專利名稱：高溫旋涂暫時(shí)性粘合組合物的制作方法
背景技術(shù)：
政府基金
本發(fā)明是在根據(jù)美國陸軍研究、發(fā)展和工程司令部(United States ArmyResearch，Development，and Engineering Command)給予的第W911SR-05-C-0019號合同的政府資助下進(jìn)行的。美國政府享有本發(fā)明的某些權(quán)利。
相關(guān)申請
本申請要求2007年6月25日提交的題為“使用滑動(dòng)法進(jìn)行晶片的臨時(shí)性粘合的高溫旋涂粘合組合物(HIGH-TEMPERATURE SPIN-ONBONDING COMPOSITIONS FOR TEMPORARY WAFER BONDINGUSING SLIDING APPROACH)”的美國專利臨時(shí)申請系列號第60/946,077號的優(yōu)先權(quán)。
發(fā)明領(lǐng)域 本發(fā)明大致涉及新穎的組合物以及使用所述組合物形成粘合組合物的方法，所述粘合組合物可以在使晶片變薄(thinning)和其它加工操作的過程中將活性晶片支承在載體晶片或基片上。
現(xiàn)有技術(shù)描述 人們采用使晶片(基片)變薄來散熱和幫助集成電路(IC)的電操作。厚的基片會(huì)造成電容增大，需要較厚的傳輸線路，又需要較大的IC覆蓋區(qū)。使基片變薄會(huì)增大阻抗，而電容會(huì)減小阻抗，造成傳輸線路厚度的減小，又使得IC尺寸減小。因此，使基片變薄可以促進(jìn)IC的小型化。
幾何限制是使基片變薄的另一個(gè)動(dòng)力。在基片的背面上蝕刻出通孔，以簡化正面接觸。為了使用常規(guī)的干蝕刻技術(shù)形成通孔，采用了幾何限制。對于厚度小于100微米的基片，使用干蝕刻法可以形成直徑30-70微米的通孔，同時(shí)該方法在可接受的時(shí)間內(nèi)完成，產(chǎn)生極少的蝕刻后殘余物。對于厚基片，需要較大直徑的通孔。這需要較長的干蝕刻時(shí)間，產(chǎn)生更多量的蝕刻后殘余物，從而顯著降低生產(chǎn)量。較大的通孔還需要較大量的金屬鍍覆，這樣成本更高。因此，對于背面加工來說，可以更快、并以更低成本加工薄基片。
薄基片還更容易切割和刻劃形成IC。較薄的基片中需要穿透和切割的材料的量較少，因此所需的工作量較少。無論使用何種方法(鋸、刻劃和斷裂，或者激光燒蝕)，從較薄的基片都比較容易切割I(lǐng)C。大部分半導(dǎo)體晶片在正面操作之后都要進(jìn)行變薄(thinned)的操作。為了易于操作，晶片在常規(guī)的實(shí)際厚度(例如600-700微米)下進(jìn)行加工(即正面器件)。一旦完成，其被削薄至100-150微米的厚度。在一些情況下(例如當(dāng)將砷化鎵(GaAs)之類的混合基片用于大功率器件的時(shí)候)，厚度可以降低到25微米。
用機(jī)械法使基片變薄是通過以下方式進(jìn)行的使晶片表面與盛有液態(tài)漿液的堅(jiān)硬而平坦的旋轉(zhuǎn)水平淺盤(platter)接觸。所述漿液可以包含研磨介質(zhì)，以及化學(xué)蝕刻劑(例如氨、氟化物、或者它們的組合)。磨料提供了“粗的”基片去除，即使基片變薄，而蝕刻劑化學(xué)物質(zhì)促進(jìn)了亞微米級的“拋光”。所述晶片保持與介質(zhì)接觸，直至已經(jīng)除去了一定量的基片，達(dá)到了目標(biāo)厚度。
對于厚度等于或大于300微米的晶片，用一些工具將晶片固定就位，所述工具使用真空吸盤或者其它機(jī)械連接器件。當(dāng)晶片厚度減小到小于300微米的時(shí)候，在進(jìn)一步使其變薄和加工的過程中，這種固定和操作變得困難或者不可能保持對晶片的固定和操作的控制。在一些情況下，可以利用機(jī)械器件連接并固定于變薄的晶片上，但是，它們可能出現(xiàn)許多問題，特別是當(dāng)加工操作可能變化的時(shí)候。出于這個(gè)原因，人們將晶片(″活性″晶片)安裝在獨(dú)立的剛性(載體)基片或晶片上。該基片成為固定平臺(tái)，用于進(jìn)一步的變薄和變薄后的加工。載體基片由藍(lán)寶石、石英、某些玻璃和硅之類的材料組成，通常厚度為1000微米?；倪x擇取決于各種材料之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)的緊密匹配程度。
人們所采用的一種將活性晶片安裝在載體基片上的方法包括使用固化的粘合組合物。該方法的主要缺點(diǎn)在于，所述組合物必須通過化學(xué)方法除去，通常是通過溶解在溶劑中而除去。這是非常耗時(shí)的，從而會(huì)降低生產(chǎn)量。另外，使用溶劑會(huì)提高工藝的成本和復(fù)雜性，還可能是有害的，這取決溶解粘合組合物所需的溶劑。
另一種將活性晶片安裝在載體基片上的方法是通過熱釋放膠帶。該方法具有兩個(gè)主要的缺點(diǎn)。首先，膠帶在活性晶片/載體基片界面處的厚度均勻性有限，這種有限的均勻性經(jīng)常不足以用于超薄晶片的處理。其次，所述熱釋放粘合劑會(huì)在這樣低的溫度下軟化，使得粘合的晶片/載體基片的層疊件無法承受在較高溫度下進(jìn)行的許多典型晶片加工步驟。
人們需要用來將活性晶片粘合于載體基片的新的組合物和方法，這些組合物和方法要能夠承受高加工溫度并且便于在工藝中合適的階段容易將晶片和基片分離。


發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明通過概括地提供了一種晶片粘合法，解決了現(xiàn)有技術(shù)的問題，所述方法包括提供層疊件，所述層疊件包括用粘合組合物層粘合在一起的第一和第二基片。所述粘合組合物層包含一種化合物，所述化合物可以是低聚物或聚合物，選自酰亞胺、酰胺-酰亞胺和酰胺酰亞胺-硅氧烷聚合物和低聚物。使所述層疊件升至足夠高的溫度，使得所述粘合層軟化，然后將第一和第二基片分離。
本發(fā)明還提供了包括第一和第二基片的制品。所述第一基片具有背面和活性表面，所述活性表面包括至少一個(gè)活性位點(diǎn)和大量形貌特征。所述第二基片具有粘合表面，粘合層與所述活性表面和粘合表面粘合。所述粘合層包含低聚物和聚合物，其選自酰亞胺、酰胺-酰亞胺，以及酰胺-酰亞胺-硅氧烷聚合物和低聚物。
在另一個(gè)實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及一種具有選自以下的結(jié)構(gòu)式的聚合物或低聚物(或組合物，該組合物包含溶解或分散在溶劑體系中的該聚合物或低聚物)
其中 R選自

