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側(cè)面發(fā)光二極管的制作方法

文檔序號:6919123閱讀:337來源:國知局
專利名稱:側(cè)面發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型屬于發(fā)光二極管,尤其涉及一種側(cè)面發(fā)光二極管。
背景技術(shù)
如圖1所示,目前市場常見的側(cè)面發(fā)光二極管,其腔室11具有傾斜的側(cè)壁
12,于腔室11的底部設(shè)置有芯片13,芯片13射出的光線可從側(cè)壁12反射至 腔室11外。其中,腔室11的深度大于芯片13的安裝高度,且不超過該安裝高 度的六倍,可以為0.2mm 0.48mm。
近年來,由于側(cè)面發(fā)光二極管逐漸向薄型的產(chǎn)品進化,腔室U底部短邊尺 寸進一步受限、較窄,導(dǎo)致芯片13的側(cè)面射出的光能量損失較大,亮度受到限 制;同時,因為腔室11長邊直斜面之影響,側(cè)面發(fā)光二極管角落處的光線較小, 亮度較低,所以發(fā)光表面的均勻性較差。

實用新型內(nèi)容
本實用新型所要解決的技術(shù)問題是,提供一種側(cè)面發(fā)光二極管,能夠提高 出光亮度,并且使出光更加均勻。
為了解決上述技術(shù)問題,本實用新型提供一種側(cè)面發(fā)光二極管,其具有腔 室,于所述腔室的底部設(shè)置有芯片,所述腔室的內(nèi)壁,人底部往頂部延伸,形成 可將所述芯片發(fā)射的光線反射至所述腔室外的凹形曲面。
腔室內(nèi)的芯片射出的光線,從凹形曲面反射至腔室外,與現(xiàn)有技術(shù)中側(cè)壁 為直傾斜面相比,該凹形曲面可以使光線的反射角度增大,從而使芯片的側(cè)面 光的出光更多,提高了出光的亮度;同時,反射角度增大還使該側(cè)面發(fā)光二極 管腔室的出光位置更鄰近角落,提高了出光的均勻性。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種側(cè)面發(fā)光二極管的剖視示意圖2是本實用新型實施例提供的一種側(cè)面發(fā)光二極管的長邊剖視示意圖3是圖2所述側(cè)面發(fā)光二極管的短邊剖視示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明 白,
以下結(jié)合附圖及實施例,對本實用新型進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解, 此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。
請參閱圖2,本實用新型實施例提供一種側(cè)面發(fā)光二極管,包括封裝件本 體10,本體10具有腔室4,該腔室4的底部設(shè)置有引線框架2,引線框架2的 一部份延伸到該封裝件本體10外面形成導(dǎo)電電極。于腔室4內(nèi)安裝有LED芯 片3,其通過電連接到引線框架2上。腔室4中填充有密封劑6,密封劑6可以 是透明膠,也可以是由透明膠水與多種熒光粉的混合體。
上述腔室4的側(cè)壁/人底部往頂部延伸形成凹形曲面5,利用該凹形曲面5, 可將芯片3發(fā)射的光線反射至腔室4外。該凹形曲面5可以由數(shù)個斜面組合而 成,各斜面之間的夾角大于90度。這樣,夾角大于90度的傾斜面之間逐一連 接,形成的凹形曲面5,可將芯片3發(fā)出的光線反射于腔室4外,相比現(xiàn)有技 術(shù)中的直傾斜面的反射角,其反射角增大。
請一同參閱圖2和圖3,本實施例中,凹形曲面5包括垂直面51和與垂直 面51連接的傾斜面52,傾斜面52設(shè)置于底部,與腔室4底部連接。由于增加 了垂直面51,使傾斜面52的終點可以更低,而起點位置不變,因此直傾斜面 52與腔室4底部之間的夾角增大,從而增大了光線的反射角。
其中,腔室4的深度可以設(shè)置為0.20mm 0.35mm,而垂直面51的高度為 0.02 0.15mm,使腔室4的體積加大。垂直面51與傾斜面52之間具有弧形過
