專利名稱：一種太陽能電池用薄膜材料的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系太陽能電池板的制造方法，具體的是涉及太陽能電池板中所用薄膜材料的一種制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的燃料能源正在一天天減少，對環(huán)境造成的危害日益突出，同時全球還有20 億人得不到正常的能源供應(yīng)。因此，全世界都把目光投向了可再生能源，希望可再生能源能 夠改變?nèi)祟惖哪茉唇Y(jié)構(gòu)，維持人類社會長遠可持續(xù)發(fā)展。其中太陽能以其獨有的優(yōu)勢而成 為人們重視的焦點。太陽輻射本質(zhì)上是地球上多數(shù)能源的源頭，是取之不盡、用之不竭的、 無污染、廉價、人類能夠自由利用的能源。太陽能每秒鐘到達地面的能量高達80萬千瓦，假 如能把地球表面0. 的太陽能轉(zhuǎn)為電能，轉(zhuǎn)變率5%，每年發(fā)電量可達5. 6X1012千瓦小 時，相當(dāng)于世界上能耗的40倍。利用太陽能的最佳方式是光伏轉(zhuǎn)換，就是利用“光伏效應(yīng)”，使太陽光射到半導(dǎo)體 材料上產(chǎn)生電流直接發(fā)電。以硅材料的應(yīng)用開發(fā)形成的產(chǎn)業(yè)鏈條稱之為光伏產(chǎn)業(yè)，包括高 純多晶硅原材料生產(chǎn)、太陽能電池生產(chǎn)、太陽能電池組件生產(chǎn)、相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備的制造等。太 陽能光伏發(fā)電在不遠的將來會占據(jù)世界能源消費的重要席位，不但要替代部分常規(guī)能源， 而且將成為世界能源供應(yīng)的主體。預(yù)計到2030年，可再生能源在總能源結(jié)構(gòu)中將占到30% 以上，而太陽能光伏發(fā)電在世界總電力供應(yīng)中所占比例也將達到10%以上；到2040年，可 再生能源將占總能耗的50%以上，太陽能光伏發(fā)電將占總電力的20%以上；到21世紀(jì)末， 可再生能源在能源結(jié)構(gòu)中將占到80%以上，太陽能發(fā)電將占到60%以上。這些數(shù)字足以顯 示出太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展前景及其在能源領(lǐng)域重要的戰(zhàn)略地位。從2005年開始，全球在硅材料緊缺、價格飆升的情況下，光伏產(chǎn)業(yè)仍以每年44% 的增幅持續(xù)高速發(fā)展。2006年全球?qū)嶋H產(chǎn)量已接近2. 6Gff(千兆瓦)，產(chǎn)能超過3GW，2007 年產(chǎn)能突破5GW。據(jù)統(tǒng)計，2007年全球光伏發(fā)電量比例還不到0. 01%，即使到2010年這一 比例也不超過0. 1 %，光伏產(chǎn)業(yè)正處于蓬勃發(fā)展的初期階段，世界市場遠遠沒有達到飽和。太陽能電池材料，以硅為例，非晶硅、多晶硅以及單晶硅的光電轉(zhuǎn)換效應(yīng)分別為 17%，24%和29%。顯然，單晶硅的轉(zhuǎn)換效率是最高的，因而是最理想的材料。然而，現(xiàn)在的 單晶硅電池都是單晶硅棒切片制造的，單晶硅棒的生產(chǎn)成本很高，而且切下來的部分只有 表面的一小薄層(約為硅片厚度的1/50)參與光電轉(zhuǎn)換過程，這造成了單晶硅電池的成本 居高不下。從2005年開始，全球硅材料緊缺、價格飆升，價格問題顯得更加突出。非晶硅薄膜太陽能電池由Carlson和Wronski在20世紀(jì)70年代中期開發(fā)成功， 80年代其生產(chǎn)曾達到高潮，約占全球太陽能電池總量的20%左右，但由于非晶硅太陽能電 池轉(zhuǎn)化效率低于晶體硅太陽能電池，而且非晶硅太陽能電池存在光致衰減效應(yīng)的缺點光 電轉(zhuǎn)換效率會隨著光照時間的延續(xù)而衰減。