專利名稱：光電子半導體器件的制作方法
光電子半導體器件本發(fā)明涉及一種光電子半導體器件，尤其是基于氮化物半導體的器件，例如 LED (發(fā)光二極管)或者激光二極管。本專利申請要求德國專利申請10 2008 052 405. 0的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
光電子半導體器件通常具有η摻雜區(qū)域、ρ摻雜區(qū)域和設(shè)置在其間的發(fā)射輻射或者接收輻射的有源區(qū)。為了建立電連接，P摻雜區(qū)域和η摻雜的區(qū)域至少在部分區(qū)域中設(shè)置有連接層。連接層例如可以是金屬層或者由透明導電氧化物(TCO，transparent conductive oxide)構(gòu)成的層。在ρ摻雜的氮化物半導體層與電連接層連接時，通常在半導體材料和連接層之間的界面上出現(xiàn)不希望的高電壓降，由于該電壓降而降低了光電子器件的效率。本發(fā)明的任務(wù)是，提出一種基于氮化物半導體的改進的光電子半導體器件，其特征在于P接觸層至連接層的改進的連接。尤其是，在該器件工作時，在P接觸層和連接層之間的界面上應(yīng)出現(xiàn)盡可能低的電壓降。該任務(wù)通過具有權(quán)利要求1所述的特征的光電子半導體器件來解決。本發(fā)明的有利的擴展方案和改進方案是從屬權(quán)利要求的主題。根據(jù)一個實施形式，光電子半導體器件具有基于氮化物半導體的半導體層序列， 其包括η摻雜區(qū)域、ρ摻雜區(qū)域和設(shè)置在η摻雜區(qū)域和ρ摻雜區(qū)域之間的有源區(qū)。η摻雜區(qū)域和P摻雜區(qū)域不必一定完全由摻雜的層形成，而是尤其也可以包含不摻雜的層?！盎诘锇雽w”在本上下文中表示半導體層序列或者其至少一個層包括 III-氮化物-化合物半導體材料，優(yōu)選為InxAlyGai_x_yN，其中0彡χ彡1，0彡y彡1且 x+y^lo在此，該材料不必一定具有根據(jù)上式的數(shù)學上精確的組分。更確切地說，其可以具有一種或者多種摻雜材料以及附加的組成部分，它們基本上不改變InxAlyGai_x_yN材料的典型的物理特性。然而出于簡單的原因，上式僅僅包含晶格的主要組成部分(In、Al、Ga、N)， 即使它們可以部分地通過少量其他材料來替代。有源區(qū)尤其可以是發(fā)射輻射或者接收輻射的有源層。有源層例如可以構(gòu)建為pn 結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)或者多量子阱結(jié)構(gòu)。在此，術(shù)語量子阱結(jié)構(gòu)包括如下的任意結(jié)構(gòu)其中載流子可以通過限制(confinement)而經(jīng)歷其能量狀態(tài)的量化。尤其是，術(shù)語量子阱結(jié)構(gòu)并不包含關(guān)于量化的維度的說明。由此，其尤其是包括量子槽、量子線和量子點以及這些結(jié)構(gòu)的任意組合。ρ摻雜區(qū)域具有InxAlyGai_x_yN構(gòu)成的ρ接觸層，其中0彡χ彡1，0彡y彡1且 x+y ^ Io尤其是，ρ接觸層可以是GaN層。P接觸層與連接層鄰接，該連接層在一個擴展方案中具有金屬或者金屬合金。尤其是，金屬或者金屬合金可以具有Al、Ag或者Au或者由其構(gòu)成。在另一擴展方案中，連接層具有透明導電氧化物。透明導電氧化物(縮寫“TC0”) 是透明導電的材料，通常為金屬氧化物，例如氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦或者氧化銦錫(ITO)。除了二元金屬氧化物譬如ZnO、SnO2或者In2O3之外，三元金屬氧化物譬如 Zn2Sn04、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5 或 In4Sn3O12 或者不同的透明導電氧化物的混合物也屬于TCO族。