專利名稱::包括槽和槽內(nèi)的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的電子器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
:本公開內(nèi)容涉及電子器件和形成電子器件的方法,且更具體地說,涉及包括槽和槽內(nèi)的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的電子器件以及形成該電子器件的方法。
背景技術(shù):
:金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(M0SFET)是一種常見類型的功率轉(zhuǎn)換器件。MOSFET包括源極區(qū)、漏極區(qū)、在源極區(qū)和漏極區(qū)之間延伸的溝道區(qū)以及鄰近溝道區(qū)設(shè)置的柵極結(jié)構(gòu)(gatestructure)。柵極結(jié)構(gòu)包括鄰近溝道區(qū)設(shè)置并通過薄電介質(zhì)層與溝道區(qū)間隔開的柵極電極層。當(dāng)MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)時,電壓施加到柵極結(jié)構(gòu)以在源極區(qū)和漏極區(qū)之間形成導(dǎo)電溝道區(qū),這允許電流流過此器件。在閉合狀態(tài),施加到柵極結(jié)構(gòu)的任何電壓都足夠低以至于導(dǎo)電溝道無法形成,并且因此電流無法發(fā)生。在閉合狀態(tài)期間,此器件必須支持在源極區(qū)和漏極區(qū)之間的高電壓。在優(yōu)化MOSFET的性能時,設(shè)計者經(jīng)常面臨對器件參數(shù)性能的權(quán)衡。明確地說,可利用的器件結(jié)構(gòu)或制作方法的選擇可提高一個器件參數(shù),但同時,這樣的選擇可能會降低一個或多個其他器件參數(shù)。例如,提高M(jìn)OSFET的電阻(RDS。N)的可利用的結(jié)構(gòu)和方法可降低擊穿電壓(BVDSS),并增加MOSFET內(nèi)的區(qū)之間的寄生電容。通過舉例闡釋了各實施方式,且各實施方式并不受限于附圖。圖l包括工件的一部分的截面圖的圖示,工件包括下面摻雜區(qū)(underlyingdopedregion)、半導(dǎo)體層、墊層(padlayer)禾口停止層(stoppinglayer)。圖2包括圖1的工件的-截面圖的圖示。圖3包括圖2的工件的圖4包括圖3的工件的側(cè)壁摻雜區(qū)之后的截面圖的圖示圖5包括圖4的工件的圖6包括圖5的工件的-圖示。圖7包括圖6的工件的-截面圖的圖示。圖8包括圖7的工件的圖的圖示。圖9包括圖8的工件的在半導(dǎo)體層內(nèi)的阱區(qū)之后的截面圖的圖示。一部分在形成延伸穿過半導(dǎo)體層至下面摻雜區(qū)的槽之后的一部分在形成基本填充槽的傳導(dǎo)層之后的截面圖的圖示。一部分在去除位于槽外部的一部分傳導(dǎo)層之后,且在形成一部分在去除停止層之后的截面圖的圖示。一部分在形成位于半導(dǎo)體層上方的多個層之后的截面圖的一部分在形成表面摻雜區(qū)和延伸穿過多個層的開口之后的一部分在形成絕緣側(cè)壁隔離物(sidespacer)之后的截面一部分在形成位于工件的暴露表面之上的傳導(dǎo)層,并形成圖10包括圖9的工件的一部分在形成傳導(dǎo)層的位于工件的暴露表面之上的剩余部分之后的截面圖的圖示。圖11包括圖10的工件的一部分在形成柵極電極之后的截面圖的圖示。圖12包括圖11的工件的一部分在去除最上面絕緣層,截去絕緣側(cè)壁隔離物,且用傳導(dǎo)填充材料填充柵極電極和傳導(dǎo)層之間的間隙之后的截面圖的圖示。圖13包括圖12的工件的一部分在形成穿過夾層電介質(zhì)層(interleveldielectriclayer)和源極區(qū)的開口之后,且在形成阱接觸區(qū)之后的截面圖的圖示。圖14包括圖13的工件的一部分在形成根據(jù)本發(fā)明實施方式的基本完整的電子器件之后的截面圖的圖示。圖15-17包括圖1的工件的一部分的截面圖的圖示,其中傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)形成在槽內(nèi),其中傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括覆蓋在半導(dǎo)體襯底主表面上的升高部分。圖18包括工件的一部分的截面圖的圖示,其中電子器件包括具有位于水平定向摻雜區(qū)下方的補(bǔ)償區(qū)的功率晶體管。技術(shù)人員應(yīng)理解,附圖中的各元件被簡明且清晰地表示,且未必按比例繪制。例如,圖中的一些元件的尺寸可能相對于其他元件被夸大,以有助于改善對本發(fā)明實施方式的理解。具體實施例方式提供了下面結(jié)合附圖的描述以有助于理解此處公開的教導(dǎo)內(nèi)容。下面的討論將著重于教導(dǎo)內(nèi)容的具體實施和各實施方式。提供了此著重點以有助于描述教導(dǎo)內(nèi)容,且該著重點并不應(yīng)該被解釋成限制了教導(dǎo)內(nèi)容的范圍或適用性。然而,其他教導(dǎo)內(nèi)容當(dāng)然可以被利用在本應(yīng)用中。正如此處使用的,關(guān)于區(qū)或結(jié)構(gòu)的術(shù)語"水平定向"和"垂直定向",指的是其中電流穿過這樣的區(qū)或結(jié)構(gòu)的主方向。更明確地說,電流可按垂直方向、水平方向,或垂直方向和水平方向的組合流過區(qū)或結(jié)構(gòu)。如果電流按垂直方向或其中垂直分量大于水平分量的方向的組合流過區(qū)或結(jié)構(gòu),那么這樣的區(qū)或結(jié)構(gòu)將被稱為垂直定向。類似地,如果電流按水平方向或其中水平分量大于垂直分量的方向的組合流過區(qū)或結(jié)構(gòu),那么這樣的區(qū)或結(jié)構(gòu)將被稱為水平定向。術(shù)語"正常工作"和"正常工作狀態(tài)"指電子元件或器件設(shè)計為工作下的條件。條件可從數(shù)據(jù)單表或其他關(guān)于電壓、電流、電容、電阻或其他電條件得到。因此,正常工作不包括在超出其設(shè)計限度之外來操作電子元件或器件。術(shù)語"包括(comprises)',、"包括(comprising)',、"包括(includes),,,"包括(including)"、"具有(has)"、"具有(having)",或其任何其他變化形式都預(yù)期覆蓋非唯一的包括。例如,包括一列特征的方法、物品或裝置不一定只限制到這些特征,而是可以包括未明確列出的其他特征或這種方法、物品或裝置所固有的其他特征。進(jìn)一步,除非明確做出相反的表示,否則"或"指的是包括型的或(inclusive-or),而不是排除型的或(exclusive-or)。例如,條件A或條件B滿足下述條件中的任何一個A是真實的(或存在的)而B是虛假的(或不存在的),A是虛假的(或不存在的)而B是真實的(或存在的),以及A和B都是真實的(或存在的)。5而且,使用"一個(a)"或"一個(an)"被用于描述此處描述的各元件和各部件。這樣做僅僅是為了簡便且給出了本發(fā)明的一般意義上的范圍。