專利名稱：：固體電解電容器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及具有高性能的固體電解電容器的制造方法。
背景技術(shù)：
：作為一般的卷繞型固體電解電容器，已知的有圖1所示的電容器。如圖1的剖視圖所示，固體電解電容器100包括電容器元件10、有底的外殼11、密封構(gòu)件12、支承板13、引線14A以及14B。在電容器元件10中連接引線接頭(leadtab)16A、16B，引線接頭16A、16B上分別電連接引線14A、14B。電容器元件10被收納在有底的外殼11中，收納的電容器元件10通過密封構(gòu)件12被密封。有底的外殼11的開口端附近進行橫擰-卷曲加工，在加工的卷曲部分配置有支撐板13。圖2是說明電容器元件10的圖，表示部分分解的狀態(tài)。如圖2所示，電容器元件10如下形成將表面形成有電介體被膜的陽極體21和陰極體22隔著隔片23卷曲，利用止卷帶24固定形成。在電容器元件10中，引線14A通過引線接頭16A與陽極體21連接，弓丨線14B通過引線接頭16B與陰極體22連接。作為具有這種結(jié)構(gòu)的固體電解電容器100的電解質(zhì)，使用由導電性高分子形成的固體電解質(zhì)等，該固體電解質(zhì)填充到陽極體21和陰極體22的空隙間。作為由導電性高分子形成的固體電解質(zhì)，例如在日本特開平2-15611號公報中公開了聚噻吩。
發(fā)明內(nèi)容隨著近年的電子機器的數(shù)字化，上述這種固體電解電容器也需要小型化、大容量化、低ESR化。其中，所述的ESR是指等值串聯(lián)電阻。此外，在使用環(huán)境苛刻的車載機器和工業(yè)機器領(lǐng)域中，對具有高耐壓性的固體電解電容器的要求更高。目前，作為使固體電解電容器有高耐壓性的方法，包括在陽極體表面形成電介體被膜時的化成處理中，提高化成電壓，從而使電介體被膜高耐壓化的方法。但是，在提高化成電壓時，具有固體電解電容器的漏電流和短路產(chǎn)生率增加的問題。本發(fā)明可以制造漏電流和短路產(chǎn)生率低且具有高耐壓性的固體電解電容器，并提供該固體電解電容器的制造方法。本發(fā)明的第1方案是一種固體電解電容器的制造方法，包括形成具有陽極體的電容器元件的工序，該陽極體在表面具有電介體被膜；使含有導電性高分子前體單體和氧化劑的聚合液含浸電容器元件中的工序；使硅烷化合物或含有硅烷化合物的溶液含浸已含浸過所述聚合液的電容器元件的工序；以及在含浸硅烷化合物或含硅烷化合物的溶液后，使前體單體聚合，從而形成導電性高分子層的工序。在本發(fā)明的第1方案中，含硅烷化合物的溶液包含硅烷化合物和有機溶劑，含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的濃度優(yōu)選為10重量％以上。在本發(fā)明的第1方案中，有機溶劑優(yōu)選含有醇類、烴類、酯類和酮類有機溶劑中的至少1種。本發(fā)明的第2方案是一種固體電解電容器的制造方法，其包括將表面具有電介體被膜的陽極體和陰極體卷繞，形成電容器元件的工序；使含有導電性高分子前體單體和氧化劑的聚合液含浸電容器元件后，使前體單體聚合，從而形成導電性高分子層的工序；以及使硅烷化合物或含硅烷化合物的溶液含浸形成有導電性高分子層的電容器元件后，使之干燥，從而在導電性高分子層表面形成硅烷化合物層的工序。在本發(fā)明的第2方案中，形成硅烷化合物層的工序中的干燥溫度優(yōu)選為50°C以上150°C以下。在本發(fā)明的第2方案中，含硅烷化合物的溶液包含硅烷化合物和有機溶劑，含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的濃度為5重量％以上。根據(jù)本發(fā)明，可以制造漏電流和短路產(chǎn)生率低，而且具有高耐壓性的可靠性高的固體電解電容器。在以下本發(fā)明的詳細描述中，結(jié)合附圖，對本發(fā)明的前述和其它的主題、特征、方式和優(yōu)點進行更加詳細的說明。附圖的簡單說明圖1是一般的卷繞型的固體電解電容器的剖視圖。圖2是為了說明圖1的固體電解電容器中的電容器元件的圖。