專利名稱：：圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明實(shí)施例涉及一種圖像傳感器、用于該圖像傳感器的基板、包括該圖像傳感器的圖像傳感裝置以及相關(guān)方法。
背景技術(shù)：
：圖像傳感器可以形成為"前側(cè)"互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器，其在基板中包括多個(gè)光電二極管。在形成光電二極管之后，金屬布線圖案可以形成在光電二極管上。金屬布線圖案可以形成為向光電二極管接收外部光提供開口。然而，以某一角度進(jìn)入開口的光會(huì)被金屬布線圖案反射。此外，圍繞金屬布線圖案的層間電介質(zhì)層會(huì)吸收入射在其上的光。因此，穿過開口到達(dá)光電二極管的光的數(shù)量會(huì)被減少，導(dǎo)致差的器件靈壽文度。此外，在圖像傳感器內(nèi)反射的光會(huì)影響相鄰的光電二極管，使得在光電二極管之間發(fā)生串?dāng)_(cros-stalk)。前側(cè)圖像傳感器的一個(gè)替代物是背側(cè)圖像傳感器。然而，目前背側(cè)圖像傳感器的設(shè)計(jì)以及制造工藝會(huì)經(jīng)受各種缺陷，例如暗電流、缺乏感光性(也就是低量子效率)以及在制造過程中需要保護(hù)熱敏結(jié)構(gòu)等。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明實(shí)施例涉及一種圖像傳感器、用于該圖像傳感器的基板、包括該圖像傳感器的圖像傳感裝置以及相關(guān)方法，其基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺陷而引起的一個(gè)或多個(gè)問題。本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)特征是提供一種圖像傳感器、用于該圖像傳感器的基板、包括該圖像傳感器的圖像傳感裝置以及相關(guān)方法，其中暗電流被減小。本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)特征是才是供一種圖像傳感器、用于該圖像傳感器的基板、包括該圖像傳感器的圖像傳感裝置以及相關(guān)方法，其中感光性被提高。本發(fā)明實(shí)施例的另一特征是提供一種圖像傳感器、用于該圖像傳感器的基板、包括該圖像傳感器的圖像傳感裝置以及相關(guān)方法，其在使用高溫工藝之后阻止熱敏結(jié)構(gòu)(或者形成熱阻結(jié)構(gòu))。至少一個(gè)上述和其它的特征以及優(yōu)點(diǎn)可以通過提供一種制造CMOS圖像傳感器的方法來實(shí)現(xiàn)，該方法包括形成基板結(jié)構(gòu)，該基板結(jié)構(gòu)具有第一基板、第二基板以及在第一基板和第二基板之間的氧化層和含氮的指數(shù)匹配層(indexmatchinglayer);以及在第二基板中形成至少一個(gè)感光器件；在形成基板結(jié)構(gòu)之后，在第二基板的第一表面上形成金屬互連結(jié)構(gòu)，該第一表面朝向遠(yuǎn)離第一基板，使得至少一個(gè)感光器件在金屬互連結(jié)構(gòu)和指數(shù)匹配層以及氧化層之間，金屬互連結(jié)構(gòu)電連接到至少一個(gè)感光器件。氧化層可以通過熱氧化第二基板的與第一表面相反的第二表面來形成，并且氧化層可以形成在指數(shù)匹配層和第二基板之間。該方法還可以包括在第二基板中形成淺注入層，使得淺注入層位于第二基板的主體(bulk)和氧化層之間。形成淺注入層可以包括將p型摻雜劑的離子注入到第二基板中并熱激活注入的離子。指數(shù)匹配層可以由氮化硅層形成，形成基板結(jié)構(gòu)還可以包括在氮化硅層上形成接合氧化層(bondingoxidelayer),該接合氧化層與第一基板接觸。形成基板結(jié)構(gòu)還可以包括在第一基板和第二基板接合在一起之后且在形成至少一個(gè)感光器件之前，去除第二基板的一部分使得第二基板減薄約50%或更多。形成基板結(jié)構(gòu)還可以包括在第一基板和第二基板接合在一起之前，在第二基板中離氧化層預(yù)定距離處形成;f效腔層；將第一基板和第二基板接合在一起；以及去除部分第二基板到微腔層的深度。該方法還可以包括在去除部分第二基板到微腔層的深度之后，在第二基板上形成外延層，其中至少一個(gè)感光器件在形成外延層之后形成。形成基板結(jié)構(gòu)還可以包括在形成氧化層和微腔層之后，在第二基板內(nèi)形成淺注入層，該淺注入層在第一氧化層和微腔層之間形成。指數(shù)匹配層可以由氮化硅層形成。氧化層和指數(shù)匹配層可以形成抗反射層。該方法還可以包括在第二基板中形成相鄰的感光器件，并在相鄰的感光器件之間形成絕緣層。絕緣層可以被形成為從第二基板的第一表面延伸至足夠的厚度以阻止每個(gè)相鄰感光器件之間的光學(xué)串?dāng)_。6該方法還可以包括在形成金屬互連結(jié)構(gòu)之后，將第一基板的厚度減少約50%或更多。形成基板結(jié)構(gòu)可以包括在第一基板和指數(shù)匹配層之間形成蝕刻終止層。該方法還可以包括在形成金屬互連結(jié)構(gòu)之后且在將第一基板的厚度減少約50%或更多之前，將第三基板接合到第二基板的第一表面。至少一個(gè)上述和其它的特征以及優(yōu)點(diǎn)可以通過提供一種CMOS圖像傳感器來實(shí)現(xiàn)，該CMOS圖像傳感器包括基板，在該基板的第二表面上具有熱氧化層；在基板中的至少一個(gè)感光器件；以及在基板的第一表面上的金屬互連結(jié)構(gòu)，第一表面與第二表面相反，使得至少一個(gè)感光器件在金屬互連結(jié)構(gòu)和熱氧化層之間，金屬互連結(jié)構(gòu)電連接到至少一個(gè)感光器件。該CMOS圖像傳感器還可以包括在熱氧化層上的指數(shù)匹配層，熱氧化層與基板的第二表面相鄰接，使得熱氧化層在指數(shù)匹配層與至少一個(gè)感光器件之間。指數(shù)匹配層可以是氮化硅層，熱氧化層位于氮化硅層和至少一個(gè)感光器件之間。該CMOS圖像傳感器還可以包括在基板內(nèi)的淺注入層，該淺注入層位于熱氧化層和基板的主體之間。淺注入層可以是含硼層。該CMOS圖像傳感器還可以包括在熱氧化層上的蝕刻終止層。該CMOS圖像傳感器還可以包括在金屬互連結(jié)構(gòu)上的另一基板，使得金屬互連結(jié)構(gòu)在基板和另一基板之間。氧化層可以在金屬互連結(jié)構(gòu)上，相對(duì)氧化層(opposingoxidelayer)可以在另一基板上，氧化層和相對(duì)氧化層可以彼此直接接觸。相鄰感光器件可以在基板中，隔離結(jié)構(gòu)可以在相鄰感光器件之間，隔離結(jié)構(gòu)可以從基板的第一表面延伸到足夠的厚度以阻止每個(gè)相鄰感光器件之間的光學(xué)串?dāng)_。隔離結(jié)構(gòu)可以從基板的第一表面延伸到熱氧化層，隔離結(jié)構(gòu)可以不穿透熱氧化層。指數(shù)匹配層是氮化硅層，隔離結(jié)構(gòu)從第一表面延伸并穿透氮化硅層。