專利名稱：具有電磁干擾防護(hù)體的半導(dǎo)體封裝件及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其形成方法，且特別是有關(guān)于一種具有電
》茲干4尤防護(hù)體(electromagnetic interference shielding)的半導(dǎo)體去t裝4牛及其形成方法。
背景技術(shù)：
受到提升工藝速度及尺寸縮小化的需求，半導(dǎo)體組件變得甚復(fù)雜。當(dāng)工藝速度 的提升及小尺寸的效益明顯增加時(shí)，半導(dǎo)體組件的特性也出現(xiàn)問題。特別是指，較 高的工作時(shí)脈(clock speed)在信號(hào)電平(signal level)之間導(dǎo)致更頻繁的轉(zhuǎn)態(tài) (transition ),因而導(dǎo)致在高頻下或短波下的較高強(qiáng)度的電磁放射(electromagnetic emission)。電磁放射可以從半導(dǎo)體組件及鄰近的半導(dǎo)體組件開始輻射。假如鄰近 的半導(dǎo)體組件的電磁放射的強(qiáng)度較高，此電磁放射負(fù)面地影響半導(dǎo)體組件的運(yùn)作， 請(qǐng)參考與電磁干擾(electromagnetic interference, EMI)有關(guān)的資料。若整個(gè)電子系統(tǒng) 內(nèi)具有高密度分布的半導(dǎo)體組件，則半導(dǎo)體組件之間的電磁干擾更顯嚴(yán)重。
一種降低EMI的方法是，將一組半導(dǎo)體封裝件內(nèi)的半導(dǎo)體組件屏蔽(shield) 起來。特別一提的是，由電子傳導(dǎo)殼體或蓋體與半導(dǎo)體封裝件以外部接地的方式來 完成屏蔽。當(dāng)來自于半導(dǎo)體封裝件內(nèi)部的電磁放射作用在殼體的內(nèi)表面時(shí)，至少部 份的電磁放射的可被電性短路(short)，以降低電磁放射的程度，避免電磁放射通 過殼體而負(fù)面地影響鄰近的半導(dǎo)體組件的運(yùn)作。相似地，當(dāng)來自于鄰近的半導(dǎo)體組 件的電磁放射作用在殼體的外表面時(shí)， 一可降低半導(dǎo)體封裝件內(nèi)半導(dǎo)體組件的電磁 干擾的電性短路發(fā)生。
然而，可降低EMI的電性傳導(dǎo)殼體帶來許多缺點(diǎn)。特別是在已知技術(shù)中，殼 體通過黏貼(adhesive)與半導(dǎo)體封裝件的外部連接。不幸地，由于黏貼方式易受 溫度、濕度及其它環(huán)境條件影響，使殼體容易剝離。此外，當(dāng)連接殼體至半導(dǎo)體封 裝件時(shí)，殼體的大小與外型及半導(dǎo)體封裝件的大小與外型只有在較精準(zhǔn)的公差級(jí)數(shù)下才能匹配。因此殼體與半導(dǎo)體封裝件的加工尺寸、外型及組合精度使得制造成本 及工時(shí)增加。且，因?yàn)榧庸こ叽缂巴庑偷年P(guān)系，不同的半導(dǎo)體封裝件的尺寸及外型， 可能需要不同的殼體。如此，為了容納不同的半導(dǎo)體封裝件，更增加了制造成本及工時(shí)。
為了改善已知問題，有必要提升半導(dǎo)體封裝件及相關(guān)方法的發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種具有電磁放射防護(hù)體的半導(dǎo)體封裝件。在一實(shí) 施例中，半導(dǎo)體封裝件包括一基板單元、 一半導(dǎo)體組件、 一封裝體及一電^ 茲干擾防 護(hù)體。基板單元包括一上表面、 一下表面及一接地組件。接地組件鄰近基板單元的
一周邊(periphery)設(shè)置，且至少部份地延伸于基板單元的上表面與下表面之間。 接地組件具有一連接面(connection surface ),其鄰近于基板單元的上表面設(shè)置。 半導(dǎo)體組件鄰近基板單元的上表面設(shè)置并電性連接基板單元。封裝體鄰近基板單元 的上表面設(shè)置并覆蓋半導(dǎo)體組件，封裝體的一周邊相對(duì)基板單元的周邊側(cè)向地凹 陷，以使接地組件的連接面暴露出來，以作為電性連接之用，封裝體并具有數(shù)個(gè)外 表面。電磁干擾防護(hù)體鄰近封裝體的外表面設(shè)置并電性連接接地組件的連接面。其 中，接地組件提供一電性路徑(electrical pathway)以將電磁干擾防護(hù)體上的電磁 》文射(electromagnetic emission )》文電至4妄i也端。
在另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件包括一基板單元、 一半導(dǎo)體組件、 一封裝體及 一電磁干擾防護(hù)體?；鍐卧哂邢鄬?duì)應(yīng)的一第一表面及一第二表面且包括一接地 組件。接地組件至少部份地延伸于基板單元的第一表面與第二表面之間，接地組件 對(duì)應(yīng)至一接地孔的一余留部份并具有一鄰近于基板單元的第 一表面的 一周邊部份 (peripheral portion)設(shè)置的連接面。半導(dǎo)體組件鄰近基板單元的第一表面設(shè)置并 電性連接基板單元。封裝體鄰近基板單元的第一表面設(shè)置并覆蓋半導(dǎo)體組件。封裝 體的一周邊相對(duì)基板單元的一周邊側(cè)向地凹陷，以使接地組件的連接面從鄰近于基 板單元的第一表面的周邊部份暴露出來，以作為電性連接之用，封裝體并具有數(shù)個(gè) 外表面。電磁干擾防護(hù)體鄰近封裝體的外表面設(shè)置并電性連接接地組件的連接面。 本發(fā)明的另一方面關(guān)于一具有電^f茲干擾防護(hù)體的半導(dǎo)體封裝件的形成方法。在 一實(shí)施例中， 一方法包括以下步驟。提供一基板，基板具有一上表面、 一下表面及數(shù)個(gè)接地孔，接地孔至少部份地延伸于上表面與下表面之間；電性連接一半導(dǎo)體組
件至基板的上表面；設(shè)置一封裝材料至基板的上表面，以形成一封裝結(jié)構(gòu)(molded structure )，封裝結(jié)構(gòu)覆蓋接地孔及半導(dǎo)體組件；形成一第一組切割槽(cutting slit)， 第一組切割槽通過封裝結(jié)構(gòu)，以使(a)封裝結(jié)構(gòu)被切割成一包含有半導(dǎo)體組件的封 裝體，封裝體包括數(shù)個(gè)側(cè)面，該些側(cè)面定義出封裝體的一周邊，以及(b)部份的該 些接地孔越過封裝體的周邊設(shè)置并具有數(shù)個(gè)連接面；形成一電磁干擾涂布體，電磁 干擾涂布體覆蓋封裝體及連接面；形成一第二組切割槽，第二組切割槽通過電^f茲干 擾涂布體及基板，以使(a)電^f茲干擾涂布體被切割成一鄰近封裝體及該些連接面設(shè) 置的電磁千擾防護(hù)體、(b)基板被切割成一包含一上表面的基板單元，半導(dǎo)體組件 鄰近基板單元的上表面設(shè)置以及(c)該些連接面鄰近基板單元的該表面的 一周邊部 位設(shè)置。
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作 詳細(xì)i兌明:i口下


