專利名稱：薄膜晶體管的制造方法、薄膜晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有由銅合金構(gòu)成的電極膜的晶體管以及該晶體管的制造方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)前，由于TFT (Thin film transistor 薄膜晶體管)面板的大型化，廣泛采用低電阻的Al類布線。最近，隨著大型電視的普及，TFT面板也逐年大型化，為了實(shí)現(xiàn)布線的低電阻化和面板的低成本化，代替Al類布線采用更低電阻的Cu類布線的要求越來越高。在將Cu類布線使用于TFT面板的情況下，存在如下問題與玻璃基板或基底膜的緊貼性變差，在與成為基底的Si層之間產(chǎn)生原子擴(kuò)散(阻擋性惡化)等。通常，在Al類布線中，使用Mo類或Ti類的阻擋金屬層。但是，對于Mo來說，存在濕法刻蝕容易但是材料價(jià)格高的問題，此外，對于Ti來說，存在材料價(jià)格比較低廉但是濕法刻蝕困難的問題。這些分別成為成本上升的一個(gè)原因。本發(fā)明的發(fā)明人等開發(fā)出如下技術(shù)使用Cu-Mg、Cu-Zr等的Cu合金靶(專利文獻(xiàn) 1)或者純銅靶(專利文獻(xiàn)2)，利用氧混合濺射形成基底層。根據(jù)上述技術(shù)，在與玻璃基板或基底層的界面形成有氧化物(Cux-0y、Xx-0y、 Cux-Xy-Oz, X是合金添加元素)，該氧化層成為緊貼層兼阻擋層。進(jìn)而，不需要Mo類或Ti類的阻擋金屬層，能夠進(jìn)行低電阻且低成本的銅布線工藝?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn) 1 :W02008/081806 號小冊子(pamphlet)。專利文獻(xiàn)2 :W02008/081805號小冊子。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題
但是，在最近的TFT工序中，在形成源極、漏極電極后，需要進(jìn)行氫等離子體處理，此時(shí)，產(chǎn)生利用上述技術(shù)形成的銅布線的緊貼性惡化等的問題。在Cu-Mg、Cu-&等的Cu合金靶的情況下，在界面形成的氧化物被氫等離子體還原，緊貼性惡化。用于解決課題的手段
本發(fā)明的發(fā)明人等對不被氫等離子體還原的Cu合金添加元素進(jìn)行了調(diào)查研究，其結(jié)果是，發(fā)現(xiàn)含有Ca的氧化物，從而提出本發(fā)明?；谏鲜鲆娊舛瓿傻谋景l(fā)明提供一種薄膜晶體管的制造方法，包括柵極電極形成工序，在處理對象物上形成柵極電極；柵極絕緣層形成工序，在所述柵極電極上形成柵極絕緣層；高電阻半導(dǎo)體層形成工序，在所述柵極絕緣層上形成由半導(dǎo)體層構(gòu)成的高電阻半導(dǎo)體層；歐姆接觸層形成工序，在所述半導(dǎo)體層上形成歐姆接觸層；金屬布線膜形成工序，在所述歐姆接觸層上形成金屬布線膜；以及刻蝕工序，對所述歐姆接觸層和所述金屬布線膜進(jìn)行構(gòu)圖，由所述歐姆接觸層形成源極區(qū)域和漏極區(qū)域，由所述金屬布線膜形成所述源極區(qū)域上的源極電極和所述漏極區(qū)域上的漏極電極，其中，所述金屬布線膜形成工序包括緊貼層形成工序，在該緊貼層形成工序中，在真空環(huán)境中導(dǎo)入包括濺射氣體和氧化性氣體的氣體，對含有Ca和銅的銅合金靶進(jìn)行濺射，在所述歐姆接觸層上形成含有銅、Ca、氧的緊貼層。此外，在本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法中，在所述刻蝕工序中使所述高電阻半導(dǎo)體層露出，在所述刻蝕工序之后設(shè)置有等離子體暴露工序，在該等離子體暴露工序中，在使所述高電阻半導(dǎo)體層表面、所述源極電極表面、所述漏極電極表面露出的狀態(tài)下暴露在包含氫氣的等離子體中。