至少一個(gè)上述和其它的特征以及優(yōu)點(diǎn)可以通過提供一種制造CMOS圖像傳感器的方法來實(shí)現(xiàn)，該方法包括在基板的第二表面形成熱氧化層；在基板中形成至少一個(gè)感光器件；以及在基板的第一表面上形成金屬互連結(jié)構(gòu)，第一表面與第二表面相反，使得至少一個(gè)感光器件位于金屬互連結(jié)構(gòu)和熱氧化層之間，金屬互連結(jié)構(gòu)電連接到至少一個(gè)感光器件。通過參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施例，上述和其它的特征以及優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將變得更加明顯，附圖中圖l到圖7示出了在制造根據(jù)第一實(shí)施例的圖像傳感器的方法中各階段的截面圖8A示出了根據(jù)第二實(shí)施例的圖像傳感器；圖8B示出了入射光的成一角度的分量在產(chǎn)生串?dāng)_時(shí)的影響；圖8C-1、8C-2、8C-3示出了根據(jù)第二實(shí)施例的圖像傳感器的第一、第二和第三實(shí)施的示例；圖8D-2(a)到8D-2(f)示出了在制造包括圖8C-2中結(jié)構(gòu)的圖像傳感器的方法中各階段的截面圖8E-1、8E-2和8E-3示出了根據(jù)第二實(shí)施例的圖像傳感器的另外的示例；圖9A示出了在制造根據(jù)第三實(shí)施例的圖像傳感器的方法中各階段的截面圖9B-1、圖9B-2和圖9B-3示出了既包括第三實(shí)施例的特征又包括第二實(shí)施例的特征的圖像傳感器的示例；圖10和圖11示出了勢(shì)阱的比較圖12(a)-(f)示出了在制造根據(jù)第四實(shí)施例的圖像傳感器的方法中各階段的截面圖13(a)-(f)示出了在制造沖艮據(jù)第五實(shí)施例的圖像傳感器的方法中各階段的截面圖14(a)-(d)示出了制造在根據(jù)第六實(shí)施例的圖像傳感器的方法中各階段的截面圖15(a)-(d)示出了制造在根據(jù)第七實(shí)施例的圖像傳感器的方法中各階段的截面圖16示出了根據(jù)第八實(shí)施例的圖像傳感裝置；8圖17(a)示出了包括根據(jù)第九實(shí)施例的圖像傳感器的計(jì)算機(jī)設(shè)備；圖17(b)示出了根據(jù)第九實(shí)施例的示例性手機(jī)；圖18示出了根據(jù)第十實(shí)施例的攝像裝置；圖19示出了根據(jù)第十一實(shí)施例的攝像裝置；以及圖20示出了陷阱位在產(chǎn)生暗電流中的作用的示意圖。具體實(shí)施例方式在下文中將參照附圖對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行更全面的描述；然而，它們可以以不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)被解釋為限于此處所述的實(shí)施例。而是，提供這些實(shí)施例是為了使本公開透徹和完整，并將本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了圖示的清楚，層和區(qū)域的尺寸可可以被夸大。還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱一層或元件在另一層或襯底"上，，時(shí)，它可以直接在另一層或襯底上，或者還可以存在插入的層。此外，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱一層在另一層"下"時(shí)，它可以直接在另一層下，或者還可以存在一個(gè)或多個(gè)插入的層。此外，還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱一層在兩個(gè)層"之間"時(shí)，它可以是兩個(gè)層之間唯一的層，或者還可以存在一個(gè)或多個(gè)插入的層。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。圖1到圖7示出了在制造根據(jù)第一實(shí)施例的圖4象傳感器的方法中各階段的截面圖。如下面詳細(xì)描述的，制造的各階段被排序，使得具有高熱量預(yù)算的工藝的使用能夠在形成熱敏結(jié)構(gòu)之前。這允許某些材料和工藝的使用，該材料和工藝可以更有效地使所得的圖像傳感器中的界面陷阱和不期望的耗盡區(qū)減到最少，從而提高圖像傳感器的性能。參照?qǐng)D1,第一基板10和第二基板20可以結(jié)合在一起。如下面詳細(xì)描述的，第二基板20可以被處理以在其中形成多個(gè)光電二極管，第一基板可以被部分或完全地去除以提供最接近光電二極管的感光區(qū)域。因此，可以提供背側(cè)圖像傳感器。此外，氧化層22(優(yōu)選為熱氧化層)可以設(shè)置在第一基板10和第二基板20之間。氧化層22可以是高質(zhì)量的氧化層，根據(jù)這里描述的實(shí)施例，其可以有效地減少在氧化層22和第二基板20之間的陷阱位的數(shù)量。從而，根據(jù)實(shí)施例的圖4象傳感器可以具有減小的暗電流。陷阱位在產(chǎn)生暗電流中的作用在圖20中示出。參照?qǐng)D20,通過減小價(jià)帶與導(dǎo)帶(分別為Ev和Ec)之間的躍遷所需的能量，由陷阱位引起的禁帶可以產(chǎn)生電子空穴對(duì)。陷阱位的存在可以降低躍遷的能量勢(shì)壘，從而使非光激勵(lì)(non-lightstimuli)(例如熱激勵(lì)、機(jī)械碰撞等)可以給予足夠的能量以產(chǎn)生電子空穴對(duì)。這種非光生的(non-light-derived)電子空穴對(duì)可以本身在光電二極管中表現(xiàn)為暗電流，這導(dǎo)致增大的圖像噪聲。再參照?qǐng)D1，氧化層22可以通過例如熱氧化工藝形成。在實(shí)施中，熱氧化工藝可以在高于400。C的溫度進(jìn)行。采用熱氧化工藝形成氧化層22可以改善氧化層22和第二基板20之間的界面特性，以減少氧化層22和第二基板20之間和/或氧化層22內(nèi)的陷阱位。在通過防止不需要的耗盡阱來減小暗電流并提高感光性方面，采用熱氧化工藝形成氧化層22可以比在較低溫度下采用化學(xué)氣相沉積(CVD)更加有效。在這點(diǎn)上，在熱氧化硅層中的界面陷阱的數(shù)量可以為約lxl01G，而在CVD氧化層中界面陷阱的數(shù)量為約lxl012。因此，熱氧化物可以具有比CVD氧化物少約100倍的界面陷阱。第一基板10和/或第二基板20可以包括例如硅、應(yīng)變硅、硅合金、碳化硅、硅-鍺、硅-鍺碳化物、鍺、鍺合金、鍺-砷、銦-砷、in-v族半導(dǎo)體、有機(jī)塑料基板或它們的組合。第一基板10和第二基板20可以被摻雜成例如p型或n型。氧化層22可以直接形成在第二基板20上，優(yōu)選地通過上述熱氧化工藝。蝕刻終止層12可以形成在第一基板10的表面上，使得當(dāng)?shù)谝换?0和第二基板20結(jié)合時(shí)蝕刻終止層12可以在第一基板10和氧化層22之間。蝕刻終止層12可以具有不同于第一基板10的蝕刻速率和/或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)去除速率。蝕刻終止層12可以包括或者可以整個(gè)地由例如氧化物、氮化物、氮氧化物或它們的組合形成。