專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。更具體地，本發(fā)明涉 及一種包括觸摸面板的OLED顯示器。
背景技術(shù)：
典型的OLED顯示器包括具有空穴注入電極的多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管、有 機(jī)發(fā)光層和電子注入電極。隨著激子的產(chǎn)生而發(fā)射光。隨著電子和空穴結(jié)合 產(chǎn)生激子，并且激子從激發(fā)態(tài)下降到基態(tài)。OLED顯示器通過使用這些激子 產(chǎn)生的光來顯示圖像。
因此，OLED顯示器具有自發(fā)光的特性，并且與液晶顯示器(LCD)不 同的是，由于不需要單獨(dú)的光源，因此OLED顯示器的厚度和重量可以減小。 此外，因?yàn)镺LED顯示器具有低功耗、高亮度和高反應(yīng)速度，所以O(shè)LED顯 示器在各種應(yīng)用中(例如移動(dòng)電子裝置中的顯示器)被使用。此外，具有觸 摸面板的OLED顯示器已經(jīng)變得廣泛使用。
然而，OLED顯示器中的空穴注入電極和電子注入電極以及一些其他的 金屬布線可以反射來自外部的光。這種反射會使OLED的顯示特性(例如黑 色的呈現(xiàn)和對比度)劣化。
為了補(bǔ)償外部光的反射， 一些已知的OLED顯示器采用偏振板和相位延 遲板來抑制反射光。然而，在傳統(tǒng)的OLED中，偏振板和相位延遲板的使用 可以引起在OLED的有機(jī)發(fā)光層中產(chǎn)生的光的相當(dāng)多的損失。此外，在傳統(tǒng) 的OLED中，偏振板和相位延遲板的使用可能使OLED裝置過于厚，并且不 適合具有觸摸面板時(shí)的使用。
在背景技術(shù)部分公開的上述信息只為增加對本發(fā)明背景的理解，因此它 們可能包含在這個(gè)國家對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說已知的、不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的 信息
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例提供了一種通過抑制外部光(例如環(huán)境光)的反射
而具有改善的可視性的OLED顯示器。此外，本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例可以提供 具有適合的厚度的OLED顯示器，所述顯示器用于具有觸摸面板時(shí)的使用。
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了 一種OLED顯示器，所述OLED顯示器包 括基板構(gòu)件；OLED，包括在基板構(gòu)件上形成的像素電極、在像素電極上形 成的有機(jī)發(fā)光層和在有機(jī)發(fā)光層上形成的透反射式共電極；包封薄膜，在透 反射式共電極上形成；觸摸面板，包括第一觸摸導(dǎo)電層、玻璃基板和第二觸
摸導(dǎo)電層，所述第一觸摸導(dǎo)電層在包封薄膜上形成并且由透反射金屬膜形成， 玻璃基板在第 一觸摸導(dǎo)電層上形成，第二觸摸導(dǎo)電層在玻璃基板上形成。
透反射式共電極的反射率可以低于50%。透反射式共電極可以由包括鎂 (Mg)和銀(Ag)中的至少一種的共沉積材料制成。此外，在OLED顯示 器中，透反射式共電極可以由鎂(Mg)、銀(Ag)、 4丐(Ca)、鋰(Li)和鋁 (Al)中的至少一種的金屬膜形成。
包封薄膜的平均折射率可以等于1.6或者大于1.6。包封薄膜的厚度可以 在400A-1300A的范圍內(nèi)。包封薄膜可以通過交替地堆疊多個(gè)有機(jī)膜和無機(jī) 膜形成。
第一觸摸導(dǎo)電層的厚度可以在50A-150A的范圍內(nèi)。第一觸摸導(dǎo)電層可 以包含鎂(Mg)、銀(Ag)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)和鋁(Al)中的任 意一種。包封薄膜的表面可以分別與透反射式共電極和第一觸摸導(dǎo)電層緊密接觸。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的OLED顯示器的布局圖。 圖2是沿圖1中的線II-II截取的OLED顯示器的剖視圖。 圖3是圖2中的虛線圓的放大剖一見圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照附圖描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。 本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到，在均不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，所 描述的實(shí)施例可以以多種不同的方式進(jìn)行修改。參照一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例來典 型地描述具有相同構(gòu)造的組成元件。于是，其他示例性實(shí)施例可以通過參照
