專利名稱：：蝕刻方法及裝置及被處理物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在大致大氣壓下蝕刻在被處理物上形成的非晶體硅等硅層的方法及裝置及蝕刻的被處理物。
背景技術(shù)：
：例如，專利文獻1、2中記載有利用03氧化晶片表面的硅的基礎(chǔ)上(式11)，使用HF，蝕刻的技術(shù)。在專利文獻3中記載有通過在CF4等氟系氣體中，引起大氣壓附近放電而生成HF，利用該HF，蝕刻(式12)氧化硅的技術(shù)。Si+203—Si02+202(式11)Si02+4HF+H20—SiF4+3H20(式12)專利文獻1日本特開2003—264160號公報專利文獻2日本特開2004—55753號公報專利文獻3日本特開2000—58508號公報如圖12所示，在以往的硅蝕刻中，相對地掃描被處理物10的同時，將含有HF及03的處理氣體向被處理物IO噴射的情況下，例如，SiN層13析出的階段下，也根據(jù)部位，硅膜16以斑點狀殘留，導(dǎo)致處理不均出現(xiàn)的問題。殘留硅膜16例如容易形成于基板11上的與柵線12對應(yīng)的部分的周邊上設(shè)置的角部19等。發(fā)明人為了解決上述問題，進行了專心致志的研究、考察。知道在被處理物的表面的與處理氣體接觸的區(qū)域臨時凝結(jié)有由處理氣體中的水或蝕刻反應(yīng)生成的水，從而形成凝結(jié)層。通過使HF及03向該凝結(jié)層溶解而擴散，到達被處理物的表面，從而維持蝕刻反應(yīng)。另一方面，認為在被處理物根據(jù)部位容易聚集凝結(jié)層，導(dǎo)致成為水積存狀的部位。例如，圖12的角部19就是這種情況，但在平坦面也存在成為水積存狀的部位。在這樣的部位中，從03溶解開始后至到達被處理物的表面為止所需的擴散距離變大，被處理物的表面上的03的反應(yīng)減少。從而，認為不進展蝕刻，這導(dǎo)致處理不均。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是基于上述考察而做成的，其是一種蝕刻方法，其在大致大氣壓下，將含有氟化氫和臭氧的處理氣體向被處理物噴射，蝕刻在所述被處理物的表面形成的硅，其特征在于，包括使噴出所述處理氣體的一個或沿一個方向排列的多個噴出部相對于所述被處理物沿所述一個方向相對地進行往返或單程移動(掃描)的工序；將所述移動的速度設(shè)定為規(guī)定速度以上的工序。優(yōu)選以使在所述被處理物的表面上形成的凝結(jié)層的厚度成為規(guī)定厚度以下的方式將所述移動的速度設(shè)定為規(guī)定速度以上。或優(yōu)選以使一個噴出部相對地通過一次與所述被處理物對置的位置時的所述硅的蝕刻深度成為規(guī)定蝕刻深度以下的方式，將所述移動的速度設(shè)定為規(guī)定速度以上。另外，本發(fā)明是一種蝕刻裝置，其在大致大氣壓下，將含有氟化氫和臭氧的處理氣體向被處理物噴射，蝕刻在所述被處理物的表面形成的硅，其特征在于，具備設(shè)置部，其應(yīng)被配置所述被處理物；一個或沿一個方向排列的多個噴出部，其噴出所述處理氣體；掃描機構(gòu)，其使所述一個或多個噴出部相對于所述設(shè)置部沿一個方向相對地進行往返或單程移動；設(shè)定部，其將基于所述掃描機構(gòu)的移動的速度設(shè)定為規(guī)定速度以上。優(yōu)選所述設(shè)定部以使在所述被處理物的表面上形成的凝結(jié)層的厚度成為規(guī)定厚度以下的方式，將基于所述掃描機構(gòu)的移動的速度設(shè)定為規(guī)定速度以上?；騼?yōu)選所述設(shè)定部以使一個噴出部相對地通過一次與所述被處理物對置的位置時的所述硅的蝕刻深度成為規(guī)定蝕刻深度以下的方式，將基于所述掃描機構(gòu)的移動的速度設(shè)定為規(guī)定速度以上。通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定上述移動速度，能夠防止凝結(jié)層成為水積存狀。其結(jié)果，能夠抑制處理不均，能夠提高蝕刻的品質(zhì)，并且，能夠確保均一性。以使所述凝結(jié)層的厚度優(yōu)選成為2jiim以下，更優(yōu)選成為lpm以下，進而優(yōu)選成為0.5nm以下，進一步優(yōu)選成為60A以下的方式，進行所述移動的速度設(shè)定即可。所述凝結(jié)層的厚度的下限優(yōu)選20A左右。由此，能夠可靠地進行蝕刻反應(yīng)(參照圖8)。更優(yōu)選以使所述凝結(jié)層的厚度成為2060A的方式進行所述速度設(shè)定，且使所述噴出部與所述被處理物對置時的噴出部、和被處理物之間的間隔(縫隙)成為2mm以下的方式進行。被處理物中形成所述凝結(jié)層的部位根據(jù)與噴出部的相對位置而時間性地變化。所述凝結(jié)層主要形成于被處理物的表面中與處理氣體接觸的部分。在與處理氣體接觸的部分中，在被處理氣體直接噴出的部分的周邊凝結(jié)層的厚度相對地大，并隨著從此處遠去而凝結(jié)層的厚度變小。在被處理物上的任意位置中，也優(yōu)選在該位置處的凝結(jié)層的厚度成為最大時，使其最大厚度不超過所述規(guī)定厚度地設(shè)定所述相對移動的速度。例如可以使用光學(xué)干涉儀，測定凝結(jié)層的厚度。另外，凝結(jié)層的厚度與蝕刻深度具有一定的關(guān)系(圖9)，因此，可以通過測定蝕刻深度而推斷。所述相對的移動的速度(掃描速度)可以設(shè)定為3m/分鐘以上，可以設(shè)定為4m/分鐘以上，可以設(shè)定為6m/分鐘以上，可以設(shè)定為9m/分鐘以上。由此，能夠可靠地抑制所述凝結(jié)層的厚度變得過大，能夠可靠地防止處理不均，能夠提高蝕刻的品質(zhì)?？紤]裝置的掃描能力等而設(shè)定所述移動速度的上限即可。另一方面，若移動速度變大，則巻入噴出部和被處理物之間的氣氛氣體量增加。若那樣，則處理氣體的濃度降低，不能維持凝結(jié)層。因此，移動速度的上限優(yōu)選根據(jù)所述噴出部與所述被處理物對置時的噴出部和被處理物之間的間隔(縫隙)而設(shè)定?？p隙越小，越能夠增大設(shè)定移動速度的上限(圖10)。