專利名稱：硅通孔鍵合結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及鍵合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)和方法，更具體地，涉及使用 硅通孔將一個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)鍵合到另一個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
圖l示出了將第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)101鍵合到第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)103上的方 法。第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)101包括硅通孔105,其從第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)101的一 個(gè)表面延伸到第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)101的另一個(gè)表面。第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)103包 括覆蓋在凸點(diǎn)下金屬化層(UBM) 109上的接觸凸點(diǎn)107，其提供第一半 導(dǎo)體結(jié)構(gòu)101上的硅通孔105與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)103之間的電接觸。
在鍵合過程中，不流動(dòng)膠(NFU) 111代表性地置于第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 101上。 一旦NFUlll處于適當(dāng)?shù)奈恢茫谝话雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)101和第二半導(dǎo) 體結(jié)構(gòu)103與對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的接觸凸點(diǎn)107的硅通孔105發(fā)生接觸以建立第一 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)101和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)103之間的電接觸。在上述結(jié)構(gòu)已經(jīng)對(duì) 準(zhǔn)和發(fā)生接觸之后，代表性地進(jìn)行回流以回流接觸凸點(diǎn)107，形成與硅通 孔105更好的接觸。
然而，如果NFUlll被使用，第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)101鄰近硅通孔105的 表面可能被暴露。當(dāng)這種情況發(fā)生時(shí)，在回流過程中，接觸凸點(diǎn)107的材 料(例如，焊料)可能流動(dòng)到開口內(nèi)，并在接觸凸點(diǎn)107和第一半導(dǎo)體結(jié) 構(gòu)101之間建立如標(biāo)號(hào)113所指示的短路路徑。這將導(dǎo)致第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 101和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)103的缺陷，或者甚至整個(gè)器件故障。
因此，需要一種保護(hù)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面避免產(chǎn)生可能導(dǎo)致短路的空隙 的方法。

發(fā)明內(nèi)容