4實(shí)施例之間的各種不同之處而被描述。
附圖和描述實(shí)質(zhì)上是示例性而非限制性的。相同的標(biāo)號在整個(gè)說明書中 始終表示相同的元件。
在附圖中，為了清楚起見，可能夸大了層、膜、板及區(qū)域等的厚度。此 外，在附圖中提供各元件的尺寸和厚度以更好地理解和易于描述各個(gè)實(shí)施例， 附圖中的各元件的尺寸和厚度并非意圖限制本發(fā)明。例如，應(yīng)該理解的是， 當(dāng)元件(例如層、膜、區(qū)域或者基板)被稱作"在"另一元件"上"時(shí)，該 元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在中間元件。當(dāng)元件被稱作"直 接在"另一元件"上"時(shí)，不存在中間元件。
在附圖中，示出了有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。為了說明起見，有 源矩陣(AM)型OLED顯示器被示出，為2Tr-lCap結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中兩個(gè) 薄膜晶體管(TFT)和一個(gè)電容器形成在一個(gè)像素中。但是，本發(fā)明的實(shí)施 例并不局限于此。符合本發(fā)明的其他OLED顯示器實(shí)施例可以具有不同的結(jié) 構(gòu)。例如，三個(gè)或三個(gè)以上TFT和兩個(gè)或兩個(gè)以上的電容器可以設(shè)置在OLED 顯示器的一個(gè)像素中，并且還可以在OLED顯示器中設(shè)置單獨(dú)的布線。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會認(rèn)識到，術(shù)語"像素，，可以指用于顯示圖像的最 小單元。OLED顯示器通過使用多個(gè)像素來顯示圖像，并且因此具有多個(gè)像 素區(qū)域。
現(xiàn)在將參照圖1至圖3來描述本發(fā)明的實(shí)施例。如圖1所示，OLED顯 示器IOO可以在一個(gè)像素中包括開關(guān)TFTIO、驅(qū)動(dòng)TFT20、有機(jī)發(fā)光二極管 (OLED) 70和電容器80。 OLED顯示器IOO還包括柵極線151，沿一個(gè) 方向設(shè)置；數(shù)據(jù)線171,與柵極線151絕緣并與之交叉；共功率線172。在所 示出的示例中，可以通過柵極線151、數(shù)據(jù)線171和共功率線172來限定一 個(gè)像素的邊界。此外，OLED顯示器100還包括包封薄膜800 (如圖2所示) 和觸摸面板90 (如圖2所示)。
通常，開關(guān)TFT10通過施加到柵極線151的柵極電壓來操作。開關(guān)TFT 10將施加到凄t據(jù)線171的數(shù)據(jù)電壓傳遞到驅(qū)動(dòng)TFT20。電容器80存儲電壓， 所述電壓等于從共功率線172施加到驅(qū)動(dòng)TFT 20的共電壓和從開關(guān)TFT 10 傳遞的數(shù)據(jù)電壓之間的差。通過驅(qū)動(dòng)TFT 20,電流A/v電容器80流到OLED 70， 這就使得OLED 70發(fā)光?，F(xiàn)在將對這些組件中的一些做進(jìn)一步描述。
開關(guān)TFT 10包括開關(guān)半導(dǎo)體層131、開關(guān)柵電極152、開關(guān)源電極173和開關(guān)漏電極174。開關(guān)TFT10被用作開關(guān)以選擇像素來發(fā)光。開關(guān)柵電極 152連接到柵極線151。開關(guān)源電極173連接到數(shù)據(jù)線171。開關(guān)漏電極174 與開關(guān)源電極173分開，并且連接到第一維持電極158。
