專利名稱：在用由配方控制的彎液面對晶片表面的處理中將空隙值關(guān)聯(lián)于彎液面穩(wěn)定性的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體涉及晶片處理工藝和用于處理晶片的設(shè)備，尤其涉及用于關(guān)聯(lián)由配方控制的(recipe-controlled)彎液面(meniscus)對晶片表面處理的過程中空隙值與彎液面穩(wěn)定性的方法和裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體芯片制造行業(yè)中，在制造操作之后必須清潔和干燥晶片(例如，襯底)， 如果例如該操作在該襯底表面上留下不想要的殘留物的話。這種制造操作的例子包括等離子體蝕刻和化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，其中每個(gè)都會在該襯底表面上留下不想要的殘留物。不幸的是，如果不想要的殘留物留在該襯底上的話，可能導(dǎo)致從該襯底制造的器件的缺陷，在一些情況下使得該器件無法工作。在制造操作后清潔該襯底是為了除去不想要的殘留物。在濕法清潔襯底之后， 該襯底必須被有效干燥以阻止水或其它處理流體(下面稱為“流體”)殘余物也在該襯底上留下不想要的殘留物。如果允許該襯底表面上的流體蒸發(fā)(正如液滴形成時(shí)通常發(fā)生的那樣)，前面溶解在該流體中的殘留物或污染物在蒸發(fā)后會留在該襯底表面上并形成污點(diǎn)。為了阻止發(fā)生蒸發(fā)，清潔流體必須被盡快除去，而不在該襯底表面上形成液滴。在實(shí)現(xiàn)這個(gè)的努力中，可以使用一些不同的干燥技術(shù)之一，比如旋轉(zhuǎn)干燥、IPA或馬蘭戈尼干燥 (Marangoni drying) 0所有這些干燥技術(shù)都利用在襯底表面上某種形式的移動液體/氣體界面，其只有被適當(dāng)保持時(shí)，才會帶來襯底表面的干燥而不形成液滴。不幸的是，如果該移動液體/氣體界面崩潰(這在前述各干燥方法中經(jīng)常發(fā)生)，液滴形成，液滴蒸發(fā)發(fā)生而污染物會留在該襯底表面上。鑒于上文，需要能夠提供高效襯底清潔，同時(shí)減少來自干燥的流體液滴的污染物留在襯底表面上的可能性的更好的清潔系統(tǒng)和方法。

發(fā)明內(nèi)容
大體上說，通過監(jiān)控由配方控制的彎液面對晶片表面的處理，各實(shí)施方式滿足了上述需要。處理器被配置為響應(yīng)方位監(jiān)控信號以允許保持彎液面穩(wěn)定性。通過將彎液面外形保持在處理監(jiān)控射線間在一個(gè)連續(xù)長度上并跨越臨近頭的流體放射器表面和該晶片表面間的空隙連續(xù)延伸的彎液面外形，該方位監(jiān)控信號允許這種彎液面穩(wěn)定性。限定對應(yīng)于穩(wěn)定彎液面的配方的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)一步滿足了這種需要。在使用當(dāng)前配方的彎液面處理中， 不想要的認(rèn)定與該校準(zhǔn)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)以允許彎液面處理保持(即，繼續(xù))有穩(wěn)定的彎液面。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明可以用多種方式實(shí)現(xiàn)，包括方法、處理、裝置或系統(tǒng)。下面描述本發(fā)明的幾個(gè)創(chuàng)新性實(shí)施方式。在一個(gè)實(shí)施方式中，提供用于監(jiān)控晶片表面的彎液面處理以保持彎液面的穩(wěn)定性的裝置。該處理響應(yīng)配方。處理器被配置為響應(yīng)方位監(jiān)控信號并響應(yīng)當(dāng)前配方以產(chǎn)生允許保持該彎液面穩(wěn)定性的彎液面監(jiān)控信號。在另一個(gè)實(shí)施方式中，提供用于監(jiān)控使用彎液面對晶片表面進(jìn)行的處理的裝置， 該監(jiān)控通過保持該處理過程中該彎液面穩(wěn)定而避免彎液面分離。該處理響應(yīng)配方。彎液面監(jiān)控器被配置為分別從晶片載具的每個(gè)各自的相對側(cè)面接收回波激光束以產(chǎn)生表示在各自的側(cè)面該晶片表面和流體放射器表面的相對方位的獨(dú)立的方位監(jiān)控信號。處理器被配置為響應(yīng)該方位監(jiān)控信號并響應(yīng)當(dāng)前配方以產(chǎn)生允許在進(jìn)一步的彎液面處理過程中保持穩(wěn)定彎液面的彎液面監(jiān)控信號。在另一個(gè)實(shí)施方式中，提供一種監(jiān)控晶片表面的彎液面處理以穩(wěn)定彎液面的方法。該處理響應(yīng)當(dāng)前配方，該當(dāng)前配方限定該晶片表面和鄰近頭之間的期望空隙。一個(gè)操作監(jiān)控當(dāng)前彎液面處理以確定當(dāng)前空隙不同于期望空隙。校準(zhǔn)配方被認(rèn)定并指定該當(dāng)前空隙。該晶片表面的繼續(xù)的彎液面處理使用由該認(rèn)定的校準(zhǔn)配方指定的處理參數(shù)。在另一個(gè)實(shí)施方式中，提供一種監(jiān)控晶片表面的彎液面處理以將彎液面保持在穩(wěn)定狀態(tài)的方法，該處理響應(yīng)指定該晶片表面和鄰近頭之間的期望空隙的當(dāng)前配方。該當(dāng)前配方進(jìn)一步指定用于該彎液面處理的處理參數(shù)。執(zhí)行一個(gè)操作以監(jiān)控當(dāng)前彎液面處理以確定當(dāng)前空隙不同于期望空隙并被配置有允許該彎液面被保持在穩(wěn)定狀態(tài)的空隙值。如果確定該當(dāng)前空隙不同于該期望空隙并且被如此配置，那么一個(gè)操作認(rèn)定指定該當(dāng)前空隙的校準(zhǔn)配方和校準(zhǔn)的處理參數(shù)以用于跨越該當(dāng)前空隙建立穩(wěn)定的彎液面。完成將該當(dāng)前配方的該處理參數(shù)自動調(diào)整為該認(rèn)定的校準(zhǔn)配方的該處理參數(shù)的操作，并使用由該認(rèn)定的校準(zhǔn)配方指定的該處理參數(shù)繼續(xù)該晶片表面的該彎液面處理。通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)說明，本發(fā)明的其他方面和優(yōu)點(diǎn)會變得顯而易見， 其中附圖是用示例的方式對本發(fā)明的原理進(jìn)行說明。


通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)說明，可以很容易地理解本發(fā)明，且同類的參考標(biāo)號代表同類的結(jié)構(gòu)元件。圖1是一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的圖表，顯示了曲線定義的空隙和跨越晶片的位置的相對值，該相對值是鄰近頭和晶片表面間的，該曲線將該相對值與彎液面的穩(wěn)定性聯(lián)系起來。圖2A是顯示在本發(fā)明的實(shí)施方式中在晶片處理過程中移動晶片經(jīng)過鄰近頭的載具的透視圖。圖2B是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式正在用彎液面處理的晶片的俯視圖。圖2C是顯示用本發(fā)明的實(shí)施方式處理晶片的過程中該彎液面的透視圖。圖2D和2E是顯示晶片處理過程中穩(wěn)定彎液面的放大正視圖。圖3A是顯示該頭的平面在相對于該晶片表面的不想要的傾斜方位(tilted orientation)的正視圖。圖:3B是顯示該頭的平面在相對于該晶片表面的不想要的間距方位(pitched orientation)的正視圖。圖4A和4B分別是顯示通過所述實(shí)施方式避免的彎液面中的示例性的不想要的中斷的正視圖和俯視圖。