和
其中R1選自烷基取代的苯基，

和
X選自苯基砜，芳族基團(tuán)，脂族基團(tuán)和脂環(huán)族基團(tuán)；以及
其中Z選自硅氧烷和包含醚橋鍵的部分。所述化合物還包含由選自以下化合物得到的封端基芳族單胺，脂族單胺，脂環(huán)族單胺，以及鄰苯二甲酸酐。
附圖簡要說明

圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明使兩塊晶片變薄和剝離的本發(fā)明方法； 圖2是在實(shí)施例中采用的常規(guī)工藝步驟的流程圖； 圖3是顯示本發(fā)明所述的粘合組合物的流變分析結(jié)果的圖。
優(yōu)選實(shí)施方式詳述 更詳細(xì)地，本發(fā)明的組合物包含分散或溶解在溶劑體系中的化合物。所述化合物可以是聚合物或低聚物，以所述組合物中的固體總重量為100重量％計(jì)，在所述組合物中所述化合物的含量優(yōu)選約為1-70重量％，更優(yōu)選約為5-50重量％，更加優(yōu)選約為15-40重量％。
優(yōu)選的聚合的或低聚的化合物是熱塑性的，優(yōu)選重均分子量約為3000-300,000道爾頓，更優(yōu)選約為6,000-50,000道爾頓。優(yōu)選的化合物的軟化溫度(熔體粘度為3,000Pa·S的情況)優(yōu)選至少約為150℃，更優(yōu)選至少約為200℃，更加優(yōu)選至少約為200℃-250℃。
優(yōu)選的化合物在室溫下、在例如以下的溶劑中靜置約1-24小時(shí)之后，能夠溶解至少約95重量％，優(yōu)選至少約98重量％，更優(yōu)選約100重量％N-甲基-2-吡咯烷酮，二甲苯，二甲基乙酰胺，N，N-二甲基甲酰胺，二甲亞砜以及它們的混合物。
在本發(fā)明中可以起作用的一些優(yōu)選的化合物包括選自以下那些的的低聚物和聚合物酰亞胺、酰胺-酰亞胺、酰胺-酰亞胺-硅氧烷的低聚物和聚合物，以及它們的混合物。
在一個(gè)實(shí)施方式中，所述優(yōu)選的化合物具有以下結(jié)構(gòu)式
其中R選自

和
其中R1選自烷基取代的苯基，

和
本發(fā)明優(yōu)選的烷基取代的苯基是被C1-C6烷基取代的苯基。特別優(yōu)選的烷基取代的苯基選自以下

和
在上面的式(I)中，X選自苯基砜，芳族基團(tuán)(優(yōu)選C6-C60，更優(yōu)選C6-C30，更加優(yōu)選C6-C24)，脂族基團(tuán)(優(yōu)選C2-C15，更優(yōu)選C2-C10，更加優(yōu)選C2-C6)，以及脂環(huán)族基團(tuán)(優(yōu)選C4-C60，更優(yōu)選C4-C20，更加優(yōu)選C4-C12)。
在一個(gè)實(shí)施方式中，X可以是上述芳族基團(tuán)，脂族基團(tuán)，或者脂環(huán)族基團(tuán)。在另一個(gè)實(shí)施方式中，X可以包括具有醚橋鍵的芳族基團(tuán)(例如以下關(guān)于Z討論到的那些)或者在間位具有連接基團(tuán)和/或-NH2基團(tuán)的芳族基團(tuán)。
特別優(yōu)選的X基團(tuán)選自烷基取代的苯基(例如上述的那些)，異亞丙基二苯基和六氟異亞丙基。
在另一個(gè)實(shí)施方式中，所述優(yōu)選的化合物具有以下結(jié)構(gòu)式
其中Z選自硅氧烷和包含醚橋鍵的部分。在Z為硅氧烷的實(shí)施方式中，優(yōu)選的硅氧烷具有以下結(jié)構(gòu)式
式中 各R3獨(dú)立地選自氫，烷基(優(yōu)選C1-C10，更優(yōu)選C1-C2)，以及苯基； m是1-6； P是1-50，優(yōu)選1-20，更優(yōu)選1-10。
優(yōu)選的包含醚橋鍵的部分選自
在式(I)的實(shí)施方式或式(II)的實(shí)施方式中，優(yōu)選所述聚合物或低聚物還包含封端基。優(yōu)選的封端基團(tuán)由以下化合物得到芳族單胺，脂族單胺，脂環(huán)族單胺，以及鄰苯二甲酸酐。特別優(yōu)選的封端基具有選自以下的結(jié)構(gòu)式烷基(優(yōu)選C1-C15，更優(yōu)選C1-C10，更加優(yōu)選C1-C6)，
式中 R4是烷基(優(yōu)選C1-C15，更優(yōu)選C1-C10，更加優(yōu)選C1-C6)； R5是脂環(huán)基團(tuán)(優(yōu)選C3-C12，更優(yōu)選C5-C6)； K是0-20，優(yōu)選0-10，更優(yōu)選0-5。
以所述組合物的總重量為100重量％計(jì)，所述組合物應(yīng)包含至少約30重量％的溶劑體系，優(yōu)選約50-90重量％的溶劑體系，更優(yōu)選約60-90重量％的溶劑體系，更加優(yōu)選約70-90重量％的溶劑體系。所述溶劑體系的沸點(diǎn)應(yīng)約為100-250℃，優(yōu)選約為120-220℃。
合適的溶劑包括選自以下的那些N-甲基-2-吡咯烷酮，二甲苯，二甲基乙酰胺，N，N-二甲基甲酰胺，二甲亞砜，以及它們的混合物。
以所述組合物的總重量為100重量％計(jì)，所述組合物中的固體總含量應(yīng)至少約為10重量％，優(yōu)選約10-40重量％，更優(yōu)選約10-30重量％。
在其他的實(shí)施方式中，所述組合物可以包含大量任選的組分，包括表面活性劑，增粘劑，增塑劑和/或抗氧化劑。
當(dāng)使用表面活性劑時(shí)，以組合物中的固體總重量為100重量％計(jì)，所述組合物中表面活性劑的含量優(yōu)選約為0.1-3重量％，更優(yōu)選約為0.1-1重量％。合適的表面活性劑的例子包括醇乙氧基化物，例如辛基酚乙氧基化物(以商品名

