專(zhuān)利名稱(chēng)：：一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種新型有機(jī)電致發(fā)光器件，尤其是采用了含有吡啶苯基基團(tuán)的化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件，屬于有機(jī)電致發(fā)光顯示
技術(shù)領(lǐng)域：
。有機(jī)電致發(fā)光器件由兩個(gè)相對(duì)的電機(jī)和位于電極之間的有機(jī)介質(zhì)組成，有機(jī)介質(zhì)層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層。多數(shù)有機(jī)材料的電子遷移率低于空穴遷移率，因此在有機(jī)發(fā)光介質(zhì)中，電子往往處于一種少子的狀態(tài)，電子向發(fā)光層注入的能力對(duì)器件的整體性能的提高非常顯著。有機(jī)發(fā)光器件對(duì)電子傳輸材料具有比較苛刻的要求，需要該材料具備以下性質(zhì)1)需要有可逆的電化學(xué)還原和較高的還原電位；2)需要有合適的HOMO和LUMO能級(jí)值，與發(fā)光層和電極的能級(jí)相匹配；3)需要有高的電子遷移率；4)具有高玻璃轉(zhuǎn)移溫度和熱穩(wěn)定性；5)可采用熱蒸鍍或旋轉(zhuǎn)涂布形成均勻、無(wú)針孔的薄膜；6)非結(jié)晶的薄膜。在電發(fā)光器件中傳統(tǒng)使用的電子傳輸材料是Alq3，但Akb的電子遷移率比較低(大約在l(T6cm2/VS)。為了提高電發(fā)光器件的電子傳輸性能，研究人員做了大量的探索性研究工作。YangYang等人在電發(fā)光器件中用納米級(jí)碳酸銫作為電子傳輸和注入材料，提高了器件的發(fā)光效率(AdvancedFunctionalMaterials,2007，17，1966~1973)，但碳酸銫的蒸發(fā)溫度較高，蒸鍍工藝的控制比較困難。曹鏞等人合成出FFF-Blm4(結(jié)構(gòu)見(jiàn)下)(J.Am.Chem.Soc.;(Communication);2008;130(11);3282-3283)作為電子傳輸和注入層材料(與Ba/Al和單獨(dú)用A1作為陰極相比較)，大大地改善了器件的電子注入和傳輸，提高了電發(fā)光效率，這類(lèi)材料的合成和提純，工藝控制也比較困難；曹鏞等人也用對(duì)空氣及各種化<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>FFF-Blm4的結(jié)構(gòu)學(xué)腐蝕都穩(wěn)定的金作為高效電子注入型陰極材料，提高了電發(fā)光器件的電子注入能力(OrganicElectronics,6(2005)，118-128)。柯達(dá)公司在美國(guó)專(zhuān)利(公開(kāi)號(hào)US2006/0204784和US2007/0048545)中，提到混合電子傳輸層，采用一種低LUMO能級(jí)的材料與另一種低起亮電壓的電子傳輸材料和其他材料如金屬材料等摻雜而成?；谶@種混合電子傳輸層的器件，效率和壽命等都得以提高，但是增加了器件制造工藝的復(fù)雜性，不利于降低OLED成本。含有吡啶基的化合物，是典型的缺電子體系，具有良好的接受電子能力；稠環(huán)芳烴的平面規(guī)整性較好，稠環(huán)體系越大，平面性越好，越有利于分子的7wr軌道堆疊和形成電子通道。但太大的稠環(huán)體系則易使分子形成結(jié)晶而不易成膜，因此本發(fā)明選擇在稠環(huán)體系基礎(chǔ)上引入苯環(huán)與缺電子的吡啶基相連，在空間立體上形成一定程度曲扭的材料，這類(lèi)材料具有較好的成膜性?？紤]到真空蒸鍍的難易及實(shí)用性能，所選擇的電子傳輸材料其分子量一般不宜超過(guò)本發(fā)明的目的是提出一種具有更高發(fā)光效率的新型有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明提出一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包含一對(duì)電極和設(shè)置在該對(duì)電極之間的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)，在有機(jī)發(fā)光介質(zhì)與陰極之間設(shè)置電子傳輸功能層，所述電子傳輸功能層中包含至少一種選自下述通式I或II中的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>其中，Ar選自碳原子數(shù)為6至30的亞稠環(huán)芳烴，或選自碳原子數(shù)為6至30的亞稠雜環(huán)芳烴；n選自2至4的整數(shù)。上述其中通式I和通式II中的Ar優(yōu)選自亞萘基、聯(lián)亞萘基、亞蒽基、亞茈基、亞芘基
