專利名稱：：分析物傳感器、測(cè)試設(shè)備和制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及可用于檢測(cè)生物流體樣品中的分析物濃度水平的電化學(xué)分析物傳感器、包括該分析物傳感器的設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
：生物流體中分析物濃度水平的監(jiān)控可能是健康診斷的重要部分。例如，電化學(xué)分析物傳感器可以用于監(jiān)控血糖水平，作為患者的糖尿病治療和護(hù)理的一部分。例如，通過檢測(cè)生物流體樣品中的分析物濃度水平可以離散地使用電化學(xué)分析物傳感器(‘離散監(jiān)控’)，所述生物流體樣品來自經(jīng)由刺血針(例如，利用針刺或針)從患者取得的血液或其他間質(zhì)液的單一樣品。任選地，通過將傳感器植入到患者中一段時(shí)間可以連續(xù)地使用該分析物傳感器(‘連續(xù)監(jiān)控’)。在離散監(jiān)控中，生物流體樣品收集過程和分析物濃度水平的測(cè)量可以分離。通常，在例如通過使用刺血針從患者得到生物流體樣品后，可以將樣品轉(zhuǎn)移至介質(zhì)(例如，試驗(yàn)帶傳感器或檢測(cè)器)，用于測(cè)量生物流體樣品的分析物濃度水平。由于常規(guī)電化學(xué)分析物傳感器可能具有相對(duì)較低的靈敏度，并且由于生物流體樣品轉(zhuǎn)移至傳感器可能相對(duì)低效，因此可能需要相對(duì)較大的樣品體積，以獲得分析物濃度水平的精確測(cè)量。在這些情況下，如果提供的樣品具有不足的樣品體積，則可能導(dǎo)致沒有讀數(shù)或者不精確的讀數(shù)。因此，可能需要抽取額外的生物流體樣品，因此可能需要重復(fù)刺血針插入，這樣可能會(huì)進(jìn)一步引起患者的疼痛和不適。另外，常規(guī)傳感器對(duì)于工作和/或參比/對(duì)電極可能要求使用貴金屬，這樣會(huì)顯著增加分析物傳感器的成本。因此，有益的是，提供一種適用于生物流體分析物取樣的分析物傳感器，所述分析物傳感器可以從獲得的生物流體樣品一致地提供分析物濃度水平測(cè)量，這樣可以要求減少的樣品體積，和/或還可以提供更低成本的制造。
發(fā)明內(nèi)容在一個(gè)方面，本發(fā)明提供一種分析物傳感器，它包括基體；與所述基體連接的傳感器第一構(gòu)件，所述傳感器第一構(gòu)件包含半導(dǎo)體材料；與所述基體連接并與所述傳感器第一構(gòu)件分隔開的傳感器第二構(gòu)件；以及至少接觸所述傳感器第一構(gòu)件的活性區(qū)。在另一個(gè)方面，本發(fā)明提供一種用于檢測(cè)生物流體樣品中的分析物濃度水平的分析物傳感器，它包括基體；與所述基體連接并由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的傳感器第一構(gòu)件；靠近所述傳感器第一構(gòu)件的末端形成的空腔；以及位于所述空腔內(nèi)的活性區(qū)，所述活性區(qū)與所述傳感器第一構(gòu)件的末端連接。在另一個(gè)方面，本發(fā)明提供一種用于檢測(cè)生物流體樣品中的分析物濃度水平的分析物傳感器，它包括基體；與所述基體連接的傳感器纖維構(gòu)件，所述傳感器纖維構(gòu)件至少包含由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的一部分；靠近所述傳感器纖維構(gòu)件的末端形成的空腔；以及位于所述空腔內(nèi)的活性區(qū)，所述活性區(qū)與所述傳感器纖維構(gòu)件的末端連接。在另一個(gè)方面，本發(fā)明提供一種用于檢測(cè)生物流體樣品中的分析物濃度水平的分析物傳感器，它包括絕緣基體；傳感器第一構(gòu)件，其與所述基體連接并由導(dǎo)電材料的芯部和包圍所述芯部的半導(dǎo)體材料的包層構(gòu)成；傳感器第二構(gòu)件，其與所述基體連接并由導(dǎo)電材料的芯部和包圍所述芯部的半導(dǎo)體材料的包層構(gòu)成；靠近所述傳感器第一和第二構(gòu)件的末端形成的空腔；位于所述空腔內(nèi)的活性區(qū)，所述活性區(qū)與所述傳感器第一和第二構(gòu)件連接；以及與所述基體連接的蓋子，其中所述基體和蓋子至少部分地限定所述空腔。在另一個(gè)方面，本發(fā)明提供一種測(cè)試設(shè)備，它包括接收分析物傳感器的端口，其中所述分析物傳感器進(jìn)一步包括基體；與所述基體連接的傳感器第一構(gòu)件，所述傳感器第一構(gòu)件包含半導(dǎo)體材料；與所述基體連接并與所述傳感器第一構(gòu)件分隔開的傳感器第二構(gòu)件；以及至少接觸所述傳感器第一構(gòu)件的活性區(qū)。在一個(gè)方法方面，本發(fā)明提供一種制造分析物傳感器的方法，包括以下步驟提供基體；將傳感器第一構(gòu)件安裝在所述基體上，其中所述傳感器第一構(gòu)件由半導(dǎo)體材料構(gòu)成；在所述傳感器第一構(gòu)件的一部分上涂布活性區(qū)；以及提供與所述基體連接的蓋子。在另一個(gè)方法方面，本發(fā)明提供一種制造多個(gè)分析物傳感器的方法，包括以下步驟提供基體材料片；將多個(gè)纖維安裝在所述基體材料片上，其中所述纖維由半導(dǎo)體材料構(gòu)成；在至少一些纖維上涂布活性區(qū)；連接蓋材，形成單塊體；以及切削所述單塊體，提供多個(gè)分析物傳感器。從以下詳細(xì)說明、所附權(quán)利要求書和附圖，本發(fā)明的其他特征和方面將變得更加清楚。圖1是根據(jù)本發(fā)明提供的示例性實(shí)施方案的分析物傳感器的俯視圖。圖2是圖1的分析物傳感器沿剖面線2-2的放大剖視圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方案的圖1的分析物傳感器的分解立體圖，為了清楚蓋子被分隔開。圖4是根據(jù)本發(fā)明的測(cè)試設(shè)備的主視圖，其包括在所述設(shè)備的端口中接收的示例性實(shí)施方案的分析物傳感器。