專利名稱：電子部件和顯示裝置及所述電子部件和顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過利用圖案成形方法形成的電子部件，其中第二抗 蝕圖案通過轉(zhuǎn)印形成于第一抗蝕圖案上，且具體地，涉及一種具有通過利 用上述圖案成形方法形成的薄膜晶體管(TFT)的顯示裝置。
背景技術(shù)：
一種制造諸如半導體裝置的電子部件的方法，具體地， 一種制造TFT 的方法已經(jīng)由諸如膜形成技術(shù)、光刻加工技術(shù)和蝕刻技術(shù)的技術(shù)開發(fā)支 持。在TFT制造過程中，該過程的持續(xù)存在的問題是用于提高該過程的生 產(chǎn)率、性能和產(chǎn)量的方法的開發(fā)。
用于解決上述問題的方法是將抗蝕劑掩模成形和蝕刻有效地結(jié)合在 一起。
上述有效結(jié)合的概念在于，在構(gòu)成TFT所需的薄膜上形成抗蝕圖案， 通過利用此抗蝕圖案作為第一掩模蝕刻膜，然后當將抗蝕圖案以一些方式 轉(zhuǎn)變以用作第二掩模后進一步蝕刻膜。
因此，通過分別在轉(zhuǎn)變抗蝕圖案的步驟之前和之后蝕刻用于TFT的
膜，不同的圖案形成于膜上。通過設(shè)計這種過程，可以降低諸如抗蝕劑涂 敷、曝光和顯影的光刻加工步驟的數(shù)量。
在最近幾年，為了降低光刻加工步驟的數(shù)量，還考慮了通過利用轉(zhuǎn)印 方法直接在基板上形成抗蝕圖案。根據(jù)此轉(zhuǎn)印方法，因為抗蝕圖案可以只 通過印刷技術(shù)形成，所以可以省略諸如抗蝕劑涂敷步驟、曝光步驟和顯影 步驟的所需步驟。因此，可以提高生產(chǎn)率。
首先，將說明在本發(fā)明者的知識范圍內(nèi)利用光刻加工技術(shù)的公知實 例。為了容易理解實例，將其分成如下三個技術(shù)組。
第一現(xiàn)有技術(shù)是通過將抗蝕劑溶解轉(zhuǎn)變抗蝕劑。此技術(shù)稱為回流技 術(shù)。有兩種方法屬于此回流技術(shù)。其一為憑借加熱，其二為憑借化學溶液 或該化學溶液的蒸發(fā)。
第二現(xiàn)有技術(shù)是抗蝕劑經(jīng)過體積膨脹(即，通過使抗蝕劑溶脹將該抗 蝕劑轉(zhuǎn)變)的一種技術(shù)。事實上，這種溶脹技術(shù)也稱為甲硅烷基化處理
(silylization)。
第三現(xiàn)有技術(shù)是其中去除一部分抗蝕劑、然后轉(zhuǎn)變剩余的抗蝕劑的技 術(shù)。此方法利用具有三級或更多級的透光因數(shù)的受到控制的曝光掩模。通 過此掩模將抗蝕劑暴露到光線，至少將三種不同的膜厚度同時設(shè)置到抗蝕 劑中，使得厚部分、薄部分和無抗蝕劑部分形成于基板上，然后在接下來 的步驟中適當?shù)厝コ〔糠?。對于去除方法，無論是利用顯影過程的溶劑 方法還是利用灰化過程的干燥方法都適用。
下面將通過參照形成諸如漏電極、源電極、數(shù)據(jù)焊盤(端子電極)、 配線圖案以及通道的過程詳細說明根據(jù)上述技術(shù)分類的現(xiàn)有技術(shù)。
在此，上述第一現(xiàn)有技術(shù)通過將其分成第一傳統(tǒng)實例和第二傳統(tǒng)實例 進行說明。
第一傳統(tǒng)實例([專利文獻l:日本專利申請公開出版物第2000-131719
號])屬于根據(jù)熱處理溶解和轉(zhuǎn)變抗蝕圖案的技術(shù)。
圖11A到圖11C是每個都顯示用于上述第一傳統(tǒng)實例的反交錯式TFT
的制造步驟的橫截面視圖。在下文中，將按步驟的順序說明。
首先，通過使在絕緣玻璃基板101上形成的金屬膜形成圖案，形成包 括柵極線102、柵電極103和柵極焊盤104的柵極圖案。金屬膜可以是單層，
或如果需要也可以是層疊狀態(tài)。
接下來，柵極絕緣膜105、諸如非晶硅膜的半導體層106、諸如n-型非 晶硅膜的接觸層107以及金屬膜層疊，以便以該順序覆蓋柵極圖案。在形 成圖案的步驟中，使金屬膜形成圖案，以便如下形成數(shù)據(jù)線108、漏電極 109、源電極110以及數(shù)據(jù)焊盤111。
如圖11A所示，當在金屬層的所需區(qū)域上布置預轉(zhuǎn)變抗蝕圖案112后，
蝕刻金屬層以形成包括數(shù)據(jù)線108、漏電極109、源電極110以及數(shù)據(jù)焊盤 lll的數(shù)據(jù)圖案。
此后，如圖11B所示，通過用熱處理回流預轉(zhuǎn)變抗蝕圖案112，獲得轉(zhuǎn) 變后的抗蝕圖案113。并且，通過利用轉(zhuǎn)變后的抗蝕圖案113作為掩模蝕刻 接觸層107和半導體層106并從基板選擇地去除接觸層107和半導體層106。
如圖11C所示，當從基板上去除轉(zhuǎn)變后的抗蝕圖案113后，通過利用數(shù) 據(jù)圖案作為掩模去除部分接觸層107和半導體層106形成TFT的通道區(qū)域。
此后，沒有顯示的絕緣膜層疊在如圖11C所示的基板上。接觸孔(未 顯示)設(shè)置在將連接到形成于這些部分上的上層膜的柵極焊盤104、數(shù)據(jù) 焊盤111以及漏電極109的相應(yīng)部分上。
此后，氧化銦錫(ITO)或類似材料的透明電極形成于基板上，以形 成與漏電極電連接的像素電極和用于保護柵極焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的保護層， 然后完成TFT基板。
第二傳統(tǒng)實例([專利文獻2:日本專利出版物第3616584號])是通過 回流以及第一傳統(tǒng)實例轉(zhuǎn)變抗蝕膜的技術(shù)。然而，在第二傳統(tǒng)實例中，通 過將抗蝕劑浸在具有溶解功能的化學溶液中或?qū)⒖刮g劑暴露到化學溶液 蒸汽中轉(zhuǎn)變抗蝕劑，因此該實例與憑借熱處理的第一傳統(tǒng)實例不同。
下面將參照在第一傳統(tǒng)實例中使用的圖ll說明第二傳統(tǒng)實例的詳細 的制造方法，使得與第一傳統(tǒng)實例的不同點可以變得清晰。通過利用預轉(zhuǎn) 變抗蝕圖案112作為掩模，將變成數(shù)據(jù)圖案的金屬層與接觸層107—起蝕 刻。此后，通過將預轉(zhuǎn)變抗蝕圖案112浸在具有溶解抗蝕劑的功能的化學 溶液中或?qū)⑵浔┞兜交瘜W溶液蒸汽中回流預轉(zhuǎn)變抗蝕圖案112，以形成轉(zhuǎn) 變后的抗蝕圖案113。通過利用轉(zhuǎn)變后的抗蝕圖案113作為掩模去除半導體 層106。
在此傳統(tǒng)的實例中，也公開了其它技術(shù)，使得形成于抗蝕劑表面上的 變質(zhì)層(deterioration layer)在回流抗蝕劑之前被去除。用于變質(zhì)層的去 除處理方法既可以是等離子處理也可以是紫外線(UV)臭氧處理。對于 等離子處理，根據(jù)氧氣(02)系統(tǒng)或含氟素的氣體系統(tǒng)(fluoric gas system) 進行處理，但也公開了各種氣體及其分類。
具有涉及關(guān)于回流的端點控制作為第二傳統(tǒng)實例的應(yīng)用的另一傳統(tǒng)
實例([專利文獻3:日本專利公開出版物第3415602號])。此傳統(tǒng)實例公開 了一種方法，所述方法用于保持在首先遇到抗蝕劑的阻擋部分處的己回流 的抗蝕劑。此阻擋部分為不平坦的結(jié)構(gòu)，而且也公開了其具體的結(jié)構(gòu)。
接下來，用于分類為第二現(xiàn)有技術(shù)的抗蝕劑的這種轉(zhuǎn)變技術(shù)將作為第 三傳統(tǒng)實例說明([專利文獻4:日本專利公開出版物第3236266號])，其中 抗蝕劑經(jīng)過體積膨脹，即，抗蝕劑通過溶液溶脹。
下面將參照圖12A、圖12B和圖12C說明第三傳統(tǒng)實例。非晶硅膜202 和n-型非晶硅膜203層疊在絕緣基板201上，并進一步形成預溶脹圖案204。 通過利用預溶脹圖案204作為掩模形成n-型非晶硅膜203的圖案(圖12A)。
接下來，通過將預溶脹圖案204浸在有機硅垸溶液中，或通過使預溶 脹圖案204暴露到有機硅垸蒸汽中，對預溶脹圖案204進行甲硅烷基化處理 并使其體積膨脹以使其轉(zhuǎn)變。通過此操作，隔離的預溶脹抗蝕劑204彼此 形成為一個整體，因此形成溶脹后的抗蝕圖案205 (圖12B)。
通過利用溶脹后的抗蝕圖案205作為掩模蝕刻非晶硅膜202，形成島部 (island) 206 (圖12C)。
接下來，分類為第三現(xiàn)有技術(shù)的部分去除抗蝕劑并轉(zhuǎn)變該蝕刻劑的其 它技術(shù)將分別作為第四傳統(tǒng)實例和第五傳統(tǒng)實例說明。
第四傳統(tǒng)實例([專利文獻5:日本專利公開出版物第3756363號])使
用適用于光線以三級透射的曝光掩模。通過曝光掩模將抗蝕劑暴露到光 線，將至少三個不同的膜厚度同時設(shè)置到抗蝕劑中，使得厚部分、薄部分 和無抗蝕劑部分形成于基板上。下層膜通過利用抗蝕圖案作為掩模蝕刻， 此后，通過去除其薄部分轉(zhuǎn)變抗蝕圖案，然后通過利用轉(zhuǎn)變后的抗蝕圖案 作為掩模進一步蝕刻下層膜。
下面將參照圖13說明曝光處理。抗蝕膜302涂敷在設(shè)置有膜的基板301
上，并將抗蝕膜通過利用包括狹縫部分305的狹縫掩模303暴露到為對抗蝕 膜敏感的波長的光線304。
在狹縫掩模303的狹縫部分305中，布置微小圖案使得所述圖案小于由
抗蝕劑的特性、曝光波長和曝光透鏡的性能或類似特性確定的分辨極限。 因此，通過狹縫部分305傳輸?shù)墓饩€量將是與陰影部分和無陰影部分之間 的中間光線量相對應(yīng)的光線量。通過用這種掩模曝光抗蝕膜，在抗蝕膜中
可以產(chǎn)生曝光部分306和非曝光部分307 (圖13A)。如圖13B所示，通過顯 影上述曝光的抗蝕膜，具有厚部分、薄(中間)部分和無抗蝕劑部分的抗 蝕圖案同時形成于基板上。
雖然己經(jīng)說明了采用狹縫掩模的曝光掩模的實例，但也公開了關(guān)于利 用格狀掩模來代替狹縫掩模的掩模，以及具有半透明膜來代替具有小于曝 光分辨率的尺寸的微小圖案掩模的掩模。
接下來，通過參照圖14A、圖14B和圖14C說明利用此傳統(tǒng)實例制造 TFT基板的方法。
柵電極311形成于絕緣基板310上，而柵極絕緣膜312、半導體膜313、 接觸膜314和金屬膜315順序?qū)盈B在該柵電極上。此后，抗蝕劑通過利用適 用于上述三級光透射的曝光掩模被曝光，具有厚部分、薄(中間)部分和 無抗蝕劑部分的抗蝕圖案同時形成于基板上。金屬層315通過利用此抗蝕 圖案作為掩模被蝕刻(圖14A)。
接下來，通過蝕刻接觸膜314和半導體膜313形成接觸層圖案317和半 導體圖案318 (圖14B)。
接下來，抗蝕膜316通過利用灰化處理去除抗蝕膜的大約對應(yīng)于其薄 部分或更多的厚度進行轉(zhuǎn)變。在此灰化去除過程中，使用等離子氣體或微 波。通過利用轉(zhuǎn)變的抗蝕圖案作為掩模再次蝕刻金屬膜，并因此形成源電 極319和漏電極320。進一步蝕刻接觸層圖案317和半導體圖案318的一部分 以形成晶體管的通道部分(圖14C)。此后，形成絕緣膜和像素電極以完成 TFT，其中絕緣膜的目的是保護晶體管，并起到分離配線和像素電極的間 層絕緣膜的作用。
第五傳統(tǒng)實例([專利文獻6:日本專利申請公開出版物第2005-159294
號])是利用顯影轉(zhuǎn)變抗蝕圖案的技術(shù)。將參照通過第四傳統(tǒng)實例的實例 的說明所采用的圖14說明在此情況和第四傳統(tǒng)實例之間的不同。通過以與 第四傳統(tǒng)實例相似的方式形成抗蝕膜316，以及用抗蝕膜316作為掩模去除 金屬層315 (圖14A)，并蝕刻接觸膜314和半導體膜313，形成接觸層圖案 317和半導體圖案318 (圖14B)。
接下來，如果需要，將去除過程應(yīng)用到抗蝕膜316的表面，以去除形 成于該表面上的沉積層或變質(zhì)層。無論是濕式方法還是干式方法都可施用頁
于此過程；濕式方法使用諸如顯影溶液和剝離溶液的溶解抗蝕劑的化學溶 液，而干式方法包括紫外線(UV) /臭氧(02)過程和灰化過程。然后， 轉(zhuǎn)變的抗蝕劑通過利用顯影過程形成，其中去除抗蝕劑的薄部分以顯露出 基板。