圖5是顯示被配置為響應(yīng)方位監(jiān)控信號并響應(yīng)限定彎液面處理參數(shù)的配方的處理器的示意圖。圖6A是被配置有用于相對于載具進(jìn)行調(diào)整的物理參數(shù)的鄰近頭的俯視圖。圖6B是被配置有用于相對于該載具進(jìn)行手動調(diào)整的物理參數(shù)的鄰近頭的一個(gè)實(shí)施方式的正視圖。圖6C是被配置有用于相對于該載具進(jìn)行自動調(diào)整的物理參數(shù)的鄰近頭的另一個(gè)實(shí)施方式的正視圖。圖7是顯示該處理器的CPU的示意圖，其執(zhí)行關(guān)聯(lián)模塊以訪問存儲配方的矩陣 (matrix)的數(shù)據(jù)庫以協(xié)助允許保持該彎液面的穩(wěn)定性。圖8A和8B描繪了在該關(guān)聯(lián)模塊的控制下允許保持該彎液面的穩(wěn)定性的方法的流程圖。圖8C描繪了自動將彎液面保持在穩(wěn)定狀態(tài)的監(jiān)控彎液面處理的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式公開一些示例性實(shí)施方式，其限定監(jiān)控晶片表面的彎液面處理的示例。該監(jiān)控是針對鄰近頭和該晶片之間的空隙的。該空隙是彎液面跨越的空隙。在處理過程中空隙值和該空隙值的變化關(guān)聯(lián)于該處理過程中的彎液面穩(wěn)定性。彎液面穩(wěn)定性是就該彎液面的連續(xù)外形(continuous configuration)而言的，該連續(xù)外形是該彎液面沒有間隔(也就是說， 沒有彎液面缺口)。因此，該監(jiān)控可以通過允許保持連續(xù)外形而帶來對晶片表面的延續(xù)的彎液面處理。在一個(gè)實(shí)施方式中，裝置監(jiān)控晶片表面的彎液面處理以保持彎液面穩(wěn)定性，而該處理是根據(jù)一個(gè)配方(recipe)的。安裝在鄰近頭上的彎液面監(jiān)控系統(tǒng)響應(yīng)當(dāng)前配方在處理過程中產(chǎn)生代表晶片表面和鄰近頭的相對方位的多個(gè)方位監(jiān)控信號。處理器被配置為響應(yīng)該方位監(jiān)控信號并響應(yīng)當(dāng)前配方以產(chǎn)生彎液面監(jiān)控信號以允許保持彎液面穩(wěn)定性。在另一個(gè)實(shí)施方式中，有一種監(jiān)控晶片表面的彎液面處理以穩(wěn)定該彎液面的方法。該處理是根據(jù)當(dāng)前配方的，該當(dāng)前配方限定了該晶片表面和鄰近頭之間的期望空隙。 該方法的一個(gè)操作監(jiān)控當(dāng)前彎液面處理以確定當(dāng)前空隙不同于期望空隙。另一個(gè)操作認(rèn)定指定當(dāng)前空隙的校準(zhǔn)配方。我們知道，認(rèn)定的校準(zhǔn)配方是為了指定穩(wěn)定彎液面的處理參數(shù)的。一個(gè)操作使用由該認(rèn)定的校準(zhǔn)配方指定的處理參數(shù)繼續(xù)進(jìn)行該晶片表面的彎液面處理以保持該彎液面穩(wěn)定。在另一個(gè)實(shí)施方式中，有一種監(jiān)控晶片表面的彎液面處理以將彎液面保持在穩(wěn)定狀態(tài)的方法，該處理響應(yīng)指定該晶片表面和鄰近頭之間的期望空隙的當(dāng)前配方。該當(dāng)前配方進(jìn)一步指定該彎液面處理的處理參數(shù)。一個(gè)操作監(jiān)控當(dāng)前的彎液面處理以確定當(dāng)前空隙是否不同于期望空隙，并被配置有允許該彎液面保持在穩(wěn)定狀態(tài)的空隙值。如果確定當(dāng)前空隙不同于該期望空隙并且被如此配置，則一個(gè)操作是有效的，并認(rèn)定指定當(dāng)前空隙和校準(zhǔn)處理參數(shù)的校準(zhǔn)配方以用于跨越當(dāng)前空隙建立穩(wěn)定的彎液面。一個(gè)操作將當(dāng)前配方的處理參數(shù)自動調(diào)整到認(rèn)定的校準(zhǔn)配方的處理參數(shù)。另一個(gè)操作使用由該認(rèn)定的校準(zhǔn)配方指定的處理參數(shù)繼續(xù)進(jìn)行該晶片表面的彎液面處理。下面描述本發(fā)明的一些創(chuàng)新性實(shí)施方式(在本文中稱為“實(shí)施方式”)。對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，顯然，無需此處所列的具體細(xì)節(jié)的一些或全部，本發(fā)明仍然可以實(shí)現(xiàn)。
此處使用的詞語“晶片”表示(而無限制)半導(dǎo)體襯底、硬盤(hard drive disks)、 光盤、玻璃襯底、平板顯示器表面、液晶顯示器表面等等，在處理室(比如為了處理(例如刻蝕或沉積)而建立等離子體的室)中可以在上面形成或限定材料或各種材料的層。所有這些晶片可以用各實(shí)施方式進(jìn)行處理，在各實(shí)施方式中，更好的清潔系統(tǒng)和方法提供了高效的晶片清潔，同時(shí)減少了來自干燥的液滴的污染物留在晶片表面上的可能性。此處通過相互垂直的X、Y和Z軸來描述該晶片(和結(jié)構(gòu))的方位。這些軸可限定方向，比如表面的方向或移動方向或平面的方向，等等。此處使用的詞語“彎液面”指的是部分由液體的表面張力束縛和容納的一定量的液體。在各實(shí)施方式中，容納的形狀中的彎液面可以相對于表面移動。該“表面”可以是晶片的表面(“晶片表面”)，或例如裝載該晶片的載具的表面(“載具表面”)。術(shù)語“W/C表面”指的是晶片表面和載具表面的整體。彎液面處理的期望彎液面是穩(wěn)定的。穩(wěn)定的彎液面具有連續(xù)的外形。這種外形在X軸方向的期望寬度(參看下面的W，圖2D)上和Y軸方向的期望長度(參看LD，圖2Ε)上是完全連續(xù)的，而該彎液面連續(xù)延伸跨越Z方向上的期望空隙(圖2D和2Ε)。在特定實(shí)施方式中，通過向該W/C表面輸送液體同時(shí)也從該W/C表面除去該液體，可以建立在這種連續(xù)外形中的穩(wěn)定的彎液面。此外，通過使用校準(zhǔn)配方或通過改變空隙值可以保持彎液面的穩(wěn)定。此處使用的術(shù)語“鄰近頭”指的是當(dāng)該鄰近頭位于與該W/C表面緊密關(guān)系時(shí)，可以接收液體，向該W/C表面施加該液體并從該W/C表面除去該液體的裝置。該緊密關(guān)系是當(dāng)在(i)該載具表面(或該晶片表面)和(ii)向該W/C表面施加該彎液面的鄰近頭的表面 (“頭部表面”)之間有很小(例如，四毫米)的空隙。因此該頭與該W/C表面由該空隙隔開。在一個(gè)實(shí)施方式中，該頭部表面被置于基本上與該晶片表面平行且基本上與該載具表面(例如，在裝配(set-up)中)平行。因此該彎液面的一部分可以被限定在該頭部表面和該晶片表面之間，而該彎液面的另一部分可以因此被限定在該頭部表面和該載具表面之間。穩(wěn)定的連續(xù)彎液面的這些部分彼此相連以限定一個(gè)彎液面。術(shù)語“位于緊密關(guān)系”指的是該頭部表面和該W/C表面的“鄰近”，該鄰近由該空隙限定。該空隙是在Z方向測量的鄰近距離。通過調(diào)整該載具和該頭部表面的相對Z方向定位(例如，在裝配中)，不同的鄰近程度是可能的。在一個(gè)實(shí)施方式中，示例性的鄰近距離 (空隙)可以在約0. 