此描述應(yīng)該被解讀為包括一個或至少一個,且單數(shù)還包括復(fù)數(shù),或者反之亦然,除非以其他方式清楚表明。例如,當(dāng)在此處描述單個項時,多于一個的項可以被用于替代單個項。類似地,當(dāng)此處描述多于一個的項時,單個項可以替換該多于一個的項。相應(yīng)于元素周期表內(nèi)的列的族號使用"新標(biāo)記法"協(xié)議,如CRCHandbookofChemistryandPhysics,81stEdition(2000-2001))中見到的。除非另外做出界定,否則此處使用的所有的技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員的通常理解是相同的意思。材料、方法和實施例僅僅是示例性的且不期望是限制性的。就此處未描述的程度,有關(guān)特定材料和方法過程的許多細(xì)節(jié)是常規(guī)的,且可以見于半導(dǎo)體領(lǐng)域和電子領(lǐng)域的教科書和其他來源。圖1包括工件100的一部分的截面圖的圖示。工件100包括下面摻雜區(qū)102,該摻雜區(qū)102是輕摻雜的或重?fù)诫s的,n-型或p-型。基于此說明書的目的,重?fù)诫s的預(yù)期意指至少1019原子/cm3的峰值摻雜劑濃度,而輕摻雜的預(yù)期意指小于1019原子/cm3的峰值摻雜劑濃度。下面摻雜區(qū)102可以是重?fù)诫s襯底的一部分(例如重n-型摻雜片),或可以是覆蓋在相反傳導(dǎo)類型的襯底上或覆蓋位于襯底和包埋摻雜區(qū)(burieddopedregion)之間的包埋絕緣層(無圖示)上的包埋摻雜區(qū)。在具體的實施方式中,下面摻雜區(qū)102可以包括覆蓋在重?fù)诫s的部分上的輕摻雜的部分,例如當(dāng)覆蓋的半導(dǎo)體層104具有相反的傳導(dǎo)類型時,以有助于提高接面擊穿電壓(junctionbreakdownvoltage)。在實施方式中,下面摻雜區(qū)102是用n-型摻雜劑重?fù)诫s的,n_型摻雜劑諸如磷、砷、銻或其任意組合。在具體的實施方式中,如果下面摻雜區(qū)102的擴(kuò)散要保持為低,則下面摻雜區(qū)102包括砷或銻,且在具體的實施方式中,下面摻雜區(qū)102包括銻,以降低半導(dǎo)體層104的形成過程中的除氣程度(與砷相比)。在圖1圖示的實施方式中,半導(dǎo)體層104覆蓋在下面摻雜區(qū)102上。半導(dǎo)體層104具有主表面105。半導(dǎo)體層104可以包括第14族元素(即碳、硅、鍺或其任意組合)和關(guān)于下面摻雜區(qū)102描述的任意摻雜劑或相反傳導(dǎo)類型的摻雜劑。在實施方式中,半導(dǎo)體層104是輕摻雜的n-型或p-型外延硅層,其具有約0.5微米到約5.0微米的厚度范圍,且摻雜濃度不大于約1016原子/cm3,且在另一實施方式中,摻雜濃度最少約1014原子/cm3。墊層106和停止層108(例如拋光停止層或刻蝕停止層)使用熱生長技術(shù)、沉積技術(shù)或其組合形成在半導(dǎo)體層104上。墊層106和停止層108中的每個可包括氧化物、氮化物、氧氮化合物或其任意組合。在實施方式中,墊層106與停止層108相比有不同的組成。在具體實施方式中,墊層106包括氧化物,而停止層108包括氮化物。參考圖2,去除了半導(dǎo)體層104、墊層106和停止層108的部分以形成槽,如槽202,槽從主表面105朝下面摻雜區(qū)102延伸。槽202可以是圖2所示的具有不同部分的單槽,或槽202可包括多個不同的槽。槽202的寬度不是很寬,以至于隨后形成的傳導(dǎo)層不能夠填充槽202。在具體的實施方式中,每個槽202的寬度至少約0.3微米或約0.5微米,且在另一具體實施方式中,每個槽202的寬度不大于約4微米或約2微米。在閱讀了此說明書后,技術(shù)人員將理解,可以采用所述的特定尺寸之外的較窄或較寬的寬度。槽202可以延伸至下面摻雜區(qū)102;然而,如果需要或期望的話,槽202可以淺一些。采用各向異性蝕刻形成槽。在實施方式中,可以進(jìn)行定時蝕刻,而在另一實施方式中,可以采用終點檢測(如,檢測下面摻雜區(qū)102中的摻雜劑種類,諸如砷或銻)和定時過蝕刻的組合。如果需要或者期望的話,可以沿槽202的側(cè)壁204將摻雜劑引入半導(dǎo)體層104的一部分中,以形成重?fù)诫s的側(cè)壁摻雜區(qū)(未在圖2中圖示)??墒褂脙A斜角度注入技術(shù)、摻雜劑氣體或固體摻雜源。如圖3所示,傳導(dǎo)層302形成在停止層108上和槽202內(nèi)。傳導(dǎo)層302基本上充滿了槽202。傳導(dǎo)層302可包括包含金屬或包含半導(dǎo)體的材料。在實施方式中,傳導(dǎo)層302可包括重?fù)诫s半導(dǎo)體材料,例如非晶硅或多晶硅。在另一實施方式中,傳導(dǎo)層302包括多個膜,例如黏合膜、屏障膜和傳導(dǎo)填充材料。在具體的實施方式中,黏合膜可以包括耐高溫金屬,諸如鈦、鉭或類似物;屏障膜可以包括耐高溫金屬氮化物,諸如氮化鈦、氮化鉭或類似物,或耐高溫金屬半導(dǎo)體氮化物,諸如TaSiN;而傳導(dǎo)填充材料可以包括鎢。在更具體的實施方式中,傳導(dǎo)層302可以包括Ti/TiN/W。根據(jù)電性能、隨后的熱循環(huán)的溫度、其他標(biāo)準(zhǔn)或其任意組合來選擇膜的數(shù)目和那些膜的組成。耐高溫金屬和包含耐高溫金屬的化合物可以經(jīng)受住高溫(如,這些材料的熔點可以是至少1400°C),可以被保形沉積,且具有比重?fù)诫s的n-型硅低的體電阻率。在閱讀了此說明書后,技術(shù)人員將能夠確定傳導(dǎo)層302的組成以滿足他們用于特定應(yīng)用的需求或期望。去除了傳導(dǎo)層302的覆蓋停止層108的那一部分,以在槽內(nèi)形成傳導(dǎo)結(jié)構(gòu),例如槽202內(nèi)的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)402,如圖4的實施方式所示??梢圆捎没瘜W(xué)機(jī)械拋光或者覆蓋蝕刻技術(shù)(blanketetchingtechnique)來進(jìn)行去除。停止層108可以用作拋光停止層或者蝕刻停止層。在停止層108達(dá)到以有關(guān)傳導(dǎo)層302的厚度、拋光或蝕刻操作或其任意組合來引起非均勻地橫跨工件之后,可以繼續(xù)進(jìn)行拋光或蝕刻一段相對短的時間。形成傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)之前、過程中或之后,側(cè)壁摻雜區(qū),例如側(cè)壁摻雜區(qū)404可由半導(dǎo)體層104的部分形成,并從側(cè)壁204延伸??稍谇懊婷枋龅膿诫s操作中引入摻雜劑,并且當(dāng)形成傳導(dǎo)層302時摻雜劑變得被激活??蛇x地,當(dāng)傳導(dǎo)層302包括摻雜半導(dǎo)體材料時,摻雜劑可從傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)402擴(kuò)散或從傳導(dǎo)層302擴(kuò)散(在完全形成傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)402之前)。傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)402和側(cè)壁摻雜區(qū)404,如果存在的話,形成垂直定向傳導(dǎo)區(qū)。當(dāng)為制成的電子器件的形式時,通過傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)402的主載荷子(例如電子)或電流主要地在垂直方向上(基本垂直于主表面105),與水平方向(基本平行于主表面105)相反。在圖5中,去除了停止層108,且摻雜了半導(dǎo)體層104的緊鄰主表面105和側(cè)壁摻雜區(qū),例如側(cè)壁摻雜區(qū)404的部分,以形成水平定向摻雜區(qū),例如表面摻雜區(qū)504,其與下面摻雜區(qū)102間隔開。表面摻雜區(qū)504具有與側(cè)壁摻雜區(qū)404和下面摻雜區(qū)102相同的傳導(dǎo)類型。在正常工作狀態(tài),通過表面摻雜區(qū)504的主載荷子(例如電子)或電流將在水平方向上。因此,表面摻雜區(qū)504可為水平定向摻雜區(qū)。表面摻雜區(qū)504具有范圍約為0.l微米至約0.5微米的深度,并從范圍為約0.2微米至約2.0微米的垂直定向傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的側(cè)壁摻雜區(qū)404延伸。橫向尺寸(從垂直定向傳導(dǎo)結(jié)構(gòu))可取決于所形成的功率晶體管的源極和漏極之間的電壓差。當(dāng)晶體管的源極和漏極之間的電壓差增加時,橫向尺寸可能也增加。在實施方式中,電壓差不大于約30V,且在另一實施方式中,電壓差不大于約20V。水平定向摻雜區(qū)內(nèi)的峰值摻雜濃度可在約2X1017原子/cm3至約2X1018原子/cm3的范圍,且在具體7實施方式中,在約4X1017原子/cm3至約7X1017原子/cm3的范圍。墊層106在形成表面摻雜區(qū)504之后仍留在半導(dǎo)體層104之上,或者在形成表面摻雜區(qū)504之后去除。在圖6中,在半導(dǎo)體層104和傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)402上形成了一組層。在實施方式中,可連續(xù)地沉積絕緣層602、傳導(dǎo)層604、絕緣層606、絕緣層622、傳導(dǎo)層624和絕緣層626。絕緣層602、606、622和626中的每個可包括氧化物、氮化物、氧氮化合物或其任意組合。每個傳導(dǎo)層604和624包括傳導(dǎo)材料,或可例如通過摻雜制成傳導(dǎo)的。每個傳導(dǎo)層604和624可包括摻雜半導(dǎo)體材料(例如重?fù)诫s的非晶硅、多晶硅等等)、包含金屬的材料(耐高溫金屬、耐高溫金屬氮化物、耐高溫金屬硅化物等)或其任意組合。傳導(dǎo)層604的厚度在約0.05至0.5微米的范圍,而傳導(dǎo)層624的厚度在約0.1至0.9微米的范圍。在具體實施方式中,傳導(dǎo)層604為傳導(dǎo)電極層,用于形成傳導(dǎo)電極,而傳導(dǎo)層624為柵極信號層。這種層的重要性在本說明書中稍后描述。傳導(dǎo)層624可被蝕刻或以其它方式在此時形成圖案以形成柵極信號線,或可被蝕刻或以其它方式在處理流的稍后時間形成圖案。類似地,傳導(dǎo)層624可被蝕刻或以其它方式在此時形成圖案以形成傳導(dǎo)電極,或可在處理流的稍后時間形成圖案。在另一具體實施方式中,絕緣層602和606包括氮化物,每個的厚度可在約0.05微米到約0.2微米的范圍。絕緣層622和626包括氧化物,絕緣層622的厚度可在約0.2微米到約0.9微米的范圍,而絕緣層626的厚度可在約0.05微米到約0.2微米的范圍。可將減反射層結(jié)合到絕緣層或傳導(dǎo)層中的任一個內(nèi),或者可分開使用減反射層(未顯示)。在另一實施方式中,可使用更多或更少的層,且此處描述的厚度僅為示例性的,并且不意味著要限制本發(fā)明的范圍。如圖7所示,開口,例如開口702形成為通過層602、604、606、622、624和626。開口形成為使得表面摻雜區(qū)504的部分位于開口702之下。這部分允許表面摻雜區(qū)504的部分位于隨后形成的柵極電極的部分之下。絕緣隔離物,例如絕緣隔離物802沿開口,例如圖8的開口702的側(cè)面形成。絕緣隔離物使傳導(dǎo)層604與隨后形成的柵極電極電絕緣。絕緣隔離物802可包括氧化物、氮化物、氧氮化合物或其任意組合,并且絕緣隔離物802的底部具有在約50nm至約200nm范圍內(nèi)的寬度。圖9包括工件的在形成柵極電介質(zhì)層902、傳導(dǎo)層906和阱區(qū)904之后的圖示。通過蝕刻去除墊層106,并且在半導(dǎo)體層104上形成柵極電介質(zhì)層902。在具體實施方式中,柵極電介質(zhì)層902包括氧化物、氮化物、氧氮化合物或其任意組合,并具有約5nm到約100nm的厚度范圍,且傳導(dǎo)層906覆蓋在柵極電介質(zhì)層902上。傳導(dǎo)層906可為隨后形成的柵極電極的一部分。傳導(dǎo)層906當(dāng)被沉積時可為傳導(dǎo)的,或者可以沉積為高電阻層(例如,未摻雜的多晶硅)并隨后制成傳導(dǎo)的。傳導(dǎo)層906可包括包含金屬的材料或包含半導(dǎo)體的材料。傳導(dǎo)層906的厚度選擇成使得從頂視圖看,傳導(dǎo)層906的暴露在開口702內(nèi)的大致垂直邊緣靠近表面摻雜區(qū)504的邊緣。在實施方式中,傳導(dǎo)層906被沉積成約0.1微米至約0.15微米的厚度。形成傳導(dǎo)層906之后,可摻雜半導(dǎo)體層104以形成阱區(qū),例如圖9的阱區(qū)904。阱區(qū)904的傳導(dǎo)類型與表面摻雜區(qū)504和下面摻雜區(qū)102的傳導(dǎo)類型相反。在實施方式中,通過開口702、傳導(dǎo)層906和柵極電介質(zhì)層902,將硼摻雜劑引入到半導(dǎo)體層104內(nèi),以給阱區(qū)904提供p型摻雜劑。在一個實施方式中,阱區(qū)904的深度比隨后形成的源極區(qū)的深度8深,且在另一實施方式中,阱區(qū)904的深度為至少約0.5微米。在進(jìn)一步的實施方式中,阱區(qū)904的深度不大于約2.0微米,而在又一實施方式中,阱區(qū)904的深度不大于約1.5微米。通過舉例,可使用兩種或更多種離子注入來形成阱區(qū)904。在具體的例子中,使用約1.0X1013原子/cm3的劑量進(jìn)行每一種離子注入,且兩種注入具有約25KeV和50KeV的能量。在另一實施方式中,在形成阱區(qū)時執(zhí)行更多或更少的離子注入??稍诓煌哪芰肯率褂貌煌膭┝?,可使用更高或更少的劑量,更高或更低的能量,或者其組合,以滿足特定應(yīng)用的需要或期望。如圖10所示,將額外的傳導(dǎo)材料沉積到傳導(dǎo)層906上以便形成傳導(dǎo)層1006。柵極電極將由傳導(dǎo)層1006形成,并且因此,在圖示實施方式中,傳導(dǎo)層是柵極電介質(zhì)層。傳導(dǎo)層1006可包括先前關(guān)于傳導(dǎo)層906描述的任一材料。