發(fā)明內(nèi)容亞喹啉基、聯(lián)亞喹啉基、窟、二苯并窟。上述通式I或II中的化合物具體結(jié)構(gòu)式如下所示:C4<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>C35。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件在電子傳輸功能層中還包含另一種電子傳輸材料，該材料選自噁哇衍生物和其樹(shù)狀物、金屬螯合物、三氮唑衍生物和其樹(shù)狀物、咪唑衍生物和其樹(shù)狀物、二氮菲衍生物或蒽類(lèi)衍生物。上述噁唑衍生物和其樹(shù)狀物、金屬螯合物、三氮唑衍生物和其樹(shù)狀物、咪唑衍生物和其樹(shù)狀物、二氮菲衍生物或蒽類(lèi)衍生物包括2-(4-特丁基苯基)-5-(4-聯(lián)苯基)-1，3，4-噁二挫2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butyIphenyl)-l，3,4-oxadiazole(PBD)、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、3-(4-聯(lián)苯)-4-苯基-5-(4-丁基苯基)-1,2,4-三唑3-(4-Biphenyl)-4-phenyl-5-(4-butylphenyl)-l，2,4-triazole(TAZ)、4，7-二苯基-1,10-鄰菲咯啉bathophenanthroline(Bphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1，10-鄰菲咯啉2，9-dimethyl-4,7-diphenyl-l，10-phenanthroline(BCP)、2-苯基-9,10-二萘蒽2-phenyl-9，10-di(2-naphthyl)anthracene(PADN)。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件中，上述選自通式i或n中的化合物與有機(jī)發(fā)光介質(zhì)相鄰。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件中，上述選自通式I或II中的化合物與有機(jī)發(fā)光介質(zhì)不相鄰。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件中，在電子傳輸功能層中包含兩種選自通式i或n中的化合物。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件中，在電子傳輸功能層中還摻雜有堿金屬材料或堿金屬的化合物。上述堿金屬材料或堿金屬的化合物包括鋰、八羥基喹啉鋰、銫、碳酸銫。所述堿金屬材料或堿金屬的化合物在電子傳輸功能層中的摻雜濃度為1%~50%。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件中，在電子傳輸功能層與電極之間有電子注入層。所述電子注入層的材料選自堿金屬或堿金屬的化合物，或選自堿土金屬或堿土金屬的化合物。優(yōu)選自鋰、氟化鋰、氧化鋰、氮化鋰、銫、碳酸銫、八羥基喹啉鋰、鈣、氟化鈣、鎂、氟化鎂。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件采用含有吡啶基的化合物作為電子傳輸材料，具有較高的電子注入能力和電子傳輸能力，增強(qiáng)了向發(fā)光層提供電子的能力，進(jìn)而提高了器件的發(fā)光效率，以及相同電壓下的亮度。此外，本發(fā)明所選擇的材料具有較低的分子量，有利于熱蒸鍍形成均勻、致密的薄膜，制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單。