第四傳統(tǒng)實例和第五傳統(tǒng)實例之間的不同是用于抗蝕圖案的消除方 法。即，前者為使用灰化方法的方法，而后者為使用顯影方法的方法。
金屬膜通過利用轉(zhuǎn)變的抗蝕圖案作為掩模被再次蝕刻，并因此分離源
電極319和漏電極320。蝕刻接觸層膜314和半導體膜313的一部分并形 成通道部分(圖14C)。此后，設(shè)置絕緣膜和像素電極以完成TFT，其中 絕緣膜的目的是保護晶體管并使間層絕緣膜起到分離配線和像素電極的 作用。
在上述說明中，雖然作為第一到第五傳統(tǒng)實例說明了分類成第一到第 三現(xiàn)有技術(shù)的公知技術(shù)，但由第二傳統(tǒng)實例發(fā)展的技術(shù)以下將作為第六傳 統(tǒng)實例進行說明。此傳統(tǒng)實例公開在專利文獻2以及第二傳統(tǒng)實例中。
對于在第一現(xiàn)有技術(shù)中說明的第一和第二傳統(tǒng)實例的共同技術(shù)問題 是甚至回流抗蝕劑的多余部分。
多余部分114表示在圖11中。第六傳統(tǒng)實例表示減少這些多余部分 的技術(shù)。
下面將參照圖15A和圖15B說明此傳統(tǒng)實例。圖15A和圖15B的上 側(cè)是平面視圖，而表示在下側(cè)的圖15A-X和圖15B-X分別是沿圖15A和 圖15B的線X-X'剖開的橫截面視圖。第六傳統(tǒng)實例和第二傳統(tǒng)實例之間 的不同在于在回流過程之前，抗蝕圖案通過利用適用于在第四和第五傳統(tǒng) 實例中說明的三級光線透射的曝光掩模形成。
根據(jù)圖15A和圖15A-X，應(yīng)該變換和回流的相鄰于通道部分401的抗 蝕劑部分制作得很厚，而該抗蝕劑部分的周圍區(qū)域制作得很薄。也就是說， 通過將抗蝕劑的厚度在相鄰于不希望有的回流區(qū)域的部分處制作成薄厚 度，使得朝向該不希望有的回流區(qū)域的回流區(qū)域制作得很小(圖15B和圖 15B-X表示回流過程后的階段)。
在前述中，已經(jīng)采用形成源電極、漏電極和通道的實例詳細說明了有 效結(jié)合抗蝕劑掩模的形成和蝕刻的公知實例。下面將進一步說明有效結(jié)合的抗蝕劑掩模的形成和蝕刻的另一公知 實例。此技術(shù)涉及使配線邊緣具有向前的錐形。
首先，具有其中向前的錐形通過溶劑回流抗蝕劑設(shè)置在配線邊緣處的
技術(shù)。此技術(shù)公開在專利文獻2以及第二傳統(tǒng)實例中。此技術(shù)還將參照圖 16進行說明。
鋁(Al)和銅(Cu)的單合金層膜502形成于絕緣基板501上，并將 抗蝕劑施加到該單合金層膜上。接下來，抗蝕圖案503利用光刻法形成(圖 16A)。
接下來， 一部分單合金層膜502通過利用抗蝕圖案503作為掩模被蝕 刻。此后，抗蝕圖案膨脹以通過有機溶劑回流抗蝕圖案形成回流后的抗蝕 圖案504 (圖16B)。
接下來，通過利用回流后的抗蝕圖案504作為掩模蝕刻單合金層膜 502 (圖16C)。
通過前述處理，配線邊緣可以制作類似樓梯的向前錐形。在此專利文 獻2中，進一步公開了兩種或更多種金屬膜層疊用于配線的情況。
接下來，將說明用于將向前錐形提供給配線邊緣的技術(shù)，其中抗蝕劑 經(jīng)歷體積膨脹。此技術(shù)公開在上述專利文獻4以及第三傳統(tǒng)實例中，并將 參照圖17進行說明。
單Al-Cu合金層膜602形成于絕緣基板601上，并將抗蝕劑施加到該 合金層膜上。接下來，抗蝕圖案603利用光刻法形成(圖17A)。
接下來，當通過利用抗蝕圖案603作為掩模蝕刻單合金層膜602的所 述部分后，抗蝕圖案603被暴露到有機硅烷氣體以將該抗蝕圖案溶脹，并 因此形成溶脹后的抗蝕圖案604 (圖17B)。
接下來，通過利用溶脹后的抗蝕圖案604作為掩模蝕刻單合金層膜 602 (圖17C)。
通過采用上述處理，配線邊緣可以制作為具有類似樓梯的向前錐形。 在前述中，已經(jīng)說明了通過有效地結(jié)合抗蝕劑掩模的形成和蝕刻制造 TFT的公知實例。在前述說明中，分別說明兩個過程， 一個過程是形成源 電極、漏電極和通道的過程，而另一個過程是用于將向前錐形提供給配線 邊緣的過程。
在以下說明中，將主要說明涉及圖案轉(zhuǎn)印的公知實例。 對于通過轉(zhuǎn)印將抗蝕圖案布置在基板上的方法有凸版反轉(zhuǎn)式膠印
(relief reversal offset printing)。
作為第七傳統(tǒng)實例([專利文獻7:日本專利公開出版物第3730002 號])，將說明通過凸版反轉(zhuǎn)式膠印的圖案形成方法。根據(jù)此傳統(tǒng)實例，雖 然其主要涉及彩色濾光片的生產(chǎn)，但其使用的限制不局限于上述。
圖18顯示了第七傳統(tǒng)實例，而圖18A表示整個設(shè)備的運動，圖18B 表示階梯圖像拉出，而圖18C表示轉(zhuǎn)印步驟。
1) 將用硅片(未顯示)巻繞的橡皮滾筒(blanket cylinder) 701安裝 在可移動框架705中?？梢苿涌蚣?05沿配備有玻璃基板臺702和印刷模 壓臺703的固定框架704移動。玻璃基板706位于玻璃基板臺702上，而 印模707位于印刷模壓臺703上(圖18A)。
2) 將預定量的墨水利用分配器708滴落到巻繞橡皮滾筒701的硅片上。
3) 刮刀(blade) 709和墨水通過旋轉(zhuǎn)橡皮滾筒701接觸，使得墨水 在硅片的表面處具有均勻的厚度。
4) 將印模707被擠壓到硅片(滾筒包襯(blanket))上的墨水膜710 上，在對應(yīng)于印模部分的部分中的墨水711被從滾筒包襯去除(圖18B)。
5) 保留在滾筒包襯中的具有所需形狀的墨水膜712轉(zhuǎn)印到玻璃基板 706上(圖18C)。這樣，具有所需形狀的墨水轉(zhuǎn)印到玻璃基板上。
根據(jù)此傳統(tǒng)實例，公開了硅作為巻繞橡皮滾筒的薄片(滾筒包襯)的 材料。
在以下第八傳統(tǒng)實例([專利文獻8:日本專利公開申請第2006 — 124546號])中，將說明具有由第七傳統(tǒng)實例表示的凸版反轉(zhuǎn)式膠印獲得 的精確的精確的圖案精度和抗蝕劑材料(墨水)的轉(zhuǎn)印技術(shù)。
第八傳統(tǒng)實例中的抗蝕劑包括可溶解到有機溶劑(A)以及有機溶劑 (B)的樹脂。
對于所述樹脂，公開了諸如酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹脂和這些樹脂的 混合物的堿溶性樹脂。
作為有機溶劑的實例，公開了具有不小于60%的毛重％ (在下文中，
12表示為"Wt^")的異丙醇、丙醇和乙醇。進一步公開了該有機溶劑能夠與
丙二醇甲醚醋酸酉旨(propylene glycol monomethyl ether acetate)混合。
為了可靠地進行轉(zhuǎn)印，理想地，轉(zhuǎn)印圖案應(yīng)該包括沿垂直或傾斜方向 的大量線和沿水平方向的少量線。這是因為轉(zhuǎn)印趨向于對水平方向的線較 差。例如，在柵格圖案的情況下，轉(zhuǎn)印其圖案使得柵格旋轉(zhuǎn)為具有菱形的 形狀。
還公開了當轉(zhuǎn)印后在100-15(TC下加熱和干燥抗蝕劑1-15分鐘。作為 抗蝕劑材料，公開了能夠采用光固化鑄模材料和/或熱硬化鑄模材料。
根據(jù)此傳統(tǒng)實例，公開了通過利用具有上述抗蝕劑的凸版反轉(zhuǎn)式膠 印，在基板上形成用于TFT的50 pm的柵極圖案寬度。在基板上，預先形 成Mo (鉬)上層膜和A1-Nd (釹)合金下層膜。
接下來，作為第九傳統(tǒng)實例([專利文獻9:公開的PCT申請的日本譯 文公告第2006 — 512757號])，下面將說明圖案形成技術(shù)，與第二現(xiàn)有技術(shù) 的情況一樣，其中具有厚部分、薄部分和無抗蝕劑部分的三個區(qū)域的抗蝕 圖案通過在第一抗蝕圖案上形成第二抗蝕圖案而形成。
下面將參照圖19說明形成源電極、漏電極和通道的方法。
首先，柵極絕緣膜802、半導體膜803、接觸層804和上層金屬膜805 接連形成于設(shè)置有柵極圖案的絕緣基板801上。此后，將第一抗蝕圖案806 布置在絕緣基板上(圖19A)。
接下來，第二抗蝕圖案8O7布置為使得至少第一抗蝕圖案806和通道部 分的一部分被該第二抗蝕圖案覆蓋。通過利用第一抗蝕圖案806和第二抗 蝕圖案807作為掩模，上層金屬膜805、接觸膜804和半導體膜803通過第一 蝕刻步驟被去除以露出柵極絕緣膜802 (圖19B)。此時，上層金屬膜/接觸 膜/半導體膜保留在通道部分上。也就是說，雖然形成島狀周邊圖案，但 源電極和漏電極沒有分離。
接下來，去除通道部分的第二抗蝕劑807 (圖19C)。
接下來，通過第二蝕刻步驟，去除通道部分的部分上層金屬膜805、 接觸膜804和半導體膜803，并形成通道部分(圖19D)。
這樣，第九傳統(tǒng)實例是當去除布置在通道部分上的抗蝕劑后形成通道 的方法(通過從上層膜去除部分半導體膜)。
然而，由背景技術(shù)說明的現(xiàn)有技術(shù)具有幾個難題和問題。下面將通過
說明液晶顯示(LCD)裝置的實例說明常規(guī)的問題。
首先，將說明回流抗蝕劑的第一現(xiàn)有技術(shù)，即，將說明第一傳統(tǒng)實例 和第二傳統(tǒng)實例的問題。
第一問題如下
轉(zhuǎn)變之前的抗蝕劑布置在具有與數(shù)據(jù)圖案相似的形狀的基板上，艮口， 源電極、漏電極和數(shù)據(jù)配線為幾乎相同的形狀。下層的膜通過利用轉(zhuǎn)變前 的抗蝕圖案作為掩模被蝕刻并形成數(shù)據(jù)圖案。
接下來，轉(zhuǎn)變前的抗蝕圖案通過回流過程轉(zhuǎn)變。
抗蝕圖案回流的目的是用抗蝕劑覆蓋通道部分。為此，所需的回流長
度至少為通道寬度的1/2。
除了LCD面板的細度外，通常的非晶硅TFT的通道寬度為大約接近6 ^m。因此，所需的回流長度至少為3]im。
在回流之前，抗蝕圖案覆蓋整個數(shù)據(jù)圖案。因此，通過上述回流處理， 抗蝕劑將不僅在通道部分中回流并散布，而且還在源電極、漏電極和數(shù)據(jù) 配線的所有區(qū)域上回流并散布。不必說，其所需的距離也至少為3 pm。
在這種回流后，當半導體膜通過利用抗蝕圖案作為掩模被蝕刻時，將 以使半導體膜在源電極、漏電極和數(shù)據(jù)配線的周圍形成邊緣的方式執(zhí)行圖 案成形。(已經(jīng)由具有"多余部分"的背景技術(shù)的說明表示，并己經(jīng)進行了 說明)。因此，形成數(shù)據(jù)圖案的邊緣的半導體膜產(chǎn)生不希望有的影響，結(jié) 果造成LCD裝置的顯示質(zhì)量下降。
一個原因在于其涉及留下而可能使得對數(shù)據(jù)配線形成邊緣的半導體 膜。由于半導體膜留在數(shù)據(jù)配線周圍，所以在配線為錐形時是有效的。然 而，問題在于其寬度寬于通道寬度寬的大約1/2。
例如，其通過利用在一般LCD面板中分成粗細度等級的VGA面板校 驗。即，由柵極配線和數(shù)據(jù)配線環(huán)繞的一個像素的尺寸沿柵極配線為大約 100 pm，而沿數(shù)據(jù)配線為大約300 pm。柵極配線的寬度為大約25 (im，數(shù) 據(jù)配線的寬度為大約8pm。當考慮到產(chǎn)量等時，數(shù)據(jù)配線和像素電極之間 的距離需要大約大于5 pm。
從上述可知，在不采用回流過程的情況下，可以在相鄰的數(shù)據(jù)配線之
間形成的像素電極的寬度為大約接近82 pm。另一方面，采用回流，像素 電極的寬度將為76 iim。因此，與不采用回流的情況相比，采用回流可以 獲得只有76/82=92.7%的孔徑比。孔徑比的差異直接影響面板的亮度。
目前，雖然許多LCD面板變?yōu)楦咔逦?，但細度越高，上述問題則變 得越明顯，將更加增加了LCD面板亮度的降低比。這是因為除了更高的細 度外，主要固定通道寬度。
第二原因涉及環(huán)繞通道部分形成源電極和漏電極的邊緣的半導體膜。
在通常的LCD面板中，該LCD面板具有設(shè)計成使得環(huán)境光不施加到以 與通道部分形成為一體的方式形成的半導體膜上。