與晶體硅電池相比，每瓦的電池面積會增加約 一倍，在安裝空間和光照面積有限的情況下限制了它的應(yīng)用。而其不穩(wěn)定性則集中體現(xiàn)在 其能量轉(zhuǎn)換效率隨輻照時間的延長而變化，直到數(shù)百或數(shù)千小時后才穩(wěn)定，這個問題在一定程度上影響了這種低成本太陽能電池的應(yīng)用，使人們對其發(fā)展前景心存疑慮。在太陽能電池材料應(yīng)用中，少數(shù)載流子壽命和多數(shù)載流子遷移率是兩個重要指 標(biāo)。短路電流強烈地取決于少數(shù)載流子壽命，而填充因子和光電產(chǎn)額則由多數(shù)載流子遷移 率決定。多晶薄膜的晶界可以導(dǎo)致晶格畸變以及懸掛鍵。這些結(jié)構(gòu)缺陷以及雜質(zhì)偏聚，會 改變晶界附近的能帶結(jié)構(gòu)，也即少數(shù)載流子復(fù)合以及多數(shù)載流子跨越此晶界。理論和實驗 都證明，取向較好和大的晶粒可以全面改善載流子移動的性。如果能制造單晶硅薄膜，就會在保持高的光電轉(zhuǎn)換效率的同時，節(jié)省許多原料。一 般來說，制造單晶薄膜的方法是選擇具有相同晶體結(jié)構(gòu)的襯底，在上面外延生長相同取向 的單晶薄膜。但是作為襯底的單晶本身也很貴，所以這種方法也不能解決價格問題。如果不采用單晶襯底，薄膜的生長將像大塊材料一樣，長出的晶粒尺寸細小，并且 取向是隨機的。這樣帶來的后果是晶界所占的體積百分比增加，晶界角度也大，從而導(dǎo)致電 子的散射幾率增加以及電子復(fù)合幾率增加，從而降低電池的轉(zhuǎn)換效率?，F(xiàn)有技術(shù)的太陽能電池板是由太陽能薄膜和覆蓋在薄膜上面的透明導(dǎo)電層及減 反射層構(gòu)成的，其中太陽能薄膜從下向上又分為襯底層、模版薄膜層和半導(dǎo)體薄膜層。用模 版薄膜層來控制半導(dǎo)體薄膜生長成為單晶是一個既經(jīng)濟又可行的方法，目前已經(jīng)公開的技 術(shù)有國際專利W02008/112115A1和W02006/060466A2兩種，分別是利用軋制輔助雙軸織構(gòu) 法(RABiTS)和離子束輔助沉積法(IBAD)，這兩種方法可以制造出模版薄膜層，但是制備的 速度較慢，制造成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種原料來源容易，成本低，模版薄膜層的制備速度較快，模 版薄膜層的粗糙度適當(dāng)，有利于太陽能的充分吸收，易于操作的太陽能電池薄膜材料的制 造方法。本發(fā)明的目的由以下技術(shù)方案予以實現(xiàn)一種太陽能電池用薄膜材料的制造方法，所述薄膜材料包括自下而上三層，分別 是襯底層1、模版薄膜層2和半導(dǎo)體薄膜層3，其特征在于所述襯底層1是非晶或多晶結(jié)構(gòu)的金屬薄板、陶瓷或玻璃；所述模版薄膜層2為晶體學(xué)雙軸織構(gòu)結(jié)構(gòu)，由傾斜襯底沉積法制備；所述半導(dǎo)體薄膜層3由物理氣相沉積或者化學(xué)氣相沉積制備，由模版薄膜層外延 生長而成，為晶體學(xué)雙軸織構(gòu)結(jié)構(gòu)，為一個或多個P-N結(jié)串聯(lián)的光伏轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)。所述用傾斜襯底沉積法制備是在20°C以上溫度制備具有晶體學(xué)雙軸織構(gòu)的模版 層2，模版層2材料包括氧化鎂MgO，氧化鈰Ce02，氧化釔Y203，釔穩(wěn)定氧化鋯Y stabilized ZrO,鋯酸釓Gd2&207或它們的組合。