圖3是表示第一實施方式涉及的電容器元件的制造工序的流程圖。圖4是表示第二實施方式涉及的電容器元件的制造工序的流程圖。具體實施例方式以下，對本發(fā)明的實施方案進行說明。另外，在下述附圖中，相同或相應(yīng)的部分使用相同的參照符號，不對其重復(fù)說明。另外，為了使附圖明確和簡化，附圖中的長度、大小、寬等尺寸關(guān)系可以適當改變，并不表示實際尺寸。<第1實施方式>通過第1實施方式的固體電解電容器的制造方法制造的固體電容器500的結(jié)構(gòu)，除了導電性高分子層的結(jié)構(gòu)以外，其余結(jié)構(gòu)和圖1和圖2表示的普通的固體電解電容器100相同。因此，下文中使用圖1和圖2對固體電解電容器500的結(jié)構(gòu)進行說明。第1實施方式中，制造的固體電解電容器500包括電容器元件50、有底的外殼11、密封構(gòu)件12、支撐板13以及引線14A、14B。電容器元件50連接引線接頭16A、16B，其中的弓丨線接頭16A、16B分別和引線14A、14B電連接。電容器元件50被收納在有底的外殼11中，收納的電容器元件50通過密封構(gòu)件12被密封。有底的外殼11的開口端附近進行了橫擰、卷曲加工，在加工的卷曲部分配置有支撐板13。電容器元件50包括與引線接頭16A連接的陽極體21、與引線接頭16B連接的陰極體22以及隔片23。另外，陽極體21和陰極體22中至少在陽極體21表面形成有電介體被膜。在固體電解電容器500中，陽極體21、陰極體22和隔片23各自間的空隙內(nèi)形成有導電性高分子層。該導電性高分子層中存在硅烷化合物，陽極體21的電介體被膜附近的導電性高分子層中的硅烷化合物的濃度(g/cm3)比其它部分的硅烷化合物的濃度(g/cm3)低。使用圖3對上述固體電解電容器500的制造方法進行說明。首先，在步驟S31中，在表面形成有電介體被膜的陽極體21與陰極體22間插入隔片23，將其卷繞而形成的終端利用止卷帶24固定，從而形成電容器元件50。另外，陽極體21和陰極體22中分別連接引線接頭16A、16B。然后，在步驟S32中，調(diào)配含有前體單體和氧化劑的聚合液，使該聚合液含浸到電容器元件50中。所述的前體單體是通過聚合形成導電性高分子的化合物。然后，在步驟S33中，在含浸到電容器元件50的聚合液的化學聚合完成前，在電容器元件50中含浸硅烷化合物或含有硅烷化合物的含硅烷化合物溶液。之后，在步驟S34中，含浸到電容器元件50的聚合物中的化學聚合完成，從而形成導電性高分子層。通過上述工序，制造具有存在硅烷化合物的導電性高分子層的電容器元件50。然后，該電容器元件50被收納在有底的外殼11中后，經(jīng)過利用密封構(gòu)件12的電容器50的密封、有底的外殼11的開口端附近的橫擰、卷曲加工、對該卷曲加工部分的支撐板13的配置，從而制造圖1所示的固體電解電容器500。硅烷化合物具有提高導電性高分子的分子量分布和結(jié)晶性，通過交聯(lián)效果強化導電性高分子鏈的鍵的作用。因此，導電性高分子層中存在硅烷化合物的固體電解電容器相對于導電性高分子層中不存在硅烷化合物的固體電解電容器而言，漏電流、短路產(chǎn)生率不會增加，耐壓性提高。但是，由于硅烷化合物不具備導電性，所以使添加了硅烷化合物的聚合液含浸卷繞體，使前體單體化學聚合時，電容器的ESR可能變高。相對于此，第1實施方式中，使聚合液含浸電容器元件50，然后使硅烷化合物或含硅烷化合物的溶液含浸后，使前體單體完成化學聚合。由此，可以將電介體被膜附近的導電性高分子層中的硅烷化合物的濃度控制得很低，所以可以降低固體電解電容器500的ESR。由此，可以抑制固體電解電容器的漏電流和短路產(chǎn)生率的增加，而且提高固體電解電容器的耐壓性，同時降低ESR。作為含硅烷化合物溶液中使用的溶劑，可以使用醇類、烴類、酯類和酮類的揮發(fā)性有機溶劑。含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的濃度優(yōu)選為10100重量％。另外，也可以不用溶劑稀釋，單獨使用硅烷化合物。另外，硅烷化合物的濃度為100重量％時的含硅烷化合物的溶液和硅烷化合物相同。