所述噴出部與所述被處理物對置時的、噴出部和被處理物之間的間隔設(shè)為lmm以下或約lmm時，所述移動的速度在3m/分鐘以上且70m/分鐘以下的范圍內(nèi)設(shè)定也可。所述噴出部與所述被處理物對置時的、噴出部和被處理物之間的間隔設(shè)為2mm以下或約2mm時，所述移動的速度在3m/分鐘以上且15m/分鐘以下的范圍內(nèi)設(shè)定也可。所述噴出部與所述被處理物對置時的、噴出部和被處理物之間的間隔設(shè)為3mm以下或約3mm時，所述移動的速度在3m/分鐘以上且8m/分鐘以下的范圍內(nèi)設(shè)定也可。所述噴出部與所述被處理物對置時的、噴出部和被處理物之間的間隔設(shè)為4mm以下或約4mm時，所述移動的速度在3m/分鐘以上且4m/分鐘以下的范圍內(nèi)設(shè)定也可。通過上述速度設(shè)定，由一次單程移動即往移動(往移動)或返移動(復(fù)移動)(將其稱為一次掃描)蝕刻的量減少，因此，相應(yīng)地增加掃描次數(shù)即可。優(yōu)選每一次掃描的蝕刻深度不大于150A。例如，對于硅層的每個厚度1000A，優(yōu)選掃描次數(shù)為34次以上，更優(yōu)選58次以上，進而優(yōu)選67次以上，進而優(yōu)選9次以上，進而優(yōu)選10次以上(每一次掃描的蝕刻深度為IOA以下)。在縫隙為2mm以下時，每一次掃描的蝕刻深度為1050A即可。根據(jù)反應(yīng)長度，設(shè)定每一次掃描的蝕刻深度即可。在此，反應(yīng)長度是指從噴出部噴出的處理氣體沿被處理物的表面流動的距離，在噴出部和吸引部成對時，與噴出部和吸引部之間的距離基本上相等，夾著噴出部，在其兩側(cè)配置有吸引部時，與兩側(cè)的吸引部之間的距離基本上相等。蝕刻的品質(zhì)(處理殘留的有無)還取決于所述處理氣體的原料中的水的濃度。在濃度小的情況下，即使將所述移動速度例如在13m/分鐘的比較小的范圍內(nèi)設(shè)定，也能夠進行良好的蝕刻(實施例1的表1及表2)。通過在大致大氣壓下等離子體化含有氟原料和水的氟化氫原料氣體，生成所述氟化氫的情況下，若所述氟化氫原料氣體的露點為12'C以下，則以使一個噴出部相對地通過一次與所述被處理物對置的位置時的所述硅的蝕刻深度成為100A以下的方式進行所述速度設(shè)定也可。此時的速度范圍可以設(shè)為lm/分鐘以上(實施例1的表1)。若所述氟化氫原料氣體的露點為lfC以下，則以使所述蝕刻深度成為60A以下的方式進行所述速度設(shè)定也可。此時的速度范圍可以設(shè)為2m/分鐘以上(實施例1的表2)。若所述氟化氫原料氣體的露點為16'C以下，則優(yōu)選以使所述蝕刻深度成為40A以下的方式進行所述速度設(shè)定也可。優(yōu)選此時的速度范圍設(shè)為5m/分鐘以上(實施例1的表3)。若所述氟化氫原料氣體的露點為18'C以下，則優(yōu)選以使所述蝕刻深度成為25A以下的方式進行所述速度設(shè)定也可。優(yōu)選此時的速度范圍設(shè)為10m/分鐘以上(實施例1的表4)。優(yōu)選在所述氟化氫的生成后，在該含氟化氫的氣體中混合含臭氧氣體，生成所述處理氣體?？紤]應(yīng)蝕刻的硅的厚度或裝置的掃描能力或間歇(tact)時間等而適當(dāng)?shù)卦O(shè)定掃描次數(shù)的上限即可。順便提的是，通常的大氣壓等離子體處理中的掃描速度為12m/分鐘左右，硅層的每1000A厚度的掃描次數(shù)為12次左右。在一個噴出部的所述移動方向的下游側(cè)強制干燥所述被處理物也可。在一個噴出部的所述移動的方向的下游側(cè)設(shè)置有促進所述被處理物的干燥的強制干燥部也可。在排列有多個噴出部的情況下，針對每個噴出部設(shè)置有強制干燥部也可，針對多個噴出部設(shè)置有一個強制干燥部也可。由此，能夠可靠地衰減或減少噴出處理氣體的部位的下游側(cè)的部分的凝結(jié)層，能夠防止每次掃描時凝結(jié)層累積的情況。所述干燥部可以為噴出干燥氣體的干燥氣體供給部，也可以為加熱被處理物的加熱部。另外，本發(fā)明提供利用上述蝕刻方法或蝕刻裝置來蝕刻的被處理物。本發(fā)明適用于大致大氣壓下的蝕刻處理。在此，大致大氣壓是指1.013X10450.663X104Pa的范圍，若考慮壓力調(diào)節(jié)的容易化或裝置結(jié)構(gòu)的簡易化，則優(yōu)選1.333X10410.664X104Pa，更優(yōu)選9.331X10410.397X104Pa。根據(jù)本發(fā)明可知，通過設(shè)定移動速度，能夠防止凝結(jié)層成為水積存狀。其結(jié)果，能夠抑制處理不均，能夠提高蝕刻的品質(zhì)，并且，能夠確保均一性。圖1是本發(fā)明的第一實施方式的蝕刻裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。圖2是上述裝置的被處理物的放大剖面圖，(a)表示硅蝕刻前的狀態(tài)，(b)表示硅蝕刻后的狀態(tài)。圖3是表示上述裝置的掃描機構(gòu)的一例的主視圖。圖4是本發(fā)明的第二實施方式的蝕刻裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。圖5是本發(fā)明的第三實施方式的蝕刻裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。圖6是本發(fā)明的第四實施方式的蝕刻裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。圖7是表示移動速度和凝結(jié)層側(cè)的厚度的關(guān)系的圖表。圖8是表示凝結(jié)層的厚度、和每單位處理寬度及單位時間的蝕刻體積的關(guān)系的圖表。圖9是表示凝結(jié)層的厚度、和每一次掃描的蝕刻深度的關(guān)系的圖表。圖10是表示移動速度、和每單位處理寬度及單位時間的蝕刻深度的關(guān)系的圖表。圖11是本發(fā)明的第五實施方式的蝕刻裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。圖12是實施了以往的硅蝕刻的被處理物的放大剖面圖，用兩點劃線表示蝕刻前的硅層。