開了上述以及其他的問題，并且普遍達(dá)到了技術(shù)效果。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例， 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一襯底和第 二襯底。第一襯底包括第一側(cè)面和與第一側(cè)面相對(duì)的第二側(cè)面，位于襯底 的第二側(cè)面之上的過渡層，延伸穿過過渡層的硅通孔。第二襯底包括位于 第二襯底和過渡層之間的保護(hù)層，以及延伸穿過保護(hù)層并與硅通孔接觸的 接觸點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例， 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一襯底和 位于第一襯底之上的第二襯底。過渡層位于第一襯底和第二襯底之間，保 護(hù)層位于過渡層和第二襯底之間。導(dǎo)體延伸穿過第一襯底并穿過過渡層， 接觸凸點(diǎn)位于第 一襯底和第二襯底之間并與硅通孔接觸。
根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例， 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第 一襯底， 其具有在第 一襯底的第 一表面上的接觸凸點(diǎn)。保護(hù)層位于第 一襯底的第一 表面之上，其中接觸凸點(diǎn)基本被保護(hù)層暴露，過渡層位于保護(hù)層之上。第 二襯底位于過渡層之上，第二襯底包括面對(duì)第一襯底的第二表面和背對(duì)第 二襯底的第三表面，硅通孔從第三表面延伸到接觸凸點(diǎn)。
本發(fā)明的實(shí)施例的 一 項(xiàng)有益效果為減少了接觸凸點(diǎn)延伸穿過鍵合材料 內(nèi)的空隙的能力，以及襯底表面發(fā)生短路的能力。因此，整體結(jié)構(gòu)將有較 少的損壞，并且提高了可用器件的成品率。


為了更加全面的理解示出的實(shí)施例及其有益效果，以下結(jié)合附圖進(jìn)行
說明，其中
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中鍵合兩個(gè)半導(dǎo)體村底的示意圖；以及圖。
不同的附圖中的相應(yīng)的數(shù)字和標(biāo)號(hào)除非另有說明外一般指示相應(yīng)的部 分。附圖繪制僅為清楚地示出優(yōu)選的實(shí)施例的相關(guān)方面，并不必需按照比例繪制。
具體實(shí)施例方式
下面詳細(xì)討論本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例的制造和使用。應(yīng)當(dāng)理解的是，無 論如何，示出的實(shí)施例提供了很多可在廣泛多種場(chǎng)景中實(shí)施的適用的發(fā)明 構(gòu)思。所討論的特定的實(shí)施例僅是制造和使用本發(fā)明的特定方式，并不是 對(duì)本發(fā)明的范圍的限制。
本發(fā)明在特定的環(huán)境中將參考示出的實(shí)施例進(jìn)行描述，也就是使用硅 通孔將一個(gè)半導(dǎo)體管芯鍵合到另一個(gè)半導(dǎo)體管芯上。然而，本發(fā)明也可以 應(yīng)用到其他鍵合工藝中。
參考圖2，示出了第一半導(dǎo)體襯底201,其具有形成在其上的UBM203 和接觸凸點(diǎn)205。第一半導(dǎo)體襯底201優(yōu)選地半導(dǎo)體管芯，其包括具有形 成在其中和/或其上的電子器件的襯底，并且，優(yōu)選但并不必需的，也包括 電介質(zhì)和導(dǎo)電層以提供電子器件之間的連接和布線(圖2中全部通過襯里 207表示)。位于第一半導(dǎo)體襯底201上可以具有任意數(shù)量的導(dǎo)電和電介 質(zhì)層的交互層，但是代表性的層的范圍可以為三層到十二層交互的導(dǎo)電和 電介質(zhì)層。
可選擇的，第一半導(dǎo)體襯底201可以包括半導(dǎo)體晶片以提供晶片-晶片 或晶片-管芯鍵合。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體晶片優(yōu)選地包括多個(gè)半導(dǎo)體管芯， 每個(gè)管芯優(yōu)選地包括襯底，形成在襯底其中和/或其上的有源器件，以及 多個(gè)電介質(zhì)和導(dǎo)電層。在本實(shí)施例中，獨(dú)立的半導(dǎo)體管芯優(yōu)選地形成在單 一的半導(dǎo)體晶片上，并且慮及同時(shí)處理所有獨(dú)立管芯的優(yōu)選的方法，獨(dú)立 的管芯沒有從半導(dǎo)體晶片上分離。
