)極電極的材料及其層構(gòu)造不被限定。而且，陰極電極42以及陽(yáng)極電極44的形狀可以根據(jù)半導(dǎo)體發(fā)光元件A的設(shè)計(jì)進(jìn)行變更。但在本實(shí)施方式中，η型氮化物半導(dǎo)體層22具有形成了陰極電極42 的面、和除了形成陰極電極的部分以外的光放出面。因此，優(yōu)選使陰極電極42的面積充分小于η型氮化物半導(dǎo)體層22的上表面的面積。支承基板3由Si構(gòu)成。但是，支承基板3的材料不限定為Si。優(yōu)選支承基板3由導(dǎo)熱率比下述的透明晶體晶片1高且具有剛性的材料構(gòu)成。這樣的材料例如可舉出Si、Cu、 CuW、Ge。另外，在ρ型氮化物半導(dǎo)體層M的下表面形成有陽(yáng)極電極44。而且，多層氮化物半導(dǎo)體層2與支承基板3通過(guò)由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的接合層5而接合。優(yōu)選接合層5是SnAgCu 或AuSn等無(wú)鉛焊錫。但是，接合層5并不限定為無(wú)鉛焊錫?？梢允褂肁u、Sn、Ag、Cu等金屬作為接合層5。另外，也可以使用含有Au、Sn、Ag、Cu中的至少一個(gè)的合金等作為接合層 5。而在本實(shí)施方式中，使用了導(dǎo)電性材料作為接合層5的材料。但是，例如當(dāng)從多層氮化物半導(dǎo)體層2的上表面對(duì)η型氮化物半導(dǎo)體層22的一部分以及發(fā)光層23的一部分進(jìn)行蝕刻，使P型氮化物半導(dǎo)體層M的上面的一部分露出，并在多層氮化物半導(dǎo)體層2的上表面形成陰極電極42，在多層氮化物半導(dǎo)體層2的下表面形成陽(yáng)極電極44時(shí)，可以使用由樹脂構(gòu)成的接合層。即，考慮到散熱性和接合強(qiáng)度等，只要使用導(dǎo)電性材料或者樹脂作為接合層 5的材料即可。下面，根據(jù)圖1對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，準(zhǔn)備上表面為(0001)面的由藍(lán)寶石晶片構(gòu)成的透明晶體晶片1。該透明晶體晶片1被定義為第1晶片。而且，透明晶體晶片1具有第1面100和第2面200。第1 面100定義透明晶體晶片1的上表面。第2面200位于與第1面100相反一側(cè)。S卩，第2 面200定義透明晶體晶片1的下表面。在透明晶體晶片1的上表面通過(guò)MOVPE法使由GaN 構(gòu)成的緩沖層21外延生長(zhǎng)。接下來(lái)，在緩沖層21的上表面通過(guò)MOVPE法使由η型GaN構(gòu)成的η型氮化物半導(dǎo)體層22外延生長(zhǎng)。然后，在η型氮化物半導(dǎo)體層22的上表面使發(fā)光層23外延生長(zhǎng)。發(fā)光層23具有單一量子阱結(jié)構(gòu)，該單一量子阱結(jié)構(gòu)具有由GaN構(gòu)成的勢(shì)壘層、和由InGaN構(gòu)成的阱層。接下來(lái)，利用MOVPE法使由ρ型AlGaN層2 和ρ型GaN層 24b構(gòu)成的ρ型氮化物半導(dǎo)體層M外延生長(zhǎng)。通過(guò)進(jìn)行形成該緩沖層、η型氮化物半導(dǎo)體層22、發(fā)光層23、ρ型氮化物半導(dǎo)體層M的半導(dǎo)體層形成工序，如圖1(a)那樣，在透明晶體晶片1的上表面形成多層氮化物半導(dǎo)體層2。如圖1(a)所示，多層氮化物半導(dǎo)體層2具有下表面，該下表面被定義為第3面300，其與所述第1面100對(duì)置。更具體而言，緩沖層具有下表面，該下表面定義第3面300。這里，緩沖層21的設(shè)置目的在于(a)為了減少由于透明晶體晶片1與η型氮化物半導(dǎo)體層22的晶格不匹配而在η型氮化物半導(dǎo)體層22產(chǎn)生的貫通轉(zhuǎn)移；(b)為了減少η型氮化物半導(dǎo)體層22的殘留應(yīng)變。在本實(shí)施方式中，緩沖層21由GaN構(gòu)成，但緩沖層21的材料不限于GaN。緩沖層21的材料例如還可以為AlN或 AlGaN等。其中，在本實(shí)施方式中，透明晶體晶片1由Al2O3構(gòu)成。但是，透明晶體晶片1的材料不限于A1203。