所述物理氣相沉積是利用某種物質(zhì)的熱蒸發(fā)或在受到粒子轟擊時物質(zhì)表面原子 產(chǎn)生濺射物理過程實現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過程。所述物理氣相沉積包括真空電阻蒸發(fā)、真空電子束蒸發(fā)、直流濺射、射頻濺射、離 子束濺射、離子鍍、脈沖激光沉積或分子束外延。使用真空熱蒸發(fā)法，例如真空電阻蒸發(fā)法、 真空電子束蒸發(fā)法或脈沖激光沉積法加熱蒸發(fā)金屬或化合物，調(diào)整襯底法線方向相對于被 鍍膜物質(zhì)入射方向偏轉(zhuǎn)一個特定角度，生長出的薄膜具有雙軸織構(gòu)，可作為種子層用來外延其他材料。具體為所述襯底層為金屬薄板，例如哈氏合金276，哈氏合金276具有高溫抗氧化性能， 這是因為后續(xù)工藝要使用高溫及氧化環(huán)境，另外還包括陶瓷或玻璃制備；所述模版薄膜 層由傾斜襯底沉積法制備，涉及傾斜襯底沉積法工藝由美國專利u. S. Pat. 6190752，及 U. S. Pat. 6265353已經(jīng)公開，雖然后者是用來制作高溫超導(dǎo)薄膜帶材，在本發(fā)明中可以應(yīng)用。制作過程，首先選擇合適的襯底，它可以是金屬薄帶或薄板，陶瓷，或者玻璃。值得 指出的是，這里的金屬薄帶或薄板具有很高的柔韌性，因而在應(yīng)用時有很多便利，例如可以 方便卷繞攜帶，以及容易貼合形狀復(fù)雜的物體表面。準(zhǔn)備好的襯底應(yīng)是清潔的，表面光潔度 為0. 1-0. 8微米。其次，在所述襯底上由傾斜襯底沉積法制備具有晶體學(xué)雙軸織構(gòu)的模版薄膜層。 沉積薄膜時溫度在20°C以上。模版層由一層或多層材料組成，包括氧化鎂(MgO)，氧化鈰 (Ce02)，氧化釔(Y203)，釔穩(wěn)定氧化鋯(Y stabilized ZrO)，鋯酸釓(Gd2Zr207) 0對于金屬襯 底，為防止元素向半導(dǎo)體薄膜層擴散而影響其性能，模版薄膜層要含有一層氧化釔或釔穩(wěn) 定氧化鋯，也叫作阻擋層。模版層包含多種材料時，選取最頂層材料的原則是使得其晶格常 數(shù)盡可能與半導(dǎo)體薄膜層接近，從而減少模版層和半導(dǎo)體薄膜層界面之間的應(yīng)力以提高薄 膜與襯底的結(jié)合強度。例如，氧化鈰和硅Si的晶格常數(shù)分別為0. 5411納米和0. 5431納米， 兩者晶格常數(shù)失配率僅為0. 3%，匹配相當(dāng)完美。氧化鈰通常是作為最頂層，制備時其厚度 不要超過50納米，以防止微裂紋產(chǎn)生。最后，在得到雙軸織構(gòu)的模版薄膜層以后，可以使用物理氣相沉積(PVD)或者化 學(xué)氣相沉積(CVD)來外延生長雙軸織構(gòu)的半導(dǎo)體薄膜層。所述物理氣相沉積是利用某種物理過程，如物質(zhì)的熱蒸發(fā)或在受到粒子轟擊時物 質(zhì)表面原子產(chǎn)生濺射等，實現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過程。例如，但不限于真 空電阻蒸發(fā)，真空電子束蒸發(fā)，直流濺射，射頻濺射，離子束濺射，等等。所述化學(xué)氣相沉積是利用氣態(tài)的先驅(qū)反應(yīng)物，通過原子、分子間化學(xué)反應(yīng)的途徑 生成固態(tài)薄膜的技術(shù)。例如，但不限于低壓CVD，激光輔助CVD，金屬有機化合物CVD，等離子 體CVD，等等。薄膜生長通常是在高溫下進行，300-900°C，以保證被沉積原子在晶粒生長過程中 有足夠的動能來有秩序地排列到晶體的正確位置上。換句話說，在模版薄膜層晶體取向的 誘導(dǎo)下，半導(dǎo)體薄膜層各個形核中心將依照共同的結(jié)晶學(xué)取向長大，最終形成雙軸織構(gòu)薄膜。