圖5是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施方案的分析物傳感器的俯視圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施方案的分析物傳感器的部分剖切的俯視圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施方案的分析物傳感器的俯視圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的圖7的分析物傳感器的編碼區(qū)的放大部分剖視圖。圖9是示出在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方案的分析物傳感器內(nèi)包括的傳感器構(gòu)件上形成導(dǎo)電軌道的示圖。圖IOA是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施方案的分析物傳感器的俯視圖。圖IOB是圖IOA的示例性實(shí)施方案沿剖面線10B-10B的剖切的側(cè)視圖。圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的制造分析物傳感器構(gòu)件的方法的流程圖。圖12是示出適于從較大單塊體切下的多個(gè)圖IOA的分析物傳感器構(gòu)件的俯視圖。圖13是示出根據(jù)本發(fā)明制造多個(gè)分析物傳感器的方法的另一流程圖。具體實(shí)施例方式根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種分析物傳感器，它包括傳感器第一構(gòu)件，例如是由半導(dǎo)體材料(例如，碳化硅(SiC))構(gòu)成的纖維。所述傳感器第一構(gòu)件可以安裝在基體(例如，絕緣材料基體)上。在一些實(shí)施方案中，所述傳感器第一構(gòu)件可以包括導(dǎo)電芯部和由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的包層，所述導(dǎo)電芯部可以包括分析物傳感器的工作電極的一部分。活性區(qū)可以設(shè)置成至少接觸所述傳感器第一構(gòu)件。例如，所述活性區(qū)可以接觸所述傳感器第一構(gòu)件并與其電連接，使得可以通過連接到測(cè)試設(shè)備而完成分析物檢測(cè)。傳感器第二構(gòu)件還可以安裝在所述基體上，其中所述第二傳感器構(gòu)件可以作為參比電極或?qū)﹄姌O工作。所述傳感器第二構(gòu)件還可以包含半導(dǎo)體材料，并且在一些實(shí)施方案中，可以由導(dǎo)電芯部和包層構(gòu)成，所述包層由半導(dǎo)體材料構(gòu)成。類似地，所述傳感器第二構(gòu)件可以接觸所述活性區(qū)并與其電連接。在一些實(shí)施方案中，所述傳感器第一構(gòu)件和甚至所述傳感器第二構(gòu)件的導(dǎo)電芯部可以包含碳(例如，石墨)并且包層可以包含碳化硅。另外，所述分析物傳感器可以包括空腔和活性區(qū)，所述空腔可以靠近所述傳感器第一構(gòu)件的末端。所述空腔可以用于接收生物流體樣品。本文中定義的術(shù)語“空腔”是指具有適于容納并限制生物流體樣品的壁的中空、鋸齒狀或凹入的區(qū)域。在一些實(shí)施方案中，所述空腔可以至少部分地由所述基體和與所述基體連接的蓋子形成并由它們限定。所述分析物傳感器的活性區(qū)可以包含一種或多種催化劑和/或試劑，它們適于與所述空腔內(nèi)接收的生物流體樣品中的分析物反應(yīng)并將其轉(zhuǎn)化為反應(yīng)產(chǎn)物，從而可以產(chǎn)生電流。得到的電流可以在所述傳感器第一構(gòu)件中流動(dòng)(例如，在芯部和/或包層中)。在一些實(shí)施方案中，所述傳感器第一構(gòu)件形成工作電極的至少一部分。然后，可以例如通過與工作電極連接的測(cè)試設(shè)備(例如，安培計(jì))來檢測(cè)產(chǎn)生的電流，從而能夠測(cè)定和讀取生物流體樣品中所含的分析物的濃度水平。提供的電流可以具有例如與樣品中的分析物濃度相關(guān)聯(lián)的大小。下面參照?qǐng)D1-13說明分析物傳感器、包括該分析物傳感器的設(shè)備和制造該分析物傳感器的方法的這些和其他實(shí)施方案。圖1-3示出根據(jù)本發(fā)明提供的分析物傳感器100的第一示例性實(shí)施方案的不同視圖。分析物傳感器100可以包括優(yōu)選由絕緣材料形成的基體110。基體110可以具有安裝在其上的傳感器第一構(gòu)件120。基體110可以由聚合物材料制成，例如，聚碳酸酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、高密度聚乙烯或聚苯乙烯材料。此外，傳感器第一構(gòu)件120可以通過在基體110內(nèi)設(shè)置某種程度的物理凹陷而安裝到基體110上。例如，當(dāng)基體110是可變形聚合物時(shí)，可以施加足夠的壓力和/或熱量，從而使傳感器第一構(gòu)件120在基體110內(nèi)形成凹陷。任選地，凹陷可以模制到基體Iio中。任選地，傳感器第一構(gòu)件120可以粘附、膠合、熱熔、超聲熔合或以其他方式安裝到基體110上。在一些實(shí)施方案中，傳感器第一構(gòu)件120可以通過夾置在基體110和蓋子150之間而簡(jiǎn)便地安裝到基體110上?；w110的大小和形狀并不重要，可以使用任何合適的大小和形狀?；w110簡(jiǎn)便地發(fā)揮著安裝傳感器構(gòu)件120并允許用戶容易操作的作用。傳感器第一構(gòu)件120可以包含半導(dǎo)體材料。例如，傳感器構(gòu)件120可以包括由導(dǎo)電材料構(gòu)成的芯部122和由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的包層124。優(yōu)選地，第一構(gòu)件120是長(zhǎng)度遠(yuǎn)大于其寬度的纖維或細(xì)絲。在一些實(shí)施方案中，纖維可以包括導(dǎo)電芯部122，其可至少部分地被包層IM包圍。在示出的示例性實(shí)施方案中，包層1可以呈環(huán)形形狀，其可以沿著芯部122長(zhǎng)度的至少一部分完全包圍芯部122。芯部122可以呈例如圓柱棒的形狀。