在本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法中，所述銅合金靶以0. 1原子％以上且5. 0原子％以下的比例含有Ca。進(jìn)而，在本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法中，在所述金屬布線膜形成工序中，在所述緊貼層形成工序之后設(shè)置有金屬低電阻層形成工序，該金屬低電阻層形成工序在所述緊貼層上形成電阻比所述緊貼層低的金屬低電阻層。在本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法中，所述金屬低電阻層由銅合金或者純銅構(gòu)成。在本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法中，所述氧化性氣體使用化氣體，在相對于所述濺射氣體100體積部分為3體積部分以上且20體積部分以下的范圍內(nèi)含有所述A氣體。本發(fā)明提供一種薄膜晶體管，具有柵極電極，形成在基板上；柵極絕緣層，形成在所述柵極電極上；高電阻半導(dǎo)體層，形成在所述柵極絕緣層上并且由半導(dǎo)體層構(gòu)成；形成在所述高電阻半導(dǎo)體層上的由歐姆接觸層構(gòu)成并且彼此分離的源極區(qū)域和漏極區(qū)域；以及源極電極和漏極電極，分別形成在所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域上，其中，所述源極電極和所述漏極電極在與所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域的接觸面具有緊貼層，該緊貼層包含含有Ca和氧的銅合金。此外，在本發(fā)明的薄膜晶體管中，所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域?yàn)棣切桶雽?dǎo)體層。在本發(fā)明的薄膜晶體管中，在所述緊貼層上配置有電阻比所述緊貼層低的金屬低電阻層。在本發(fā)明的薄膜晶體管中，所述金屬低電阻層由銅合金或純銅構(gòu)成。在本發(fā)明的薄膜晶體管中，在所述緊貼層所含有的金屬中，Ca的含有比例為0. 1 原子％以上且5. 0原子％以下。此外，在本發(fā)明中將多晶硅、非晶硅等的以硅為主要成分的半導(dǎo)體稱為硅層。發(fā)明的效果
在與基底層的界面形成有不被氫等離子體還原的穩(wěn)定的氧化物，能夠得到良好的緊貼性以及阻擋性。


圖1 (a) (c)是用于說明本發(fā)明的晶體管制造方法的圖。圖2 (a) (b)是用于說明本發(fā)明的晶體管制造方法的圖。圖3 (a) (c)是用于說明本發(fā)明的晶體管制造方法的圖。圖4是用于說明金屬布線膜的圖。
圖5是用于說明制造本發(fā)明的晶體管的成膜裝置的圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下
5 · ·晶體管10 ·處理對象物12 柵極電極16 ·高電阻半導(dǎo)體層18 ·歐姆接觸層20a、20b· · 金屬布線庫27 源極電極膜28 漏極電極膜31 源極區(qū)域32 漏極區(qū)域51 緊貼層52 金屬低電阻層111 · 銅合金靶112 · 純銅靶。
具體實(shí)施例方式
圖1 (a)的附圖標(biāo)記10表示在本發(fā)明的晶體管制造方法中使用的處理對象物。
對處理對象物10進(jìn)行說明，該處理對象物10具有由玻璃等構(gòu)成的透明基板11，在透明基板11上分離配置有柵極電極12和像素電極13。在透明基板11上，從透明基板11側(cè)開始以覆蓋柵極電極12和像素電極13的方式依次配置有由絕緣物層構(gòu)成的柵極絕緣層14、由硅層構(gòu)成的高電阻半導(dǎo)體層16、利用雜質(zhì)添加而使電阻值比高電阻半導(dǎo)體層16的電阻值低的硅層即歐姆接觸層18。對于高電阻半導(dǎo)體層16來說，優(yōu)選使用非摻雜的a-Si，對于歐姆接觸層18來說， 優(yōu)選使用摻雜了磷的η型的a-Si。