圖1繪示半導(dǎo)體封裝件100的立體圖。 圖2繪示圖1中半導(dǎo)體封裝件沿著方向A-A的剖^L圖。 圖3繪示圖1及圖2中半導(dǎo)體封裝件的部份放大示意圖。 圖4繪示依照本發(fā)明另 一 實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的示意圖。 圖5繪示圖4中部份的半導(dǎo)體封裝件的示意圖。 圖6A至6H繪示依照本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的形成方法。 圖7A至7D繪示依照本發(fā)明的一實(shí)施例中鄰近基外反單元的接地組件之間的多 種預(yù)設(shè)距離的實(shí)施態(tài)樣示意圖。
主要組件符號(hào)說明
100、 400:半導(dǎo)體封裝件 102、 102'、 402:基板單元 104、 404、 604、 610:上表面 106、 406、 614:下表面
8108a、 108b、 108c、 430:半導(dǎo)體組件 110a、 110b、 110c:電性連接部 112:焊線
114、 114'、 414、 704、 704':封裝體
118a、 118b、 408a、 408b、 602c、 602d、 602e、 602f、 700、 700':接地組件
120、 122、 142、 144、 420、 422、 442、 444:側(cè)面
124、 424:電^f茲干護(hù)G防護(hù)體
126、 426:上方部
128、 428:側(cè)向部
140:架體
146a、 146b:孔接墊
148a、 148b:鍍層信道
150:電性連接機(jī)制
300:內(nèi)層結(jié)構(gòu)
302:外層結(jié)構(gòu)
410a、 410b:孔接墊余留部
412a、 412b:鍍層信道余留部
500、 502:表面
600:基板
608:封裝材料
612a、 612b、 612c、 620a、 620b、 620c:切割槽
616:電磁干擾涂布體
618、 630:切割鋸
640:封裝結(jié)構(gòu)
Cl、 C2:寬度
D:側(cè)向尺寸
H、 Hl、 H2:高度
Ll、 L2、 L3:距離
Sl、 S2、 Sl'、 S2'、 S3、 S3'、 S4、 S4':連接面
9Wl、 W2:側(cè)面尺寸
具體實(shí)施例方式
以下的闡述是應(yīng)用至依照本發(fā)明的一些實(shí)施例。以下詳細(xì)iJt明該些闡述。 此處所用的單數(shù)型態(tài)，， 一"及"該"也意圖包括數(shù)個(gè)型態(tài)，除非文中清楚指明 不是。例如，若提及一接地組件，表示也包含數(shù)個(gè)接地組件，除非文中清楚指明不是。
此處所用的"組"表示一或多個(gè)組件的集合。例如， 一組層結(jié)構(gòu)可包含單層結(jié) 構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。 一組中的組件可以是指該組的成員。 一組中的組件可以相同或不同 的。在一些例子中， 一組中的組件可具有一或多個(gè)共同特征。
此處所用的"鄰近"表示接近或連接在一起。相鄰的組件可以互相分開或直接 互相連接。在一些例子中，相鄰的組件可以指互相連接或彼此間一體成型的組件。
此處所用的"內(nèi)部"、"外部"、"在…上"、"往上地'，、，，在…之下"、" 往下地"、"垂直"、"側(cè)面"、"側(cè)面地"表示數(shù)個(gè)組件之間的相關(guān)位置。例如， 該些相關(guān)位置依據(jù)圖標(biāo)而定而非指制造或使用時(shí)，此些組件的特定方位。
此處所用的，，連接"表示一操作上的耦接(coupling)或連結(jié)(linking)。連 接的組件可指為直接互相連接或間接連接，間接連接例如通過另 一組件作間接連 接。
此處所用的"實(shí)質(zhì)上"表示一相當(dāng)重要的程度或范圍。當(dāng)"實(shí)質(zhì)上，，發(fā)生一事 件或狀況時(shí)，指該事件或該狀況精確地發(fā)生或以甚接近的程度發(fā)生。例如，此處所 提及的制造過程中的典型公差等級(jí)。
此處所用的"電性傳導(dǎo)(electrical conductive)"及，，導(dǎo)電性(electrical conductivity)"表示傳輸電流的能力。電性傳導(dǎo)材料傳統(tǒng)上指些微或甚至不會(huì)阻礙 電流流動(dòng)的材料。電導(dǎo)率(conductivity)的量測(cè)以西門子/公尺(S*w_1 )為單位。
一般而言， 一電性傳導(dǎo)材料指具有大于i04S參m"的電導(dǎo)率的材料，例如的其電 導(dǎo)率至少約105 S*m—!或至少約106 S*m—\材料的電導(dǎo)率可隨溫度改變，除
非有特別指明，不然材料的電導(dǎo)率指室溫下的電導(dǎo)率。
請(qǐng)參照?qǐng)Dl及圖2，其繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件示意圖。圖l
10繪示半導(dǎo)體封裝件100的立體圖，圖2繪示圖1中半導(dǎo)體封裝件沿著方向A-A的
剖視圖。
在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件100包括一架體(ledge) 140，其鄰近半導(dǎo)體封 裝件100的一周邊(periphery)設(shè)置，且從半導(dǎo)體封裝件100的側(cè)面往外延伸。特 別一提，架體140實(shí)質(zhì)上環(huán)繞著半導(dǎo)體封裝件100的整個(gè)周邊延伸。在其它實(shí)施態(tài) 樣中，架體140環(huán)繞半導(dǎo)體封裝件100的范圍也可以是其它形式。如圖1及圖2 所示，架體140鄰近半導(dǎo)體封裝件100的一底部設(shè)置并與半導(dǎo)體封裝件100的側(cè)面 連接，以定義出一實(shí)質(zhì)上可環(huán)繞著半導(dǎo)體封裝件100的整個(gè)周邊延伸的L字型。 通過改變架體140的外形及半導(dǎo)體封裝件100的側(cè)面，或改變架體140相對(duì)半導(dǎo)體 封裝件100的側(cè)面的位置，半導(dǎo)體封裝件100的側(cè)面輪廓可以成為多種外形中的任 何一種。半導(dǎo)體封裝件100的側(cè)面輪廓可以是曲面、傾斜面或粗糙結(jié)構(gòu)(roughly textured)。在其它實(shí)施態(tài)樣中，架體140的一側(cè)向尺寸(lateral extent) D可介于 約50微米(，)與約500，之間，例如是從約50，至約400，，或從 約100，至約300，。
請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖2,半導(dǎo)體封裝件100包括一基板單元102，基板單元102具 有一上表面104、一下表面106及沿著基板單元102的側(cè)向設(shè)置的側(cè)面142及144。 在本實(shí)施例中，側(cè)面142及144實(shí)質(zhì)上為平面且具有一實(shí)質(zhì)上與上表面104或下表 面106呈直角的方位。在其它實(shí)施態(tài)樣中，側(cè)面142及144的外形及方位可以有不 同的變化?；鍐卧?02可通過多種方法完成并具有電性連接機(jī)制150，其于上表 面104與下表面106之間提供電性路徑(electrical pathway)。電性連接機(jī)制150 例如是一組電性傳導(dǎo)層，其被包含在一組介電層(dielectriclayer)內(nèi)。電性傳導(dǎo)層 可通過內(nèi)部貫孔互相連接，且其內(nèi)可插入一 由適當(dāng)?shù)臉渲瞥傻幕逯虚g層