銷售)。
當(dāng)使用增粘劑時(shí)，以組合物中的固體總重量為100重量％計(jì)，所述組合物中增粘劑的含量優(yōu)選約為0.1-3重量％，更優(yōu)選約為0.1-1重量％。合適的增粘劑的例子包括選自以下的這些二(三甲氧基甲硅烷基乙基)苯，氨基丙基三(烷氧基硅烷)(例如氨基丙基三(甲氧基硅烷)，氨基丙基三(乙氧基硅烷)，N-苯基氨基丙基三(乙氧基硅烷))，以及其他硅烷偶聯(lián)劑。
當(dāng)使用抗氧化劑的時(shí)候，以所述組合物中的固體總重量為100重量％計(jì)，所述組合物中抗氧化劑的含量優(yōu)選約為0.01-3重量％，更優(yōu)選約為0.01-1.5重量％，更加優(yōu)選約為0.01-0.1重量％。合適的抗氧化劑的例子包括選自以下的那些酚類抗氧化劑(例如季戊四醇四(3-(3，5-二叔丁基-4-羥苯基)丙酸酯，購自希巴公司(Ciba)，商品名為

1010)和亞磷酸酯抗氧化劑，(例如三(2，4-二叔丁基苯基)亞磷酸酯，購自希巴公司，商品名為

168)。
以上的組分可以在溶劑體系中與所述化合物簡單地混合。最終的組合物應(yīng)當(dāng)是熱塑性的(即非可交聯(lián)的)。因此，所述組合物應(yīng)當(dāng)基本不含交聯(lián)劑(含量小于約0.1重量％，優(yōu)選約0重量％)。
最終組合物的熔體粘度優(yōu)選小于約200帕·秒(Pa·S)，較優(yōu)選小于約100帕·秒，更優(yōu)選約為10-50帕·秒。對于這些測量來說，所述粘度是通過流變動(dòng)力學(xué)分析測定的(TA儀器公司(TA Instruments)，AR-2000，兩個(gè)平行板的結(jié)構(gòu)，其中板的直徑為25毫米)。另外，該熔體粘度在300-350℃下測定，優(yōu)選組合物的重量損失小于約3重量％，更優(yōu)選小于約2重量％。換而言之，通過熱重分析(TGA)測得，所述組合物在此溫度下發(fā)生極少的熱分解，或者不發(fā)生熱分解。
盡管所述組合物可以首先施涂于載體基片或活性晶片，但是優(yōu)選首先將其施涂于所述活性晶片。優(yōu)選的施涂方法包括在大約300-3,500rpm(更優(yōu)選約500-1,500rpm)的轉(zhuǎn)速下、以大約500-15,000rpm/秒的加速度旋涂所述組合物，旋涂時(shí)間約為30-300秒?？梢岳斫?，可以改變所述施涂步驟以得到特定的厚度。
涂覆之后，可以對所述基片進(jìn)行烘烤(例如在電熱板上烘烤)以蒸發(fā)溶劑。通常烘烤在大約80-275℃、優(yōu)選約150-225℃的溫度下進(jìn)行約2-15分鐘，更優(yōu)選約3-10分鐘。烘烤之后的膜厚度(形貌的頂部)通常至少約為5微米，更優(yōu)選約為5-50微米。
烘烤之后，使所需的載體晶片與本發(fā)明組合物層相接觸，并且向著本發(fā)明組合物層擠壓。通過在大約150-300℃、優(yōu)選約180-300℃的溫度進(jìn)行加熱，使所述載體晶片粘合于本發(fā)明的組合物上。該加熱操作優(yōu)選在真空條件下進(jìn)行，持續(xù)時(shí)間約1-10分鐘，粘合力約為1-15千牛頓。
圖1(a)顯示了示例性的層疊件10，其包括活性晶片12和載體晶片或基片14?；钚跃?2包括背面16和活性表面18。活性表面18可以包括一個(gè)或多個(gè)活性位點(diǎn)(未顯示)以及大量形貌特征(突起的特征或線路，以及孔、溝槽或間隔)，例如20a-d所示的那些。特征20d顯示了活性表面18上“最高的”特征。也就是說，表面21的端部部分與晶片12的背面16的距離大于晶片12上任意其它形貌特征的各自端部部分與晶片12的背面16的距離。
常規(guī)的活性晶片12可以包括任意微電子基片。一些可能的活性晶片12的例子包括選自以下的那些微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件，顯示器器件，撓性基片(例如固化的環(huán)氧樹脂基片，可用于形成地圖的卷起基片)，化合物半導(dǎo)體，低k介電層，介電層(例如氧化硅、氮化硅)，離子注入層，以及包含以下材料的基片硅、鋁、鎢、硅化鎢、砷化鎵、鍺、鉭、氮化鉭(tantalumnitrite)、SiGe以及上述材料的混合物。
載體基片14具有粘合表面22。常規(guī)的載體基片14包含選自以下的材料藍(lán)寶石，陶瓷，玻璃，石英，鋁，銀和硅。
通過粘合組合物層24將晶片12和載體基片14粘合在一起。粘合層24由上述聚合物組合物形成，如上所述進(jìn)行施涂和干燥。如圖1(a)所示，粘合層24與晶片12的活性表面18粘合，還與基片14的粘合表面22粘合。與現(xiàn)有技術(shù)的膠帶不同，粘合層24在其厚度上是均勻的(化學(xué)性質(zhì)相同)材料。換而言之，整個(gè)粘合層24由相同的組合物形成。
可以理解，因?yàn)榭梢酝ㄟ^旋涂將粘合層24施涂于活性表面18，所以粘合組合物會(huì)流入各種形貌特征中，以及覆蓋在形貌特征之上。另外，所述粘合層24在所述活性表面18的形貌上形成均勻?qū)?。為了說明這一點(diǎn)，圖1顯示了在端部21用虛線26表示的一個(gè)平面，其基本平行于背面16。從該平面到粘合表面22的距離用厚度“T表示?！痹谒銎矫?6和基片14的長度范圍內(nèi)，該厚度“T”變化小于約8％，優(yōu)選小于約5％，更優(yōu)選小于約2％，更加優(yōu)選小于約1％。
然后可以對晶片組件進(jìn)行隨后的使基片變薄(或者其他的加工)，如圖1(b)中所示，其中12′表示變薄之后的晶片12。應(yīng)當(dāng)理解，所述基片可以變薄至厚度約小于100微米，優(yōu)選約小50微米，更優(yōu)選約小于25微米。變薄之后，可以進(jìn)行常規(guī)的背面加工，包括光刻、通孔蝕刻以及金屬鍍覆。
較佳地，本發(fā)明組合物的干燥層具有大量非常需要的性質(zhì)。例如，所述層在真空蝕刻工藝中具有很少的氣體排放。也就是說，如果15微米厚的所述組合物的膜在200℃下烘烤2分鐘，則會(huì)將溶劑從組合物中驅(qū)除，這樣隨后在200℃烘烤60分鐘的操作使得膜厚度變化約小于5％，優(yōu)選約小于2％，更優(yōu)選約小于1％，甚至0％(稱為″膜收縮測試″)。因此，干燥層可以加熱至最高約190℃，優(yōu)選最高約200℃，更優(yōu)選最高約220℃，更加優(yōu)選最高約240℃，而不會(huì)在層中產(chǎn)生物理變化或者化學(xué)反應(yīng)。例如，所述層在低于這些溫度的條件下不會(huì)變軟。在一些實(shí)施方式中，所述層還可以在85℃下接觸極性溶劑(例如PGME)90分鐘而不發(fā)生反應(yīng)。
即使在接觸酸或者堿的情況下，所述干燥層的粘合整體性也可以保持。也就是說，可以在85℃下將厚度約為15微米的所述組合物的干燥層浸沒在酸性介質(zhì)中(例如濃硫酸)或堿(例如30重量％的KOH)中45分鐘，同時(shí)保持粘合整體性?？梢酝ㄟ^以下方式評價(jià)粘合整體性使用玻璃載體基片，透過玻璃載體基片目視觀察粘合組合物層，以檢查氣泡、空穴等。而且，如果活性晶片和載體基片無法用手分離，則粘合整體性得以保持。
在進(jìn)行了所需的加工之后，可以通過加熱到至少約200℃、優(yōu)選至少約225℃、更優(yōu)選約250-350℃，將活性晶片或基片與載體基片分離。這些溫度范圍表示粘合組合物層優(yōu)選的軟化點(diǎn)。這種加熱會(huì)導(dǎo)致粘合組合物層軟化，如圖1(c)所示形成軟化的粘合組合物層24′，此時(shí)可以通過滑動(dòng)使得兩塊基片分離。圖1(c)還顯示了軸28，其通過晶片12和基片14，可以在通常為軸28的橫向的方向施加滑動(dòng)力?；蛘?，可能不需要滑動(dòng)，而是可以將晶片12或基片14向上抬起(即在通常遠(yuǎn)離晶片12或基片14的另一個(gè)的方向抬起)，以將晶片12與基片14分離。
應(yīng)當(dāng)理解，可以簡單地通過將一塊晶片12或基片14滑動(dòng)以及/或者抬起，而另一個(gè)基本保持固定位置、以抵抗滑動(dòng)或抬起的作用力(例如通過同時(shí)對晶片12和基片14施加相反的滑動(dòng)力)而實(shí)現(xiàn)分離。該操作均可通過常規(guī)的設(shè)備完成。
可以使用原來溶劑容易除去該器件區(qū)域中剩余的任意粘合組合物，所述溶劑是干燥之前所述組合物的一部分，或者可以使用二甲苯、NMP和二甲亞砜之類的溶劑。任何剩余的組合物在與溶劑接觸5-15分鐘之后都會(huì)完全溶解(至少約98％，優(yōu)選至少約99％，更優(yōu)選約100％)。還可以接受的是單獨(dú)使用等離子體蝕刻，或者將等離子體蝕刻與溶劑去除工藝結(jié)合使用，除去任何剩余的粘合組合物。在此步驟之后，將剩下清潔的無粘合組合物的晶片12′和載體基片14(沒有顯示其清潔狀態(tài))。
實(shí)施例 以下實(shí)施例描述了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選方法。然而應(yīng)理解，通過說明提供這些實(shí)施例，不應(yīng)將實(shí)施例的的內(nèi)容視作對本發(fā)明整體范圍的限制。
實(shí)施例1 用2，6-二甲基苯胺封端的雙酚-A-二酸酐-共聚-1，3-苯二胺低聚物 在此過程中，將4，4′-雙酚-A-二酸酐(BPADA，57.25克，0.011摩爾)，間苯二胺(10.81克，0.01摩爾)，以及2，6-二甲基苯胺(2.42克，0.02摩爾)溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中，直到BPADA的最終濃度為15重量％。該溶液在室溫和惰性氣氛條件下攪拌12小時(shí)。向所得的酰胺酸溶液中加入二甲苯(38.17克)，形成共沸溶液，通過在180℃下對該溶液再進(jìn)行12小時(shí)的加熱，在酰亞胺化過程中除去水。所得的酰亞胺溶液以1500rpm的轉(zhuǎn)速旋涂60秒，形成無孔的均勻膜。

