專利名稱：塑封體平封式新型半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，主要用于半導(dǎo)體的四面無腳扁平貼片式封裝。屬半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
(二)
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的四面無腳扁平貼片式封裝采用的是在穿透式蝕刻好的整條框架的基礎(chǔ)上進(jìn)行裝片、打線、包封等半導(dǎo)體封裝方法。這種在穿透式蝕刻好的整條框架基礎(chǔ)上進(jìn)行的半導(dǎo)體封裝主要存在以下不足因為框架是穿透式蝕刻過的，增加了材料成本。
(三) 發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種材料成本較低的塑封體平封式新型半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的 一種塑封體平封式新型半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括功能引腳和芯片承載底座，所述功能引腳和芯片承載底座呈一個個單獨(dú)的塊狀結(jié)構(gòu)，所述功能引腳和芯片承載底座的正、背兩面均鍍有金屬層，在所述鍍有金屬層的功能引腳上植入被動元件，所述被動元件為電阻、電容或電感，在所述鍍有金屬層的芯片承載底座上植入有芯片，在所述芯片與功能引腳之間打金屬線，在所述功能引腳、芯片承載底座、被動元件、芯片和金屬線外包封塑封體，并使所述功能引腳和芯片承載底座背面的金屬層與所述塑封體背面處于同一水平面上。
本實用新型半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)的采用穿透式框架制成的半導(dǎo)體封裝元器件相比，具有如下優(yōu)點(diǎn)本實用新型的功能引腳和芯片承載底座采用預(yù)先形成一個個單獨(dú)的塊狀結(jié)構(gòu)的方式，極大地提高了金屬材料的利用率，減少了整體框架成型時廢料的產(chǎn)生，進(jìn)而降低了材料成本。


圖1為本實用新型塑封體平封式新型半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中塑封體l、金屬層2、功能引腳3、芯片承載底座4、被動元件
5、金屬線6、芯片7。
具體實施方式
參見圖1，本實用新型涉及的一種塑封體平封式新型半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，
包括功能引腳3和芯片承載底座4，所述功能引腳3和芯片承載底座4呈一個個單獨(dú)的塊狀結(jié)構(gòu)，所述功能引腳3和芯片承載底座4的正、背兩面均鍍有金屬層2，在所述鍍有金屬層的功能引腳3上植入被動元件5，所述被動元件5為電阻、電容或電感，在所述鍍有金屬層的芯片承載底座4上植入有芯片7，在所述芯片7與功能引腳3之間打金屬線6，在所述功能引腳3、芯片承載底座4、被動元件5、芯片7和金屬線6外包封塑封體1，并使所述功能引腳3和芯片承載底座4背面的金屬層2與所述塑封體1背面處于同一水平面上。
權(quán)利要求1、一種塑封體平封式新型半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括功能引腳(3)和芯片承載底座(4)，其特征在于所述功能引腳(3)和芯片承載底座(4)呈一個個單獨(dú)的塊狀結(jié)構(gòu)，所述功能引腳(3)和芯片承載底座(4)的正、背兩面均鍍有金屬層(2)，在所述鍍有金屬層的功能引腳(3)上植入被動元件(5)，所述被動元件(5)為電阻、電容或電感，在所述鍍有金屬層的芯片承載底座(4)上植入有芯片(7)，在所述芯片(7)與功能引腳(3)之間打金屬線(6)，在所述功能引腳(3)、芯片承載底座(4)、被動元件(5)、芯片(7)和金屬線(6)外包封塑封體(1)，并使所述功能引腳(3)和芯片承載底座(4)背面的金屬層(2)與所述塑封體(1)背面處于同一水平面上。
專利摘要本實用新型涉及一種塑封體平封式新型半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，主要用于半導(dǎo)體的四面無腳扁平貼片式封裝。包括功能引腳(3)和芯片承載底座(4)，其特征在于所述功能引腳(3)和芯片承載底座(4)呈一個個單獨(dú)的塊狀結(jié)構(gòu)，所述功能引腳(3)和芯片承載底座(4)的正、背兩面均鍍有金屬層(2)，在所述鍍有金屬層的功能引腳(3)上植入被動元件(5)，所述被動元件(5)為電阻、電容或電感，在所述鍍有金屬層的芯片承載底座(4)上植入有芯片(7)，在所述芯片(7)與功能引腳(3)之間打金屬線(6)，在所述功能引腳(3)、芯片承載底座(4)、被動元件(5)、芯片(7)和金屬線(6)外包封塑封體(1)，并使所述功能引腳(3)和芯片承載底座(4)背面的金屬層(2)與所述塑封體(1)背面處于同一水平面上。本實用新型封裝結(jié)構(gòu)材料成本較低。
文檔編號H01L25/00GK201282142SQ20082003880
公開日2009年7月29日 申請日期2008年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月30日
發(fā)明者于燮康, 梁志忠, 王新潮, 羅宏偉 申請人:江蘇長電科技股份有限公司