具體實(shí)施例方式本發(fā)明提出的有機(jī)電致發(fā)光器件中的基本結(jié)構(gòu)包括基板，一對(duì)電極，和設(shè)置在該對(duì)電極之間的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)，在有機(jī)發(fā)光介質(zhì)與陰極之間設(shè)置電子傳輸功能層基體為透明基體，可以是玻璃或是柔性基片，柔性基片采用聚酯類(lèi)、聚酰亞胺類(lèi)化合物中的一種材料；第一電極層(陽(yáng)極層)，可以采用無(wú)機(jī)材料或有機(jī)導(dǎo)電聚合物，無(wú)機(jī)材料一般為ITO、氧化鋅、氧化錫鋅等金屬氧化物或金、銅、銀等功函數(shù)較高的金屬，最優(yōu)化的選擇為ITO，有機(jī)導(dǎo)電聚合物優(yōu)選為聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸鈉(以下簡(jiǎn)稱(chēng)PEDOT:PSS)、聚苯胺(以下簡(jiǎn)稱(chēng)PANI)中的一種材料；第二電極層(陰極層、金屬層)，一般采用鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數(shù)較低的金屬或它們與銅、金、銀的合金，或金屬與金屬氟化物交替形成的電極層，本發(fā)明優(yōu)選為依次的Mg:Ag合金層、Ag層和依次的LiF層、Al層。有機(jī)發(fā)光介質(zhì)主要包括有機(jī)電致發(fā)光層(EML)，一般采用小分子材料，可以為熒光材料，如金屬有機(jī)配合物(如Akj3、Gaq3、Al(Saph國(guó)q)或Ga(Saph-q))類(lèi)化合物，該小分子材料中可摻雜有染料，摻雜濃度為小分子材料的0.01wt%20wt%，染料一般為芳香稠環(huán)類(lèi)(如rubrene)、香豆素類(lèi)(如DMQA、C545T)或雙吡喃類(lèi)(如DCJTB、DCM)化合物中的一種材料，發(fā)光層材料也可釆用咔唑衍生物如4，4'-N，N，-二咔唑-聯(lián)苯(CBP)、聚乙烯咔唑(PVK),該材料中可摻雜磷光染料，如三(2—苯基吡啶)銥(Ir(ppy)3)，二(2—苯基吡啶)(乙酰丙酮)銥(Ir(ppy)2(acac)),八乙基卟啉鉑(PtOEP)等；上述器件結(jié)構(gòu)中還可以包括空穴注入層和空穴傳輸層，空穴注入層(HIL)的基質(zhì)材料可以釆用銅酞菁(CuPc)、4，4，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺(m-MTDATA)、4，4，4"-三(N-2-萘基-N-苯基-氨基)-三苯基胺(2-TNATA);空穴傳輸層(HTL)的基質(zhì)材料可以采用芳胺類(lèi)和枝聚物族類(lèi)低分子材料，優(yōu)選為N，N'-二-(l-萘基)-N，N'-二苯基-l,l'-聯(lián)苯基-4,4'-二胺(NPB);電子傳輸功能層，使用本發(fā)明中的材料。下面將給出若干實(shí)施例并結(jié)合附圖，具體解釋本發(fā)明的技術(shù)方案。應(yīng)當(dāng)注意到，下面的實(shí)施例僅用于幫助理解發(fā)明，而不是對(duì)本發(fā)明的限制。實(shí)施例l:器件結(jié)構(gòu)ITO/NPB(40nm)/AND(30nm):7。/。TBPe/化合物Cl(30nm)/LiF/Al以刻蝕好特定圖形的ITO導(dǎo)電玻璃基片作為襯底，將基片放在含清洗液的去離子水中超聲波清洗，洗液溫度約為60'C，然后用紅外烤燈將清洗完的基片烤干,放入蒸鍍腔室中依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極結(jié)構(gòu)，蒸鍍過(guò)程中腔室壓強(qiáng)低于5.0xlO-3Pa。本實(shí)施例中，有機(jī)層首先蒸鍍40nm厚N,N'-bis-(l-naphthyl)-N，N'-diphenyl-l，l'-biphenyl-4，4'-diamine(NPB)作為空穴傳輸層；以雙源共蒸的方法蒸鍍30nm厚的9，10-Di(naphth-2-yl)anthracene(ADN)禾n2,5,8,1l-Tetra-tert-butylperylene(TBPe)作為發(fā)光層，通過(guò)速率控制TBPe在ADN中的比例為7%;蒸鍍20nm的化合物Cl作為電子傳輸層；蒸鍍0.5nm的LiF作為電子注入層和150nm的Al作為陰極。