另外，在含有閥金屬(valvemetal)的燒結(jié)體或箔片的陽極體表面，依次形成電介體被膜、導電性高分子層和陰極體引出層的片型固體電解電容器的情況下，如果在導電性高分子層形成后形成硅烷化合物層，則在導電性高分子層和陰極體引出層的界面形成硅烷化合物層，ESR可能增大。在為卷繞型的固體電解電容器的情況下，可以將在陽極體和陰極體的空隙間形成的導電性高分子層中的硅烷化合物濃度控制得很低，所以可以減輕固體電解電容器的ESR的增大。本實施方式是卷繞型固體電解電容器，但是也可以是片型固體電解電容器，層疊多層電容器元件的層疊型固體電解電容器。<第2實施方式>第2實施方式涉及的通過固體電解電容器的制造方法制造的固體電解電容器600的構(gòu)成和上述固體電解電容器500的不同只是在于導電性高分子層的結(jié)構(gòu)和有無硅烷化合物層。因此，固體電解電容器600的結(jié)構(gòu)只說明和固體電解電容器500不同的部分。在固體電解電容器600中，電容器元件600的陽極體21、陰極體22和隔片23的各自間的間隙中形成作為固體電解質(zhì)的導電性高分子層。此外，在電容器元件60的外周側(cè)形成的導電性高分子層的表面有形成硅烷化合物層。其中，所述的硅烷化合物層是指滲入有高濃度硅烷化合物的導電性高分子層的表層部和形成于導電性高分子層表面的硅烷化合物的層。使用圖4對上述固體電解電容器600的制造方法進行說明。首先，在步驟S41中，形成電容器元件60。步驟S41中的電容器元件60的形成方法與圖3的步驟S31相同，因此不再說明。然后，在步驟S42中，調(diào)配含有成為導電性高分子的前體單體和氧化劑的聚合液，將該聚合液含浸到電容器60中。然后，在步驟S43中，使含浸電容器元件60的聚合液完成化學聚合，從而形成導電性高分子層。然后，在步驟S44中，在形成了導電性高分子層的電容器元件60中，含浸硅烷化合物或含有硅烷化合物的含硅烷化合物溶液。之后，在步驟S45中，使含浸了硅烷化合物或含硅烷化合物溶液的電容器元件60在規(guī)定溫度下干燥。由此，在形成于電容器元件60的外周側(cè)的導電性高分子層上形成硅烷化合物層。通過上述工序，制造具有存在硅烷化合物層的導電性高分子層的固體電解電容器元件60。然后，在該電容器元件60被收納到有底的外殼11中后，經(jīng)過密封構(gòu)件12對電容器元件60的密封、有底的外殼11的開口端附近的橫擰-卷曲加工、對該卷曲加工部分配置支撐板13，制造圖1所示的固體電解電容器600。如上所述，由于硅烷化合物沒有導電性，所以使添加了硅烷化合物的聚合液含浸卷繞體，使前體單體化學聚合時，電容器的ESR可能變高。相對于此，在第2實施方式中，在形成了導電性高分子層的電容器元件60中含浸含硅烷化合物溶液。由此，電容器元件60的外周側(cè)的導電性高分子層上形成硅烷化合物層，可以將在陽極體21和陰極體22的空隙間形成的導電性高分子層中的硅烷化合物濃度控制得很低，所以可以降低固體電解電容器600的ESR增大。由此，可以一邊抑制固體電解電容器的漏電流以及短路產(chǎn)生率增加，一邊提高耐壓性，同時可以降低ESR。另外，在含有閥金屬的燒結(jié)體或箔片的陽極體的表面依次形成電介體被膜、導電性高分子層和陰極體引出層的片型固體電解電容器的情況下，如果在導電性高分子層形成后形成硅烷化合物層，則在導電性高分子層和陰極體引出層的界面形成硅烷化合物層，ESR可能增大。在為卷繞型固體電解電容器時，可以將在陽極體和陰極體的空隙間形成的導電性高分子層中的硅烷化合物的濃度抑控制得很低，所以可以減少固體電解電容器的ESR增大。作為含硅烷化合物溶液中使用的溶劑，可以使用醇類、烴類、酯類和酮類的揮發(fā)性有機溶劑。含硅烷化合物溶液中的硅烷化合物的濃度優(yōu)選為5100重量％。另外，也可以不用溶劑稀釋，而單獨使用硅烷化合物。另外，硅烷化合物的濃度為100重量％時的含硅烷化合物溶液和硅烷化合物相當。另外，含浸了含硅烷化合物溶液的電容器元件60為了除去不需要的溶液，優(yōu)選在規(guī)定溫度下干燥。從溶劑除去效果的觀點出發(fā)，干燥溫度優(yōu)選為50°C以上，從電容器元件60的熱負荷以及抑制硅烷化合物因受熱而變性的觀點出發(fā)，優(yōu)選為150°C以下。