驅(qū)動(dòng)TFT 20將驅(qū)動(dòng)功率施加到像素電極710,并且使OLED 70的有機(jī)發(fā) 光層720在所選的像素內(nèi)向像素電極710發(fā)光。驅(qū)動(dòng)TFT 20包括驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體 層132、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹?及155、驅(qū)動(dòng)源電極176和驅(qū)動(dòng)漏電極177。驅(qū)動(dòng)4冊電極155 連接到第一維持電極158。驅(qū)動(dòng)源電極176和第二維持電極178均連接到共 功率線172。驅(qū)動(dòng)漏電極177通過接觸孔182連接到OLED 70的像素電極710。
OLED 70包括像素電極710;有機(jī)發(fā)光層720,形成在像素電極710 上；透反射式共電極730 (如圖2所示)，形成在有機(jī)發(fā)光層720上。在這里， 像素電極710是正(+ )電極，是空穴注入電極。透反射式共電極730是負(fù) (-)電極，是電子注入電極。然而，本發(fā)明并不局限于此。例如，像素電 極710可以是陰極，透反射式共電極730可以是陽極。
空穴和電子分別從像素電極710和透反射式共電極730注入到有機(jī)發(fā)光 層720中。當(dāng)注入的空穴和電子結(jié)合時(shí)產(chǎn)生激子，并且激子從激發(fā)態(tài)下降到 基態(tài)。于是，當(dāng)激子產(chǎn)生時(shí)而發(fā)射光。
電容器80包括第一維持電極158和第二維持電極178，并且具有置于兩 維持電極之間的柵極絕緣層140 (如圖2所示)。
現(xiàn)在將參照圖2來進(jìn)一步描述OLED顯示器100的結(jié)構(gòu)。如圖2所示， OLED顯示器100包括驅(qū)動(dòng)TFT20、 OLED 70和電容器80，并且還包括包封 薄膜800和觸摸面板90。在所示實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)TFT 20是具有PMOS結(jié)構(gòu) 并且使用P-型雜質(zhì)的TFT。然而，本發(fā)明并不局限于此。例如，TFT20也 可以是NMOS結(jié)構(gòu)的TFT或者CMOS結(jié)構(gòu)的TFT。
此外，在圖2中示出的驅(qū)動(dòng)TFT20是包括多晶硅膜的多晶TFT。所述開 關(guān)TFT 10 (圖2中未示出)可以是多晶TFT或者具有非晶硅膜的非晶TFT。 開關(guān)TFT 10和驅(qū)動(dòng)TFT 20之間的其他一些不同之處從附圖中會是清楚的。
在驅(qū)動(dòng)TFT20中，基板構(gòu)件110用玻璃、石英、陶瓷、塑料等組成的絕 緣基板形成。然而，本發(fā)明并不局限于此。例如，基板構(gòu)件110可以由金屬 基板(如不銹鋼)形成。
緩沖層120在基板構(gòu)件IIO上形成。緩沖層120可以防 雜質(zhì)滲透到基 板構(gòu)件110中，并且可以提供平坦化表面(planarization surface )。緩沖層120可以由能夠執(zhí)行這些功能的各種材料制成。例如，緩沖層120可以包含氮化
硅(SiNx)膜、氧化硅(Si02)膜和氮氧化硅(SiOxNy)膜中的任意一種。緩 沖層120并非總是必要的，因此，可以根據(jù)所使用的基板構(gòu)件110的類型和 工藝條件，在一些實(shí)施例中省略120。
驅(qū)動(dòng)TFT20還包括驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層132、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹?及155、驅(qū)動(dòng)源電極176 和驅(qū)動(dòng)漏電極177。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到，驅(qū)動(dòng)TFT20的構(gòu)造并不局 限于所描述的示例，而是可以以不同方式改變?yōu)槠渌麡?gòu)造。
驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層132在緩沖層120上形成。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層132用多晶硅膜 形成。此外，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層132包括沒有摻雜雜質(zhì)的溝道區(qū)域135?？梢栽?溝道區(qū)域135的兩側(cè)摻雜P+型雜質(zhì)形成源極區(qū)域136和漏極區(qū)域137。摻雜 的離子材料可以是P-型雜質(zhì)，如硼(B)材料(例如B2He)。可以根據(jù)所使 用的TFT的類型來采用不同的雜質(zhì)。