實(shí)施例2:器件結(jié)構(gòu)lTO/NPB(40nm)/AND(30nm):7%TBPe/PADN(20nm)/化合物C5(10nm)/UF/Al以刻蝕好特定圖形的ITO導(dǎo)電玻璃基片作為襯底,將基片放在含清洗液的去離子水中超聲波清洗,洗液溫度約為6(TC，然后用紅外烤燈將清洗完的基片烤干，放入蒸鍍腔室中依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極結(jié)構(gòu)，蒸鍍過(guò)程中腔室壓強(qiáng)低于5.0xlO-3Pa。本實(shí)施例中，有機(jī)層首先蒸鍍40nm厚N，N'-bis-(l-naphthyl)-N,N'-diphenyl-l，l'-biphenyl-4，4'-diamine(NPB)作為空穴傳輸層；以雙源共蒸的方法蒸鍍30nm厚的9，10-Di(naphth-2-yl)anthracene(ADN)禾tl2，5，8，11-Tetra-tert-butylperylene(TBPe)作為發(fā)光層，通過(guò)速率控制TBPe在ADN中的比例為7%;依次蒸鍍20nm的PADN和lOnm的化合物C5作為電子傳輸層；蒸鍍0.5nm的LiF作為電子注入層和150nm的Al作為陰極。實(shí)施例3:器件結(jié)構(gòu)ITO/NPB(40nm)/AND(30nm):7。/。TBPe/化合物Cll(20nm)/Alq3(10腦)/LiF/Al以刻蝕好特定圖形的ITO導(dǎo)電玻璃基片作為襯底，將基片放在含清洗液的去離子水中超聲波清洗,洗液溫度約為6(TC，然后用紅外烤燈將清洗完的基片烤干，放入蒸鍍腔室中依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極結(jié)構(gòu)，蒸鍍過(guò)程中腔室壓強(qiáng)低于5.0xlO-3Pa。本實(shí)施例中，有機(jī)層首先蒸鍍40nm厚N，N'-bis-(l-naphthyl)-N,N'-diphenyl-l,l'-biphenyl-4，4'-diamine(NPB)作為空穴傳輸層；以雙源共蒸的方法蒸鍍30nm厚的9，10-Di(naphth隱2-yl)anthracene(ADN)禾卩2,5,8,ll-Tetra-tert曙butylperylene(TBPe)作為發(fā)光層，通過(guò)速率控制TBPe在ADN中的比例為7%;依次蒸鍍20nm的化合物Cll禾BlOnm的Alq3作為電子傳輸層；蒸鍍0.5nm的LiF作為電子注入層和150nm的Al作為陰極。實(shí)施例4:器件結(jié)構(gòu)ITO/NPB(40nm)/AND(30nm):7。/。TBPe/化合物Cl(20nm)/化合物C21(10nm)/LiF/Al以刻蝕好特定圖形的ITO導(dǎo)電玻璃基片作為襯底,將基片放在含清洗液的去離子水中超聲波清洗,洗液溫度約為6(TC，然后用紅外烤燈將清洗完的基片烤干，放入蒸鍍腔室中依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極結(jié)構(gòu)，蒸鍍過(guò)程中腔室壓強(qiáng)低于5.0xlO-3Pa。本實(shí)施例中，有機(jī)層首先蒸鍍40nm厚N，N'-bis-(l-naphthyl)-N，N'-diphenyl-l，l'-biphenyl-4,4'-diamine(NPB)作為空穴傳輸層；以雙源共蒸的方法蒸鍍30nm厚的9,10-Di(naphth-2-yl)anthracene(ADN)禾Q2，5,8,11-Tetra-tert-butylperylene(TBPe)作為發(fā)光層，通過(guò)速率控制TBPe在ADN中的比例為7%;依次蒸鍍20nm的化合物Cl和10nm的化合物C21作為電子傳輸層；蒸鍍0.5nm的LiF作為電子注入層和150mn的Al作為陰極。