(core )。該適當(dāng)?shù)臉渲缡怯呻p馬來亞醯胺(bismaleimide )及三氮雜苯(triazine ) 所組成的樹脂或由環(huán)氧樹脂(epoxy)及聚氧化丙烯(polyphenylene oxide )所組成 的樹脂。舉例來說，基板單元102可包含一實(shí)質(zhì)上板狀中間層(slab-shaped core), 其被設(shè)置于一組鄰近中間層(core)的上表面的電性傳導(dǎo)層與另一組鄰近中間層
(core)的下表面的電性傳導(dǎo)層之間。對(duì)于某些實(shí)施態(tài)樣，大部份或所有的電性傳 導(dǎo)層可設(shè)置于基板單元102的內(nèi)部，以降低鄰近側(cè)面142及144的電性傳導(dǎo)層的暴 露程度。舉例來說，電性傳導(dǎo)層中至多一者，例如是最底層的電性傳導(dǎo)層可從側(cè)面142及144暴露出來。如此，即使是為了保護(hù)電性傳導(dǎo)層免受氧化、濕氣及其它環(huán) 境侵害，而將電性傳導(dǎo)層設(shè)于基板單元102內(nèi)，然，電性傳導(dǎo)層仍可于上表面104 與下表面106之間提供出電性路徑。
在某些實(shí)施例中，基板單元102的厚度，即基板單元102的上表面104與下表 面106間的距離可介于約0.1毫米(mm)至約2mm之間。例如，從約0.2mm至 約1.5mm或從約0.3mm至約lmm。雖然未繪示于圖2, —綠漆(solder mask )層 可鄰近于基板單元102的上表面104與下表面106的一者或二者設(shè)置。此外， 一保 護(hù)層(protective layer)鄰近基板單元102的側(cè)面142及144設(shè)置，以保護(hù)任何暴 露出的電性傳導(dǎo)層。
如圖2所示，基板單元102包括接地組件118a及118b,接地組件118a及118b 鄰近基板單元102的一周邊(periphery)設(shè)置。接地組件118a及118b為細(xì)長(zhǎng)結(jié)構(gòu)， 其至少部份地延伸于上表面104與下表面106之間。更進(jìn)一步地說，接地組件118a 及118b提供如下述的電性路徑，以降低EMI。在本實(shí)施例中，接地組件118a及 118b由接地孔(grounding via)形成。每個(gè)接地孔包括一孔接墊(via pad) 146a 或146b,以及鍍層信道(plated channel) 148a或148b ?？捉訅|146a、 146b鄰近基 板單元102的上表面104設(shè)置，鍍層信道148a、 148b延伸于孔接墊146a或146b 之間?；鍐卧?02包含電性連接機(jī)制150。在某些實(shí)施例中，接地組件118a及 118b的一高度H,即接地組件118a及118b的垂直延伸部份略小于基板單元102 的厚度，且可介于約0.1mm與1.5mm之間，例如，從約0.1mm至約lmm，或者， 從約0.2mm至約0.5mm。然而，在其它實(shí)施態(tài)樣中，接地組件118a及118b也可 以有不同的變化。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2,接地組件118a及118b分別包含連接面 (connection surface ) SI及S2，其暴露于基板單元102的上表面104，以作為電性 連接之用。在本實(shí)施例中，連接面SI及S2分別對(duì)應(yīng)于孔接墊146a及146b的電 性暴露面(electrically exposed surface ),以作為電性連4妄之用。較大的連接面SI 及S2的面積有助于提升電性連接的可靠度及效率，以降低EMI。
如圖2所示，半導(dǎo)體封裝件100更包括半導(dǎo)體組件108a、 108b及108c，其鄰 近基板單元102的上表面104設(shè)置，以及電性連接部110a、 110b及110c,其鄰近 基板單元102的下表面106設(shè)置。半導(dǎo)體組件108a通過一組焊線(wire ) 112打線 連接(wore-bonded )至基板單元102，該組焊線由金(gold)或另一適當(dāng)?shù)碾娦詡鲗?dǎo)材料所制成。并且，半導(dǎo)體組件108b及108c以表面接觸的方式固接至基板單元 102。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體組件108a及108c可以是被動(dòng)組件，例如是電阻、電 容或電感時(shí)，而半導(dǎo)體組件108b可以是一半導(dǎo)體芯片。電性連接部110a、 110b 及110c提供半導(dǎo)體封裝件100的輸出及輸入的電性連接。并且，電性連接部110a、 110b及110c中至少一部份通過基板單元102內(nèi)的電性連接機(jī)制150,電性連接至 半導(dǎo)體組件108a、 108b及108c。在本實(shí)施例中，電性連接部llOa、 110b及110c 中至少一者為接地電性連接部，且通過基板單元102內(nèi)的電性連接機(jī)制150，電性 連接至接地組件118a及118b。雖然圖2繪示三個(gè)半導(dǎo)體組件，在其它實(shí)施態(tài)樣中， 半導(dǎo)體組件的數(shù)量也可以是更多或更少。并且，半導(dǎo)體組件可以是主動(dòng)組件、任何 被動(dòng)組件，或主動(dòng)組件及被動(dòng)組件的組合。在其它實(shí)施態(tài)樣中，電性連接部的數(shù)量 也可以與圖2不同。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2，半導(dǎo)體封裝件100更包括封裝體114，其鄰近基板單元102 的上表面104設(shè)置并與基板單元102連接。封裝體114實(shí)質(zhì)上覆蓋或密封半導(dǎo)體組 件108a、 108b、 108c及焊線112，以提供機(jī)械穩(wěn)定性(mechanical stability)及抗 氧化、抗?jié)駳饧皩?duì)抗其它環(huán)境侵害的作用。封裝體114由封裝材料所制成且具有數(shù) 個(gè)外表面，例如是側(cè)面120及122，其鄰近于封裝體114的側(cè)面。在本實(shí)施例中， 側(cè)面120及122實(shí)質(zhì)上為平面并具有一實(shí)質(zhì)上與上表面104或下表面106呈直角的 方位。側(cè)面120及122亦可為曲面、傾斜面、階梯面或粗4造結(jié)構(gòu)(roughly textured )。 如圖2所示，此外，側(cè)面120及122實(shí)質(zhì)上分別與側(cè)面142及144平行。此外，封 裝體114中由側(cè)面120及122所定義出的一周邊，其相對(duì)于基板單元102中由側(cè)面 142及144所定義出的周邊側(cè)向地凹陷進(jìn)去。特別一提的是，側(cè)向凹陷的封裝體114 可降低基板單元102的上表面104的一周邊部位與封裝體114的覆蓋范圍，藉以露 出部份的孔接墊146a及146b，使連接面Sl及S2暴露出來，以作為電性連接之用。 在其它實(shí)施態(tài)樣中，只要連接面Sl及S2至少部份地暴露出來，側(cè)面120、 122及 其凹陷部位相對(duì)于側(cè)面142及144的外形也可以不同于圖2。