高電阻半導(dǎo)體層16和歐姆接觸層18由非晶硅構(gòu)成，但是，也可以是多晶硅。柵極絕緣層14是氮化硅薄膜等絕緣膜，也可以是氮氧化硅或其他絕緣膜。圖5的附圖標(biāo)記100表示在該處理對象物10的表面形成金屬布線膜的成膜裝置。成膜裝置100具有搬入搬出室102、第一成膜室103a、第二成膜室103b。搬入搬出室102與第一成膜室103a之間以及第一成膜室103a與第二成膜室10 之間，分別經(jīng)由閘閥(gate ValVe)109a、109b進(jìn)行連接。在第一成膜室103a和第二成膜室103b中分別配置有加熱器106a、106b。在搬入搬出室102和第一、第二成膜室103a、10;3b上分別連接有真空排氣系統(tǒng) 113、lHa、114b，將閘閥109a、109b關(guān)閉，預(yù)先對第一、第二成膜室103a、103b的內(nèi)部進(jìn)行真
空排氣。接著，打開搬入搬出室102與大氣之間的門，將處理對象物10搬入到搬入搬出室 102的內(nèi)部，將門關(guān)閉，對搬入搬出室102的內(nèi)部進(jìn)行真空排氣之后，打開閘閥109a，將處理對象物10移動(dòng)到第一成膜室103a的內(nèi)部，并且將其保持在基板托架108上。
在第一、第二成膜室103a、103b的內(nèi)部的底壁側(cè)分別配置有銅合金靶111、純銅靶 112，處理對象物10以歐姆接觸層18能夠與各靶111、112面對的方式保持在基板托架108上。在第一、第二成膜室103a、103b上分別連接有氣體導(dǎo)入系統(tǒng)105a、105b,當(dāng)一邊對第一成膜室103a的內(nèi)部進(jìn)行真空排氣，一邊從氣體導(dǎo)入系統(tǒng)10 導(dǎo)入濺射氣體和氧化性氣體，對銅合金靶111進(jìn)行濺射時(shí)，由銅合金靶111的構(gòu)成材料構(gòu)成的濺射粒子到達(dá)歐姆接觸層18的表面，形成與歐姆接觸層18接觸的緊貼層。銅合金靶111含有Ca (鈣)和銅。也能夠根據(jù)需要將銅和Ca以外的金屬(例如， Ti、Zr、Mg、Al、Ni、Mn中的任意一種以上)作為添加金屬添加到銅合金靶111中。在將銅的原子數(shù)、Ca的原子數(shù)、其他添加金屬的原子數(shù)的總計(jì)設(shè)為100的情況下， 在銅合金靶111中，含有0. 1以上且5.0以下的Ca。S卩，在銅合金靶111中以0. 1原子％以上且5. 0原子％以下的比例含有Ca。當(dāng)銅合金靶111在混合有氧化性氣體的環(huán)境被濺射時(shí)，在與處理對象物10的界面形成以銅為主要成分并且含有Ca的氧化物的緊貼層。接著，將保持有處理對象物10的基板托架108移動(dòng)到第二成膜室10 中，從氣體導(dǎo)入系統(tǒng)10 導(dǎo)入濺射氣體，對純銅靶112進(jìn)行濺射時(shí)，由純銅靶112的構(gòu)成材料(銅原子) 構(gòu)成的濺射粒子到達(dá)處理對象物10的表面。其結(jié)果是，在緊貼層的表面形成由純銅構(gòu)成的金屬低電阻層。在第二成膜室10 中不導(dǎo)入氧化性氣體。此處，將Cu多于50原子％的合金薄膜作為以Cu為主要成分的金屬低電阻層。此外，也可以不設(shè)置第二成膜室10北，在第一成膜室103a中形成緊貼層后，停止氧的導(dǎo)入，對含有Ca的銅合金靶111進(jìn)行濺射，形成金屬低電阻層。圖1 (b)的附圖標(biāo)記20a表示由緊貼層和金屬低電阻層構(gòu)成的金屬布線膜，圖4 的附圖標(biāo)記51、52分別表示緊貼層和金屬低電阻層。在金屬布線膜20a的位于柵極電極12上的部分的表面配置抗蝕劑膜，對由金屬布線膜20a、歐姆接觸層18、高電阻半導(dǎo)體層16構(gòu)成的層疊膜進(jìn)行刻蝕，除去層疊膜的未被抗蝕劑膜覆蓋的部分。圖1 (c)是在對層疊膜進(jìn)行刻蝕后將抗蝕劑膜除去的狀態(tài)，附圖標(biāo)記20b表示被抗蝕劑膜覆蓋而殘留的金屬布線膜。