圖中M、M2、M3、M4、M5—蝕刻裝置；IO—被處理物；ll一玻璃基板；12_柵線；13—SiNx層；14—a—Si層；15—n+層；16—硅層；17—抗蝕劑；18—凝結(jié)層；20—設(shè)置部；30—處理氣體供給部；31—氟化氫生成部；32—碳化氟供給部；33—等離子體生成部；34—水添加部；35一電極；36—臭氧生成部；37—氧供給部；38—臭氧發(fā)生器；39—處理頭；40—噴嘴部；41一噴出口(噴出部)；42—吸引口(吸引部)；50—吸引機構(gòu)；60—掃描機構(gòu)(移動機構(gòu))；70—設(shè)定部(設(shè)定機構(gòu))；80—干燥氣體供給源；81—干燥氣體供給口(強制干燥部)；卯一加熱部(強制干燥部)；Rl—與處理氣體的接觸區(qū)域(反應(yīng)區(qū)域)；t一凝結(jié)層的厚度。具體實施例方式以下，說明本發(fā)明的實施方式。[第一實施方式]如圖1所示，蝕刻裝置M具有設(shè)置部20;處理氣體供給部30;掃描機構(gòu)(移動機構(gòu))60;設(shè)定部(設(shè)定機構(gòu))70。在設(shè)置部20配置有被處理物10。被處理物10的基底例如由玻璃基板ll構(gòu)成，但不限定于此。如圖2(a)所示，在玻璃基板11的表面設(shè)置有柵線12的圖案，進而，從下方依次層疊有SiNx層13、a—Si層14、和n+層15。在n+層15上的與柵線12對應(yīng)的部分設(shè)置有抗蝕劑17。a—Si層14由非晶體硅構(gòu)成。n+層15是在硅中摻雜了磷(P)。這些a—Si層14和n+層15構(gòu)成本發(fā)明的蝕刻對象的硅膜16?？傆媋—Si層14和n+層15的硅膜16的厚度例如為2000A左右。處理氣體供給部30具備氟化氫生成部31、和臭氧生成部36。氟化氫生成部31具有氟系原料供給部32;水添加部34;等離子體生成部33。向來自氟系原料供給部32的CF4中添加來自水添加部34的水蒸氣(H20)，生成氟系原料氣體，該氟系原料氣體導(dǎo)入等離子體生成部33。在原料供給部32中，用惰性氣體稀釋CF4，在添加部34向其中添加H20，得到氟系原料氣體也可。作為惰性氣體，使用Ar、He、Ne等稀有氣體或N2即可。等離子體生成部33含有一對電極35。通過向這些電極35之間施加電場，生成大氣壓輝光放電。施加電場例如為脈沖波(間歇波)，但不限定于此，可以為連續(xù)波狀的高頻。向該電極35之間的空間中導(dǎo)入上述氟系原料氣體(CF4+H20)。由此，將原料氣體等離子體化，引起下述(1)的反應(yīng)，生成含有氟化氫(HF)的蝕刻劑。CF4+2H20—4HF+C02…式(1)臭氧生成部36具備氧源37和臭氧發(fā)生器38。使用來自氧源37的氧(02)，利用臭氧發(fā)生器38生成臭氧(03)。在等離子體生成部33的一對電極35的下游側(cè)混合來自臭氧發(fā)生器38的含臭氧氣體、和來自一對電極35之間的含氟化氫氣體(蝕刻劑)，生成以氟化氫和臭氧為主成分的處理氣體。在等離子體生成部33的下側(cè)設(shè)置有噴嘴部40。噴嘴部40配置于設(shè)置部20的被處理物10的上方。利用等離子體生成部33及噴嘴部40構(gòu)成處理頭39。在圖中，噴嘴部40的下表面和被處理物9的上表面之間的距離(縫隙g)被放大。在噴嘴部40形成有噴出口41(噴出部)、和以包夾該噴出口41的方式設(shè)置于其左右的一對吸引口42(吸引部)。這些噴出口41及吸引口42在與圖1的紙面垂直的前后方向上延伸。向噴出口41導(dǎo)入上述處理氣體(HF+03)，向下方吹出。吸引口42與包含真空泵等的吸引機構(gòu)50連接。將吸引口42的下端周邊的氣體吸入吸引口42，利用吸引機構(gòu)50吸引排氣。包含噴嘴部40的處理頭39與掃描機構(gòu)60連接。掃描機構(gòu)60具有馬達等驅(qū)動部或滑動導(dǎo)件等，使處理頭39在圖1中的左右方向上往返移動(掃描)。掃描機構(gòu)60的輸出速度例如可以在020m/分鐘的范圍內(nèi)增減。在掃描機構(gòu)60連接有設(shè)定部70。利用該設(shè)定部70，能夠設(shè)定掃描機構(gòu)60的輸出即處理頭39的往返移動速度。圖3表示掃描機構(gòu)60的一例。掃描機構(gòu)60具有馬達61;經(jīng)由傳遞機構(gòu)62與該馬達61連結(jié)的導(dǎo)螺桿63;滑動導(dǎo)件64。傳遞機構(gòu)62包括與馬達61的輸出軸連接的滑輪62a;與導(dǎo)螺桿63的一端部連接的滑輪62b;在這些滑輪62a、62b架設(shè)的環(huán)形帶62c。作為傳遞機構(gòu)62，使用齒輪列等也可。在馬達61的輸出軸直接連結(jié)導(dǎo)螺桿63也可。導(dǎo)螺桿63在左右方向上延伸。在處理頭39的套筒部39B設(shè)置的螺母65與導(dǎo)螺桿63螺合?；瑒訉?dǎo)件64與導(dǎo)螺桿63平行地延伸。在套筒部39B設(shè)置的滑塊66能夠滑動移動地與滑動導(dǎo)件64卡合。在馬達61連接有控制器71?？刂破?1包含未圖示的CPU或馬達驅(qū)動電路或設(shè)定部70。設(shè)定部70例如由觸摸面板或刻度盤等構(gòu)成。通過操作該設(shè)定部70，進行處理頭39的掃描速度的設(shè)定輸入?？刂破?1以調(diào)節(jié)馬達61的轉(zhuǎn)速，使處理頭39以設(shè)定速度掃描的方式進行控制。掃描機構(gòu)60的結(jié)構(gòu)不限定于上述，例如，用液壓促動器使處理頭39移動也可，此外，可以釆用各種公知的移動機構(gòu)。處理頭39的往返移動的范圍優(yōu)選對應(yīng)于被處理物10的處理范圍。更優(yōu)選使移動范圍比處理范圍更廣，噴出口41在處理范圍的外側(cè)折回。代替上述，將掃描機構(gòu)60連接于設(shè)置部20,使設(shè)置部20移動，另一方面，固定處理頭39也可。在那種情況下，作為掃描機構(gòu)60及設(shè)置部20，使用滾柱式輸送器或帶式運輸機也可。說明基于上述結(jié)構(gòu)的蝕刻裝置M的硅蝕刻方法。設(shè)置工序在設(shè)置部20設(shè)置被處理物10。