本發(fā)明所述半導(dǎo)體薄膜層意指能起到光伏轉(zhuǎn)換的結(jié)構(gòu)，也即P-N結(jié)結(jié)構(gòu)，而且可 能是多個P-N結(jié)疊層結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體材料由下述材料，但不限于下述材料組成①直接帶隙半 導(dǎo)體，例如 GaAs，CdTe, CuInGaSe2, GaAs, AlGaAs, GalnP, AllnP，或者②間接帶隙半導(dǎo)體，例 如Si、Ge，GaP，或者③多帶半導(dǎo)體，例如III-N-V，其中III和V代表元素周期表中的III族 和V族元素材料，例如GaNxASl_x_yPy，或者④它們之間的組合。所述太陽能電池用半導(dǎo)體薄 膜材料還包括薄膜中的少數(shù)摻雜元素以幫助獲得所需N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體特性。所述 半導(dǎo)體薄膜層厚度為1至10微米。
本發(fā)明的優(yōu)點和優(yōu)越效果用單晶半導(dǎo)體切片法生產(chǎn)的太陽能電池，其厚度一般在0. 5毫米左右，因為需要 一定的強度以保障后續(xù)的加工工序。而用本法制造的太陽能電池半導(dǎo)體層厚度僅在l-io 微米。因為采用的襯底成本很低，厚一些也無妨，強度保障也沒有問題。按此計算，可以節(jié) 省98%以上的半導(dǎo)體材料，其結(jié)果是節(jié)約了資源同時也降低了成本。以硅太陽能電池為例， 用單晶硅切片法生產(chǎn)的太陽能電池，其硅層一般厚0. 5毫米，這還不包括表面處理所損失 的部分。而用本法制造的太陽能電池厚度僅在10微米以下。按此計算，可以節(jié)省98%的硅 半導(dǎo)體材料。用單晶半導(dǎo)體生產(chǎn)的太陽能電池理論上較之非晶太陽能電池要高得多。同樣以硅 太陽能電池為例，非晶硅和單晶硅的理論光電轉(zhuǎn)換效率分別為17%和29%，用本發(fā)明制造 的太陽能電池，其太陽能轉(zhuǎn)換效率較之非晶太陽能電池理論上可提高至少12%。利用模版來控制半導(dǎo)體薄膜生長使之成為單晶薄膜，已經(jīng)存在的專利有國際專利 W02008/112115A1和W02006/060466A2兩種，分別是軋制輔助雙軸織構(gòu)法(RABiTS)和離子 束輔助沉積法(IBAD)。其中軋制輔助雙軸織構(gòu)法是利用金屬在軋制過程中晶粒的轉(zhuǎn)動，產(chǎn) 生雙軸織構(gòu)成為模版。該法對軋機設(shè)備性能和軋輥光潔度要求非常高，并且由于襯底元素 會污染半導(dǎo)體薄膜層，這種模版表面也還需要采用薄膜技術(shù)外延生長隔離層，因而成本并 不低，效率也并不高。離子束輔助沉積法是在真空鍍膜過程中通過調(diào)整入射粒子的動量使 得粒子規(guī)則排列成為雙軸織構(gòu)薄膜的。與之相比，本方法雖然也是利用真空鍍膜方法，但本 方法是利用所謂的“陰影效應(yīng)”，使得固定取向優(yōu)先生長產(chǎn)生雙軸織構(gòu)模版薄膜層，制備模 版薄膜層的速度快，約500納米/分鐘，而離子束輔助沉積法僅為24納米/分鐘。這種方 法的設(shè)備簡單，效率高，因而成本更低。而且本方法制作的模版薄膜層帶有一定的粗糙度，這對充分吸收陽光以提高太陽 能電池效率是大有好處的。對于單晶硅制造的太陽能電池，有一步工藝是所謂的“絨面工 藝”，就是在半導(dǎo)體表面刻蝕微金字塔結(jié)構(gòu)以產(chǎn)生適當(dāng)?shù)拇植诙葟亩沟霉饩€在半導(dǎo)體表 面重復(fù)折射以提高吸收效率。薄膜材料因為太薄因而難以使用此工藝，然而本方法自然產(chǎn) 生的粗糙表面正好彌補了這一缺點，而其他兩種方法，即已經(jīng)公開的W02008/112115A1和 W02006/060466A2兩項專利技術(shù)沒有具備這一特點。