25毫米到約4毫米之間，而在另一個(gè)實(shí)施方式中可以在約0. 5毫米到約1. 5毫米之間，而在最優(yōu)選實(shí)施方式中該空隙可以是約0. 3毫米。在一個(gè)實(shí)施方式中，該鄰近頭接收多個(gè)液體輸入并且配置有用于除去接收到的液體的真空口。通過控制向該彎液面輸送以及從該彎液面除去液體，該彎液面可以被控制并相對于該W/C表面移動。在一些實(shí)施方式中，在該處理過程中，該晶片可以被移動，而該鄰近頭靜止，而在其它實(shí)施方式中，鄰近頭可以移動而該晶片保持靜止。進(jìn)一步，為完整起見，應(yīng)當(dāng)理解，該處理可以在任何方位發(fā)生，同樣，該彎液面可以被施加到非水平的W/C表面(例如與水平呈一定角度的載具或晶片)。在所述的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中(i)該晶片由該載具在 X軸方向移動，( )該W/C表面的期望方位是水平的并與該頭部表面平行(S卩，在X-Y平面中)，(iii)該鄰近頭靜止，(iv)該頭部表面的長度在Y軸方向上跨越該W/C表面延伸并被平行于X軸方向移動的該載具和晶片穿過，(ν)該頭部表面和該W/C表面被期望空隙隔開， 該期望空隙具有均勻值(即，在該空隙的整個(gè)X和Y軸方向范圍內(nèi)在Z方向上是均勻的)，以及(Vi)該彎液面是穩(wěn)定的并跨越該空隙以連續(xù)外形(即，沒有間隔)延伸并因此跨越該空隙在X、Y、Z每個(gè)方向上連續(xù)延伸。術(shù)語“配方”指的是計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)或其它形式的信息，其限定或指定(1)被施加到該晶片的期望彎液面處理的處理參數(shù)；以及( 有關(guān)建立該空隙的物理參數(shù)。對于限定該彎液面的該一種或多種液體，該處理參數(shù)可以包括液體的類型，和該液體的壓強(qiáng)、流速和化學(xué)物質(zhì)。對于該彎液面，處理參數(shù)可以包括該彎液面的尺寸、形狀和位置。對于該鄰近頭和該W/C表面之間的相對移動，處理參數(shù)可以包括(i)該載具相對于該鄰近頭的運(yùn)行速度，其可以根據(jù)該載具相對于該鄰近頭的位置不變或變化，例如當(dāng)該彎液面遷移到達(dá)或脫離(on and off)該晶片時(shí)，該載具的運(yùn)行速度可以減小，提供更多的時(shí)間使彎液面液體流出該載具和該晶片之間的空隙；以及(ii)根據(jù)該晶片相對于該鄰近頭的運(yùn)行速度或位置對其它任何處理參數(shù)的控制的計(jì)時(shí)(timing)。對于該彎液面，該物理參數(shù)可以包括限定該鄰近頭相對于該載具和該晶片位于何處以及有多少(by howmuch)的數(shù)據(jù)。本發(fā)明的申請人的分析表明，使用由配方控制的限定于該鄰近頭和待處理的W/C 表面之間的彎液面的一個(gè)問題可以通過各實(shí)施方式克服。該問題是半導(dǎo)體芯片制造中使用具有越來越大的直徑的晶片的趨勢。例如，直徑已經(jīng)從以前的25. 4毫米直徑擴(kuò)展了許多倍到達(dá)了后來的200毫米直徑，在2007年又被300毫米直徑晶片取代，而2007年人們預(yù)言例如到2013年會使用450毫米的直徑。當(dāng)鄰近頭跨越的Y軸方向的距離大于該晶片直徑時(shí)， 以及當(dāng)該晶片直徑變得越來越大時(shí)，彎液面長度LD在Y軸方向必須變得越來越長以在該鄰近頭和該晶片的一次相對移動中處理整個(gè)晶片。分析還表明，該問題涉及增加由這種彎液面處理的晶片的吞吐量的愿望(例如，增加彎液面處理過程中該晶片相對于該鄰近頭的移動速度)。通過增加彎液面長度和相對速度兩者，本申請人已經(jīng)認(rèn)定了這種彎液面的穩(wěn)定性和該相對移動的穩(wěn)定性有關(guān)于獲得該彎液面期望的處理結(jié)果。本申請人的分析顯示了對于監(jiān)控該晶片的彎液面處理過程中該鄰近頭和該W/C表面之間的空隙值的系統(tǒng)的需要。分析還表明，需要將處理過程中的空隙值和空隙值的變化與處理過程中彎液面穩(wěn)定性關(guān)聯(lián)起來。彎液面穩(wěn)定性是就以下而言的(i)提供該彎液面的連續(xù)外形，以及(ii)在彎液面處理過程中保持該彎液面的連續(xù)外形，沒有間隔(例如，沒有彎液面缺口)。還有對指定特定空隙值的處理和物理參數(shù)的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的相關(guān)需要，其中該數(shù)據(jù)對應(yīng)于穩(wěn)定的彎液面。還有對使用監(jiān)控的當(dāng)前空隙值以認(rèn)定指定該監(jiān)控的當(dāng)前空隙值的校準(zhǔn)配方之一而執(zhí)行該關(guān)聯(lián)的需要。還有對使用該關(guān)聯(lián)的結(jié)果(即，使用認(rèn)定的校準(zhǔn)配方)指定可以用于允許保持穩(wěn)定的彎液面的處理參數(shù)的需要。通過滿足這些需要，本系統(tǒng)避免了由于鄰近頭接觸該晶片而產(chǎn)生的損害同時(shí)允許該晶片的直徑在Y軸方向上更長并允許例如以更大的速度相對移動。想著上述概述，現(xiàn)在參考滿足這些及其它需要的示例性的結(jié)構(gòu)配置，其能夠避免由于鄰近頭接觸該晶片而帶來的損害，同時(shí)允許晶片直徑和鄰近頭對晶片表面的相對移動速度兩者的增大。圖1描繪了圖表100。圖1中顯示的數(shù)據(jù)參考圖2A-2E可以理解，其中顯示了相互垂直的X、Y、Z軸。圖表100顯示了空隙101的相對值，以及在圖2D和2E中顯示為IOlD的一個(gè)空隙實(shí)施方式。沒有顯示特定的空隙值，但是在下面用例如GVD、GVU、GVCAL 和GVN表示。在圖1中，相對于沿著正被彎液面處理(即，用由配方控制的彎液面，通常被稱為104，處理的)的晶片102的直徑D(圖2B)的位置繪制了相對空隙值。在一個(gè)實(shí)施方式中，晶片102在圖2A顯示的X軸方向移動。在圖2C-2E中，顯示彎液面104具有穩(wěn)定的外形(在圖2D和2E中稱為104D)。相反，圖4A顯示了彎液面的一個(gè)實(shí)施方式(稱為彎液面104DIS)，而該彎液面接觸該晶片的表面106。表面106可限定圖2D和2E中顯示的晶片平面107。如下所述，在用于處理的裝配中該晶片在開始時(shí)平行于由X軸和Y軸限定的軸面 108(圖2D)裝載。圖2D也顯示了該晶片，該晶片具有平行于Z軸方向延伸的晶片厚度T。 描述了裝置109，其用于監(jiān)控每個(gè)彎液面104以允許保持穩(wěn)定而連續(xù)的彎液面外形。圖2C顯示了包括一對鄰近頭110的裝置109的一個(gè)實(shí)施方式，該對鄰近頭110在 Z軸方向跨騎(straddle)晶片102并在Y軸方向上跨越(并超出)晶片102的直徑D (圖 2B)延伸。下面的描述參考一個(gè)這種頭110，可以理解，這種描述適用于圖2C所示的每一個(gè)頭110。顯示了頭110的頭部表面(或流體放射器表面)112，該表面被配置為限定頭平面 (或參考平面)114。在裝配時(shí)，參考平面114被設(shè)定為平行于該軸面108(圖2D)。在晶片表面106的彎液面處理中，期望頭110和參考平面114在X、Y、Z軸每個(gè)方向上都是固定的。 在實(shí)踐中，頭110以及因此表面112和頭平面114，在處理過程中可以不與晶片平面107保持平行。圖2D和2Ε顯示了頭部表面112中的一個(gè)，其與上晶片表面106間隔開?？障?01 表示這種間隔并且是圖1中所認(rèn)定的空隙。