蝕刻終止層12可以具有約1000A到約10000A的厚度。指數(shù)匹配層24也可以設(shè)置在第一基板10和第二基板20之間。指數(shù)匹配層24是具有介于透光介質(zhì)(例如空氣)和第二基板20(例如硅)之間的折射率的層。指數(shù)匹配層24可以形成抗反射層25的全部或部分?？狗瓷鋵?5可以包括一個(gè)或多個(gè)指數(shù)匹配層24,其中每個(gè)具有介于透光介質(zhì)(例如空氣)和第二基板20之間的折射率。例如，抗反射層25可以包括單指數(shù)匹配層24(其可以是氮化物層或是氮氧化物層)，或氮化物指數(shù)匹配層24和氮氧化物指數(shù)匹配層24的多層結(jié)構(gòu)。在實(shí)施中，在氧化層22有助于抗反射特性的情況(例如氧化層22也具有介于透光介質(zhì)和第二基板20之間的折射率)下，抗反射層25可以考慮包括氧化層22。例如，抗反射層25可以包括以如下順序堆疊在第二基板20上的氧化層22、氮氧化物指數(shù)匹配層24和氮化物指數(shù)匹配層24。在具體實(shí)施中，第二基板20可以是具有約3.5的折射率的單晶硅?？狗瓷鋵?5可以包括與氮化硅指數(shù)匹配層24堆疊在一起的氧化硅層22，氧化硅層22可以具有約1.45到1.5的折射率，氮化硅指數(shù)匹配層24可以具有約1.95到2.05的折射率。根據(jù)斯涅耳定律，堆疊層的相對(duì)折射率可以防止穿過抗反射層25入射到第二基板20上的光從第二基板20反射掉。由于反射的減小可以增加進(jìn)入第二基板20的入射光。氧化層22可以具有約5A到約IOOOA的厚度。指數(shù)匹配層24可以是具有約50A到約IOOOA的厚度的氮化物層?？狗瓷鋵?5的構(gòu)造可以根據(jù)圖像檢測器所檢測的光的性質(zhì)而改變。例如，在抗反射層25包括厚度為200A的氮化硅指數(shù)匹配層24、厚度為1500A的氮氧化硅指數(shù)匹配層24以及厚度為600A的氧化硅層22的順序堆疊的情況下，波長大于520nm的光可以容易地穿透第二基板20。作為另一個(gè)示例，在抗反射層25包括厚度為400A的氮化硅指數(shù)匹配層24、厚度為80A的氮氧化硅指數(shù)匹配層24以及厚度為1600A的氧化硅層22的順序堆疊的情況下，波長在450nm到520nm之間的光可以容易地穿透第二基板20。指數(shù)匹配層24可以形成在位于第二基板20上的氧化層22上。在另一實(shí)施中，指數(shù)匹配層24可以形成在位于第一基板10上的蝕刻終止層12上。在另一實(shí)施中，兩個(gè)相對(duì)的指數(shù)匹配層24可以分別形成在氧化層22和蝕刻終止層12上，第一基板10和第二基板20可以通過接合相對(duì)的指數(shù)匹配層24的面^f的表面而結(jié)合。參照?qǐng)D1中的插圖，在另一實(shí)施中，通過處理第二基板20使其具有面向氧化層22的不平坦表面，也可以減少反射。不平坦表面可以用來減少鏡面反射。氧化層22可以在與第二基板20相接處具有不平坦表面。氧化層22還可以在相反表面處具有不平坦表面，例如在氧化層22是具有基本均勻厚度的共形層的情況下。抗反射層25的一個(gè)或多個(gè)其它層也可以具有不平坦第一基板IO和第二基板20可以通過兩者之間的蝕刻終止層12、指數(shù)匹配層24以及氧化層22結(jié)合在一起。該結(jié)合可以通過例如面對(duì)表面的等離子體激活和直接結(jié)合而實(shí)現(xiàn)。參照?qǐng)D2,—個(gè)或多個(gè)感光器件121可以形成在第二基板20的與面對(duì)第一基板10的表面相反的表面上(在圖2中命名為前表面FS)。在實(shí)施中，感光器件121可以形成在第二基板20中。感光器件121可以包括例如光電二極管PD、光電晶體管、光電柵極、釘扎光電二極管或它們的組合。多個(gè)柵極圖案123可以布置在第二基板20的FS表面處，例如在FS表面內(nèi)和/或在FS表面上。柵極圖案123可以形成例如電荷轉(zhuǎn)移柵極、復(fù)位柵極、驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O等的一部分。參照?qǐng)D3，金屬互連圖案124a、124b可以形成在表面FS處。金屬互連圖案124a、124b可以制作在一個(gè)或多個(gè)層間電介質(zhì)層122中。金屬互連圖案124a、124b可以由鋁、銅等形成。金屬互連圖案124a、124b可以采用單鑲嵌工藝、雙鑲嵌工藝等形成。參照?qǐng)D4，第三基板132可以結(jié)合到第一基板10和第二基板20,使得金屬互連圖案124a、124b在第三基板132和第二基板20之間。第三基板132可以采用一個(gè)或多個(gè)粘合劑層134a、134b而結(jié)合在層間電介質(zhì)層122上，粘合劑層134a、134b可以形成在第二基板20和第三基板132的面對(duì)表面上。在另一實(shí)施中，可以使用直接結(jié)合而不是粘合劑。參照?qǐng)D5，應(yīng)當(dāng)注意，該結(jié)構(gòu)相對(duì)于圖4顛倒過來。如圖5和圖6所示，第一基板10可以#1部分或全部地去移。在實(shí)施中，可以將第一基板的約50%或更多的厚度去除。去除可以采用例如濕法蝕刻工藝、干法蝕刻工藝、CMP、背部磨削(backgrinding)或它們的組合來進(jìn)行。在第一基板10被完全去除的情況下，蝕刻終止層12可以用來防止過度蝕刻。在實(shí)施中，去除工藝可以繼續(xù)部分地或完全地去除蝕刻終止層12。如果蝕刻終止層12具有明顯不同于第一基板10的去除速率，去除工藝可以根據(jù)需要改變或調(diào)整。參照?qǐng)D7，濾色器結(jié)構(gòu)170、頂部平坦化層175、微透鏡結(jié)構(gòu)180以及保護(hù)層190(例如，諸如光致抗蝕劑的有機(jī)材一+或無機(jī)材津+)可以順序地形成在蝕刻終止層12上。形成#:透#:結(jié)構(gòu)180可以包括例如在頂部平坦化層175上形成有機(jī)材料圖案，然后加熱該有機(jī)材料圖案以將該有機(jī)材料圖案變成透鏡形狀。在實(shí)施(未示出)中，平坦化層可以形成在蝕刻終止層12上，且在蝕刻終止層12與濾色器結(jié)構(gòu)170之間。在蝕刻終止層12被完全去除的情況下，濾色器結(jié)構(gòu)170、頂部平坦化層175和微透鏡結(jié)構(gòu)180可以直接形成在指數(shù)匹配層24上。農(nóng)i透鏡結(jié)構(gòu)180的保護(hù)層190可以共形地形成在微透鏡結(jié)構(gòu)180上。保護(hù)層190可以是無機(jī)材料，包括例如氧化硅、氧化鈦、氧化鋯、氧化鉿或它們的組合。優(yōu)選地，低溫氧化物(LTO)可以用作保護(hù)層190。LTO是在約IO(TC到200。C的低溫形成的氧化硅，從而使用LTO可以防止對(duì)下面的層中已存在結(jié)構(gòu)的熱致?lián)p壞。此外，LTO可以形成為具有低粗糙度的非晶材料，其可以幫助減少入射光的反射、折射以及散射。通過形成保護(hù)層190以填充位于微透鏡結(jié)構(gòu)180的上表面上的空間，也可以減少入射光的反射、折射以及散射。