實(shí)施例2 用正丁胺封端的雙酚-A-二酸酐-共聚-1，3-苯二胺低聚物 在此實(shí)施例中，將4，4′-雙酚-A-二酸酐(57.25克，0.011摩爾)，間苯二胺(10.81克，0.01摩爾)和正丁胺(1.46克，0.02摩爾)溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中，直到BPADA的最終濃度為15重量％。該溶液在室溫和惰性氣氛條件下攪拌12小時(shí)。在此步驟之后，向制得的聚(酰胺酸)溶液加入二甲苯(38.17克)，然后在180℃和氮?dú)獯祾呦略龠M(jìn)行12小時(shí)的酰亞胺化。

實(shí)施例3 用2，6-二甲基苯胺封端的雙酚-A-二酸酐-共聚-O-聯(lián)甲苯胺低聚物 對于該過程，將4，4′-雙酚-A-二酸酐(57.25克，0.011摩爾)，O-聯(lián)甲苯胺(21.229克，0.01摩爾)和2，6-二甲基苯胺(2.42克，0.02摩爾)溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中，直到BPADA的最終濃度為15重量％。該溶液在室溫和惰性氣氛條件下攪拌12小時(shí)。向所得的酰胺酸溶液中加入二甲苯(38.17克)，形成共沸溶液，通過在180℃下對該溶液再進(jìn)行12小時(shí)的加熱，在酰亞胺化過程中除去水。所得的酰亞胺溶液以合適的轉(zhuǎn)速旋涂，形成無孔的均勻膜。

實(shí)施例4 用2，6-二甲基苯胺封端的雙酚-A-二酸酐-共聚-1，3-苯二胺-共聚-2-甲基-1，5-戊二胺低聚物 在此實(shí)施例中，將4，4′-雙酚-A-二酸酐(57.25克，0.011摩爾)，間苯二胺(7.57克，0.007摩爾)，2-甲基-1，5-戊二胺(0.348克，0.003摩爾，購自Invista公司，商品名為DYTEK-A)和2.6-二甲基苯胺(2.42克，0.02摩爾)溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中，直到BPADA的最終濃度為15重量％。該溶液在室溫和惰性氣氛的條件下攪拌12小時(shí)。向制得的酰胺酸溶液中加入二甲苯(38.17克)以形成共沸溶液，通過在180℃對該溶液再加熱12小時(shí)，在酰亞胺化過程中除去水。所得的酰亞胺溶液以合適的速度進(jìn)行旋涂，形成無空穴的均勻膜。