由氮化硅(SiNx)或氧化硅(Si02)制成的柵極絕緣層140在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo) 體層132上形成。包括驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155的柵極布線在柵極絕緣層140上形成。 柵極布線還包括柵極線151 (如圖l所示)、第一維持電極158和其他布線。 驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155形成為與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層132的至少一部分(具體地講，是溝 道區(qū)域135)疊置。
用于覆蓋驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155的層間絕緣層160在柵極絕緣層140上形成。 柵極絕緣層140和層間絕緣層160具有通孔，所述通孔用來暴露驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體 層132的源極區(qū)域136和漏極區(qū)域137。如柵極絕緣層140，層間絕緣層160 由氮化硅(SiNx)或氧化硅(Si02)等制成。
數(shù)據(jù)步線在層間絕緣層160上形成，并且包括驅(qū)動(dòng)源電極176和驅(qū)動(dòng)漏 電極177。所述數(shù)據(jù)布線還包括數(shù)據(jù)線171 (如圖1所示)、共功率線172、 第二維持電極178和其他導(dǎo)線。驅(qū)動(dòng)源電極176和驅(qū)動(dòng)漏電極177通過通孔 分別連接到驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層132的源極區(qū)域136和漏極區(qū)域137。
用來覆蓋數(shù)據(jù)布線172、 176、 177和178的平坦化層180在層間絕緣層 160上形成。平坦化層180執(zhí)行去除臺階和平坦化的功能，以提高將要形成 在其上的OLED70的發(fā)光效率。此外，平坦化層180具有用來暴露驅(qū)動(dòng)漏電 極177的一部分的4妻觸孔182。
平坦化層180可以由聚丙烯酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹 脂、聚酰亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂和苯并環(huán)丁烯(BCB)中的至少一種制成。
OLED 70的像素電極710在平坦化層180上形成。像素電極710通過平 坦化層180的接觸孔182連接到驅(qū)動(dòng)漏電極177。
此外，像素限定層190在平坦化層180上形成，所述像素限定層190具 有用來暴露像素電極710的開口。像素限定層190可以由樹脂(例如聚丙烯 酸酯樹脂和聚酰亞胺樹脂)制成，或者由硅基無機(jī)材料制成。像素電極710 被設(shè)置成對應(yīng)于像素限定層190的開口。因此，形成有像素限定層190的部 分基本上等價(jià)于除形成有像素電極710的部分之外的剩余部分。
OLED 70可以由像素電極710、有機(jī)發(fā)光層720和透反射式共電極730 形成。有機(jī)發(fā)光層720在像素電極710上形成。透反射式共電極730在有機(jī) 發(fā)光層720上形成。
有機(jī)發(fā)光層720由低分子有機(jī)材料或者高分子有機(jī)材料制成。有機(jī)發(fā)光 層720可以包括多層。例如，有機(jī)發(fā)光層720可以包括空穴注入層(HIL)、 空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)。 HIL 設(shè)置在作為陽極的像素電極710上。之后，HTL、發(fā)射層、ETL和EIL可以 順序地堆疊在HIL上。
OLED顯示器100可以是前部發(fā)光類型。因此，像素電極710可以由例 如鋰(Li)、鈣(Ca)、氣化鋰/4丐(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、 銀(Ag)、鎂(Mg)或金(Au)的反射導(dǎo)電材料制成。然而，像素電極710 可以包括其他類型的層，所述層包括透明導(dǎo)電層、反射層或透反射材料。
