專利名稱：在片材涂覆處理中用于片材的懸浮墊傳輸?shù)闹谱鞣椒?br> 技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及薄膜形成設(shè)備和方法。具體而言，本發(fā)明涉及用于在薄膜形成過 程中片材引導(dǎo)和/或片材冷卻的裝置和方法。更具體地，本發(fā)明涉及用于在薄膜太陽能電 池的生產(chǎn)過程中片材引導(dǎo)的裝置和方法。
背景技術(shù)：
在用于在諸如生產(chǎn)薄膜太陽能電池中涂覆片材的設(shè)備和方法中，必須引導(dǎo)片材。 這是由于這樣的情況必須改變片材的移動(dòng)方向。引導(dǎo)片材的另一可行的應(yīng)用是涂覆片材 的前側(cè)，并且必須支撐片材的后側(cè)。對(duì)于這些情況和其他應(yīng)用，公知提供允許改變片材的移 動(dòng)方向和/或者支撐片材的輥?zhàn)雍凸?。然而，在許多應(yīng)用中，尤其在薄膜太陽能電池生產(chǎn)應(yīng)用中，已經(jīng)涂覆的片材與已經(jīng) 涂覆的片材一側(cè)的輥?zhàn)拥闹苯咏佑|會(huì)對(duì)涂覆造成損害。結(jié)果，涂覆設(shè)備必須設(shè)計(jì)成輥?zhàn)优c 片材專門在片材的后側(cè)接觸。如此處所述，術(shù)語“片材的后側(cè)”是指片材的未被涂覆的一 面。由于這些設(shè)計(jì)限制，必須在涂覆設(shè)備內(nèi)設(shè)計(jì)復(fù)雜的移動(dòng)路徑，并且/或者顯著限制了涂 覆設(shè)備的整個(gè)路徑長(zhǎng)度。在需要長(zhǎng)的涂覆路徑長(zhǎng)度的應(yīng)用中出現(xiàn)了另一問題。術(shù)語“涂覆路徑長(zhǎng)度”是指 片材必須暴露到諸如蒸發(fā)器的一個(gè)或者多個(gè)涂覆裝置所沿的長(zhǎng)度。例如，在薄膜太陽能電 池生產(chǎn)領(lǐng)域中，用于ρ摻雜層和η摻雜層的涂覆路徑長(zhǎng)度通常在IOm的范圍內(nèi)。為了在此 范圍的距離支撐蹼，在涂覆過程中為了引導(dǎo)和支撐蹼，必須提供巨大的鼓。結(jié)果，涂覆設(shè)備 的空間要求達(dá)到了低效率的高水平。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上，提供此出所描述的引導(dǎo)裝置、涂覆設(shè)備、用于無接觸引導(dǎo)片材的方法、 用于涂覆片材的方法和用于此處所描述的薄膜太陽能電池的方法。根據(jù)此處描述的實(shí)施例，用于無接觸片材的引導(dǎo)裝置設(shè)置有具有面向片材的表面 和設(shè)置在表面中并適于為片材提供懸浮墊的大量氣體出口的裝置。根據(jù)此處描述的另一實(shí)施例，用于無接觸引導(dǎo)片材的引導(dǎo)裝置設(shè)置有具有面向片 材的表面和設(shè)置在表面中的大量氣體出口的裝置，其中，該表面是不可旋轉(zhuǎn)的。根據(jù)此處描述的其他實(shí)施例，提供一種用于涂覆具有根據(jù)此處描述的實(shí)施例的引 導(dǎo)裝置的片材的設(shè)備。根據(jù)此處描述的另一實(shí)施例，提供一種用于生產(chǎn)具有根據(jù)此處描述的實(shí)施例的引 導(dǎo)裝置的非晶硅太陽能電池的設(shè)備。根據(jù)此處描述的其他實(shí)施例，提供用于無接觸片材的方法，其包括在表面上移動(dòng) 片材；并且從該表面發(fā)出大量氣體流，由此在該表面和片材之間產(chǎn)生懸浮墊。根據(jù)此處描述的其他實(shí)施例，用于涂覆片材的方法包括用于根據(jù)此處描述的實(shí)施 例無接觸引導(dǎo)片材的方法。
根據(jù)此處描述的另一實(shí)施例，用于生產(chǎn)薄膜太陽能電池的方法包括用于根據(jù)此處 描述的實(shí)施例無接觸引導(dǎo)片材的方法。用于生產(chǎn)薄膜太陽能電池的方法還包括在片材上沉 積支撐接觸，并沉積透明和傳導(dǎo)的氧化層。從從屬權(quán)利要求、說明書和附圖中，能與以上實(shí)施例結(jié)合的其他優(yōu)點(diǎn)、特征、方面 和細(xì)節(jié)將變得明顯。實(shí)施例還涉及用于執(zhí)行每個(gè)所公開的方法并包括用于執(zhí)行每個(gè)所描述的方法步 驟的設(shè)備部件的設(shè)備。這些方法步驟可以通過硬件部件、由適合的軟件編程的計(jì)算機(jī)，通過 這兩種的任何組合或者以任何其他方式來執(zhí)行。此外，實(shí)施例還涉及所描述的設(shè)備工作所 用或者所描述的設(shè)備制造所用的方法。該方法包括用于執(zhí)行設(shè)備的功能或者制造設(shè)備的部 件的方法步驟。


本發(fā)明的上述和其他更詳細(xì)的方面的一部分將在以下描述中描述并部分地參照 附示。其中圖IA示出了根據(jù)此處描述的實(shí)施例的引導(dǎo)裝置的示意視圖；圖IB示出了根據(jù)此處描述的實(shí)施例的引導(dǎo)裝置的示意視圖；圖IC示出了根據(jù)此處描述的實(shí)施例的引導(dǎo)裝置的示意視圖；圖2示出了根據(jù)此處描述的實(shí)施例的引導(dǎo)裝置的示意視圖；圖3示出了根據(jù)此處描述的實(shí)施例的引導(dǎo)裝置的示意視圖；圖4A、圖4B和圖4C示出了根據(jù)此處描述的實(shí)施例的引導(dǎo)裝置的引導(dǎo)裝置表面的 示意視圖，該引導(dǎo)裝置表面具有設(shè)置在其中的大量氣體出口 ；圖5示出了根據(jù)此處描述的實(shí)施例的引導(dǎo)裝置的示意視圖；圖6示出了根據(jù)此處描述的實(shí)施例的引導(dǎo)裝置的示意視圖；圖7A示出了根據(jù)此處描述的實(shí)施例的用于引導(dǎo)片材的設(shè)備的示意視圖；圖7B示出了根據(jù)此處描述的實(shí)施例的用于引導(dǎo)片材的設(shè)備的示意視圖；以及圖7C示出了根據(jù)此處描述的實(shí)施例的用于引導(dǎo)片材的設(shè)備的示意視圖。