壓力環(huán)境形成為大致大氣壓，優(yōu)選形成為大氣壓。溫度調(diào)節(jié)工序被處理物10的溫度優(yōu)選調(diào)節(jié)為206(TC，更優(yōu)選調(diào)節(jié)為2535。C。處理氣體供給工序利用處理氣體供給部30，生成以HF和03為主成分的處理氣體，從噴出口41吹出。此時，來自氟系原料供給部32的CF4的流量對應(yīng)于被處理物W的前后方向(圖1的紙面垂直方向)的長度lm，優(yōu)選作為520slm，更優(yōu)選510slm?；谔砑硬?4的水蒸氣的添加量優(yōu)選設(shè)定為其大部分被式(1)的等離子體化反應(yīng)消耗的量，具體來說，優(yōu)選1120/(CF4+H20)=1050vol%，更優(yōu)選1025vol%。根據(jù)需要，用Ar、N2、He、Ne等惰性氣體稀釋也可。等離子體生成部33的問題之間的電場強度優(yōu)選設(shè)為120kV/mm，更優(yōu)選510kV/mm，頻率優(yōu)選設(shè)為5100KHz，更優(yōu)選設(shè)為1050KHz?；诔粞跎刹?6的臭氧生產(chǎn)量中作為爆發(fā)極限以下，具體來說，在臭氧發(fā)生器38的出口處優(yōu)選03/(02+03)=l10vol%，更優(yōu)選58vol%。來自噴出口41的處理氣體的噴出流量在噴出口41的前后(圖1的紙面垂直方向)的每單位長度(lm)優(yōu)選設(shè)定為10500slm，更優(yōu)選設(shè)定為100200slm。來自噴出口41的處理氣體中的HF濃度相對于處理氣體整體，例如為0.15vol。/。也可，設(shè)為0.3lvoP/。也可。HF濃度的下限值相對于處理氣體整體優(yōu)選0.1voP/。以上，更優(yōu)選lvol。/。以上。HF濃度的上限值相對于處理氣體整體優(yōu)選8vol。/。以下，更優(yōu)選5vol。/。以下。即使過度增大HF濃度，凝結(jié)層的控制也變難。HF濃度的最佳值是根據(jù)噴嘴部40的下表面和被處理物9的上表面之間的距離(縫隙g)或移動速度來設(shè)定即可。來自噴出口41的處理氣體中的03濃度相對于處理氣體整體優(yōu)選l5vol%，更優(yōu)選34vol%。來自噴出口41的處理氣體中的水分濃度優(yōu)選0.0010.01%(按水蒸氣分壓為0.01kPa0.1kPa)。從噴出口41噴出的處理氣體朝向左右的吸引口42流動，并從這些吸引口42被吸引。從而，被處理物10的表面的與左右的吸引口42對應(yīng)的部分之間成為與處理氣體的接觸區(qū)域(反應(yīng)區(qū)域)Rl。在該反應(yīng)區(qū)域Rl臨時形成凝結(jié)層18。凝結(jié)層18是處理氣體中的H20或后述反應(yīng)式(2)的右邊第二項的2H20凝結(jié)的。在圖1中，放大示出凝結(jié)層18的厚度。凝結(jié)層18的厚度在噴出口41的正下方附近成為最大，隨著朝向吸引口42的正下方附近而變薄。以下，單純地稱為凝結(jié)層18的厚度時，在不特別限定的情況下為最大厚度。在該凝結(jié)層18中溶解處理氣體中的HF，凝結(jié)層18成為HF水溶液。進而，溶解03。通過上述被處理物10的溫度設(shè)定，能夠?qū)?3的溶解速度維持得充分地高。溶解的03在凝結(jié)層18中擴散，到達被處理物10的表面的硅(n+層15及a—Si層14)，由此氧化該硅。該氧化硅和HF進行反應(yīng)。這樣，作為整體，引起由式(2)表示的反應(yīng)，蝕刻硅。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>2…式(2)移動工序與處理氣體的噴出并行地利用掃描機構(gòu)60，使處理頭39相對于被處理物10往返移動(掃描)。表面上，凝結(jié)層18也追隨該處理頭39而在被處理物10的表面上移動。在通常的蝕刻中，進行1次2次的掃描。相對于此，在本發(fā)明中，優(yōu)選進行34次以上掃描，更優(yōu)選進行58次以上掃描，進而優(yōu)選9次以上掃描。在此，一次掃描是指單側(cè)移動即向往移動方向的一次移動，或向返移動方向的一次移動，一次往返對應(yīng)于2次掃描。移動速度設(shè)定工序在此，以使凝結(jié)層18的厚度t成為規(guī)定厚度以下的方式利用設(shè)定部70，將處理頭39的移動速度(掃描速度)設(shè)定為規(guī)定速度以上。凝結(jié)層18的厚度t優(yōu)選設(shè)為2pm以下，可以為一0.52pm，也可以為t^.5lpm。凝結(jié)層18的厚度t優(yōu)選t=2060A。處理頭39的移動速度的下限優(yōu)選設(shè)定為3m/分鐘左右，設(shè)定為39m/分鐘也可，設(shè)定為69m/分鐘也可。處理頭39的移動速度的上限取決于掃描機構(gòu)60的能力，但可以為920m/分鐘，也可以為1015m/分鐘。若移動速度變大，則向處理頭39和被處理物10之間的氣氛氣體的巻入量增大，稀釋處理氣體，因此，移動速度的上限優(yōu)選對應(yīng)于處理頭39和被處理物IO之間的間隔(縫隙g)而設(shè)定。在處理頭39和被處理物IO之間的間隔(縫隙g)g二lmm左右時，設(shè)定為70m/分鐘以下的范圍即可，在縫隙g=2mm左右時，設(shè)定為15m/分鐘以下的范圍即可，在縫隙g二3mm左右時，設(shè)定為8m/分鐘以下的范圍即可，在縫隙g-4mm左右時，設(shè)定為4m/分鐘以下的范圍即可。由此，能夠抑制向處理頭39和被處理物10之間的氣氛氣體的巻入量，能夠可靠地進行蝕刻。通過上述速度設(shè)定，在被處理物IO上的任意部位上，凝結(jié)層18中的03均能夠可靠地到達被處理物10的表面，能夠可靠地引起蝕刻反應(yīng)。從而，如圖2(b)所示，能夠可靠地除去設(shè)置有抗蝕劑17的部分以外的硅膜16。還能夠可靠地除去角部19的硅膜16。其結(jié)果，能夠防止處理不均(蝕刻殘留)發(fā)生的情況，能夠使蝕刻的品質(zhì)良好，能夠提高均一性。通過上述移動速度設(shè)定，由一次掃描(向往移動方向的移動或向返移動方向的移動)蝕刻的硅膜16的厚度成為100500A左右。