透明晶體晶片1的材料例如還可以是SiC、MgAl204、ai0、Mg0、GaP、GaAs 等。另外，在半導(dǎo)體層形成工序中，形成多層氮化物半導(dǎo)體層的方法不限于MOVPE法。在半導(dǎo)體層形成工序中形成多層氮化物半導(dǎo)體層的方法例如還可以采用氫化氣相生長(zhǎng)法(HVPE 法)、分子束外延法(MBE法)、或液相生長(zhǎng)法(LPE法)等其他外延生長(zhǎng)法。在半導(dǎo)體層形成工序之后，進(jìn)行對(duì)ρ型氮化物半導(dǎo)體層M進(jìn)行退火的活化退火工序。在活化退火工序中，多層氮化物半導(dǎo)體層使用燈退火裝置在隊(duì)氣氛中以規(guī)定溫度(例如750°C )、規(guī)定時(shí)間(例如5分鐘)進(jìn)行退火。通過(guò)進(jìn)行活化退火工序，與ρ型氮化物半導(dǎo)體層M的P型摻雜劑結(jié)合的氫被除去。通過(guò)從P型摻雜劑中除去氫，P型摻雜劑被活化。在活化退火工序之后，進(jìn)行在多層氮化物半導(dǎo)體層2的上表面形成陽(yáng)極電極44的第1電極形成工序。通過(guò)進(jìn)行第1電極形成工序，如圖1(b)所示那樣，在多層氮化物半導(dǎo)體層2的上表面形成陽(yáng)極電極。陽(yáng)極電極44按下面方式形成。首先，利用光刻技術(shù)，形成按照僅在多層氮化物半導(dǎo)體層2的上表面形成陽(yáng)極電極44的區(qū)域露出的方式被構(gòu)圖的第 1抗蝕劑層。接下來(lái)，利用電子束蒸鍍法等形成陽(yáng)極電極44。接著。剝離(lift off)第1 抗蝕劑層以及形成在第1抗蝕劑層上的膜。這樣，陽(yáng)極電極44形成在多層氮化物半導(dǎo)體層 2的上表面。其中，半導(dǎo)體發(fā)光元件A具有平面尺寸為1平方毫米的支承基板3。而且，陽(yáng)極電極44的形狀是小于支承基板3的正方形形狀。當(dāng)?shù)?電極形成工序結(jié)束時(shí)，陽(yáng)極電極 44以矩陣狀排列在多層氮化物半導(dǎo)體層2的上表面。而且，陽(yáng)極電極44與相鄰的陽(yáng)極電極 44距離Imm0接著，進(jìn)行將多層氮化物半導(dǎo)體層2的上表面與由硅構(gòu)成的支承晶片30的下表面接合的接合工序。這里，支承晶片30被定義為第2晶片。在接合工序中，多層氮化物半導(dǎo)體層2通過(guò)由導(dǎo)電性材料(由SnAgCu構(gòu)成的無(wú)鉛焊錫等)構(gòu)成的接合層5與支承晶片30接合。具體而言，首先在支承晶片30的下表面涂敷SnAgCu糊。接下來(lái)，按照SnAgCu糊夾設(shè)在支承晶片30與多層氮化物半導(dǎo)體層2之間的方式來(lái)配置多層氮化物半導(dǎo)體層2與支承晶片30。然后，多層氮化物半導(dǎo)體層2、支承晶片30和SnAgCu糊以規(guī)定溫度(例如270°C )、 規(guī)定時(shí)間(例如10分鐘)被投入到回流爐。由此，多層氮化物半導(dǎo)體層2與支承晶片30 通過(guò)回流(reflow)而接合。結(jié)果，支承晶片30與多層氮化物半導(dǎo)體層2以大的接合力接合。而且，接合層具有均勻的厚度(20士5μπι)。接下來(lái)，支承晶片30被倒過(guò)來(lái)。然后，進(jìn)行形成從透明晶體晶片1的下表面到多層氮化物半導(dǎo)體層2的槽的槽形成工序。該槽沿著與劃片線(scribe lane)對(duì)應(yīng)的區(qū)域的寬度的中心線形成。由此，如圖1(c)所示，得到形成了槽的透明晶體晶片及多層氮化物半導(dǎo)體層2。具體而言，在槽形成工序中，通過(guò)將波長(zhǎng)為355nm、頻率為10kHz、輸出為5W、脈沖寬度為30nSec的THG-YAG激光器的激光以掃描速度(例如為lmm/s)進(jìn)行掃描，形成了深度為 350 μ m、寬度為40 μ m的槽。其中，槽的深度和寬度不被限定為上述的深度和寬度。另外， 在本實(shí)施方式的槽形成工序中，槽被形成為從透明晶體晶片1的下表面到達(dá)多層氮化物半導(dǎo)體層2。具體而言，槽具有大于透明晶體晶片1的厚度的深度，由此，槽從透明晶體晶片1 的下表面到達(dá)η型氮化物半導(dǎo)體層。因此，需要對(duì)透明晶體晶片1照射具有比從多層氮化物半導(dǎo)體層2的上表面到多層氮化物半導(dǎo)體層形成槽時(shí)所照射的激光的能量強(qiáng)的能量的激光。