在第一半導(dǎo)體襯底201的一個(gè)表面上設(shè)置UBM203。為了提供導(dǎo)電層 和器件與形成在UBM203之上的接觸凸點(diǎn)205 (下面進(jìn)一步描述)之間的 電連接，UBM203優(yōu)選地連接到相應(yīng)的一個(gè)導(dǎo)電層和器件207。 UBM203 優(yōu)選地由至少三層導(dǎo)電材料形成，如一層鉻、 一層鉻銅合金、 一層銅，可 選擇的在銅層的頂層之上具有金層。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以得 知材料和層具有很多適合的排列，如鈦/鈦鴒/銅的排列或銅/鎳/金的排列，適合UBM203的結(jié)構(gòu)?？梢杂糜赨BM203的任何合適的材料或材料的層都 包括在本申請(qǐng)的范圍內(nèi)。
UBM203優(yōu)選地通過一致的在第一半導(dǎo)體村底201的表面之上形成每 個(gè)層而形成。每個(gè)層的形成優(yōu)選地使用CVD工藝如PECVD來完成，然而 其它形成工藝，如濺射或蒸發(fā)，可根據(jù)所需的材料選擇使用。UBM203內(nèi) 的每個(gè)層優(yōu)選地具有介于大約2 pm到大約15 pm之間的厚度。 一旦所需的 層被形成，該層的部分被去除，優(yōu)選地通過適合的光刻掩膜和刻蝕工藝以 去除不想要的材料并保留構(gòu)圖的UBM203。
接觸凸點(diǎn)205優(yōu)選地形成在UBM203之上，并優(yōu)選地包括材料如錫或 其它適當(dāng)?shù)慕饘?，如銀或銅。在一個(gè)實(shí)施例中，接觸凸點(diǎn)205為錫焊料凸 點(diǎn)，接觸凸點(diǎn)205可以由通過常用方法如蒸發(fā)、電鍍、印刷、焊料遷移、 植球等等初始形成錫層，到大約100(am的優(yōu)選厚度而形成。 一旦在結(jié)構(gòu)上 已經(jīng)形成錫層，優(yōu)選地進(jìn)行回流以使材料形成期望的凸點(diǎn)形狀。
圖3示出了在第一半導(dǎo)體襯底201的表面之上的保護(hù)層301的形成和 構(gòu)圖。保護(hù)層301優(yōu)選地由如聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB) 、 二 氧化硅、氮化硅、環(huán)氧樹脂或其組合物等材料而形成。保護(hù)層301優(yōu)選地 通過化學(xué)汽相淀積(CVD)工藝形成，然而其它適當(dāng)?shù)墓に嚕绲入x子體 增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD),或低壓化學(xué)汽相淀積(LPCVD),可以根 據(jù)所使用的特定材料選擇使用。保護(hù)層301優(yōu)選形成地從第一半導(dǎo)體襯底 的表面具有大約3 jam到大約20 pm之間的厚度，優(yōu)選地大約10 pm的厚度。
優(yōu)選地， 一旦保護(hù)層301已經(jīng)在第一半導(dǎo)體襯底201之上(也在接觸 凸點(diǎn)205之上)形成，保護(hù)層301就被構(gòu)圖以暴露接觸凸點(diǎn)205。構(gòu)圖優(yōu) 選地通過合適的光刻工藝完成，從而形成光致抗蝕劑(未示出)、暴光并 顯影以暴露保護(hù)層301的某些部分同時(shí)保護(hù)其它部分。然后優(yōu)選進(jìn)行刻蝕 工藝，如反應(yīng)離子刻蝕(RIE),以去除保護(hù)層301的暴露部分并基本上暴 露接觸凸點(diǎn)205。然而，盡管列舉的方法為對(duì)保護(hù)層301構(gòu)圖的優(yōu)選方法， 但是可以選擇使用其它適合的方法，如光刻形成硬掩膜，對(duì)保護(hù)層301構(gòu) 圖的所有適合的方法都包括在本發(fā)明的范圍中。
圖4示出了第二半導(dǎo)體襯底401，其最終將被鍵合到第 半導(dǎo)體襯底201 (以下參考圖6進(jìn)行描述)。第二半導(dǎo)體襯底401類似于第一半導(dǎo)體襯 底201，它可以是半導(dǎo)體管芯或半導(dǎo)體晶片，也優(yōu)選地具有形成在其中或 其上的有源器件和用于布線和連接的交互的電介質(zhì)和導(dǎo)電層(圖4中全部 用線路403表示)。有源器件和交互的電介質(zhì)和導(dǎo)電層403優(yōu)選地位于第 二半導(dǎo)體襯底401的第一側(cè)面402上，第二側(cè)面404優(yōu)選地不具有有源器 件以及電介質(zhì)和導(dǎo)電層。