如圖1及圖2所示，半導(dǎo)體封裝件100更包括一電磁干擾防護(hù)體124，其鄰近 封裝體114的外表面及基板單元102的上表面104的周邊部位設(shè)置。電磁干擾防護(hù) 體124由電性傳導(dǎo)材料所制成且實(shí)質(zhì)上環(huán)繞半導(dǎo)體封裝件100內(nèi)的半導(dǎo)體組件 108a、 108b及108c，以提供對(duì)EMI的防護(hù)作用。在本實(shí)施例中，電磁干擾防護(hù)體124包含一上方部(upper portion) 126及一側(cè)向部(lateral portion) 128，其環(huán)繞 著封裝體114的整個(gè)外緣延伸并定義出半導(dǎo)體封裝件100中呈L字型的側(cè)面。如 圖2所示，側(cè)向部128從上方部126往下地延伸并側(cè)向地往基板單元102的周邊部 位延伸，且實(shí)質(zhì)上終止于基板單元102的周邊。然而，在側(cè)向部128的延伸范圍也 可以是其它態(tài)樣。
如圖2所示，電磁干擾防護(hù)體124電性連接至接地組件118a及118b的連接面
少部份的電磁放射可通過接地組件118a及118b有效地放電至接地端，以降低通過 電磁干擾防護(hù)體124的電磁放射強(qiáng)度及降低對(duì)鄰近的半導(dǎo)體組件的影響程度。相似 地，當(dāng)來自于鄰近的半導(dǎo)體組件的電磁放射沖擊到電磁干擾防護(hù)體124時(shí)， 一相似 的接地放電效果發(fā)生，以降低對(duì)半導(dǎo)體組件108a、 108b及108c產(chǎn)生的電磁干擾。 在操作的過程中，半導(dǎo)體封裝件100可設(shè)置于一電路板(Printed circuit board, PCB ) 且通過電性連接部110a、 110b及110c與PCB電性連接。如前述，電性連接部110a、 110b及110c中至少一者為接地電性連接部，該接地電性連接部電性連接于電路板 的接地電壓，使電磁放射可通過電磁干擾防護(hù)體124放電至接地端。該電磁放射經(jīng) 過一包括接地組件118a、接地組件118b及基板單元102的電性連接機(jī)制150及接 地電性連接部的電性路徑。
在本實(shí)施例中，電磁干擾防護(hù)體124為一全覆蓋(conformal)防護(hù)體且為一 組涂布體、層結(jié)構(gòu)或薄膜的形式，此有助于電磁干擾防護(hù)體124在不需要使用黏結(jié) 方式的情況下，鄰近或直接形成于半導(dǎo)體封裝件100的外部，以增進(jìn)可靠度及抗氧 化、抗?jié)駳饧皩?duì)抗其它環(huán)境侵害的作用。此外，由于電磁干擾防護(hù)體124的全覆蓋 (conformal)特性，使相似的電磁干擾防護(hù)體及相似的制造過程可輕易地應(yīng)用至 不同尺寸及外型的半導(dǎo)體封裝件，以使在容納不同的半導(dǎo)體封裝件時(shí)可降低制造成 本及時(shí)間。在其它實(shí)施例中，電磁干擾防護(hù)體124的厚度可介于約l微米(，) 至約500，之間，例如是從約1 ，至約200，、從約1 ，至約100，、 從約10，至約100，、從約1 ，至約50，或從約1 ，至約10，。 相較于已知的例子，厚度如此薄的電磁干擾防護(hù)體124使半導(dǎo)體封裝件整體尺寸縮 小，此為本實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)之一。
如圖3所示，其繪示圖1及圖2中半導(dǎo)體封裝件的部份放大示意圖。特別一提
14的是，圖3繪示鄰近封裝體114設(shè)置的電磁干擾防護(hù)體124的一實(shí)施態(tài)樣。
如圖3所示，電磁干擾防護(hù)體124為多層結(jié)構(gòu)且包含一內(nèi)層結(jié)構(gòu)300及一外層 結(jié)構(gòu)302。內(nèi)層結(jié)構(gòu)300鄰近封裝體114設(shè)置，而外層結(jié)構(gòu)302鄰近內(nèi)層結(jié)構(gòu)300 設(shè)置且暴露于半導(dǎo)體封裝件100的外部。 一般而言，內(nèi)層結(jié)構(gòu)300與外層結(jié)構(gòu)302 中的每一者可由金屬、金屬合金、具有金屬的金相或一散布有金屬合金的結(jié)構(gòu)或其 它適當(dāng)?shù)碾娦詡鲗?dǎo)材料所制成。舉例來說，內(nèi)層結(jié)構(gòu)300與外層結(jié)構(gòu)302中的每一 者可由鋁、銅、鉻、錫、金、銀、鎳、不銹鋼或上述材料的組合所制成。內(nèi)層結(jié)構(gòu) 300與外層結(jié)構(gòu)302可由相同的電性傳導(dǎo)材料或相異的電性傳導(dǎo)材料所制成。舉例 來說，內(nèi)層結(jié)構(gòu)300與外層結(jié)構(gòu)302可皆由金屬，例如是鎳所制成。在其它實(shí)施例 中，內(nèi)層結(jié)構(gòu)300與外層結(jié)構(gòu)302可各別由相異的電性傳導(dǎo)材料所制成，以提供互 補(bǔ)的功能。舉例來說，內(nèi)層結(jié)構(gòu)300可由一具有高電性傳導(dǎo)率的金屬，例如是鋁、 銅、金或銀所制成，以提供電磁放射防護(hù)功能，在此情況下，外層結(jié)構(gòu)302可由一 低電性傳導(dǎo)率的金屬，例如是鎳所制成，以保護(hù)內(nèi)層結(jié)構(gòu)300免于受到氧化、濕氣 及其它環(huán)境因子的侵害。此外，外層結(jié)構(gòu)302也可同時(shí)提供保護(hù)功能及電磁放射防 護(hù)的功能。雖然圖2繪示雙層結(jié)構(gòu)，然于其它實(shí)施態(tài)樣中亦可為多于或少于雙層的 結(jié)構(gòu)。
圖4繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的示意圖。半導(dǎo)體封裝件400 采用相似于前述的圖1至3的半導(dǎo)體封裝件100的技術(shù)手段，在此便不再贅述。
如圖4所示，半導(dǎo)體封裝件400包含一基板單元402?；鍐卧?02包括一上 表面404、 一下表面406及沿著基板單元402的側(cè)向設(shè)置的側(cè)面442及444。在本 實(shí)施例中，上表面404的 一周邊部位往下彎曲，以定義出 一切除部(cut-out portion )， 切除部實(shí)質(zhì)上沿著基板單元402的整個(gè)周邊延伸。在其它實(shí)施例中，環(huán)繞基板單元 402的整個(gè)周邊延伸的切除部也可以是其它的變化。