因此，為了防止槽的內(nèi)周受到的熱的影響、或槽的寬度的擴(kuò)大，優(yōu)選將透明晶體晶片 1的厚度研磨成IOOnm左右的厚度。另一方面，若將透明晶體晶片1的厚度研磨成IOOnm以下，則操作(handling)性降低。而且，若將透明晶體晶片1的厚度研磨成IOOnm以下，則由于透明晶體晶片1的翹曲而有可能在多層氮化物半導(dǎo)體層2產(chǎn)生裂紋。在槽形成工序中，使用THG-YAG激光作為用于形成槽的激光。由于THG-YAG激光是紫外激光，所以THG-YAG激光能夠聚光成具有比將可見光聚光后的焦點(diǎn)的直徑小的直徑的焦點(diǎn)。因此，焦點(diǎn)中的單位面積的能量密度增加。結(jié)果，能夠縮小開口面積。并且，通過(guò)使用脈沖激光，能夠獲得充分滿足用于加工透明晶體晶片1的單位面積的能量峰值。這里， 脈沖激光的輸出為3W、頻率為10kHz。因此，若光束的直徑為Φ 30 μ m，則單位面積的能量峰值根據(jù)式3/10000/( π Χ0. 0015X0. 0015)，約為42J/cm2。另外，由于是脈沖激光，所以能夠極力降低對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光元件A的熱影響。而且，優(yōu)選激光的脈沖寬度越短越好。即，槽形成工序中所使用的激光不限于THG-YAG激光。還可以使用具有高的輸出且具有短的波長(zhǎng)， 并且脈沖寬度也短的KrF準(zhǔn)分子飛秒激光(波長(zhǎng)248nm，頻率350kHz，脈沖寬度800fs) 等。其中，槽形成工序中形成的槽6的深度只要是至少到達(dá)多層氮化物半導(dǎo)體層2的深度即可。另外，在槽形成工序中，利用激光形成了切槽6。但是，形成槽的手段不限于激光。 形成槽的手段也可以利用切割器或干蝕刻裝置等來(lái)形成。不過(guò)，在利用激光形成槽6的情況下，可以通過(guò)與檢電鏡等組合而向任意方向高速形成槽6。因此，該情況與利用切割器或干蝕刻裝置形成切槽6的情況相比，可以用較短的時(shí)間形成槽6。并且，通過(guò)利用激光，可以使槽6的寬度為20 40 μ m左右，由此可以使槽的寬度變窄。因此，可以由1枚支承晶片 30獲得多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件A。即，實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體發(fā)光元件A的低成本化。在槽形成工序后，進(jìn)行隔著透明晶體晶片1對(duì)多層氮化物半導(dǎo)體層2的下表面照射光的光照射工序。而且，在光照射工序后，進(jìn)行從多層氮化物半導(dǎo)體層2剝離透明晶體晶片1的剝離工序。然后，進(jìn)行在多層氮化物半導(dǎo)體層2中的支承晶片30的下面形成陰極電極42的第2電極形成工序。接下來(lái)，將支承晶片30粘貼到粘性樹脂膠帶8上，接著，如圖 1 (e)所示，進(jìn)行形成沿著槽6到達(dá)支承晶片30的厚度一半左右的深度的切割槽7的切割槽形成工序。這里，在光照射工序中，隔著透明晶體晶片對(duì)多層氮化物半導(dǎo)體層2的下表面照射由紫外光構(gòu)成的激光LB。其中，該激光LB被定義為第1光。由此，將緩沖層21的GaN分解為( 和N。當(dāng)GaN被分解成( 和N時(shí)，產(chǎn)生N2氣體。該N2氣體通過(guò)槽6被放出。因此， 可以防止由于隊(duì)氣體的氣壓而導(dǎo)致η型氮化物半導(dǎo)體層22產(chǎn)生微米數(shù)量級(jí)的裂紋。另一方面，通過(guò)多層氮化物半導(dǎo)體層2的下表面被分解成( 和N，多層氮化物半導(dǎo)體層2與透明晶體晶片1之間的接合力降低。由于多層氮化物半導(dǎo)體層2與透明晶體晶片1之間的接合力降低，所以透明晶體晶片1能夠從多層氮化物半導(dǎo)體層2剝離。因此，在剝離工序中，透明晶體晶片1容易被剝離。將透明晶體晶片1從多層氮化物半導(dǎo)體層2剝離后在多層氮化物半導(dǎo)體層2的表面、切槽6的內(nèi)面殘留的( 例如可以通過(guò)在鹽酸溶液(例如濃度為50% 的鹽酸)中浸漬1分鐘左右而被除去。