從圖7中明顯可見，根據(jù)第一實(shí)施例的圖像傳感器可以采用使圖像傳感器倒置的操作順序來形成，使得金屬互連圖案124a、124b和柵極圖案123位于光路以外且在感光器件121的后面。在實(shí)施中，可以選擇用于金屬互連圖案124a、124b和/或柵極圖案123的尺寸、圖案和/或材料以增大反射性，使得金屬互連圖案124a、124b和柵極圖案123將光朝感光器件121反射回來，從而提高圖像傳感器的感光性。圖8A示出了根據(jù)第二實(shí)施例的圖像傳感器，其中可以形成一個(gè)或多個(gè)隔離層'a，以減少相鄰感光器件121之間的串?dāng)_。隔離層'a，可以設(shè)置在單獨(dú)的光電二極管PD之間、相鄰的單元像素之間等。應(yīng)當(dāng)注意，圖8A是在單個(gè)附圖中示出絕緣層'a，的各種實(shí)施的組合圖。應(yīng)當(dāng)理解，任何一種實(shí)施的絕緣層'a，可以單獨(dú)使用或與一個(gè)或多個(gè)其它實(shí)施的絕緣層'a，相結(jié)合。在第一實(shí)施中，隔離層al可以形成為從鄰近光電二極管PD底部的區(qū)域延伸到第二基板20的表面FS。在第二實(shí)施中，隔離層a2可以形成為與氧化層22接觸并延伸到第二基板20的表面FS。在第三實(shí)施中，隔離層a3可以形成為穿透抗反射層25或穿透抗反射層25和蝕刻終止層12,并延伸到第二基板20的表面FS。形成隔離層'a，可以包括例如用諸如氧化層、氮化物層等的絕緣材料來填充溝槽。形成隔離層'a，還可以包括例如形成金屬材料的島或離子注入。當(dāng)使用離子注入時(shí)，可以直接形成隔離層'a，，而不需要制作并填充溝槽。13更具體地，由于光以一定角度入射到背側(cè)圖像傳感器上，相鄰感光器件之間的串?dāng)_可以發(fā)生在背側(cè)傳感器中。圖8B示出了入射光的成角度的分量在產(chǎn)生串?dāng)_中的作用。參照?qǐng)D8B,光以一定的角度穿過第一透鏡(圖8B中的中間透鏡)進(jìn)入背側(cè)圖像傳感器，使得光入射到傳感器(例如光電二極管)上，該傳感器設(shè)置在第一透鏡的一側(cè)而不是直接在第一透鏡下面。如圖8B所示，背側(cè)圖像傳感器可以具有形成在基板的前側(cè)(也就是，與基板的形成有濾色器和微透鏡結(jié)構(gòu)的背側(cè)相反)的金屬互連圖案。因此，入射光的成角度的分量沒有被金屬互連圖案阻擋，并可以在相鄰相素區(qū)域中被吸收，從而產(chǎn)生串?dāng)_。因此，如圖8A所示，一個(gè)或多個(gè)隔離層'a，可以用來減少或消除串?dāng)_。圖8C-1、圖8C-2和圖8C-3示出了根據(jù)第二實(shí)施例的圖像傳感器的第一、第二和第三實(shí)施。參照?qǐng)D8C-1，多個(gè)隔離層al可以插設(shè)在相鄰單元像素等之間以防止光電二極管PD之間的串?dāng)_。隔離層al可以在形成光電二極管PD之前或之后形成。每個(gè)隔離層al可以形成為從鄰近光電二極管PD的底部的區(qū)域延伸到第二基板20的表面FS。參照?qǐng)D8C-2,多個(gè)隔離層a2可以形成為與氧化層22接觸并且延伸到第二基板20的表面FS。參照?qǐng)D8C-3，多個(gè)隔離層a3可以形成為穿透抗反射層25或者進(jìn)一步例如穿透抗反射層25和蝕刻終止層12。隔離層a3可以延伸到第二基板20的表面FS。圖8D-2(a)到圖8D-2(f)示出了在制造包括圖8C-2中結(jié)構(gòu)的圖像傳感器的方法中各階段的截面圖。參照?qǐng)D8D-2(a),多個(gè)柵極123可以形成在第二基板20的表面FS上。隔離層a2可以形成在第二基板20的區(qū)域la內(nèi)的相鄰光電二極管PD之間，柵極123可以形成在例如隔離層a2上方以與隔離層a2對(duì)齊。柵極123可以包括例如電荷轉(zhuǎn)移柵極、復(fù)位柵極、驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O等。參照?qǐng)D8D-2(b)，金屬互連圖案結(jié)構(gòu)(其可以包括層間電介質(zhì)層122和多個(gè)金屬互連圖案124a、124b)可以形成在第二基板20的區(qū)域lb中。金屬互連圖案124a、124b可以包括或者可以由鋁、銅等形成。在銅互連圖案的情況下，銅互連圖案可以包括例如單鑲嵌互連或雙鑲嵌互連。參照?qǐng)D8D-2(c),第三基板132可以例如利用粘合劑層134a、134b結(jié)合在互連結(jié)構(gòu)122、124a、124b上。例如，粘合劑層134a可以首先形成在互連結(jié)構(gòu)122、124a、124b上，然后粘合劑層134a的頂表面可以被平坦化。此外，互連結(jié)構(gòu)122、124a、124b的表面可以在其上形成粘合劑層134a之14前被平坦化。粘合劑層134b可以形成在第三基板132上，第三基板132可以通過彼此面對(duì)的兩個(gè)粘合劑層134a、134b而結(jié)合到第二基板20。在另一個(gè)示例(未示出)中，可以采用直接結(jié)合的方法，例如通過采用等離子處理來激活互連結(jié)構(gòu)122、124a、124b和第三基板132的表面，然后將激活的表面相互結(jié)合。參照?qǐng)D8D-2(d)，第一基板10、第二基板20和第三基板132的組裝可以被倒置，使得第一基板10在最上面。參照?qǐng)D8D-2(e),第一基板10可以被去除。例如，在干法或濕法蝕刻工藝、CMP工藝、背部磨削工藝(BGR)或它們的組合等中采用蝕刻終止層12作為蝕刻終止，可以去除第一基板10以暴露蝕刻終止層12。在一個(gè)實(shí)施中，可以不去除蝕刻終止層12。在另一個(gè)實(shí)施中，蝕刻終止層12可以被部分地或完全地去除。在另一個(gè)實(shí)施中，可以使第一基板10變薄而不是去除其全部，使得第一基板10的一部分保留在蝕刻終止層12上。參照?qǐng)D8D-2(f)，濾色器層結(jié)構(gòu)170、頂部平坦化層175、微透鏡結(jié)構(gòu)180等可以順序形成在蝕刻終止層12上。保護(hù)層190(例如諸如光致抗蝕劑的有機(jī)材料或無機(jī)材料)可以形成在濾色器結(jié)構(gòu)170上。保護(hù)層190可以是覆蓋頂部平坦化層175和微透鏡結(jié)構(gòu)180的共形層。在另一實(shí)施中(未示出)，蝕刻終止層12可以被完全去除，而濾色器結(jié)構(gòu)170、頂部平坦化層175、微透鏡結(jié)構(gòu)180等可以形成在指數(shù)匹配層24上。此外，底部平坦化層可以設(shè)置在濾色器結(jié)構(gòu)170下。在圖8D-2(f)示出的所得結(jié)構(gòu)中，多個(gè)柵極123和金屬互連圖案124a、124b可以用作反射板。該反射板可以反射光，使得穿透第二基板20的入射光返回到感光器件121,這可以提高圖像傳感器的感光性。圖8E-1、圖8E-2和圖8E-3示出了根據(jù)第二實(shí)施例的圖像傳感器的附加示例。參照?qǐng)D8E-1,粘合劑層13可以設(shè)置在蝕刻終止層12和抗反射層25之間。此外，在形成光電二極管PD之前或之后，隔離層cl可以插設(shè)在相鄰像素單元等之間，以防止光電二極管之間的串?dāng)_。