在一個(gè)實(shí)施例中，透反射式共電極730的反射率可以低于50%。任何具 有低于50%的反射率并且透反射光的材料都可以用作透反射式共電極730。
包封薄膜800在透反射式共電極730上形成。包封薄膜800起到保護(hù)件 的作用，并且從外部將TFT 20和OLED 70覆蓋并密封起來。包封薄膜800 的平均折射率等于或者高于1.6并且包封薄膜800的厚度在400A-1300A的范 圍內(nèi)。此外，如圖3所示，包封薄膜800可以包括被交替地堆疊的多個(gè)有機(jī) 膜820和無機(jī)膜810。
現(xiàn)在將參照圖3，圖3是圖2中的虛線圈的》文大剖;f見圖。如圖3所示， 有機(jī)膜820可以由聚合物制成，并且無機(jī)膜可以由氧化鋁(A1203 )制成。通 過這種構(gòu)造，包封薄膜800可以穩(wěn)定地覆蓋OLED70，同時(shí)具有相對薄的厚 度tl。
8第一觸摸導(dǎo)電層930、觸摸玻璃基板910和第二觸摸導(dǎo)電層920順序地 在包封薄膜800上形成。在此，第一觸摸導(dǎo)電層930、觸摸玻璃基板910和 第二觸摸導(dǎo)電層920形成觸摸面板90。
在一些實(shí)施例中，觸摸面板90使用電容方法。觸摸面板90是這樣形成 的，即通過將透明的特殊導(dǎo)電金屬涂覆在觸摸玻璃基板910的兩個(gè)表面上， 并且形成第一觸摸導(dǎo)電層930和第二觸摸導(dǎo)電層920。如果電壓施加到觸摸 面板90的四個(gè)角，則高頻率分布在觸摸面板90的表面上。當(dāng)觸摸面板90被 觸摸時(shí)，控制器分析變化了的高頻率波形并且識別觸摸點(diǎn)的位置。
第一觸摸導(dǎo)電層930包含鎂(Mg)、銀(Ag)、釣(Ca)、鋰(Li )、鉻(Cr) 和4呂(Al)中的任意一種。此外，第一觸摸導(dǎo)電層930的厚度t2可以在50A-150A 的范圍內(nèi)。
在這樣的構(gòu)造中，包封薄膜800的兩個(gè)表面分別與透反射式共電極730 和第一觸摸導(dǎo)電層930極其接近。這種界面的接近可能是足夠得緊以致于在 包封薄膜800、透反射式共電極730和第一觸摸導(dǎo)電層930之間基本上不存 在空氣。因此，透反射式共電極730、包封薄膜800和第一觸摸導(dǎo)電層930 還可以用于抑制外部光的反射。
現(xiàn)在將進(jìn)一步描述這些組件可以何種方式抑制外部光的反射。首先，當(dāng) 外部光穿過觸摸面板90時(shí)， 一些光從第一觸摸導(dǎo)電層930被反射回裝置的外 部。然而， 一些光可能經(jīng)由包封薄膜800而朝著透反射式共電極730前進(jìn)。
如上所述，因?yàn)橥阜瓷涫焦搽姌O730的反射率低于50%,所以一些注入 的光被再次反射到第一觸摸導(dǎo)電層930。 一些光在穿過第一觸摸導(dǎo)電層930 后被發(fā)射回外部。剩余的部分再次被反射，并且朝著透反射式共電極730前 進(jìn)。因此，這樣利用其間設(shè)置有包封薄膜800的透反射式共電極730和第一 觸摸導(dǎo)電層930之間的反射引起外部光的循環(huán)。
在此循環(huán)中，發(fā)生相消干涉并且最終使光消散。因此，在一些實(shí)施例中， 包封薄膜800的平均折射率大于或者等于1.6并且包封薄膜800的厚度tl在 400A-1300A的范圍。然而，利用其他構(gòu)造可以發(fā)生光的相消干涉。
等式1可以有助于解釋在多個(gè)實(shí)施例中采用的反射光的相消干涉的原 理。具體地將，等式l可以表示為
d = V4Ndcos9
其中，"d"是兩個(gè)反射表面之間的距離，即包封薄膜的厚度；"N"是包封薄膜的折射率；
"e"是光的入射角；以及
"入"是反射光的波長。
例如，假設(shè)是綠色可見光的波長和30 °至45 。的入射角，等式1的應(yīng)用表 明，在400A-1300A范圍內(nèi)的包封薄膜的厚度tl可以是促進(jìn)光的相消干 涉的有效厚度。
此外，第一觸摸導(dǎo)電層930的厚度t2被設(shè)置成有效地透反射光。例如， 通過將透反射式共電極730、包封薄膜800和第一觸摸導(dǎo)電層930緊密地設(shè) 置，可以基本上抑制外部光的反射。因此，OLED顯示器100可以具有改善 的可視性。
此外，包封薄膜800可以以相對薄的厚度tl來形成，并且可以避免使用 傳統(tǒng)用來抑制外部光反射的偏振板和相位延遲板。因此，由于可以省略這些 組件，所以即使OLED顯示器100包括觸摸面板90，也可以減小OLED顯示 器100的厚度。
在一些實(shí)施例中，透反射式共電極730由共沉積材料制成，所述共沉積 材料包括鎂(Mg)和銀(Ag)中的至少一種。所以使用這些材料以增加對反 射的外部光的抑制。