與傳導(dǎo)層906類似,額外的傳導(dǎo)材料可在沉積時是傳導(dǎo)的,或可被沉積為高阻抗層(如,未摻雜的多晶硅)且隨后制成傳導(dǎo)的。在傳導(dǎo)層906和額外的傳導(dǎo)材料之間,它們可具有相同的組成或不同的組成。傳導(dǎo)層1006的厚度,包括傳導(dǎo)層906和額外的傳導(dǎo)材料,具有約0.2微米到0.5微米的厚度范圍。在具體實施方式中,額外的傳導(dǎo)材料包括多晶硅,且可在沉積或隨后的摻雜過程中使用離子注入或其他摻雜技術(shù)用n-型摻雜劑摻雜。各向異性地蝕刻傳導(dǎo)層1006以形成柵極電極,如圖11的柵極電極1106。在圖示實施方式中,柵極電極1106沒有使用掩膜來形成,且具有側(cè)壁隔離物的形狀。進(jìn)行柵極電極1106的蝕刻可執(zhí)行為使得可暴露絕緣層626和柵極電介質(zhì)層902。蝕刻可延伸以暴露絕緣側(cè)壁隔離物802的一部分。在圖11所示的實施方式中,傳導(dǎo)電極604的一部分與柵極電極1106鄰近,其中絕緣側(cè)壁隔離物802位于傳導(dǎo)電極604和柵極電極1106之間。傳導(dǎo)電極604具有一對相對表面,其中的一個離主表面105較近,而另一個相對的表面離主表面105較遠(yuǎn)。在晶體管占據(jù)的區(qū)域內(nèi),傳導(dǎo)電極604的相對的表面中的每一個位于柵極電極1106的最下面和最上面點之間的高度。絕緣層(無圖示)可從柵極電極1106熱生長或可沉積在工件上方。絕緣層的厚度可在約10nm到約30nm范圍內(nèi)。圖12包括工件的在形成傳導(dǎo)電極1262、柵極信號線1264、截平的絕緣側(cè)壁隔離物1202、源極區(qū)1204以及柵極信號線1264和柵極電極1106之間的傳導(dǎo)填充材料1206之后的圖示。盡管為形成工件而執(zhí)行的操作按具體順序描述,但是在閱讀此說明書后,技術(shù)人員將理解,如果需要或者期望的話,順序可更改。另外,為完成圖12所示的實施方式的工件,可使用掩膜或多個掩膜(無圖示)。如果傳導(dǎo)層604和624尚未形成圖案,則他們可被形成圖案以形成傳導(dǎo)電極和柵極信號線,如傳導(dǎo)電極1262和柵極信號線1264。傳導(dǎo)電極1262可用來幫助減少垂直定向傳導(dǎo)區(qū)(傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)402和側(cè)壁摻雜區(qū)404的組合)和任一或多個柵極信號線1264、柵極電極1106或柵極信號線1264和柵極電極1106之間的電容耦合。柵極信號線1264可用來提供從控制電子(無圖示)到柵極電極1106的信號。在晶體管占據(jù)的區(qū)域內(nèi),柵極信號線1264覆蓋在傳導(dǎo)電極1262上。在實施方式中,在晶體管內(nèi),柵極信號線1264基本覆蓋在所有傳導(dǎo)電極1262上,而在另一實施方式中,在晶體管內(nèi),柵極信號線1264僅覆蓋在傳導(dǎo)電極1262的一部分而非全部上。源極區(qū),如源極區(qū)1204,可使用離子注入形成。源極區(qū)1204是重?fù)诫s的,且與阱區(qū)904相比具有相反的傳導(dǎo)類型,而與表面摻雜區(qū)504和下面摻雜區(qū)102具有相同的傳導(dǎo)類型。阱區(qū)904的位于源極區(qū)1204和表面摻雜區(qū)504之間且在柵極電極1106下的部分是用于正在形成的功率晶體管的溝道區(qū)1222。絕緣側(cè)壁隔離物802可通過蝕刻側(cè)壁隔離物802的上部分以去除絕緣側(cè)壁隔離物802的在傳導(dǎo)層624(柵極信號層)和柵極電極1106之間的部分而被截頭來形成截頭的絕緣側(cè)壁隔離物1202。去除的絕緣隔離物802的量至少足以允許傳導(dǎo)填充材料1206,當(dāng)形成時,電連接傳導(dǎo)層624和柵極電極1106,但不蝕刻如此多的絕緣側(cè)壁隔離物802以暴露傳導(dǎo)層604(傳導(dǎo)電極層),因為柵極電極1106和傳導(dǎo)層624將電連接到傳導(dǎo)層604,這是不期望的。如圖示的實施方式中,蝕刻被進(jìn)行成使得截頭的絕緣側(cè)壁隔離物1202的最上面表面位于絕緣層622和傳導(dǎo)層624之間的界面附近。傳導(dǎo)填充材料1206形成在截頭的絕緣隔離物1202之上,以便將柵極電極1106電連接到傳導(dǎo)層624。傳導(dǎo)填充材料1206可選擇性地生長或沉積在基本所有工件之上,且隨后從柵極電極1106和柵極信號線1264之間的間隙外的區(qū)域去除。如果需要或者期望的話,去除絕緣層626和柵極電介質(zhì)層902的暴露部分。圖13包括在夾層電介質(zhì)(ILD)層1302形成并形成圖案以界定接觸開口之后,且在摻雜形成阱接觸區(qū)后的工件的圖示。ILD層1302可包括氧化物、氮化物、氧氮化合物或其任意組合。ILD層1302可包括具有基本不變或可變組成(如離半導(dǎo)體層104較遠(yuǎn)的高磷含量)的單一膜或多個離散膜。蝕刻停止層、減反射層或組合可用在夾ILD層1302內(nèi)或之上以幫助處理??蓪LD層1302平坦化以提高在后續(xù)處理操作(如平版印刷術(shù),隨后的拋光,或諸如此類)過程中的處理邊緣。阻抗層1304形成在ILD層1302上,且形成圖案以界定阻抗層開口。執(zhí)行各向異性蝕刻以界定延伸穿過ILD層1302的接觸開口,如接觸開口1322。與許多常規(guī)的接觸蝕刻操作不同,繼續(xù)蝕刻以延伸穿過源極區(qū)1204且在阱區(qū)904內(nèi)結(jié)束。蝕刻可作為定時蝕刻進(jìn)行或作為終點檢測蝕刻與定時過蝕刻進(jìn)行。在具體實施方式中,第一終點可在源極區(qū)1204暴露時檢測,而第二終點可通過在阱區(qū)904內(nèi)存在的硼檢測。阱接觸區(qū),如阱接觸區(qū)1324可通過摻雜接觸開口,如接觸開口1322的底部部分來形成。阱接觸區(qū)1324可注入有與其所位于的阱區(qū)904相同傳導(dǎo)類型的摻雜劑。阱接觸區(qū)1324是重?fù)诫s的以至于可隨后形成歐姆接觸。當(dāng)阻抗層1304在適當(dāng)位置時,可執(zhí)行各向同性蝕刻以暴露源極區(qū),如源極區(qū)1204的最上面表面,如關(guān)于圖14描述變得更明顯的。在過程中的這一點上,將形成功率晶體管,例如圖13所示的功率晶體管。圖14包括基本完成的電子器件的圖示,其包括傳導(dǎo)插塞和端子。更具體地說,傳導(dǎo)層沿工件的暴露表面形成且形成在接觸開口,包括接觸開口1322內(nèi)。傳導(dǎo)層可包括單一膜或多個膜。在實施方式中,傳導(dǎo)層包括多個膜,如黏合膜、屏障膜和傳導(dǎo)填充材料。在具體實施方式中,黏合膜可包括耐高溫金屬,如鈦、鉭或類似物;屏障膜可包括耐高溫金屬氮化物,如氮化鈦、氮化鉭或類似物,或耐高溫金屬半導(dǎo)體氮化物如TaSiN;而傳導(dǎo)填充材料可包括鎢。依據(jù)電性能、隨后的熱循環(huán)溫度、其它標(biāo)準(zhǔn)或其任意組合選擇膜的數(shù)量和這些膜的組成。耐高溫金屬和包含耐高溫金屬的化合物可經(jīng)受住高溫(如這類材料的熔點可至少在140CTC)。在閱讀此說明書后,技術(shù)人員將能夠決定傳導(dǎo)層的組成以滿足具體應(yīng)用的需要或者期望。