ρ接觸層在朝著連接層的界面上具有帶Ga面取向的第一晶疇以及帶N面取向的第二晶疇。第一晶疇和第二晶疇在晶體結(jié)構(gòu)的取向方面彼此不同。氮化物半導體在外延生長中通常構(gòu)建纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)，其結(jié)晶學c軸平行于生長方向走向。根據(jù)生長參數(shù)，在此可以形成所謂Ga面取向(其對應(yīng)于結(jié)晶學的方向) 的晶疇，或者具有所謂N面取向(其對應(yīng)于結(jié)晶學的
方向)的晶疇。氮化物半導體具有熱電特性，即其無需外部電場地也具有電極化。該電場的取向與Ga面取向和N面取向相反。出于該原因，帶有Ga面取向和N面取向的晶疇具有不同的電特性。本發(fā)明所利用的知識是，有利的是，在氮化物半導體材料構(gòu)成的ρ接觸層與金屬、 金屬合金或者透明導電氧化物構(gòu)成的鄰接的連接層之間的界面上存在Ga面取向的晶疇以及N面取向的晶疇。對于氮化物半導體材料的ρ摻雜，Ga面晶疇是有利的。其原因在于，在半導體材料生長時，尤其是借助MOVPE生長時，氫嵌入半導體材料中，通過其將ρ摻雜材料、尤其是鎂部分鈍化。P摻雜材料例如通過熱處理來激活，其中氫從半導體材料中擴散出來。已表明的是，與N面晶疇相比，氫可以更好地從Ga面晶疇中逃逸。其原因在于，氫不能或者難以穿過如下界面在該界面上晶體生長從Ga面標準生長方向向N面生長方向過渡。由此，當ρ接觸層的表面具有Ga面晶疇時，激活ρ摻雜材料更加容易。另一方面，N面晶疇具有的優(yōu)點是，其能夠以小的電壓降或者甚至沒有電壓降地實現(xiàn)將半導體材料連接到金屬、金屬合金或者透明導電氧化物構(gòu)成的連接層上。其原因在于， N面晶疇在至Ga面晶疇的界面附近具有η型半導體材料的特性。該效應(yīng)可能基于的是，在 N面晶疇中出現(xiàn)晶體缺陷，其將名義上ρ摻雜的半導體材料的受主過補償。由于N面晶疇在晶疇邊界上具有η型特性，所以在P接觸層的P摻雜的半導體材料和鄰接的連接層之間形成局部的隧道結(jié)。該效應(yīng)能夠幾乎沒有電壓降地實現(xiàn)連接層的連接。另一方面，并不有利的是，整個ρ接觸層具有N面取向，因為氫只能困難地從N面晶疇逃逸，并且由此只可能困難激活P摻雜材料，尤其是鎂。優(yōu)選的是，P接觸層在朝著連接層的界面上具有至少10%的帶有Ga面取向的晶疇的面積比。此外，帶有Ga面取向的晶疇的面積比有利地為最高90%。在一個優(yōu)選的擴展方案中，ρ接觸層在朝著連接層的界面上具有至少40%并且最高70%的帶有Ga面取向的晶疇的面積比。在連接層和ρ接觸層之間的界面的其余至少 30%并且最高60%有利地具有帶有N面取向的晶疇。這種Ga面晶疇與N面晶疇的比例一方面能夠?qū)崿F(xiàn)在P接觸層與連接層之間的界面上比較小的電壓降或者甚至根本沒有電壓降，并且有利地也能夠?qū)崿F(xiàn)P摻雜材料例如鎂的良好激活。在P接觸層與連接層之間的界面上的電壓降有利地小于0. 2V，特別優(yōu)選小于0. IV。第一晶疇和/或第二晶疇例如具有大約IOnm到大約5 μ m的橫向伸展。N面晶疇有利地具有小于1 μ m、優(yōu)選小于IOOnm并且特別優(yōu)選小于IOnm的橫向伸展。N面晶疇的這種小的橫向伸展對于ρ摻雜材料的激活是有利的。晶疇的大小和Ga面晶疇與N面晶疇的比例尤其可以通過ρ接觸層的摻雜材料濃度和層厚度來調(diào)節(jié)。P接觸層例如可以具有在5X IO19CnT3到2X IO21CnT3之間的摻雜材料濃度，其中包括端點值。摻雜材料優(yōu)選是鎂。已經(jīng)證明的是，N面晶疇尤其是在摻雜材料濃度比較高的情況下形成在生長表面上。優(yōu)選的是，因此制造具有摻雜材料濃度高于lX102°cnT3、尤其是摻雜濃度在 1. 5X IO20Cm-3 到 3X IO20Cm-3 之間的 ρ 接觸層。