圖2D和2Ε中顯示該空隙101是期望空隙IOlD 并且在各自的頭部表面112和各自的晶片表面106之間。該空隙IOlD被指定為對于期望彎液面104D具有期望空隙值GVD，其中該期望空隙值GVD在期望范圍AR(圖1)內(nèi)，如下所述。圖2D和2E中示為IOlD的期望空隙具有均勻的空隙值GVD，即，在跨越所有X、Y、Z軸的方向上都是相同的。下面描述其它空隙101?？梢愿鶕?jù)圖2D和2E如下描述期望空隙101D。頭部表面112與參考面114 一致的情況下，晶片表面106和晶片平面107可在軸面108中，而頭部表面112(和平面114)可平行于軸面108。在此實(shí)施方式中(晶片平面107平行于頭平面114)，有晶片102和頭110的相對方位。相對方位是一種期望方位，其中期望空隙IOlD具有均勻的空隙值GVD。例如，該均勻的空隙值可以優(yōu)選地是上述期望范圍AR內(nèi)的一個(gè)值。圖2E顯示一直沿著長度LD在 Y軸方向延伸的均勻的空隙值，包括跨越和超出晶片102的直徑D。在此參考實(shí)施方式中， 其中均勻的空隙IOlD在上述期望范圍AR中且彎液面104D根據(jù)處理參數(shù)PRP提供，彎液面 104D被稱為“穩(wěn)定的”并在圖1中由曲線118代表。曲線118描繪了相對于曲線122的波幅振動較小的波幅振動。曲線118還顯示，該空隙的相對值在范圍AR內(nèi)。曲線120顯示了一種情況下的相對空隙值，在該情況下W/C表面不與彎液面互相影響因?yàn)樵擃^110中的該彎液面(和真空)被關(guān)閉了。曲線120提供了一個(gè)參考位置(reference situation)，其使得一個(gè)人可以在W/C表面和該彎液面相互作用時(shí)觀察變化。圖中顯示曲線120具有從左至右不斷減小的相對空隙值，表明該晶片沒有被適當(dāng)?shù)胤胖迷谠撦d具中。通過該實(shí)施方式，曲線中的波幅振動跟獲得該波幅振動時(shí)該彎液面外形的觀察相關(guān)聯(lián)。觀察的彎液面配置的結(jié)果是，相關(guān)的波幅振動可以與彎液面穩(wěn)定性和不穩(wěn)定性(如同上面定義的)相關(guān)聯(lián)。例如， 該觀察可以是對當(dāng)前彎液面的目視觀察，而彎液面穩(wěn)定性和不穩(wěn)定性的記錄有關(guān)于當(dāng)前監(jiān)控的波幅振動。在另一個(gè)實(shí)施方式中，照相和視頻觀察可以被評價(jià)并相關(guān)聯(lián)于彎液面穩(wěn)定性和不穩(wěn)定性。結(jié)果，彎液面穩(wěn)定性可以與相對空隙值的范圍AR相關(guān)聯(lián)，且如下所述，超出范圍AR的范圍可以與彎液面穩(wěn)定性和不穩(wěn)定性有關(guān)。圖2A還大體顯示了配置有載具130的一個(gè)實(shí)施方式的裝置109。該載具被配置為裝載該晶片102以相對于鄰近頭110進(jìn)行期望的移動，其中每個(gè)晶片表面106在相對于各自的頭110的各自的頭平面114的期望方位中。通常，期望移動是在X軸方向的。如上面根據(jù)圖2D和2E所述的，這種在期望方位的期望移動是在晶片表面106和各自的頭平面 114彼此間隔開空隙IOlD的情況下的，其中該空隙值GVD是均勻的(即，期望的)。通常，在圖3A和;3B所示的另一個(gè)實(shí)施方式中，顯示了頭110。晶片相對于頭110 的移動還包括晶片表面106和頭部表面112在相對于彼此在不想要的相對方位的移動。通常，該不想要的相對方位(也稱為不想要的方位)是在該空隙的值(顯示為101U)包括一個(gè)或多個(gè)不同于均勻值GVD的空隙值GVU (顯示為101U-1、101U-2、101U-5、101U-6)的情況下的。一種不想要的方位可以如圖3A所述的那樣傾斜，從而該空隙是不均勻且不想要的而該空隙值不在范圍AR內(nèi)。然而，空隙值GVU可以在可接受空隙值范圍MAR內(nèi)，如同下面參考表格I所述的。通常，該范圍MAR是可接受的，因?yàn)槭褂迷搶?shí)施方式，允許該彎液面(在圖3A和;3B中用104U代表)保持穩(wěn)定。這個(gè)空隙IOlU是不想要的，因?yàn)?，不使用該?shí)施方式的情況下，當(dāng)該空隙從均勻變?yōu)椴痪鶆驎r(shí)，彎液面104會被迫使(或變得)不穩(wěn)定。通常，在一個(gè)實(shí)施方式中，在DIS范圍內(nèi)的空隙值是在可接受空隙值范圍AR和范圍MAR兩者之外的空隙值，兩者都如下所述(表格I)。該DIS范圍是最不想要的相對方位， 其中“最”是比空隙IOlU的不想要的方位更不想要的。該最不想要的相對方位對應(yīng)于不連續(xù)的或分離的彎液面(如下所述，在圖4A和4B中用彎液面104DIS代表)。小于可接受空隙值范圍AR中的一個(gè)值并小于該MAR范圍中的一個(gè)值的一個(gè)空隙值實(shí)施例是在極低值的空隙值(即，其中，零空隙值對應(yīng)于各自的頭部表面112和各自的晶片表面106的接觸)。該接觸使得彎液面104DIS不連續(xù)。這種不連續(xù)的彎液面是最不想要的，因?yàn)楫?dāng)彎液面104DIS 出現(xiàn)時(shí)，必須停止處理。進(jìn)一步參考載具130，可以理解該不想要的方位。圖2A顯示了該載具外形，其具有相對的載具側(cè)面132-1和132-2。載具側(cè)面132-1和132-2限定載具平面134，其在期望方位中是與(i) 一個(gè)晶片表面106，以及(ii) 一個(gè)晶片平面107共平面的，并平行于軸面108(圖2D和2E)。側(cè)面132-1和132-2毗鄰該一個(gè)晶片表面106的相對側(cè)面106-1和 106-2。在該頭平面114相對于該載具130的不想要的方位中，頭平面114不平行于載具平面134或晶片平面107或軸面108，從而該空隙值在側(cè)面132-1和132-2不相等，表示不想要的、非均勻的空隙101U(圖3A中的101U-1和101U-2)的存在。更詳細(xì)地，圖3A的橫截面視圖顯示了在不想要的方位的一個(gè)實(shí)施方式。兩個(gè)晶片表面106中的示例性的一個(gè)和頭平面114相對于彼此在不想要的方位。顯示該X-Y平面以作為與晶片平面107共平面的參考(X軸被顯示為點(diǎn)X)。頭110的頭平面114不平行于Y 軸(即，相對于晶片平面107成銳角)。圖中顯示彎液面長度LD大于晶片102的直徑D(圖 2A)。彎液面104U在頭部表面112和晶片表面106之間延伸。在一般意義上，圖3A中所示的不想要的方位被顯示為圍繞X軸旋轉(zhuǎn)的頭110，其中該頭平面114相對于Y軸傾斜。圖中顯示空隙IOlU的值包括一個(gè)或多個(gè)不同于空隙IOlD的均勻值的值。因此，圖中顯示空隙 IOlU相對于頭110具有毗鄰晶片102的一個(gè)邊緣132-1的值IOlU-I0值101U-1實(shí)質(zhì)上小于毗鄰晶片102的相對邊緣132-2的空隙值101U-2。根據(jù)圖3A，這種不想要的方位被稱為頭110是傾斜的，仿佛該晶片的左側(cè)是“懸停的(hovering)”(即，向上傾斜)而該晶片的右側(cè)是“傾倒的(tipped) ”(即，向下傾斜)。一種傾斜的不想要的方位還可以被定向?yàn)榕c圖3A所示的相反，S卩，仿佛該晶片的右側(cè)是懸停的(S卩，向上傾斜)而該晶片的左側(cè)是傾倒的(即，向上傾斜)。圖;3B的橫截面視圖顯示了不想要的方位的另一個(gè)實(shí)施方式。示例性的晶片表面 106和頭部表面112相對于彼此在間距的(pitched)不想要的方位上。顯示了各軸以作為參考。圖中顯示晶片表面106和平面107與軸面108共平面(Y軸被顯示為一個(gè)點(diǎn))。顯示了彎液面104U的彎液面寬度W。