具體實(shí)施例方式在以下對(duì)附圖的描述中，相同的參考標(biāo)號(hào)是指相同的部件。一般地，僅僅描述各個(gè) 實(shí)施例的不同。圖IA是圖示引導(dǎo)裝置的實(shí)施例的示意橫截面視圖。如Vl和V2的箭頭所示，片材 100能從附圖的左側(cè)移動(dòng)到右側(cè)。根據(jù)其他實(shí)施例，片材還從右側(cè)移動(dòng)到左側(cè)。用在此處描述的實(shí)施例中的蹼通常特征在于其可彎曲。術(shù)語“片材”可以同義地 用作“帶硅”。例如，在此處實(shí)施例中描述的片材可以是箔。諸如蹼的片材由引導(dǎo)裝置110引導(dǎo)。引導(dǎo)裝置包括面向蹼的引導(dǎo)裝置120。在此 上下文中術(shù)語“面向”指的是當(dāng)引導(dǎo)裝置在工作時(shí)引導(dǎo)裝置定位和取向?yàn)槠脑诒砻娴纳?方輕微地移動(dòng)的情況。更詳細(xì)地，當(dāng)氣體從設(shè)置在引導(dǎo)裝置Iio的表面120中的大量氣體 出口 130發(fā)出時(shí)，片材100在引導(dǎo)裝置的表面和片材之間產(chǎn)生的懸浮墊140上移動(dòng)。根據(jù) 能與此處描述的所有其他實(shí)施例結(jié)合的此處描述的通常方法實(shí)施例，從表面發(fā)出氣體包括弓丨導(dǎo)氣體通過設(shè)置在表面中的大量出口。在此處描述的許多實(shí)施例中，引導(dǎo)裝置的引導(dǎo)裝置表面是靜止的，S卩，它不適于被 旋轉(zhuǎn)。該表面通常是不可旋轉(zhuǎn)的。如此處所描述，術(shù)語“氣墊”和“懸浮墊”同義使用。根 據(jù)此處描述的許多實(shí)施例，懸浮墊使得在片材和表面之間沒有摩擦。通常，被引導(dǎo)的片材與 表面不直接接觸。通常，根據(jù)此處描述的許多實(shí)施例，所產(chǎn)生的懸浮墊能將片材承載在該墊上。換言 之，當(dāng)引導(dǎo)裝置處于工作中時(shí)，引導(dǎo)裝置的表面與片材不直接接觸。片材完全被懸浮墊承 載。因而，根據(jù)此處所描述的通常的實(shí)施例，片材能布置成使得片材的涂覆側(cè)面向引導(dǎo)裝置 的表面。盡管涂覆側(cè)可以面向該表面，但是涂覆側(cè)通常不與該表面有任何直接的接觸。參照?qǐng)DIA描述的實(shí)施例的表面示出為部分橢圓橫截面的截面。以下，諸如圓柱狀 和/或卵形和/或橢圓形的幾何形狀的術(shù)語“截面”僅僅是指物體的一部分。一般，引導(dǎo)裝置表面可以具有非圓柱狀。即，引導(dǎo)裝置可以具有任何形狀，只要通 常不需要將其進(jìn)行旋轉(zhuǎn)即可。例如，根據(jù)能與此處描述的任何一種實(shí)施例組合的不同實(shí)施 例，引導(dǎo)裝置表面可以具有諸如橢圓或者部分橢圓橫截面的卵形或者部分卵形。在這些實(shí) 施例中，主軸線和副軸線可以指定到表面形狀。主軸線的長(zhǎng)度可達(dá)20m，更通常地達(dá)15m，甚 至更通常地達(dá)10m。副軸線的長(zhǎng)度通常選擇為1. 5m以下，更通常地Im以下，甚至更通常地 0. 5m以下。鑒于空間要求，期望將主軸線和副軸線之間的關(guān)系最大化。然而，為了確保片材 對(duì)表面(之間是所產(chǎn)生的懸浮墊)的最小接觸壓力，通常將主軸線和副軸線之間的關(guān)系限 制為例如不大于20、15、10或者5。如此處所描述，橢圓根據(jù)這些幾何學(xué)的數(shù)學(xué)理解而理解 為卵形的具體情況。相較于現(xiàn)有技術(shù)中公知的引導(dǎo)裝置，此處描述的實(shí)施例能提供許多優(yōu)點(diǎn)。首先，可 以以無接觸的方式引導(dǎo)片材。即，當(dāng)處于工作中時(shí)，片材不與引導(dǎo)裝置的表面直接接觸地在 懸浮墊上單獨(dú)地移動(dòng)。例如，這在當(dāng)片材已經(jīng)在片材面向引導(dǎo)裝置的表面的面上涂覆有諸 如非晶硅的涂覆材料時(shí)是有利的。在此情況的許多應(yīng)用以及其他應(yīng)用中，必須避免表面和 片材的涂覆面之間的直接接觸。此處描述的實(shí)施例允許以無接觸的方式(即，不接觸涂層 地)沿著片材的涂覆面引導(dǎo)片材。注意，此處描述的“引導(dǎo)片材”具體包括改變片材的移動(dòng) 方向和/或者支撐片材。在通常的應(yīng)用中，片材對(duì)該墊的壓力在0. Imbar和IOOmbar的范圍中，更通常地在 Imbar 禾口 IOmbar 之間。表面的形狀通常選擇為凸起的形狀。該表面通常形成為隆起，其中隆起通常具有 無階梯的斜面。在引導(dǎo)裝置的通常實(shí)施例中，表面的凸起形狀的橫截面如圖1所示為橢圓。 由于此形狀，在引導(dǎo)裝置沿著整個(gè)距離支撐片材的情況下，片材能沿著至少5m或者至少 IOm的距離引導(dǎo)。圖IA和圖IB中所示的長(zhǎng)度取決于表面的凸起程度而近似地是指引導(dǎo)的 長(zhǎng)度。更精確地，長(zhǎng)度L通常是指引導(dǎo)裝置表面的最外氣體出口之間相對(duì)于引導(dǎo)裝置表面 的長(zhǎng)度的距離。在此處描述的一些實(shí)施例中，表面的斜面相對(duì)于表面的長(zhǎng)度在表面的中間 區(qū)域中更不陡峭。一般地，根據(jù)此處描述的實(shí)施例的引導(dǎo)裝置允許引導(dǎo)尤其是支撐片材達(dá)至少3m、更通常地至少5m或者IOm的長(zhǎng)距離。因而，根據(jù)此處描述的實(shí)施例的涂覆設(shè)備的涂覆路徑 長(zhǎng)度能至少為3m，更通常地至少為5m或者甚至IOm以上。相較于現(xiàn)有技術(shù)中公知的鼓，此處描述的實(shí)施例的引導(dǎo)裝置基本占用更少的空間。