切除部的一實(shí)施態(tài)樣如圖5所示，其繪示圖4中部份的半導(dǎo)體封裝件的示意圖。 特別一提的是，圖5繪示基板單元402中鄰近側(cè)面444的輪廓。為了不使圖標(biāo)過于 復(fù)雜，圖5省略半導(dǎo)體封裝件400的細(xì)部結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，上表面404的周邊 部位包含一組表面，即表面500及表面502,其定義出基板單元402的切除部。表 面500實(shí)質(zhì)上為平面并具有一實(shí)質(zhì)上與上表面404或下表面406呈垂直的方位，而 表面502實(shí)質(zhì)上為一曲面。如下所述，基板單元402的切除部的形成可由一組切割
15工藝完成。在某些實(shí)施例中，切除部的整個(gè)垂直高度HI可介于約l，至約
100，間。例如，從約1，至約80，，或者，從約1，至約40，。表 面500的整個(gè)垂直高度H2可介于垂直高度Hl的約1%至約95%間。例如，從約 20%至約80%,或約40%至約60%。在其它實(shí)施例中，表面500及502的尺寸及 范圍也可以是其它變化。
回到圖4,半導(dǎo)體封裝件400更包括接地組件408a及408b,其至少部份地延
值得一提的是，接地組件408a及408b實(shí)質(zhì)上設(shè)置于基板單元402的周邊并分別鄰 近于側(cè)面442及444設(shè)置。在本實(shí)施例中，接地組件408a及408b由接地孔，且特 別是接地孔于一組切割工藝之后的余留部份(remnant)所形成，該組切割工藝將 敘述于后。如圖4所示，接地組件408a及408b中每一者包含一孔接墊余留部(via pad remnant) 410a或410b及一鍍層信道余留部(plated channel remnant) 412a或 412b。孔接墊余留部410a或410b鄰近基板單元402的上表面404設(shè)置，而鍍層信 道余留部412a或412b沿著孔接墊余留部410a或410b與基板單元402內(nèi)的電性連 接機(jī)制之間延伸。接地組件408a及408b分別包含連接面S1，及S2，，其暴露于上 表面404中彎曲的周邊部位，以作為電性連接之用。如圖4所示，連接面S1，及S2， 對(duì)應(yīng)于孔接墊余留部410a、 410b及鍍層信道余留部412a、 412b中具有電性連接用 途的電性暴露面。較大的連接面Sl，及S2，的面積有助于提升電性連接的可靠度及 效率，以降低EMI。
如圖4所示，半導(dǎo)體封裝件400更包括一半導(dǎo)體組件430,其一鄰近于基板單 元402的上表面404設(shè)置的半導(dǎo)體芯片。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體組件430為結(jié)合于 基板單元402的上表面404的覆晶式芯片(flip chip )。例如，半導(dǎo)體組件430可 通過一組錫鉛凸塊(solder bump)結(jié)合至基板單元402?；蛘?，半導(dǎo)體組件430也 可通過另一技術(shù)手段，例如是通過打線結(jié)合(wire-bonding)技術(shù)與基板單元402 結(jié)合。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D4，半導(dǎo)體封裝件400更包括封裝體414，其鄰近基板單元402 的上表面404設(shè)置。封裝體414具有數(shù)個(gè)外表面，例如是側(cè)面420及422,側(cè)面420 及422沿著封裝體414的側(cè)面設(shè)置。在本實(shí)施例中，側(cè)面420及422實(shí)質(zhì)上為平面 并具有一實(shí)質(zhì)上呈垂直的方位，并實(shí)質(zhì)上平行于基>^反單元402的側(cè)面442及444。此外，封裝體414中由側(cè)面420及422所定義出的周邊，其相對(duì)于基板單元402 中由側(cè)面442及444所定義出的周邊側(cè)向地凹陷進(jìn)去，如此可降低基板單元402 的上表面404的一周邊部位與封裝體414的相覆蓋的范圍，使連接面Sl'及S2，暴 露出來，以作為電性連接之用。在其它實(shí)施態(tài)樣中，只要連接面Sl，及S2，至少部 份地暴露出來，側(cè)面420、 422及凹陷部位的外形也可以不同于圖4。
半導(dǎo)體封裝件400更包括一電磁干擾防護(hù)體424,其電性連接接地組件408a 及408b的連接面Sl，及S2'。如圖4所示，電》茲干擾防護(hù)體424鄰近封裝體414的 外表面及基板單元402的上表面404中彎曲的周邊部位設(shè)置。電磁干擾防護(hù)體424 包含一上方部(upper portion ) 426及一側(cè)向部(lateral portion) 428，其實(shí)質(zhì)上環(huán) 繞著封裝體414的整個(gè)外緣延伸并定義出半導(dǎo)體封裝件400的J字型輪廓。在本實(shí) 施例中，側(cè)向部428從上方部426往下地延伸且更側(cè)向地沿著上表面404的彎曲的 周邊部位延伸，且實(shí)質(zhì)上終止于基板單元402的周邊。然而，在其它實(shí)施態(tài)樣中， 側(cè)向部428的延伸范圍也可以是其它變化。
請(qǐng)參照?qǐng)D6A至6H，其繪示依照本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的形成方 法。為了不使圖標(biāo)過于復(fù)雜，以下的形成方法以圖1至3的半導(dǎo)體封裝件IOO為例 作說明。然而，形成方法亦可應(yīng)用于其它半導(dǎo)體封裝件，例如是體4至5的半導(dǎo)體 封裝件400。
如圖6A至6B所示，提供一基板600。為了增進(jìn)制造生產(chǎn)量，基板600包括 數(shù)個(gè)基板單元。該些基板單元包含基板單元102及一相鄰的基板單元102，。在一 適當(dāng)?shù)墓に嚪椒ㄖ校鄠€(gè)基板單元的基板600仍可快速地被制造?；?00 可呈帶形(strip)，多個(gè)基板單元連續(xù)地呈直線排列?；蛘撸鄠€(gè)基板單元沿著二 維方向排列成數(shù)組形(array)。為了不使圖標(biāo)過于復(fù)雜，以下的形成方法以基板 單元102及其相關(guān)組件為例作說明。然而，形成方法亦可應(yīng)用于其它基板單元及其 相關(guān)組件。
如圖6A至6B所示，數(shù)個(gè)接地組件鄰近基板單元的一周邊設(shè)置。特別一提的 是，接地組件118a、接地組件118b、接地組件602c、 602d及602e鄰近基板單元 102的側(cè)面設(shè)置。在本實(shí)施例中，接地組件可由接地孔形成。每個(gè)接地孔包含一孔 接墊及一鍍層信道(plated channel)?？捉訅|例如是孔接墊146a或146b，而鍍層 信道例如是148a或148b。接地組件可由多種方法中任一種形成。例如，應(yīng)用光蝕
17刻法(photolithography)、化學(xué)蝕刻、激光鉆孔或機(jī)械加工來形成開孔，且開孔的 鍍層采用金屬、金屬合金、具有金屬的金相或一散布有金屬合金的結(jié)構(gòu)或其它適當(dāng) 的電性傳導(dǎo)材料所制成。在一些實(shí)施例中，電性傳導(dǎo)材料于被涂布后流進(jìn)開孔，并 以實(shí)質(zhì)上填滿電性傳導(dǎo)材料的開孔。舉例來說，電性傳導(dǎo)材料可包含一金屬或電性 ^專導(dǎo)l占結(jié)劑(electrically conductive adhesive )。該金屬例^口是4同、錫;求(solder )。 錫球例如是由多種易熔金屬合金中任一種所制成，該多種易熔金屬合金的熔點(diǎn)介于 約90 °C至約450 °C之間。