在一般意義上，圖:3B中所示的不想要的方位被顯示為頭 110圍繞Y軸旋轉(zhuǎn)，而頭平面114與X軸間距開且不平行于X軸。圖中顯示空隙IOlU的值包括不同于均勻空隙值IOlD的一個(gè)或多個(gè)值。因此，圖中顯示空隙IOlU相對于頭110具有一個(gè)值101U-5和一個(gè)值101U-6。值101U-6在Z軸方向從毗鄰頭110的前部上間距(up pitched)的位置(顯示在右邊)延伸到晶片102上的前部位置。圖中顯示值101U-6實(shí)質(zhì)上大于值101U-5，值101U-5在Z軸方向上從毗鄰頭110的后部下間距(down pitched)的位置(顯示在左邊)延伸到晶片102上的后部位置。例如，這些位置可以在晶片直徑D上。 這種不想要的方位被稱為頭110被間距向上。間距的不想要的方位還可被定向?yàn)榕c圖:3B 所示的相反，即，該頭的前側(cè)向下而該頭的后側(cè)向上。考慮到該不想要的彎液面，可以理解形成對比的期望彎液面穩(wěn)定性。彎液面的上述參考連續(xù)外形沒有該彎液面的間隔(即，沒有彎液面缺口)。圖2D和2E顯示了通過穩(wěn)定彎液面104D帶來的彎液面穩(wěn)定性。例如，在圖2E中，期望彎液面104D的長度LD在Y軸方向延伸跨越鄰近頭110、經(jīng)過晶片102的外緣并到達(dá)載具130上。在另一個(gè)實(shí)施例中，在圖 2D中彎液面104D的寬度W在X軸方向不中斷地延伸。換句話說，彎液面104D跨越寬度W 完全連續(xù)。而且，在圖2D和2E中顯示，彎液面104D跨越期望空隙IOlD在Z軸方向連續(xù)延伸。期望彎液面104D的穩(wěn)定性還通過具有在期望范圍AR內(nèi)的空隙值GVD的空隙IOlD表明。與這種彎液面穩(wěn)定性相反，參考圖4A和4B可以進(jìn)一步理解非穩(wěn)定彎液面104DIS 的細(xì)節(jié)。圖4A顯示，彎液面104DIS大體在Y軸方向上在兩個(gè)分離部分Ml和M2中延伸，并因此有殘缺外形，殘缺地跨越鄰近頭110。彎液面104DIS只有示例性部分M2延伸經(jīng)過晶片 102的外緣106-1并到達(dá)載具130上。分離部分Ml和M2的Y軸方向長度因此為分離長度 Ll和L2(圖4A)，而不是一個(gè)長度LD (即，不是在一個(gè)長度中連續(xù)地并完全地延伸的圖2E 中的期望長度LD)。在另一個(gè)實(shí)施例中，在圖4B的俯視圖中顯示，彎液面104DIS在Y軸方向延伸，其具有彎液面104DIS在其中不存在的中斷M0。換句話說，在此實(shí)施例中，在兩個(gè)分離部分Ml和M2的彎液面104DIS不是連續(xù)的而且在期望彎液面104D的正常長度LD上是殘缺的。因此，在圖4A和圖4B中每一個(gè)中，所示彎液面101DIS是斷裂的，描繪了不想要的彎液面缺口。如前所述，申請人已經(jīng)確認(rèn)了對監(jiān)控鄰近頭110的表面112和彎液面處理中的晶片表面106之間的空隙101的值的需要，以保持穩(wěn)定的彎液面外形。圖3A和;3B還顯示了裝置109的一個(gè)實(shí)施方式，其配置有用于這種監(jiān)控的監(jiān)控系統(tǒng)140。下面描述參考在一個(gè)鄰近頭110上的一個(gè)這種系統(tǒng)140，應(yīng)當(dāng)理解，對該系統(tǒng)140的描述適用于圖2C中所示的每一個(gè)頭110上的監(jiān)控系統(tǒng)140。因此，系統(tǒng)140可包括安裝在每一個(gè)鄰近頭110上的各彎液面監(jiān)控器142。在圖3A所示的一個(gè)實(shí)施方式中，一個(gè)彎液面監(jiān)控器142-1可以被配置為向相對的載具側(cè)面之一 132-1上引導(dǎo)(或發(fā)射)獨(dú)立的射線144-1(比如激光束)，而另
14一個(gè)彎液面監(jiān)控器142-2可以被配置為向另一個(gè)相對的載具側(cè)面132-2上引導(dǎo)(或發(fā)射) 類似的獨(dú)立的射線144-2。每一個(gè)彎液面監(jiān)控器142可以被配置會接收來自各自相對載具側(cè)面132的各自的射線144的回波(或返回射線)146R并產(chǎn)生方位監(jiān)控信號(統(tǒng)稱148)。 信號148-1和148-2可以由各自的彎液面監(jiān)控器142-1和142-2產(chǎn)生。對于每個(gè)彎液面監(jiān)控器142，監(jiān)控信號148表示根據(jù)每個(gè)各自的第一和第二載具側(cè)面132-1和132-2處的空隙 101的值而改變過的回波146R(與各自的第一和第二射線144比較)。例如，監(jiān)控器142可以是由美國的Keyence公司提供的Keyence LK系列激光位移傳感器。在裝配時(shí)可以將輸出方位監(jiān)控信號148相對于在同一個(gè)支座上安裝的激光校準(zhǔn)夾具進(jìn)行校準(zhǔn)，圖2C中顯示頭 110安裝在該支座上。校準(zhǔn)后，方位監(jiān)控信號148表示根據(jù)每個(gè)各自的第一和第二載具側(cè)面 132-1和132-2處的空隙101的值而改變過的回波146R(與各自的第一和第二射線144比較)。該修改，以及由此帶來的方位監(jiān)控信號148的值，表示空隙值，該空隙值是基于(i)當(dāng)安裝在載具130上時(shí)，晶片表面106和頭部表面112是否相對于彼此在期望方位上(空隙 IOlD具有期望空隙值GVD，該空隙IOlD如圖2D和2E所示)，或(ii)晶片表面106和頭部表面112是否在不想要的方位之一中(例如，空隙是空隙101U，其具有不同于期望值的值， 圖3A中，101U-1和101U-2)，或(iii)晶片表面106和頭部表面112是否在最不想要的相對方位中，該最不想要的相對方位對應(yīng)于不連續(xù)的彎液面104DIS(圖4A和圖4B)。在示例情況(ii)中，監(jiān)控信號148可以表示根據(jù)空隙IOlU的空隙值改變過的回波146R，例如其是由頭部表面112和晶片表面106彼此之間的示例性傾斜導(dǎo)致的。如上所述，當(dāng)晶片102的表面106和頭平面114彼此相對間距時(shí)，也可以限定鄰近頭110和處理中的晶片表面106之間的空隙101U。為了允許保持對晶片表面106的適當(dāng)?shù)膹澮好嫣幚?例如，使用穩(wěn)定的彎液面)，圖3B還顯示，裝置109被配置為用于通過監(jiān)控系統(tǒng)140的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行監(jiān)控，該監(jiān)控系統(tǒng)140包括安裝在每一個(gè)鄰近頭110上的其它的彎液面監(jiān)控器142。下面的描述參考在一個(gè)鄰近頭110上的一個(gè)這種系統(tǒng)140，應(yīng)當(dāng)理解，對該一個(gè)系統(tǒng)140的這種描述適用于在圖2C中所示的每一個(gè)頭110中提供的監(jiān)控系統(tǒng) 140。圖:3B顯示，一個(gè)彎液面監(jiān)控器142-3可以被配置為向晶片102的一個(gè)表面106上的前部間距的位置102PF上引導(dǎo)(或發(fā)送)獨(dú)立的類似的射線144-3，而另一個(gè)彎液面監(jiān)控器 142-4可以被配置為向晶片102的一個(gè)表面106上的后部間距的位置102TO上引導(dǎo)(或發(fā)送)獨(dú)立的類似的射線144-4。這些彎液面監(jiān)控器142-3和142-4中的每一個(gè)都可以被配置為接收各自射線144的回波146R以產(chǎn)生另一個(gè)方位監(jiān)控信號148，方式類似于根據(jù)圖3A 描述的。