從而，通過進行上述次數(shù)的掃描，能夠蝕刻硅膜16的整體(厚度2000A)。凝結(jié)層的厚度、和一次的掃描即噴出口41相對地通過一次與被處理物IO對置的位置時的硅的蝕刻深度具有一定的關(guān)系(圖9)。因此，以使上述蝕刻深度成為規(guī)定蝕刻深度以下的方式將處理頭39的移動速度設(shè)定為規(guī)定速度以上也可。上述蝕刻深度的上限優(yōu)選對應(yīng)于HF生成部31中的氟系原料氣體的露點(水蒸氣濃度)而設(shè)定。在露點小的情況下，即使移動速度比較小，也能夠得到良好的蝕刻品質(zhì)(實施例1的表1及表2)。在氟系原料氣體的露點為12'C以下時，使上述蝕刻深度成為IOOA以下地進行速度設(shè)定也可。此時的移動速度的下限可以為lm/分鐘左右(實施例1的表1)。在氟系原料氣體的露點為14'C左右時，使上述蝕刻深度成為60A以下地進行速度設(shè)定即可。此時的移動速度的下限可以為2m/分鐘左右(實施例1的表2)。在氟系原料氣體的露點為16。C左右時，使上述蝕刻深度成為40A以下地進行速度設(shè)定即可。此時的移動速度的下限優(yōu)選設(shè)為5m/分鐘左右(實施例1的表3)。在氟系原料氣體的露點為18"C左右時，使上述蝕刻深度成為25A以下地進行速度設(shè)定即可。此時的移動速度的下限優(yōu)選設(shè)為10m/分鐘左右(實施例1的表4)。其次，說明其他所示。在以下的實施方式中，關(guān)于與上述實施方式重復(fù)的結(jié)構(gòu)，在附圖上標(biāo)注相同的符號，省略說明?！嫉诙嵤┓绞絔在圖4所示的蝕刻裝置M2中，設(shè)置有噴嘴部40的干燥氣體供給口819(干燥氣體供給部)。干燥氣體供給口81形成為沿噴嘴部40的下表面的周緣的觀察底面的情況下的四邊形的環(huán)狀。在干燥氣體供給口81連接有干燥氣體供給源80。在干燥氣體供給源80中，調(diào)節(jié)為規(guī)定的溫度及濕度的氮或空氣等干燥氣體從干燥氣體供給口81吹出。干燥氣體的溫度優(yōu)選2010(TC左右，更優(yōu)選203(TC左右。干燥氣體的相對濕度優(yōu)選01%左右，更優(yōu)選00.01%左右。由此，能夠在被處理物W的蝕刻劑接觸區(qū)域R1的外部促進干燥，能夠可靠地使凝結(jié)層18衰減而消減。從而，能夠防止隨著掃描的次數(shù)增加而累積凝結(jié)層18的情況，能夠?qū)⒛Y(jié)層18的厚度t可靠地抑制為規(guī)定以下。凝結(jié)層的厚度為O.lnm以下的情況下，即使絕對無塵室中的相對濕度為50%左右，也能夠以12秒以下進行干燥。對于蝕刻劑接觸區(qū)域Rl，僅從掃描方向的下游側(cè)的干燥氣體供給口81吹出干燥氣體也可。在圖5所示的蝕刻裝置M3中，在噴嘴部40的左右的吸引口42的進一步外側(cè)設(shè)置有一對加熱部90。加熱部90由電熱加熱器構(gòu)成也可，.由紅外線等的輻射加熱器構(gòu)成也可。根據(jù)該實施方式可知，利用加熱部90，能夠加熱被處理物W的處理氣體接觸區(qū)域R1的外側(cè)的部分，促進干燥。由此，能夠防止隨著掃描的次數(shù)增加而累積凝結(jié)層18的情況，能夠?qū)⒛Y(jié)層18的厚度t可靠地抑制為規(guī)定以下。基于加熱部90的被處理物10的加熱溫度優(yōu)選2010(TC左右，更優(yōu)選2550。C左右，進而優(yōu)選2530。C，可以為305(TC左右。對于處理氣體接觸區(qū)域Rl，僅打開掃描方向的下游側(cè)的加熱部90，僅加熱處理氣體接觸區(qū)域Rl的下游側(cè)的部分也可。若那樣，則能夠防止處理氣體的噴出前，被處理物10被高溫化的情況，能夠防止蝕刻率減少的情況。加熱部90不僅限定于噴嘴部40的吸引口42的外側(cè)，配置于噴出口41和吸引口42之間也可，配置于噴嘴部40的除去噴出口41及吸引口42的大致整個區(qū)域也可。配置于左右任一方也可。遠離處理頭39而配置于其外側(cè)也可。加熱部90從背側(cè)(下側(cè))加熱被處理物10也可。在圖6所示的蝕刻裝置M4中，在左右(移動方向)上隔著一定的間隔設(shè)置有多個(圖中僅圖示三個)處理頭39。在各處理頭30中，僅在噴出口41的一側(cè)(在此為右側(cè))設(shè)置有吸引口42。從噴出口41噴出的處理氣體的大致整個量向右側(cè)流動，從一個吸引口42被吸引。被處理物10的表面中的與各處理頭39的噴出口41和吸引口42之間對應(yīng)的部分成為反應(yīng)區(qū)域R1。掃描機構(gòu)60通過設(shè)置部20使被處理物10從左向右移動。從而，被處理物10上的處理氣體的流動方向、和相對于處理頭39的被處理物10的移動方向相互一致。作為設(shè)置部20及掃描機構(gòu)60，使用滾柱式輸送器或帶式運輸機也可。代替被處理物10，與第一實施方式相同地使處理頭39移動也可。相鄰的處理頭39、39之間的間隔設(shè)定為，被處理物9的表面上的各點在從這些處理頭39、39中的上游側(cè)的處理頭39的反應(yīng)區(qū)域向下游側(cè)的處理頭39的反應(yīng)區(qū)域轉(zhuǎn)移的期間中，凝結(jié)層能夠干燥的程度。上述間隔是利用干燥所需的時間(例如秒數(shù))和被處理物9的移動速度之積來求出。還有，上述間隔比處理頭39和被處理物9之間的間隔(縫隙g)充分地大。在圖中，縫隙g被放大。在該第四實施方式中，能夠利用一次掃描(單程移動)，進行處理頭39的臺數(shù)量的蝕刻。從而，若增加處理頭39的臺數(shù)，則通過進行一次掃描，就能夠蝕刻被蝕刻膜16的整體。在圖7中，模型化圖6的裝置，模擬了移動速度和凝結(jié)層18的厚度的關(guān)系。各條件如下所述。反應(yīng)區(qū)域R1的長度(從噴出口41到吸引口42的距離)4cm處理氣體流量7.9L/分鐘(每單位處理寬度(圖1的紙面垂直方向的lm))HF濃度2.25vol%臭氧濃度3vol%氣氛溫度25°C相對濕度50%縫隙g=l4mm移動速度0.25102.5m7分鐘處理頭39的臺數(shù)通過一次掃描(單程移動)，就蝕刻硅膜16的整體的臺數(shù)如圖7所示，若移動速度小，則加厚形成凝結(jié)層。