在工作時(shí)，可以包含導(dǎo)電材料的芯部122和可以包含半導(dǎo)體材料的包層IM都能夠傳導(dǎo)電流，盡管與芯部122相比半導(dǎo)體材料可以具有更高的電阻率，并因而可以輸送比芯部122更小的電流。在一些實(shí)施方案中，芯部122可以包含碳(例如，石墨)并且包層1可以包含碳化硅(SiC)。具有合適的SiC包層和碳芯部的SiC/C纖維例如由Lowell,Massachusetts的SpecialtyMaterialsInc.生產(chǎn)。然而，芯部122的導(dǎo)電材料還可以包含其他導(dǎo)電金屬材料，包括貴金屬(例如，金、銀、鉬等)、銅和鋁。包層1可以包含其他半導(dǎo)體材料，包括第IV族元素(例如，硅和鍺)、第IV族化合物(例如，鍺化硅(SiGe))和第III-V族化合物(例如，砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP))。在一些實(shí)施方案中，可以使用沒有導(dǎo)電芯部的半導(dǎo)體纖維。在一些實(shí)施方案中，傳感器第一構(gòu)件120的總直徑(包括芯部122和包層124)可以為約150微米以下、約100微米以下、約75微米以下或甚至約50微米以下，并且在一些實(shí)施方案中在約50微米至約150微米之間(盡管還可使用更大或更小的尺寸)。芯部122的直徑可以為約10微米至約100微米或甚至為約20微米至約40微米，優(yōu)選為約30微米，盡管還可以使用其他尺寸。在所示實(shí)施方案中，傳感器第一構(gòu)件120可以包括露出芯部122的端部(‘剝離末端’)。例如當(dāng)芯部122用作電極時(shí)，這樣可以擴(kuò)大和增強(qiáng)導(dǎo)電芯部122的有效接觸面積并因而擴(kuò)大和增強(qiáng)導(dǎo)電面積。任何合適的技術(shù)均可用于除去包層材料，從而形成剝離末端，例如機(jī)械加工、蝕刻等?？梢允褂美盟?例如，HN、HCF或組合)的電化學(xué)濕法蝕刻。下面說明用于增強(qiáng)芯部的有效接觸面積的其他機(jī)理。分析物傳感器100還可以包括傳感器第二構(gòu)件130，在一些實(shí)施方式中其還可以包含半導(dǎo)體材料。該傳感器第二構(gòu)件例如可以包括由導(dǎo)電材料構(gòu)成的芯部132和由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的包層134。傳感器第二構(gòu)件130的材料可以與上面對(duì)于傳感器第一構(gòu)件120所述的材料相同。任選地，傳感器第二構(gòu)件130可以是更常規(guī)的材料，例如碳、石墨、金、銀、鈀或鉬。例如，第二傳感器構(gòu)件可以由碳/石墨PTF或Ag/AgCl形成。然而，優(yōu)選地，傳感器第二構(gòu)件130可以是另一個(gè)纖維，如圖1所示，其可以與傳感器第一構(gòu)件120呈大致平行關(guān)系取向，并且可以包含半導(dǎo)體材料。然而，如圖5所示，可以設(shè)置成其他取向，例如非平行取向。再次參照?qǐng)D1-3，活性區(qū)140可以涂布在基體110上并且至少與傳感器第一構(gòu)件120接觸和電連接(下面將對(duì)其進(jìn)行更完全地說明)。然而，簡(jiǎn)言之，活性區(qū)140可適于接觸生物流體樣品?；钚詤^(qū)140可以包含一種或多種催化劑或試劑，適用于促進(jìn)生物流體樣品內(nèi)的分析物與活性區(qū)140中包含的催化劑或試劑之間的電化學(xué)反應(yīng)。這樣生成反應(yīng)產(chǎn)物和遷移電子，然后可以例如通過傳感器第一構(gòu)件120的芯部122傳導(dǎo)。本文中稍后描述的7介體可以供應(yīng)在活性區(qū)140中，以輔助電子輸送至導(dǎo)電芯部122的表面。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，可以形成空腔155并且鄰近具有露出的芯部122的傳感器第一構(gòu)件120的工作端135設(shè)置?？涨?55接收例如在開口端插入的生物流體樣品。特別地，空腔155可以例如至少部分地由蓋子150的內(nèi)表面和基體110的表面(具有涂布的活性區(qū)140)形成和限定?？涨?55可以具有任何形狀，但優(yōu)選具有促進(jìn)毛細(xì)管作用以使生物流體液滴在芯部122，132之間吸入并靜置而使得樣品接觸活性區(qū)140的形狀。設(shè)置孔152，以輔助生物流體的毛細(xì)管作用?？涨?55可以例如具有約2-5mm的長(zhǎng)度和約0.5-1.5mm的寬度。在一些實(shí)施方案中，用于檢測(cè)分析物濃度水平的足夠生物流體樣品可以具有例如小于約0.5微升、小于約0.3微升或甚至小于約0.2微升的體積。還可以使用其他樣品體積。為了有助于減少生物流體樣品體積的需要，可以使用纖維狀的傳感器第一構(gòu)件120。這可以為待涂布的活性區(qū)140提供三維形狀的大致相對(duì)的表面141W，141R(其中W表示“工作”，R表示“參比”)以及露出電極的相對(duì)較大的有效表面積。這樣，使用相對(duì)較少樣品體積的生物流體，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的分析物檢測(cè)。因此，可以最小化或避免必須再次刺扎手指等以獲得測(cè)試用的足夠流體體積的趨勢(shì)。參照?qǐng)D2，活性區(qū)140可以位于空腔155內(nèi)，并且優(yōu)選位于空腔155的底部，從而允許活性區(qū)140接觸進(jìn)入空腔155的樣品生物流體。如圖所示，活性區(qū)140涂布在芯部122，132上并與其接觸。在將生物流體樣品插入空腔155中時(shí)，在流體樣品中的分析物與活性區(qū)140的催化劑或試劑之間發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)，從而產(chǎn)生反應(yīng)產(chǎn)物并產(chǎn)生電子流。然后芯部122可以傳導(dǎo)和引導(dǎo)電子流，提供可以與生物流體樣品中的分析物濃度成比例的電流。然后，電流可以被調(diào)整并以任何合適的讀數(shù)形式顯示，例如在測(cè)試設(shè)備460的數(shù)字讀數(shù)器470中(例如，圖4所示)。