圖IB圖示了引導(dǎo)裝置的其他實(shí)施例。除了參照?qǐng)DIA描述的實(shí)施例所示的元件之 夕卜，示出了溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)150。出于描述的目的，溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)描述為螺旋纏繞的螺旋狀。根據(jù)其他通常的實(shí)施例，溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)是設(shè)置在引導(dǎo)裝置中的通道的系統(tǒng)。這在 圖IC中示例性地示出，其中通道用參考編號(hào)160表示。通常，通道靠近表面設(shè)置。術(shù)語“靠 近”通常是指通道的朝向表面的一側(cè)和表面之間小于5c m的距離，更通常是小于2. 5cm的距 離，甚至更通常是小于Icm的距離。通道通常適于接收流體。該流體是適合于冷卻和/或 者加熱的的流體，并且應(yīng)該稱為冷卻流體。具體地，對(duì)于高達(dá)100攝氏度的溫度，甚至更具 體地對(duì)于室溫以下的溫度，冷卻流體通常是水-乙二醇混合物。在其他應(yīng)用中，尤其在其中 加熱表面的的那些應(yīng)用中，冷卻流體通常是導(dǎo)熱油。所用的冷卻流體適合于高達(dá)通常400 攝氏度的溫度，甚至更通常地高達(dá)300攝氏度?；谥T如環(huán)烷或者石蠟的石油制作在此處 描述的實(shí)施例中通常使用的導(dǎo)熱油?？蛇x地，導(dǎo)熱油可以是合成的，諸如異構(gòu)體合成物。在此處描述的方法的一些實(shí)施例中，將表面加熱到400攝氏度，更通常地加熱到 300攝氏度，而在此處描述的方法的其他實(shí)施例中，將表面冷卻到具體地負(fù)30攝氏度(例 如，負(fù)20攝氏度或者負(fù)15攝氏度)的溫度。提供溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)與用于產(chǎn)生氣墊的大量氣體出口的組合允許在引導(dǎo)裝置處于 工作中時(shí)對(duì)片材進(jìn)行溫度控制。一般地，根據(jù)此處描述的通常實(shí)施例，引導(dǎo)裝置在真空下工 作。此處描述的術(shù)語“真空”通常是指IOmbar以下(更通常地10_3mbar以下)的數(shù)量級(jí)的 壓力。在真空下，僅僅通過輻射能完成導(dǎo)熱。即使諸如片材和表面的兩個(gè)物體彼此直接接 觸，在微尺度上在兩個(gè)物體之間也僅僅存在少許接觸點(diǎn)，在該接觸點(diǎn)進(jìn)行直接的熱傳導(dǎo)。由 于真空中泄漏的空氣，在兩個(gè)物體的彼此不嚴(yán)密接觸的那些區(qū)域之間幾乎不發(fā)生熱交換， 但是之間具有小的間隙。因而，真空中兩個(gè)物體之間的主要的熱傳導(dǎo)來自熱輻射。因而，公知的用于引導(dǎo)和支撐片材的鼓具有不良溫度控制性能。這可以通過描述 具有溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)的實(shí)施例來克服。借助于溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)，表面可以保持在特定的溫度下。 在表面和片材之間產(chǎn)生的氣墊允許在表面和片材之間進(jìn)行熱交換。如在此處描述的所有實(shí) 施例中，片材可以是蹼或箔。因而，片材的溫度可以調(diào)節(jié)到期望的溫度。在本發(fā)明的許多實(shí)施例中，為了產(chǎn)生懸浮墊而發(fā)出的氣體不會(huì)破壞真空。這是因 為低氣流足以產(chǎn)生懸浮墊。這還因?yàn)樗l(fā)出的氣體可以用作在真空室中無論如何都必須存 在的反應(yīng)氣體。根據(jù)其他實(shí)施例，靠近抽吸氣體的裝置，諸如了連接到真空泵的開口、真空 栗等。根據(jù)此處描述的實(shí)施例，用于無接觸引導(dǎo)片材的引導(dǎo)裝置設(shè)置有具有面向片材的 表面和設(shè)置在表面中的大量氣體出口的裝置，其中大量氣體出口分布在表面內(nèi)，使得當(dāng)從 氣體出口發(fā)出氣體時(shí)能在表面和片材之間產(chǎn)生氣墊。圖2是圖示引導(dǎo)裝置的其他實(shí)施例的橫截面視圖。引導(dǎo)裝置具有圓柱形狀。參照 圖2描述的實(shí)施例示出了完整的圓柱的橫截面?？蛇x地，引導(dǎo)裝置可以僅僅是圓柱的一部 分。圖2所示的引導(dǎo)裝置110引導(dǎo)片材100，并以180°改變其移動(dòng)方向。根據(jù)能與此 處描述的其他實(shí)施例結(jié)合的不同實(shí)施例，可以任意改變片材的移動(dòng)方向。在通常的實(shí)施例 中，在0°和180°之間，更通常地在45°和165°之間，甚至更通常地在90°和160°之間改變移動(dòng)方向。在圖1的實(shí)施例中，片材沿著方向Vi朝著引導(dǎo)裝置移動(dòng)，然后被引導(dǎo)裝置 110引導(dǎo)，并繼續(xù)朝著方向V2移動(dòng)。引導(dǎo)裝置的表面120具有大量設(shè)置表面上用于從出口 發(fā)出氣體的氣體出口，由此在表面120和片材100之間產(chǎn)生懸浮墊140。在此處描述的實(shí)施例中，引導(dǎo)裝置表面的形狀是圓柱形或者部分圓柱形，因而，可 以將半徑R指定給圓柱表面。在通常的實(shí)施例中，半徑R在5cm和Im之間，更通常地在IOcm 和70cm之間，甚至更通常地在20cm和50cm之間。在相同的其他方面，以下關(guān)系也適用半 徑越大，片材對(duì)表面(之間是懸浮墊)的接觸壓力越小。