另外，即使在透明晶體晶片1不能剝離的情況下，由于分解的( 是融點(diǎn)為30°C左右的金屬，所以通過(guò)利用加熱板等使界面附近的( 溶融(將支承晶片30放置到加熱板上使所述( 溶融)，也可以容易地剝離透明晶體晶片1。在光照射工序中，隔著透明晶體晶片1對(duì)多層氮化物半導(dǎo)體層2的下表面照射的光是由光子能量比可見光大的紫外光構(gòu)成的激光LB。激光LB的照射能量為0. 18J/cm2左右ο在光照射工序中，由于照射紫外光，所以使用了激光的波長(zhǎng)為MSnm的KrF準(zhǔn)分子激光。但是，照射紫外光的激光不被限定為KrF。照射紫外光的激光例如也可以使用波長(zhǎng)為 308nm的XeCl準(zhǔn)分子激光、波長(zhǎng)為355nm的3倍波YAG激光、波長(zhǎng)為266nm的4倍波YAG激光、或波長(zhǎng)為213nm的5倍波YAG激光等。即，激光LB可根據(jù)透明晶體晶片1、多層氮化物半導(dǎo)體層2的材料厚度適當(dāng)選擇。另外，在第2電極形成工序中，首先通過(guò)光刻技術(shù)形成用于形成陰極電極42的區(qū)域被開口的第2抗蝕劑層。接下來(lái)，通過(guò)電子束蒸鍍法等形成陰極電極42。接著，利用有機(jī)溶劑將第2抗蝕劑以及第2抗蝕劑層上的不需要的膜剝離。在切割槽形成工序之后，如圖1(f)所示那樣，進(jìn)行利用一般的斷開裝置9分割成半導(dǎo)體發(fā)光元件A的分割工序。然后，進(jìn)行拉伸切割片8的擴(kuò)展工序。接下來(lái)，挑出各半導(dǎo)體發(fā)光元件A，得到圖1(g)所示那樣的各個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件A。其中，在本實(shí)施方式中，由切割槽形成工序和分割工序構(gòu)成了沿著槽6進(jìn)行切割的切割工序。如上面說(shuō)明那樣，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件A的制造方法具有半導(dǎo)體層形成工序、接合工序、槽形成工序、光照射工序、剝離工序、切斷工序。在半導(dǎo)體層形成工序中， 使多層氮化物半導(dǎo)體層2在透明晶體晶片1的上表面晶體生長(zhǎng)。在接合工序中，將多層氮化物半導(dǎo)體層2接合在支承晶片30的上表面。在槽形成工序中，沿著與劃片線對(duì)應(yīng)的區(qū)域的中心線形成從透明晶體晶片1的下表面到達(dá)多層氮化物半導(dǎo)體層2的深度的槽。在光照射工序中，隔著透明晶體晶片1對(duì)多層氮化物半導(dǎo)體層2的下表面照射激光LB。由于多層氮化物半導(dǎo)體層2的下表面受到激光LB照射，所以存在于多層氮化物半導(dǎo)體層2的下層的 GaN被分解為( 和N，由此產(chǎn)生N2。產(chǎn)生的隊(duì)通過(guò)槽6被向外部放出。由此，可以防止多層氮化物半導(dǎo)體層2產(chǎn)生微米數(shù)量級(jí)的裂紋。另外，多層氮化物半導(dǎo)體層2與支承晶片30 接合，然后形成槽6。因此，將多層氮化物半導(dǎo)體層2可靠地與支承晶片30接合。S卩，多層氮化物半導(dǎo)體層2被與支承基板3可靠地接合。另一方面，通過(guò)位于多層氮化物半導(dǎo)體層2 的下表面的GaN分解，多層氮化物半導(dǎo)體層2與透明晶體晶片1之間的物理接合力消失。由于物理接合力消失，所以在剝離工序中，透明晶體晶片1被從多層氮化物半導(dǎo)體層2剝離。(實(shí)施方式2)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件A的制造方法與實(shí)施方式1的半導(dǎo)體發(fā)光元件A的制造方法大致相同。因此，使用圖2對(duì)與實(shí)施方式1不同的工序進(jìn)行說(shuō)明。其中，對(duì)于與實(shí)施方式1相同的構(gòu)成賦予相同符號(hào)并省略其說(shuō)明。在本實(shí)施方式中，除實(shí)施方式1的各個(gè)工序以外，還具有研磨工序、粘貼工序。研磨工序在接合工序后進(jìn)行。在研磨工序中，對(duì)透明晶體晶片1的下表面進(jìn)行研磨，由此使透明晶體晶片1變薄。粘貼工序在研磨工序后進(jìn)行。在粘貼工序中，對(duì)切割片8粘貼支承晶片30。在粘貼工序后進(jìn)行槽形成工序。