如圖4進(jìn)一步所示，實(shí)施方案的分析物傳感器400，例如參照?qǐng)D1-3所述的分析物傳感器，或者本文所述的另外實(shí)施方案中的任一種，可以插入并接收在測(cè)試設(shè)備460的端口465中。設(shè)備460中的電接頭(未示出)可以與傳感器構(gòu)件120，130(例如，其芯部和/或包層)的導(dǎo)電端部電接觸，從而進(jìn)行與設(shè)備460的電路系統(tǒng)的電連接。在施加偏電壓(例如，約400mV)時(shí)，常規(guī)處理程序和電路系統(tǒng)可以將由傳感器構(gòu)件120供應(yīng)的電流換算為分析物濃度水平。再次參照?qǐng)D1-3，用于設(shè)置活性區(qū)140的一組催化劑可以是氧化酶類，其包括例如葡萄糖氧化酶(其轉(zhuǎn)化葡萄糖)、乳酸氧化酶(其轉(zhuǎn)化乳酸鹽)和D-天冬氨酸氧化酶(其轉(zhuǎn)化D-天冬氨酸鹽和D-谷氨酸鹽)。在葡萄糖是目標(biāo)分析物的實(shí)施方案中，可以任選地使用葡萄糖脫氫酶(GDH)。還可以依情況使用吡咯喹啉醌(PQQ)或黃素腺嘌呤二核苷酸(FAD)。可以用在本發(fā)明中的氧化酶的更詳細(xì)列表在ClarkJr.的美國(guó)專利No.4，721，677中提供，其題目為“ImplantableGas-containingBiosensorandMethodforMeasuringanAnalytesuchasGlucose”，在此將其全部?jī)?nèi)容并入作為參考。還可使用除了氧化酶之外的催化酶?；钚詤^(qū)140可以包括一層或多層(未明確示出)，催化劑(例如，酶)和/或其他試劑可以在其中固定或沉積。所述一層或多層可以包含多種聚合物，例如包括硅樹脂系或有機(jī)聚合物(例如聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚環(huán)氧乙烷)、纖維素聚合物(例如，羥乙基纖維素或羧甲基纖維素)、聚乙烯、聚氨酯、聚丙烯、聚四氟乙烯、嵌段共聚物、溶膠-凝膠等。多種不同的技術(shù)可用于使酶固定在活性區(qū)140的一層或多層中，包括但不限于使酶固定到聚合物基質(zhì)例如溶膠-凝膠的晶格中、使試劑交聯(lián)到合適的基質(zhì)(例如戊二醛)、電聚合以及利用共價(jià)鍵在酶之間形成陣列，等等。在一些實(shí)施方案中，電化學(xué)活性層(未明確示出)可以鄰近傳感器構(gòu)件的露出末端(例如，剝離部分)。電化學(xué)活性層可以包含例如貴金屬(例如，鉬、鈀、金或銠)或其他合適的材料。在葡萄糖檢測(cè)的實(shí)施方案中，當(dāng)合適地極化時(shí)，活性層可以與過氧化氫進(jìn)行氧化還原反應(yīng)。氧化還原反應(yīng)利用電子轉(zhuǎn)移導(dǎo)致電流產(chǎn)生，電流與已經(jīng)轉(zhuǎn)化為過氧化氫的分析物的濃度成比例。該電流可以從電化學(xué)活性層通過芯部122和/或包層IM傳導(dǎo)和輸送到如前面參照?qǐng)D4所述的測(cè)試設(shè)備。在一些實(shí)施方案中，介體可以在活性區(qū)140內(nèi)，以促進(jìn)分析物轉(zhuǎn)化為可檢測(cè)的反應(yīng)產(chǎn)物。介體包括在催化劑和工作電極(例如，露出的芯部的表面、芯部的表面積增強(qiáng)劑或涂布到芯部上的電化學(xué)活性層等)之間充當(dāng)中間物的物質(zhì)。例如，介體可以促進(jìn)反應(yīng)中心(在那里發(fā)生分析物的催化分解)和工作電極之間的電子轉(zhuǎn)移，并且可以增強(qiáng)工作電極處的電化學(xué)活性。合適的介體可以包括以下中的一種或多種金屬絡(luò)合物(包括二茂鐵)及其衍生物、氰亞鐵酸鹽、吩噻嗪衍生物、鋨絡(luò)合物、奎寧、酞菁、有機(jī)染料以及其他物質(zhì)。在一些實(shí)施方案中，介體可以與催化劑一起直接交聯(lián)到工作電極上。如上所述，分析物傳感器100還可以包括傳感器第二構(gòu)件130，其可以用作提供電流返回路徑的參比電極。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中，傳感器第二構(gòu)件130可起到對(duì)電極的作用。如參照?qǐng)D1-3和圖5-10B進(jìn)一步所述的，參比電極可以以多種不同方式布置、形成和/或?qū)嵤?。在圖1-3所示的實(shí)施方案中，傳感器構(gòu)件130可以包含安裝到基體110上的纖維，并且可以由半導(dǎo)體材料構(gòu)成。例如，傳感器構(gòu)件130可以包括導(dǎo)電芯部132，并且可以包括半導(dǎo)體包層134。然而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，參比電極可以呈現(xiàn)其他形式(例如，線圈、箔、帶或膜)，并且可由其他合適的材料制成，例如上述材料。為了形成電化學(xué)電池，傳感器第二構(gòu)件130可以與空腔155中的活性區(qū)140連接。特別地，活性區(qū)140可以被涂布成與芯部122，132接觸并構(gòu)造成在芯部122，132之間延伸。如圖2所示，活性區(qū)140可以沿著芯部122，132的大致相對(duì)表面141W，141R延伸，使得生物流體滴(由虛線156表示)可以接收在由活性區(qū)140形成的三維特征中，所述活性區(qū)涂布在芯部122，132和基體110的表面上。圖5示出本發(fā)明的分析物傳感器500的另一實(shí)施方案。象前述實(shí)施方案中那樣，第一和第二構(gòu)件520，530可以安裝在基體510(例如，絕緣材料基體)上，并且活性區(qū)540可以涂布在各構(gòu)件的芯部522，532上，并優(yōu)選與其接觸。然而，在該實(shí)施方案中，各構(gòu)件可沿大致平行之外的關(guān)系(例如，以大于0度并且小于或等于90度的角度β)。換言之，在末端536處的傳感器構(gòu)件520，530的末端523，533之間的間隔可以大于在工作端535處接觸活性區(qū)540的傳感器構(gòu)件520，530之間的間隔。