圖3圖示引導(dǎo)裝置的其他實(shí)施例。片材100沿著部分圓柱形狀的表面120引導(dǎo)。 由此，移動(dòng)方向從Vl改變到V2。在具有部分圓柱形狀的本發(fā)明的通常實(shí)施例中，圓柱部分 具有至少20°，更通常地至少45°，甚至更通常地至少90°的角度。表面120包括大量用于發(fā)出氣體并由此在表面120和片材100之間產(chǎn)生懸浮墊 140的氣體出口 130。一般地，根據(jù)此處描述的一些實(shí)施例，氣體出口可以是孔、噴嘴、噴射 閥、管口、開孔、噴射口等。根據(jù)通常的實(shí)施例，出口是在通常隧道形狀或者杯形的表面中的 凹部，且該凹部從凹部的底部或者側(cè)面供應(yīng)有氣體。此處描述的引導(dǎo)裝置的氣體出口還能 是多孔層的開口。通常地，氣體出口不突出到表面外。氣體出口通常布置成氣體垂直于表 面發(fā)出。氣體出口通常布置成氣體垂直于片材發(fā)出。根據(jù)其他實(shí)施例，氣體出口布置成氣 體以傾斜的方式相對(duì)于引導(dǎo)裝置的表面發(fā)出。氣體供應(yīng)系統(tǒng)300、310連接到大量的氣體出口。氣體供應(yīng)系統(tǒng)通過管子320等連 接到儲(chǔ)氣器(未示出)。氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括壓力調(diào)節(jié)器310和供應(yīng)管300。根據(jù)其他實(shí)施 例，壓力調(diào)節(jié)器310可以由流量控制器代替。通常地，壓力調(diào)節(jié)器或者流量控制器不是引導(dǎo) 裝置的一部分，而是能外在地提供。圖4A、圖4B和圖4C示意性地示出了引導(dǎo)裝置的表面的實(shí)施例。圖4A至圖4C的 視圖中表面似乎是平的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解到在圖4A至圖4C中所示的表面能設(shè)置 在此處描述的引導(dǎo)裝置的所有實(shí)施例中，尤其能設(shè)置在具有部分或者完整圓柱或者部分或 者完整橢圓橫截面形狀的那些實(shí)施例中。具體地，圖4A至圖4C所示的表面能設(shè)置在參照 圖IA至圖3和圖5至圖8描述的實(shí)施例中。根據(jù)圖4A中所示的實(shí)施例，以規(guī)則的方式設(shè)置氣體出口。特征“以規(guī)則的方式設(shè) 置”可以理解為出口和其至少一個(gè)相鄰出口之間的距離與另一氣體出口和另一氣體出口的 至少一個(gè)相鄰出口之間的距離相等。更通常地，特征“以規(guī)則的方式設(shè)置”是指這樣的表面， 其中特定圖案指定給大量出口的一部分并且相同圖案能指定給大量出口的另一部分，更通 常地指定給大量出口的至少10個(gè)其他部分，甚至更通常地指定給大量出口的至少100個(gè)部 分。以陣列的方式布置根據(jù)圖4A的實(shí)施例的氣體出口。根據(jù)許多實(shí)施例，對(duì)于所有氣 體出口，氣體出口和其下一個(gè)相鄰出口之間的距離是相同的。一般地，并且不限于圖4A或 者圖4B的實(shí)施例，每IOOcm2設(shè)置個(gè)數(shù)在0. 5和20之間更通常地在1和10之間的氣體出 口。在通常的實(shí)施例中，氣體出口之間的距離在IOmm和500mm之間，更通常地在50mm和 IOOmm之間。一般地，氣體出口的直徑在0. Imm和Imm之間，更通常地在0. 2mm和0. 8mm之 間，甚至更通常地在0. 4mm和0. 6mm之間。根據(jù)此處描述的引導(dǎo)裝置的通常實(shí)施例，大量氣體出口包括至少500個(gè)氣體出口。根據(jù)此處描述的方法的通常實(shí)施例，大量氣體流包括至少500個(gè)氣體流。通常地，根據(jù) 此處描述的可與所有其他實(shí)施例結(jié)合的實(shí)施例，氣體從由氫和氬組成的組中選擇。圖4B圖示了能與此處描述的其他實(shí)施例結(jié)合的引導(dǎo)裝置的表面的其他實(shí)施例。 再次，以規(guī)則的方式布置氣體出口。此外，以陣列的方式布置氣體出口。不過，與圖4B的實(shí) 施例相反，氣體出口 130之間的距離在表面的中間區(qū)域401中比它們?cè)诒砻?20的外區(qū)域 402中小。因而，根據(jù)此處描述的可與所有其他實(shí)施例結(jié)合的通常實(shí)施例，引導(dǎo)裝置包括具 有大量氣體出口的第一區(qū)域，該大量氣體出口的布置方式比第二區(qū)域的氣體出口更密集。 在通常實(shí)施例中，第一區(qū)域布置在引導(dǎo)裝置的表面的中間中。此實(shí)施例可以有利，因?yàn)橥ǔ?為了產(chǎn)生能承載片材的氣墊必須引入更小量的氣體。這是因?yàn)閺谋砻娴耐鈪^(qū)域402發(fā)出的 氣體能更容易地流到表面的邊緣，因而不會(huì)對(duì)氣墊的產(chǎn)生有任何幫助。根據(jù)此處描述的諸如圖4B的實(shí)施例的一些實(shí)施例，在表面的外區(qū)域中氣體出口 之間的距離通常比表面的中間區(qū)域中的氣體出口之間的距離大至少1.1倍，更通常地大 1. 5和3倍之間。在表面的內(nèi)區(qū)域中單位面積的氣體出口的數(shù)量通常比表面的中間區(qū)域中 單位面積的氣體出口的數(shù)量大至少1. 1倍，更通常地大1. 5和9倍之間，諸如2. 25和9倍 之間。具有以更密集的方式布置的氣體出口的中間區(qū)域的通常寬度處于表面的總寬的 1/4和2/3之間的范圍中。在此上下文中術(shù)語“表面的寬度”是指最外氣體出口相對(duì)于表面 的寬度方向的距離。在通常的實(shí)施例中，具有以更密集的方式布置的氣體出口的中間區(qū)域 401的寬度在20和80cm之間，更通常地在30和50cm之間。圖4C圖示了引導(dǎo)裝置的表面的其他實(shí)施例。根據(jù)這些實(shí)施例，該表面包括具有氣 體出口的區(qū)域411，該氣體出口布置的方式比另一區(qū)域412的氣體出口更密集。