另外，為了使硅烷化合物穩(wěn)定，干燥時間優(yōu)選為30120分鐘。以上，對第1實施方式和第2實施方式進行說明。作為第1和第2實施方式中使用的硅烷化合物，可以列舉出乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、β-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、對-苯乙烯基三甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、Y-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、Ν-2-(氨基乙基)γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、Ν-2-(氨基乙基)Y-氨基丙基三甲氧基硅烷、Ν-2-(氨基乙基)Y-氨基丙基三乙氧基硅烷、Y-氨基丙基三甲氧基硅烷、Y-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、Y-氯代丙基三甲氧基硅烷、Y-巰基丙基甲基二甲氧基硅烷、Y-巰基丙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷等。更優(yōu)選為β-(3，4_環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷。另外，也可以組合這些硅烷化合物中的2種以上使用。在第1和第2實施方式中，作為使硅烷化合物或含硅烷化合物溶液含浸電容器元件的方法，包括將電容器元件浸漬到硅烷化合物或含硅烷化合物溶液中的方法；在電容器元件上涂布硅烷化合物或含硅烷化合物溶液的方法；用濺射器等將硅烷化合物含硅烷化合物溶液噴霧到電容器元件的方法等。作為可以用于形成第1和第2實施方式的導電性高分子層的導電性高分子，有脂肪族、芳香族、雜環(huán)和含雜原子的導電性高分子。另外，也可以將這些導電性高分子中的2種以上組合使用。其中，優(yōu)選聚噻吩類、聚苯胺類、聚吡咯類導電性高分子。作為可以在第1和第2實施方式中使用的氧化劑，可以使用以對_甲苯磺酸鐵鹽為代表的現(xiàn)有公知的氧化劑。另外，氧化劑可以以溶解到甲醇、乙醇和丁醇等醇類中的狀態(tài)使用，在這種情況下，優(yōu)選使用3570重量％的濃度。<第1實施方式的實施例>[實施例1]首先，在由鋁箔構(gòu)成的陽極體21和陰極體22的表面進行蝕刻處理。之后，將進行了蝕刻處理的陽極體21浸漬到化成液中，施加150V的電壓，從而形成電介體被膜。在陽極體21和陰極體22中分別連接引線接頭16Α和引線接頭16Β。然后，將陽極體21和陰極體22與隔片23—起卷繞，最外層利用止卷帶24固定，制造電容器元件50。接著，對固體電解電容器50的切口進行化成處理。切口化成通過將電容器元件50浸漬到化成液中施加電壓來進行。接著，制備聚合液。聚合液是將作為前體單體的3，4-乙烯二氧噻吩、作為氧化劑的對-甲苯磺酸鐵丁醇溶液混合而制備。其中，對-甲苯磺酸鐵丁醇溶液中的對-甲苯磺酸的濃度為40重量％。另外，3，4-乙烯二氧噻吩和對-甲苯磺酸鐵丁醇溶液的重量比例分別為25重量％和75重量％。然后，將電容器元件50浸漬到聚合液中之后，浸漬到含硅烷化合物溶液中。含硅烷化合物溶液使用Y-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷作為硅烷化合物、使用丁醇作為溶齊U，含硅烷化合物溶液中的硅烷化合物的濃度為10重量％。之后，使浸漬到電容器元件50中的3，4_乙烯二氧噻吩熱聚合，從而在電容器元件50內(nèi)部形成導電性高分子。之后，將電容器元件50收納到有底的外殼11中，在該有底的外殼11的開口端部插入密封構(gòu)件12，進行橫擰、卷曲加工。然后，在該卷曲面插入支撐板13，將分別連接到引線接頭16A、16B的引線14A、14B進行擠壓加工、折彎加工，完成固體電解電容器500。[實施例2]除了使含硅烷化合物溶液中的硅烷化合物的濃度為20重量％以外，和實施例1同樣地，制造固體電解電容器。