接著，如圖2 (a)所示，在金屬布線膜20b上配置構(gòu)圖后的抗蝕劑膜22，當(dāng)在金屬布線膜20b的表面在抗蝕劑膜22的開口 M的底面露出的狀態(tài)下浸漬到磷酸、硝酸、醋酸的混合液、硫酸、硝酸、醋酸的混合液、或者氯化鐵的溶液等刻蝕液中時(shí)，金屬布線膜20b的露出部分被刻蝕，金屬布線膜20b被構(gòu)圖。利用該構(gòu)圖，在金屬布線膜20b的柵極電極12上的部分，形成了歐姆接觸層18在底面露出的開口 24，金屬布線膜20b被開口 M分離，如圖2 (b)所示，形成了源極電極膜 27和漏極電極膜觀。接著，搬入到刻蝕裝置內(nèi)，將在開口對底面露出的歐姆接觸層18暴露在刻蝕氣體的等離子體中進(jìn)行刻蝕，在形成于歐姆接觸層18上的開口 M的底面，使高電阻半導(dǎo)體層16 露出(圖3 (a))。在歐姆接觸層18上形成的開口 M位于柵極電極12的上方，歐姆接觸層18被開口對分離為源極區(qū)域31和漏極區(qū)域32。由此，能夠得到本發(fā)明的反交錯(cuò)型(柵極電極位于下方的底柵型)的晶體管5。高電阻半導(dǎo)體層16的表面在開口 M的底面露出，當(dāng)高電阻半導(dǎo)體層16暴露在對歐姆接觸層18進(jìn)行刻蝕時(shí)的刻蝕氣體等離子體中時(shí)，從高電阻半導(dǎo)體層16表面失去氫原子，形成了不飽和鍵。該不飽和鍵成為漏電流等的TFT的特性不良的原因。為了用氫再次修飾不飽和鍵，如圖3 (a)所示，在使源極電極膜27和漏極電極膜觀露出的狀態(tài)下，導(dǎo)入氫并產(chǎn)生氫等離子體，當(dāng)使在開口 M的底部露出的高電阻半導(dǎo)體層16暴露在氫氣等離子體中時(shí)，高電阻半導(dǎo)體層16表面的硅原子與氫結(jié)合，不飽和鍵被消除。在本發(fā)明的金屬布線膜20a (20b)中，源極電極膜27或漏極電極膜觀具有以銅為主要成分并且以0. 1原子％以上且5. 0原子％以下的比例含有Ca的緊貼層51。此處，緊貼層51中的Ca的比例是用緊貼層51中含有的Ca的原子數(shù)除以緊貼層 51中含有的金屬成分(銅、Ca以及其他添加金屬)的總計(jì)原子數(shù)后再乘以100所得到的值。該緊貼層51與晶體管的硅或二氧化硅緊貼，即使源極電極膜27和漏極電極膜觀暴露在氫等離子體中，在與歐姆接觸層18 (源極區(qū)域31或漏極區(qū)域32)的界面形成的含有 Ca的氧化物也不被還原，源極電極膜27或漏極電極膜觀等的由金屬布線膜20a (20b)構(gòu)成的電極膜不發(fā)生剝離。在進(jìn)行了氫等離子體的處理之后，如圖3 (b)所示，形成氮化硅膜(SiNx)等鈍化膜 34，在鈍化膜34上形成接觸孔37后，如該圖(c)所示，形成將源極電極膜27或者漏極電極膜觀與像素電極13等之間連接的透明電極膜36。此外，作為能夠在硅層(包括多晶硅層、非晶硅層)的刻蝕中使用的氣體，存在Cl2、 HBr, HC1、CBrF3> SiCl4, BC13、CHF3> PC13、HI、I2等。對于這些鹵素氣體來說，可以將其中1 種單獨(dú)用作刻蝕氣體，也可以混合兩種以上用作刻蝕氣體。進(jìn)而，也可以在刻蝕氣體中添加 02、N2, SF6, N2、Ar、NH3等鹵素氣體以外的添加氣體。在對氮化硅(SiN)、或氧化硅(SiO2) GaAs、SnO2、Cr、Ti、TiN, W、Al等其他刻蝕對象物進(jìn)行刻蝕時(shí)，也能夠使用上述鹵素氣體。作為多晶硅的刻蝕氣體，存在例如Cl2、Cl2+HBr、Cl2+02、CF4+02、SF6, Cl2+N2、 Cl2+HCl、HBr+Cl2+SF6 等。作為Si 的刻蝕氣體，存在例如 SF6、C4F8, CBrF3> CF4+02、Cl2, SiCl4+Cl2、SF6+N2+Ar、 BCl2+Cl2+Ar、CF4, NF3, SiF4, BF3, XeF2, ClF3, SiCl4, PCl3, BCl3, HC1、HBr、Br2, HI、I2 等。作為非晶硅的刻蝕氣體，存在例如CF4+02、C12+SF6等。濺射氣體并不限于Ar，除了 Ar以外，也能夠使用Ne、Xe等。氧化性氣體也并不限于O2，若在化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子，則除了 A以外，還能夠使用例如C02、H20等。這些氧化性氣體可以單獨(dú)使用，也可以混合兩種以上使用。此外，對于利用本發(fā)明所形成的緊貼層51來說，不僅能夠用于TFT的源極電極、漏極電極，而且能夠用于TFT的柵極電極、半導(dǎo)體元件或布線板等其他電子部件的阻擋膜或電極(布線膜)。