對(duì)比例l:器件結(jié)構(gòu)ITO/NPB(40nm)/AND(30nm):7%TBPe/Alq3(30nm)/LiF/Al以刻蝕好特定圖形的ITO導(dǎo)電玻璃基片作為襯底，將基片放在含清洗液的去離子水中超聲波清洗,洗液溫度約為6(TC,然后用紅外烤燈將清洗完的基片烤干,放入蒸鍍腔室中依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極結(jié)構(gòu)，蒸鍍過(guò)程中腔室壓強(qiáng)低于5.0xlO-3Pa。本實(shí)施例中，有機(jī)層首先蒸鍍40nm厚N，N，-bis-(l-naphthyl)-N，N，-diphenyl-l，l，-biphenyl-4,4'-diamine(NPB)作為空穴傳輸層；以雙源共蒸的方法蒸鍍30nm厚的9，10-Di(naphth-2-yl)anthracene(ADN)禾Q2,5,8,1l-Tetra-tert-butylperylene(TBPe)作為發(fā)光層，通過(guò)速率控制TBPe在ADN中的比例為7。/。；蒸鍍30nm的Alq3作為電子傳輸層；蒸鍍0.5nm的LiF作為電子注入層和150nm的Al作為陰極。<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>實(shí)施例與對(duì)比例相比，在亮度、效率以及電流密度方面均有很大的提高。實(shí)施例5:器件結(jié)構(gòu)ITO/NPB(40nm)/PAND(30nm):l。/oC545T/化合物C14(30nm)/Mg:Ag/Ag以刻蝕好特定圖形的ITO導(dǎo)電玻璃基片作為襯底，將基片放在含清洗液的去離子水中超聲波清洗，洗液溫度約為6(TC，然后用紅外烤燈將清洗完的基片烤干,放入蒸鍍腔室中依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極結(jié)構(gòu)，蒸鍍過(guò)程中腔室壓強(qiáng)低于5.0xlO-3Pa。本實(shí)施例中，有機(jī)層首先蒸鍍40nm厚N，N'-bis-(l-naphthyl)-N，N，-diphenyl-l,l'-biphenyl-4，4'-diamine(NPB)作為空穴傳輸層；以雙源共蒸的方法蒸鍍30nm厚的2-pheny1-9,10-di(2-n叩hthyl)anthracene(PADN)和2,3,6,7-Tetrahydro-l，l，7,7，-tetramethyl-1H，5H，11H-10-(2-benzothiazolyl)quinolizino-[9，9aJgh]coumarin(C545T)作為發(fā)光層，作為發(fā)光層，通過(guò)速率控制C545T在PADN中的比例為1%;蒸鍍30nm的化合物C14作為電子傳輸層；以雙源共蒸的方法蒸鍍100mn的Mg:Ag作為陰極，比例為10:1，最后覆蓋50nm的Ag做為保護(hù)。實(shí)施例6:器件結(jié)構(gòu)ITO/NPB(40nm)/PAND(30nm):l%C545T/PADN(20nm)/化合物C19(20nm)/Mg:Ag/Ag以刻蝕好特定圖形的ITO導(dǎo)電玻璃基片作為襯底,將基片放在含清洗液的去離子水中超聲波清洗,洗液溫度約為60'C，然后用紅外烤燈將清洗完的基片烤干，放入蒸鍍腔室中依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極結(jié)構(gòu)，蒸鍍過(guò)程中腔室壓強(qiáng)低于5.0xlO-3Pa。本實(shí)施例中，有機(jī)層首先蒸鍍40nm厚N，N，-bis-(l-naphthyl)-N,N'-diphenyl-l，l，-biphenyl-4,4'-diamine(NPB)作為空穴傳輸層；以雙源共蒸的方法蒸鍍30nm厚的2-phenyl-9，10-di(2-naphthyl)anthracene(PADN)禾卩2，3,6，7-Tetrahydro-1,1,7，7，-tetramethyl-H,5H,1lH-10-(2-benzothiazolyl)quinolizino-[9,9a,lgh〗coumarin(C545T)作為發(fā)光層，作為發(fā)光層，通過(guò)速率控制C545T在PADN中的比例為1%;依次蒸鍍20nm的PADN和10nm的化合物C19作為電子傳輸層；以雙源共蒸的方法蒸鍍100nm的Mg:Ag作為陰極，比例為10:1,最后覆蓋50nm的Ag做為保護(hù)。實(shí)施例7:器件結(jié)構(gòu)ITO/NPB(40nm)/PAND(30nm):l。