[實施例3]除了使含硅烷化合物溶液中的硅烷化合物的濃度為50重量％以外，和實施例1同樣地，制造固體電解電容器。[實施例4]除了使含硅烷化合物溶液中的硅烷化合物的濃度為100重量％，也就是硅烷化合物不稀釋就使用以外，和實施例1同樣地，制造固體電解電容器。[實施例5]除了硅烷化合物使用Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷以外，和實施例1同樣地制造固體電解電容器。[實施例6]除了硅烷化合物使用Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷以外，和實施例2同樣地制造固體電解電容器。[實施例7]除了硅烷化合物使用Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷以外，和實施例3同樣地制造固體電解電容器。[實施例8]除了硅烷化合物使用Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷以外，和實施例4同樣地制造固體電解電容器。[比較例1]除了使含硅烷化合物溶液中的硅烷化合物的濃度為1重量％以外，和實施例1同樣地制造固體電解電容器。[比較例2]除了使含硅烷化合物溶液中的硅烷化合物的濃度為5重量％以外，和實施例1同樣地，制造固體電解電容器。[比較例3]除了硅烷化合物使用Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷以外，和比較例1同樣地制造電解電容器。[比較例4]除了硅烷化合物使用Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷以外，和比較例2同樣地制造固體電解電容器。[比較例5]除了將電容器元件50浸漬到聚合液中之后，不浸漬到含硅烷化合物溶液中而進行化學聚合以外，和實施例1同樣地制造固體電解電容器。表1是分別對于實施例和比較例的固體電解電容器的20個的平均值的電性質(zhì)測定結(jié)果。另外，固體電解電容器是額定電壓35V、容量22μF，尺寸是直徑10mm、高度12mm。短路產(chǎn)生率表示將固體電解電容器在125°C進行5小時蝕刻處理后的固體電解電容器的短路產(chǎn)生率。另外，靜電容量和介質(zhì)損耗因子在120Hz的頻率下測定，ESR在IOOkHz的頻率下測定。另外，漏電流是開始對固體電解電容器施加額定電壓2分鐘后的值。BDV值(耐壓性質(zhì))表示在常溫環(huán)境下，對固體電解電容器施加電壓，以lV/s的速度升高施加電壓，固體電解電容器絕緣破壞時的電壓。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>從表1的結(jié)果可知，實施例1~8的固體電解容器與比較例5相比，短路產(chǎn)生率和漏電流更低，BDV電流更高。由于BDV值高，所以與比較例5的固體電解電容器的耐壓性相比，實施例18的固體電解電容器的耐壓性更高。因此，通過將電容器元件浸漬在聚合液中，浸漬在含硅烷化合物的溶液中之后，使之完成化學聚合，可以抑制固體電解電容器的漏電流和短路產(chǎn)生率的增加，同時提高耐壓性。另外，將實施例18和比較例14進行比較，含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的濃度越高，短路產(chǎn)生率和漏電流越低，BDV值越高。這種趨勢在硅烷化合物的濃度為10重量％以上時，特別明顯。因此，通過增加硅烷化合物的濃度，可以抑制短路產(chǎn)生率和漏電流的增加，進一步擴大提高耐壓性的效果。<第2實施方式的實施例>[實施例9]首先，在由鋁箔形成的陽極體21和陰極體22的表面進行蝕刻處理。之后，將進行蝕刻處理的陽極體21浸漬到化成液中，通過施加150V的電壓，形成電介體被膜。在陽極體21和陰極體22中分別連接引線接頭16A和引線接頭16B。然后，將陽極體21和陰極體22與隔片23—起卷繞，最外層通過止卷帶24固定，制造電容器元件60。接著，對固體電解電容器60的切口進行化成處理。切口化成通過將電容器元件60浸漬到化成液中施加電壓來進行。