具體地，通過將光遮蔽層安裝到相對TFT的彩色濾光片基板上，可防 止環(huán)境光施加到半導體膜。采用這種補救措施是為了抑制當半導體膜暴露 到光線中時，由于在通道部分中產(chǎn)生的泄漏電流造成的TFT的截止特性 (off characteristic )變差。
當進行回流時，留下半導體膜，以便通過環(huán)繞通道部分形成源電極和 漏電極的邊緣。因此，當殘留的半導體膜的邊緣部分暴露給光線時，泄漏 電流不可避免地流動，且該泄漏電流將使TFT的截止特性變差。
為了抑制晶體管特性變差，布置在彩色濾光片上的光遮蔽層的面積應(yīng) 該制作得較寬。然而，這種結(jié)構(gòu)遇到了在上述第一原因中說明的降低孔徑 比的問題。
根據(jù)由第六傳統(tǒng)實例說明的方法，環(huán)繞數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的半 導體膜的這種邊緣區(qū)域可以降低到某些程度。然而，當利用預回流抗蝕圖 案形成數(shù)據(jù)圖案后，必須對抗蝕劑進行回流，為此，在第六傳統(tǒng)實例中說 明的方法理論上不是很好的措施。
第六傳統(tǒng)實例是利用控制三級光線透射的曝光掩模的技術(shù)，且還具有 許多其它的問題。這點將以后在第三現(xiàn)有技術(shù)的問題說明中說明。
第二問題說明如下
第二問題涉及形成于抗蝕劑表面上的損壞層。損壞層通過諸如顯影處 理、諸如預焙烤和后焙烤的熱處理、諸如干蝕刻和濕蝕刻的蝕刻處理、以 及大氣中的保留(leaving)的各種處理形成于預回流抗蝕圖案的表面上。 此損壞層以化學方式和/或物理方式形成。
形成于預回流抗蝕圖案的表面上的損壞層不必均勻形成。即，對于每 個部分具有不同的損壞。這種損壞層的不均勻性導致抗蝕劑的回流距離不 均勻。
為了解決此問題，將在形成數(shù)據(jù)圖案之前去除形成于預回流抗蝕圖案 的表面上的損壞層。然而，此去除處理要求具有高精度的均勻性，且此處 理本身將造成過程數(shù)量的增加。
第三問題說明如下
第三問題涉及抗蝕圖案回流的基礎(chǔ)基板的表面能量。理論地，抗蝕劑 的回流狀態(tài)由基礎(chǔ)基板的表面條件(即，表面能量)控制。
下面將作為實例說明在數(shù)據(jù)線上回流3iim抗蝕劑的情況。假定具有數(shù) 據(jù)線的邊緣部分的一個點暫時用"A"表示，其在垂直方向遠離點"A"1 pm 的點設(shè)定為al，而遠離點"A"2pm的點設(shè)定為a2，遠離點"A"3 pm的點設(shè)定 為a3。此外，具有相同數(shù)據(jù)線的邊緣部分的遠離點"A"的另一點暫時用"B" 表示。在垂直方向遠離點"B"1 pm的點設(shè)定為bl，而遠離點"B"2pim的點設(shè) 定為b2，遠離點"B"3pm的點設(shè)定為b3。
為了在垂直于數(shù)據(jù)線的延伸方向的方向上回流抗蝕劑，點al、 a2和a3 不用必須要求為相同的表面能量。同樣也適用于點bl、 b2和b3。對于al、 bl、 a2、 b2、 a3和b3這些點也類似。
在此，為了轉(zhuǎn)變抗蝕劑使得回流后的轉(zhuǎn)變后的抗蝕圖案的邊緣可以變 為平行于預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案，即，平行于數(shù)據(jù)配線。為此，影響達到點"A" 到點a3和點"B"到點b3的回流距離的表面能量程度必須相同。
然而，表面能量在設(shè)置有預回流抗蝕圖案的基板的每個部分上都不 同?！熠啵@是因為各種處理的歷史都保留在基板上，例如，顯影處理、諸 如預焙烤和后焙烤的熱處理、諸如干蝕刻和濕蝕刻的蝕刻處理、以及大氣 中的保留。
當預轉(zhuǎn)變抗蝕圖案在這種條件下回流時，轉(zhuǎn)變后的抗蝕圖案變?yōu)椴顖D案。
因此，在這種波狀圖案的情況下，考慮到其安全性，與不使用回流的 情況相比，數(shù)據(jù)配線和像素電極之間的間隔必須設(shè)定的寬一些。結(jié)果，孔 徑比的下降將不可避免。
此外，在這種狀態(tài)下，為了通過回流抗蝕劑穩(wěn)定地覆蓋通道部分，考
慮到其安全速率，上述間隔必須設(shè)定為小于3pm。因此，環(huán)繞數(shù)據(jù)配線、 源電極和漏電極的半導體膜的剩余邊緣部分的寬度變寬。因此，由于孔徑 比進一步下降和晶體管的截止特性變差造成這種惡性循環(huán)。 第四問題如下
第四問題涉及抗蝕劑回流終點的控制。當使用熱處理時，需要通過加 熱抗蝕劑對抗蝕劑給出大于其軟化點的流動性。另一方面，在使用溶液和 蒸汽的情況下，需要溶解抗蝕劑并規(guī)定其流動性。
抗蝕劑的回流依賴于諸如抗蝕劑的體積、上述基板的表面能量和抗蝕 劑的流動性的因素。
因此，為了由具有高精度的所需形狀控制抗蝕劑的回流端，需要用于 停止回流的終端控制技術(shù)。
因此，這種想法需要提供一種在基板上的階梯，以在如背景技術(shù)中說 明的回流處理之前停止抗蝕劑的流動。在基礎(chǔ)基板上提供這種階梯保持回 流的抗蝕劑，不可避免地增加制造步驟的數(shù)量。剝奪了對于圖案布置的設(shè) 計的自由度。
第五問題如下
第五問題涉及形成于基板上的抗蝕劑厚度。用于生產(chǎn)TFT基板的抗蝕 劑厚度在不采取回流過程的通常情況下，通常為大約1.0-1.5 )am。另一方 面，當回流時，要求超過通常膜厚度的抗蝕劑厚度。
為此，當然，在曝光步驟中，光亮的曝光必須制作的很大。因此，導 致生產(chǎn)率下降。此外，厚抗蝕劑膜還同時導致圖案尺寸的精度下降。
接下來，將說明技術(shù)問題，即，溶脹和轉(zhuǎn)變關(guān)于由第二現(xiàn)有技術(shù)說明 的進行抗蝕劑的體積膨脹的抗蝕劑，即，將說明第三傳統(tǒng)實例。
第二現(xiàn)有技術(shù)中的第一問題與第一現(xiàn)有技術(shù)中的第一問題為同樣的 問題。在溶脹處理期間，預溶脹的抗蝕劑各向同性地溶脹。因此，當基膜 通過在溶脹后利用溶脹后的抗蝕劑作為掩模被蝕刻時，該基膜留下半導體 膜環(huán)繞源電極、漏電極和數(shù)據(jù)配線形成邊緣的形狀，并形成邊緣狀圖案。 這造成LCD面板的亮度下降和晶體管的截止特性變差。
第二現(xiàn)有技術(shù)中的第二問題與第一現(xiàn)有技術(shù)中的第二問題為同樣的
問題。當在溶脹處理之前，損壞層存在于抗蝕劑表面上時，溶脹本身將受 到阻礙。由于損壞層的去除處理不可避免地增加制造過程的數(shù)量。
接下來，將說明關(guān)于在第三現(xiàn)有技術(shù)中說明的去除和轉(zhuǎn)變部分抗蝕劑 的技術(shù)問題，即，將說明第四傳統(tǒng)實例和第五傳統(tǒng)實例。
第三現(xiàn)有技術(shù)中的第一問題與第一現(xiàn)有技術(shù)中的第一問題為同樣的 問題。即使這樣，因為半導體膜環(huán)繞源電極、漏電極和數(shù)據(jù)配線形成邊緣
且殘留而形成邊緣圖案，所以在LCD面板中仍然存在亮度下降和晶體管截 止特性變差的問題。
下面將具體說明第三現(xiàn)有技術(shù)中的第一問題。
在TFT的制造過程中，鑒于生產(chǎn)成本的降低，通常使用第三現(xiàn)有技術(shù) 的方法，這是因為該方法有利于處理數(shù)據(jù)圖案濕蝕刻的金屬膜。
在此現(xiàn)有技術(shù)中，諸如漏電極、源電極和數(shù)據(jù)配線的數(shù)據(jù)圖案由金屬 膜的第一蝕刻步驟形成。接下來，將通過如在背景技術(shù)中己經(jīng)說明的灰化 和顯影去除設(shè)置通道部分上的薄抗蝕劑膜。
通常，在布置在基板上的減少之前(轉(zhuǎn)變之前)的抗蝕劑具有向前的 錐形。因此，不僅通道部分，而且諸如漏電極、源電極和數(shù)據(jù)配線的金屬 膜也都被曝光，以便通過利用這種各向同性蝕刻作為灰化和顯影形成邊 緣。
為了曝光通道部分，將去除的抗蝕劑厚度通常為大約1200-1500nm。 接下來，為了去除曝光的通道部分的金屬膜，進行第二各向同性濕蝕刻。 同時，還蝕刻具有形成漏電極、源電極和數(shù)據(jù)配線邊緣的形狀的曝光部分 (框架狀半導體膜)，此外也進行側(cè)面蝕刻。
結(jié)果，半導體膜殘留在諸如源電極、漏電極和數(shù)據(jù)配線的數(shù)據(jù)圖案周 圍，以便使上述數(shù)據(jù)圖案形成具有如本發(fā)明者確認的大約1.4-2.0 iam的邊
緣寬度的邊緣。
在第一現(xiàn)有技術(shù)和第二現(xiàn)有技術(shù)中，半導體膜延伸并留下類似的邊 緣，而不改變數(shù)據(jù)圖案的原始成形尺寸。相反，在此現(xiàn)有技術(shù)中，金屬膜 減少，而不改變首先形成的半導體膜的尺寸，因此半導體膜留下類似的邊緣。
這樣，存在數(shù)據(jù)圖案由半導體膜形成邊緣的具有相反關(guān)系的不同原
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因，且TFT設(shè)計為使得數(shù)據(jù)配線的線寬制作為以便不會造成信號傳輸延遲 的這種問題。對于通道，根據(jù)考慮開-關(guān)特性的最終產(chǎn)品的特性設(shè)計。以 這種方式設(shè)計，實際上存在在第一、第二和第三現(xiàn)有技術(shù)中的由半導體膜 形成邊緣的數(shù)據(jù)圖案的問題。
第三現(xiàn)有技術(shù)中的第二問題涉及用于去除布置在通道部分上的薄抗 蝕劑膜的過程，例如，部分在第一問題中已經(jīng)說明的灰化(第四傳統(tǒng)實例) 和顯影(第五傳統(tǒng)實例)的過程。
在減少之前的抗蝕劑(或預減少抗蝕劑)通過灰化或顯影各向同性地 減少。而曝光的金屬膜傾向于在減少后(或后減少抗蝕劑)形成抗蝕圖案 的邊緣。此曝光寬度依賴于預減少抗蝕劑的邊緣錐角。然而，與抗蝕圖案 的面積控制或厚度控制的控制技術(shù)相比，在光刻加工技術(shù)中，邊緣錐角的 控制需要更完善的技術(shù)。
為了使此形成邊緣的寬度減至最小，抗蝕劑的邊緣錐角應(yīng)該設(shè)定為大 約卯°，但其要求很難的技術(shù)。
TFT基板的放大使得在基板表面中的錐角的均勻性的控制進一步復雜。
第三現(xiàn)有技術(shù)中的第三問題涉及光線的規(guī)定透射為三級的光線量的 曝光掩模的問題。
對于此種類型的曝光掩模具有兩種類型，其一是利用小于曝光分辨率 的微小圖案，而另一種是利用半透明膜。下面將按順序說明兩種類型的問題。
首先，對于利用小于曝光分辨率的微小圖案的掩模，對于形成狹縫或 柵格存在困難。位于通道部分上的薄抗蝕劑膜應(yīng)該平坦地形成于整個通道 部分上。然而，實際上，由于直接位于狹縫或柵格下方的區(qū)域處的曝光量 (luminous exposure)變?yōu)樾∮谠谄渲苓厖^(qū)域的曝光量，所以抗蝕劑膜變 為錐形或凸起形。
變?yōu)檫@種形狀的原因是基于沒有設(shè)計布置具有各種形狀和尺寸的狹 縫和柵格的自由度，因為用于TFT生產(chǎn)的平版印刷術(shù)的曝光分辨率極限為 大約3.5-4.5 ,，而普通TFT的通道部分寬度為大約6 nm。
當具有薄通道部分的抗蝕劑形成為錐形或凸起形時，為了保證要求的
通道寬度，將通過隨后的灰化或顯影去除的膜厚度必須設(shè)定的很大。因此， 形成數(shù)據(jù)圖案邊緣的半導體膜在此將依然是一個問題。
接下來，將說明使用半透明膜的掩模問題。此處的問題是制造掩模的 方法。首先，對于穩(wěn)定形成具有所需透射因數(shù)的半透明膜是一個很難的事 情。其次，因為此種掩模需要兩次圖案繪圖過程，所以具有與第一和第二 次繪圖之間的精度相匹配的對準的問題，以及對于第二次繪圖處的掩模缺 陷的修補方法的問題。
第三現(xiàn)有技術(shù)中的第四問題涉及曝光過程。在利用通常的曝光掩模的 曝光過程中，光線施加到抗蝕劑上，當使該抗蝕劑準確地曝光到光線后， 將光線連續(xù)地施加到該抗蝕劑上以進行過度曝光。
過度曝光的目的之一是起到用于完全消除未曝光部分的類似邊緣的 作用。過度曝光的另一目的是起到當灰塵與抗蝕劑混合時防止抗蝕劑的膜 厚度變大的此缺陷的類似修補作用，甚至使此缺陷的抗蝕劑曝光到光線。