去除傳導(dǎo)層的覆蓋在絕緣層1302上的部分以形成傳導(dǎo)插塞,如在接觸開口1322內(nèi)的傳導(dǎo)插塞1422。傳導(dǎo)層可沉積成形成源極端子1424和漏極端子1426。傳導(dǎo)層可每一個包括單一膜或多個分離的膜。示范性材料包括鋁、鎢、銅、金或類似材料。每個傳導(dǎo)層可以或可以不被圖案化以形成源極端子1424或漏極端子1426,如圖14所示。在具體實施方式中,漏極端子1426可以是對包括下面摻雜區(qū)102的襯底的背面接觸的一部分。在另一實施方式中,用于形成源極端子1424的傳導(dǎo)層可形成圖案,以便也形成將連接到柵極信號線1264的柵極端子(未示出)。在所示實施方式中,沒有傳導(dǎo)插塞延伸到垂直定向傳導(dǎo)區(qū),且尤其是傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)402。電子器件可包括大致等于如圖14所示的功率晶體管的許多其它功率晶體管。功率晶體管并聯(lián)連接以提供電子器件足夠有效的溝道寬度,其可支持在電子器件的正常工作過程中使用的相對較高的電流。在具體實施方式中,電子器件可被設(shè)計成具有30V的最大源極_漏極電壓差,和20V的最大源極_柵極電壓差。在正常工作中,源極_漏極電壓差不大于約20V,而源極-柵極電壓差不大于約9V。傳導(dǎo)電極1262可在工作過程中保持大致不變的電壓,以降低源極-漏極的電容。在具體實施方式中,傳導(dǎo)電極1262可以為大致0V,在該情況下,傳導(dǎo)電極1262可作為接地平面。在另一實施方式中,傳導(dǎo)電極1262可連接到源極端子1424。電子器件可使用在功率晶體管的轉(zhuǎn)換速度需要是相當(dāng)高的應(yīng)用中。例如,常規(guī)電子器件僅能夠達(dá)到0.35MHz的轉(zhuǎn)換速度。在此描述的實施方式可使用在類似電壓和電流中,且達(dá)到至少約2MHz的轉(zhuǎn)換速度,且在具體實施方式中,可達(dá)到至少10MHz、20MHz或可能更高的轉(zhuǎn)換速度。非限制性應(yīng)用可包括作為計算機(jī)內(nèi),如個人計算機(jī)內(nèi)的電壓調(diào)節(jié)器部分使用的電子器件??赏ㄟ^形成具有寄生特性的低電平電子器件來實現(xiàn)這些性能。當(dāng)功率晶體管內(nèi)的寄生電容保持相對較低時,穿過電子器件的電阻(RDS。N)可保持到足夠低的量。當(dāng)功率晶體管具有20V的最大源極_柵極電壓差值和30V的最大源極_漏極電壓差值時,電子器件可具有不大于約30mQ*nC的優(yōu)良指數(shù),且在具體實施方式中,不大于20mQ*1^。優(yōu)良指數(shù)是電阻(RDS。N)乘以從基本完全閉合或電壓斷開狀態(tài)到接通或電流導(dǎo)通狀態(tài)(QT。TJ轉(zhuǎn)換器件所需的總柵極電荷的乘積。常規(guī)電子器件具有更高的優(yōu)良指數(shù)值。例如,具有槽功率MOSFET的常規(guī)電子器件可具有大于70mQ*nC的優(yōu)良指數(shù),而與在美國專利No.7,397,084中描述的類似的另一常規(guī)器件可具有至少50mQ*nC的優(yōu)良指數(shù)(兩個優(yōu)良指數(shù)都關(guān)于20V的最大源極_柵極電壓差值和30V的最大源極-漏極電壓差值)。盡管意思是要限制本發(fā)明,但是部分改進(jìn)的性能可涉及到使用表面摻雜區(qū)504(如水平定向摻雜區(qū))和垂直定向傳導(dǎo)區(qū)(具有或不具有側(cè)壁摻雜區(qū)404的傳導(dǎo)插塞402)。表面摻雜區(qū)504、垂直定向傳導(dǎo)區(qū)和下面摻雜區(qū)102的組合形成具有相對較低的寄生特性的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)。圖14包括示出流過電子器件的主載荷子(例如電子或空穴),且更具體地說功率晶體管的箭頭1442。來自源極端子1424的電子穿過傳導(dǎo)插塞1422并進(jìn)入源極區(qū)1204。當(dāng)功率晶體管打開時,電子流過功率晶體管的溝道區(qū)(阱區(qū)904的在源極區(qū)1204和表面摻雜區(qū)504之間的部分),并之后進(jìn)入表面摻雜區(qū)504內(nèi)。在表面摻雜區(qū)504內(nèi),電子更多地流入水平方向,與垂直方向相反,且因此,電子(和電流)主要地流入水平方向。電子從表面摻雜區(qū)504流入垂直定向傳導(dǎo)區(qū),且特別地傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)402。在垂直定向傳導(dǎo)區(qū)內(nèi),電子更多地流入垂直方向,與水平方向相反,且因此,電子(和電流)主要地流入垂直方向。因為大部分電子(電流)自身不垂直地流過半導(dǎo)體層104的大致全部厚度,所以11半導(dǎo)體層104的摻雜濃度可被降低而沒有明顯不利地影響RDS。N。半導(dǎo)體層104的相對較低的濃度有助于降低寄生電容耦合。如果需要或期望可以使用其它實施方式。在具體實施方式中,垂直定向傳導(dǎo)區(qū)和柵極電極之間的電容耦合可被進(jìn)一步減小。在圖15中,工件1500的一部分被示出為具有如前所述的層102U04、106和108。在具體實施方式中,墊層106、停止層108或者兩者都可以比圖1的工件100內(nèi)的相應(yīng)的層厚。工件還包括如前所述的槽202和側(cè)壁204。與工件100不一樣,工件1500包括部分1502,在部分1502中,已經(jīng)去除了墊層106的在停止層108下的部分以暴露半導(dǎo)體層104的主表面105的部分。圖15所示的結(jié)構(gòu)可通過對墊層106進(jìn)行各向同性蝕刻(濕或干)來實現(xiàn),其中,用于各向同性蝕刻的化學(xué)性質(zhì)對在各向同性蝕刻時暴露的工件1500的其它材料是選擇性的。在具體實施方式中,下面摻雜區(qū)102和半導(dǎo)體層104包括單晶半導(dǎo)體材料,墊層包括氧化物,而停止層108包括氮化物。使用HF解決方案蝕刻墊層106以產(chǎn)生所示的底切。在圖16,傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)1602和摻雜區(qū)1604可按類似于傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)402和側(cè)壁摻雜區(qū)404的方式形成。用于傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)402的材料可保形沉積,使得通過去除墊層106的部分形成的間隙被大致填滿。在具體實施方式中,非晶硅或多晶硅層被保形沉積。與傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)402不同,傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)1602的升高部分1606在部分1502處覆蓋在半導(dǎo)體層104的主表面105上。