實(shí)施例5 用鄰苯二甲酸酐封端的氯化偏苯三酸酐-共聚-2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷-共聚-雙酚A-二酸酐低聚物 在此過程中，在0-5℃下，將氯化偏苯三酸酐(0.447克，2.12毫摩)，2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(2.0克，4.87摩爾)以及三乙胺(0.257克，2.54毫摩)溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中，使得所有單體的總濃度達(dá)到15重量％。該溶液在0-5℃和惰性氣氛條件下攪拌2小時(shí)。接下來，加入4，4′-雙酚-A-二酸酐(1.105克，2.12毫摩)，鄰苯二甲酸酐(0.199克，1.34毫摩)和另外的N-甲基-2-吡咯烷酮，至最終濃度為15重量％。該溶液在室溫和惰性氣氛條件下攪拌20小時(shí)。濾去得到的沉淀(氯化三乙胺)，向酰胺酸溶液中加入二甲苯(2.5克)，形成共沸溶液，通過在180℃下對該溶液再進(jìn)行12小時(shí)的加熱，在酰亞胺化過程中除去水。聚合物的結(jié)構(gòu)如下所示。所得的酰胺-酰亞胺溶液以合適的轉(zhuǎn)速旋涂，形成無孔的均勻膜。

實(shí)施例6 用鄰苯二甲酸酐封端的氯化偏苯三酸酐-共聚-2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷低聚物 在此實(shí)施例中，在0-5℃下，將氯化偏苯三酸酐(1.0克，4.7毫摩)，2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(2.464克，6.0毫摩爾)以及三乙胺(0.571克，5.64毫摩)溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中，至濃度為15重量％。該溶液在0-5℃和惰性氣氛條件下攪拌1小時(shí)。加入鄰苯二甲酸酐(0.439克，2.96毫摩)和另外的N-甲基-2-吡咯烷酮至最終濃度為15重量％。該溶液在室溫和惰性氣氛條件下攪拌20小時(shí)。濾去得到的沉淀(氯化三乙胺)，向酰胺酸溶液中加入二甲苯(2.6克)，形成共沸溶液，通過在180℃下對該溶液再進(jìn)行12小時(shí)的加熱，在酰亞胺化過程中除去水。所得的酰胺-酰亞胺溶液以合適的轉(zhuǎn)速旋涂，形成無孔的均勻膜。

實(shí)施例7 用鄰苯二甲酸酐封端的氯化偏苯三酸酐-共聚-1，3-雙[3-氨基苯氧基)苯低聚物 在此過程中，在0-5℃下，將氯化偏苯三酸酐(0.69克，3.28毫摩)，1，3-雙(3-氨基苯氧基)苯(從CHRISKEV有限公司購得，商品名為APB-133，1.0克，3.42毫摩爾)以及三乙胺(0.398克，3.93毫摩)溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中，至濃度為15重量％。該溶液在0-5℃和惰性氣氛條件下攪拌1小時(shí)。加入鄰苯二甲酸酐(0.0427克，0.29毫摩)和另外的N-甲基-2-吡咯烷酮至最終濃度為15重量％。該溶液在室溫和惰性氣氛條件下攪拌20小時(shí)。濾去得到的沉淀(氯化三乙胺)，向酰胺酸溶液中加入二甲苯(1.29克)，形成共沸溶液，通過在180℃下對該溶液再進(jìn)行12小時(shí)的加熱，在酰亞胺化過程中除去水。所得的酰胺-酰亞胺溶液以合適的轉(zhuǎn)速旋涂，形成無孔的均勻膜。

實(shí)施例8 用鄰苯二甲酸酐封端的酰胺封閉的二硅氧烷-共聚-[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷-共聚-氯化偏苯三酸酐低聚物 在此過程中，在0-5℃下將氯化偏苯三酸酐(1.149克，5.46毫摩)，1，3-雙(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷(0.226克，0.91毫摩)和三乙胺(0.663克，6.55毫摩)溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮/THF共溶劑(70/30體積/體積)中，至濃度為15重量％。該溶液在0-5℃和惰性氣氛條件下攪拌12小時(shí)。接下來，加入2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(2.0克，4.87毫摩)，鄰苯二甲酸酐(0.108克，0.729毫摩)和另外的N-甲基-2-吡咯烷酮，至最終濃度為15重量％。該溶液在室溫和惰性氣氛條件下攪拌12小時(shí)。濾去得到的沉淀(氯化三乙胺)，向酰胺酸溶液中加入二甲苯(2.3克)，形成共沸溶液，通過在180℃下對該溶液再進(jìn)行12小時(shí)的加熱，在酰亞胺化過程中除去水。所得的酰胺-酰亞胺-硅氧烷溶液以1500rpm的轉(zhuǎn)速旋涂60秒，形成無孔的均勻膜。

實(shí)施例9 用鄰苯二甲酸酐封端的酰胺封閉的二硅氧烷-共聚-2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷-共聚-雙酚-A-二酸酐低聚物 在此過程中，在0-5℃下將氯化偏苯三酸酐(0.372克，1.77毫摩)，1，3-雙(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷(0.220克，0.89毫摩)和三乙胺(0.215克，2.12毫摩)溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮/THF共溶劑(70/30體積/體積)中，至濃度為15重量％。該溶液在0-5℃和惰性氣氛條件下攪拌12小時(shí)。接下來，加入2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(2.0克，4.87毫摩)，4，4′-雙酚-A-二酸酐(1.840克，3.54毫摩)，鄰苯二甲酸酐(0.141克，0.95毫摩)和另外的N-甲基-2-吡咯烷酮，至最終濃度為15重量％。該溶液在室溫和惰性氣氛條件下攪拌12小時(shí)。濾去得到的沉淀(氯化三乙胺)，向酰胺酸溶液中加入二甲苯(3.0克)，形成共沸溶液，通過在180℃下對該溶液再進(jìn)行12小時(shí)的加熱，在酰亞胺化過程中除去水。所得的酰胺-酰亞胺-硅氧烷溶液以1500rpm的轉(zhuǎn)速旋涂60秒，形成無孔的均勻膜。

實(shí)施例10 用鄰苯二甲酸酐封端的酰胺封閉的聚二硅氧烷-共聚-2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷-共聚-氯化偏苯三酸酐低聚物 在此實(shí)施例中，在0-5℃下將氯化偏苯三酸酐(1.080克，5.13毫摩)，氨基丙基封端的聚二甲基硅氧烷(購自Gelest有限公司，0.420克，0.47毫摩)和三乙胺(0.623克，6.15毫摩)溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮/THF共溶劑(70/30體積/體積)中，至濃度為15重量％。該溶液在0-5℃和惰性氣氛條件下攪拌12小時(shí)。接下來，加入2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(2.0克，4.87毫摩)，鄰苯二甲酸酐(0.063克，0.425毫摩)和另外的N-甲基-2-吡咯烷酮，至最終濃度為15重量％。該溶液在室溫和惰性氣氛條件下攪拌12小時(shí)。濾去得到的沉淀(氯化三乙胺)，向酰胺酸溶液中加入二甲苯(2.4克)，形成共沸溶液，通過在180℃下對該溶液再進(jìn)行12小時(shí)的加熱，在酰亞胺化過程中除去水。所得的酰胺-酰亞胺-硅氧烷溶液以1500rpm的轉(zhuǎn)速旋涂60秒，形成無孔的均勻膜。