然而，當使用具有三級光線透射量的曝光掩模時，不容易進行過度曝 光。這是因為相對薄的抗蝕劑膜必須以高精度形成于通道部分上。當過度 曝光進行的太多時，也去除了通道部分上的抗蝕劑。
因此，存在由于抗蝕劑不能充分曝光并作為曝光過失留下的這種缺陷 造成的產(chǎn)量下降的問題，并趨向于由于灰塵出現(xiàn)不足。
第三現(xiàn)有技術(shù)中的第五問題是關(guān)于布置在已經(jīng)曝光給光線到特定程 度的通道部分上的薄抗蝕劑的顯影穩(wěn)定性的問題。因為布置在通道部分上 的薄抗蝕劑是曝光到光線特定程度的膜，因此不可避免地具有溶解在堿中 特定程度的性質(zhì)。
因此，與厚抗蝕劑部分(沒有暴露到光線的部分)的厚度相比，顯影 后設(shè)置在通道部分上的薄抗蝕劑膜的厚度具有較大的波動。
此外，在通道部分上的抗蝕劑剩余膜量的不穩(wěn)定性也使得抗蝕劑的錐 形角不穩(wěn)定。
當預減少抗蝕劑通過灰化或顯影轉(zhuǎn)變時，由于這些處理是如前所述各
向同性蝕刻，因此影響通道的寬度。結(jié)果，TFT特性變差，這是因為造成 了LCD面板中的通道寬度的不穩(wěn)定，并從而造成晶體管特性的不穩(wěn)定。 第三現(xiàn)有技術(shù)中的第六問題涉及曝光不均勻。在用于TFT生產(chǎn)的曝光 機中，光線的施加通常通過移動平臺或透鏡進行。因為由于平臺或透鏡的 運動造成振動，所以不能精確地固定抗蝕劑和透鏡之間的距離。從曝光平 臺和曝光透鏡等反射的散射光也施加到抗蝕劑上。從這些原因可知，對于 抗蝕劑的光輻射量在整個基板表面上不是必須均勻。
在本設(shè)備的水平中，當利用通常的掩模曝光時，這種事情不是考慮的 問題。然而，當暴露到光線特定程度的抗蝕劑膜留在基板上時，上述問題 不可忽視。這種曝光的不均勻造成與第三現(xiàn)有技術(shù)中的第五問題類似的通
道部分上的抗蝕劑的殘余膜量不穩(wěn)定，結(jié)果降低了LCD面板的TFT特性。 第三現(xiàn)有技術(shù)中的第七問題涉及生產(chǎn)率。在此實例中，抗蝕劑必須設(shè)
置有厚部分、薄部分以及無抗蝕劑部分。因此，此實例的厚部分的抗蝕劑
厚度必須制作的超過大約2.0-2.5 nm厚，這就比當采用普通方法的情況厚。
因此，由于如在第一現(xiàn)有技術(shù)的第五問題中說明的曝光量的增加和抗蝕劑
的尺寸精度的下降造成生產(chǎn)率的下降。
接下來，將說明關(guān)于第七傳統(tǒng)實例和第八傳統(tǒng)實例的膠印的問題。 在第七傳統(tǒng)實例和第八傳統(tǒng)實例中，公開了一種通過凸版反轉(zhuǎn)式膠印
制造電子部件的方法。然而，該實例沒有公開用于通過利用轉(zhuǎn)印重疊精細
圖案的技術(shù)，也沒有公開關(guān)于該精細圖案的對準。
用于轉(zhuǎn)印的抗蝕劑材料只有單個抗蝕劑層在背景技術(shù)的說明中進行
了公開說明。然而，其沒有公開關(guān)于布置和重疊抗蝕劑材料的材料。
公開的抗蝕劑材料的樹脂為可溶于有機溶劑的樹脂，但沒有公開導電
金屬材料。
接下來，將說明第九傳統(tǒng)實例的問題。
除了利用膠印方法代替光刻法外，第九傳統(tǒng)實例具有與在第三現(xiàn)有技 術(shù)中主要利用灰(半透明)色調(diào)掩模的問題類似的上述第一問題、第二問 題和第五問題。
第九傳統(tǒng)實例中的第一問題是如在第三現(xiàn)有技術(shù)中的第一問題說明 的同樣問題。即，具有在LCD面板中亮度下降和晶體管特性變差的問題， 這是因為半導體膜環(huán)繞源電極、漏電極和數(shù)據(jù)配線形成邊緣，且該半導體 膜殘留而形成具有邊緣的圖案。
第九傳統(tǒng)實例中的第二問題是如在第三現(xiàn)有技術(shù)中的第二問題說明
的同樣問題，且其涉及通過灰化或溶解去除第二抗蝕圖案的技術(shù)問題。與 抗蝕圖案的面積控制或厚度控制的這種控制技術(shù)相比，邊緣錐角的控制需 要更完善的技術(shù)。
具體地，在當使用轉(zhuǎn)印的情況下，為了設(shè)定當轉(zhuǎn)印到基板上后的抗蝕 劑的錐角為接近大約90°的高值的范圍，形成于滾筒包襯上的抗蝕劑的形 狀必須具有接近其相同的形狀。雖然在此實例中公開了凹版膠印，但其必 須具有在滾筒包襯上拉緊抗蝕圖案的狀態(tài)的此形狀。
為了形成具有這種形狀的圖案，當抗蝕劑被從負片印刷板(negative printing plate)拉緊到滾筒包襯上時，抗蝕劑必須擁有相當大程度的觸變 性。具有高觸變性的材料通常對負片印刷板具有良好的粘接，因此很難拉 緊滾筒包襯上的抗蝕劑，且趨向于出現(xiàn)拉緊缺陷。
第九傳統(tǒng)實例中的第三問題與在第三現(xiàn)有技術(shù)中的第五問題說明的 問題相似。
當去除布置在第一抗蝕圖案上的第二抗蝕圖案后，此實例(第三現(xiàn)有 技術(shù)也相同)去除上層金屬膜、接觸層和通道部分上的部分半導體膜。
晶體管的導通/截止特性由通道的寬度和長度(W/L)確定，而在此實 例中，通過去除第二抗蝕圖案后的第一抗蝕圖案去除。
因此，當去除第二抗蝕圖案時，除非選擇不去除第一抗蝕圖案的材料 或選擇過程條件，否則該第二抗蝕圖案將偏離W/L的初始設(shè)定值。為了避 免這種問題，在去除第二抗蝕圖案時要考慮去除第一抗蝕圖案的量，但也 可以認為W/L的值應(yīng)該通過第一抗蝕圖案確定。然而，由第二問題說明的 "抗蝕圖邊緣的錐角的控制"變成問題，且在這種情況下不容易解決。用于 LCD裝置的生產(chǎn)的樣品玻璃和顯示屏尺寸趨向于變?yōu)榇蟪叽?。因此，為?影響通道尺寸的工藝性和均勻性，上述問題緊密涉及大尺寸LCD裝置的顯 示不均勻的問題。
當去除第二抗蝕圖案后，如果發(fā)現(xiàn)沒有去除第一抗蝕圖案的材料和條 件，則當?shù)诙刮g圖案至少布置在布置在基板上的第一抗蝕圖案上后，需 要其為彼此不混合的結(jié)構(gòu)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例目的是為了提供一種電子部件，具體地，提供一種通過 利用有效的圖案成形方法制造的顯示裝置。
為了獲得上述目的，本發(fā)明的電子部件可以通過利用以下圖案成形方 法提供在用第一抗蝕圖案作為第一掩模的第一蝕刻處理的基板上，第二 抗蝕圖案轉(zhuǎn)印在第一抗蝕圖案上，以便連接第一抗蝕圖案之間的間隙，然 后通過利用第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案作為掩模進行第二蝕刻。第一抗 蝕圖案用于形成晶體管的源電極部分和漏電極部分，而第二抗蝕圖案用于 保護晶體管的通道部分。
本發(fā)明的電子部件可以通過利用以下圖案成形方法提供在用第一抗 蝕圖案作為第一掩模進行第一蝕刻所處理的基板上，第二抗蝕圖案轉(zhuǎn)印在 第一抗蝕圖案上，以便與第一抗蝕圖案部分重疊并從第一抗蝕圖案部分延 伸出來，然后通過利用第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案作為掩模進行第二蝕 刻。第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案用于形成配線和/或端子，而第二抗蝕 圖案的延伸部分用于使配線具有階梯狀邊緣形狀的橫截面。
本發(fā)明的顯示裝置可以通過利用薄膜晶體管(TFT)的以下制造方法 提供對基板進行蝕刻，所述基板設(shè)置有柵極圖案和以絕緣膜、半導體膜、 接觸膜和上層金屬膜層疊在該基板上的膜，以便至少去除上層金屬膜和接 觸膜，從而形成晶體管的通道部分和包括漏電極、源電極、數(shù)據(jù)端子和數(shù) 據(jù)配線的數(shù)據(jù)圖案；至少將第二抗蝕圖案轉(zhuǎn)印在位于通道部分的兩側(cè)部分 上的第一抗蝕圖案上，并覆蓋通道部分；以及通過利用第一抗蝕圖案和第
二抗蝕圖案作為第二掩模進行第二蝕刻，以去除半導體膜，用于露出絕緣 膜，從而將半導體膜處理成島狀圖案。
本發(fā)明的顯示裝置可以通過利用TFT的以下制造方法提供用第一抗 蝕圖案作為第一掩模進行第一蝕刻，以部分去除形成數(shù)據(jù)圖案的膜；至少 轉(zhuǎn)印第二抗蝕圖案以覆蓋第一抗蝕圖案的一部分，并從第一抗蝕圖案延伸 出來；以及通過利用第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案作為第二掩模進行第二 蝕刻，以去除用于數(shù)據(jù)圖案的整個膜，從而使數(shù)據(jù)圖案具有階梯形狀的橫 截面。
本發(fā)明的顯示裝置可以通過利用TFT的以下制造方法提供用第一抗 蝕圖案作為第一掩模進行第一蝕刻，以部分去除形成柵極圖案的膜；至少 轉(zhuǎn)印第二抗蝕圖案以覆蓋第一抗蝕圖案的一部分，并從第一抗蝕圖案延伸 出來；以及通過利用第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案作為第二掩模進行第二 蝕刻，以去除用于柵極圖案的整個膜，從而使柵極圖案具有階梯形狀的橫 截面。
因此，電子部件(具體地，顯示裝置)可以通過利用根據(jù)本發(fā)明的圖 案成形方法以高質(zhì)量和高生產(chǎn)率生產(chǎn)。
參照相應(yīng)的附圖進行以下具體說明，將使本發(fā)明的示例特征和優(yōu)點變 得清晰，其中
圖1A是顯示根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的制造反交錯式TFT的一個步 驟的平面視圖iA-i，圖iA-ii和圖iA-in是分別表示沿圖iA的i-r線、ii-n'線以及 m-nr線的截面的橫截面視圖1B是顯示圖1A所示的步驟的后處理的平面視圖iB-i，圖iB-n和圖iB-m是分別表示沿圖iB的i-r線、n-ir線以及 in-nr線的截面的橫截面視圖1C是顯示圖1B所示的步驟的后處理的平面視圖ic-i，圖ic-n和圖ic-ni是分別表示沿圖ic的i-r線、n-ir線以及 ni-nr線的截面的橫截面視圖1D是顯示圖1C所示的步驟的后處理的平面視圖iD-i，圖iD-ii和圖iD-ni是分別表示沿圖iD的i-r線、n-n'線以及 in-nr線的截面的橫截面視圖1E是顯示圖1D所示的步驟的后處理的平面視圖iE畫i，圖iE-n和圖iE-iii是分別表示沿圖iE的i-r線、n-ir線以及 in-in'線的截面的橫截面視圖1F是顯示圖1E所示的步驟的后處理的平面視圖iF-i，圖iF-n和圖iF-m是分別表示沿圖iF的i-r線、n-n'線以及 ni-in'線的截面的橫截面視圖1G是顯示圖1F所示的步驟的后處理的平面視圖iG-i，圖iG-n和圖iG-ni是分別表示沿圖iG的i-r線、n-ir線以及 m-nr線的截面的橫截面視圖2A是顯示通過根據(jù)本發(fā)明的反交錯式TFT的第二示例實施例生產(chǎn) 的中間部分的一個步驟的平面視圖2A-i，圖2A-n，圖2A-in和圖2A-iv是分別表示沿圖2A的i-r線、n-ir 線、ni-nr線以及iv-iv'線的截面的橫截面視圖2B是顯示圖2A所示的步驟的后處理的平面視圖2B-i，圖2B-n，圖2B-m和圖2B-iv是分別表示沿圖2B的i-r線、n-ir 線、in-iir線以及iv-iv'線的截面的橫截面視圖2C是顯示圖2B所示的步驟的后處理的平面視圖2c-i，圖2c-n，圖2C-m和圖2C-iv是分別表示沿圖2C的i-r線、n-ir 線、ni-nr線以及iv-iv'線的截面的橫截面視圖3是表示根據(jù)本發(fā)明的第三示例實施例的重疊標記的平面視圖4A是顯示本發(fā)明的第五示例實施例的平面視圖4A-I是顯示沿圖4A的I-r線的截面的橫截面視圖4B是顯示本發(fā)明的第五示例實施例的平面視圖4B-I是顯示沿圖4B的I-I'線的截面的橫截面視圖5A是顯示本發(fā)明的第七示例實施例的平面視圖5A-I是顯示沿圖5A的I-r線的截面的橫截面視圖5B是顯示本發(fā)明的第七示例實施例的平面視圖5B-I是顯示沿圖5B的I-r線的截面的橫截面視圖6A是顯示本發(fā)明的第八示例實施例的平面視圖6A-i、圖6A-n、圖6A-ni和圖6A-iv是分別表示沿圖6A的i-r線、n-ir 線、ni-iir線以及iv-iv'線的截面的橫截面視圖6B是顯示本發(fā)明的第八示例實施例的平面視圖6B-I、圖6B-I1、圖6B-III和圖6B-IV是分別表示沿圖6B的I-r線、II-ir