這種構(gòu)造允許傳感器構(gòu)件520，530和芯部522，532一起定位成非?？拷钚詤^(qū)Μ0，但分開構(gòu)件520，530的末端523，533，從而容易地電連接至測(cè)試設(shè)備(未示出)?？?52例如可以允許通氣，從而容易地將生物流體樣品插入空腔端部(未明確示出)中，該空腔由蓋子550和基體510配合在活性區(qū)MO附近形成。通過與傳感器構(gòu)件520，530的末端523，533的電接觸，可以實(shí)現(xiàn)與測(cè)試設(shè)備的電連接。為了增強(qiáng)圖1-3和圖5所示的實(shí)施方案中第一構(gòu)件120的導(dǎo)電芯部122的有效導(dǎo)電面積，可以沿著纖維的長(zhǎng)度剝離包層。另外或任選地，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了可用于增強(qiáng)本發(fā)明的實(shí)施方案中工作電極的有效導(dǎo)電面積的其他機(jī)理。在圖6中，例如，示出分析物傳感器600的另一實(shí)施方案的部分剖切的俯視圖。在圖6所示的實(shí)施方案中，傳感器第一和第二構(gòu)件620，630可以安裝到基體610上，象前面實(shí)施方案中那樣。然而，在該實(shí)施方案中，通過在芯部622的末端上設(shè)置導(dǎo)電涂層680W可以增大電極的有效導(dǎo)電面積。類似地，傳感器第二構(gòu)件630可以包括涂層680R。在所示的實(shí)施方案中，活性區(qū)640可以設(shè)置在基體610上并接觸傳感器構(gòu)件620，630的大致相對(duì)表面641W，641R。涂層680R，680W可以包含碳或任何其他合適的導(dǎo)電材料(例如，Ag/AgCl、金、銀、鈀、銅、鋁等)。在本實(shí)施方案中，涂層680W，680R可被設(shè)置成與芯部622，632的簡(jiǎn)便裂開的末端電接觸，并且可涂布在構(gòu)件620，630的整個(gè)末端上，但也可涂布在包層624，634的外周面上。這樣，接觸活性區(qū)640的芯部的有效導(dǎo)電面積可以大大增加，因?yàn)閷?dǎo)電涂層680W，680R起到芯部延長(zhǎng)的作用，并且涂層680W，680R的表面可分別成為工作電極和參比電極。因此，活性區(qū)640可以在相對(duì)較大區(qū)域上與芯部620，630接觸。任選地，可以通過在構(gòu)件120，130的末端以直角之外的角度進(jìn)行裂開操作(例如，除了簡(jiǎn)單裂開)、從而露出更多的芯部而增加芯部的有效接觸面積。另外圖6的實(shí)施方案中示出在分析物傳感器600和測(cè)試設(shè)備(未示出)之間提供電接觸的另一種方法。在前面的實(shí)施方案中，與測(cè)試設(shè)備的電接觸利用與傳感器構(gòu)件120，130(圖1-3)和520，530(圖5)的末端電接觸來實(shí)現(xiàn)。相反，在本實(shí)施方案中，與工作電極和參比電極的電接觸可以利用與電接觸片690W和690R接觸來實(shí)現(xiàn)。接觸片690W，690R由導(dǎo)電性粘結(jié)化合物構(gòu)成，例如導(dǎo)電環(huán)氧膠(例如，銀環(huán)氧膠或碳環(huán)氧膠)，導(dǎo)電性粘結(jié)化合物被設(shè)置成與傳感器第一和第二構(gòu)件620，630的芯部622，632和/或包層6M，6；34接觸。如圖所示，蓋子650可與基體610連接，并且在尺寸上短于基體610，使得接觸片可以被測(cè)試設(shè)備(未示出)自由地接近。圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的分析物傳感器700的俯視圖。分析物傳感器700包括傳感器第一構(gòu)件720和傳感器第二構(gòu)件730。各傳感器構(gòu)件720，730可以由半導(dǎo)體材料構(gòu)成。例如，構(gòu)件720，730可以包括由導(dǎo)電材料構(gòu)成的芯部和由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的包層。它們均可設(shè)置為纖維形式，并且可以包括沿著纖維長(zhǎng)度的至少一部分包圍芯部的包層。象前面實(shí)施方案中那樣，可以包括至少與傳感器第一構(gòu)件720接觸的活性區(qū)740，并且該活性區(qū)可以設(shè)置成與接觸第一和第二構(gòu)件720，730。在該實(shí)施方案中，纖維可以包括形成于其中的一定彎曲(為了清楚放大示出)，使得工作端735的纖維可靠近地分隔開，然而末端736的纖維可以進(jìn)一步分隔開。這可以允許足夠的間隔以與接觸片790W，790R(參照?qǐng)D6所述的類型)電連接。另外，在圖7所示的實(shí)施方案中，分析物傳感器700的一個(gè)或多個(gè)傳感器構(gòu)件720，730可以設(shè)置有編碼區(qū)793。編碼區(qū)793可以允許某些信息編碼到一個(gè)或多個(gè)傳感器構(gòu)件720，730上。編碼的信息可以涉及到傳感器700的性能和/或特征。例如，生產(chǎn)日期、批次號(hào)、部件號(hào)或版本號(hào)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)或常數(shù)、和/或有效期可以被編碼。如圖8中的放大視圖所示，并且在使用SiC包層材料的情況下，編碼區(qū)793可以由一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電率改變的軌道(例如，環(huán))795A-795C形成并包括它們。軌道可以形成在傳感器第一構(gòu)件720的包層7M上。軌道795A-795C可向內(nèi)延伸到芯部722。在所示的實(shí)施方案中，示出三個(gè)導(dǎo)電率改變的軌道795A-795C。然而，可以使用更多或更少數(shù)量的軌道。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，可以使用變化寬度的單一軌道，其中可以進(jìn)行電阻的兩點(diǎn)電氣測(cè)量以測(cè)量和確定電阻水平。