該射線的修改是根據(jù)晶片表面106和頭部表面112相對彼此的定位是否在(i)期望方位中，其中空隙IOlD具有期望值(圖2D中所示)，或(ii)不想要的間距方位之一，其中空隙IOlU具有不同于期望值的值101U-5和101U-6(圖;3B)，或(iii)最不想要的相對方位之一，其對應(yīng)于該彎液面是不連續(xù)的(圖4B)。在這些間距示例(ii)和(iii)中，監(jiān)控信號148可以表示根據(jù)空隙101的值改變過的回波146R，例如其是由頭部表面112和晶片表面106彼此之間的示例性間距導(dǎo)致的。根據(jù)圖5描述了方位監(jiān)控信號148的使用，其顯示了被配置有處理器150的裝置 109。處理器150被配置為響應(yīng)方位監(jiān)控信號148以及配方152。例如，配方152可以像上面定義的那樣用于處理特定類型的晶片102。在一般意義上，在這種類型的晶片102的示例性彎液面處理操作過程中，配置過的處理器150可以響應(yīng)這種信號148并響應(yīng)配方152以產(chǎn)生與彎液面穩(wěn)定性相互關(guān)聯(lián)的彎液面監(jiān)控信號153。在信號153與彎液面穩(wěn)定性如此關(guān)聯(lián)的情況下，信號153允許保持彎液面104D的穩(wěn)定外形(即，沒有圖4A和4B中所示的彎液面間隔)。通常，然后，根據(jù)該信號153，彎液面處理過程中得以保持的彎液面104D的外形會像圖2D和2E中所示的那樣。下面描述裝置109的實(shí)施方式以描繪信號153如何與彎液面穩(wěn)定性相互關(guān)聯(lián)，以及信號153如何允許保持彎液面104D的穩(wěn)定外形(即，沒有圖4A和6B 中顯示的彎液面間隔)。大體上說，上述的表格I的欄1-3表示與彎液面穩(wěn)定性的關(guān)聯(lián)的結(jié)果。欄1確定了期望彎液面穩(wěn)定性的關(guān)聯(lián)結(jié)果，其特征在于具有期望的均勻空隙值GVD的期望空隙IOlD的存在。欄1確定了期望彎液面穩(wěn)定性的關(guān)聯(lián)，其特征在于連續(xù)的彎液面外形以及具有期望的均勻空隙值GVD的等級1的期望空隙IOlD的存在?？障吨礕VD在期望 (或可接受)范圍AR內(nèi)。GVD可以是不變的或者對于時(shí)間在可接受值范圍AR內(nèi)變化(如圖1所示)的空隙值。例如，在大約從十秒到十分鐘的時(shí)間段內(nèi)，范圍AR可以是從約0.1 毫米到約1毫米。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)空隙值GVD在期望范圍AR內(nèi)時(shí)，彎液面104D沒有在該時(shí)間段內(nèi)變得不連續(xù)的趨勢。表格 I
權(quán)利要求
1.用于監(jiān)控晶片表面的彎液面處理以保持彎液面的穩(wěn)定性的裝置，該處理響應(yīng)配方， 該裝置包含鄰近頭，其被配置有流體放射器表面以供應(yīng)和收集用于限定跨越該流體放射器表面和該晶片表面之間的空隙延伸的該彎液面的流體，彎液面穩(wěn)定性的特征在于該彎液面的連續(xù)外形，彎液面不穩(wěn)定性的特征在于該彎液面的間斷的外形；載具，其被配置為裝載該晶片以相對于該頭移動以進(jìn)行該彎液面處理，在該移動過程中，該晶片表面和該流體放射器表面相對于彼此的期望方位可以改變到不想要的相對方位；彎液面監(jiān)控系統(tǒng)，其安裝在該頭上并包含被配置為將第一監(jiān)控射線跨越該空隙導(dǎo)向該彎液面的第一位置的第一彎液面監(jiān)控器，該彎液面操作系統(tǒng)進(jìn)一步包含被配置為將第二監(jiān)控射線跨越該空隙導(dǎo)向該彎液面的第二位置并獨(dú)立于該第一射線的第二彎液面監(jiān)控器，每一個(gè)彎液面監(jiān)控器被配置為獨(dú)立地接收各自的監(jiān)控射線的回波生成獨(dú)立的方位監(jiān)控信號， 該獨(dú)立的方位監(jiān)控信號表示響應(yīng)當(dāng)前配方在處理過程中在各自的彎液面位置處該晶片表面和該流體放射器表面的相對方位；以及處理器，其被配置為響應(yīng)該方位監(jiān)控信號并響應(yīng)該當(dāng)前配方以產(chǎn)生允許保持該彎液面穩(wěn)定性的彎液面監(jiān)控信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中該載具被進(jìn)一步配置有在該晶片表面的相對側(cè)面上的載具側(cè)面，在該期望方位中該載具側(cè)面與該晶片表面共平面；該第一彎液面監(jiān)控器被配置為將該第一監(jiān)控射線跨越該空隙導(dǎo)向該載具側(cè)面中的一個(gè)上；該第二彎液面監(jiān)控器被配置為將該第二監(jiān)控射線跨越該空隙導(dǎo)向該載具側(cè)面中的另一個(gè)上；以及每一個(gè)彎液面監(jiān)控器被進(jìn)一步配置為獨(dú)立接收來自各自的載具側(cè)面的各自的監(jiān)控射線的回波以產(chǎn)生該獨(dú)立的方位監(jiān)控信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中該頭被進(jìn)一步配置有用于調(diào)整該頭以改變該流體放射器表面相對于該載具的方位的物理參數(shù)；以及該處理器被進(jìn)一步配置為產(chǎn)生表示認(rèn)定的一個(gè)或多個(gè)該物理參數(shù)的數(shù)量上的調(diào)整量的該彎液面監(jiān)控信號，該認(rèn)定的一個(gè)或多個(gè)物理參數(shù)是該物理參數(shù)中將要被調(diào)整以允許處理繼續(xù)同時(shí)保持該彎液面穩(wěn)定性的那些物理參數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中該載具被進(jìn)一步配置有在該晶片表面的相對側(cè)面上的載具側(cè)面，在該期望方位中該載具側(cè)面與該晶片表面共平面；為了該調(diào)整而對該頭的進(jìn)一步配置是為了避免傾斜，在該傾斜中該載具和該流體放射器表面的相對側(cè)面由非均勻空隙彼此相對間隔開；以及該處理器的該進(jìn)一步配置產(chǎn)生該彎液面監(jiān)控信號以將該傾斜的數(shù)量上的調(diào)整量表示為該認(rèn)定的物理參數(shù)，該傾斜的該數(shù)量上的調(diào)整量是允許處理繼續(xù)同時(shí)保持該彎液面穩(wěn)定性的一個(gè)量。