隔離層cl可以從鄰近光電二極管PD底部的位置延伸到第二基板20的表面FS。隔離層cl可以通過用諸如氧化層、氮化物層的絕緣材料或隔離金屬材料等填充溝槽來形成，或者通過利用離子注入引入導(dǎo)電雜質(zhì)來形成。參照?qǐng)D8E-2，在根據(jù)第二實(shí)施例的圖像傳感器的另一示例中，隔離層15c2可以延伸到接觸抗反射層25。此外，如以上結(jié)合圖8E-1所描述的示例，粘合劑層13可以設(shè)置在蝕刻終止層12和抗反射層25之間。參照?qǐng)D8E-3,在根據(jù)第二實(shí)施例的圖像傳感器的另一示例中，隔離層c3可以形成為至少穿透抗反射層25、粘合劑層13以及蝕刻終止層12。圖9A示出了在制造根據(jù)第三實(shí)施例的圖像傳感器的方法中各階段的截面圖。作為參考，圖9A大體上與圖1中示出的階段相對(duì)應(yīng)。圖l中示出的且與圖9A相同的特征的細(xì)節(jié)已經(jīng)在上面描述，將不再重復(fù)。此外，上面已經(jīng)描述了隨后的工藝階段，將不再重復(fù)。參照?qǐng)D9A，用作釘扎層的淺注入層28可以鄰近第二基板20形成。淺注入層28可以設(shè)置在第二基板20的主體和氧化層22之間。淺注入層28可以進(jìn)一步減小在第二基板20和氧化層22之間的界面陷阱的濃度，使得暗電流可以被進(jìn)一步減少并且感光性可以被進(jìn)一步增強(qiáng)。在第二基板20具有p型導(dǎo)電性的情況下，淺注入層28可以通過將p型雜質(zhì)(例如硼)注入到第二基板20中來形成。可以注入高劑量的雜質(zhì)，例如以約1KeV到約5KeV的能量注入具有濃度為約1E10到約1E15原子數(shù)/cn^的硼。在一個(gè)實(shí)施中，激光退火步驟(例如淺注入層28的激光輻照)可以在離子注入之后進(jìn)行以激活淺注入層28中的雜質(zhì)。然后操作的順序可以繼續(xù)如上面圖l到圖7所描述地進(jìn)行。特別地，這里所述的操作順序提供了靈活性和熱預(yù)算，以在在第一基板10和/或第二基板20上形成熱敏結(jié)構(gòu)(例如金屬互連圖案、圖像傳感器件等)之前激活雜質(zhì)。圖9B-1、圖9B-2和圖9B-3示出了既包括第三實(shí)施例的特征又包括第二實(shí)施例的特征的圖像傳感器的示例。參照?qǐng)D9B-1，淺注入層28可以形成在第二基板20和氧化層22之間，例如采用高劑量的p型雜質(zhì)的離子注入。在實(shí)施中，雜質(zhì)可以是以約lxlO^到lxlO"原子數(shù)/cn^且以約1Kev到5Kev的能量摻入的硼。此外，圖像傳感器可以包括隔離層(例如隔離層M)以防止串?dāng)_。隔離層bl可以形成為從鄰近光電二極管PD的底部延伸到第二基板20的表面FS。隔離層bl可以插設(shè)在相鄰單元像素等之間，并可以在形成光電二極管PD之前或之后形成。在實(shí)施中，隔離層bl可以通過用諸如氧化層、氮化物層的絕緣材料或隔離金屬材料填充溝槽來形成，或者通過利用離子注入引入導(dǎo)電雜質(zhì)來形成。參照?qǐng)D9B-2，在另一示例中，隔離層b2可以形成為從淺注入層28延伸到第二基板20的表面FS。在圖9B-2中示出的其它特征與以上結(jié)合圖9B-1所述的那些特征相同。參照?qǐng)D9B-3，在另一示例中，隔離層b3可以形成為穿透淺注入層28、抗反射層25和蝕刻終止層12。隔離層b3可以延伸到第二基板20的表面FS。在圖9B-3中示出的其它特征與以上結(jié)合圖9B-1所述的那些特征相同。圖IO和圖ll示出了勢(shì)阱圖，用于說明通過在圖^f象傳感器中形成戌注入層28而獲得的有益效果。圖10示出了沒有使用淺注入層28時(shí)的情況。參照?qǐng)D10，光子bl遇到在第二基板20的表面BS處的界面陷阱可以產(chǎn)生電子，耗盡阱阻止該電子離開第二基板。在圖10中，Ev表示價(jià)帶，Ec表示導(dǎo)帶，虛線表示耗盡阱電勢(shì)。耗盡阱可以通過氧化層22中和/或在氧化層22和第二基板20之間的界面中的界面陷阱而形成在第二基板20的表面處。界面陷阱可以表現(xiàn)出類施主的特性。當(dāng)陷阱沒有凈皮電子填充時(shí)，陷阱帶正電(positivestate)。此正電荷可以吸引在第二基板20的表面附近的電子并將第二基板20中的正電荷從第二基板20的表面推向光電二極管PD。因此，耗盡阱可以形成在第二基板20的表面處。耗盡阱可以隨著界面陷阱數(shù)量的增加而變的更大。此外，耗盡阱的深度可以隨著第二基板20的摻雜程度(雜質(zhì)濃度)的降低而增大。如圖IO所示，在存在耗盡阱的情況下，當(dāng)短波長的光子bl進(jìn)入時(shí)，在第二基板20中產(chǎn)生的電荷會(huì)由于耗盡阱的電場而積累在該耗盡阱中，而不是在光電二極管PD中。因此，耗盡阱會(huì)使光電二極管(或是其它的感光器件121)的感光性降低，也就是，圖像傳感器的量子效率會(huì)被降低。圖11示出了使用淺注入層28的情況。如圖11所示，耗盡阱可以被淺注入層28消除，從而使表面電勢(shì)從耗盡阱的電勢(shì)改變了量'x，。在淺注入層28中，p型淺注入層28的空穴可以與第二基板20的表面BS的電子復(fù)合，從而變成中性狀態(tài)。當(dāng)短波長的光子bl進(jìn)入時(shí)，在第二基板20中產(chǎn)生的電荷可以因此積累在光電二極管PD(或其它的感光器件121)中，而不是在耗盡阱中。因此，包括淺注入層28可以通過減少界面陷阱的密度而提高器件性能，從而減少由耗盡阱引起的器件靈敏度的降低。而且，淺注入層28可以作為勢(shì)壘，使得不是由光輸入形成的電荷不會(huì)在光電二極管PD中積累，從而減少了暗電、、六圖12(a)-(f)示出了在制造才艮據(jù)第四實(shí)施例的圖像傳感器的方法中各階段的截面圖，其中進(jìn)行了基板解理(cleavage)。參照?qǐng)D12(a),氧化層22可以形成在第二基板20a上。氧化層22優(yōu)選為熱氧化層，該熱氧化層采用大于400。C溫度的熱氧化工藝形成到約5A至約1000A的厚度。參照?qǐng)D12(b),微腔層26可以通過使用例如氫氣、惰性氣體等的離子的離子注入而形成在第二基板20a中。離子注入可以在5E16(5x1016)原子數(shù)/cn^的水平、約100KeV的能量并在低于約350。C的溫度進(jìn)行。離子注入的深度可以在平均距離Rp處，使得該注入在將第二基板20a分成第一區(qū)域20b和第二區(qū)域20c的位置處形成孩t腔層26，第一區(qū)域20b和第二區(qū)域20c分別在微腔層26之上和之下。優(yōu)選地，孩i腔層26在形成氧化層22之后形成。這可以防止基板的分離(separation)，如果在形成微腔層26之后采用熱氧化工藝形成氧化層22可能導(dǎo)致基板的分離。具體地，熱氧化工藝可能引起微腔層26中空腔的合并，從而導(dǎo)致不必要的基板分離。參照?qǐng)D12(c)，指數(shù)匹配層24(例如氮化物層)可以形成在氧化層22上。指數(shù)匹配層24可以采用例如熱工藝形成到約50A至IOOOA的厚度。參照?qǐng)D12(d)，蝕刻終止層12可以形成在第一基板10上。優(yōu)選地，蝕刻終止層12為具有約1000A至約10000A的厚度的氧化層或熱氧化層。