4渡面53,過渡面53的半徑為垂直面51高度的0.1 0.3倍,使垂直面51往傾斜 面52過渡平緩,保證出光的均勻性。
此外,上述凹形曲面5還可以為弧度小于90度的圓弧,或其他形狀的凹形 曲面,只要能夠?qū)⒐饩€反射至腔室4外,且增大反射角均在本實用新型的保護 范圍之內(nèi)。
因此,腔室4內(nèi)的芯片3射出的光線,從凹形曲面5反射至腔室4外,與 現(xiàn)有技術(shù)中側(cè)壁為直傾斜面相比,該凹形曲面5可以使光線的反射角度增大, 從而使芯片3的側(cè)面光的出光更多,提高了出光的亮度;同時,反射角度增大 還使該側(cè)面發(fā)光二級極管腔室的出光位置更鄰近角落,提高了出光的均勻性, 使得背光源的均勻性更好。此外,采用凹形曲面5后,還使腔室4的空間增大, 更容易放置芯片3,及填充密封劑更易于精確控制。
本實用新型實施例提供的側(cè)面發(fā)光二極管主要應(yīng)用于移動通訊終端機、可 視電話、MP3、 MP4、車載DVD、 NB等產(chǎn)品之薄型全彩背光屏。在背光領(lǐng)域, 與傳統(tǒng)CCFL光源相比,LED擁有固態(tài)、環(huán)保、節(jié)能功耗低、安全、輕薄、色 彩表現(xiàn)更好、LED的色域更廣,色飽和度可以做到105%以上,而相反CCFL 是比較窄的,大部分只能做到70 %左右。
以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已,并不用以限制本實用新型, 凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等,均應(yīng) 包含在本實甩新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種側(cè)面發(fā)光二極管,具有腔室,于所述腔室的底部設(shè)置有芯片,其特征在于所述腔室的側(cè)壁從底部往頂部延伸,形成可將所述芯片發(fā)射的光線反射至所述腔室外的凹形曲面。
2、 如權(quán)利要求1所述的側(cè)面發(fā)光二極管,其特征在于所述凹形曲面由數(shù) 個斜面組合而成,各所述斜面之間的夾角大于卯度。
3、 如權(quán)利要求2所述的側(cè)面發(fā)光二極管,其特征在于所述凹形曲面包括 垂直面和與所述垂直面連接的傾斜面,所述傾斜面設(shè)置于底部。
4、 如權(quán)利要求3所述的側(cè)面發(fā)光二極管,其特征在于所述垂直面的高度 為0.02mm 0.15mm。
5、 如權(quán)利要求3所述的側(cè)面發(fā)光二極管,其特征在于所述垂直面與傾斜 面之間具有弧形過渡面,所述過渡面的半徑為垂直面高度的0.1-0.3倍。
6、 如權(quán)利要求1所述的側(cè)面發(fā)光二極管,其特征在于所述凹形曲面為弧 度小于90度的圓弧。
7、 如權(quán)利要求l-6任一項所述的側(cè)面發(fā)光二極管,其特征在于所述腔室 的深度為0.2mm 0.35mm。
專利摘要本實用新型提供一種側(cè)面發(fā)光二極管,其具有腔室,于所述腔室的底部設(shè)置有芯片,所述腔室的內(nèi)壁從底部往頂部延伸,形成可將所述芯片發(fā)射的光線反射至所述腔室外的凹形曲面。腔室內(nèi)的芯片射出的光線,從凹形曲面反射至腔室外,與現(xiàn)有技術(shù)中側(cè)壁為直傾斜面相比,該凹形曲面可以使光線的反射角度增大,從而使芯片的側(cè)面光的出光更多,提高了出光的亮度;同時,反射角度增大還使該側(cè)面發(fā)光二極管腔室的出光位置更鄰近角落,提高了出光的均勻性。
文檔編號H01L33/00GK201289864SQ200820213658
公開日2009年8月12日 申請日期2008年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月19日
發(fā)明者孫平如 申請人:深圳市聚飛光電有限公司
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