實(shí)施例
作為濺射氣體使用氬氣，作為氧化性氣體使用氧氣，對銅合金靶111進(jìn)行濺射，在玻璃基板或Si層上形成50nm的緊貼層后，使用氬氣對純銅靶112進(jìn)行濺射，在緊貼層上形成300nm的金屬低電阻層，得到兩層結(jié)構(gòu)的金屬布線膜?；鍦囟葹?00°C，濺射氣體為Ar 氣體，濺射壓力為0. 4Pa。此外，Si層是在玻璃基板表面依次形成氮化硅(SiNx)、非晶硅層(a-Si)、n型非晶硅層(n+a-Si)而得到的。使所形成的金屬布線膜的表面露出并且暴露在氫等離子體中之后，在該表面形成了氮化硅膜。在氫氣等離子體處理中，氫氣流量為500SCCm、壓力為200Pa、基板溫度為250°C、 功率為300W、時(shí)間為60秒。硅氮化膜是向配置有基板的CVD裝置內(nèi)以SiH4:20sccm、NH3氣體300sccmj2氣體 500sccm的比例導(dǎo)入各氣體并且在壓力120Pa、基板溫度250°C、功率300W的條件下形成的。關(guān)于在玻璃基板上形成的金屬布線膜，調(diào)查了暴露在氫等離子體中之前的緊貼性 (as cbpo.緊貼性)。進(jìn)而，關(guān)于在玻璃基板上形成的金屬布線膜和在Si層上形成的金屬布線膜這兩者，調(diào)查了暴露在氫等離子體中并且在表面形成了氮化硅膜后的緊貼性。此外，通過在粘接了粘接膠帶之后進(jìn)行剝離的膠帶測試來測定緊貼性，將玻璃基板表面或Si層表面露出的情況評價(jià)為“ X ”，將除此以外的情況評價(jià)為“〇”。使銅合金靶111中的Ca的含有比例和氧化性氣體的導(dǎo)入比例不同，進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。 在評價(jià)結(jié)果中，作為“緊貼性”，與銅合金靶111中的Ca的含有比例和氧化性氣體的導(dǎo)入比例一起表示在下述表1中。此外，對于形成在Si層上的金屬布線膜，在真空環(huán)境中進(jìn)行退火處理，刻蝕除去金屬布線膜后，用SEM觀察其表面，觀察有無銅擴(kuò)散到硅中。在上述各實(shí)驗(yàn)中，濺射氣體為氬氣，氧化性氣體為氧氣，濺射環(huán)境中的濺射氣體分壓為0. 4Pa。在下述表1中，將觀察結(jié)果表示為“阻擋性”。將觀察到擴(kuò)散的情況記為“ X ”，將沒有觀察到擴(kuò)散的情況記為“〇”。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管的制造方法，具有柵極電極形成工序，在處理對象物上形成柵極電極； 柵極絕緣層形成工序，在所述柵極電極上形成柵極絕緣層；高電阻半導(dǎo)體層形成工序，在所述柵極絕緣層上形成由半導(dǎo)體層構(gòu)成的高電阻半導(dǎo)體層；歐姆接觸層形成工序，在所述半導(dǎo)體層上形成歐姆接觸層； 金屬布線膜形成工序，在所述歐姆接觸層上形成金屬布線膜；以及刻蝕工序，對所述歐姆接觸層和所述金屬布線膜進(jìn)行構(gòu)圖，由所述歐姆接觸層形成源極區(qū)域和漏極區(qū)域，由所述金屬布線膜形成所述源極區(qū)域上的源極電極和所述漏極區(qū)域上的漏極電極，其中，所述金屬布線膜形成工序包括緊貼層形成工序，在該緊貼層形成工序中，在真空環(huán)境中導(dǎo)入包括濺射氣體和氧化性氣體的氣體，對含有Ca和銅的銅合金靶進(jìn)行濺射，在所述歐姆接觸層上形成含有銅、Ca、氧的緊貼層。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于， 在所述刻蝕工序中，使所述高電阻半導(dǎo)體層露出，在所述刻蝕工序之后設(shè)置有等離子體暴露工序，在該等離子體暴露工序中，在使所述高電阻半導(dǎo)體層表面、所述源極電極表面、所述漏極電極表面露出的狀態(tài)下暴露在包含氫氣的等離子體中。