如圖4C所 示，具有以更密集的方式布置的出口的區(qū)域可以設(shè)置在引導(dǎo)裝置表面的相對(duì)于長(zhǎng)度L的外 區(qū)域中。因而，具有以更密集的方式布置的出口的區(qū)域可以設(shè)置在引導(dǎo)裝置表面的相對(duì)于 長(zhǎng)度L的中間區(qū)域中。如圖4C所示的布置可以在其中片材在引導(dǎo)裝置表面相對(duì)于長(zhǎng)度的 邊緣區(qū)域中需要更強(qiáng)支撐的那些應(yīng)用中是有利的。例如，這可以在其中表面的傾斜程度在 表面的相對(duì)于長(zhǎng)度的邊緣區(qū)域比在中間區(qū)域更陡的那些實(shí)施例中是有用的。根據(jù)此處描述的一些實(shí)施例，諸如圖4C的實(shí)施例，表面的中間區(qū)域中的氣體出口 之間的距離通常比表面的邊緣區(qū)域中氣體出口之間的距離大至少1. 1倍，更通常地大1. 5 和3倍之間。表面的邊緣區(qū)域中單位面積的氣體出口的數(shù)量通常比表面的中間區(qū)域中單位 面積的氣體出口的數(shù)量大至少1. 1倍，更通常地大1. 5和9倍之間，諸如大2. 25和9倍之 間。具有以更密集的方式布置的氣體出口的邊緣區(qū)域的通常長(zhǎng)度在表面的總長(zhǎng)的 1/10和1/4之間的范圍中。在通常的實(shí)施例中，具有以更密集的方式布置的氣體出口的邊 緣區(qū)域411的長(zhǎng)度在5cm和30cm之間，更通常地在10和20cm之間。通常地，能結(jié)合圖4B和圖4C所示的實(shí)施例。即，根據(jù)此處描述的一些實(shí)施例，弓丨 導(dǎo)裝置的表面上的氣體出口能以更密集的方式布置在沿著寬度方向的中間區(qū)域(圖4B所 示)和沿著長(zhǎng)度方向的邊緣區(qū)域(如圖4C所示)的兩者中。根據(jù)通常實(shí)施例，從氣體出口發(fā)出的氣體是具有至少0.01W/mK，更通常地至少0. 05W/mK，甚至更通常地至少0. Iff/mK并且甚至更通常地至少0. 15ff/mK的導(dǎo)熱率的氣體。 根據(jù)此處描述的實(shí)施例所選擇的通常氣體是氫。氫具有0. 171W/mK的導(dǎo)熱率。此外，特別 是在生產(chǎn)薄膜太陽能電池中應(yīng)用的化學(xué)氣相沉積(CVD)應(yīng)用中，無論如何必須將氫引入到 涂覆室中。例如，在通常的CVD應(yīng)用中，硅烷和氫引入到涂覆室中。根據(jù)此處描述的實(shí)施例， 可以經(jīng)由設(shè)置在引導(dǎo)裝置的表面中的氣體出口將氫或者至少一部分氫引入，其中該引導(dǎo)裝 置設(shè)置在涂覆室中。這是有利的，因?yàn)椴槐匾肫茐恼婵辗諊念~外氣體。例如，氫既由于 其高的導(dǎo)熱性而用作產(chǎn)生氣墊的氣體，也用作涂覆室的反應(yīng)氣體。此外，不需要用于密封或 者泵送發(fā)出的氣體的額外裝置。根據(jù)其他通常的實(shí)施例，氬(Ar)選擇為用于產(chǎn)生懸浮墊的氣體。這在其中需要 氬作為處理氣體的那些處理中尤其是這樣。因而，氬在諸如用于生產(chǎn)透明和傳導(dǎo)的氧化物 (TCO)層或者薄膜太陽能電池的支撐接觸(BC)的濺射處理中特別常用。在此處描述的通常實(shí)施例中，用于產(chǎn)生懸浮墊的氣體的選擇指向以下標(biāo)準(zhǔn)首先， 優(yōu)選用在處理中的氣體。其次，氣體不應(yīng)該對(duì)處理產(chǎn)生影響(只要此影響不是想要的即可， 諸如在用于懸浮墊的氣體也是處理氣體的情況下)。第三，如果可能，所使用的氣體應(yīng)該具 有高的導(dǎo)熱性。一般地，此處描述的實(shí)施例設(shè)計(jì)成產(chǎn)生能完全承載片材的氣墊。 懸浮墊防止了片 材與引導(dǎo)裝置的表面直接接觸。在描述的通常實(shí)施例中，所發(fā)出的氣體量足夠小，使得該氣 體不破壞各個(gè)應(yīng)用的特定真空要求。因而，通常，不需要將所發(fā)出的氣體與其他區(qū)域(諸如 涂覆區(qū)域)密封，或者不需要提供用于泵送所發(fā)出的氣體的特定泵。一般地，根據(jù)此處描述的通常實(shí)施例，用于從氣體出口發(fā)出的氣體可以是諸如CVD 或者物理氣相沉積(PVD)的涂覆的反應(yīng)氣體。涂覆通常在片材的前側(cè)進(jìn)行，而片材的背側(cè) 由在片材和引導(dǎo)裝置表面之間產(chǎn)生的懸浮墊支撐。圖5圖示了引導(dǎo)裝置的又一實(shí)施例。片材100在具有大量氣體出口 130由此產(chǎn)生 懸浮墊140的氣體出口 130的表面120上被引導(dǎo)。表面120的形狀是部分圓柱形，此外，狹 縫500布置在片材100的前側(cè)上方。根據(jù)能與此處描述的所有實(shí)施例結(jié)合的許多實(shí)施例， 一個(gè)或者多個(gè)狹縫能由根據(jù)此處描述的實(shí)施例的引導(dǎo)裝置提供。狹縫可以是諸如圓環(huán)鎖的 鎖。通常，狹縫的尺寸在0.01mm和1.0mm之間，更通常地在0. Imm和0. 5mm之間的范圍中。 在通常的實(shí)施例中，狹縫的尺寸選擇為使得狹縫和片材之間沒有接觸。根據(jù)此處描述的通常實(shí)施例，該方法包括引導(dǎo)片材通過布置用于將兩個(gè)相鄰的室 分開的狹縫。此外，根據(jù)此處描述的通常實(shí)施例，引導(dǎo)裝置包括用于將兩個(gè)相鄰的室以氛圍 的方式分開的狹縫，其中該狹縫適于具有經(jīng)過該狹縫的片材。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，狹縫用 作將引導(dǎo)裝置的表面上的兩個(gè)或者更多個(gè)表面區(qū)域彼此分開。在此上下文中分開具體地是 指在各個(gè)區(qū)域之間以氛圍的方式分開，但是還可以包括熱分開。例如，在圖5描述的實(shí)施例 中，狹縫500允許區(qū)域I和II的分開。