然后，電阻值可以例如與查詢表中的編碼相關(guān)聯(lián)。如圖9所示，諸如導(dǎo)電率改變的軌道995A等編碼區(qū)993可以例如通過使傳感器構(gòu)件920的SiC包層擬4經(jīng)歷強(qiáng)烈的局部熱量而形成。例如，隨著構(gòu)件920和激光器997相對(duì)運(yùn)動(dòng)(由箭頭擬8表示)，包層可以接觸從激光器997發(fā)射的激光束996。一旦一半軌道在一側(cè)上形成，就可以將纖維翻過來，以形成軌道的另一半。出于效率原因，多個(gè)纖維可以并排方式放置，并且可以一次被處理?？梢允褂闷渌邚?qiáng)度熱源，例如熱等離子體。對(duì)由SiC構(gòu)成的包層擬4進(jìn)行強(qiáng)烈的局部加熱可能會(huì)引起SiC包層的電阻率局部改變。這樣，局部加熱可以提供環(huán)繞芯部922的導(dǎo)電率改變的軌道995A，其可以優(yōu)選滲透到達(dá)芯部922的深度。與未經(jīng)歷熱處理的周圍SiC材料相比，軌道995A可以具有明顯不同的導(dǎo)電率(例如，幾個(gè)數(shù)量級(jí)或更大)。在圖7-8所示的實(shí)施方案中，多個(gè)間隔的導(dǎo)電軌道可以設(shè)置在傳感器構(gòu)件720上。位于構(gòu)件720上的軌道可以用于提供編碼的信息的位元(例如，1和0)，隨后可以通過設(shè)置在測(cè)試設(shè)備(未示出)中的合適的讀數(shù)器從構(gòu)件720讀取。例如，在與傳感器700的末端736隔開的限定位置處存在的軌道可以用于表示“1”，而在限定位置(參見位置791)處不存在軌道可以表示“0”。因此，通過僅使用4個(gè)預(yù)定的軌道位置，可以提供24位元或16個(gè)編碼，然后可以例如通過測(cè)試設(shè)備(未示出)讀取。例如，電接頭可以接觸每個(gè)預(yù)定位置以確定是否存在軌道。在一些實(shí)施方案中，可選地或另外，可能希望在第二構(gòu)件730上編碼信肩、ο在圖7示出的實(shí)施方案中，示出與傳感器第一構(gòu)件720連接的子組件。該子組件包括導(dǎo)電片792，794和導(dǎo)體723。子組件的目的是使得能夠讀取是否存在軌道或其他編碼。例如，對(duì)于每個(gè)軌道位置可以存在電路，例如組合792，723，794，使得可以在傳感器700的末端容易地訪問編碼。根據(jù)本發(fā)明的分析物傳感器1000的另一實(shí)施方案示于圖IOA和圖IOB中。所示傳感器1000的設(shè)計(jì)可以有助于傳感器帶的大規(guī)模生產(chǎn)制造。分析物傳感器1000可以包括傳感器第一構(gòu)件1020和傳感器第二構(gòu)件1030。各傳感器構(gòu)件1020，1030可以是纖維，可以包含半導(dǎo)體材料。例如，芯部可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成，包層可以由半導(dǎo)體材料構(gòu)成。象前面實(shí)施方案中那樣，可以包括至少與傳感器第一構(gòu)件1020接觸的活性區(qū)1040，并優(yōu)選與第一和第二構(gòu)件1020，1030接觸。如所構(gòu)造的那樣，第一構(gòu)件1020可以包括工作電極，第二構(gòu)件1030可以包括參比電極或?qū)﹄姌O。此外，象前面示出的實(shí)施方案那樣，一個(gè)或多個(gè)構(gòu)件1020，1030可以設(shè)置有編碼區(qū)1093，以允許編碼有關(guān)傳感器1000的性能和/或特征的信息。在該實(shí)施方案中，蓋子1050可被切短，以允許讀取訪問編碼區(qū)。根據(jù)另一方面，填充檢測(cè)器1015可以鄰近活性區(qū)1040設(shè)置，從而確保當(dāng)進(jìn)行分析物濃度的檢測(cè)時(shí)存在足夠的生物流體樣品。在所示的實(shí)施方案中，可以通過在各構(gòu)件1020，1030鄰近活性區(qū)1040的位置處形成導(dǎo)電軌道并且優(yōu)選距活性區(qū)等距，從而設(shè)置填充檢測(cè)器1015。如參照?qǐng)D9所述的，可以通過在各傳感器構(gòu)件1020，1030上形成高導(dǎo)電率的局部區(qū)域而形成軌道。軌道可以位于并包含在形成于基體1010和蓋子1050之間的空腔1055中，如圖IOB所示。在工作時(shí)，如果存在足夠的生物流體樣品，則一部分生物流體樣品可以在填充檢測(cè)器1015的軌道之間靜置，并且可以提供通過流體樣品的導(dǎo)電途徑。因此，當(dāng)在填充檢測(cè)器1015的位置處存在流體時(shí)，可以測(cè)量到構(gòu)件1020，1030之間的電阻明顯降低。在所示的實(shí)施方案中，活性區(qū)1040可以涂布成接觸在構(gòu)件1020上形成的增強(qiáng)區(qū)。增強(qiáng)區(qū)可以包括高導(dǎo)電率區(qū)域，并且可以通過除去包層IOM的一部分(例如，剝離或蝕刻)，如圖所示，使得芯部1022在活性區(qū)1040附近露出而形成。任選地，增強(qiáng)區(qū)可以通過使纖維的包層經(jīng)歷強(qiáng)烈的局部熱量，從而引起包層材料的電阻率和/或電化學(xué)活性明顯改變而局部產(chǎn)生。此后，活性區(qū)1040可以涂布到該增強(qiáng)區(qū)上。類似的處理可應(yīng)用于第二構(gòu)件1030。任選地，活性區(qū)可以涂布到包層IOM上，而未涂布到其他地方，即使纖維末端上也未涂布。下面，參照?qǐng)D11說明本發(fā)明實(shí)施方案的制造分析物傳感器的方法。本發(fā)明的制造分析物傳感器的方法可以包括以下步驟在步驟1101中，提供基體(例如，絕緣材料基體)；在步驟1102中，將傳感器第一構(gòu)件安裝在基體上，其中傳感器第一構(gòu)件可以由半導(dǎo)體材料構(gòu)成(例如，導(dǎo)電芯部和半導(dǎo)體包層)；在步驟1103中，在傳感器第一構(gòu)件的一部分上涂布活性區(qū)；以及在步驟1104中，提供蓋子?？梢酝ㄟ^上述任一種機(jī)理進(jìn)行傳感器構(gòu)件的安裝。