在本實(shí)施例中，孔接墊，例如是孔接墊146a或146b具有一環(huán)狀(annular)外 形，而鍍層信道，例如是鍍層信道148a或148b為一具有實(shí)質(zhì)上呈圓形剖面的圓柱 形(circular cylinder )?？捉訅|及鍍層信道也可以是多種形狀種類中的任何一種。 例如，鍍層信道可以是其它種類的圓柱形(cylindrical shape)以及非圓柱型 (non-cylindrical shape )。該其它種類的圓柱形例如是橢圓柱形(elliptic cylindrical shape)、 正方柱開j (square cylindrical shape)及矩形柱形(rectangular cylindrical shape )。該非圓柱型例如是錐形(cone )、漏斗形(funnel)及其它漸縮外形(tapered shape)。鍍層信道的側(cè)面輪廓可以是曲面或粗糙結(jié)構(gòu)。在其它實(shí)施態(tài)樣中，每個(gè) 鍍層信道的側(cè)面尺寸Wl (亦可稱為孔尺寸)可介于約50，至約300，之間， 例如從約100，至約200，，或從約120，至約180，。在此情況下，每 個(gè)孔接墊的側(cè)面尺寸W2 (亦可稱為孔接墊尺寸)可介于約100，至約600， 之間，例如從約200，至約400，，或從約240，至約360，。在其它實(shí) 施例中，側(cè)面尺寸Wl或W2也可與沿著直角方向上的側(cè)面長(zhǎng)度的平均值相對(duì)應(yīng)。
為了提升可靠度及電性連接效率以降低EMI。接地組件鄰近每個(gè)基板單元中 全部的四個(gè)側(cè)面或部份的四個(gè)側(cè)面設(shè)置?；蛘撸拥亟M件也可以鄰近每個(gè)基板單元
中全部的四個(gè)角落或部份的四個(gè)角落設(shè)置。在其它實(shí)施態(tài)樣中，基板單元中最接近 的接地組件之間的距離LI (亦可稱為孔節(jié)距)可介于約0.1mm與約3mm之間， 例如從約0.5mm至約2mm,或從約0.7mm至約1.3mrn。如圖6B所示，基板單元 內(nèi)的虛線邊界定義出一主動(dòng)區(qū)域，半導(dǎo)體組件設(shè)于主動(dòng)區(qū)域內(nèi)。在半導(dǎo)體組件的制 造過程中，為了降低或減少反沖擊，基板單元的接地組件可與主動(dòng)區(qū)域隔開一距離 L2(亦可稱為緩沖距離)。在其它實(shí)施例，距離L2可介于約50，至約300，， 例如從約50，至約200，，或約100，至約150，。繼續(xù)參照?qǐng)D6B,相
18鄰的基板單元中最接近的接地組件之間相隔一距離L3。例如，基板單元102的接 地組件118b與相鄰的基板單元102，的接地組件602f相隔一距離L3。接地組件的 數(shù)目及其位于基板600的位置也可以與圖6A及圖6B不同。數(shù)排接地組件也可鄰 近基板單元的周邊設(shè)置。
在提供基板600后，半導(dǎo)體組件108a、 108b及108c鄰近基板600的上表面 604設(shè)置且電性連接基板單元102。特別一提的是，半導(dǎo)體組件108b經(jīng)由焊線112 并應(yīng)用打線連接技術(shù)(wire-bonded)連接至基板單元102。并且，半導(dǎo)體組件108b 及108c以表面接觸的方式固接至基板單元102。
接著，如圖6C所示，涂布(apply) —封裝材料608至基板600的上表面604, 以實(shí)質(zhì)上覆蓋或密封接地組件118a及118b、半導(dǎo)體組件108a、 108b及108c以及 焊線112。封裝材料608可包括例如一酚醛清漆樹脂(Novolac Resin)、 一環(huán)氧樹 月旨(epoxy-based resin)、 一石圭氧樹月旨(silicone-based resin)或其它適當(dāng)?shù)姆庋b才才 料。該其它適當(dāng)?shù)奶畛鋭┛砂缡欠蹱疃趸?Si02)。封裝材料608可 應(yīng)用于多種封裝技術(shù)，例如壓縮成形(compression molding )、射出成形(injection molding)及轉(zhuǎn)移成形(transfer molding )中的任一種。 一旦封裝材料608設(shè)置于基 板600后，可將溫度降低至低于封裝材料608的熔點(diǎn)，以使封裝材料608硬化或固 化而形成一封裝結(jié)構(gòu)640。為了利于基板600于切割工藝(singulation)中的定位， 基準(zhǔn)標(biāo)記(fiducial mark)可形成于封裝結(jié)構(gòu)640,基準(zhǔn)標(biāo)記的形成方式例如是應(yīng) 用激光方式制作。此外，基準(zhǔn)標(biāo)記也可鄰近基板600的一周邊。
接下來，從封裝結(jié)構(gòu)640的上表面610切割封裝結(jié)構(gòu)640(呈直立方位(upright orientation)的姿態(tài))。如此的切割方式稱為"正面(front-side)"切割。如圖6D 至6E所示，正面切割由一切割鋸(saw ) 630執(zhí)行，以形成切割槽612a、 612b及 612c。特別一提的是，切割槽612a、 612b及612c往下地延伸并完全貫穿封裝結(jié)構(gòu) 640，以將封裝結(jié)構(gòu)640切割成數(shù)個(gè)包含及封裝體114及相鄰的封裝體114，的分離 單元。在本實(shí)施例中，切割槽612a、 612b及612c往下地延伸并實(shí)質(zhì)上終止基板 600的上表面604。在此情況下，接地組件118a及118b的連接面SI及S2從基板 單元102的周邊的環(huán)繞部份暴露出來。在一些實(shí)施例中，每個(gè)切割槽612a、 612b 及612c的寬度Cl (亦可稱為半穿切寬度(half-cut width ))可介于約100，與 約2000，之間，例如從約300，至約1200，，或從約500，至約900，
在其它實(shí)施例中，切割槽612a、 612b及612c可延伸至基板600的上表面604 之下。此外，通過調(diào)整切割鋸630的外型，可切割出導(dǎo)圓角的外型，使切割槽612a、 612b及612c產(chǎn)生如圖4至5所示的切除部的曲面。雖然圖6D至6E未繪示，在正 面切割的過程中， 一黏膠膜(tape)可被用來固接基板600的下表面614。該黏膠 膜可以是一單側(cè)或雙側(cè)具有黏性的黏膠膜。