隨著移動速度變大而凝結(jié)層的厚度變小。在移動速度為2m/分鐘以下的區(qū)域中，隨著移動速度變大而凝結(jié)層的厚度急劇地變小。在移動速度為3m/分鐘左右的情況下，凝結(jié)層的厚度充分地變小(約60A以下)。在比3m/分鐘高速的區(qū)域中，凝結(jié)層的厚度微量地逐漸減小。處理頭39和被處理物10之間的縫隙g越小，凝結(jié)層的厚度越大。還有，省略圖表顯示，但處理氣體接觸區(qū)域Rl的長度越大，凝結(jié)層的厚度越大。在圖8中，模擬了與圖7相同的條件下的凝結(jié)層的厚度和硅的蝕刻量(每lm寬度的體積)的關(guān)系。圖8的縱軸表示每單位處理寬度(圖6的紙面垂直方向的lm)及單位時間(1秒)被蝕刻的硅的體積，并由蝕刻深度和掃描速度之積來算出(在圖10中相同)。如圖8所示，在凝結(jié)層的厚度為O時，蝕刻體積也為O，不引起蝕刻反應(yīng)。在凝結(jié)層的厚度成為約20A時，蝕刻體積急劇地上升，引起蝕刻反應(yīng)。從而，優(yōu)選將掃描速度設(shè)定為，使凝結(jié)層的厚度至少成為20A左右。在凝結(jié)層為100150A以后的區(qū)域中，隨著凝結(jié)層變大而蝕刻體積逐漸減少。這是因為臭氧的擴散率速度起到作用。即，若凝結(jié)層變厚，則在凝結(jié)層中，溶解后的臭氧難以到達被處理物10的表面，臭氧和被處理物10的反應(yīng)減少。處理頭39和被處理物10之間的縫隙g越小，蝕刻體積越大。還有，省略圖表顯示，但反應(yīng)區(qū)域R1的長度越長，蝕刻體積越大。在圖9中，模擬了與圖7相同的條件下的凝結(jié)層的厚度和每一次掃描的蝕刻深度的關(guān)系。隨著凝結(jié)層的厚度變大，蝕刻的深度變大。縫隙g越小，蝕刻的深度越大。還有，省略圖表顯示，但反應(yīng)區(qū)域R1的長度越大，蝕刻深度越大。這樣，凝結(jié)層的厚度和蝕刻深度具有一定的關(guān)系。從而，能夠通過測定蝕刻深度，推測凝結(jié)層的厚度。在圖10中，模擬了與圖7相同的條件下的移動速度和蝕刻體積(每單位處理寬度(圖6的紙面垂直方向的lm)及單位時間(1秒))的關(guān)系。隨著移動速度從低速區(qū)域變大，蝕刻體積增大。凝結(jié)層變薄，促進反應(yīng)的效果、和由于速度增加而擴大蝕刻面積的效果相輔相成。在移動速度成為某個大小的時點，蝕刻體積達到峰值，由此，在高速側(cè)，隨著速度增加而蝕刻體積逐漸減小。這是因為，外部的氣氛氣體(外部空氣)巻入噴嘴部40和被處理物IO之間。若移動速度達到某個大小，則蝕刻體積不連續(xù)地成為O。這是因為，上述巻入量變得過大，變得不能生成凝結(jié)層，不引起反應(yīng)。上述巻入量除了移動速度之外，還依賴于處理頭39和被處理物10之間的縫隙g的大小。縫隙g越小，巻入量越少，抑制處理氣體的濃度降低。因此，隨著縫隙g變小，蝕刻體積變大，且蝕刻體積成為O的移動速度向高速側(cè)轉(zhuǎn)移。還有，省略圖表顯示，但反應(yīng)區(qū)域Rl的長度越大，蝕刻體積的峰值變大，但蝕刻體積不連續(xù)地成為0的移動速度不依賴于反應(yīng)區(qū)域R1的長度，只要與縫隙g相同就大致恒定。從圖IO可知，在縫隙g二lmm左右時，移動速度為70m/分鐘以下的情況下，能夠充分地確保蝕刻反應(yīng)。在縫隙g-2mm左右時，移動速度為15m/分鐘以下的情況下，能夠充分地確保蝕刻反應(yīng)。在縫隙g-3mm左右時，移動速度為8m/分鐘以下的情況下，能夠充分地確保蝕刻反應(yīng)。在縫隙g二4mm左右時，移動速度為4m/分鐘以下的情況下，能夠充分地確保蝕刻反應(yīng)。g=l4mm，尤其g二23mm的縫隙量及與其對應(yīng)的移動速度可以通過滾柱式輸送器等簡易的輸送裝置來容易地實現(xiàn)。若g:23mm左右，則還能夠充分地吸收經(jīng)時變化引起的滾柱的晃動，在成本方面，優(yōu)點也大。[第五實施方式]在圖11所示的蝕刻裝置M5中，隔著一定的間隔設(shè)置有多個處理頭39。這些處理頭39沿基于掃描機構(gòu)60的移動方向排列為一列。鄰接的處理頭39、39之間的間隔與第四實施方式相同地設(shè)定為，被處理物9的表面上的各點穿過這些處理頭39、39之間時，能夠干燥凝結(jié)層的程度。在各處理頭39設(shè)置有噴出口41和吸引口42。在此，與第一實施方式相同地，夾著噴出口41，將吸引口42設(shè)置于其兩側(cè)。從各噴出口41噴出與第一實施方式(圖l)等量的處理氣體，從各吸引口42被吸引。掃描機構(gòu)60通過設(shè)置部20使被處理物10移動，但代替此，使多個處理頭39集中移動也可。在該第五實施方式中，與第四實施方式相同地，通過一次的掃描(單程移動)，就可以進行處理頭39的臺數(shù)量的蝕刻。從而，與處理頭39僅為一臺的情況(例如，第一實施方式(圖l))相比，可以將掃描次數(shù)設(shè)為處理頭39的臺數(shù)分之1。例如，裝置M5的處理頭39的數(shù)量為IO臺的情況下，對于僅一臺需要IOO次的掃描的硅膜16，進行10次的掃描即可。另外，在裝置M5的處理頭39的數(shù)量為100臺的情況下，對于僅一臺需要IOO次掃描的硅膜16，進行一次掃描即可。即，僅通過向往移動方向進行單程移動就可以結(jié)束蝕刻。本發(fā)明不限定于上述實施方式，可以進行各種改變。例如，HF的氟原料不限于CF4，使用CHF3、C2F6、C3F6、C3F8、C4F8等氟代碳、SF6、NF3的含氟化合物也可，使用氟單體(F2)也可。HF的氫原料不限于H20，使用醇等含OH基化合物也可。作為HF的供給機構(gòu)，使用蓄積氟化氫的容器也可，使用將氟酸水溶液氣化或霧化，用載送氣體輸送的氟酸蒸汽也可。作為氟酸的氣化方法，使載送氣體通過氟酸水溶液，加熱氟酸水溶液使其氣化，使氣化的氟化氫與載送氣體接觸即可。作為氟酸的霧化方法，使氟酸水溶液在載送氣體中霧化即可。作為載送氣體，使用He、Ne、Ar等稀有氣體或N2即可。作為臭氧生成部36，使用等離子體生成裝置也可。在上述第一第五實施方式中，兩個以上的實施方式相互組合也可。例如，組合第二實施方式的干燥氣體供給、和第三實施方式的強制加熱也可。