專利名稱：基于倒貼片工藝的芯片與天線的連接方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芯片封裝技術(shù)，特別是公開一種基于倒 貼片工藝的芯片與天線的 連接方法。
背景技術(shù)：
隨著RFID技術(shù)的不斷進(jìn)步和芯片成本的不斷降低，需要芯片的連接成本也大幅 度降低，在這種市場(chǎng)需求下，使用倒貼片工藝進(jìn)行裸芯片與天線連接是目前最為經(jīng)濟(jì)和適 于大規(guī)模生產(chǎn)的。倒貼片工藝就是在一種基材上(通常是紙和PET等聚合物)，通過金屬蝕刻或者印 刷、真空蒸鍍等方式，在其上形成導(dǎo)電通路(即天線)，然后將導(dǎo)電膠涂在天線上，最后將沒 有任何封裝的裸芯片通過倒貼片的方式置于導(dǎo)電膠上，并通過加熱加壓使導(dǎo)電膠固化，形 成導(dǎo)電連接。裸芯片進(jìn)行倒貼片后，需要將導(dǎo)電膠(各向異性導(dǎo)電膠或各向同性導(dǎo)電膠)進(jìn)行 加熱固化，從而使導(dǎo)電膠起到固定芯片和使得芯片與天線建立導(dǎo)電連接的作用。這種工藝 的決定了芯片裸露在外面沒有任何保護(hù)，所以如何提高芯片與天線的連接強(qiáng)度，是這種工 藝的重中之重。導(dǎo)電膠在其生產(chǎn)，灌裝和運(yùn)輸環(huán)節(jié)都不可避免的會(huì)混入空氣；導(dǎo)電膠在其使用過 程中，包括以刮膠或者點(diǎn)膠等模式涂到天線基材上時(shí)，也會(huì)包容到一些空氣；而且，當(dāng)裸芯 片被倒貼片于導(dǎo)電膠上時(shí)，芯片上的凸點(diǎn)根部也會(huì)給導(dǎo)電膠帶來空氣。如果這些混入導(dǎo)電膠內(nèi)的空氣不能被排除掉，當(dāng)進(jìn)行熱壓時(shí)，導(dǎo)電膠由于在0. 5s 的短時(shí)間內(nèi)被加熱到180°C左右，其中的空氣就會(huì)急劇膨脹數(shù)十倍，在芯片下部沖擊出一塊 真空地帶。這個(gè)真空地帶沒有導(dǎo)電膠，所以會(huì)造成芯片實(shí)際粘結(jié)面積小于芯片面積，芯片與 天線基材的粘結(jié)力達(dá)不到設(shè)計(jì)要求，從而降低了裸芯片抵抗外力的能力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，提供一種基于倒貼片工藝的芯片 與天線的連接方法，使導(dǎo)電膠的固化強(qiáng)度提高，減小由于空氣的存在使芯片實(shí)際粘結(jié)面積 減少的問題，從而保證芯片粘結(jié)力達(dá)到設(shè)計(jì)要求。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的一種基于倒貼片工藝的芯片與天線的連接方法，包括如下 步驟(1)將芯片使用倒貼片工藝倒貼到涂有導(dǎo)電膠的天線基材上；(2)對(duì)倒貼上芯片的天線基材進(jìn)行均勻預(yù)熱，預(yù)熱溫度為45 70°C，預(yù)熱時(shí)間為 8 20s ；(3)對(duì)天線基材上的導(dǎo)電膠進(jìn)行加熱固化，從而使芯片與天線形成導(dǎo)電連接。所述步驟2中對(duì)倒貼上芯片的天線基材進(jìn)行均勻預(yù)熱，使得天線基材上任何兩處 的溫度差小于5°C。
步驟2中所述均勻預(yù)熱的方式為接觸式加熱、輻射式加熱或?qū)α魇郊訜?。上述步驟2中對(duì)倒貼上芯片的天線基材進(jìn)行均勻預(yù)熱時(shí)，可采用多種預(yù)熱形式，如直接用發(fā)熱源給天線基材進(jìn)行加熱；或在天線基材外設(shè)置一個(gè)密封加熱箱來控制加熱溫 度。當(dāng)采用加熱箱的方式加熱時(shí)，可采用機(jī)器步進(jìn)的形式來對(duì)天線基材進(jìn)行加熱；也可用機(jī) 器連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)模式進(jìn)行加熱，加熱箱的溫度調(diào)節(jié)通過主動(dòng)調(diào)節(jié)或被動(dòng)調(diào)節(jié)的工作模式，以保 證天線基材的預(yù)熱溫度始終保持一致。