同樣，可以通過用于涂布催化劑和/或試劑的任何常規(guī)方法或上述方法進(jìn)行涂布活性區(qū)的步驟。類似地，蓋子可被提供，并可以直接連接到基體、通過粘合層連接到基體或者通過將傳感器構(gòu)件固定到基體、然后將蓋子固定到傳感器構(gòu)件而連接到基體。蓋子可以沿著基體全長(zhǎng)或僅沿著其一部分延伸。蓋子可以從內(nèi)部形成有合適凹陷的可變形聚合物材料預(yù)成型，蓋子與基體和纖維配合形成空腔。同樣，蓋子可以包括孔(例如，通過切削形成)，用于使空腔通氣并促進(jìn)流體樣品的毛細(xì)管作用。下面參照?qǐng)D12和圖13說明制造圖10A-10B中示出的多個(gè)分析物傳感器1000的方法。因此，可以提供基體材料片1210，例如聚碳酸酯。例如，可以將其中包括一段或多段傳感器構(gòu)件1020，1030的多對(duì)纖維1211，1212安裝在基體材料片1210上，并且通過夾具1116保持在與基體材料1210對(duì)齊的合適位置。在一些實(shí)施方案中，如上所述，各纖維1211，1212可以包含半導(dǎo)體材料(例如，導(dǎo)電芯部和半導(dǎo)體包層(例如SiC))。此外，各纖維1211,1212可以包括沿著它們的長(zhǎng)度設(shè)置的一個(gè)或多個(gè)高導(dǎo)電率區(qū)域(例如，剝離包層的區(qū)域、導(dǎo)電涂層區(qū)域等)或活性增強(qiáng)的區(qū)域(例如，通過激光處理)。纖維1211，1212可以任選地包括參照?qǐng)DIOA和圖IOB所述的填充檢測(cè)器1015，并且另外或任選地，可以包括一個(gè)或多個(gè)編碼區(qū)1093，其可用于編碼關(guān)于傳感器1000的各種特征。纖維1211，1212可被預(yù)加工，以按照參照?qǐng)D9所述的方式包括數(shù)個(gè)高導(dǎo)電率區(qū)域、編碼信息的軌道和/或填充檢測(cè)器。然后，纖維1211，1212可以通過粘合劑、點(diǎn)焊、超聲焊或者通過施加熱量和/或壓力而安裝在基體材料1210上。任選地，它們可簡(jiǎn)便地夾置在基體材料片1210和蓋材1250之間(下面更完全地描述)。在安裝纖維1211，1212后，一個(gè)或多個(gè)活性區(qū)1040涂布在纖維上(例如，涂布在高導(dǎo)電率區(qū)域上)，或者沿其長(zhǎng)度涂布，在活性區(qū)中進(jìn)行分析物檢測(cè)。如上所述，活性區(qū)1040可以含有一種或多種催化劑或試劑(例如，酶)，其可以與生物流體樣品中的分析物反應(yīng)而產(chǎn)生可電化學(xué)測(cè)量的化學(xué)物種?；钚詤^(qū)1040可以通過逐層沉積、自動(dòng)分配、滴落、絲網(wǎng)印刷或其他類似技術(shù)來涂布。在形成活性區(qū)1040后，蓋材1250可以應(yīng)用在纖維1211，1212和基體材料1210上。蓋材1250可以例如通過粘合劑、熱量、超聲或其他焊劑技術(shù)等連接到基體、纖維或兩者。此外，蓋材1250可以含有多個(gè)凹陷區(qū)域，其中形成有凸出的凹陷，當(dāng)連接基體材料和纖維時(shí)，形成接近各活性區(qū)1040的空腔1055。各空腔1055可以包括優(yōu)選在連接之前在蓋材1250中預(yù)成型的一個(gè)或多個(gè)孔1052，從而例如允許空腔的通氣。如果需要直接訪問編碼區(qū)1093，則可以條帶的形式應(yīng)用蓋材1250，或任選地，可以僅在蓋材1250的這些區(qū)域中設(shè)置切口以允許訪問。在上述部件裝配成單塊體1280后，可以使用沖模、激光、鋸或其他合適的切削技術(shù)切下各個(gè)傳感器單元(例如，傳感器1000)。因此，可以從一個(gè)單塊體1280制造多個(gè)分析物傳感器1000。圖12中示出8個(gè)傳感器1000。然而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，使用上述方法可以適用于制造更多或更少傳感器的方法。概言之，參照?qǐng)D13，本發(fā)明的制造分析物傳感器的方法可以包括以下步驟在步驟1301中，提供基體材料片(例如，絕緣片材基體)；在步驟1302中，將多個(gè)纖維安裝在基體材料片上，其中纖維由半導(dǎo)體材料構(gòu)成(例如，導(dǎo)電芯部和半導(dǎo)體包層)；在步驟1303中，在至少一些纖維的一部分上涂布活性區(qū)；在步驟1304中，連接蓋材，形成單塊體；以及在步驟1305中，切削形成的單塊體，提供多個(gè)分析物傳感器。上述說明僅以示例性方式公開了本發(fā)明的分析物傳感器、包括它的設(shè)備和制造傳感器的方法的實(shí)施方案。對(duì)上述公開的分析物傳感器、包括它的設(shè)備及其制造方法的改進(jìn)落入本發(fā)明的范圍內(nèi)，并且這些改進(jìn)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯然的。因此，盡管已經(jīng)結(jié)合示例性實(shí)施方案公開了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解，其他實(shí)施方案也落入所附權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種分析物傳感器，包括基體；與所述基體連接的傳感器第一構(gòu)件，所述傳感器第一構(gòu)件包含半導(dǎo)體材料；與所述基體連接并與所述傳感器第一構(gòu)件分隔開的傳感器第二構(gòu)件；以及至少接觸所述傳感器第一構(gòu)件的活性區(qū)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其中所述傳感器第一構(gòu)件包括導(dǎo)電材料的芯部和半導(dǎo)體材料的包層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其中所述半導(dǎo)體材料包括碳化硅。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其中所述傳感器第二構(gòu)件包括導(dǎo)電材料的芯部和半導(dǎo)體材料的包層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，還包括與所述基體連接并至少部分地限定靠近所述活性區(qū)的空腔的蓋子。