在槽形成工序中，如圖2(a)所示那樣，形成為從透明晶體晶片1的下表面到支承晶片30的中途的深度。其中，本實(shí)施方式在研磨工序中，使透明晶體晶片1的厚度為100 μ m。使槽6的深度成為250 μ m。使槽6的寬度成為30 μ m。 但是，這些數(shù)值僅是一個(gè)例子，并沒(méi)有特別限定。在上述的切槽形成工序后，與實(shí)施方式1同樣地進(jìn)行從透明晶體晶片1的上述另一表面?zhèn)日丈浼す釲B來(lái)進(jìn)行掃描的光照射工序。圖2(b)中的箭頭C表示了激光LB的掃描方向的一個(gè)例子。接下來(lái)，通過(guò)進(jìn)行將透明晶體晶片1剝離的剝離工序，得到圖2(b)所示的構(gòu)造。這樣，根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件A的制造方法，在實(shí)施方式1所說(shuō)明的切割工序中，可以省略對(duì)支承晶片30新形成實(shí)施方式1中所說(shuō)明的切割槽7的過(guò)程。由此， 可以實(shí)現(xiàn)切割工序的簡(jiǎn)化。(實(shí)施方式3)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件A的制造方法與實(shí)施方式1大致相同。因此，在本實(shí)施方式中，基于圖3對(duì)特征工序進(jìn)行說(shuō)明。其中，對(duì)與實(shí)施方式1相同的構(gòu)成賦予相同符號(hào)，并省略說(shuō)明。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法除了實(shí)施方式1的各個(gè)工序之外，還具有研磨工序。研磨工序在接合工序后進(jìn)行。在研磨工序中，通過(guò)研磨透明晶體晶片1而使透明晶體晶片1的下面變薄。緊接著研磨工序，進(jìn)行槽形成工序。在槽形成工序中，如圖 3(a)所示那樣，形成為使槽6具有從透明晶體晶片1的下表面到達(dá)支承晶片30的深度。其中，本實(shí)施方式在研磨工序中使透明晶體晶片1的厚度為100 μ m，但該數(shù)值僅是一個(gè)例子， 并不被特別限定。另外，在光照射工序中，如圖3 (b)及圖4所示那樣，按照各半導(dǎo)體發(fā)光元件A各自的每個(gè)元件形成區(qū)域El設(shè)置照射激光LB的光照射區(qū)域E2。然后，激光LB被照射到從槽6 離開規(guī)定距離的區(qū)域。即，緩沖層具有被照射激光LB的照射區(qū)域、和不被照射激光LB的非照射區(qū)域Si。而且，不受激光LB照射的非照射區(qū)域Sl被設(shè)置成沿著槽6。并且，非照射區(qū)域Sl被設(shè)置成具有與槽6的寬度方向的中心一致的寬度方向的中心。并且，非照射區(qū)域Sl 被設(shè)置成具有比槽6的寬度大的寬度。這里，在光照射工序中，使用如圖4所示的激光處理系統(tǒng)從透明晶體晶片1的所述另一表面?zhèn)日丈浼す釲B。該激光處理系統(tǒng)使用由用于調(diào)整加工點(diǎn)處的激光LB的能量密度的減衰器(光學(xué)減衰器)51 ；用于形成激光LB的照射區(qū)域(調(diào)整激光LB的分布)，并且僅利用激光LB的能量分布近似均勻的部分(光束質(zhì)量高的部分)的成像掩模52 ；將激光LB 反射來(lái)改變行進(jìn)方向的固定反射鏡53 ；對(duì)激光LB進(jìn)行聚光的固定聚光透鏡M等構(gòu)成的光學(xué)系，從透明晶體晶片1的所述另一表面?zhèn)日丈鋪?lái)自由KrF準(zhǔn)分子激光構(gòu)成的激光(未圖示)的激光LB。而且，該激光處理系統(tǒng)具有可以將載置支承晶片30的加工臺(tái)62向4個(gè)軸方向(X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、θ軸方向)移動(dòng)的4軸加工臺(tái)61 ；搭載有對(duì)4軸加工臺(tái)61進(jìn)行控制的適當(dāng)程序的由微型計(jì)算機(jī)等構(gòu)成的控制裝置(未圖示)，加工臺(tái)62能夠與步驟狀的動(dòng)作對(duì)應(yīng)。這里，對(duì)光照射工序進(jìn)一步進(jìn)行說(shuō)明。