然后，第一基板10可以接合到第二基板20a,使得蝕刻終止層12面對(duì)指數(shù)匹配層24。參照?qǐng)D12(e)，第二基板20a可以在微腔層26處解理。例如，第二基板20a的第二區(qū)域20c可以通過熱處理(例如在約400。C到約700。C的溫度)，或通過機(jī)械力去除，留下第一區(qū)域20b?！缎粚?6的引入和第二基板20a的解理可以采用在美國專利No5994207、6391740、6221740、6645828、5374564、6020252、6225192、6809009中闡述的方法來進(jìn)行，它們的公開以引用的方式整體并入在這里并用于所有的目的。參照?qǐng)D12(f)，如果需要用于長波長的光，外延層20d可以形成在第一區(qū)域20b上。對(duì)于CMOS圖像傳感器，期望第一區(qū)域20b足夠厚以吸收某些波長的光。然而，結(jié)合圖12(b)和圖12(e)描述的離子注入和基板解理的操作僅會(huì)對(duì)產(chǎn)生在1.5,深度處的微腔層26有效，從而基板解理之后第一基板20b的厚度會(huì)僅為約1.5pm。1.5jmi的厚度會(huì)不足以吸收全部量的某些波長18的光。例如，對(duì)于具有700nm波長的紅光或更長波長的紅外(IR)光，具有3pm厚度的硅片可以吸收約50%的光。此外，在約4(im至約10^im之間的硅片厚度可以被期望來吸收大部分或全部的700nm的光(更長波長的紅外光)。應(yīng)當(dāng)理解，基板解理可以將感光器件121設(shè)置為靠近圖像傳感器的光接收面。因此，根據(jù)實(shí)施例，可以進(jìn)行處延工藝以在第二區(qū)域20b的表面上生長外延層20d(例如外延硅)，第二區(qū)域20b的表面被基板解理步驟暴露，形成。在實(shí)施中，外延層的厚度可以為約3.5(am到約4jim。然后，感光器件121可以形成在外延層上。因此，通過基板解理形成的相對(duì)薄的層20b可以被外延層20d來補(bǔ)充，使得感光器件121更遠(yuǎn)地離開圖像傳感器的光接收側(cè)。圖13(a)-(f)示出了在制造根據(jù)第五實(shí)施例的圖像傳感器的方法中各階段的截面圖，其中形成淺注入層28并利用微腔層26進(jìn)行基板解理。參照?qǐng)D13(a)和圖13(b),氧化層22可以形成在第二基板20a上，并且微腔層26可以通過離子注入形成在離第二基板20a的上表面為平均距離Rp處，以與以上結(jié)合圖12(a)和圖12(b)所述相同的方式。接著，如圖13(c)所示，淺注入層28可以形成在氧化層22之下，例如通過離子注入法以足夠的能量使淺注入層穿透氧化層22，并在氧化層22之下形成淺注入層28?？梢岳缤ㄟ^激光退火或是一些其它類型的熱操作來進(jìn)行雜質(zhì)的激活，從而激活淺注入層28中的淺注入。如上所述，在本階段進(jìn)行激活可以在沒有熱敏結(jié)構(gòu)(其可以在隨后的步驟中形成)的情況下進(jìn)行，從而可獲得用于激活的大的熱預(yù)算。在圖13(d)到圖13(e)中示出的搡作可以與以上結(jié)合圖U(c)-U(e)所述的那些搡作相同。簡要地，參照?qǐng)D13(d),指數(shù)匹配層24可以形成在氧化層22上。參照?qǐng)D13(e)，蝕刻終止層12可以形成在第一基板10上，接著第一基板10可以接合到第二基板20a，使得蝕刻終止層12面對(duì)指數(shù)匹配層24。參照?qǐng)D13(f)，第二基板20b可以在微腔層26處解理。如果需要，外延層20(5可以用以上結(jié)合圖12(f)描述的方法形成。圖14(a)-(d)示出在制造根據(jù)第六實(shí)施例的圖像傳感器的方法中各階段的截面圖，其中采用減薄操作來減小第二基板20a的厚度。參照?qǐng)DM(a),氧化層22可以用與如上所述相同的方法形成。然后，如圖14(b)所示，可以形成指數(shù)匹配層24，而沒有形成如以上結(jié)合第四實(shí)施例和第五實(shí)施例描述的微腔層26。參照?qǐng)D14(C)，蝕刻終止層12可以形成在第一基板10上。接著，第一基板10可以接合到第二基板20a，使得蝕刻終止層12面對(duì)指數(shù)匹配層24。參照?qǐng)D14(d),可以采用蝕刻或CMP工藝去除第二基板20a的一部分，從而使第二基板20a變薄。如果需要，外延層20d可以用與以上結(jié)合圖12(f)描述的方法形成。例如，在圖14(d)中，在去除部分第二基板之后，外延層可以形成在第二基板20上。圖15(a)-(d)示出了在制造根據(jù)第七實(shí)施例的圖像傳感器的方法中各階段的截面圖，其中采用兩個(gè)彼此面對(duì)的氧化層來實(shí)現(xiàn)晶片接合，這可以增強(qiáng)接合強(qiáng)度。參照?qǐng)D15(a),氧化層22可以與如上所述相同的方法形成。如果需要，微腔層26可以如上所述地形成(在圖15(a)中未示出)。參照?qǐng)D15(b),指數(shù)匹配層24可以形成在氧化層22上。在指數(shù)匹配層是氮化物層的情況下，指數(shù)匹配層24與第一基板10上氧化終止層之間的接合強(qiáng)度會(huì)弱于面對(duì)的氧化層之間的接合強(qiáng)度。因此，如圖15(b)所示，氧化層12a可以形成在指數(shù)匹配層24上以提供氧化物-氧化物接合。參照?qǐng)D15(c),氧化物的蝕刻終止層12b可以形成在第一基板IO上。接著，第一基板10可以接合到第二基板20a使得蝕刻終止層12b面對(duì)氧化層12a，兩個(gè)基板通過蝕刻終止層12b和氧化層12a之間的粘附而接合在一起。因此，可以增強(qiáng)第一基板10和第二基板20之間的接合強(qiáng)度。當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)理解，使用面對(duì)的氧化層來增強(qiáng)接合強(qiáng)度還可以結(jié)合以上描述的實(shí)施例來使用。類似地，如以上結(jié)合圖1所述，可以形成兩個(gè)相對(duì)的指凄t匹配層24,例如在氧化層22和蝕刻終止層12中的每個(gè)上的氮化層，第一基板10和第二基板20可以通過接合相對(duì)的指數(shù)匹配層24的面對(duì)表面而結(jié)合。圖16示出了根據(jù)第八實(shí)施例的圖像傳感裝置200。參照?qǐng)D16,圖像傳感裝置200可以包括例如傳感器陣列210(諸如CMOS傳感器陣列)、時(shí)序發(fā)生器220、行解碼器230、行驅(qū)動(dòng)器240、相關(guān)雙采樣器(CDS)250、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)260、鎖存器270、列解碼器280，它們可以都形成在單個(gè)的基板上(也就是，作為一個(gè)芯片)或在一個(gè)以上的基板上。當(dāng)采用一個(gè)以上的芯片或基板時(shí)，它們可以都封裝在單個(gè)封裝中。傳感器陣列210可以包括多個(gè)按二維(例如行和列)布置的單元像素，并可以用于將光圖像轉(zhuǎn)變成電輸出信號(hào)。傳感器陣列210可以接收來自行驅(qū)動(dòng)器240的多個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)(例如，行選4奪信號(hào)、復(fù)位信號(hào)、電荷轉(zhuǎn)移信號(hào)等)20來操作。