線、in-nr線以及iv-iv'線的截面的橫截面視圖6C是對應(yīng)于圖6B-IV的橫截面視圖6C-IV是放大用圖6C所示的環(huán)包圍的部分的放大截面視圖； 圖7A是顯示本發(fā)明的反交錯式TFT的第八示例實施例的第一改進方
式的平面視圖7A-V是顯示沿圖7A的V-V'線的截面的橫截面視圖； 圖7B是顯示圖7A所示的步驟的后處理的平面視圖； 圖7B-V是顯示沿圖7B的V-V'線的截面的橫截面視圖； 圖8是表示本發(fā)明的第九示例實施例的凸版反轉(zhuǎn)式膠印機的橫截面視
圖9A是表示本發(fā)明的第九示例實施例的凸版反轉(zhuǎn)式膠印機的印刷模
壓臺部分的側(cè)視圖9B是圖9A所示的印刷模壓臺部分的平面視圖； 圖9C是圖9B所示的對準標記的放大平面視圖10A是表示本發(fā)明的第九示例實施例的凸版反轉(zhuǎn)式膠印機的基板 表面板部分的剖面?zhèn)纫晥D10B是圖10A所示的基板表面板部分的平面視圖IOC是圖IOB所示的對準標記的放大平面視圖11A到圖11C是分別表示制造用于說明第一傳統(tǒng)實例的實例的反交 錯式TFT的步驟的橫截面視圖12A到圖12C是顯示用于說明第三傳統(tǒng)實例的制造步驟的步驟的橫 截面視圖13A和13B是說明控制第四傳統(tǒng)實例中的三級光線透射的曝光步驟 的橫截面視圖14A到圖14C是顯示制造用于說明第四傳統(tǒng)實例的反交錯式TFT的
步驟的橫截面視圖15A是顯示制造用于說明第六傳統(tǒng)實例和第二傳統(tǒng)實例之間的不 同的反交錯式TFT的一個步驟的平面視圖15A-X是沿圖15A的X-X'線的橫截面視圖15B是顯示圖15A的后處理的平面視圖15B-X是沿圖15B的X-X'線的橫截面視圖16A到圖16C是說明用于第二傳統(tǒng)實例的配線形狀控制的步驟的橫 截面視圖17A到圖17C是說明用于第三傳統(tǒng)實例的配線形狀控制的步驟的橫
截面視圖18A是顯示用于說明第七傳統(tǒng)實例的整個設(shè)備的概念圖18B是顯示圖18A的滾筒包襯和印模之間的相應(yīng)關(guān)系的放大概念
圖18C是顯示圖18B的滾筒包襯和圖18A的玻璃基板之間的相應(yīng)關(guān)系 的放大概念圖；以及
圖19A到圖19D是顯示用于說明第九傳統(tǒng)實例的反交錯式TFT的制造 步驟的橫截面視圖。
具體實施例方式
下面將根據(jù)相應(yīng)的附圖詳細說明本發(fā)明的示例實施例。 下面將參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施例。 [第一示例實施例]
圖1顯示了本發(fā)明的第一示例實施例。圖1A到圖1G順序表示在此 示例實施例中制造反交錯式TFT的過程。位于圖1的上部的圖1A到圖1G
的每個都是每個TFT基板的平面視圖，而沿圖iA到圖lG中的i-r、n-ir 和in-nr的線的其橫截面視圖顯示在圖i的下部中。更具體地，沿i-r線 的橫截面視圖顯示將連接到外電路的各柵極端子部分(在下文中，稱為柵
極端子)，而柵極端子通過柵極配線由液晶顯示(LCD)面板的柵電極獲
得。沿n-ir線的橫截面視圖說明了各晶體管部分。沿m-nr線的橫截面視 圖顯示將連接到外電路的數(shù)據(jù)端子部分(在下文中，稱為數(shù)據(jù)端子)，而 數(shù)據(jù)端子通過數(shù)據(jù)配線由LCD面板的源電極獲得。
首先，由鉻(Cr)制成具有300 nm厚度的下層金屬膜通過公知的濺 鍍法形成在由諸如玻璃基板的透明基板制造的絕緣基板1上。此后，通過 利用公知的光刻加工方法(涂敷抗蝕劑、曝光和顯影涂敷的抗蝕劑)、蝕 刻方法和剝離方法(圖1A和圖1A-I到圖IA-III)使金屬膜形成圖案，以 形成包括柵電極2、柵極端子3和柵極配線4的柵極圖案。
接下來，通過利用諸如CVD (化學氣相沉積)的公知的方法，設(shè)置 有柵極圖案的絕緣基板1覆蓋有300 nm厚度的氮化硅的柵極絕緣膜5、 具有200 nm厚度的非晶硅膜的半導體膜6、以及摻雜有30 nm厚度的磷
的n-型非晶硅膜的接觸膜7，上述膜以此順序形成。由300nm厚度的Cr 制成的上層金屬膜8通過公知的磁控管濺鍍法形成。在此，柵極絕緣膜5、 半導體膜6和接觸膜7可以在相同的膜形成室中接連形成。
此后，第一抗蝕圖案9通過利用包括涂敷感光抗蝕劑、曝光感光抗蝕 劑和顯影感光抗蝕劑的公知的光刻加工方法形成(圖1B和圖1B-I到圖 IB-III)。
接下來，通過利用第一抗蝕圖案9作為掩模，上層金屬膜8用硝酸鈰 銨系統(tǒng)的蝕刻劑經(jīng)過第一次的第一蝕刻過程，以形成包括漏電極10、源電 極11、數(shù)據(jù)端子12和數(shù)據(jù)配線13并露出接觸層7的數(shù)據(jù)圖案。然后，通 過諸如PE (等離子蝕刻)方法的干蝕刻(第二次的第一蝕刻)利用 HCl/SF6/He/02的混合氣體去除露出的接觸層7，以露出半導體膜6(圖1C 和圖1C-I到圖IC-III)。
接下來，制作具有降低到保持形狀到一定程度(保持形狀的觸變性程 度)的流動性的抗蝕圖案(在下文中稱為"預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案")形成于具有 彈性和柔性的硅件薄片(在下文中稱為"滾筒包襯")上。預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案 接觸到絕緣基板1，使得第二抗蝕圖案14轉(zhuǎn)印到通道部分上，以便與用第 一抗蝕圖案9覆蓋的漏電極和源電極部分重疊。(關(guān)于在滾筒包襯上形成 預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案和將該圖案轉(zhuǎn)印在絕緣板1上的方法將在后面進一步詳細 說明。)然后，第二抗蝕圖案14的溶劑通過加熱絕緣基板1蒸發(fā)，以進一 步降低該第二抗蝕圖案的流動性。
提供第二抗蝕圖案14的目的是保證覆蓋和保護完成TFT時變?yōu)橥ǖ?的部分(在下文中稱為"通道部分")。因此，第二抗蝕圖案14不僅設(shè)置在 通道部分上，而且也設(shè)置在第一抗蝕圖案9上(即，第一抗蝕圖案9布置 在與通道部分相鄰的源電極11和漏電極10上)，使得第一抗蝕圖案9和 第二抗蝕圖案14分別相鄰于通道部分彼此重疊2 pm的寬度。
在此，第二抗蝕圖案14不設(shè)置在數(shù)據(jù)配線、數(shù)據(jù)端子上，而源電極 11和漏電極10的另一側(cè)不相鄰于通道部分定位(即，遠離通道部分的側(cè) 面2pm或更多的距離)(圖1D和圖1D-I到圖ID-III)。
在此示例實施例中，當TFT的通道寬度(由圖1C中的字母L表示) 為6pm和通道長度(由圖1C中的字母M表示)為25pm時，第二抗蝕圖
案14設(shè)計為具有在L方向為10pm的尺寸，而在W方向為25pm的尺寸。
接下來，利用HCl/SF6/He/02的混合氣體的PE系統(tǒng)的干蝕刻(第二蝕 刻)通過利用抗蝕圖案作為掩模進行，以通過去除半導體膜6露出柵極絕 緣膜5，并形成島狀圖案15。利用諸如二甲亞砜和單乙醇胺或類似材料的 剝離溶液從絕緣基板1去除抗蝕圖案(圖1E和圖1E-I到圖m-m)。
具有200nm厚度的氮化硅膜的保護絕緣膜16通過在設(shè)置有柵極絕緣 膜5和暴露在其上的數(shù)據(jù)圖案的絕緣基板1上利用CVD方法形成。然后， 抗蝕圖案通過光刻加工方法形成，所述光刻加工方法包括通過公知的蝕刻 方法的形成及去除保護絕緣膜16和柵極絕緣膜5、以及剝離抗蝕圖案并從 而形成柵極端子孔17、數(shù)據(jù)端子孔18和像素連接孔19的接觸孔的這種 過程(圖1F和圖1F-I到圖IF-III)。
最后，當通過濺鍍法形成具有40nm厚度的氧化銦錫(ITO)的導電 透明膜后，像素電極20和端子保護圖案21通過利用光刻加工方法和蝕刻 方法形成，從而完成TFT基板(圖1G和圖1G-I到圖IG-III)。
相對基板設(shè)置有光線遮蔽層以防止至少入射到島狀圖案15 (通道部 分)的光線。完成的TFT基板布置有具有預定間隙的相對基板。相對基 板可以進一步設(shè)置有為紅色、藍色和綠色的彩色層，用于使該相對基板能 夠進行彩色顯示。(在下文中，將相對基板稱為彩色濾光片基板)。然后， 通過將液晶填充在兩個基板之間的間隙獲得LCD面板，且進一步在兩個 基板的外表面上設(shè)置諸如相位差板和偏光板的光學膜。
下面將更詳細地說明制造LCD面板的方法。配向膜設(shè)置在TFT基板 和接觸液晶的彩色過濾器基板的內(nèi)表面上。配向膜由例如聚酰亞胺樹脂制 成且用人造纖維布摩擦，用于對準處理。上述兩個基板的對準角度在扭轉(zhuǎn) 向列(TN)模式的情況下為大約90°，而在共面轉(zhuǎn)換(IPS)模式的情況 下為大約0°。此外，在垂直配向(VA)模式下不需要執(zhí)行對準過程。此 示例實施例的圖1A到圖1G顯示了TN模式的情況。
在對準處理后，與密封間隔件混合的密封劑在LCD面板的框架區(qū)域 處設(shè)置在TFT基板或彩色濾光片基板上，而內(nèi)間隔件和液晶設(shè)置在顯示 區(qū)域處。然后，兩個基板與填充有液晶的間隙重疊，光學膜設(shè)置在兩個基 板的外表面上以制作LCD面板。因此，完成的LCD面板與外電路連接，用于通過柵極端子接觸孔17 和數(shù)據(jù)端子接觸孔18驅(qū)動LCD面板。布置光源件，然后布置用于保持和 保護這些構(gòu)件的底板以形成LCD裝置。
在此示例實施例的說明中，雖然在布置第二抗蝕圖案14之前通過去 除接觸層7露出半導體膜6后設(shè)置了第二抗蝕圖案14，但在布置第二抗蝕 圖案14之前，第二抗蝕圖案14也可以在進一步去除部分半導體膜后設(shè)置。 這樣，通過進一步去除部分半導體膜，可以進一步降低在通道部分處的泄 漏電流量，因此提高晶體管性能。
在此示例實施例中，雖然覆蓋與通道相鄰的漏電極IO和源電極11的 第二抗蝕圖案14和第一抗蝕圖案9的重疊寬度設(shè)定為2pm，但不局限于 此值。第一和第二抗蝕圖案的此重疊寬度可以通過使第二抗蝕圖案14與 第一抗蝕圖案9接觸實現(xiàn)本發(fā)明的該目的。因此，在本發(fā)明的說明中的術(shù) 語"重疊"包括第一抗蝕圖案9和第二抗蝕圖案14彼此接觸的情況。
在此示例實施例中，不在數(shù)據(jù)配線13上設(shè)置第二抗蝕圖案14的原因 是為了保證孔徑比。
第二抗蝕圖案14不設(shè)置在不與通道部分相鄰的源電極和漏電極11和 10上的原因是為了通過抑制泄漏電流保證晶體管的特性。
因此，根據(jù)此示例實施例，因為第二抗蝕圖案通過與絕緣基板接觸進 行布置，所以第二抗蝕圖案可以容易地設(shè)置有在任意尺寸、任意形狀以及 任意位置的高自由度。
因此，本發(fā)明可以解決由于在傳統(tǒng)實例的問題(第一現(xiàn)有技術(shù)的第一 問題、第二現(xiàn)有技術(shù)的第一問題以及第三現(xiàn)有技術(shù)的第一問題)中說明的 孔徑比的下降和晶體管的截止特性問題造成面板亮度下降的這種問題。
此外，在本發(fā)明中，由于第一抗蝕圖案在轉(zhuǎn)印預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案后轉(zhuǎn)變， 其中所述預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案具有達到保持形狀的程度的低流動性，使得該預 轉(zhuǎn)移抗蝕圖案可以與第一抗蝕圖案重疊，因此可以解決以下問題，即，控 制與第一現(xiàn)有技術(shù)相關(guān)的抗蝕劑的回流的問題(第二問題損壞層去除以
及第三問題基礎(chǔ)基板的表面能量以及第四問題回流終點控制)以及關(guān)
于第二現(xiàn)有技術(shù)的第二問題的損壞層的溶脹阻礙問題。
此外，在本發(fā)明中，由于預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案作為與第一抗蝕圖案不同的