接著，調(diào)節(jié)聚合液。聚合液是將作為前體單體的3，4-乙烯二氧噻吩、作為氧化劑的對-甲苯磺酸鐵丁醇溶液混合而制備。其中，對-甲苯磺酸鐵丁醇溶液中的對-甲苯磺酸的濃度為40重量％。另外，3，4-乙烯二氧噻吩和對-甲苯磺酸鐵丁醇溶液的重量比例分別為25重量％和75重量％。然后，將切口化成的電容器元件60浸漬到聚合液中之后，通過將3，4-乙烯二氧噻吩熱化學聚合，形成導電性高分子層。之后，將電容器元件60放在含硅烷化合物的溶液中浸漬1分鐘后，使該電容器元件60在100°C下干燥，形成硅烷化合物層。含硅烷化合物的溶液使用Y-巰基丙基三甲氧基硅烷作為硅烷化合物，使用乙醇作為溶劑，含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的濃度為1.0重量％。之后，將具備有硅烷化合物層的導電性高分子層的電容器元件60收納到有底的外殼11中，在該有底的外殼11的開口端部插入密封構(gòu)件12，進行橫擰、卷曲加工。然后，在該卷曲面插入支撐板13，將分別連接到引線接頭16A、16B的引線14A、14B進行擠壓加工、折彎加工，完成固體電解電容器600。[實施例10]除了使含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的濃度為5.0重量％以外，和實施例9同樣地制造固體電解電容器。[實施例11]除了使含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的濃度為10重量％以外，和實施例9同樣地制造固體電解電容器。[實施例12]除了使含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的濃度為50重量％以外，和實施例9同樣地制造固體電解電容器。[實施例13]除了使含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的濃度為100重量％，也就是硅烷化合物不稀釋就使用以外，和實施例9同樣地制造固體電解電容器。[實施例14]除了使電容器元件60浸漬到含硅烷化合物的溶液中后的干燥溫度成為150°C以夕卜，和實施例10同樣地制造固體電解電容器。[實施例15]除了使電容器元件60浸漬到含硅烷化合物的溶液中后的干燥溫度為150°C以外，和實施例11同樣地，制造固體電解電容器。[實施例16]除了使電容器元件60浸漬到含硅烷化合物的溶液中后的干燥溫度為150°C以外，和實施例12同樣地制造固體電解電容器。[實施例17]除了使電容器元件60浸漬到含硅烷化合物的溶液中后的干燥溫度為200°C以外，和實施例10同樣地制造固體電解電容器。[實施例18]除了使電容器元件60浸漬到含硅烷化合物的溶液中后的干燥溫度為200°C以外，和實施例11同樣地制造固體電解電容器。[實施例19]除了使電容器元件60浸漬到含硅烷化合物的溶液中后的干燥溫度為200°C以外，和實施例12同樣地制造固體電解電容器。[比較例6]除了在電容器元件60上形成導電性高分子層后，不進行浸漬含硅烷化合物的溶液和干燥以外，和實施例9同樣地制造固體電解電容器。表2是分別對于實施例和比較例的固體電解電容器的是各20個的平均值的電性質(zhì)測定結(jié)果。另外，固體電解電容器是額定電壓35V、容量22μF，尺寸是直徑10mm、高度12mm。短路產(chǎn)生率表示將固體電解電容器在125°C進行5小時蝕刻處理后，固體電解電容器的短路產(chǎn)生率。另外，靜電容量和介質(zhì)損耗因子在120Hz的頻率下測定，ESR在IOOkHz的頻率下測定。另外，漏電流是開始對固體電解電容器施加額定電壓2分鐘后的值。BDV值(耐壓性質(zhì))表示在常溫環(huán)境下，對固體電解電容器施加電壓，以lV/s的速度升高施加電壓，固體電解電容器絕緣破壞時的電壓。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>從表2的結(jié)果可以知道，實施例9一19的固體電解電容器與比較例6相比，短路產(chǎn)生率和漏電流減少，BDV值增高。