實(shí)施例11 施涂、粘合和剝離 將實(shí)施例1-10的制劑旋涂在各種基片晶片上。通過烘烤蒸發(fā)除去溶劑之后，通過施加壓力將第二晶片與每一涂覆之后的晶片粘合在一起。圖2中顯示了使用這些粘合劑進(jìn)行臨時(shí)性晶片粘合的常規(guī)步驟。測試粘合的晶片的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性和耐化學(xué)性。在可以接受的溫度下用手使其滑動(dòng)分離，以測試晶片的剝離性質(zhì)。
實(shí)施例12 粘合劑-聚酰亞胺的分析 實(shí)施例1和3的組合物的粘度、軟化點(diǎn)和Tg列于表1，所有這些材料的剝離試驗(yàn)都成功地進(jìn)行了測試。還如下文所述對這四種組合物進(jìn)行了熱穩(wěn)定性和耐化學(xué)性的研究。所有這些經(jīng)過加工的組合物都具有所需的熱穩(wěn)定性，至少高達(dá)350℃，并顯示排氣最少(＜0.5重量％)。
表1-實(shí)施例1和3的性質(zhì) 實(shí)施例13 粘合劑-聚酰胺-酰亞胺的分析 實(shí)施例5-7的酰胺-酰亞胺聚合物的組合物包含具有醚鍵或烷烴鍵的芳胺。因此，這些材料具有低的軟化點(diǎn)，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熔體粘度。示例性材料的流變數(shù)據(jù)見圖3。這些實(shí)施例的粘度、軟化點(diǎn)和Tg列于表2，所有這些材料的剝離試驗(yàn)都成功地進(jìn)行了測試。還對這些組合物進(jìn)行了熱穩(wěn)定性和耐化學(xué)性的研究。所有這些經(jīng)過加工的組合物都具有所需的熱穩(wěn)定性，至少高達(dá)350℃，并顯示排氣最少(＜0.5重量％)。
表2-實(shí)施例5-7的性質(zhì) 實(shí)施例14 粘合劑-聚(酰胺-酰亞胺-硅氧烷)的分析 實(shí)施例8-10的酰胺-酰亞胺-硅氧烷聚合物的組合物包含被酰胺基團(tuán)封端的硅氧烷單元，其形成分子內(nèi)和分子間氫鍵。因此，硅氧烷單元與相變隔離，可以防止發(fā)生相分離。該作用示于以下。這些實(shí)施例的粘度、軟化點(diǎn)和Tg列于表3，所有這些材料的剝離試驗(yàn)都成功地進(jìn)行了測試。還對這些組合物進(jìn)行了熱穩(wěn)定性和耐化學(xué)性的研究。所有這些經(jīng)過加工的組合物都具有所需的熱穩(wěn)定性，至少高達(dá)350℃，并顯示排氣最少(＜0.5重量％)。

表3-實(shí)施例8-10的性質(zhì) 實(shí)施例15 用鄰苯二甲酸酐封端的氯化偏苯三酸酐-共聚-2，2-雙[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜-共聚-雙酚A-二酸酐低聚物 在0-5℃下，將氯化偏苯三酸酐(2.245克，10.66毫摩)，2，2-雙[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜(10.0克，23.12毫摩爾)以及三乙胺(1.294克，12.79毫摩)溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中，至濃度為15重量％。該溶液在0-5℃和惰性氣氛條件下攪拌1小時(shí)。加入雙酚-A-二酸酐(5.550克，10.66毫摩)，鄰苯二甲酸酐(0.555克，3.74毫摩)和另外的N-甲基-2-吡咯烷酮，至最終濃度為15重量％。該溶液在室溫和惰性氣氛條件下攪拌20小時(shí)。濾去得到的沉淀(氯化三乙胺)，向酰胺酸溶液中加入二甲苯(6.2克)，形成共沸溶液，通過在180℃下對該溶液再進(jìn)行12小時(shí)的加熱，在酰亞胺化過程中除去水。所得的酰胺-酰亞胺溶液以1500rpm的轉(zhuǎn)速旋涂60秒，形成無孔的均勻膜。

實(shí)施例16 用環(huán)己胺封端的雙酚-A-二酸酐-共聚-2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜低聚物 在此過程中，將4，4′-雙酚-A-二酸酐(10.624克，20.40毫摩)，2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜(8.0克，18.5毫摩)和環(huán)己胺(0.399克，4.0毫摩)溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中，直到最終濃度為10重量％。該溶液在室溫和惰性氣氛條件下攪拌12小時(shí)。向所得的酰胺酸溶液中加入二甲苯(12.0克)，形成共沸溶液，通過在180℃下對該溶液再進(jìn)行12小時(shí)的加熱，在酰亞胺化過程中除去水。所得的酰亞胺溶液以1500rpm的轉(zhuǎn)速旋涂60秒，形成無孔的均勻膜。

實(shí)施例17 用2，6-二甲基苯胺封端的雙酚-A-二酸酐-共聚-2，4，6-三甲基-間苯二胺-共聚-2-甲基-1，5-戊二胺低聚物 在此實(shí)施例中，將4，4′-雙酚-A-二酸酐(20.0克，38.43毫摩)，2，4，6-三甲基-間苯二胺(0.811克，5.40毫摩)，2-甲基-1，5-戊二胺(購自Invista公司，商品名為Dytek-A，3.556克，30.60毫摩)和2，6-二甲基苯胺(0.609克，5.03毫摩)溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中，直到最終濃度為10重量％。該溶液在室溫和惰性氣氛條件下攪拌12小時(shí)。向所得的酰胺酸溶液中加入二甲苯(16.6克)，形成共沸溶液，通過在180℃下對該溶液再進(jìn)行12小時(shí)的加熱，在酰亞胺化過程中除去水。所得的酰亞胺溶液以1500rpm的轉(zhuǎn)速旋涂60秒，形成無孔的均勻膜。

實(shí)施例18 用環(huán)己胺封端的雙酚-A-二酸酐-共聚-3，3′-二氨基二苯基砜-共聚-2-甲基-1，5-戊二胺低聚物 在此過程中，將4，4′-雙酚-A-二酸酐(10.0克，19.2毫摩)，3，3′-二氨基二苯基砜(2.220克，8.9毫摩)，2-甲基-1，5-戊二胺(購自Invista公司，商品名為Dytek-A，1.039克，8.9毫摩)和環(huán)己胺(0.273克，2.8毫摩)溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中，直到最終濃度為10重量％。該溶液在室溫和惰性氣氛條件下攪拌12小時(shí)。向所得的酰胺酸溶液中加入二甲苯(9.0克)，形成共沸溶液，通過在180℃下對該溶液再進(jìn)行12小時(shí)的加熱，在酰亞胺化過程中除去水。所得的酰亞胺溶液以1500rpm的轉(zhuǎn)速旋涂60秒，形成無孔的均勻膜。