與側(cè)壁摻雜區(qū)404不一樣,摻雜區(qū)1604形成在部分1502內(nèi)。傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)1602的覆蓋在主表面105上的升高部分1606的高度大致對應(yīng)于層106和108的組合厚度。在另一實施方式中(未示出),墊層106和停止層108可形成圖案,使得兩者都被去除。換句話說,停止層108的覆蓋在部分1502上的部分也被去除了。在該具體的實施方式中,用于傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)1602的材料的沉積不如用于圖16所示的實施方式的沉積那樣保形。圖17包括對與圖12所示前述實施方式相似的處理中的位置進(jìn)行額外處理之后的工件1500的圖示。圖17所示的特征和圖12的相應(yīng)的特征在下表列出。圖17中的每種特征可具有任意材料、厚度,并且可使用如前面關(guān)于圖12所示的其對應(yīng)特征描述的任何方法形成。例如,柵極電介質(zhì)層1702可包括任意材料、厚度,并且使用如前面關(guān)于柵極電介質(zhì)層902描述的任何方法形成。表圖17圖12柵極電介質(zhì)層1702柵極電介質(zhì)層902水平定向摻雜區(qū)1704表面摻雜區(qū)504阱區(qū)1714阱區(qū)904溝道區(qū)1722溝道區(qū)1222源極區(qū)1724源極區(qū)120412<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>圖17中某些特征的形狀不同于圖12中對應(yīng)的特征,這是因為傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)1602與傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)402的不同形狀的緣故。因此,水平定向摻雜區(qū)1704不延伸到槽,且絕緣層1732、1736、1752、傳導(dǎo)電極1762和柵極信號線1764改變傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)1602之上的區(qū)和靠近柵極電極1786的另一區(qū)之間的高度。與圖12所示實施方式中柵極電極1106和傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)402之間的電容耦合相比,高度改變可降低柵極電極1786和傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)1602之間的電容耦合。而且,升高部分1606使傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)1602的垂直部分(主部分)能夠更遠(yuǎn)離阱區(qū)1714放置,而沒有顯著增加R。,。該更大的間隔對增加器件的擊穿電壓具有有利的影響。在具體實施方式中,傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)1602的升高部分1606的最上面表面比柵極電極1786的最下面表面(例如,柵極電極1786的側(cè)壁隔離物結(jié)構(gòu)的底部)位于更高的高度。在另一實施方式中,可使用補(bǔ)償區(qū),以幫助降低R。,。在如圖18所示的實施方式中,可使用與表面摻雜區(qū)504毗鄰的補(bǔ)償區(qū)1804。在正常工作狀態(tài)期間,表面摻雜區(qū)504可同時被傳導(dǎo)電極1262自上消耗和被補(bǔ)償區(qū)1804自下消耗。這可允許表面摻雜區(qū)504中的峰值摻雜劑濃度增加,且導(dǎo)致同樣的擊穿電壓(BVDSS)等級的較低R,,。補(bǔ)償區(qū)1804具有與表面摻雜區(qū)504和下面摻雜區(qū)102相反的傳導(dǎo)類型。在具體實施方式中,補(bǔ)償區(qū)1804的摻雜劑濃度不大于約2X10"原子/cm3,或在另一實施方式中,摻雜劑濃度不大于約5X1016原子/cm3。補(bǔ)償區(qū)1804的深度(從半導(dǎo)體層104的主表面105測量,如圖1所示)大于表面摻雜區(qū)504的深度,且在另一實施方式中,半導(dǎo)體層104的不是不同摻雜區(qū)(如表面摻雜區(qū)504、阱區(qū)904、側(cè)壁摻雜區(qū)404等等)的一部分的部分可以是補(bǔ)償區(qū)。在具體實施方式中,補(bǔ)償區(qū)1804的深度在阱區(qū)904的深度的約0.5微米內(nèi)。補(bǔ)償區(qū)1804可通過在外延沉積的基本所有或后來部分期間摻雜半導(dǎo)體層104形成。在另一實施方式中,補(bǔ)償區(qū)1804可使用比在形成表面摻雜區(qū)504中使用的注入相對更高能量的注入形成。在閱讀此說明書后,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能夠根據(jù)補(bǔ)償區(qū)1804所需要的或期望的深度和濃度值選擇注入的能量或多種能量(如果使用不止一次的注入來形成補(bǔ)償區(qū)1804)。在又一實施方式中(未示出),絕緣層602可以是階梯形。更具體地說,與在傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)402上方的位置相比,絕緣層在更靠近柵極電極1106的位置可更薄。當(dāng)V。增加時,絕緣層602的階梯形可能是更有用的。絕緣層602的相對較薄的部分允許柵極電極1106更少地電容耦合到漏極,且絕緣層602相對較厚的部分降低傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)402和傳導(dǎo)電極1262之間的電介質(zhì)擊穿的可能性。如圖示和在此描述的晶體管可以是NMOS晶體管,其中源極區(qū)1204、表面摻雜區(qū)504、側(cè)壁摻雜區(qū)404和下面摻雜區(qū)102都是n-型摻雜的,而溝道區(qū)1222是p-型摻雜的。在該具體實施方式中,載流子是電子,而電流在與電子相反的方向流動。在另一實施方式中,晶體管可以通過反向先前描述的區(qū)的傳導(dǎo)類型而成為PMOS晶體管。在該具體實施方式中,載流子是空穴,而電流在與空穴相同的方向上流動。許多不同的方面和實施方式都是可能的。這些方面和實施方式中的一些將在下面描述。閱讀此說明書以后,技術(shù)人員將理解,這些方面和實施方式僅是示例性的且不限制本發(fā)明的范圍。在第一方面,電子器件可包括晶體管,其中晶體管可包括具有主表面和傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層。傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)可包括鄰近主表面放置的水平定向摻雜區(qū)、與主表面和水平定向摻雜區(qū)間隔開的下面摻雜區(qū),以及延伸通過半導(dǎo)體層大部分厚度且電連接摻雜水平區(qū)和下面摻雜區(qū)的垂直定向傳導(dǎo)區(qū)。