ρ接觸層的厚度有利地在5nm到200nm之間，其中包括端點值，特別優(yōu)選為30nm或者更小。在一個擴展方案中，有源層是發(fā)射輻射的層，并且連接層設(shè)置在器件的輻射出射側(cè)上。在該情況中，連接層有利地通過透明導電氧化物形成，使得由有源層發(fā)射的輻射可以通過連接層從器件耦合輸出。連接層尤其是可以包含銦錫氧化物(ITO)。由于ρ接觸層在朝著連接層的界面上不僅具有Ga面晶疇而且具有N面晶疇，所以其具有比沒有晶疇結(jié)構(gòu)的P接觸層更大的粗糙度。該粗糙度有利地影響從光電子器件的輻射耦合輸出。尤其是，P接觸層的粗糙度可以延續(xù)到其上設(shè)置的連接層中，使得連接層的表面有利地也具有比較高的粗糙度。連接層可以與環(huán)境介質(zhì)例如空氣鄰接，其中連接層的表面的比較高的粗糙度對輻射耦合輸出有有利影響，因為減少了輻射在至環(huán)境介質(zhì)的界面上的全反射，尤其是也減少了在半導體本體內(nèi)部的多次全反射。在光電子器件的另一擴展方案中，有源層是發(fā)射輻射的層并且器件的輻射出射側(cè)從有源層來看與連接層對置。在該情況中，由有源層發(fā)射的輻射在與P接觸層以及連接層對置的側(cè)從光電子器件出射。在該擴展方案中，連接層尤其可以是金屬或者金屬合金構(gòu)成的反射層。金屬或者金屬合金優(yōu)選包含銀、鋁或者金，或者由其構(gòu)成。通過反射層將由有源層與輻射出射側(cè)對置地發(fā)射的輻射有利地朝著輻射出射側(cè)反射，以便在那里從光電子器件耦合輸出?？商孢x地，連接層也可以具有透明導電氧化物例如ΙΤ0，其中從有源層來看，在連接層之后優(yōu)選是反射層。反射層在該情況中可以是金屬或者金屬合金構(gòu)成的層。特別優(yōu)選的是，在該擴展方案中，反射層是介電鏡。介電鏡有利地具有多個交替的層，這些層由具有不同的折射率的兩種介電材料構(gòu)成，例如SiO2和SiN構(gòu)成的交替的層。借助介電鏡比借助金屬反射層，可以有利地針對預先給定的波長或者預先給定的波長范圍實現(xiàn)更高的反應(yīng)性。在使用介電鏡的情況下，P接觸層通過連接層的透明導電氧化物進行電連接，該透明導電氧化物也無須隨后的金屬層地負責足夠的電流擴展。下面借助三個實施例進一步闡述本發(fā)明。其中

圖1示出了通過光電子器件的第一實施例的橫截面的示意圖，圖2示出了通過光電子器件的第二實施例的橫截面的示意圖，以及圖3示出了通過光電子器件的第三實施例的橫截面的示意圖。在附圖中，相同或者作用相同的組成部分設(shè)置有相同的附圖標記。所示的組成部分以及組成部分彼此間的大小關(guān)系不能視為合乎比例。在圖1中示出的光電子半導體器件包含半導體層序列3，其基于氮化物半導體材料。半導體層序列3的半導體層4、5、6、7于是尤其是具有InxAlyGai_x_yN，其中0彡χ彡1， 0彡y彡1且x+y彡1。
5半導體層序列3例如外延地生長到生長襯底10上。生長襯底10例如是藍寶石襯底或者是GaN襯底。半導體層序列3包含η摻雜區(qū)域4、ρ摻雜區(qū)域8和設(shè)置在η摻雜區(qū)域4與ρ摻雜區(qū)域8之間的有源層5。η摻雜區(qū)域4和ρ摻雜區(qū)域8可以分別包括一個或者多個半導體層。在η摻雜區(qū)域4和ρ摻雜區(qū)域中，此外也可以包含未摻雜的層。有源層5尤其可以是發(fā)射輻射的層。有源層5尤其可以包括ρη結(jié)或者優(yōu)選包括單量子阱結(jié)構(gòu)或者多量子阱結(jié)構(gòu)。例如，半導體器件是LED或者半導體激光器。可替選地也可能的是，有源區(qū)5是接收輻射的層并且光電子半導體器件是檢測器。ρ摻雜區(qū)域8包含ρ摻雜層6以及InxAlyGai_x_yN構(gòu)成的ρ接觸層7，其中0彡χ彡1， 1且1。ρ接觸層7與金屬、金屬合金或者透明導電氧化物構(gòu)成的連接層9鄰接。連接層9用于建立電接觸，以便將電流引導至半導體層序列3中。