第二抗蝕圖案轉(zhuǎn)印在第一抗蝕圖案上，所以不存在對于在第三現(xiàn)有技術(shù)的 第二問題中說明的抗蝕劑的錐角控制的問題、以及關(guān)于第三現(xiàn)有技術(shù)的第 三問題或第六問題中說明的曝光的問題。
本發(fā)明的第二抗蝕圖案的所需膜厚度對于具有可以保持第二蝕刻的 耐久性的膜厚度是足夠的，因此該膜厚度可以設(shè)定為薄抗蝕劑厚度。因此， 不存在如第一現(xiàn)有技術(shù)的第五問題和第三現(xiàn)有技術(shù)的第七問題中說明的 生產(chǎn)率的下降和抗蝕圖案尺寸的下降的問題。
雖然以上已經(jīng)詳細說明了第一示例實施例，但具體結(jié)構(gòu)不局限于此示 例實施例，且即使在不偏離本發(fā)明的發(fā)明點的范圍內(nèi)的設(shè)計中存在改變 等，這些改變也包括在此發(fā)明中。
本發(fā)明的第一示例實施例的內(nèi)容是通過轉(zhuǎn)印方法將第二抗蝕圖案布 置在第一抗蝕圖案上以有效地形成圖案，使得至少該圖案的一部分延伸到 使該第一抗蝕圖案和該第二抗蝕圖案在基板上彼此重疊的程度，其中所述 基板已經(jīng)經(jīng)過用第一抗蝕圖案作為掩模的第一蝕刻并在此后進行第二蝕
在此實例實施例中，雖然鉻(Cr)膜的實例通過用于下層金屬膜和上 層金屬膜的磁控管濺鍍技術(shù)形成，但該膜的材料不局限于Cr，而諸如Mo、 Al、 Ti、 Cu和Ag的具有導電性的其它金屬膜都適用。此外，與上述金屬 混合或添加Nd、 N、 Nb、 V和C的成分的合金的這種膜的其它實例也適 用。此外，具有多于兩種金屬和合金的層疊膜也適用。膜形成方法也不局 限于磁控管濺鍍。
此外，對于諸如柵極絕緣膜、半導體膜和接觸膜的膜，本發(fā)明也不局 限于膜的種類、膜的厚度和膜形成的方法的所示實例，只要膜實現(xiàn)其要求 的目的即可。
由于只要獲得本發(fā)明的目的，此示例實施例都是切實可行的，所以除 了數(shù)據(jù)圖案、柵極絕緣膜、半導體膜以及接觸膜的結(jié)構(gòu)外都適用。 [第二示例實施例]
圖2說明了本發(fā)明的第二示例實施例。說明圖式的方式與第一示例實 施例的說明方式相同。
此示例實施例與第一示例實施例之間的不同點是第二抗蝕圖案的布
置。在下文中，將詳細說明第一示例實施例和此示例實施例之間的技術(shù)點 的不同。
在已經(jīng)經(jīng)過如形成諸如漏電極10、源電極11、數(shù)據(jù)端子12和數(shù)據(jù)配
線13的數(shù)據(jù)圖案的這種過程的基板上(圖2A和圖2A-I到IV),通過利 用第一抗蝕圖案9作為掩模去除接觸膜7以露出半導體膜6，接觸形成于 滾筒包襯上的預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案，使得第二抗蝕圖案14轉(zhuǎn)印在基板上，此 后加熱基板。
在第一示例實施例中，第二抗蝕圖案14設(shè)置為被進行轉(zhuǎn)印，以便與 漏電極和源電極的設(shè)置有第一抗蝕圖案9的一部分重疊，并通過預轉(zhuǎn)移抗 蝕圖案與絕緣基板1接觸覆蓋通道部分。另一方面，在此示例實施例中， 第二抗蝕圖案(框架形第二抗蝕圖案24)延伸布置成使得LCD像素區(qū)域 22從而被包圍在除了通道部分外的LCD像素區(qū)域22和密封材料的框架密 封區(qū)域23之間。
在通道部分上的第二抗蝕圖案14的布置與第一示例實施例相同?？?架形第二抗蝕圖案24延伸和布置的寬度為大約25pm，使得從而環(huán)繞LCD 像素區(qū)域22。
通過去除半導體膜6并露出柵極絕緣膜5進行第二蝕刻以形成島狀圖 案15 (圖2B和圖2B-I到IV)。此后，剝離抗蝕圖案并從基板去除該抗蝕 圖案。
根據(jù)上述處理，由半導體膜制成的凸出結(jié)構(gòu)形成于LCD像素區(qū)域22 和框架密封區(qū)域23之間。
在此實例實施例中，因為框架形第二抗蝕圖案24在LCD像素區(qū)域22 和框架密封區(qū)域23之間延伸，所以第二抗蝕圖案24延伸為與覆蓋數(shù)據(jù)配 線的第一抗蝕圖案9重疊。
這樣，當將凸出結(jié)構(gòu)安裝在LCD像素區(qū)域22和框架密封區(qū)域23之 間時，該凸出結(jié)構(gòu)可以抑制低分子成分和包含在流出到LCD像素區(qū)域22 中的有機樹脂密封材料或類似材料(例如，在環(huán)氧樹脂的密封材料中為低 分子重量組成和環(huán)氧的硅氧垸)中的雜質(zhì)。因此，可以防止由溶解在液晶 中的物質(zhì)造成液晶的電壓持續(xù)下降，也可以防止偏振配向膜，并防止由于 將這些雜質(zhì)吸收或粘附到配向膜造成降低對準約束力。結(jié)果，可以避免面 板顯示的不均勻性。
當要求更高的顯示不均勻抑制效果時，應(yīng)該在LCD像素區(qū)域22和框 架密封區(qū)域23之間進行多個框架形第二抗蝕圖案24的布置，以形成多個 凸出結(jié)構(gòu)。通過布置多個凸出結(jié)構(gòu)，用于雜質(zhì)的阻擋物在三維尺寸上變得 復雜，因此能夠阻止雜質(zhì)散布到LCD區(qū)域中。
鑒于使LCD像素區(qū)域22和框架密封區(qū)域23之間的平面距離長的技 術(shù)考慮，還可以防止雜質(zhì)散布進LCD區(qū)域。g卩，如圖2C和圖2C-I到圖 2C-IV所示，布置了多個具有間隙的框架形第二抗蝕圖案24，使得相鄰圖 案24的間隙交替布置，以便不會放置在水平方向或垂直方向延伸的相同 線上。第二隔離的抗蝕圖案不需要與第一抗蝕圖案重疊。
接下來將說明第二示例實施例的修改例。
框架形第二抗蝕圖案24以700)im的寬度布置在框架密封區(qū)域23中， 而半導體膜6的凸出結(jié)構(gòu)23通過利用上述方法形成。
因此，框架密封區(qū)域23和LCD像素區(qū)域22的膜的高度差可以制作 得最小化。
因此，在密封劑中的混合密封間隔件的尺寸和在顯示區(qū)域中的間隔件 的尺寸可以接近。結(jié)果，可以避免由于相鄰于框架的面板間隙和LCD像 素區(qū)域22的面板間隙之間的差異沿框架密封部出現(xiàn)框架形不平度(在下 文中，稱為"框架不平度")。
因此，當將框架形第二抗蝕圖案24布置在布置密封材料的LCD像素 區(qū)域22和框架密封區(qū)域23之間時，可以抑制面板顯示不均勻性，且當在 框架密封區(qū)域23中形成時可以抑制框架點。當兩個上述框架形第二抗蝕 圖案24以單獨方式布置在一起時，可以同時抑制更高的顯示不均勻度和 更多的框架點。
雖然已經(jīng)參照圖式詳細說明了以上本發(fā)明的第二示例實施例和改進 例，但具體結(jié)構(gòu)不局限于此示例實施例，且即使在設(shè)計中具有改變等，其 范圍也不偏離本發(fā)明點，都包含在此本發(fā)明中。
本發(fā)明的第二示例實施例和改進例的內(nèi)容為通過適當?shù)匦纬赏钩鼋Y(jié) 構(gòu)以抑制顯示不均勻性和框架點，并通過轉(zhuǎn)印方法將第二抗蝕圖案布置在 第一抗蝕圖案上有效地形成圖案，使得該圖案的至少一部分延伸到使該第
一抗蝕圖案和該第二抗蝕圖案在基板上彼此重疊的程度，其中所述基板已 經(jīng)經(jīng)過用第一抗蝕圖案作為掩模的第一蝕刻，并通過同時布置不是必須與 第一抗蝕圖案重疊的隔離的第二抗蝕圖案在此后經(jīng)過第二蝕刻。
因此，在傳統(tǒng)的實例中，因為不與第一抗蝕圖案重疊，不能形成隔離 的第二抗蝕圖案，所以不能只形成由這種半導體膜制成的凸出結(jié)構(gòu)。
接下來，將說明本發(fā)明的第三示例實施例。圖3是此示例實施例的平 面視圖。
此示例實施例與第一示例實施例之間的不同點是第一抗蝕圖案和第 二抗蝕圖案之間的布置關(guān)系。其它都與第一示例實施例相同。在下文中， 在此將詳細說明第一示例實施例和此示例實施例之間的不同點。
雖然此示例實施例在第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案重疊以及一部分 布置為在絕緣基板上突出的此點上與第一示例實施例相同，但在形成隔離 的第一抗蝕圖案而不與第二抗蝕圖案重疊且也形成隔離的第二抗蝕圖案 而不與第一抗蝕圖案重疊的此點上不同。
圖3表示隔離的第一抗蝕圖案9和隔離的第二抗蝕圖案14的狀態(tài)。
顯示在圖3中的圓形為設(shè)置用于確認第一抗蝕圖案9和第二抗蝕圖案 14的重疊精度的標記(重疊標記)。
在此示例實施例中，第一抗蝕圖案9具有類似環(huán)形的形狀，而第二抗 蝕圖案14以類似圓形的形狀布置在該第一抗蝕圖案的內(nèi)部。
設(shè)計為使得當?shù)谝豢刮g圖案9和第二抗蝕圖案14的布置位置正確對， 第二抗蝕圖案14可以位于第一抗蝕圖案9的中心。
在此，第一抗蝕圖案9設(shè)計為具有15pm的內(nèi)徑以及25pm的外徑， 而第二抗蝕圖案14設(shè)計為具有10|_im的直徑。
因此，第一抗蝕圖案9和第二抗蝕圖案14之間的布置關(guān)系可以通過 在絕緣基板上適當?shù)卦O(shè)置重疊標記來確認。
此外，當將第二抗蝕圖案14轉(zhuǎn)印在絕緣基板上時，通過測量重疊標 記的相對位置關(guān)系，并將該重疊標記的差異量作為偏移量反饋給轉(zhuǎn)印設(shè) 備，然后將該偏移量應(yīng)用到后面的基板上，可以改進第一抗蝕圖案和第二 抗蝕圖案之間的重疊精度。
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雖然第一抗蝕圖案布置在外部，而第二抗蝕圖案布置在內(nèi)部，但該第 一抗蝕圖案和該第二抗蝕圖案的位置也可以顛倒。在此，雖然顯示了環(huán)形 重疊標記，但該重疊標記的形狀也可以為除環(huán)形以外的例如方形、三角形 和十字形的形狀。上述環(huán)形標記通過假設(shè)重疊精度的測量由自動測量設(shè)備 得出而設(shè)計，但在依賴于利用顯微鏡或類似設(shè)備的視覺觀察的情況下，該 標記應(yīng)該制作為游標標記。
雖然已經(jīng)參照附圖詳細說明了以上本發(fā)明的第三示例實施例，但具體 結(jié)構(gòu)不局限于此示例實施例，且即使在設(shè)計中具有改變等，其范圍也不偏 離本發(fā)明點，其都包括在此本發(fā)明中。
本發(fā)明的第三示例實施例的內(nèi)容為通過轉(zhuǎn)印方法將第二抗蝕圖案布 置在第一抗蝕圖案上有效地形成圖案，使得該圖案的至少一部分延伸到使 該第一抗蝕圖案和該第二抗蝕圖案在基板上彼此重疊的程度，其中所述基 板已經(jīng)經(jīng)過用第一抗蝕圖案作為掩模的第一蝕刻，并通過同時布置不與第 一抗蝕圖案重疊的隔離的第二抗蝕圖案，從而露出作為第一和第二抗蝕圖 案的重疊且突出部分的這種部分、不與第一抗蝕圖案重疊的一部分隔離的 第二抗蝕圖案、以及在轉(zhuǎn)印后不與第二抗蝕圖案在基板上重疊的一部分第 一抗蝕圖案，且在此后經(jīng)歷第二蝕刻。
接下來，將說明第四示例實施例。
雖然此示例實施例與第一示例實施例的相同之處在于，通過轉(zhuǎn)印方法 將第二抗蝕圖案布置在第一抗蝕圖案上，使得至少一部分所述圖案延伸到 使該第一抗蝕圖案和該第二抗蝕圖案在基板上彼此重疊的程度，其中所述 基板己經(jīng)經(jīng)過用第一抗蝕圖案作為掩模的第一蝕刻，且第一和第二抗蝕圖 案的重疊且突出的部分在轉(zhuǎn)印后布置在絕緣基板上，但不同點是布置不與 第二抗蝕圖案重疊的隔離的第一抗蝕圖案的一部分。
如前所述，由于上層金屬膜8由諸如Cr或類似材料的不透明膜制成， 因此通過將第一抗蝕圖案9布置在隔離的圖案中以便不與第二抗蝕圖案重 疊，該上層金屬膜不僅可以作為許多產(chǎn)品的產(chǎn)品識別標記和操作號碼有效 地使用，而且也可以作為重疊標記用在數(shù)據(jù)圖案形成步驟和其它步驟中， 例如，用于數(shù)據(jù)圖案形成步驟和柵極圖案形成步驟的形成步驟的重疊標
記；用在數(shù)據(jù)圖案形成步驟和接觸孔圖案形成步驟中；以及用在數(shù)據(jù)圖案 形成步驟和像素電極圖案形成步驟中。