/。C545T/化合物C5(20nm)/化合物C27(10nm)/MgAg/Ag以刻蝕好特定圖形的ITO導(dǎo)電玻璃基片作為襯底，將基片放在含清洗液的去離子水中超聲波清洗，洗液溫度約為6(TC,然后用紅外烤燈將清洗完的基片烤干，放入蒸鍍腔室中依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極結(jié)構(gòu)，蒸鍍過(guò)程中腔室壓強(qiáng)低于5.0xlO-3Pa。本實(shí)施例中，有機(jī)層首先蒸鍍40nm厚N，N，-bis-(l-naphthyl)-N，N'-diphenyl-l,l'-biphenyl-4，4'-diamine(NPB)作為空穴傳輸層；以雙源共蒸的方法蒸鍍30nm厚的2-phenyl-9，10-di(2-naphthyl)anthracene(PADN)禾卩2，3，6,7-Tetrahydro-l,l，7,7，-tetramethyl-1H,5H，11H-10-(2-benzothiazolyl)quinolizino-[9,9a，1gh]coumarin(C545T)作為發(fā)光層，作為發(fā)光層，通過(guò)速率控制C545T在PADN中的比例為1%;依次蒸鍍20nm的化合物C5和10nm的化合物C27作為電子傳輸層；以雙源共蒸的方法蒸鍍100nm的Mg:Ag作為陰極，比例為10:1,最后覆蓋50nm的Ag做為保護(hù)。對(duì)比例2:器件結(jié)構(gòu)ITO/NPB(40nm)/PAND(30nm):l%C545T/Alq3(30nm)/Mg:Ag/Ag以刻蝕好特定圖形的ITO導(dǎo)電玻璃基片作為襯底,將基片放在含清洗液的去離子水中超聲波清洗，洗液溫度約為60°C,然后用紅外烤燈將清洗完的基片烤干，放入蒸鍍腔室中依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極結(jié)構(gòu)，蒸鍍過(guò)程中腔室壓強(qiáng)低于5.0xl0-3Pa。本實(shí)施例中，有機(jī)層首先蒸鍍40nm厚N,N'-bis-(l-naphthyl)-N,N，-diphenyl-l,l，-biphenyl-4，4'-diamine(NPB)作為空穴傳輸層；以雙源共蒸的方法蒸鍍30nm厚的2-pheny1-9,10-di(2-n叩hthyl)anthracene(PADN)和2,3，6,7-Tetrahydro-l,l，7，7，-tetramethyl-1H,5H，11H-10-(2-benzothiazolyl)quinolizino-[9,9a,1gh]coumarin(C545T)作為發(fā)光層，通過(guò)速率控制C545T在PADN中的比例為1%;蒸鍍30nm的Alq3作為電子傳輸層；以雙源共蒸的方法蒸鍍100nm的Mg:Ag作為陰極，比例為10:1，最后覆蓋50nm的Ag做為保護(hù)。<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>實(shí)施例與對(duì)比例相比，在亮度、效率以及電流密度方面均有很大的提高。權(quán)利要求1、一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包含一對(duì)電極和設(shè)置在該對(duì)電極之間的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)，在有機(jī)發(fā)光介質(zhì)與陰極之間設(shè)置電子傳輸功能層，其特征在于，所述電子傳輸功能層中包含至少一種選自下述通式I或II中的化合物其中，Ar選自碳原子數(shù)為6至30的亞稠環(huán)芳烴，或選自碳原子數(shù)為6至30的亞稠雜環(huán)芳烴；n選自2至4的整數(shù)。2、根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，其中通式I和通式II中的Ar優(yōu)選自亞萘基、聯(lián)亞萘基、亞蒽基、亞茈基、亞芘基、亞喹啉基、聯(lián)亞喹啉基、窟、二苯并窟。