實(shí)施例19 用環(huán)己胺封端的雙酚-A-二酸酐-共聚-2，4，6-三甲基-間苯二胺-共聚-1，2-二氨基環(huán)己烷低聚物 在此實(shí)施例中，將4，4′-雙酚-A-二酸酐(10.0克，19.2毫摩)，2，4，6-三甲基-間苯二胺(0.663克，4.42毫摩)，1，2-二氨基環(huán)己烷(1.514克，13.26毫摩)和環(huán)己胺(0.317克，3.2毫摩)溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中，直到最終濃度為10重量％。該溶液在室溫和惰性氣氛條件下攪拌12小時(shí)。向所得的酰胺酸溶液中加入二甲苯(8.3克)，以形成共沸溶液，通過在180℃下對該溶液再進(jìn)行12小時(shí)的加熱，在酰亞胺化過程中除去水。所得的酰亞胺溶液以1500rpm的轉(zhuǎn)速旋涂60秒，形成無孔的均勻膜。

實(shí)施例20 用環(huán)己胺封端的雙酚-A-二酸酐-共聚-2，4，6-三甲基-間苯二胺-共聚-4，4′-亞甲基-雙環(huán)己胺低聚物 在此過程中，將4，4′-雙酚-A-二酸酐(10.0克，19.2毫摩)，2，4，6-三甲基-間苯二胺(0.657克，4.38毫摩)，4，4′-亞甲基-雙環(huán)己基胺(2.762克，13.13毫摩)和環(huán)己胺(0.355克，3.58毫摩)溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中，直到最終濃度為10重量％。該溶液在室溫和惰性氣氛條件下攪拌12小時(shí)。向所得的酰胺酸溶液中加入二甲苯(9.2克)，以形成共沸溶液，通過在180℃下對該溶液再進(jìn)行12小時(shí)的加熱，在酰亞胺化過程中除去水。所得的酰亞胺溶液以1500rpm的轉(zhuǎn)速旋涂60秒，形成無孔的均勻膜。