例如，從屬于區(qū)域I的表面上的氣體出口發(fā)出的氣 體可以與從區(qū)域II的表面中氣體出口 130發(fā)出的氣體不同，并且必須避免氣體的混合。例 如，在環(huán)烷存在一個(gè)區(qū)域中并且氧存在相鄰區(qū)域中的情況下，氣體的匯合具有負(fù)面結(jié)果。因 而，根據(jù)此處描述的一些實(shí)施例，為了將不同氣體提供到不同的表面區(qū)域，可以提供兩個(gè)或 者更多個(gè)分開的氣體供應(yīng)通道系統(tǒng)。例如，在用于產(chǎn)生薄膜太陽能電池的⑶V處理中，通常在具有氫和環(huán)烷(例如，用于沉積I層)的區(qū)域和具有氫、環(huán)烷和附加摻雜劑(例如，用于沉積η層和P層)的相鄰區(qū) 域之間進(jìn)行通過提供一個(gè)或者多個(gè)狹縫而進(jìn)行的分開。在用于生產(chǎn)薄膜太陽能電池的濺射 處理中，通常在僅僅存在氬的非反應(yīng)區(qū)域和附加存在氧(O2)和/或氮(N2)以與濺射材料反 應(yīng)的反應(yīng)區(qū)域之間進(jìn)行通過提供一個(gè)或者多個(gè)狹縫而進(jìn)行的分開?！?，區(qū)域的分開可以具有一個(gè)或者多個(gè)以下目的。首先，如所說明，用于從氣體 出口發(fā)出的氣體對(duì)于各個(gè)表面區(qū)域可以不同。第二，各區(qū)域中的壓力由于在各個(gè)區(qū)域中執(zhí) 行的特定涂覆應(yīng)用而彼此不同。第三，在若干區(qū)域中期望的片材的溫度可以彼此不同。例 如，可以在一個(gè)區(qū)域中冷卻表面，并在另一區(qū)域中將其加熱。因而，根據(jù)此處描述的一些實(shí) 施例，為了在不同的表面區(qū)域 中產(chǎn)生不同的溫度，可以設(shè)置兩個(gè)或者更多個(gè)可單獨(dú)控制的 溫度調(diào)節(jié)裝置。根據(jù)此處描述的實(shí)施例，特別容易地引導(dǎo)片材通過狹縫。通常，引導(dǎo)裝置的表面是 靜止的，并且片材由于懸浮墊而相當(dāng)精確地引導(dǎo)。這甚至提高了引導(dǎo)片材通過狹縫的可能 性。圖6圖示了引導(dǎo)裝置的另一實(shí)施例。引導(dǎo)裝置110具有橢圓的橫截面。表面120 是橢圓，并且設(shè)置有用于在片材100和表面120之間產(chǎn)生懸浮墊140的大量氣體出口 130。 例如，主軸線的長(zhǎng)度可以在5和15m之間，諸如10m。一般地，根據(jù)能與此處描述的任何一個(gè)實(shí)施例結(jié)合的不同實(shí)施例，在引導(dǎo)裝置工 作中片材的移動(dòng)速度在0. lm/min和15m/min之間，更通常地在lm/min和10m/min之間，甚 至更通常地在lm/min和5m/min之間。所示的實(shí)施例還包括用于引導(dǎo)片材由此附加地改變 其移動(dòng)方向的輥?zhàn)?00。能交替布置或者除了布置圖6所示的輥?zhàn)又膺€布置根據(jù)本發(fā)明 的一個(gè)或者多個(gè)片材引導(dǎo)裝置。一般地，此處描述的實(shí)施例通常應(yīng)用在以下兩個(gè)應(yīng)用中的一個(gè)或者兩個(gè)中。首先，在用于此處描述的實(shí)施例的通常應(yīng)用中，片材在片材的一個(gè)側(cè)面上涂覆有 涂覆材料。此側(cè)面應(yīng)該稱為片材的涂覆面或者前面。通常，片材在片材的另一側(cè)面保持未 涂覆。此側(cè)面應(yīng)該成為片材的未涂覆面或者背面。取決于涂覆，期望在涂覆和諸如片材引 導(dǎo)的片材處理的過程中不接觸片材的涂覆面。因而，已知在其涂覆面始終背向引導(dǎo)裝置的情況下引導(dǎo)片材。然而，特別是在具有 長(zhǎng)涂覆距離的涂覆設(shè)備中，諸如在薄膜太陽能電池中，以其涂覆面從不面向引導(dǎo)裝置的方 式布置片材是費(fèi)勁的或者甚至不可能的。盡管涂覆面可以面向引導(dǎo)裝置，不過此處描述的實(shí)施例允許進(jìn)行片材引導(dǎo)，尤其 是在不與涂覆的片材面接觸的情況下任意改變片材的移動(dòng)方向。這尤其在其中期望不接觸 沉積的非晶硅的薄膜太陽能電池生產(chǎn)中有利。因而，根據(jù)此處所描述的實(shí)施例，在片材涂覆 設(shè)備中涂覆單元和引導(dǎo)裝置的設(shè)計(jì)不限于其中片材的涂覆面不必面向引導(dǎo)裝置這樣的布置。其次，如之前說明，特別是在諸如正或者負(fù)的摻雜非晶硅的涂覆的一些涂覆應(yīng)用 中，必須提供長(zhǎng)的涂覆距離。如之前說明，由于得到的鼓地尺寸，幾乎不可能使用鼓來引導(dǎo) 和支撐片材達(dá)約5至IOm以上的距離?？蛇x地，已知所謂的“無跨度”技術(shù)，其中片材在經(jīng) 過涂覆距離過程中沒有被引導(dǎo)或者支撐。此技術(shù)暴露了片材的引導(dǎo)性能和溫度控制方面的 主要問題。此處描述的實(shí)施例通過在不接觸表面本身的情況下在為此目的產(chǎn)生的氣墊上引導(dǎo)片材而對(duì)無跨度或者鼓技術(shù)提供了有利的替代。通常，在那些應(yīng)用中，片材的未涂覆面面 向引導(dǎo)裝置的表面。此外，在通常的實(shí)施例中，表面是靜止的，并且不在引導(dǎo)裝置工作中移 動(dòng)。因而，不需要使表面移動(dòng)，并且不需要為了提供片材的移動(dòng)而使此移動(dòng)同步。此外，根 據(jù)此處描述的實(shí)施例的片材引導(dǎo)裝置的表面還能具有非圓柱表面形狀。圖7A圖示了涂覆設(shè)備的另一實(shí)施例。除了已經(jīng)參照?qǐng)DIA描述的引導(dǎo)裝置之外， 涂覆工具710示意性地描述在片材100的上方。