優(yōu)選地，第二半導(dǎo)體襯底401還包括一個(gè)或多個(gè)TSV405。 TSV405可 以通過刻蝕部分地穿過第二半導(dǎo)體襯底401和襯里407的通孔而形成，如 阻擋層，優(yōu)選地形成在如氧化物、氮化物等等的電介質(zhì)的通孔中。導(dǎo)電材 料優(yōu)選地淀積到通孔內(nèi)，之后，襯底的第二側(cè)面404可以被減薄以暴露第 二半導(dǎo)體襯底401的第二側(cè)面404上的TSV405。優(yōu)選的，在暴露導(dǎo)電材料 之后，第二半導(dǎo)體襯底401和襯里407至少部分在第二半導(dǎo)體襯底401的 第二側(cè)面404上被刻蝕，不刻蝕導(dǎo)電材料，這樣導(dǎo)電材料至少部分從第二 半導(dǎo)體襯底401和襯里407突出。
在另一項(xiàng)技術(shù)中，TSV405可以通過刻蝕部分地穿過第二半導(dǎo)體襯底 401的通孔和在通孔中淀積電介質(zhì)層而形成。然后第二半導(dǎo)體襯底401的 第二側(cè)面404與通孔內(nèi)的電介質(zhì)層一起優(yōu)選地被減薄。在第二側(cè)面404被 減薄之后，保留在通孔內(nèi)的電介質(zhì)被去除，具有或不具有襯里407的導(dǎo)電 材料，在通孔內(nèi)被再淀積。
TSV405可以使用導(dǎo)電材料如Al、 Cu、其它金屬、合金、摻雜多晶硅 或其組合物等等填充。優(yōu)選的，TSV405使用金屬填充。TSV405優(yōu)選地連 接到至少一些有源器件和交互的電介質(zhì)和導(dǎo)電層403,這樣將有源器件和 交互的電介質(zhì)和導(dǎo)電層403電連接到TSV405和第二半導(dǎo)體襯底401的第 二側(cè)面404上。
圖5示出了在第二半導(dǎo)體襯底401的第二側(cè)面404之上的過渡層501 的形成。過渡層501，與第一半導(dǎo)體襯底201上的保護(hù)層301類似，優(yōu)選 地由如PI、 BCB、 二氧化硅、氮化硅、環(huán)氧樹脂或其組合物等等材料形成。 過渡層501優(yōu)選地通過如旋涂或分層工藝而形成，然而也可以選擇^_用其 它適合的印刷方法。優(yōu)選的，過渡層501和保護(hù)層301包括相同的材料。具有相同的材料將增加過渡層501和保護(hù)層301的粘附，導(dǎo)致更強(qiáng)的鍵合。然而，過渡層501和保護(hù)層301可以選擇性的由兩種不同的材料制成，或甚至材料的組合，只要所述材料能夠彼此鍵合。
一旦形成在第二半導(dǎo)體襯底401的第二側(cè)面404之上，過渡層501優(yōu)選被構(gòu)圖，這樣TSV405從過渡層501突出，并不暴露半導(dǎo)體襯底的第二側(cè)面404。過渡層501優(yōu)選地通過適合的光刻掩膜層(未示出)來構(gòu)圖，然后被刻蝕以暴露TSV405，這樣TSV405從過渡層501突出。優(yōu)選的，TSV405從過渡層501突出的距離介于1 iam到大約20(am之間，優(yōu)選距離為大約10 |im。
通過在第二半導(dǎo)體襯底401的第二側(cè)面404之上形成過渡層501，第二半導(dǎo)體襯底401的表面優(yōu)選地與進(jìn)一步的接觸隔離。該隔離防止了任何材料如接觸凸點(diǎn)205中的材料接觸第二半導(dǎo)體襯底401的第二側(cè)面404，以及潛在地形成可以導(dǎo)致破壞的短路。
圖6示出了將第一半導(dǎo)體襯底201鍵合到第二半導(dǎo)體襯底401上。為了將第一半導(dǎo)體襯底201鍵合到第二半導(dǎo)體襯底401上，襯底彼此對(duì)準(zhǔn)，這樣TSV405對(duì)準(zhǔn)接觸凸點(diǎn)205,這樣保護(hù)層301和過渡層501互相面對(duì)。
一旦對(duì)準(zhǔn)，第一半導(dǎo)體襯底201和第二半導(dǎo)體襯底401優(yōu)選地使用如熱壓鍵合工藝互相鍵合，然而也可以選擇使用其它工藝如倒裝芯片鍵合或
大約100MPa的壓力，優(yōu)選使用30MPa的壓力條件下，熱壓鍵合的工藝中，用于保護(hù)層301和過渡層501所選擇的材料。另外，低壓鍵合，優(yōu)選使用介于大約180。C到大約400。C之間的溫度，優(yōu)選地大約250°C的溫度，然而也可以選擇使用其它合適的溫度。