當使用導電襯底時，另一電接觸部11例如可以設(shè)置在襯底10的背面上。ρ接觸層7具有不同的域1、2，其帶有氮化物半導體材料的晶體結(jié)構(gòu)的不同取向。 尤其是，P接觸層7在朝著連接層9的界面上包含帶有Ga面取向的第一晶疇1和帶有N面取向的第二晶疇2。Ga面晶疇1在氮化物半導體材料的六邊形晶格的W001]晶體方向上， 而N面晶疇2在氮化物半導體材料的六邊形晶格的W00-1]晶體方向上。由于在Ga面晶疇1和N面晶疇2中的III族材料(Ga、In或者Al)和N原子之間的結(jié)合的不同取向，晶疇 1、2在其機械和電特性方面彼此不同。有利的是，ρ接觸層7不僅具有Ga面晶疇1和N面晶疇2。氮化物半導體材料的ρ摻雜材料、優(yōu)選鎂的激活通常通過熱處理來實現(xiàn)，其中氫從半導體材料逸出。已證明的是，氫可以比從N面晶疇2更好地從Ga面晶疇1逃逸。因此有利的是，P接觸層7的至少部分區(qū)域具有在Ga面取向中的第一晶疇1。N面晶疇2能夠有利地實現(xiàn)ρ接觸層7與連接層9的電連接，而沒有明顯的電壓降。其原因是，帶有N面取向的晶疇2在朝著連接層9的界面上雖然有名義上的ρ摻雜但是具有η型特性。假設(shè)的是，在N面晶疇中在晶體層中形成缺陷，其導致受體的過補償并且由此負責N面晶疇2的η型特性。N面晶疇2在朝著連接層9的界面上由于其η型特性而構(gòu)建隧道結(jié)，P接觸層7通過隧道結(jié)無明顯電壓降地電連接到連接層9上。優(yōu)選的是，在ρ接觸層7和連接層9之間的界面上的電壓降小于0. 2V，特別優(yōu)選小于0. IV。在將傳統(tǒng)的ρ摻雜的氮化物半導體層電連接到連接層、例如透明導電氧化物構(gòu)成的層時典型地出現(xiàn)的大于0. 2V的電壓降通過ρ接觸層7中的N面晶疇而被減小或者甚至完全避免。連接層9優(yōu)選是透明導電氧化物、例如ITO或者ZnO構(gòu)成的層。當光電子半導體器件是LED，其中輻射耦合輸出通過連接層9進行時，透明導電氧化物構(gòu)成的連接層9尤其是有利的。在該情況中，連接層9可以有利地施加到整個ρ接觸層7上，由此在連接層9中無明顯吸收損耗地進行良好的電流擴展。可替選地，連接層9可以是金屬或者金屬合金構(gòu)成的層，其在該情況中優(yōu)選僅僅局部地施加到P接觸層7上。在金屬或者金屬合金構(gòu)成的連接層9的情況下，其例如可以具有鋁或者由其構(gòu)成。ρ接觸層7在朝著連接層9的界面上有利地具有帶有Ga面取向的晶疇的至少10% 并且最多90%、特別優(yōu)選至少40%并且最多70%的面積比。第一晶疇1和第二晶疇2不必一定如在圖1中所示地通過ρ接觸層7的整個厚度延伸，而是可替選地也可以僅僅構(gòu)建在朝著連接層9的界面的區(qū)域中。由此，晶疇的垂直伸展以及橫向伸展可以彼此不同。尤其是，第一晶疇1和第二晶疇2的橫向伸展不必在ρ接觸層7的層厚度上是恒定的，而是也可以變化。例如，晶疇1、2可以具有截頂棱錐的形狀。Ga面晶疇1和N面晶疇2的構(gòu)型尤其是取決于ρ接觸層7的摻雜材料濃度和層厚度。為了在ρ接觸層7中形成Ga面晶疇1和N面晶疇2，ρ接觸層的厚度有利地設(shè)置在5nm到200nm之間，并且摻雜材料濃度設(shè)置在5X IO19CnT3到2X IO21CnT3之間。優(yōu)選的是，P接觸層7具有20nm或者更小的厚度。摻雜材料濃度優(yōu)選大于1 X 102°cm_3，例如在 1. 5 X IO2ciCnT3 到 3 X IO2ciCnT3 之間。第一晶疇1和/或第二晶疇2的橫向伸展在ρ接觸層7和連接層9之間的界面上例如在IOnm至Ij 5μπι之間。特別有利的是，N面晶疇2在朝著連接層9的界面上的橫向伸展小于1 μ m，優(yōu)選小于IOOnm并且特別優(yōu)選小于lOnm。通過這種方式，實現(xiàn)了在N面晶疇2之間設(shè)置足夠多和足夠大的Ga面晶疇1，氫在激活ρ接觸層7的ρ摻雜材料時可以通過該Ga面晶疇1逃逸。