接著，如圖6F所示， 一電磁干擾涂布體616鄰近封裝體114及114，的外表面 形成且暴露出基板600的上表面604的一部份。電磁干擾涂布體616的制成可采用 多種涂布技術(shù)中任一種完成。例如，通過化學(xué)蒸鍍(Chemical Vapor Deposition, CVD)、無電鍍(electroless plating )、電鍍、印刷(printing)、噴布(spraying)、 濺鍍或真空沉積(vacuum deposition )。舉例來說，電/f茲干擾涂布體616可包含一 通過無電鍍法制成的鎳金屬單層結(jié)構(gòu)，其厚度至少約5，，例如從約5，至約 50，或從約5，至約10，。若電磁干擾涂布體616為多層結(jié)構(gòu)，不同層結(jié) 構(gòu)的形成可采用相同的技術(shù)或相異技術(shù)完成。舉例來說，可通過無電鍍技術(shù)形成一 材質(zhì)為銅的內(nèi)層結(jié)構(gòu)，及可通過無電鍍技術(shù)或電鍍技術(shù)形成一材質(zhì)為鎳的外層結(jié) 構(gòu)。在另一實(shí)施例中，通過濺鍍或無電鍍技術(shù)形成一材質(zhì)為銅的內(nèi)層結(jié)構(gòu)(作為基 底用途)及通過濺鍍技術(shù)形成一材質(zhì)為不銹鋼、鎳或銅的外層結(jié)構(gòu)(作為抗氧化用 途)。該內(nèi)層結(jié)構(gòu)的厚度至少約1 ，，例如從約1 ，至約50，或從約1 ， 至約10，。該外層結(jié)構(gòu)的厚度不大于約1 ，，例如從約0.01 ，至約1 ， 或從約0.01 ，至約0.1 ，。在這些實(shí)施例中，被電磁干擾涂布體616涂布的表 面可先進(jìn)行預(yù)處理，以增進(jìn)外層結(jié)構(gòu)及內(nèi)層結(jié)構(gòu)的成形性。該預(yù)處理包含表面粗糙 化(surface roughening )及形成種子層(seed layer)。該表面粗糙化可采用如化學(xué) 蝕刻(chemical etching )或機(jī)械磨損(mechanical abrasion )的技術(shù)形成,而該種子 層可采用例如是無電鍍技術(shù)形成。
在電磁干擾涂布體616形成后，形成有電磁干擾涂布體616的基板600被倒置 (invert)且從基板600 (呈倒置方位(inverted orientation)的姿態(tài))的下表面614 切割基板600。如此的切割方式稱為"背面(back-side)"切割。如圖6G及圖6H 所示，背面切割由一切割鋸(saw ) 618執(zhí)行，以形成切割槽620a及620b及620c。 特別一提的是，切割槽620a及620b及620c往下地延伸并完全貫穿基板600及電磁干擾涂布體616 (呈倒置方位的姿態(tài))，以將基板600及電磁干擾涂布體616切 割成數(shù)個(gè)包含基板單元102及電磁放射防護(hù)體124的分離單元。如此，形成半導(dǎo)體 封裝件100。在一些實(shí)施態(tài)樣中，切割槽620a、 620b及620c (有時(shí)被稱為一全穿 切寬度(full-cutwidth)中每一者的寬度C2可介于約100，至約600，之間， 例如是從約200 ，至約400 ，或從約240 ，至約360，。雖然圖6G及6H 未繪示，在背面切割的過程中，一l占膠膜可被用來固接半導(dǎo)體封裝件IOO及相鄰的
半導(dǎo)體封裝件。該黏膠膜可以是一單側(cè)或雙側(cè)具有黏性的黏膠膜。
請(qǐng)參照?qǐng)D7A至7D，其繪示依照本發(fā)明的一實(shí)施例中最接近的接地組件700 及700，間的一適當(dāng)距離L3。為了不使圖標(biāo)過于復(fù)雜，假定于正面切割工藝中切出 一寬度C1，且于背面切割工藝中切出一寬度C2。距離L3較佳地至少等于寬度C2 且不大于寬度C1。在其它實(shí)施態(tài)樣中，距離L3的關(guān)系可以表示成C2《L3《C1。
如圖7A所示，距離L3大于寬度C1，亦即，在正面切割工藝后，接地組件700 與700'相距一大于寬度C1的距離。此外，在正面切割工藝后，接地組件700及700' 實(shí)質(zhì)上仍分別地被封裝體704及704'覆蓋。如圖7B所示，距離L3約等于寬度C1， 亦即，在正面切割工藝后，接地組件700與700，相距一約等于寬度C1的距離。此 外，在正面切割工藝后，接地組件700及700，至少部^f分地暴露且提供電性路徑以 降低EMI。如圖7B所示，接地組件700與700'分別包括連接面S3及S3'。
如圖7C所示，距離L3約等于寬度C2，亦即，在背面切割工藝后，接地組件 700與700，相距一約等于寬度C2的距離。此外，在背面切割工藝后，接地組件700 及700'的余留部份至少部份地暴露出來，以提供電性路徑，以降低EMI。如圖7C 所示，接地組件700及700，的余留部份分別包括連接面S4及S4，。如圖7D所示， 距離L3小于寬度C2，亦即，在背面切割工藝后，接地組件700與700，相距一小 于寬度C2的距離。此外，在背面切割工藝后，接地組件700及700，實(shí)質(zhì)上沒有余 留部份。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。 本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作 各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
2權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括一基板單元，包括一上表面；一下表面；及一接地組件，鄰近該基板單元的一周邊(periphery)設(shè)置，且至少部份地延伸于該基板單元的該上表面與該下表面之間，該接地組件具有一連接面(connection surface)，該連接面鄰近于該基板單元的該上表面設(shè)置；一半導(dǎo)體組件，鄰近該基板單元的該上表面設(shè)置并電性連接該基板單元；一封裝體，鄰近該基板單元的該上表面設(shè)置并覆蓋該半導(dǎo)體組件，該封裝體的一周邊相對(duì)該基板組件的該周邊側(cè)向地凹陷，以使該接地組件的該連接面暴露出來，以作為電性連接之用，該封裝體并具有數(shù)個(gè)外表面；以及一電磁干擾防護(hù)體(electromagnetic interference shield)鄰近該封裝體的該些外表面設(shè)置并電性連接該接地組件的該連接面；其中，該接地組件提供一電性路徑(electrical pathway)以將該電磁干擾防護(hù)體上的電磁放射(electromagnetic emission)放電至接地端。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該接地組件對(duì)應(yīng)于一接地孔 (grounding via)，該接地孔包括一孔接墊(via pad ),該孔接墊鄰近該基板單元的該上表面設(shè)置，且該接地組件的該連接面對(duì)應(yīng)于該孔接墊的 一 電性暴露面 (electrically exposed surface )。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該基板單元更包括一電性連接機(jī) 制，其設(shè)置于該基板單元的該上表面與該下表面之間，且該接地孔延伸于該基板單 元的該上表面與該電性連接機(jī)制之間。