3、根據(jù)權(quán)利要求1或2的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，選自所述通式I或II中的化合物具體結(jié)構(gòu)式如下所示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，在電子傳輸功能層中還包含另一種電子傳輸材料，該材料選自噁唑衍生物和其樹(shù)狀物、金屬螯合物、三氮唑衍生物和其樹(shù)狀物、咪唑衍生物和其樹(shù)狀物、二氮菲衍生物或蒽類(lèi)衍生物。5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述噁唑衍生物和其樹(shù)狀物、金屬螯合物、三氮唑衍生物和其樹(shù)狀物、咪唑衍生物和其樹(shù)狀物、二氮菲衍生物或蒽類(lèi)衍生物包括2-(4-特丁基苯基)-5-(4-聯(lián)苯基)-1，3,4-噁二唑、三(8-羥基喹啉)鋁、3-(4-聯(lián)苯)-4-苯基-5-(4-丁基苯基)-l,2,4-三唑、4,7-二苯基-1,10-鄰菲咯啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-l，10-鄰菲咯啉、2-苯基-9，10-二萘蒽。6、根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，選自通式I或II中的化合物與有機(jī)發(fā)光介質(zhì)相鄰。7、根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，選自通式I或II中的化合物與有機(jī)發(fā)光介質(zhì)不相鄰。8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，在電子傳輸功能層中包含兩種選自通式I或II中的化合物。9、根據(jù)權(quán)利要求l、4或8中之一所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，在電子傳輸功能層中還摻雜有堿金屬材料或堿金屬的化合物。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述堿金屬材料或堿金屬的化合物包括鋰、八羥基喹啉鋰、銫、碳酸銫。11、根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述堿金屬材料或堿金屬的化合物在電子傳輸功能層中的摻雜濃度為1%~50%。12、根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，在電子傳輸功能層與電極之間有電子注入層。13、根據(jù)權(quán)力要求12所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材料選自堿金屬或堿金屬的化合物，或選自堿土金屬或堿土金屬的化合物。14、根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材料選自鋰、氟化鋰、氧化鋰、氮化鋰、銫、碳酸銫、八羥基喹啉鋰、鈣、氟化鈣、鎂、氟化鎂。全文摘要本發(fā)明涉及一種新型有機(jī)發(fā)光器件及。本發(fā)明提出一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包含一對(duì)電極和設(shè)置在該對(duì)電極之間的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)，在有機(jī)發(fā)光介質(zhì)與陰極之間設(shè)置電子傳輸功能層，所述電子傳輸功能層中包含至少一種選自下述通式I或II中的化合物，其中，Ar選自碳原子數(shù)為6至30的亞稠環(huán)芳烴，或選自碳原子數(shù)為6至30的亞稠雜環(huán)芳烴；n選自2至4的整數(shù)。具有較高的電子注入能力和電子傳輸能力，增強(qiáng)了向發(fā)光層提供電子的能力，進(jìn)而提高了器件的發(fā)光效率，以及相同電壓下的亮度。文檔編號(hào)H01L51/50GK101364636SQ20081022325公開(kāi)日2009年2月11日申請(qǐng)日期2008年9月28日優(yōu)先權(quán)日2008年9月28日發(fā)明者嵩劉,勇邱申請(qǐng)人:清華大學(xué);北京維信諾科技有限公司;昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司