一般地，根據(jù)能與此處描述的所有實(shí)施例 的不同實(shí)施例，根據(jù)此處描述的實(shí)施例的涂覆工具可以包括用于CVD、PVD、甚至等離子體增 強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)或者濺射的裝置。通過蒸發(fā)材料或者濺射可以執(zhí)行涂覆。通常，可以為諸如真空泵系統(tǒng)、一個(gè)或者多個(gè)真空泵或者一個(gè)或者多個(gè)用于抽吸 存在的諸如處理氣體和為產(chǎn)生懸浮墊而提供的氣體的氣體的出口的真空產(chǎn)生裝置提供涂 覆設(shè)備。通常，在壓力小于lmbar(更通常地小于lOmbar，甚至更通常地小于10_3mbar)的 真空的氛圍中執(zhí)行涂覆。圖7B示出了涂覆設(shè)備的另一實(shí)施例。除了圖5已經(jīng)所示的元件之外，涂覆設(shè)備 700包括涂覆工具710和720。涂覆工具710位于區(qū)域I中，并且涂覆工具720位于表面 120上方的區(qū)域II中。如已經(jīng)參照?qǐng)D5的實(shí)施例所說明，引導(dǎo)裝置和涂覆設(shè)備可以提供彼 此被例如狹縫500分開的幾個(gè)區(qū)域。在引導(dǎo)裝置或者涂覆設(shè)備中的幾個(gè)區(qū)域分成通常2和 10之間(更通常地在2和5之間，甚至更通常地在2和3之間)的區(qū)域允許執(zhí)行在相同的 片材引導(dǎo)裝置上執(zhí)行不同的涂覆步驟。這在其中每個(gè)涂覆步驟中的涂覆長(zhǎng)度在Im以下的 范圍中的應(yīng)用中特別受到關(guān)注。這還在其中幾個(gè)不同材料層涂覆在片材上的那些應(yīng)用中特 別受到關(guān)注。一般，能任意選擇不同區(qū)域的涂覆工具。例如，一個(gè)區(qū)域的涂覆工具可以用于 濺射，而另一區(qū)域的涂覆工具可以用于蒸發(fā)。然而，在此處描述的通常實(shí)施例中，大量區(qū)域 的涂覆工具是蒸發(fā)器。圖7C示出了涂覆設(shè)備的另一實(shí)施例。除了已經(jīng)參照?qǐng)D6描述的元件之外，涂覆設(shè) 備包括布置在表面上方的涂覆工具710。通常，涂覆工具布置在片材的前側(cè)上方。一般，若 干個(gè)涂覆工具可以布置在根據(jù)本發(fā)明的涂覆設(shè)備中。根據(jù)一些實(shí)施例，若干個(gè)涂覆工具可 以沿著片材的移動(dòng)方向布置?？蛇x地或者附加地，若干個(gè)涂覆工具能垂直于片材的移動(dòng)方 向布置。氣體供應(yīng)管320供應(yīng)氣體以將其從氣體出口發(fā)出。如此處描述的所有其他實(shí)施例 和此處描述的其他實(shí)施例，溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)能設(shè)置在引導(dǎo)裝置內(nèi)，以為了控制引導(dǎo)的片材的 溫度。溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)例如可以是用于接收冷卻流體的通道系統(tǒng)。此外，真空產(chǎn)生系統(tǒng)740 示出在根據(jù)圖7C的涂覆設(shè)備中，其可以是用于將空氣從涂覆設(shè)備泵送出來的涂覆設(shè)備的 通道750的出口?？蛇x地或者附加地，真空產(chǎn)生系統(tǒng)可以是真空泵。如之前所說明，引導(dǎo)裝置、涂覆設(shè)備、用于無接觸引導(dǎo)片材的方法和用于涂覆片材 的方法尤其可應(yīng)用在生產(chǎn)薄膜太陽能電池中。薄膜通常通過CVD尤其是通過PECVD由環(huán)烷 氣體和氫產(chǎn)生非晶硅或者原晶硅或者納米晶硅而產(chǎn)生。硅層通常被諸如金屬的支撐接觸和 透明導(dǎo)電的氧化(TCO)層夾著。用于生產(chǎn)薄膜太陽能電池的通常方法包括在片材上沉積支撐接觸，沉積諸如非晶 硅等的吸收層，并且沉積TCO層。每個(gè)沉積能包括若干子步驟。例如，非晶硅的沉積必須遵 循正摻雜、負(fù)摻雜和本征(未摻雜)硅層的預(yù)定順序。取決于太陽能電池的設(shè)計(jì)，太陽能電池可以包括若干負(fù)摻雜層和/或者若干正摻雜層和/或者若干本征層。此處描述的實(shí)施例 能在生產(chǎn)薄膜太陽能電池方面尤其有利，這是因?yàn)闉榱瞬粨p壞任何沉積層必須防止片材的 涂覆面與任何弓I導(dǎo)裝置的接觸。
在生產(chǎn)太陽能電池中還通常用保護(hù)層涂覆TCO層。用于支撐接觸的通常涂覆處理 是濺射。用于涂覆作為通常由非晶硅制成的吸收層的通常涂覆處理是CVD或者PECVD處理。 用于涂覆TCO層的通常涂覆處理是濺射。一般地，CVD通常在Imbar和IOOmbar之間的范 圍中的壓力下完成。濺射通常在10_2mbar和10_4mbar之間的壓力下完成。盡管前述涉及本發(fā)明實(shí)施例，本發(fā)明的其他和另外的實(shí)施例可以在不脫離其基本 范圍的情況下進(jìn)行設(shè)計(jì)，并且其范圍由權(quán)利要求確定。
權(quán)利要求
一種用于在片材涂覆處理中無接觸引導(dǎo)片材(100)的引導(dǎo)裝置(110)，所述引導(dǎo)裝置具有表面(120)，其用于面向所述片材；以及大量氣體出口(130)，其設(shè)置在所述表面中，并且適于為所述片材提供懸浮墊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引導(dǎo)裝置(110)，其中，所述大量氣體出口分布在所述表面 內(nèi)，使得當(dāng)氣體從所述氣體出口發(fā)出時(shí)能在所述表面和所述片材之間產(chǎn)生懸浮墊(140)，所 述懸浮墊適于承載所述片材。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的引導(dǎo)裝置，其中，所述表面是不可旋轉(zhuǎn)的。