在光照射工序中進(jìn)行對(duì)與1個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件A的元件形成區(qū)域El對(duì)應(yīng)并設(shè)定得比該元件形成區(qū)域El稍大的光照射區(qū)域E2照射激光LB的第1過(guò)程；和使加工臺(tái)62移動(dòng)與半導(dǎo)體發(fā)光元件A的排列間隔(在本實(shí)施方式中，與陽(yáng)極電極44的排列間隔相等)相同距離量的第2過(guò)程。而且，該第1過(guò)程和第2過(guò)程被交替地反復(fù)進(jìn)行。由此，對(duì)所有的光照射區(qū)域E2照射激光LB。此時(shí)，如圖4所示，由于在劃片線的中心有切槽6，所以能夠按照切槽6與光照射區(qū)域E2不重疊的方式設(shè)定光照射區(qū)域E2。通過(guò)反復(fù)上述的第1過(guò)程和第2過(guò)程，可以在對(duì)所有的光照射區(qū)域E2照射了激光 LB后，通過(guò)將支承晶片30載置到加熱板上加熱，將透明晶體晶片1剝離，來(lái)獲得圖3(c)所示的構(gòu)造。這里，由于多層氮化物半導(dǎo)體層2中和非照射區(qū)域Sl對(duì)應(yīng)的部分的面積與多層氮化物半導(dǎo)體層2整體的面積相比非常小，所以可以剝離透明晶體晶片1。其中，在多層氮化物半導(dǎo)體層2中，與非照射區(qū)域Sl對(duì)應(yīng)的部分殘留在透明晶體晶片1上，或者被隊(duì)氣體的氣壓粉碎。因此，能夠容易地將透明晶體晶片1從多層氮化物半導(dǎo)體層2剝離。而且，在切槽6的周部，與非照射區(qū)域Sl對(duì)應(yīng)的部分和透明晶體晶片1 一起被除去。在將透明晶體晶片1剝離后，通過(guò)將殘留在多層氮化物半導(dǎo)體層2的表面的金屬 Ga81和切槽6內(nèi)的灰塵(被粉碎的GaN等)82例如利用鹽酸溶液(例如濃度為50%的鹽酸)除去，可得到圖3(d)所示的構(gòu)造。另一方面，存在著在槽形成工序中由于照射激光LB時(shí)的熱而導(dǎo)致由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的接合層5的一部分蒸發(fā)，作為附著物殘留在槽6的內(nèi)面的情況。該情況下，在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體發(fā)光元件A時(shí)，多層氮化物半導(dǎo)體層2的側(cè)面的上述附著物使電流泄漏。但是，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件A的制造方法中，即使在切槽形成工序中在切槽6附近形成了成為半導(dǎo)體發(fā)光元件A的電流泄漏的原因的泄漏通道要素，也可以在將形成有該泄漏通道要素的不要部位(與非照射區(qū)域Sl對(duì)應(yīng)的部分)在剝離工序中與透明晶體晶片1一起除去。其中，在圖4中，優(yōu)選將切槽6與光照射區(qū)域E2之間的距離D設(shè)定在10 30 μ m 左右的范圍。在距離D比10 μ m短的情況下，由于加工臺(tái)62的位置偏差的影響，存在激光LB 照射到切槽6的位置的可能性。由此，照射的位置有可能發(fā)生偏差。另一方面，在比30μπι 長(zhǎng)的情況下，有可能無(wú)法得到所產(chǎn)生的隊(duì)氣體壓力的緩解效果。即，距離D越短，非照射區(qū)域Sl的GaN越容易被N2氣體壓力向切槽6側(cè)壓出，被壓出的GaN的灰塵82可以通過(guò)鹽酸溶液蝕刻除去。另外，作為一個(gè)實(shí)施例，在將元件形成區(qū)域El設(shè)為930平方微米、劃片線的寬度設(shè)為70 μ m、光照射區(qū)域E2設(shè)為950平方微米、切槽6的寬度設(shè)為30 μ m、距離D = ΙΟμπι的情況下，可以將透明晶體晶片1以及上述不要部位如目標(biāo)那樣除去。(實(shí)施方式4)由于本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件A(參照?qǐng)D1(g))的制造方法與實(shí)施方式3近似相同，所以參照?qǐng)D6僅對(duì)特征工序進(jìn)行說(shuō)明。