由于在ρ接觸層7中構(gòu)建第一晶疇1和第二晶疇2，所以ρ接觸層7具有比傳統(tǒng)的氮化物半導體構(gòu)成的接觸層更大的粗糙度。這種提高的粗糙度可以在朝著連接層9的界面上延續(xù)直到連接層9的表面，這對從光電子半導體器件的輻射耦合輸出有有利影響。在圖2所示的光電子半導體器件的實施例中涉及所謂的薄膜LED，其中半導體層序列3從其原始的生長襯底剝離。原始的生長襯底被從η摻雜的區(qū)域4剝離，該區(qū)域在該實施例中設(shè)置在光電子器件的輻射出射側(cè)上。在與原始生長襯底對置的側(cè)上，半導體器件例如借助焊接層13施加到支承體14上。于是，從有源層5出發(fā)來看，ρ摻雜層8以ρ接觸層7朝向支承體14。支承體14例如可以具有鍺或者陶瓷。如在前面描述的實施例中那樣，ρ接觸層7包含Ga面取向中的第一晶疇1和N面取向中的第二晶疇2。ρ接觸層7以第一晶疇1和第二晶疇2與連接層9鄰接，該連接層有利地包含金屬或者金屬合金。為了制造第二電連接，可以將接觸層12施加到η摻雜區(qū)域4 上。在ρ接觸層7中的晶疇1、2的有利的構(gòu)型和與其關(guān)聯(lián)的針對至連接層9的電連接的優(yōu)點對應(yīng)于前面描述的實施例。連接層9優(yōu)選是反射層，以便將有源區(qū)5朝著支承體14的方向發(fā)射的輻射朝著η 摻雜區(qū)域4的表面上的對置的輻射出射面反射。反射的連接層9尤其是可以具有鋁、銀或者金，或者由其構(gòu)成。在反射的連接層9和焊接層13之間可以設(shè)置一個或者多個另外的層 (未示出)，其中借助焊接層將半導體器件與支承體14連接。尤其是，在此可以涉及一種附著層、潤濕層和/或阻擋層，該阻擋層要防止焊接層13的材料擴散至反射的連接層9中。在圖3中所示的光電子半導體器件的另一實施例與圖2中所示的器件的區(qū)別在于，連接層9不是金屬或者金屬合金構(gòu)成的層，而是透明導電氧化物構(gòu)成的層。尤其是，與ρ 接觸層7鄰接的連接層9可以是銦錫氧化物(ITO)構(gòu)成的層。從有源層5出發(fā)來看，在透明連接層9之后是反射層15。反射層15尤其是可以為介電鏡。介電鏡15例如可以包含多個交替的SiO2層和 SiN層。相對于金屬鏡，介電鏡具有的優(yōu)點是，與借助金屬反射層相比，對于預先給定的波長或者預先給定的波長范圍通?？梢詫崿F(xiàn)更高的反射。在介電鏡15的情況下，連接層9例如可以通過一個或者多個導電連接物16與焊接層13連接。此外，圖3的實施例在其工作原理和其他的有利的構(gòu)型方面對應(yīng)于圖2中所示的實施例。本發(fā)明并未通過借助實施例的描述而受到限制。更確切地說，本發(fā)明包括任意新的特征和特征的任意組合，尤其是權(quán)利要求中的特征的任意組合，即使該特征或者該組合本身并未明確地在權(quán)利要求或者實施例中予以說明。
權(quán)利要求
1.一種光電子半導體器件，其具有基于氮化物半導體的半導體層序列(3)，該半導體層序列包括η摻雜區(qū)域(4) ^摻雜區(qū)域(8)和設(shè)置在η摻雜區(qū)域(4)和ρ摻雜區(qū)域(8)之間的有源區(qū)(5)，其中ρ摻雜區(qū)域⑶包括InxAlyGai_x_yN構(gòu)成的ρ接觸層(7)，其中O彡χ彡1， O < y < 1且x+y < 1，該ρ接觸層與金屬、金屬合金或者透明導電氧化物構(gòu)成的連接層(9) 鄰接，其中P接觸層(7)在朝著連接層(9)的界面上具有帶Ga面取向的第一晶疇(1)以及帶N面取向的第二晶疇(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子半導體器件，其中ρ接觸層(7)在朝著連接層(9)的界面上具有至少10%并且最多90%的帶有Ga面取向的晶疇(1)的面積比。