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其中所述傳感器第一構(gòu)件包含纖維。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其中所述傳感器第一構(gòu)件的芯部和所述傳感器第二構(gòu)件的芯部與所述活性區(qū)接觸。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其中所述傳感器第一構(gòu)件包括增強(qiáng)區(qū)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的分析物傳感器，其中所述增強(qiáng)區(qū)包括所述芯部的露出部分。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的分析物傳感器，其中所述增強(qiáng)區(qū)包括導(dǎo)電涂層。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的分析物傳感器，其中所述增強(qiáng)區(qū)包括導(dǎo)電率或電化學(xué)活性增強(qiáng)的包層的至少一部分。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，還包括至少部分地形成在所述基體和與所述基體連接的蓋子之間的空腔。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的分析物傳感器，其中所述傳感器第一構(gòu)件的端部和所述傳感器第二構(gòu)件的端部靠近所述空腔。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其中所述傳感器第一構(gòu)件的包層部分地壓印到所述基體中。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，還包括填充檢測(cè)器。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，還包括編碼區(qū)。17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其中所述分析物傳感器適用于感測(cè)分析物，所述分析物包括葡萄糖、乳酸鹽、天冬氨酸鹽和谷氨酸鹽中的一種或多種。18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，還包括靠近所述傳感器第一構(gòu)件的末端形成的空腔；以及所述活性區(qū)位于所述空腔內(nèi)，所述活性區(qū)與所述傳感器第一構(gòu)件的末端連接。19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其中所述傳感器第一構(gòu)件包括與所述基體連接的傳感器纖維構(gòu)件；靠近所述傳感器纖維構(gòu)件的末端形成的空腔；以及所述活性區(qū)位于所述空腔內(nèi)，所述活性區(qū)與所述傳感器纖維構(gòu)件的末端連接。20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，還包括所述基體是絕緣材料；所述傳感器第一構(gòu)件由導(dǎo)電材料的芯部和包圍所述芯部的半導(dǎo)體材料的包層構(gòu)成；與所述基體連接的傳感器第二構(gòu)件由導(dǎo)電材料的芯部和包圍所述芯部的半導(dǎo)體材料的包層構(gòu)成；靠近所述傳感器第一和第二構(gòu)件的末端形成的空腔；所述活性區(qū)位于所述空腔內(nèi)，所述活性區(qū)與所述傳感器第一和第二構(gòu)件連接；以及與所述基體連接的蓋子，其中所述基體和蓋子至少部分地限定所述空腔。21.一種測(cè)試設(shè)備，包括接收分析物傳感器的端口，其中所述分析物傳感器進(jìn)一步包括基體；與所述基體連接的傳感器第一構(gòu)件，所述傳感器第一構(gòu)件包含半導(dǎo)體材料；與所述基體連接并與所述傳感器第一構(gòu)件分隔開的傳感器第二構(gòu)件；以及至少接觸所述傳感器第一構(gòu)件的活性區(qū)。22.一種制造分析物傳感器的方法，包括以下步驟提供基體；將傳感器第一構(gòu)件安裝在所述基體上，其中所述傳感器第一構(gòu)件由半導(dǎo)體材料構(gòu)成；在所述傳感器第一構(gòu)件的一部分上涂布活性區(qū)；以及提供與所述基體連接的蓋子。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，還包括將傳感器第二構(gòu)件安裝在所述基體上的步驟，其中所述傳感器第二構(gòu)件由半導(dǎo)體材料構(gòu)成。24.一種制造多個(gè)分析物傳感器的方法，包括以下步驟提供基體材料片；將多個(gè)纖維安裝在所述基體材料片上，其中所述纖維由半導(dǎo)體材料構(gòu)成；在至少一些纖維上涂布活性區(qū)；連接蓋材，形成單塊體；以及切削所述單塊體，提供多個(gè)分析物傳感器。全文摘要本發(fā)明在一些方面中提供用于檢測(cè)生物流體樣品中的分析物濃度水平的分析物傳感器。該分析物傳感器可以包括與基體連接的傳感器第一構(gòu)件，其中該傳感器第一構(gòu)件包含半導(dǎo)體材料；與該基體連接的傳感器第二構(gòu)件；以及至少接觸該傳感器第一構(gòu)件的活性區(qū)。在一些方面中，該傳感器第一構(gòu)件可以是纖維，并且可以具有導(dǎo)電芯部和包圍該芯部的半導(dǎo)體包層。在其他方面中，本發(fā)明提供制造上述傳感器的方法和利用上述傳感器的設(shè)備。文檔編號(hào)H01L23/58GK102171823SQ200980138997公開日2011年8月31日申請(qǐng)日期2009年9月17日優(yōu)先權(quán)日2008年9月19日發(fā)明者伍牧,塞爾邦·彼得尤,孫海昌,王瑗,納拉辛漢·帕拉斯尼斯,費(fèi)江楓,雷安·吉福德申請(qǐng)人:拜爾健康護(hù)理有限責(zé)任公司