4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該接地組件的一高度介于O.l毫米 (mm)至1.5mm之間。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該電磁干擾防護(hù)體包括一側(cè)向部(lateral portion ),其沿著該基板單元的該上表面的 一周邊部份(peripheral portion)延伸。
6. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該側(cè)向部實(shí)質(zhì)上終止于該基板單 元的該周邊。
7. —種半導(dǎo)體封裝件，包括一基板單元，其具有相對(duì)應(yīng)的一第一表面及一第二表面且包括一接地組件，至少部份地延伸于該基板單元的該第一表面與該第二表面之 間，該接地組件對(duì)應(yīng)至一接地孔的一余留部份(remnant)并具有一鄰近于該基板 單元的該第 一表面的 一周邊部份設(shè)置的連接面；一半導(dǎo)體組件，鄰近該基板單元的該第一表面設(shè)置并電性連接于該基板單元；一封裝體，鄰近該基板單元的該第一表面設(shè)置并覆蓋該半導(dǎo)體組件，該封裝體 的一周邊相對(duì)該基板單元的一周邊側(cè)向地凹陷，以使該接地組件的該連接面從鄰近 于該基板單元的該第一表面的該周邊部份暴露出來，以作為電性連接之用，該封裝 體并具有數(shù)個(gè)外表面；以及一電》茲干4尤防護(hù)體(electromagnetic interference shield)鄰近該佳':)"裝體的該些 外表面設(shè)置并電性連接該接地組件的該連接面。
8. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該接地組件包括一孔接墊余留部 (via pad remnant)及一鍍層4言道余留部(plated channel remnant)，該孑W妄墊余留部鄰近該基板單元的該第一表面設(shè)置，而該鍍層信道余留部至少部份地延伸于該基 板單元的該第 一表面與該第二表面之間。
9. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該基板單元的該第一表面的該周 邊部份呈曲狀(curved),以定義出該基板單元的一切除部(cut-out portion)。
10. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該基板單元更包括一側(cè)面，該側(cè)面延伸于該基板單元的該第一表面與該第二表面之間，該封裝體的該些外表面包括 一側(cè)面，該封裝體的該側(cè)面相對(duì)于該基板單元的該側(cè)面?zhèn)认虻匕枷荨?br> 11. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該電磁干擾防護(hù)體為一全覆蓋 (conformal)防護(hù)體，其包含鋁、銅、鉻、錫、金、銀、不銹鋼及鎳中的至少一者。
12. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該電^f茲干擾防護(hù)體包括一第一層 結(jié)構(gòu)及一鄰近于該第一層結(jié)構(gòu)設(shè)置的第二層結(jié)構(gòu)，該第一層結(jié)構(gòu)及該第二層結(jié)構(gòu)包 含不同的電性傳導(dǎo)材料。
13. —種半導(dǎo)體封裝件的形成方法，包括提供一基板，該基板具有一上表面、 一下表面及數(shù)個(gè)接地孔，該些接地孔至少 部份地延伸于該基板的該上表面與該下表面之間； 電性連接一半導(dǎo)體組件與該基板的該上表面；涂布(apply) —封裝材料至該基板的該上表面，以形成一封裝結(jié)構(gòu)(molded structure)，該封裝結(jié)構(gòu)覆蓋該些接地孔及該半導(dǎo)體組件；形成一第一組切割槽(cutting slit),該第一組切割槽通過該封裝結(jié)構(gòu)，以使 (a)該封裝結(jié)構(gòu)被切割成一覆蓋該半導(dǎo)體組件的封裝體，該封裝體包括數(shù)個(gè)側(cè)面， 該些側(cè)面定義出該封裝體的一周邊，以及(b)部份的該些接地孔超出于該封裝體的 該周邊設(shè)置并具有數(shù)個(gè)連接面；形成一電磁干擾涂布體，該電磁干擾涂布體覆蓋該封裝體及該些連接面；以及形成一第二組切割槽，該第二組切割槽通過該電磁干擾涂布體及該基板，以使 (a)該電磁干擾涂布體被切割成一鄰近該封裝體及該些連接面設(shè)置的電磁干擾防護(hù) 體、(b)該基板被切割成一包含一上表面的基板單元，該半導(dǎo)體組件鄰近該基板單 元的該上表面設(shè)置以及(c)該些連接面鄰近該基板單元的該上表面的 一周邊部位設(shè) 置。
14. 如權(quán)利要求13所述的形成方法，其中該些接地孔中至少一者的一貫孔尺 寸介于50微米(，)與300//附之間，而該些接地孔中至少一者的一孔接墊尺寸介于IOO，與600，之間。
15. 如權(quán)利要求13所述的形成方法，其中該些接地孔中最接近的接地孔間的 間距介于O.lmm與3mm之間。
16. 如權(quán)利要求13所述的形成方法，其中于形成該第一組切割槽的該步驟中 包括乂人該封裝結(jié)構(gòu)的一上表面，進(jìn)4亍一正面切割(front-side singulation)。
17. 如權(quán)利要求13所述的形成方法，其中該第一組切割槽中至少一者的一寬 度介于100，與2000，之間。
18. 如權(quán)利要求13所述的形成方法，其中于形成該第二組切割槽的該步驟中 包括從該基板的該下表面，進(jìn)行一背面切割(back-side singulation)。
19. 如權(quán)利要求13所述的形成方法，其中該第二組切割槽中至少一者的一寬 度介于100，與600，之間。
20. 如權(quán)利要求13所述的形成方法，其中該第二組切割槽對(duì)齊至該第一組切 割槽，且該第二組切割槽中至少 一者的 一 寬度小于該第 一組切割槽中至少 一者的一寬度。
全文摘要
一種具有電磁干擾防護(hù)體的半導(dǎo)體封裝件及其形成方法。在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件包括一基板單元、一半導(dǎo)體組件、一封裝體及一電磁干擾防護(hù)體?；鍐卧幸唤拥亟M件，其鄰近基板單元的一周邊設(shè)置且至少部份地延伸于基板單元的一上表面與一下表面之間。半導(dǎo)體組件鄰近基板單元的上表面設(shè)置。封裝體鄰近基板單元的上表面設(shè)置并覆蓋半導(dǎo)體組件。電磁干擾防護(hù)體鄰近封裝體的外表面設(shè)置。封裝體的一周邊側(cè)向地凹陷，以使接地組件的連接面暴露出來并電性連接于電磁干擾防護(hù)體。其中，接地組件提供一電性路徑以將電磁干擾防護(hù)體上的電磁放射放電至接地端。
文檔編號(hào)H01L23/552GK101645436SQ20091013942
公開日2010年2月10日 申請(qǐng)日期2009年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月8日
發(fā)明者安載善, 尹晟豪, 正 李, 車尚珍 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司