由于BDV值高，所以與比較例6的固體電解電容器的耐壓性相比，實施例919的固體電解電容器的耐壓性更高。因此，通過將形成了導電性高分子層的電容器元件浸漬到含硅烷化合物的溶液中，形成硅烷化合物層，可以抑制固體電解電容器的漏電流和短路產(chǎn)生率的增加，同時提高耐壓性。另外，將實施例9和實施例1013進行比較，含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的濃度越高，短路產(chǎn)生率和漏電流越少，BDV值越高。這種趨勢在硅烷化合物的濃度為5重量％以上時，特別明顯。因此，通過增加含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的濃度，可以抑制短路產(chǎn)生率和漏電流的增加，進一步擴大提高耐壓性的效果。另外，將實施例916和實施例1719進行比較，干燥溫度越低，短路產(chǎn)生率、ESR、漏電流越低，BDV值越高。這種趨勢在干燥溫度為150°C以下時，更明顯。因此，通過降低干燥溫度，可以抑制短路產(chǎn)生率和漏電流的增加，進一步擴大提高耐壓性的效果。上述實施方式和實施例只是對本發(fā)明進行說明的，并不是限定權(quán)利要求的范圍記載的發(fā)明。本發(fā)明可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)以及等同的范圍內(nèi)進行任意變更。例如，陽極體除了鋁以外，還可以使用鉭、鈮、鈦等閥金屬。權(quán)利要求一種固體電解電容器的制造方法，其包括形成具有陽極體的電容器元件的工序，該陽極體在表面具有電介體被膜；使含有導電性高分子的前體單體和氧化劑的聚合液含浸電容器元件的工序；使硅烷化合物或含有硅烷化合物的溶液含浸已含浸過所述聚合液的電容器元件的工序；以及，在含浸硅烷化合物或含硅烷化合物的溶液后，使前體單體聚合，從而形成導電性高分子層的工序。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器的制造方法，其中，所述含硅烷化合物的溶液包含硅烷化合物和有機溶劑，含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的濃度為10重量％以上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體電解電容器的制造方法，其中，所述有機溶劑含有醇類、烴類、酯類和酮類有機溶劑中的至少1種。4.一種固體電解電容器的制造方法，其包括將表面具有電介體被膜的陽極體和陰極體卷繞，形成電容器元件的工序；使含有導電性高分子的前體單體和氧化劑的聚合液含浸電容器元件后，使前體單體聚合，從而形成導電性高分子層的工序；以及使硅烷化合物或含硅烷化合物的溶液含浸形成有導電性高分子層的電容器元件后，使之干燥，從而在導電性高分子層表面形成硅烷化合物層的工序。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固體電解電容器的制造方法，其中，形成所述硅烷化合物層的工序中的干燥溫度為50°C以上150°C以下。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固體電解電容器的制造方法，其中，所述含硅烷化合物的溶液包含硅烷化合物和有機溶劑，含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的濃度為5重量％以上。全文摘要一種固體電解電容器的制造方法，其包括形成具有陽極體的電容器元件的工序，該陽極體在表面具有電介體被膜；使含有導電性高分子的前體單體和氧化劑的聚合液含浸電容器元件中的工序；使硅烷化合物或含有硅烷化合物的溶液含浸已含浸過聚合液的電容器元件的工序；以及在含浸硅烷化合物或含硅烷化合物的溶液后，使前體單體聚合，從而形成導電性高分子層的工序。文檔編號H01G9/15GK101826398SQ20091100030公開日2010年9月8日申請日期2009年12月1日優(yōu)先權(quán)日2008年12月1日發(fā)明者古川剛士,犬塚雄一郎申請人:三洋電機株式會社;佐賀三洋工業(yè)株式會社