第四、第五實施方式的各處理頭39中組入第二、第三實施方式的干燥機構(gòu)也可。若那樣，則能夠減小鄰接的處理頭39、39之間的間隔。實施例1說明實施例，但本發(fā)明當(dāng)然不限定于該實施例。使用與圖1所示的裝置M基本上相同的裝置，進行被處理物10的硅膜16的蝕刻。裝置結(jié)構(gòu)及處理條件如下所述。噴出口41的寬度(圖1的左右方向的尺寸)2mm噴出口41的長度(圖1的紙面垂直方向的尺寸)100mm吸引口42的寬度(圖1的左右方向的尺寸)0.7mm吸引口42的長度(圖1的紙面垂直方向的尺寸)100mm噴出口41和左側(cè)的吸引口42之間的距離20mm噴出口41和右側(cè)的吸引口42之間的距離20mm噴嘴部40的下表面和被處理物10之間的間隔(工作距離即縫隙g):g:lmm向電極35的施加電壓Vpp=135v(脈沖電壓)一對電極35之間的距離lmm上述施加電壓的頻率20kHz上述施加電壓的脈沖寬度10ps被處理物10的溫度30°C處理氣體導(dǎo)入等離子體生成部33的氟系原料氣體CF4+H20+Ar約O.5slm按每個成分記載的情況下，CF40.05s1mAr0.45s1mH200.00700.0117slm上述氟系原料氣體的露點1220°C來自臭氧生成部36的含臭氧氣體03+020.3sim上述含臭氧氣體的03濃度(03/(03+02)):8voI%艮卩020.276slm、O30.024slm來自左右的吸引口42的總計吸引流量1.5slm基于掃描機構(gòu)60的相對移動速度50010000mm/分鐘掃描的次數(shù)直至SiNx層13析出。硅膜16的厚度2000A在此，露點12。C時的上述氟系原料氣體中的H20的流量為0.0070slm。露點14。C時的上述氟系原料氣體中的H20的流量為0.0080slm。露點16。C時的上述氟系原料氣體中的H20的流量為0.0091slm。露點18。C時的上述氟系原料氣體中的H20的流量為0.0103slm。露點2(TC時的上述氟系原料氣體中的H20的流量為0.0117slm。結(jié)果示出在下述表1表5中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>表3<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>表4<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>表5<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>上述的表15的"蝕刻殘留"表示在顯微鏡觀察中觀察的處理不均引起的殘留硅的有無。0%是指殘留硅幾乎不能觀察到的狀態(tài)，是期望的狀態(tài)。由此，確認到隨著基于掃描機構(gòu)60的移動速度變大而處理的均一性提高的情況。確認到導(dǎo)入等離子體生成部33的加濕氟系原料氣體(CF4+H20+Ar)的露點越低，即來自水添加部34的H20的添加量越小的情況下，即使移動速度減小也能夠減小處理不均。確認到移動速度對應(yīng)于H20的添加量而設(shè)為lm/分鐘10m/分鐘以上即可，優(yōu)選設(shè)為5m/分鐘10m/分鐘以上即可的情況。具體來說，從表1確認到，氟系原料氣體的露點為12。C以下時，若使每一次掃描的蝕刻深度成為100A以下地進行速度設(shè)定，則能夠充分地確保蝕刻品質(zhì)。此時的移動速度的下限可以為lm/分鐘左右。從表2確認到，在氟系原料氣體的露點為14"C左右時，若使每一次掃描的蝕刻深度成為60A以下地進行速度設(shè)定，則能夠充分地確保蝕刻品質(zhì)。此時的移動速度的下限可以為2m/分鐘左右。從表3確認到，在氟系原料氣體的露點為16'C左右時，若使每一次掃描的蝕刻深度成為40A以下地進行速度設(shè)定，則能夠充分地確保蝕刻品質(zhì)。此時的移動速度的下限可以為5m/分鐘左右。從表4確認到，在氟系原料氣體的露點為18。C左右時，若使每一次掃描的蝕刻深度成為25A以下地進行速度設(shè)定，則能夠充分地確保蝕刻品質(zhì)。此時的移動速度的下限可以為10m/分鐘左右。實施例2使用與圖4所示的裝置M2基本上相同的裝置，進行被處理物10的硅膜16的蝕刻。從干燥氣體供給口81作為干燥氣體噴出N2。N2的流量在前后左右的四個干燥氣體供給口81整體上為2slm。N2的溫度為25°C，相對濕度為0.1%以下。其他裝置結(jié)構(gòu)及處理條件與實施例1相同。但是，基于掃描機構(gòu)60的相對移動速度為10000mm/分鐘這一種，進行110次的掃描。其結(jié)果，確認到幾乎不出現(xiàn)處理不均，能夠進行均一蝕刻。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明例如在半導(dǎo)體晶片或液晶等的平板玻璃等的制造中，可以適用于表面的硅層的蝕刻。權(quán)利要求1.一種蝕刻方法，其在大致大氣壓下，將含有氟化氫和臭氧的處理氣體向被處理物噴射，蝕刻在所述被處理物的表面形成的硅，其特征在于，包括相對于所述被處理物，使噴出所述處理氣體的一個或沿一個方向排列的多個噴出部沿所述一個方向相對地進行往返或單程移動的工序；以使在所述被處理物的表面上形成的凝結(jié)層的厚度成為規(guī)定厚度以下的方式將所述移動的速度設(shè)定為規(guī)定速度以上的工序。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，以使所述凝結(jié)層的厚度成為2pm以下的方式進行所述速度設(shè)定。3.根據(jù)權(quán)利要求l或2所述的蝕刻方法，其特征在于，以使所述凝結(jié)層的厚度成為20A60A的方式進行所述速度設(shè)定。4.一種蝕刻方法，其在大致大氣壓下，將含有氟化氫和臭氧的處理氣體向被處理物噴射，蝕刻在所述被處理物的表面形成的硅，其特征在于，包括相對于所述被處理物，使噴出所述處理氣體的一個或沿一個方向排列的多個噴出部沿所述一個方向相對地進行往返或單程移動的工序；以使一個噴出部相對地通過一次與所述被處理物對置的位置時的所述硅的蝕刻深度成為規(guī)定蝕刻深度以下的方式，將所述移動的速度設(shè)定為規(guī)定速度以上的工序。