傳感器陣列210可以向CDS250提供電輸出信號(hào)。時(shí)序發(fā)生器220可以向行解碼器230和列解碼器280提供時(shí)序信號(hào)和控制信號(hào)。根據(jù)來自行解碼器230的解碼結(jié)果，行驅(qū)動(dòng)器240可以向傳感器陣列210提供用于驅(qū)動(dòng)多個(gè)像素單元的多個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)。CDS250可以采樣并保持所接收的來自傳感器陣列210的電輸出信號(hào)。ADC260可以將來自CDS的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)變成數(shù)字信號(hào)。鎖存器270可以鎖存數(shù)字信號(hào)，被鎖存的信號(hào)可以根據(jù)來自解碼器280的解碼結(jié)果而被隨后輸出到圖像信號(hào)處理部分(未示出)。圖17(a)示出了根據(jù)第九實(shí)施例的包括圖像傳感器310的計(jì)算機(jī)裝置300。計(jì)算機(jī)裝置300可以使用在例如移動(dòng)系統(tǒng)中，諸如個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)寫字板(wabtablet)、攝像機(jī)或照相機(jī)、移動(dòng)電話、便攜式媒體播放器(PMP)、網(wǎng)絡(luò)攝像頭、光學(xué)傳感器等。在圖17(b)中示出了示例的移動(dòng)電話，其中^f艮據(jù)實(shí)施例的圖^^傳感器452^L結(jié)合在手才幾450中。參照?qǐng)D17(a)，計(jì)算機(jī)裝置可以包括CPU320(例如微處理器)，CPU320可以通過總線305與1/0元件330(例如小鍵盤、鍵盤、顯示器、觸摸裝置等)通訊。圖像傳感器310還可以通過總線305與計(jì)算機(jī)的CPU320通訊。在實(shí)施中，圖像傳感器310可以與CPU320、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、存儲(chǔ)器等集成。計(jì)算機(jī)300還可以包括諸如RAM340的存儲(chǔ)器以及外部接口360,RAM340和外部接口360可以每個(gè)都經(jīng)由總線305與CPU320通訊。外部接口360可以將顯卡、聲卡、存儲(chǔ)卡、IEEE1394或通用串行總線(USB)設(shè)備等連接到計(jì)算機(jī)裝置300。圖18示出了根據(jù)第十實(shí)施例的攝像裝置400。參照?qǐng)D18，攝像裝置400可以包括CMOS圖像傳感器封裝410，CMOS圖像傳感器封裝410包括根據(jù)上述實(shí)施例形成的圖像傳感器413。圖像傳感器413可以安裝在電路基板411上并可以經(jīng)由焊線(bondingwire)電耦接到電路基板411。外殼可以附著到基板411以保護(hù)基板411和圖像傳感器413。外殼還可以形成將光導(dǎo)向圖像傳感器413的光學(xué)系統(tǒng)420的一部分。例如，外殼可以具有圓柱部分421(光例如光學(xué)圖像從其通過)、透光的保護(hù)蓋422、濾色器423(例如，用來過濾光的紅外光部分)、透鏡424、反射阻止膜423等。圖19示出了根據(jù)第十一實(shí)施例的攝像裝置500。參照?qǐng)D19,攝像裝置21500可以包括圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)501、基板560(例如印刷電路板)以及圖像傳感器芯片570。圖像傳感器芯片570可以是根據(jù)實(shí)施例的CIS芯片。圖像傳感器芯片570可以安裝到基板560，并可以通過通孔電極572電連接到基板560。攝像裝置還可以包括例如第一透鏡520、第二透鏡540、互補(bǔ)透鏡組件和/或空氣間隙526和527、支撐構(gòu)件505和525、光圏545、透明基板510和530以及保護(hù)性透明構(gòu)件550(例如玻璃構(gòu)件)，保護(hù)性透明構(gòu)件550可以密封由圖像傳感器芯片570所占據(jù)的區(qū)域。示例性實(shí)施例已經(jīng)在這里公開，盡管使用了特定的術(shù)語，但它們僅以通常的和描述的意義來使用并解釋，而不是為了限制的目的。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在形式和細(xì)節(jié)上做出各種變化而不脫離本發(fā)明的精神和范圍，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書闡述。在2008年7月3日提交到韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局且名稱為"圖像傳感裝置及其制造方法、包括該圖像傳感器的裝置及其制造方法、用于圖像傳感器的基板及其制造方法，，的韓國專利申請(qǐng)No.2008-0064204以及在2008年10月29曰提交到韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局且名稱為"圖像傳感器及其制造方法"的韓國專利申請(qǐng)No.2008-權(quán)利要求1.一種制造互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器的方法，該方法包括形成基板結(jié)構(gòu)，該基板結(jié)構(gòu)包括第一基板、第二基板以及在所述第一基板與所述第二基板之間的氧化層和含氮的指數(shù)匹配層；在所述第二基板中形成至少一個(gè)感光器件；在形成所述基板結(jié)構(gòu)之后，在所述第二基板的第一表面上形成金屬互連結(jié)構(gòu)，所述第一表面朝向遠(yuǎn)離所述第一基板，使得所述至少一個(gè)感光器件在所述金屬互連結(jié)構(gòu)與所述指數(shù)匹配層和所述氧化層之間，所述金屬互連結(jié)構(gòu)電連接到所述至少一個(gè)感光器件。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氧化層通過熱氧化所述第二基板的面對(duì)所述第一表面的第二表面而形成，并且所述氧化層形成在所述指數(shù)匹配層和所述第二基板之間。3.如權(quán)利要求2所述的方法，還包括在所述第二基板中形成淺注入層，使得所述淺注入層在所述第二基板的主體和所迷氧化層之間。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中形成所述淺注入層包括將p型摻雜劑的離子注入到所述第二基板中并熱激活被注入的離子。5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述指數(shù)匹配層由氮化硅層形成，并且形成所述基板結(jié)構(gòu)還包括在所述氮化硅層上形成接合氧化層，該接合氧化層與所述第一基板接觸。6.