在其他一些實(shí)施例中，由鎂(Mg )、 4艮(Ag )、 4丐(Ca )、鋰(Li)和鋁 (Al)中的至少一種的金屬膜形成透反射式共電極730。即，透反射式共電 極730可以由一種金屬膜形成，并且可以以具有多種金屬膜的堆疊的結(jié)構(gòu)形 成。可以使用這種構(gòu)造以增加對反射的外部光的抑制。
盡管已經(jīng)結(jié)合目前被認(rèn)為是實(shí)用的示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng) 該清楚，本發(fā)明并不局限于公開的實(shí)施例，而是與此相反，本發(fā)明意圖覆蓋 所附權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括基板構(gòu)件；有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括在基板構(gòu)件上形成的像素電極、在像素電極上形成的有機(jī)發(fā)光層和在有機(jī)發(fā)光層上形成的透反射式共電極；包封薄膜，在透反射式共電極上形成；觸摸面板，所述觸摸面板包括第一觸摸導(dǎo)電層、玻璃基板和第二觸摸導(dǎo)電層，所述第一觸摸導(dǎo)電層在包封薄膜上形成并且由透反射金屬膜形成，玻璃基板在第一觸摸導(dǎo)電層上形成，第二觸摸導(dǎo)電層在玻璃基板上形成。
2、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，透反射式共電極 的反射率低于50%。
3、 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，包封薄膜的平均 折射率等于1.6或者大于1.6。
4、 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，包封薄膜的厚度 在400A-1300A的范圍內(nèi)。
5、 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，包封薄膜通過交 替地堆疊多個(gè)有機(jī)膜和無機(jī)膜形成。
6、 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，第一觸摸導(dǎo)電層 的厚度在50A -150A的范圍內(nèi)。
7、 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，第一觸摸導(dǎo)電層 包含鎂、銀、鈣、鋰、鉻和鋁中的任意一種。
8、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，包封薄膜的兩個(gè) 表面分別與透反射式共電極和第 一觸摸導(dǎo)電層緊密接觸。
9、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，觸摸面板以電容 方法形成。
10、 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，透反射式共電 極由包括4美和銀中的至少一種的共沉積材料制成。
11、 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，透反射式共電 極由鎂、銀、鈣、鋰和鋁中的至少一種的金屬膜形成。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。OLED顯示器包括基板構(gòu)件；OLED，包括在基板構(gòu)件上形成的像素電極、在像素電極上形成的有機(jī)發(fā)光層和在有機(jī)發(fā)光層上形成的透反射式共電極；包封薄膜，在透反射式共電極上形成；觸摸面板，包括第一觸摸導(dǎo)電層、玻璃基板和第二觸摸導(dǎo)電層，第一觸摸導(dǎo)電層在包封薄膜上形成并且由透反射金屬膜形成，玻璃基板在第一觸摸導(dǎo)電層上形成，第二觸摸導(dǎo)電層在玻璃基板上形成。在一些實(shí)施例中，透反射式共電極的反射率低于50％。一些外部光因而被再次反射到第一觸摸導(dǎo)電層，并被反射回透反射式共電極等。在這個(gè)循環(huán)中，發(fā)生相消干涉并且循環(huán)的光最終消散。因而，抑制了不需要的反射光。
文檔編號H01L27/32GK101661949SQ20091016526
公開日2010年3月3日 申請日期2009年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月26日
發(fā)明者丁喜星, 樸順龍, 李柱華, 田熙喆, 鄭又碩, 鄭哲宇, 郭魯敏, 金恩雅 申請人:三星移動(dòng)顯示器株式會社