電子器件可進(jìn)一步包括覆蓋在傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)上且與傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)電絕緣的傳導(dǎo)電極,其中傳導(dǎo)電極設(shè)置成當(dāng)電子器件在正常工作狀態(tài)下時基本恒壓。電子器件可進(jìn)一步包括覆蓋在半導(dǎo)體層的主表面上的柵極電極和覆蓋在半導(dǎo)體層的主表面和傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)上的柵極信號線,其中,在晶體管占據(jù)的區(qū)域內(nèi),柵極信號線覆蓋在傳導(dǎo)電極上。在第一方面的實施方式中,垂直定向傳導(dǎo)區(qū)包括覆蓋在半導(dǎo)體層的主表面上的升高部分。在具體實施方式中,升高部分具有位于比柵極電極的最下面表面更高的高度的最上面表面。在另一實施方式中,半導(dǎo)體層包括補(bǔ)償區(qū),補(bǔ)償區(qū)位于水平定向摻雜區(qū)和下面摻雜區(qū)之間,且基本延伸到垂直定向傳導(dǎo)區(qū),并且補(bǔ)償區(qū)具有與水平定向摻雜區(qū)和下面摻雜區(qū)相反的傳導(dǎo)類型。在又一實施方式中,垂直定向傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括傳導(dǎo)插塞。在具體實施方式中,傳導(dǎo)插塞包括摻雜的多晶硅或耐高溫金屬。在第一方面的又一實施方式中,電子器件進(jìn)一步包括鄰近主表面放置的源極區(qū)和鄰近主表面放置的阱區(qū),其中阱區(qū)的一部分是晶體管的溝道區(qū),且位于源極區(qū)和水平定向摻雜區(qū)之間。在具體實施方式中,電子器件進(jìn)一步包括鄰近源極區(qū)放置的阱接觸區(qū)和接觸源極區(qū)和阱接觸區(qū)的互連件。在更具體的實施方式中,電子器件設(shè)置成使得當(dāng)電子器件在正常工作狀態(tài)下時,主載流子流經(jīng)由阱區(qū)、水平定向摻雜區(qū)和垂直定向傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)從源極區(qū)到下面摻雜區(qū)。在另一具體實施方式中,電子器件進(jìn)一步包括覆蓋在源極區(qū)和溝道區(qū)的部分上的柵極電極。在進(jìn)一步的實施方式中,互連件不覆蓋和接觸水平定向摻雜區(qū)或垂直定向傳導(dǎo)區(qū)。在第二方面,電子器件可包括具有主表面和傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層。傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)可包括鄰近主表面放置的水平定向摻雜區(qū),其中阱區(qū)的一部分位于源極區(qū)和水平定向摻雜區(qū)之間,下面摻雜區(qū)與主表面間隔開,并且垂直定向傳導(dǎo)區(qū)位于摻雜水平區(qū)和下面摻雜區(qū)之間。半導(dǎo)體器件還可包括與主表面鄰近放置的源極區(qū)、與主表面鄰近放置的阱區(qū),其中阱區(qū)的一部分包括位于源極區(qū)和水平定向摻雜區(qū)之間的溝道區(qū)。電子器件可進(jìn)一步包括放置在溝道區(qū)上的柵極電極和設(shè)置成當(dāng)電子器件在正常工作狀態(tài)下時基本恒壓的傳導(dǎo)電極。傳導(dǎo)電極可覆蓋在傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)上且與傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)電絕緣,并且傳導(dǎo)電極的一部分可鄰近柵極電極放置。傳導(dǎo)電極可具有第一表面和與第一表面相對的第二表面,其中主表面離第一表面比第二表面近。在晶體管占據(jù)的區(qū)域內(nèi),傳導(dǎo)電極的第一表面和第二表面中的每一個可位于柵極電極的最下面點和最上面點之間的高度。在第二方面的實施方式中,電子器件可進(jìn)一步包括覆蓋在半導(dǎo)體層的主表面和傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)上的柵極信號線,其中在晶體管內(nèi),柵極信號線覆蓋在傳導(dǎo)電極上。在進(jìn)一步實施方式中,水平定向摻雜區(qū)沿主表面從垂直定向傳導(dǎo)區(qū)朝源極區(qū)延伸約0.2到2.0微米。在另一實施方式中,半導(dǎo)體層的厚度不大于約5微米,半導(dǎo)體層的一部分位于阱區(qū)、源極區(qū)、水平定向摻雜區(qū)和垂直定向傳導(dǎo)區(qū)的外部,且半導(dǎo)體層的一部分的摻雜劑濃度不大于約1X1016原子/cm3。在具體實施方式中,摻雜劑濃度不大于約1X10"原子/cm3。在另一具體實施方式中,半導(dǎo)體層、源極區(qū)、水平定向摻雜區(qū)和下面摻雜區(qū)的一部分具有相同的傳導(dǎo)類型。在第二方面的進(jìn)一步具體實施方式中,半導(dǎo)體層和阱區(qū)的部分具有第一傳導(dǎo)類型,而源極區(qū)、水平定向摻雜區(qū)和下面摻雜區(qū)具有與第一傳導(dǎo)類型相反的第二傳導(dǎo)類型。在又一進(jìn)一步具體實施方式中,水平定向摻雜區(qū)的峰值摻雜劑濃度為至少約2X10"原子/cm3,而垂直定向傳導(dǎo)區(qū)和下面摻雜區(qū)中的每一個的峰值摻雜劑濃度為至少約1X1(^原子/cm3。在更具體實施方式中,水平定向摻雜區(qū)的峰值摻雜劑濃度不大于約2X1018原子/cm3。在第二方面的又一實施方式中,互連件不覆蓋和接觸水平定向摻雜區(qū)或垂直定向傳導(dǎo)區(qū)。在第三方面,電子器件可包括包含柵極電介質(zhì)層的場效應(yīng)晶體管。場效應(yīng)晶體管可設(shè)計成具有約20V的最大柵極電壓,約30V的最大漏極電壓且優(yōu)良指數(shù)不大于約30mQ女nC。在第三方面的實施方式中,優(yōu)良指數(shù)不大于20mQ*nC。在另一實施方式中,場效應(yīng)晶體管設(shè)計成具有至少約2MHz的轉(zhuǎn)換速度。在又一實施方式中,場效應(yīng)晶體管進(jìn)一步包括主要包括第14族元素的溝道區(qū)。注意到,上面的概述或?qū)嵤├忻枋龅乃谢顒硬⒉欢际潜匦璧?,具體活動的一部分可以不是必需的,并且,除了描述的那些活動之外,可以施行一個或多個另外的活動。更進(jìn)一步,列出的活動的順序并不一定是它們被施行的順序。此處為了清楚而描述在不同實施方式中的某些特征還可以按組合形式提供在單個實施方式中。相反,為了簡潔而描述在單個實施方式中的不同的特征還可以分別提供或以任何子組合提供。而且,提到以范圍表示的值包括那個范圍內(nèi)的每一個值和所有值。上面已經(jīng)就具體的實施方式描述了益處、其他優(yōu)勢和問題的解決方案。然而,益處、優(yōu)勢、問題的解決方案以及可能造成任何益處、優(yōu)勢或解決方案出現(xiàn)或變得更明確的任何特征并不應(yīng)被解釋為任一個權(quán)利要求或所有權(quán)利的關(guān)鍵的、需要的或必須的特征。