如權(quán)利要求5所述的方法，形成所述基板結(jié)構(gòu)還包括，在將所述第一基板和所述第二基板接合在一起之后且在形成所述至少一個(gè)感光器件之前，去除所述第二基板的一部分以使所述第二基板減薄約50%或更多。7.如權(quán)利要求5所述的方法，形成所述基板結(jié)構(gòu)還包括在將所述第一基板和所述第二基板接合在一起之前，在所述第二基板中離所述氧化層預(yù)定距離處形成^:腔層，將所述第一基板和所述第二基板接合在一起，去除所述第二基板的一部分到所述微腔層的深度。8.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括，在去除所述第二基板的一部分到所述微腔層的深度之后，在所述第二基板上形成外延層，其中所述至少一個(gè)感光器件在形成所述外延層之后形成。9.如權(quán)利要求7所述的方法，形成所述基板結(jié)構(gòu)還包括在形成所述氧化層和所述微腔層之后，在所述第二基板中形成淺注入層，所述淺注入層在所述氧化層和所述微腔層之間形成。10.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述指數(shù)匹配層由氮化硅層形成。11.如權(quán)利要求IO所述的方法，其中所述氧化層和所述指數(shù)匹配層形成抗反射層。12.如一又利要求2所述的方法，還包括在所述第二基板中形成相鄰的感光器件；以及在所述相鄰的感光器件之間形成隔離層，所述隔離層形成為從所述第二基板的所述第一表面延伸到足夠的深度以阻止每個(gè)所述相鄰的感光器件之間的光學(xué)串?dāng)_。13.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括，在形成所述金屬互連結(jié)構(gòu)之后，將所述第一基板的厚度減少約50%或更多。14.如權(quán)利要求13所述的方法，形成所述基板結(jié)構(gòu)包括在所述第一基板和所述指數(shù)匹配層之間形成蝕刻終止層。15.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括在形成金屬互連結(jié)構(gòu)之后且在將所述第一基板的厚度減少約50%或更多之前，將第三基板接合到所述第二基板的所述第一表面。16.—種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖^f象傳感器，包括基板，在該基板的第二表面處具有熱氧化層；在所述基板中的至少一個(gè)感光器件；以及在所述基板的第一表面上的金屬互連結(jié)構(gòu)，所述第一表面與所述第二表面相反，使得所述至少一個(gè)感光器件在所述金屬互連結(jié)構(gòu)和所述熱氧化層之間，所述金屬互連結(jié)構(gòu)電連接到所述至少一個(gè)感光器件。17.如權(quán)利要求16所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器，還包括在所述熱氧化層上的含氮的指數(shù)匹配層，其中所述熱氧化層與所述基板的所述第二表面鄰接，使得所述熱氧化層在所述指數(shù)匹配層與所述至少一個(gè)感光器件之間。18.如權(quán)利要求17所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器，其中所述指數(shù)匹配層為氮化硅層，所述熱氧化層在所述氮化硅層和所述至少一個(gè)感光器件之間。19.如權(quán)利要求16所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器，還包括在所述基板中的淺注入層，所述淺注入層在所述熱氧化層和所述基板的主體之間。20.如權(quán)利要求19所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器，其中所述淺注入層是含硼的層。21.如權(quán)利要求16所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器，還包括在所述熱氧化層上的蝕刻終止層。22.如權(quán)利要求16所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器，還包括在所述金屬互連結(jié)構(gòu)上的另一基板，使得所述金屬互連結(jié)構(gòu)在所述基板和所述另一基板之間。23.如權(quán)利要求22所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器，其中氧化層在金屬互連結(jié)構(gòu)上，相對(duì)氧化層在所述另一基板上，并且所述氧化層和所述相對(duì)氧化層彼此直接接觸。24.如權(quán)利要求17所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器，其中相鄰的感光器件在所述基板中，隔離結(jié)構(gòu)在所述相鄰的感光器件之間，并且所述隔離結(jié)構(gòu)從所述基板的所述第一表面延伸到足夠的深度以阻止每個(gè)所述相鄰的感光器件之間的光學(xué)串?dāng)_。25.如權(quán)利要求24所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器，其中所述隔離結(jié)構(gòu)從所述基板的所述第一表面延伸到所述熱氧化層，并且所述隔離結(jié)構(gòu)并不穿透所述熱氧化層。26.如權(quán)利要求24所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器，其中所述指數(shù)匹配層是氮化硅層，并且所述隔離結(jié)構(gòu)從所述第一表面延伸并穿透所述氮化硅層。27.—種制造互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器的方法，所述方法包括在基板的第二表面處形成熱氧化層；在所述基板中形成至少一個(gè)感光器件；以及在所述基板的第一表面上形成金屬互連結(jié)構(gòu)，所述第一表面與所述第二表面相反，使得所述至少一個(gè)感光器件在所述金屬互連結(jié)構(gòu)和所述熱氧化層之間，所述金屬互連結(jié)構(gòu)電連接到所述至少一個(gè)感光器件。全文摘要本發(fā)明提供了一種圖像傳感器及其制造方法。制造CMOS圖像傳感器的方法包括形成基板結(jié)構(gòu)，該基板結(jié)構(gòu)包括第一基板、第二基板以及在第一基板和第二基板之間的氧化層和含氮的指數(shù)匹配層；在第二基板中形成至少一個(gè)感光器件；以及在形成基板結(jié)構(gòu)之后，在第二基板的第一表面上形成金屬互連結(jié)構(gòu)，第一表面朝向遠(yuǎn)離第一基板，使得至少一個(gè)感光器件在金屬互連結(jié)構(gòu)與指數(shù)匹配層和氧化層之間，金屬互連結(jié)構(gòu)電連接到至少一個(gè)感光器件。文檔編號(hào)H01L21/02GK101667547SQ20091020571公開日2010年3月10日申請(qǐng)日期2009年7月3日優(yōu)先權(quán)日2008年7月3日發(fā)明者樸炳俊,金相熙申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社