4.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的引導(dǎo)裝置，其中，所述表面(120)成形為使得所 述片材的移動(dòng)方向(VI ；V2)被改變。
5.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的引導(dǎo)裝置，其中，所述表面具有凸起的形狀。
6.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的引導(dǎo)裝置，其中，所述表面具有非圓柱形橫截面。
7.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的引導(dǎo)裝置，其中，所述表面的形狀是圓柱形、卵形 或者橢圓的一部分。
8.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的引導(dǎo)裝置，還包括溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)(150;160)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的引導(dǎo)裝置，其中，所述溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括用于接收流體的通 道(160)。
10.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的引導(dǎo)裝置，其中，所述大量氣體出口每100cm2包 括1-10之間的氣體出口。
11.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的引導(dǎo)裝置，其中，所述大量氣體出口布置為大量 氣體出口的氣體出口的陣列。
12.一種用于涂覆具有根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)的引導(dǎo)裝置的片材的設(shè)備。
13.—種系統(tǒng)，其包括根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的引導(dǎo)裝置和片材，所述片材 具有涂覆面，其中，所述涂覆面面相所述弓I導(dǎo)裝置的所述表面。
14.一種用于無接觸引導(dǎo)片材的方法，其包括 在表面上移動(dòng)片材；并且從所述表面發(fā)出大量氣體流，由此在所述表面和所述片材之間產(chǎn)生懸浮墊。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述表面是靜止的。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的方法，其中，引導(dǎo)包括改變所述片材的移動(dòng)方向。
17.根據(jù)權(quán)利要求14至16中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述片材具有涂覆面，所述方法 還包括以所述涂覆面面向所述表面的方式布置所述片材。
18.根據(jù)權(quán)利要求14至17中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在所述表面上移動(dòng)所述片材是 沿著彎曲路徑進(jìn)行的。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述片材在凸起的表面上移動(dòng)，所述凸起的表 面是圓柱或者橢圓的一部分。
20.根據(jù)權(quán)利要求14至19中任一項(xiàng)所述的方法，還包括冷卻或者加熱所述片材的步驟
21.根據(jù)權(quán)利要求14至20中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述氣體選擇為具有至少 0. 1W/mK的導(dǎo)熱率。
22.根據(jù)權(quán)利要求14至20中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述大量氣體流布置成陣列。
23.一種用于涂覆片材的方法，包括根據(jù)權(quán)利要求14至22中任一項(xiàng)所述的方法，還包 括涂覆所述片材。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，涂覆片材包括在所述片材上沉積非晶硅。
25.—種生產(chǎn)薄膜太陽能電池的方法，包括根據(jù)權(quán)利要求14至24中任一項(xiàng)所述的方 法，以及在所述片材上沉積支撐接觸；并且 沉積透明傳導(dǎo)的氧化層。
全文摘要
本發(fā)明涉及片材引導(dǎo)，更具體地涉及片材引導(dǎo)。用于無接觸引導(dǎo)片材的引導(dǎo)裝置設(shè)置有具有面向片材的表面和設(shè)置在表面中并適于為片材提供懸浮墊的大量氣體出口的裝置。此外，用于涂覆片材的設(shè)備和用于無接觸引導(dǎo)片材的方法包括在表面上移動(dòng)片材；并且從該表面發(fā)出大量氣體流，由此在表面和片材之間產(chǎn)生懸浮墊。此外，用于產(chǎn)生薄膜太陽能電池的方法包括用于根據(jù)此處描述的實(shí)施例無接觸引導(dǎo)片材的方法。用于生產(chǎn)薄膜太陽能電池的方法還包括在片材上沉積支撐接觸，并沉積透明和傳導(dǎo)的氧化層。
文檔編號(hào)H01L31/18GK101836303SQ200880113164
公開日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2008年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月25日
發(fā)明者沃夫?qū)げ妓故坟惪?申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司