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電子半導體器件，其中ρ接觸層(7)在朝著連接層(9)的界面上具有至少40%并且最多70%的帶有Ga面取向的晶疇(1)的面積比。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子半導體器件，其中第一晶疇(1)和/或第二晶疇⑵分別具有IOnm到5 μ m的橫向伸展。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子半導體器件，其中第二晶疇(2)具有小于Iym 的橫向伸展。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子半導體器件，其中ρ接觸層(7)具有大于 lX102°cm_3的摻雜材料濃度。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子半導體器件，其中ρ接觸層(7)的厚度在5nm 到200nm之間，其中包括端點值。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子半導體器件，其中ρ接觸層(7)具有30nm或者更小的厚度。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子半導體器件，其中有源區(qū)(5)是發(fā)射輻射的層，并且連接層(9)設(shè)置在該器件的輻射出射側(cè)上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電子半導體器件，其中連接層(9)具有透明導電氧化物。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至8之一所述的光電子半導體器件，其中有源區(qū)(5)是發(fā)射輻射的層，并且從發(fā)射輻射的層(5)來看，該器件的輻射出射側(cè)與連接層(9)對置。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光電子半導體器件，其中連接層(9)是金屬或者金屬合金構(gòu)成的反射層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光電子半導體器件，其中連接層(9)具有透明導電氧化物。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光電子半導體器件，其中從有源層(5)來看，連接層(9)跟隨有反射層(15)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光電子半導體器件，其中反射層(15)是介電鏡。
全文摘要
提出了一種光電子半導體器件，其具有基于氮化物半導體的半導體層序列(3)，該半導體層序列包括n摻雜區(qū)域(4)、p摻雜區(qū)域(8)和設(shè)置在n摻雜區(qū)域(4)和p摻雜區(qū)域(8)之間的有源區(qū)(5)。p摻雜區(qū)域(8)包括InxAlyGa1-x-yN構(gòu)成的p接觸層(7)，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1。p接觸層與金屬、金屬合金或者透明導電氧化物構(gòu)成的連接層(9)鄰接，其中p接觸層(7)在朝著連接層(9)的界面上具有帶Ga面取向的第一晶疇(1)以及帶N面取向的第二晶疇(2)。
文檔編號H01L33/40GK102187484SQ200980141726
公開日2011年9月14日 申請日期2009年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月21日
發(fā)明者馬丁·斯特拉斯伯格, 盧茨·赫佩爾, 馬蒂亞斯·彼得, 烏爾里克·策恩德, 瀧哲也, 安德烈亞斯·萊貝爾, 賴納·布滕戴奇, 托馬斯·鮑爾 申請人:歐司朗光電半導體有限公司