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中該當(dāng)前配方指定用于配置該彎液面的處理參數(shù)；以及該處理器被進(jìn)一步配置為產(chǎn)生表示該當(dāng)前配方的該處理參數(shù)的認(rèn)定的一個(gè)或多個(gè)的數(shù)量上的調(diào)整量的該彎液面監(jiān)控信號，該認(rèn)定的一個(gè)或多個(gè)處理參數(shù)是該當(dāng)前配方的該處理參數(shù)中將要被調(diào)整以允許保持該彎液面穩(wěn)定性的那些物理參數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中一個(gè)認(rèn)定的處理參數(shù)是下述參數(shù)中的一個(gè)或多個(gè)該流體被供應(yīng)到該空隙中的壓力； 該流體被從該空隙中收集的壓力； 該晶片相對于該鄰近頭的移動速度； 該晶片相對于該鄰近頭移動的速度的計(jì)時(shí)；該流體被供應(yīng)到該空隙中的位置，該位置為相對于該傳感器的位置；以及該流體被從該空隙收集的位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中該當(dāng)前配方指定當(dāng)前處理參數(shù)以提供該期望方位，其中該期望方位包含該晶片表面和該流體放射器表面之間的均勻空隙；該方位監(jiān)控信號表示當(dāng)前空隙和該當(dāng)前空隙的空隙值，其中該當(dāng)前空隙是不想要的空隙；以及該處理器被進(jìn)一步配置為響應(yīng)該方位監(jiān)控信號以將該不想要的空隙與彎液面穩(wěn)定性相關(guān)聯(lián)以產(chǎn)生表示修改的配方的該彎液面監(jiān)控信號，該修改的配方包含認(rèn)定的一個(gè)或多個(gè)該處理參數(shù)的數(shù)量上的調(diào)整量，該認(rèn)定的一個(gè)或多個(gè)該處理參數(shù)是該當(dāng)前處理參數(shù)中將要被調(diào)整以允許保持跨越該當(dāng)前空隙的該彎液面穩(wěn)定性的那些物理參數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中該處理器的進(jìn)一步配置以進(jìn)行相關(guān)聯(lián)包含用于存儲包含多個(gè)校準(zhǔn)配方的矩陣的數(shù)據(jù)庫，每個(gè)校準(zhǔn)配方限定該不想要的空隙中的一個(gè)和對應(yīng)于跨越那一個(gè)不想要的空隙的穩(wěn)定的彎液面的認(rèn)定的處理參數(shù)的值；以及指令，其用于將該當(dāng)前空隙匹配于該矩陣中的該校準(zhǔn)配方中的一個(gè)的該不想要的空隙中的一個(gè)以認(rèn)定限定該當(dāng)前空隙的特定的校準(zhǔn)配方并確定該當(dāng)前配方的哪些認(rèn)定的處理參數(shù)將進(jìn)行數(shù)量上的調(diào)整以修改該當(dāng)前配方并允許在響應(yīng)該修改的當(dāng)前配方對該晶片進(jìn)行進(jìn)一步處理的過程中保持該彎液面的穩(wěn)定性。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中該處理器被進(jìn)一步配置為在裝配模式下運(yùn)作，其中鄰近頭方位的物理參數(shù)是如由該當(dāng)前配方指定的那樣，該操作沒有彎液面；在該裝配模式中，該方位監(jiān)控信號共同表示該晶片表面和該流體放射器表面的相對方位是該期望方位還是該不想要的方位；以及該處理器被進(jìn)一步配置為響應(yīng)在該裝配模式過程中產(chǎn)生的該方位監(jiān)控信號并響應(yīng)下一個(gè)配方以產(chǎn)生限定至少一個(gè)數(shù)量上的調(diào)整量的裝配信號，其中該頭的該物理參數(shù)的一個(gè)或多個(gè)將要相對于該載具調(diào)整該數(shù)量上的調(diào)整量，該調(diào)整提供由該下一個(gè)配方指定的均勻空隙的值以允許根據(jù)該下一個(gè)配方對該晶片進(jìn)行處理的過程中該彎液面是穩(wěn)定的。
10.用于監(jiān)控使用彎液面對晶片表面進(jìn)行的處理的裝置，該監(jiān)控通過保持該處理過程中該彎液面穩(wěn)定而避免彎液面分離，該處理響應(yīng)配方，該裝置包含鄰近頭，其配置有流體放射器表面以供應(yīng)和收集流體，該流體用于限定跨越在該流體放射器表面和該晶片表面之間的空隙的外形中延伸的該彎液面，其中該彎液面分離將連續(xù)的彎液面外形改變?yōu)殚g斷的彎液面外形；載具，其被配置為裝載該晶片以相對于該頭進(jìn)行移動，其中該流體放射器表面相對于該晶片表面在期望的方位；該晶片移動還包含該流體放射器表面相對于該晶片表面在不想要的方位的移動； 該載具被進(jìn)一步配置有在該晶片表面的相對側(cè)面上的載具側(cè)面，且在該期望方位中該載具側(cè)面與該晶片表面共平面；彎液面監(jiān)控系統(tǒng)，其安裝在該鄰近頭上并包含被配置為將第一激光束跨越該空隙導(dǎo)向該載具側(cè)面中的一個(gè)上的第一彎液面監(jiān)控器，該彎液面監(jiān)控系統(tǒng)進(jìn)一步包含被配置為將第二激光束跨越該空隙導(dǎo)向該載具側(cè)面上的另一個(gè)并獨(dú)立于該第一激光束的第二彎液面監(jiān)控器，每一個(gè)彎液面監(jiān)控器被配置為獨(dú)立從地該載具的該各自的相對側(cè)面接收該各自的激光束的回波以產(chǎn)生獨(dú)立的方位監(jiān)控信號，該獨(dú)立的方位監(jiān)控信號表示在該各自的側(cè)面上該晶片表面和該流體放射器表面的該相對方位；以及處理器，其被配置為響應(yīng)該方位監(jiān)控信號并響應(yīng)當(dāng)前配方以產(chǎn)生允許在進(jìn)一步的彎液面處理過程中保持穩(wěn)定彎液面的彎液面監(jiān)控信號。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中該鄰近頭進(jìn)一步包含被配置為相對于該載具調(diào)整該頭的該流體放射器表面的調(diào)整器；該載具被進(jìn)一步配置為引導(dǎo)該晶片經(jīng)過該鄰近頭，其中該鄰近頭相對于該載具在調(diào)整后的方位；以及該處理器被進(jìn)一步配置為產(chǎn)生代表該鄰近頭的數(shù)量上的調(diào)整量的該彎液面監(jiān)控信號， 該表示的頭調(diào)整是該調(diào)整器將要相對于該載具對該頭的該流體放射器表面調(diào)整的量，從而在響應(yīng)該當(dāng)前配方后的下一個(gè)配方對晶片進(jìn)行處理的過程中經(jīng)過該鄰近頭的另一個(gè)晶片的晶片移動過程中，該流體放射器表面會相對于該載具在允許在根據(jù)該下一個(gè)配方處理的過程中保持該穩(wěn)定的彎液面的相對方位。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中該調(diào)整器被配置為響應(yīng)代表該頭的該數(shù)量上的調(diào)整量的該彎液面監(jiān)控信號，該響應(yīng)是對該頭的調(diào)整以相對于該載具移動該流體放射器表面；以及在該頭被調(diào)整后，該載具引導(dǎo)該晶片以該期望的相對方位經(jīng)過該鄰近頭，該期望的相對方位是由該下一個(gè)配方指定的以允許在響應(yīng)該下一個(gè)配方的處理過程中保持該彎液面的穩(wěn)定性。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中該處理器被配置為顯示該產(chǎn)生的彎液面監(jiān)控信號，該彎液面監(jiān)控信號的形式為對該頭做出的調(diào)整以將該流體放射器表面從相對于該晶片表面的該不想要的方位定向到該期望方位并允許在進(jìn)一步的彎液面處理過程中保持該穩(wěn)定的彎液面。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中該當(dāng)前配方指定當(dāng)前處理參數(shù)以提供該期望方位，其中該期望方位包含該晶片表面和該流體放射器表面之間的均勻空隙；該彎液面監(jiān)控系統(tǒng)被進(jìn)一步配置為產(chǎn)生表示該晶片表面和該流體放射器表面之間的非均勻空隙的該方位監(jiān)控信號；以及該處理器被進(jìn)一步配置為將該非均勻空隙與校準(zhǔn)配方相關(guān)聯(lián)，其中該校準(zhǔn)配方指定該非均勻空隙和即使該空隙具有該非均勻空隙的值也能保持穩(wěn)定的彎液面的處理參數(shù)，該關(guān)聯(lián)是使得根據(jù)由該校準(zhǔn)配方修改的該當(dāng)前配方的該處理的繼續(xù)即使在該晶片表面和該流體放射器表面保持該非均勻空隙也允許保持該穩(wěn)定的彎液面。