此處描述的實施方式的說明和闡釋是期望提供對不同實施方式的結(jié)構(gòu)的一般理解。此說明和闡釋并不期望作為使用了此處描述的結(jié)構(gòu)或方法的裝置和系統(tǒng)的所有元件和特征的窮盡性和全面的描述。不同的實施方式還可以按組合形式提供在單個實施方式中,而相反,為了簡潔而描述在單個實施方式中的不同的特征也可以分別提供或以任何子組合提供。而且,提到以范圍表示的值包括那個范圍內(nèi)的每一個值和所有值。只有在閱讀了此說明書后,許多其他實施方式對技術(shù)人員才是明顯的。其他實施方式可以被使用或從公開內(nèi)容中得到,使得可以做出結(jié)構(gòu)替換、邏輯替換或其他變化而并不背離本公開內(nèi)容的范圍。因此,此公開內(nèi)容被認(rèn)為是示例性的,而不是限制性的。1權(quán)利要求一種電子器件,其包括晶體管,其中,所述晶體管包括半導(dǎo)體層,其具有主表面;傳導(dǎo)結(jié)構(gòu),其包括水平定向摻雜區(qū),其鄰近所述主表面放置;下面摻雜區(qū),其與所述主表面和所述水平定向摻雜區(qū)間隔開;以及垂直定向傳導(dǎo)區(qū),其延伸穿過所述半導(dǎo)體層的大部分厚度,且電連接摻雜水平區(qū)和所述下面摻雜區(qū);傳導(dǎo)電極,其覆蓋在所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)上且與所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)電絕緣,其中,所述傳導(dǎo)電極設(shè)置成當(dāng)所述電子器件在正常工作狀態(tài)下時基本恒壓;柵極電極,其覆蓋在所述半導(dǎo)體層的所述主表面上;以及柵極信號線,其覆蓋在所述半導(dǎo)體層的所述主表面和所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)上,其中,在所述晶體管所占據(jù)的區(qū)域內(nèi),所述柵極信號線覆蓋在所述傳導(dǎo)電極上。2.如權(quán)利要求1所述的電子器件,其中,所述垂直定向傳導(dǎo)區(qū)包括覆蓋在所述半導(dǎo)體層的所述主表面上的升高部分。3.如權(quán)利要求2所述的電子器件,其中,所述升高部分具有最上面表面,所述最上面表面位于比所述柵極電極的最下面表面高的高度。4.如權(quán)利要求1所述的電子器件,其中所述半導(dǎo)體層包括補(bǔ)償區(qū);所述補(bǔ)償區(qū)位于所述水平定向摻雜區(qū)和所述下面摻雜區(qū)之間,且基本延伸到所述垂直定向傳導(dǎo)區(qū);且所述補(bǔ)償區(qū)具有與所述水平定向摻雜區(qū)和所述下面摻雜區(qū)相反的傳導(dǎo)類型。5.如權(quán)利要求1所述的電子器件,其中,所述垂直定向傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括傳導(dǎo)插塞。6—種電子器件,其包括半導(dǎo)體層,其具有主表面;傳導(dǎo)結(jié)構(gòu),其包括水平定向摻雜區(qū),其鄰近所述主表面放置,其中,阱區(qū)的一部分位于源極區(qū)和所述水平定向摻雜區(qū)之間;下面摻雜區(qū),其與所述主表面間隔開;以及垂直定向傳導(dǎo)區(qū),其位于摻雜水平區(qū)和所述下面摻雜區(qū)之間;源極區(qū),其鄰近所述主表面放置;阱區(qū),其鄰近所述主表面放置,其中,所述阱區(qū)的一部分包括位于所述源極區(qū)和所述水平定向摻雜區(qū)之間的溝道區(qū);柵極電極,其覆蓋在所述溝道區(qū)上;以及傳導(dǎo)電極,其設(shè)置成當(dāng)所述電子器件在正常工作狀態(tài)下時基本恒壓,其中所述傳導(dǎo)電極覆蓋在所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)上且與所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)電絕緣;所述傳導(dǎo)電極的一部分鄰近所述柵極電極放置;所述傳導(dǎo)電極具有第一表面和與第一表面相對的第二表面;所述主表面離第一表面比第二表面近;且在所述晶體管占據(jù)的區(qū)域內(nèi),所述傳導(dǎo)電極的第一表面和第二表面中的每一個位于所述柵極電極的最下面點和最上面點之間的高度。7.如權(quán)利要求6所述的電子器件,其中,所述水平定向摻雜區(qū)沿所述主表面從所述垂直定向傳導(dǎo)區(qū)朝所述源極區(qū)延伸約0.2到2.0微米。8.如權(quán)利要求6所述的電子器件,其中所述水平定向摻雜區(qū)的峰值摻雜劑濃度為至少約2X1017原子/cm3且不大于約2X1018原子/cm3;且所述垂直定向傳導(dǎo)區(qū)和所述下面摻雜區(qū)中的每一個的峰值摻雜劑濃度為至少約lX10^原子/cm3。9.一種電子器件,其包括場效應(yīng)晶體管,所述場效應(yīng)晶體管包括柵極電介質(zhì)層,其中,所述場效應(yīng)晶體管設(shè)計成具有約20V的最大柵極電壓,約30V的最大漏極電壓,且優(yōu)良指數(shù)不大于約30mQ*nC。10.如權(quán)利要求9所述的電子器件,其中,優(yōu)良指數(shù)不大于約20mQ*nC。全文摘要一種電子器件可包括晶體管。在一實施方式中,晶體管可包括具有主表面的半導(dǎo)體層和傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)。傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)可包括鄰近主表面放置的水平定向摻雜區(qū)、與主表面和水平定向摻雜區(qū)間隔開的下面摻雜區(qū),以及延伸穿過半導(dǎo)體層的大部分厚度且電連接摻雜水平區(qū)和下面摻雜區(qū)的垂直定向傳導(dǎo)區(qū)。在另一實施方式中,晶體管可包括柵極電介質(zhì)層,其中場效應(yīng)晶體管設(shè)計成具有約20V的最大柵極電壓,約30V的最大漏極電壓,且優(yōu)良指數(shù)不大于約30mΩ*nC。一種形成電子器件的方法可包括提供包括襯底的工件,包括下面摻雜區(qū)和覆蓋在下面摻雜區(qū)上的半導(dǎo)體層,其中半導(dǎo)體層具有與下面摻雜區(qū)間隔開的主表面。此方法還可包括形成從主表面延伸到下面摻雜區(qū)的垂直定向傳導(dǎo)區(qū),和形成鄰近主表面的水平定向摻雜區(qū)。在電子器件的制成形式中,與垂直定向傳導(dǎo)區(qū)相比,水平定向摻雜區(qū)進(jìn)一步在橫向方向朝已經(jīng)形成或?qū)⑿纬稍礃O區(qū)的區(qū)延伸。電子器件包括晶體管,晶體管包括下面摻雜區(qū)、垂直定向傳導(dǎo)區(qū)和水平定向摻雜區(qū)。文檔編號H01L29/423GK101752374SQ200910209208公開日2010年6月23日申請日期2009年11月2日優(yōu)先權(quán)日2008年12月17日發(fā)明者G·H·羅切爾特申請人:半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司