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明通過盡量降低導(dǎo)電膠內(nèi)的空氣，來增大芯片的粘結(jié) 面積，相應(yīng)的增加了芯片的粘結(jié)強(qiáng)度和抵抗外力的能力，使芯片底部的殘存空氣大為減小 和減少，最大氣泡面積由原先的0. 15mm2，減小到0. IOmm2以下；底部含有氣泡的芯片比率， 由原先的40%降至35%以下。芯片橫向剪切力平均增大3N/mm2左右。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明基于倒貼片工藝的芯片與天線的連接方法，包括如下步驟(1)將芯片使用倒貼片工藝倒貼到涂有導(dǎo)電膠的天線基材上；(2)對(duì)倒貼上芯片的天線基材進(jìn)行均勻預(yù)熱，使導(dǎo)電膠內(nèi)部的空氣溢出，為了避免 導(dǎo)電膠過早固化，預(yù)熱溫度控制為45 70°C，加熱時(shí)間為8 20s。在預(yù)熱時(shí)為了保持溫 度均勻，應(yīng)使天線基材上任何兩處的溫度差小于5°C。均勻預(yù)熱的方式為接觸式加熱、輻射 式加熱或?qū)α魇郊訜帷?3)對(duì)天線基材上的導(dǎo)電膠進(jìn)行加熱和加壓使其固化，從而使芯片與天線形成導(dǎo) 電連接。下面就具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步闡述如上述步驟，在步驟2中對(duì)倒貼上芯片的天線基材進(jìn)行均勻預(yù)熱，預(yù)熱溫度分別 控制為50°C、60°C、7(TC，預(yù)熱時(shí)間分別控制為8s、15s、20s，其余步驟如上述，其結(jié)果如下
表 從表中可以看出，在現(xiàn)有的芯片倒貼片工藝中，芯片底部含有的氣泡比率為40%， 氣泡面積通常為0. 15mm2，通過上述設(shè)施例說明，本發(fā)明使得芯片底部含有的氣泡比率和氣 泡面積均低于現(xiàn)有技術(shù)，使得芯片的粘結(jié)面積增大從而加強(qiáng)了芯片的粘結(jié)強(qiáng)度。
權(quán)利要求
一種基于倒貼片工藝的芯片與天線的連接方法，包括如下步驟(1)將芯片使用倒貼片工藝倒貼到涂有導(dǎo)電膠的天線基材上；(2)對(duì)倒貼上芯片的天線基材進(jìn)行均勻預(yù)熱，預(yù)熱溫度為45～70℃，預(yù)熱時(shí)間為8～20s；(3)對(duì)天線基材上的導(dǎo)電膠進(jìn)行加熱固化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于倒貼片工藝的芯片與天線的連接方法，其特征在于所 述步驟2中對(duì)倒貼上芯片的天線基材進(jìn)行均勻預(yù)熱，使得天線基材上任何兩處的溫度差小 于 5°C。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2述的基于倒貼片工藝的芯片與天線的連接方法，其特征在于 步驟2中所述均勻預(yù)熱的方式為接觸式加熱、輻射式加熱或?qū)α魇郊訜帷?br> 全文摘要
本發(fā)明為一種基于倒貼片工藝的芯片與天線的連接方法包括如下步驟(1)將芯片使用倒貼片工藝倒貼到涂有導(dǎo)電膠的天線基材上；(2)對(duì)倒貼上芯片的天線基材進(jìn)行均勻預(yù)熱，加熱溫度為45～70℃，加熱時(shí)間為8～20s；(3)對(duì)天線基材上的導(dǎo)電膠進(jìn)行固化。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是使導(dǎo)電膠的固化強(qiáng)度提高，減小由于空氣的存在使芯片實(shí)際粘結(jié)面積減少的問題，從而保證芯片粘結(jié)力達(dá)到設(shè)計(jì)要求。
文檔編號(hào)H01L21/60GK101840873SQ200910056958
公開日2010年9月22日 申請(qǐng)日期2009年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月19日
發(fā)明者朱閣勇, 池俠, 邱海濤 申請(qǐng)人:上海中卡智能卡有限公司