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，該裝置進(jìn)一步包含存儲包含多個(gè)矩陣配方的矩陣的數(shù)據(jù)庫，每個(gè)矩陣配方指定該空隙的非均勻值，每個(gè)非均勻空隙在該晶片表面和該流體放射器表面而對應(yīng)于該不想要的方位之一，對于每個(gè)非均勻空隙該矩陣配方包含對應(yīng)于穩(wěn)定的彎液面的認(rèn)定的處理參數(shù)的值；其中該當(dāng)前配方指定處理參數(shù)以提供該期望方位，其中該期望方位包含該晶片表面和該流體放射器表面之間的均勻空隙；該彎液面監(jiān)控系統(tǒng)被進(jìn)一步配置為產(chǎn)生表示該晶片表面和該流體放射器表面之間的當(dāng)前非均勻空隙的該方位監(jiān)控信號；以及該處理器被進(jìn)一步配置為產(chǎn)生由該當(dāng)前配方指定的該處理參數(shù)的認(rèn)定的一個(gè)或多個(gè)的數(shù)量上的調(diào)整量，該認(rèn)定的處理參數(shù)是該當(dāng)前配方的該處理參數(shù)中將要根據(jù)該矩陣配方調(diào)整的那些處理參數(shù)，其中該矩陣配方具有與由該方位監(jiān)控信號表示的該當(dāng)前空隙相同的非均勻空隙，用該數(shù)量上的調(diào)整量對該當(dāng)前配方的修改允許在進(jìn)一步彎液面處理過程中， 即使該晶片表面和該流體放射器表面之間保持該當(dāng)前非均勻空隙，也允許保持該穩(wěn)定的彎液面。
16.一種監(jiān)控晶片表面的彎液面處理以穩(wěn)定彎液面的方法，該處理響應(yīng)當(dāng)前配方，該當(dāng)前配方限定該晶片表面和鄰近頭之間的期望空隙，該方法包含如下操作監(jiān)控當(dāng)前彎液面處理以確定當(dāng)前空隙不同于該期望空隙； 認(rèn)定指定該當(dāng)前空隙的校準(zhǔn)配方；以及使用由該認(rèn)定的校準(zhǔn)配方指定的處理參數(shù)繼續(xù)該晶片表面的該彎液面處理。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包含如下操作首先確定該當(dāng)前空隙是否在可接受空隙范圍內(nèi)，其中在該范圍內(nèi)的該空隙對應(yīng)于具有穩(wěn)定的彎液面的彎液面處理；以及只有當(dāng)該當(dāng)前空隙在該可接受空隙范圍內(nèi)時(shí)，才執(zhí)行該認(rèn)定并繼續(xù)操作。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包含如下操作首先確定該當(dāng)前空隙是否在可接受空隙范圍內(nèi)，其中在該范圍內(nèi)的空隙對應(yīng)于具有穩(wěn)定的彎液面的彎液面處理；以及如果該當(dāng)前空隙不在該可接受空隙范圍內(nèi)，中斷該彎液面處理操作。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中該認(rèn)定操作包含檢查多個(gè)校準(zhǔn)配方的操作，其中已知每個(gè)配方指定用于穩(wěn)定的彎液面的處理參數(shù)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中該認(rèn)定操作包含如下進(jìn)一步操作將該當(dāng)前空隙與由指定與該當(dāng)前空隙相同的空隙的該多個(gè)校準(zhǔn)配方中的一個(gè)指定的空隙相匹配；以及認(rèn)定該一個(gè)校準(zhǔn)配方的該處理參數(shù)以用于該繼續(xù)操作。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中繼續(xù)該晶片表面的該彎液面處理的操作包含如下操作調(diào)整該當(dāng)前配方的該處理參數(shù)以符合由該認(rèn)定的一個(gè)校準(zhǔn)配方指定的該處理參數(shù)以限定新的當(dāng)前配方；以及在繼續(xù)操作中使用該新的當(dāng)前配方的該處理參數(shù)處理晶片。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中該方法包含如下進(jìn)一步操作產(chǎn)生表示該新的當(dāng)前配方的該處理參數(shù)的處理控制信號；以及響應(yīng)該處理控制信號自動執(zhí)行該調(diào)整操作從而該使用操作使用由該新的當(dāng)前配方指定的該處理參數(shù)處理該晶片。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中該調(diào)整操作包含使得該當(dāng)前配方的該處理參數(shù)被手動調(diào)整以符合由該認(rèn)定的校準(zhǔn)配方指定的該處理參數(shù)。
24.一種監(jiān)控對晶片表面的彎液面處理以保持彎液面在穩(wěn)定狀態(tài)的方法，該處理響應(yīng)當(dāng)前配方，該當(dāng)前配方指定該晶片表面和鄰近頭之間的期望空隙，該當(dāng)前配方進(jìn)一步指定用于該彎液面處理的處理參數(shù)，該方法包含如下操作監(jiān)控當(dāng)前彎液面處理以確定當(dāng)前空隙是否不同于期望空隙并被配置有允許保持該彎液面在穩(wěn)定狀態(tài)的空隙值；如果確定該當(dāng)前空隙不同于該期望空隙并且被如此配置，那么認(rèn)定指定該當(dāng)前空隙的校準(zhǔn)配方和校準(zhǔn)的處理參數(shù)以用于跨越該當(dāng)前空隙建立穩(wěn)定的彎液面；將該當(dāng)前配方的處理參數(shù)自動調(diào)整為該認(rèn)定的校準(zhǔn)配方的處理參數(shù)；以及使用由該認(rèn)定的校準(zhǔn)配方指定的處理參數(shù)繼續(xù)該晶片表面的彎液面處理。
全文摘要
裝置，其監(jiān)控在晶片上執(zhí)行的彎液面處理。由處理器接收的當(dāng)前處理的監(jiān)控?cái)?shù)據(jù)表明該晶片和處理頭之間的空隙的特征。該處理器被配置為響應(yīng)方位監(jiān)控信號形式的該數(shù)據(jù)并響應(yīng)當(dāng)前配方。該處理器產(chǎn)生彎液面監(jiān)控信號以允許在進(jìn)一步彎液面處理中允許該彎液面保持穩(wěn)定。該監(jiān)控是對當(dāng)前彎液面處理的監(jiān)控以確定當(dāng)前空隙是否(1)不同于該當(dāng)前配方的期望空隙，及(2)對應(yīng)于穩(wěn)定的彎液面。如果是這樣，校準(zhǔn)配方被認(rèn)定為指定該當(dāng)前空隙。該校準(zhǔn)配方指定用該當(dāng)前空隙進(jìn)行該晶片表面的彎液面處理的參數(shù)。使用由該認(rèn)定的校準(zhǔn)配方繼續(xù)該晶片表面的彎液面處理。
文檔編號H01L21/66GK102318053SQ200880113114
公開日2012年1月11日 申請日期2008年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月18日
發(fā)明者克里斯丁·帕杜拉羅, 卡特里娜·米哈里斯, 格蘭特·彭·G 申請人:朗姆研究公司