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻方法，其特征在于，在大致大氣壓下，將含有氟原料和水的露點12'C以下的氟化氫原料氣體等離子體化，由此生成所述氟化氫，以使所述蝕刻深度成為100A以下的方式，進行所述速度設(shè)定。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻方法，其特征在于，在大致大氣壓下，將含有氟原料和水的露點14'C以下的氟化氫原料氣體等離子體化，由此生成所述氟化氫，以使所述蝕刻深度成為60A以下的方式，進行所述速度設(shè)定。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻方法，其特征在于，在大致大氣壓下，將含有氟原料和水的露點16'C以下的氟化氫原料氣體等離子體化，由此生成所述氟化氫，以使所述蝕刻深度成為40A以下的方式，進行所述速度設(shè)定。8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻方法，其特征在于，在大致大氣壓下，將含有氟原料和水的露點18'C以下的氟化氫原料氣體等離子體化，由此生成所述氟化氫，以使所述蝕刻深度成為25A以下的方式，進行所述速度設(shè)定。9，根據(jù)權(quán)利要求18中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于，所述相對移動的速度設(shè)定為3m/分鐘以上。10.—種蝕刻方法，其在大致大氣壓下，將含有氟化氫和臭氧的處理氣體向被處理物噴射，蝕刻在所述被處理物的表面形成的硅，其特征在于，相對于所述被處理物，使噴出所述處理氣體的一個或沿一個方向排列的多個噴出部沿所述一個方向相對地進行往返或單程移動，將所述移動的速度設(shè)定為3m/分鐘以上。11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的蝕刻方法，其特征在于，將所述噴出部設(shè)定為與所述被處理物對置時的噴出部和被處理物之間的間隔成為lmm以下，在3m/分鐘以上且70m/分鐘以下的范圍內(nèi)設(shè)定所述移動的速度。12.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的蝕刻方法，其特征在于，將所述噴出部設(shè)定為與所述被處理物對置時的噴出部和被處理物之間的間隔成為2mm以下，在3m/分鐘以上且15m/分鐘以下的范圍內(nèi)設(shè)定所述移動的速度。13.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的蝕刻方法，其特征在于，將所述噴出部設(shè)定為與所述被處理物對置時的噴出部和被處理物之間的間隔成為3mm以下，在3m/分鐘以上且8m/分鐘以下的范圍內(nèi)設(shè)定所述移動的速度。14.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的蝕刻方法，其特征在于，將所述噴出部設(shè)定為與所述被處理物對置時的噴出部和被處理物之間的間隔成為4mm以下，在3m/分鐘以上且4m/分鐘以下的范圍內(nèi)設(shè)定所述移動的速度。15.根據(jù)權(quán)利要求114中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于，在一個噴出部的所述移動方向的下游側(cè)強制干燥所述被處理物。16.—種蝕刻裝置，其在大致大氣壓下，將含有氟化氫和臭氧的處理氣體向被處理物噴射，蝕刻在所述被處理物上形成的硅，其特征在于，具備設(shè)置部，其應(yīng)被配置所述被處理物；一個或沿一個方向排列的多個噴出部，其噴出所述處理氣體；掃描機構(gòu)，其使所述一個或多個噴出部相對于所述設(shè)置部沿一個方向相對地進行往返或單程移動；設(shè)定部，其以使在所述被處理物的表面上形成的凝結(jié)層的厚度成為規(guī)定厚度以下的方式，將基于所述掃描機構(gòu)的移動的速度設(shè)定為規(guī)定速度以上。17.—種蝕刻裝置，其在大致大氣壓下，將含有氟化氫和臭氧的處理氣體向被處理物噴射，蝕刻在所述被處理物上形成的硅，其特征在于，具備設(shè)置部，其應(yīng)被配置所述被處理物；一個或沿一個方向排列的多個噴出部，其噴出所述處理氣體；掃描機構(gòu)，其使所述一個或多個噴出部相對于所述設(shè)置部沿一個方向相對地進行往返或單程移動；設(shè)定部，其以使一個噴出部相對地通過一次與所述被處理物對置的位置時的所述硅的蝕刻深度成為規(guī)定蝕刻深度以下的方式，將基于所述掃描機構(gòu)的移動的速度設(shè)定為規(guī)定速度以上。18.—種蝕刻裝置，其在大致大氣壓下，將含有氟化氫和臭氧的處理氣體向被處理物噴射，蝕刻在所述被處理物上形成的硅，其特征在于，具備設(shè)置部，其應(yīng)被配置所述被處理物；一個或沿一個方向排列的多個噴出部，其噴出所述處理氣體；掃描機構(gòu)，其使所述一個或多個噴出部相對于所述設(shè)置部沿一個方向相對地進行往返或單程移動，所述移動的速度設(shè)定為3m/分鐘以上。19.一種被處理物，其特征在于，其是被權(quán)利要求115中任一項所述的蝕刻方法或權(quán)利要求1618中任一項所述的蝕刻裝置進行蝕刻的。全文摘要本發(fā)明的抑制硅蝕刻中的處理不均，條均一性。在大致大氣壓下，從噴出口41向被處理物10噴出含有氟化氫和臭氧的處理氣體，同時，使包括噴出口41的處理頭39相對于被處理物10在左右往返或單程移動，蝕刻在被處理物10的表面形成的硅。以使在被處理物10的表面上形成的凝結(jié)層18的厚度t成為規(guī)定厚度以下的方式將所述移動速度設(shè)定為規(guī)定以上，優(yōu)選設(shè)定為3～4m/分鐘以上。文檔編號H01L21/3065GK101617393SQ200880005459公開日2009年12月30日申請日期2008年2月20日優(yōu)先權(quán)日2007年2月23日發(fā)明者中島節(jié)男,大塚智弘,石井徹哉申請人:積水化學(xué)工業(yè)株式會社