其中，對(duì)于與實(shí)施方式3同樣的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)并省略其說(shuō)明。在本實(shí)施方式中，在槽形成工序中將槽6形成為到達(dá)接合層5的深度。然后，通過(guò)進(jìn)行剝離工序，得到如圖6(a)所示的構(gòu)造。接下來(lái)，如圖6(d)所示那樣，進(jìn)行在槽6的內(nèi)面形成由硅氧化膜構(gòu)成的絕緣膜71的絕緣膜形成工序。緊接著絕緣膜形成工序，進(jìn)行切割工序。在絕緣膜形成工序中，通過(guò)利用光刻技術(shù)在多層氮化物半導(dǎo)體層2的表面?zhèn)刃纬山^緣膜71的形成預(yù)定區(qū)域被開口的第3抗蝕劑層71，得到圖6(b)所示的構(gòu)造。接下來(lái)，利用電子束蒸鍍法等形成由規(guī)定膜厚(例如IOOnm左右)的硅氧化膜構(gòu)成的絕緣膜71。接著，通過(guò)使用了有機(jī)溶劑(例如丙酮等)的超音波洗凈將第3抗蝕劑層以及該第3抗蝕劑層上的不要絕緣膜71除去(剝離即可)。當(dāng)在剝離工序后在切割槽形成工序中例如通過(guò)照射激光而形成了切割槽7的情況下，由于照射激光時(shí)的熱而導(dǎo)致由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的接合層5的一部分蒸發(fā)，作為附著物殘留在切割槽7的內(nèi)面。對(duì)于該附著物而言，在半導(dǎo)體發(fā)光元件A被驅(qū)動(dòng)時(shí)，多層氮化物半導(dǎo)體層2的側(cè)面的所述附著物成為泄漏通道要素，結(jié)果產(chǎn)生電流泄漏或短路。但根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件A的制造方法，由于在切槽形成工序中露出的多層氮化物半導(dǎo)體層2的側(cè)面在切割工序前被絕緣膜71包覆，所以在切割槽形成工序中，通過(guò)設(shè)定切割槽7的寬度以便在多層氮化物半導(dǎo)體層2的側(cè)面殘留絕緣膜71，由此，在切割工序后的半導(dǎo)體發(fā)光元件A中，多層氮化物半導(dǎo)體層2的側(cè)面被絕緣膜71包覆，可以防止上述側(cè)面露出，能夠防止由于異物等向多層氮化物半導(dǎo)體層2的側(cè)面的附著而導(dǎo)致半導(dǎo)體發(fā)光元件A發(fā)生電流泄漏。另外，絕緣膜71不限于硅氧化膜，例如還可以是硅氮化膜等。在上述各實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體發(fā)光元件A，例示了可見光發(fā)光二極管，但并不限于可見光發(fā)光二極管，也可以是紫外發(fā)光二極管或紅外發(fā)光二極管。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，具有以下工序(a)在透過(guò)第1光的第1晶片的第1面形成多層氮化物半導(dǎo)體層，所述第1晶片具有所述第1面、和與該第1面成為相反側(cè)的第2面，所述多層氮化物半導(dǎo)體層包括m型或ρ型的第1氮化物半導(dǎo)體層、和位于該第1氮化物半導(dǎo)體層的上表面且具有與該第1氮化物半導(dǎo)體層相反型的第2氮化物半導(dǎo)體層，所述多層氮化物半導(dǎo)體層具有與所述第2面對(duì)置的第3面，(b)在形成了所述多層氮化物半導(dǎo)體層之后，在所述多層氮化物半導(dǎo)體層上接合第2晶片。(c)在將所述多層氮化物半導(dǎo)體層與所述第2晶片接合后，形成從所述第1晶片的所述第2面至少到達(dá)所述多層氮化物半導(dǎo)體層的深度的槽，(d)在形成了所述槽后，隔著第1晶片對(duì)所述多層氮化物半導(dǎo)體層的第3面照射第1 光，由此將位于所述多層氮化物半導(dǎo)體層的第3面的氮化物半導(dǎo)體分解，通過(guò)位于所述多層氮化物半導(dǎo)體層的第3面的氮化物半導(dǎo)體被分解而產(chǎn)生氮?dú)?