在第一半導(dǎo)體襯底201和第二半導(dǎo)體襯底401已經(jīng)被鍵合到一起之后，為了增強(qiáng)與TSV405的接觸，優(yōu)選進(jìn)行回流以回流接觸凸點(diǎn)205。然而，具有介于接觸凸點(diǎn)205的材料之間的過渡層501，暴露第二半導(dǎo)體襯底401的第二側(cè)面404的空隙如果沒有一起去除，數(shù)目大大減少了。因此，由于接觸凸點(diǎn)之間的無意的短路接觸而造成的損害大大減少了 。
10在熱壓鍵合之后，保護(hù)層301和過渡層501為了增加它們的硬度和對(duì)損害的抵抗力，優(yōu)選地在恒溫器中被固化。固化優(yōu)選地在介于大約150 °C到大約350 。C之間的溫度進(jìn)行，優(yōu)選地大約250 °C的溫度。另外，固化優(yōu)選地進(jìn)行大約30分鐘到大約4小時(shí)的時(shí)間，優(yōu)選地固化大約1小時(shí)的時(shí)間。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，在將第一半導(dǎo)體襯底201鍵合到第二半導(dǎo)體襯底401之前，保護(hù)層301和/或過渡層501可以通過一個(gè)或多個(gè)固化工藝被部分固化。通過部分固化這些層中的一個(gè)或兩個(gè)，用于保護(hù)層301和過渡層501的材料的粘度下降了，使得材料更好流動(dòng)，并且使鍵合工藝更有效。優(yōu)選的，材料被固化到全部固化的大約70%到大約90%，優(yōu)選部分固化大約80%。如果在鍵合之前使用部分固化，優(yōu)選地在鍵合到全部固化材料之前進(jìn)行一次或多次固化。
盡管詳細(xì)描述了示出的實(shí)施例及其有益效果，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，在不偏離限定在附加的權(quán)利要求中的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出各種變化、替代和改造。例如，第一半導(dǎo)體村底和第二半導(dǎo)體襯底也可
以是半導(dǎo)體管芯或其它半導(dǎo)體晶片。
此外，本申請(qǐng)的保護(hù)范圍不限于本說明書中描述的工藝、設(shè)備、制造、物質(zhì)的組成、裝置、方法和步驟的具體實(shí)施例。由于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將很容易從本發(fā)明所公開的內(nèi)容得到啟示，因此根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)容，目前存在的或之后開發(fā)出的、與這里所描述的相關(guān)實(shí)施例發(fā)揮基本相同的作用或達(dá)到基本相同的效果的工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)的成分、裝置、方法或步驟可能被利用。因此，所附的權(quán)利要求目的在于把工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)的成分、裝置、方法或步驟包括在其范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種連接兩個(gè)半導(dǎo)體晶片的方法，所述方法包括提供第一襯底，包括第一側(cè)面以及與所述第一側(cè)面相對(duì)的第二側(cè)面；穿過所述第一襯底并從所述第一襯底的第二側(cè)面突出的硅通孔；位于所述第一襯底的第二側(cè)面之上的過渡層；提供具有第三側(cè)面的第二襯底，所述第二襯底包括位于所述第二襯底的第三側(cè)面上的接觸點(diǎn)；位于所述第二襯底的第三側(cè)面之上的保護(hù)層；使所述過渡層接觸所述保護(hù)層，這樣所述硅通孔以及所述接觸點(diǎn)彼此對(duì)準(zhǔn)；以及將所述第一襯底鍵合到所述第二襯底上。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述方法，其中所述過渡層和所述保護(hù)層包括不同 的材料。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述方法，還包括在使所述過渡層接觸所述保護(hù)層之前，部分固化所述過渡層和所述保 護(hù)層；以及在將所述第一襯底鍵合到第二襯底上之后，完全固化所述過渡層和所 述保護(hù)層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述方法，還包括在使所述過渡層接觸所述保護(hù)層 之后，回流所述接觸點(diǎn)。