實(shí)施例21 實(shí)施例15、16、19和20的組合物的粘度、軟化點(diǎn)和Tg列于表4，同時(shí)實(shí)施例17-18的組合物的值列于表5。還對這些組合物進(jìn)行了熱穩(wěn)定性和耐化學(xué)性的進(jìn)一步研究。所有這些經(jīng)過加工的組合物都具有所需的熱穩(wěn)定性，至少高達(dá)350℃，并顯示排氣最少(＜0.5重量％)。
表4-實(shí)施例15-16和19-20的性質(zhì) 表5-實(shí)施例17-18的性質(zhì)
權(quán)利要求
1.一種晶片粘合方法，其包括
提供層疊件，所述層疊件包括用粘合組合物層粘合在一起的第一和第二基片，所述粘合組合物層包含選自低聚物和聚合物的化合物，所述低聚物和聚合物選自酰亞胺、酰胺-酰亞胺和酰胺-酰亞胺-硅氧烷聚合物和低聚物；
使所述層疊件升至足以使所述粘合層軟化的溫度；
使得所述第一和第二基片分離。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述溫度至少約為200℃。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述分離步驟包括對所述第一和第二基片中的至少一個(gè)施加作用力，同時(shí)使得所述第一和第二基片中的另一個(gè)抵抗所述作用力，所述施加的作用力足夠大，使得所述第一和第二基片分離。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述層疊件具有通過第一基片和第二基片的軸，所述施加的作用力通常處于相對于所述軸的橫向方向。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述施加作用力包括將第一和第二基片中的至少一個(gè)朝向大體遠(yuǎn)離所述第一和第二基片中的另一個(gè)的方向抬起。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括在所述使層疊件升溫之前，使所述基片中的一個(gè)變薄。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括在使所述層疊件升溫之前，對所述層疊件進(jìn)行選自以下的加工背面研磨、金屬鍍覆、形成圖案、及其組合。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供層疊件的步驟包括
對所述第一基片和第二基片中的至少一個(gè)施涂粘合組合物；
使所述基片互相接觸，以使基片粘合在一起。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述施涂包括將所述粘合組合物旋涂在所述第一基片和第二基片中的一個(gè)之上。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述接觸包括對所述基片施加壓力。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于
所述第一基片具有第一表面和遠(yuǎn)離所述第一表面的第二表面，所述第二表面包括至少一個(gè)活性位點(diǎn)和大量形貌特征，所述粘合組合物層與所述第二表面粘合；
所述第二基片包括與所述粘合組合物層粘合的粘合表面。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于
所述形貌特征具有遠(yuǎn)離所述第一基片的第一表面的各端面，所述端面中的至少一個(gè)與所述第一基片的第一表面的距離大于其它所述端面與所述第一基片的第一表面的距離，所述較遠(yuǎn)的端面限定出基本平行于所述第一表面的平面；
在所述平面和第二基片粘合表面的范圍，所述平面與所述第二基片上的粘合表面之間的距離的變化小于約10％。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一基片具有以下特性
具有第一表面和遠(yuǎn)離所述第一表面的第二表面；
在所述第二表面上包括至少一個(gè)活性位點(diǎn)和大量形貌特征；以及
所述第一基片選自以下微型機(jī)電系統(tǒng)器件，顯示器器件，撓性基片，化合物半導(dǎo)體，低k介電層，介電層，離子注入層，以及包含以下材料的基片硅、鋁、鎢、硅化鎢、砷化鎵、鍺、鉭、氮化鉭、SiGe，以及上述材料的混合物。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二基片包含選自以下的材料藍(lán)寶石、陶瓷、玻璃、石英、鋁和硅。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述化合物選自具有選自以下的結(jié)構(gòu)式的聚合物和低聚物
其中
R選自
其中R1選自烷基取代的苯基，
X選自苯基砜，芳族基團(tuán)，脂族基團(tuán)和脂環(huán)族基團(tuán)；以及
其中Z選自硅氧烷和包含醚橋鍵的部分。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述化合物是(I)，X選自烷基取代的苯基，異亞丙基二苯基，以及六氟異亞丙基。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述化合物還包含由選自以下化合物得到的封端基芳族單胺，脂族單胺，脂環(huán)族單胺以及鄰苯二甲酸酐。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述封端基選自烷基，
式中
R4是烷基；
R5是脂環(huán)基團(tuán)；
K是0-20。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述化合物是(II)，Z是具有以下結(jié)構(gòu)式的硅氧烷
式中
各R3獨(dú)立地選自氫，烷基，以及苯基；
m是1-6；
P是1-50。
20.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述化合物是(II)，Z是選自以下的包含醚橋鍵的部分
21.一種制品，其包括
第一基片，其具有背面和活性表面，所述活性表面包括至少一個(gè)活性位點(diǎn)和大量形貌特征；
第二基片，其具有粘合表面；
與所述活性表面和所述粘合表面粘合的粘合層，所述粘合層包含低聚物和聚合物，所述低聚物和聚合物選自酰亞胺、酰胺-酰亞胺、以及酰胺-酰亞胺-硅氧烷聚合物和低聚物。
22.如權(quán)利要求21所述的制品，其特征在于
所述形貌特征具有遠(yuǎn)離所述第一基片的背面的各端面，所述端面中的至少一個(gè)與所述第一基片的背面的距離大于其它所述端面與所述第一基片的背面的距離，所述較遠(yuǎn)的端面限定出基本平行于所述第一表面的平面；
沿著所述平面和第二基片粘合表面，所述平面與所述第二基片上的粘合表面之間的距離的變化小于約5％。
23.如權(quán)利要求21所述的制品，其特征在于，所述第一基片選自以下微型機(jī)電系統(tǒng)器件，顯示器器件，撓性基片，化合物半導(dǎo)體，低k介電層，介電層，離子注入層，以及包含以下材料的基片硅、鋁、鎢、硅化鎢、砷化鎵、鍺、鉭、氮化鉭、SiGe，以及上述材料的混合物。
24.如權(quán)利要求21所述的制品，其特征在于，所述第二基片包含選自以下的材料藍(lán)寶石、陶瓷、玻璃、石英、鋁、銀和硅。
25.如權(quán)利要求21所述的制品，其特征在于，所述聚合物和低聚物具有選自以下的結(jié)構(gòu)式
其中
R選自
其中R1選自烷基取代的苯基，
X選自苯基砜，芳族基團(tuán)，脂族基團(tuán)和脂環(huán)族基團(tuán)；以及
其中Z選自硅氧烷和包含醚橋鍵的部分。
26.如權(quán)利要求25所述的制品，其特征在于，所述聚合物或低聚物具有結(jié)構(gòu)式(I)，X選自烷基取代的苯基，異亞丙基二苯基，以及六氟異亞丙基。
27.如權(quán)利要求25所述的制品，其特征在于，所述化合物還包含由選自以下化合物得到的封端基芳族單胺，脂族單胺，脂環(huán)族單胺以及鄰苯二甲酸酐。
28.如權(quán)利要求27所述的制品，其特征在于，所述封端基選自烷基，
式中
R4是烷基；
R5是脂環(huán)基團(tuán)；
K是0-20。
29.如權(quán)利要求25所述的制品，其特征在于，所述聚合物或低聚物具有結(jié)構(gòu)式(II)，Z是具有以下結(jié)構(gòu)式的硅氧烷
式中
各R3獨(dú)立地選自氫，烷基，以及苯基；
m是1-6；
P是1-50。
30.如權(quán)利要求25所述的制品，其特征在于，所述聚合物或低聚物具有結(jié)構(gòu)式(II)，Z是選自以下的包含醚橋鍵的部分
31.一種可用來將兩個(gè)基片粘合在一起的組合物，所述組合物包含溶解或分散在溶劑體系中的化合物，所述化合物選自具有選自以下的結(jié)構(gòu)式的聚合物和低聚物
其中
R選自
其中R1選自烷基取代的苯基，
X選自苯基砜，芳族基團(tuán)，脂族基團(tuán)和脂環(huán)族基團(tuán)；以及
其中Z選自硅氧烷和包含醚橋鍵的部分，
所述化合物還包含由選自以下化合物得到的封端基芳族單胺，脂族單胺，脂環(huán)族單胺以及鄰苯二甲酸酐。
32.如權(quán)利要求31所述的組合物，其特征在于，所述化合物具有結(jié)構(gòu)式(I)，X選自烷基取代的苯基，異亞丙基二苯基，以及六氟異亞丙基。
33.如權(quán)利要求31所述的組合物，其特征在于，所述封端基選自烷基，
式中
R4是烷基；
R5是脂環(huán)基團(tuán)；
K是0-20。
34.如權(quán)利要求31所述的組合物，其特征在于，所述化合物具有結(jié)構(gòu)式(II)，Z是具有以下結(jié)構(gòu)式的硅氧烷
式中
各R3獨(dú)立地選自氫，烷基，以及苯基；
m是1-6；
P是1-50。
35.如權(quán)利要求31所述的組合物，其特征在于，所述化合物具有結(jié)構(gòu)式(II)，Z是選自以下的包含醚橋鍵的部分
36.一種聚合物或低聚物，具有選自以下的結(jié)構(gòu)式
其中
R選自
其中R1選自烷基取代的苯基，
X選自苯基砜，芳族基團(tuán)，脂族基團(tuán)和脂環(huán)族基團(tuán)；以及
其中Z選自硅氧烷和包含醚橋鍵的部分，
所述聚合物或低聚物還包含由以下化合物得到的封端基芳族單胺，脂族單胺，脂環(huán)族單胺以及鄰苯二甲酸酐。
37.如權(quán)利要求36所述的聚合物或低聚物，其特征在于，所述聚合物或低聚物具有結(jié)構(gòu)式(I)，X選自烷基取代的苯基，異亞丙基二苯基，以及六氟異亞丙基。
38.如權(quán)利要求36所述的聚合物或低聚物，其特征在于，所述封端基選自烷基，
式中
R4是烷基；
R5是脂環(huán)基團(tuán)；
K是0-20。
39.如權(quán)利要求36所述的聚合物或低聚物，其特征在于，所述聚合物或低聚物具有結(jié)構(gòu)式(II)，Z是具有以下結(jié)構(gòu)式的硅氧烷
式中
各R3獨(dú)立地選自氫，烷基，以及苯基；
m是1-6；
P是1-50。
40.如權(quán)利要求36所述的聚合物或低聚物，其特征在于，所述聚合物或低聚物具有結(jié)構(gòu)式(II)，Z是選自以下的包含醚橋鍵的部分
全文摘要
本發(fā)明提供了新穎的組合物以及使用這些組合物作為粘合組合物的方法。所述組合物優(yōu)選是熱塑性的，包含分散或溶解在溶劑體系中的酰亞胺、酰胺-酰亞胺和/或酰胺-酰亞胺-硅氧烷(聚合形式或低聚形式)，可以用來將活性晶片與載體晶片或基片粘合，以在之后的加工和處理過程中幫助保護(hù)所述活性晶片及其活性位點(diǎn)。所述組合物形成粘合層，該粘合層具有耐化學(xué)性和耐熱性，但是還能夠被軟化，在制造過程的合適階段能使所述晶片滑動(dòng)分離。
文檔編號H01L21/00GK101779268SQ200880102023
公開日2010年7月14日 申請日期2008年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月25日
發(fā)明者洪文斌, S·K·皮拉拉馬瑞 申請人:布魯爾科技公司