，該氮?dú)馔ㄟ^(guò)所述槽向外部放出，通過(guò)位于多層氮化物半導(dǎo)體層的第3面的氮化物半導(dǎo)體被分解，多層氮化物半導(dǎo)體層與第1晶片之間的接合力降低，(e)將所述第1晶片從所述第1氮化物半導(dǎo)體層分離，(f)在將所述第1晶片分離后，沿著所述槽切斷所述第1氮化物半導(dǎo)體層、所述第2氮化物半導(dǎo)體層和所述第2晶片，由此分割成多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于， 在形成所述槽時(shí)，形成到達(dá)所述第2晶片的深度的槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于， 在形成所述槽時(shí)，通過(guò)照射激光來(lái)形成槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于， 在照射所述第1光時(shí)，將所述第1光照射到從所述槽離開了規(guī)定距離的區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，還具有下述工序(g)在除去了所述第1晶片后，在所述槽的內(nèi)面形成絕緣膜， 在形成了所述絕緣膜后，進(jìn)行所述切斷。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于， 所述第2晶片具有多個(gè)元件形成區(qū)域、和將該元件形成區(qū)域與其他元件形成區(qū)域分割的劃片線區(qū)域，在形成所述槽時(shí)，按照沿著通過(guò)所述劃片線區(qū)域的寬度方向的中心的中心線的方式形成槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于， 所述多層氮化物半導(dǎo)體層還具有緩沖層，該緩沖層由氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成，在形成所述多層氮化物半導(dǎo)體層時(shí)，所述緩沖層位于所述第1晶片上，所述第1氮化物半導(dǎo)體層位于所述緩沖層的上表面，所述緩沖層的下表面規(guī)定所述多層氮化物半導(dǎo)體層的所述第3面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述緩沖層由氮化鎵構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于， 所述第1光為紫外光。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述多層氮化物半導(dǎo)體層具有與多個(gè)所述半導(dǎo)體發(fā)光元件對(duì)應(yīng)的多個(gè)第1區(qū)域、和使所述第1區(qū)域與其他所述第1區(qū)域分離的第2區(qū)域，在照射所述第1光時(shí)，所述第1光不被照射到所述第2區(qū)域而被照射到所述第1區(qū)域， 所述第2區(qū)域具有與所述槽的槽寬度的中心一致的中心的非照射寬度， 所述非照射寬度比所述槽的槽寬度大。
全文摘要
本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法具有半導(dǎo)體層形成工序、接合工序、槽形成工序、光照射工序、剝離工序和切斷工序。在半導(dǎo)體層形成工序中，在具有透光性的第1晶片的上表面形成多層氮化物半導(dǎo)體層。在接合工序中，在多層氮化物半導(dǎo)體層的上表面接合第2晶片。在槽形成工序中，形成從第1晶片的下表面至少到達(dá)多層氮化物半導(dǎo)體層的深度的槽。在光照射工序中，隔著第1晶片對(duì)多層氮化物半導(dǎo)體層的下表面照射第1光。由此，多層氮化物半導(dǎo)體層與第1晶片之間的接合力降低。在剝離工序中，從多層氮化物半導(dǎo)體層分離第1晶片。在切斷工序中，沿著槽切斷第2晶片，由此分割成多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件。
文檔編號(hào)H01S5/343GK102203966SQ20098014289
公開日2011年9月28日 申請(qǐng)日期2009年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月28日
發(fā)明者前田修作, 安田正治, 山江和幸, 巖橋友也, 福島博司, 龜井英德 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社, 松下電工株式會(huì)社