將第一抗蝕圖案9以隔離的形狀布置而不與第二抗蝕圖案14重疊的 原因在于在第二蝕刻后，第一蝕刻圖案不通過第二蝕刻圖案被形成邊緣。 當?shù)谝晃g刻圖案被形成邊緣時，由于由第二蝕刻去除的半導體膜為半透明 膜，在自動識別測量設(shè)備的測量中造成錯誤判斷。
通過以此方式布置第一抗蝕圖案9，可以有效地形成產(chǎn)品識別標記和 重疊標記或類似標記。
在上述說明中，由于第一蝕刻圖案案不通過第二蝕刻圖案被形成邊 緣，所以第二蝕刻圖案不布置在第一抗蝕圖案上。但如果在基板上可以保 留一些空間，則第二抗蝕圖案可以重疊在第一蝕刻圖案上，且該第二抗蝕 圖案可以形成為突出。然而，在此情況下，需要保證突出部分的量，以便 不在自動識別測量設(shè)備的測量中造成錯誤判斷。
雖然已經(jīng)對以上本發(fā)明的第四示例實施例進行了詳細說明，但具體結(jié) 構(gòu)不局限于此示例實施例，且即使在設(shè)計中具有改變等，其范圍也不偏離 本發(fā)明點，其都包含在此本發(fā)明中。
本發(fā)明的第四示例實施例的內(nèi)容為通過轉(zhuǎn)印方法將第二抗蝕圖案布 置在第一抗蝕圖案上有效地形成圖案，使得至少一部分所述圖案延伸到使 該第一抗蝕圖案和該第二抗蝕圖案在基板上彼此重疊的程度，其中所述基 板已經(jīng)經(jīng)過用第一抗蝕圖案作為掩模的第一蝕刻，并露出第一和第二抗蝕 圖案的重疊且突出的部分、以及在轉(zhuǎn)印后不與第二抗蝕圖案在基板上重疊 的一部分隔離的第一抗蝕圖案，且在此后進行第二蝕刻。
接下來，作為本發(fā)明考慮的第二技術(shù)，將說明控制蝕刻圖案的橫截面 形狀的技術(shù)。
下面將參照圖4說明采用在制造例如LCD裝置的步驟中的柵極圖案 成形過程的第五示例實施例。位于圖4的上部的圖4A和圖4B的每個都 是TFT基板的平面視圖，而位于圖4下部的圖4A-I和圖4B-I分別是沿圖 4A和圖4B所示的I-r線剖開的橫截面視圖。
首先，當在由諸如玻璃的透明基板制成的絕緣基板上用濺鍍方法形成
300nrn厚度的Cr膜26后，第一抗蝕圖案9通過光刻加工方法布置。
接下來，只有150nm厚度的Cr膜26通過利用第一抗蝕圖案9作為 掩模的蝕刻方法的第一蝕刻去除。之前測量的去除300nm厚度的Cr膜的 情況的時間控制由第一蝕刻去除的膜厚度，并只在一半的測量時間期間進 行第一蝕刻處理。更詳細地，第一蝕刻方法為利用硝酸鈰銨系統(tǒng)的蝕刻劑 進行濕蝕刻，因為用于去除所有Cr膜26的之前的測量時間為具有相關(guān)的 停滯時間(deadtime)的160秒，所以處理時間設(shè)定為85秒(圖4A和圖 4A-I)。第一抗蝕圖案9設(shè)定為使得柵極配線寬度(在圖4A中用"W1表示") 為20(im，而柵電極寬度(圖4B中表示)為25pm。
接下來，已經(jīng)在滾筒包襯上形成所需圖案的預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案和絕緣基 板1彼此接觸，從而轉(zhuǎn)印第二抗蝕圖案14，使得該第二抗蝕圖案與覆蓋有 第一抗蝕圖案9的柵極圖案重疊并從其突出，此后加熱基板。第二抗蝕圖 案14覆蓋第一抗蝕圖案9的整個表面，且該第二抗蝕圖案從第一抗蝕圖 案9的左右側(cè)突出1.5pm。
為了去除殘留在基板上的Cr膜26，通過利用抗蝕圖案作為掩模進行 第二蝕刻，以形成柵極圖案(圖4B和圖4B-I)。第二蝕刻條件確定為使得 其蝕刻劑為與第一蝕刻相同的硝酸鈰銨系統(tǒng)溶液，而蝕刻時間設(shè)定為具有 增加的額外蝕刻時間的90秒。
因此，柵極圖案的邊緣可以形成為具有階梯狀向前的錐形。當形成柵 極圖案后，LCD裝置將以與第一示例實施例相同的方法完成(圖4B和圖 4B-I)。
因此，根據(jù)此示例實施例，當通過利用第一抗蝕圖案作為掩模進行第 一蝕刻后，當在第一抗蝕圖案上重疊第二抗蝕圖案以通過轉(zhuǎn)印突出并在此 后進行第二蝕刻時，蝕刻后的圖案邊緣的形狀可以制作為類似階梯的向前
錐形。、
在通過如第一現(xiàn)有技術(shù)中說明的加熱或化學溶液、并通過在第二現(xiàn)有 技術(shù)中說明的溶脹使配線具有類似階梯狀的向前錐形的回流的傳統(tǒng)技術(shù) 中，轉(zhuǎn)變后最終的抗蝕劑膨脹面積依賴于預轉(zhuǎn)變的抗蝕劑的厚度(準確地 說為體積)。
在通過如第三現(xiàn)有技術(shù)中說明的重新顯影和灰化的諸如使類似階梯
狀的配線逐漸變小的另一傳統(tǒng)技術(shù)中，因為預轉(zhuǎn)變抗蝕劑面積通過通常所
說的各向同性蝕刻來確定，所以轉(zhuǎn)變后的抗蝕劑面積依賴于比轉(zhuǎn)變前的抗
蝕劑面積和厚度更難控制的預轉(zhuǎn)變的抗蝕劑的錐角。
然而，另一方面，根據(jù)此示例實施例，因為此示例實施例只依賴于第
二抗蝕圖案的平面形狀(涂敷面積)，所以當與上述現(xiàn)有技術(shù)相比時，具
有使蝕刻后的圖案邊緣的形狀可以通過如轉(zhuǎn)印的便利方法被高度穩(wěn)定的特征。
接下來，將說明第六示例實施例。通過使用與第五示例實施例中相同 的柵極圖案成形來說明。第六示例實施例公開了本發(fā)明應(yīng)用到層疊膜的情 況。
因為第一抗蝕圖案9和第二抗蝕圖案14的形狀、尺寸和布置與第五 示例實施例相同，所以將不參照圖式說明此示例實施例。
首先，通過利用公知的濺鍍方法將Al-Nd合金膜和Mo-Nb合金膜分 別以270nm和30nm的厚度層疊和形成在絕緣基板1上。接下來，通過利 用形成于基板上的第一抗蝕圖案9作為掩模進行第一蝕刻以去除所有的 Mo-Nb合金膜。
作為蝕刻劑的實例，使用能夠一起蝕刻Al-Nd合金膜和Mo-Nb合金 膜的包括磷酸、硝酸和醋酸的這種混合酸。在此示例實施例中，雖然只有 對Mo-Nb合金膜進行了第一蝕刻，但除了Mo-Nb合金膜外，如果需要， 部分Al-Nd合金膜也可以通過第一蝕刻去除。
接下來，已經(jīng)在滾筒包襯上形成所需圖案的預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案和絕緣基 板1彼此接觸，從而轉(zhuǎn)印第二抗蝕圖案14，且此后加熱基板。第二抗蝕圖 案14覆蓋第一抗蝕圖案9的整個表面，并且該第二抗蝕圖案從第一抗蝕 圖案9的左側(cè)和右側(cè)突出1.5pm。
通過利用包括用上述抗蝕圖案作為掩模的第一蝕刻的相同成分的相 同的混合酸進行第二蝕刻，因此去除Al-Nd合金膜以露出絕緣基板1。
因此，通過進行第二蝕刻，柵極圖案的邊緣部分可以形成為具有類似 階梯狀的向前錐形的形狀。當形成柵極圖案后，LCD裝置將以與第一示例 實施例同樣的方式完成。
在此示例實施例中，如果需要，可以改變第一蝕刻劑和第二蝕刻劑的 組成比。圖案邊緣的錐角可以通過改變其組成比控制在所需的值內(nèi)。
因此，根據(jù)此示例實施例，即使在層疊膜中，當通過利用第一抗蝕圖 案作為掩模進行第一蝕刻后，當將第二抗蝕圖案重疊在第一抗蝕圖案上以 通過轉(zhuǎn)印突出，并且隨后用上述抗蝕圖案作為掩模進行第二蝕刻時，蝕刻 后的圖案邊緣的形狀可以制作為類似階梯狀的向前錐形形狀。
接下來，將參照圖5說明第七示例實施例。位于圖5的上部上的圖5A 和圖5B的每個為TFT基板的平面視圖，而位于該圖5的下部上的圖5A-I 和圖5B-I分別為沿圖5A和圖5B所示的I-r線的橫截面視圖。
在第六示例實施例中，雖然通過利用用于第一蝕刻劑和第二蝕刻劑的 相似的化學溶液進行層疊膜的蝕刻，但在此實施例中，層疊膜通過利用不 同的蝕刻劑被蝕刻。
首先，當分別層疊270nm和30nm厚度的Al-Nd合金膜和Cr膜26后， 通過在諸如玻璃基板的透明基板的絕緣基板1上的濺鍍方法形成第一抗蝕 圖案9，使得所需的柵極圖案可以通過利用光刻加工方法形成。然后，通 過利用硝酸鈰銨系統(tǒng)的蝕刻劑的第一蝕刻去除Cr膜26(圖5A和圖5A-I)。 第一抗蝕圖案9設(shè)定為制作2(Hirn的柵極配線寬度和25pm的柵電極寬度。
接下來，已經(jīng)在滾筒包襯上形成所需形狀的預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案和基板1 彼此接觸，從而在基板上轉(zhuǎn)印第二抗蝕圖案14，此后加熱基板。第二抗蝕 圖案14覆蓋第一抗蝕圖案9，且該第二抗蝕圖案被設(shè)計為從第一抗蝕圖案 9的左側(cè)和右側(cè)突出1.5pm。
此后，通過利用包括磷酸、硝酸和醋酸的混合酸以上述抗蝕圖案作為 掩模進行第二蝕刻，以去除殘留在基板上的Al-Nd合金膜25，從而在柵 極配線上形成類似階梯狀的向前錐形(圖5B和圖5B-I)。
因此，根據(jù)此示例實施例，即使在很難通過一種蝕刻劑蝕刻的層疊膜 中，當通過利用第一蝕刻圖案作為掩模進行第一蝕刻并將第二抗蝕圖案重 疊在第一抗蝕圖案上以從其突出后，通過利用不同于第一蝕刻劑的其它蝕 刻劑，用上述抗蝕圖案作為掩模進行第二蝕刻，蝕刻后的圖案邊緣的形狀 可以以制作成類似階梯狀的向前錐形。雖然已經(jīng)具體說明了本發(fā)明的第五示例實施例到第七示例實施例，但 具體的結(jié)構(gòu)不局限于此示例實施例，且即使在不偏離本發(fā)明點的范圍內(nèi)， 設(shè)計中具有改變等，其都包括在此本發(fā)明中。
接下來，將參照圖6說明第八示例實施例。位于圖6的上部的圖6A 和圖6B的每個都表示TFT基板的平面視圖。位于該圖6的下部的圖6A-I 到圖6A-IV和圖6B-I到圖6B-IV為沿I-I'至U IV-IV'線的橫截面視圖。圖 6C-IV為圖6C所示的邊緣部分中的放大剖視圖。
此示例實施例同時執(zhí)行在第一示例實施例中說明的數(shù)據(jù)圖案形成方 法和控制在第五示例實施例到第七示例實施例中說明的蝕刻圖案的橫截 面形狀的技術(shù)。
此示例實施例與第一示例實施例之間的不同點是與第二抗蝕圖案的 布置關(guān)系。其它都與第一示例實施例相同。在下文中，將說明第一示例實 施例和此示例實施例之間的技術(shù)構(gòu)思的不同點。
其中通過利用第一抗蝕圖案9作為掩模暴露半導體膜6的絕緣基板1、
以及已經(jīng)在滾筒包襯上形成所需圖案的預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案彼此接觸，從而將 第二抗蝕圖案14轉(zhuǎn)印在基板上，此后加熱基板。
第二抗蝕圖案14被布置為使得該第二抗蝕圖案覆蓋分別具有2pm的 重疊寬度的通道部分和漏電極10以及相鄰通道部分的源電極11 (在圖 6A-II中用"a"表示)。該第二抗蝕圖案在其兩側(cè)處以0.5pm的突出寬度覆 蓋數(shù)據(jù)配線13 (在圖6A-IV中用"b"表示)，且該第二抗蝕圖案還在其兩側(cè) 處以2pim的突出寬度覆蓋數(shù)據(jù)端子12 (在圖6A-III中用"c"表示)。
在此示例實施例中，當TFT的通道寬度(在圖6A中用字母"L"表示) 為6(im，通道長度(在圖6A中用字母"W"表示)為25pm，第二抗蝕圖案 14設(shè)計為在L方向具有10pm的尺寸，在"W"方向具有25jmi的尺寸。 數(shù)據(jù)配線13的寬度(在圖6A中用字母"D"表示)為8pm。
接下來，作為利用HCl/SF6/He/02的混合氣體的第二蝕刻的PE系統(tǒng)的 干蝕刻通過利用上述抗蝕圖案作為掩模來執(zhí)行，以通過去除半導體膜6露 出柵極絕緣膜5，并形成島狀圖案15 (圖6B和圖6B-I到圖6B-IV)。
對于蝕刻過程后由數(shù)據(jù)圖案和半導體膜形成的邊緣的形狀，雖然數(shù)據(jù)
端子12為階梯形狀的向前錐形，但數(shù)據(jù)配線13為向前錐形，而沒有如為 圖6C中所示的邊緣的放大視圖的圖6C-IV中所示的半導體膜的平坦部分 (層疊膜為以一體形式的向前錐形的形狀)。
因此，根據(jù)此實例實施例，通過任意控制布置在用于每個突出部分的 第一抗蝕圖案9的突出量，在圖案邊緣處的平坦距離可以控制在所需的長 度內(nèi)。
在第一到第三現(xiàn)有技術(shù)中，不可能為各部分不同地設(shè)定和設(shè)置圖案邊 緣的平坦距離。