3.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于， 所述銅合金靶以0. 1原子％以上且5. 0原子％以下的比例含有Ca。
4.如權(quán)利要求1至3的任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于， 在所述金屬布線膜形成工序中，在所述緊貼層形成工序之后設(shè)置有金屬低電阻層形成工序，該金屬低電阻層形成工序在所述緊貼層上形成電阻比所述緊貼層低的金屬低電阻層。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于， 所述金屬低電阻層由銅合金或者純銅構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1至5的任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于， 所述氧化性氣體使用化氣體，在相對于所述濺射氣體100體積部分為3體積部分以上且20體積部分以下的范圍內(nèi)含有所述A氣體。
7.一種薄膜晶體管，具有 柵極電極，形成在基板上；柵極絕緣層，形成在所述柵極電極上；高電阻半導(dǎo)體層，形成在所述柵極絕緣層上并且由半導(dǎo)體層構(gòu)成； 形成在所述高電阻半導(dǎo)體層上的由歐姆接觸層構(gòu)成并且彼此分離的源極區(qū)域和漏極區(qū)域；以及源極電極和漏極電極，分別形成在所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域上，其中， 所述源極電極和所述漏極電極在與所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域的接觸面具有緊貼層，該緊貼層包含含有Ca和氧的銅合金。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域是η型半導(dǎo)體層。
9.如權(quán)利要求7或8所述的薄膜晶體管，其特征在于， 在所述緊貼層上配置有電阻比所述緊貼層低的金屬低電阻層。
10.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述金屬低電阻層由銅合金或者純銅構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求7至10的任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于，在所述緊貼層所含有的金屬中，Ca的含有比例為0. 1原子％以上且5. 0原子％以下。
全文摘要
本發(fā)明涉及薄膜晶體管的制造方法以及薄膜晶體管，提供一種即使暴露在氫等離子體中也不會剝離的金屬布線膜。由含有銅、Ca、氧的緊貼層(51)、電阻比緊貼層(51)低的金屬低電阻層(52)(銅合金或者純銅的層)構(gòu)成金屬布線膜(20a)。在緊貼層(51)中含有包含Ca和氧的銅合金，當(dāng)構(gòu)成與歐姆接觸層(18)緊貼的源極電極膜(27)和漏極電極膜(28)時(shí)，即使暴露在氫等離子體中，在緊貼層(51)和歐姆接觸層(18)的界面形成的含有Cu氧化物也不被還原，在緊貼層(51)和硅層之間不會發(fā)生剝離。
文檔編號H01L21/28GK102203947SQ20098014208
公開日2011年9月28日 申請日期2009年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月24日
發(fā)明者增田忠, 石橋曉, 高澤悟 申請人:三菱綜合材料株式會社, 株式會社愛發(fā)科