圖1為本發(fā)明太陽能電池用薄膜材料的制造方法所述薄膜材料的一種實施方式 的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為太陽能電池板的基本結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，1是襯底層，2是模版薄膜層，3是半導(dǎo)體薄膜層，4是透明導(dǎo)電層，5是減反射層。(五)具體實施方法實例一，采用電化學(xué)拋光后的0. 25毫米厚哈氏合金276襯底層1，使用真空電子束 蒸發(fā)技術(shù)及傾斜襯底沉積法在室溫先制取一層1微米的MgO，1微米的氧化釔Y203的模版薄 膜層2，再生長一層50納米的Ce02，在600-800°C條件下用化學(xué)氣相沉積CVD制取Si半導(dǎo) 體薄膜層3。用來評定薄膜在沿薄膜平面內(nèi)的織構(gòu)程度的X射線搖擺曲線半高寬FWHM僅為V，織構(gòu)程度非常好。實例二，采用電化學(xué)拋光后的1.00毫米厚哈氏合金276襯底層1，使用真空電子 束蒸發(fā)技術(shù)及傾斜襯底沉積法在室溫先制取一層1微米的MgO，1微米的氧化釔Y203的模版 薄膜層2，再生長一層50納米的Ce02，在700-900°C條件下用化學(xué)氣相沉積CVD制取砷化鎵 GaAs半導(dǎo)體薄膜層3，F(xiàn)WHM為9°。實例三，采用機械拋光法拋光后的0. 8毫米厚不銹鋼薄板襯底層1，使用真空電子 束蒸發(fā)技術(shù)及傾斜襯底沉積法在室溫先制取一層1微米的MgO，1微米的氧化釔Y203的模版 薄膜層2，再生長一層50納米的Ce02，最后在真空下700-800°C用脈沖激光沉積法外延生長 GaAs半導(dǎo)體薄膜層3，F(xiàn)WHM為9°。實例四，采用機械拋光法拋光后的0. 5毫米厚不銹鋼薄板襯底層1，使用真空電子 束蒸發(fā)技術(shù)及傾斜襯底沉積法在室溫先制取一層1微米的MgO，1微米的釔穩(wěn)定氧化鋯YSZ， 再生長一層50納米的Ce02的模版薄膜層2，最后在真空下600-800°C用脈沖激光沉積法外 延生長GaAs半導(dǎo)體薄膜層3，F(xiàn)WHM為9°。實例五，采用陶瓷襯底層，采用真空電子束蒸發(fā)和傾斜襯底沉積法制取一層1微 米的MgO，一層50納米的Ce02的模版薄膜層2，再在600°C以下用RF磁控濺射外延生長Si 半導(dǎo)體薄膜層3，F(xiàn)WHM為7°。按照以上實施例的方法均能制造出太陽能電池薄膜，經(jīng)性能測試也均符合相關(guān)的 技術(shù)指標(biāo)，也具備了上述所述的優(yōu)越性和較之現(xiàn)有技術(shù)的顯著技術(shù)、經(jīng)濟效果。
權(quán)利要求
一種太陽能電池用薄膜材料的制造方法，所述薄膜材料包括自下而上三層，分別是襯底層(1)、模版薄膜層(2)和半導(dǎo)體薄膜層(3)，其特征在于所述襯底層(1)是非晶或多晶結(jié)構(gòu)的金屬薄板、陶瓷或玻璃；所述模版薄膜層(2)為晶體學(xué)雙軸織構(gòu)結(jié)構(gòu)，由傾斜襯底沉積法制備；所述半導(dǎo)體薄膜層(3)由物理氣相沉積或者化學(xué)氣相沉積制備，由模版薄膜層外延生長而成，為晶體學(xué)雙軸織構(gòu)結(jié)構(gòu)，為一個或多個P-N結(jié)串聯(lián)的光伏轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述太陽能電池用薄膜材料的制造方法，其特征在于用傾斜襯底沉 積法在20°C以上溫度制備具有晶體學(xué)雙軸織構(gòu)的模版層(2)，模版層(2)材料包括氧化鎂 MgO,氧化鈰CeO2,氧化釔Y2O3，釔穩(wěn)定氧化鋯Ystabilized ZrO,鋯酸釓GdJr2O7或它們的組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述太陽能電池用薄膜材料的制造方法，其特征在于所述物理氣相 沉積是利用某種物質(zhì)的熱蒸發(fā)或在受到粒子轟擊時物質(zhì)表面原子產(chǎn)生濺射物理過程實現(xiàn) 物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過程。