5、 一種接合兩個(gè)半導(dǎo)體襯底的方法，所述方法包括提供第一襯底，其具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面； 形成穿過所述第一襯底在所述第一表面之間延伸到所述第二表面的開口 ；在所述開口內(nèi)形成導(dǎo)體，并從所述第一襯底的第二表面突出； 在所述第一襯底的第二表面之上形成過渡層，所述導(dǎo)體從所述過渡層 突出；提供具有第三表面的第二襯底； 在所述第三表面上形成接觸凸點(diǎn)；在所述第三表面之上形成保護(hù)層，這樣所述接觸凸點(diǎn)基本上被暴露； 對(duì)準(zhǔn)所述接觸凸點(diǎn)和所述導(dǎo)體，這樣所述過渡層與所述保護(hù)層相接觸， 并且所述接觸凸點(diǎn)與所述導(dǎo)體相接觸；以及 將所述保護(hù)層鍵合到所述過渡層。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述方法，還包括在形成導(dǎo)體之前，在所述開口內(nèi) 形成襯里。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述方法，還包括在對(duì)準(zhǔn)所述接觸凸點(diǎn)和所述導(dǎo)體 之后，回流所述接觸凸點(diǎn)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求5所述方法，還包括在將所述保護(hù)層鍵合到所述過渡 層之前，部分固化所述過渡層。
9、 根據(jù)權(quán)利要求3或8所述方法，其中所述過渡層被部分固化到全部固化的大約70%到90%。
10、 根據(jù)權(quán)利要求5所述方法，其中所述過渡層包括苯并環(huán)丁烯或聚 酰亞胺。
11、 一種使兩個(gè)半導(dǎo)體襯底附著的方法，所述方法包括提供第 一襯底和第二襯底，所述第一襯底包括從第一側(cè)面延伸并從與 第 一側(cè)面相對(duì)的第二側(cè)面突出的硅通孔，所述第二襯底包括第三側(cè)面上的 接觸點(diǎn)；在所述第二襯底的第三側(cè)面之上形成保護(hù)層；在所述第一襯底的第二側(cè)面之上形成過渡層，所述硅通孔從所述過渡 層突出；使所述過渡層接觸所述保護(hù)層，所述硅通孔接觸所述接觸點(diǎn)； 將所述過渡層鍵合到所述保護(hù)層；以及 在所述硅通孔之上回流所述接觸點(diǎn)。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述方法，還包括在使所述過渡層接觸所述保護(hù) 層之前，部分固化所述保護(hù)層。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述方法，其中部分固化所述保護(hù)層繼續(xù)進(jìn)行直到所述保護(hù)層至少70%被固化。
14、 根據(jù)權(quán)利要求1、 5或11任一項(xiàng)所述方法，其中所述鍵合至少部分通過熱壓鍵合完成。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述方法，其中所述熱壓鍵合至少部分在介于大 約150。C到大約400。C之間的溫度進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明提出了鍵合半導(dǎo)體襯底的系統(tǒng)和方法。優(yōu)選的實(shí)施例包括在半導(dǎo)體襯底的表面之上形成過渡層，同時(shí)為了防止可能形成的潛在的空隙，保留從過渡層突出的TSV。在將被鍵合到第一半導(dǎo)體襯底的另一個(gè)半導(dǎo)體襯底上形成保護(hù)層。兩個(gè)襯底被對(duì)準(zhǔn)并鍵合到一起，并且過渡層防止與初始半導(dǎo)體襯底的表面發(fā)生任何短路接觸。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101656197SQ20091000042
公開日2010年2月24日 申請(qǐng)日期2009年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月19日
發(fā)明者卿愷明, 李建勛, 李柏毅, 王宗鼎, 陳承先 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司