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述太陽能電池用薄膜材料的制造方法，其特征在于所述物理 氣相沉積包括真空電阻蒸發(fā)、真空電子束蒸發(fā)、直流濺射、射頻濺射、離子束濺射、離子鍍、 脈沖激光沉積或分子束外延。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述太陽能電池用薄膜材料的制造方法，其特征在于所述化學(xué)氣相 沉積是利用氣態(tài)的先驅(qū)反應(yīng)物，通過原子、分子間化學(xué)反應(yīng)的途徑生成固態(tài)薄膜的技術(shù).
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述太陽能電池用薄膜材料的制造方法，其特征在于所述化學(xué) 氣相沉積包括低壓CVD、激光輔助CVD、等離子體增強CVD或金屬有機化合物CVD。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述太陽能電池用薄膜材料的制造方法，其特征在于所述半導(dǎo)體薄 膜層(3)由直接帶隙半導(dǎo)體、間接帶隙半導(dǎo)體、多帶半導(dǎo)體，或者它們之間的組合構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述太陽能電池用薄膜材料的制造方法，其特征在于所述半導(dǎo)體薄 膜層(3)中摻雜獲得所需N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體特性的少量元素。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述太陽能電池用薄膜材料的制造方法，其特征在于所述半導(dǎo)體薄 膜層⑶厚度為1至10微米。
全文摘要
本發(fā)明涉及太陽能電池板中所用薄膜材料的一種制造方法。一種太陽能電池用薄膜材料的制造方法，所述薄膜材料包括自下而上襯底層(1)、模版薄膜層(2)和半導(dǎo)體薄膜層(3)，襯底層(1)是非晶或多晶結(jié)構(gòu)的金屬薄板、陶瓷或玻璃；模版薄膜層(2)為晶體學(xué)雙軸織構(gòu)結(jié)構(gòu)，由傾斜襯底沉積法制備；半導(dǎo)體薄膜層(3)由物理氣相沉積或者化學(xué)氣相沉積制備，由模版薄膜層外延生長而成，為晶體學(xué)雙軸織構(gòu)結(jié)構(gòu)，為一個或多個P-N結(jié)串聯(lián)的光伏轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)。本發(fā)明太陽能電池半導(dǎo)體層厚度僅在1-10微米可以節(jié)省98％的硅半導(dǎo)體材料，太陽能轉(zhuǎn)換效率較之非晶太陽能電池可提高12％。設(shè)備簡單，效率高，成本低，模版薄膜層(2)帶有一定的粗糙度，充分吸收陽光提高太陽能電池吸收轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號H01L31/18GK101800260SQ200910056869
公開日2010年8月11日 申請日期2009年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月10日
發(fā)明者胡傾宇 申請人:胡傾宇