在此示例實施例中制作這種結(jié)構(gòu)的原因如下。在數(shù)據(jù)配線部分中，通 過將配線端子的形狀制作成一體的向前錐形保證了孔徑比。對于數(shù)據(jù)端子 部分，設(shè)置階梯狀的向前錐形，以便鑒于可能暴露到空氣的端子金屬的腐 蝕，改進保護絕緣膜16的涂敷，且部分是由于設(shè)計方面，此部分不是必 須考慮孔徑比，因此提供了一些設(shè)計的自由度。因為通過制作圖案邊緣的 形狀為階梯狀的向前錐形使得外觀上的階梯變小，所以可以改進保護絕緣 膜16的涂敷。從而改進端子金屬的耐腐蝕性。
因此，根據(jù)本發(fā)明，第二抗蝕圖案從第一抗蝕圖案的突出度可以根據(jù) 基板表面中的需要任意和自由設(shè)定。
通過任意設(shè)定突出區(qū)域的量并進行第二蝕刻，可以形成諸如階梯狀或 在平坦部分處具有任意長度的一體的向前錐形的任意圖案。
由于在形成島狀圖案15后制造TFT基板、LCD面板和LCD裝置的 方法與在第一示例實施例中相同，所以在此省略該方法的說明。
雖然已經(jīng)對本發(fā)明的第八示例實施例進行了詳細說明，但具體的結(jié)構(gòu) 不局限于此示例實施例，且即使在不偏離本發(fā)明點的范圍內(nèi)在設(shè)計中具有 改變等，其都包括在此本發(fā)明中。
本發(fā)明的第八示例實施例的內(nèi)容為通過轉(zhuǎn)印方法將第二抗蝕圖案布 置在第一抗蝕圖案上，使得至少一部分所述圖案延伸到使該第一抗蝕圖案 和該第二抗蝕圖案在基板上彼此重疊的程度，其中所述基板已經(jīng)經(jīng)過用第 一抗蝕圖案作為掩模的第一蝕刻，且此后進行第二蝕刻，從而使己蝕刻的 圖案的橫截面形狀成為諸如階梯狀或在平坦部分處具有各種長度的一體 形狀的向前錐形。
接下來，將參照圖7說明第八示例實施例的第一改進方式(改進方式
一)。位于圖7的上側(cè)的圖7A和圖7B的每個都表示TFT基板的平面視圖。 位于圖7的下部的圖7A-V和圖7B-V的每個表示沿為柵極配線4和數(shù)據(jù) 配線13的相交部分的平面視圖上所標示的V-V'線的橫截面視圖。
首先，在分別用于說明第一和第八示例實施例的圖1和圖6的橫截面 視圖中，為容易理解本發(fā)明，布置在柵極圖案上的柵極絕緣膜5的表面以 平坦形狀說明，而不涉及柵極圖案的位置。然而，事實上，當柵極絕緣膜 5形成于柵極圖案上時，該柵極絕緣膜的膜表面形狀反映柵極圖案的凸起 形狀。因此，在圖7中，起初就會注意，其橫截面視圖根據(jù)實際條件顯示， 而此示例實施例的說明也根據(jù)此條件進行。
第一示例實施例與此示例實施例之間的不同是與第二抗蝕圖案的布 置關(guān)系。其它都與第一示例實施例相同。下面將詳細說明第一示例實施例 和此示例實施例之間的技術(shù)不同點。
圖7A的平面視圖表示已經(jīng)完成第一示例實施例中的第二蝕刻的狀態(tài) (該狀態(tài)對應(yīng)于圖1D的步驟)。參照沿V-V'部分(柵極配線4和數(shù)據(jù)配 線13之間的相交部分)的線的橫截面視圖，數(shù)據(jù)配線13的表面和柵極絕 緣膜5的表面之間的垂直間隔(該垂直間隔為圖7A中表示的"a")接近等 于柵極配線4、半導體膜6、接觸膜7和數(shù)據(jù)配線13的膜厚度的總和。在 此示例實施例中，當這些膜厚度在普通TFT中設(shè)定成使得柵極配線4為 300nm、半導體膜6為200nm、接觸膜7為30nm且數(shù)據(jù)配線13為300nm 時，垂直間隔大約為830nm。
如上所述，在TFT的制造步驟中，雖然保護絕緣膜16布置在數(shù)據(jù)圖 案上，但此保護絕緣膜16的厚度為大約150-250nm。
因此，因為在柵極配線4和數(shù)據(jù)配線13之間的相交部分處的階梯 (830nm)的厚度為布置在其上的保護絕緣膜16的厚度(150-200nm)的 幾倍，所以為了很好地以保護絕緣膜覆蓋階梯部分，具有許多技術(shù)問題。
當在不能充分地將保護絕緣膜16涂敷在柵極配線4和數(shù)據(jù)配線13的 相交部分上的狀態(tài)下驅(qū)動LCD面板時，由于在液晶中的離子分布的不均 勻性導致出現(xiàn)顯示不均勻性，所以由于略微存在于液晶中的水造成諸如配 線腐蝕的缺陷。
42 為了解決這種問題，在如圖7B和圖7B-V所示的此實例實施例中， 第二抗蝕圖案14布置為大于柵極配線4和數(shù)據(jù)配線13的相交面積2pm。
這樣，通過將第二抗蝕圖案14布置在柵極配線4和數(shù)據(jù)配線13的相 交部分上，數(shù)據(jù)配線13和柵極絕緣膜5的表面之間的垂直間隔(該垂直 間隔由圖7B-V中的"a"表示)被分成由數(shù)據(jù)配線13、接觸膜7和柵極配 線4形成的第一垂直間隔(該第一垂直間隔由圖7B-V中的"b"表示)、以 及由半導體膜6形成的第二垂直間隔(該第二垂直間隔由圖7B-V中的"c" 表示)，因此表面的垂直間隔變?yōu)楹苄?，從而改進保護絕緣膜的涂敷。
上述垂直間隔的情況與柵電極2的一部分相似。
因此，在此示例實施例中，如圖7B和圖7B-V所示，覆蓋布置在源 電極11和漏電極IO上的第一抗蝕圖案的一部分并延伸到通道部分的第二 抗蝕圖案形成為分別大于源電極11和柵電極2的相交部分2pm、以及大 于漏電極10和柵電極2的相交部分2pm。
通過依此方式進行，也可以在一部分柵電極2處提供階梯狀的向前錐 形，因此可以明顯減小相交部分的垂直間隔。
在此，雖然布置在柵極配線4和數(shù)據(jù)配線13的相交部分、源電極ll 和柵電極2之間的相交部分、以及漏電極10和柵電極2之間的相交部分 上的第二抗蝕圖案設(shè)定為大于以上每個相交部分2pm，但第二抗蝕圖案也 可以設(shè)定為大于以上每個相交部分0.5pm，以便如第八示例實施例中所述 形成一體的向前錐形。通過執(zhí)行該操作，雖然外表的垂直間隔不會變小， 但改進了階梯覆蓋。
如上所述，根據(jù)此示例實施例，因為當?shù)诙刮g圖案14布置在柵極 圖案和數(shù)據(jù)圖案之間的相交位置上并從第一抗蝕圖案9突出時，可以減小 相交部分中的明顯階梯，所以可以改進保護絕緣膜16的涂敷。
雖然已經(jīng)在上面說明了第一示例實施例到第八示例實施例(包括改進 方式)，但根據(jù)本發(fā)明可以將第二抗蝕圖案以任意位置、任意尺寸和任意 形狀轉(zhuǎn)印在絕緣基板上。
如在第一示例實施例或第八示例實施例(包括改進方式)中說明的轉(zhuǎn) 印在絕緣基板上的第二抗蝕圖案可以通過利用由凸版印刷表示的膠印、或 印刷版設(shè)置有孔的凹版印刷或密封印刷形成。當使用密封印刷方法時，排
除在上述實施例中說明的關(guān)于滾筒包襯的問題。
在第一示例實施例至第八示例實施例(包括改進方式)的說明中，雖 然公開了第一抗蝕圖案利用公知的光刻加工方法形成時的情況，但該第一 抗蝕圖案也可以通過利用用于形成第二抗蝕圖案的轉(zhuǎn)印進行布置。
第一示例實施例至第八示例實施例(包括改進方式)可以組合并適當 地執(zhí)行。
在第一示例實施例至第八示例實施例(包括改進方式)的說明中，雖
然已經(jīng)集中說明了TN系統(tǒng)的LCD裝置，但不局限于TN系統(tǒng)，也可以應(yīng) 用到諸如IPS系統(tǒng)和VA系統(tǒng)的其它LCD系統(tǒng)。此外，也不局限于LCD 裝置，而是可以應(yīng)用到諸如電子部件的制造方法。
雖然已經(jīng)詳細說明了第一示例實施例至第八示例實施例(包括改進方 式)，但具體的結(jié)構(gòu)不局限于這些示例實施例，且即使在不偏離本發(fā)明點 的范圍內(nèi)在設(shè)計中具有改變等，其都包括在此本發(fā)明中。
接下來，參照圖8到圖10，對于第九示例實施例，將詳細說明公開在 第一示例實施例至第八示例實施例(包括改進方式)的將第二抗蝕圖案14 轉(zhuǎn)印在基板上以及加熱已印刷的基板的技術(shù)。用于此示例實施例的凸版反 轉(zhuǎn)式膠印機顯示在圖8中。
用于本發(fā)明的印刷機包括印刷模壓臺63、基板表面板部分70以及抗 蝕劑涂敷部分88。印刷模壓臺部分63包括至少沿固定框架51平直移動 的可移動框架52 (此可移動框架的平直運動的方向為X-軸向)、安裝在垂 直于X-軸向的方向(使此方向為Y-軸向，g卩，此圖紙的深度方向)上的 圓筒狀橡皮滾筒53、巻繞橡皮滾筒53的滾筒包襯54、以及在Y-軸向上延 伸用于在滾筒包襯54上形成抗蝕膜55的涂布機56。
印刷模壓臺部分63包括固定在固定框架51上的第二印刷模壓臺57、 第一印刷模壓臺58 (相對位置的改變方向可以總共為五個軸向，S口， X-方向、Y-方向、XY-方向的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的e方向、垂直于XY-方向的Z-方向、 以及XY-平面的傾斜方向的a方向)、固定在第一印刷模壓臺58上的負片 印模(用于從滾筒包襯上去除抗蝕劑墨水膜的凸版印模)59、以及用于進 行負片印模59的粗對準的三個板對準設(shè)備63-65。
基板表面板部分70配備有固定在固定框架51上的第二基板表面板 60、第一基板表面板61 (相對位置的改變方向可以總共為五個軸向，艮口， X-方向、Y-方向、XY-方向的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的e方向、垂直于XY-方向的Z-方 向、以及XY-平面的傾斜方向的a方向)、固定在第一基板表面板61上的 印刷基板62、以及用于進行印刷基板62的粗對準的三個基板對準設(shè)備 73-74。
此實施例的一系列處理步驟包括以下步驟
1) 對準負片印模；
2) 對準印刷基板
3) 將抗蝕劑墨水膜形成于滾筒包襯上；
4) 通過使抗蝕劑墨水膜與負片印模接觸，在滾筒包襯的表面上形成 預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案；
5) 通過使形成于滾筒包襯的表面上的預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案與印刷基板接 觸，將第二抗蝕圖案14轉(zhuǎn)印在印刷基板上；以及
6) 加熱基板。
一系列步驟將順序說明如下。
1)負片印模的對準步驟
板和印刷模壓臺的對準步驟將參照圖9A、圖9B和圖9C說明。圖9A 是顯示在圖8中的印刷模壓臺部分63的側(cè)視圖，圖9B是其俯視圖，圖 9C表示對準標記的圖案。負片印模59固定在具有大尺寸的第一印刷模壓 臺58上，使得負片印模59的整個表面位于該第一印刷模壓臺上。負片印 模59和第一印刷模壓臺58的固定方法通過在印刷模壓臺中切出凹進狹槽 并將該狹槽連接到真空系統(tǒng)(未顯示)進行。
在負片印模59上，凹進和凸出圖案設(shè)置為使得凹進圖案對應(yīng)于第二 抗蝕圖案14的將轉(zhuǎn)印在印刷基板62上的部分，而凸出圖案對應(yīng)于不轉(zhuǎn)印 的部分。掩模等級的鈉鈣玻璃用作負片印模59，所述負片印模在X-方向 具有500mm的尺寸，在Y-方向具有400mm的尺寸，而在Z-方向(厚度 方向)具有4.8mm的尺寸。通過在上述鈉鈣玻璃的整個表面上形成Cr膜， 將抗蝕劑施加在該Cr膜上，通過利用激光選擇地去除抗蝕劑以形成對應(yīng) 于第二抗蝕圖案的去除圖案，通過利用抗蝕劑作為掩模蝕刻Cr膜，剝離
蝕刻劑，通過利用Cr作為掩模蝕刻玻璃板以形成具有6pm深度的凹進圖 案，此后通過蝕刻去除Cr膜以提供負片印模59來制造負片印模59。
板對準設(shè)備66-68為設(shè)置為利用相機圖像確定板的安裝位置的公知設(shè) 備。這些板對準設(shè)中備的每個都設(shè)置有識別圖像的照相機、放置在照相機 前面的照相機側(cè)對準標記65、以及根據(jù)用照相機識別的圖像移動第一印刷 模壓臺58的控制機構(gòu)部分(未顯示)。如圖9B所示，兩個遠側(cè)的板對準 設(shè)備67和68以及近側(cè)的板對準設(shè)備66分別連接到固定框架51。
每個板側(cè)對準標記64設(shè)置在負片印模59的三個位置上，而每個照相 機側(cè)對準標記65設(shè)置在板對準設(shè)備66-68上，使得相對的兩個標記布置 為滿足預定的位置關(guān)系。
此外，優(yōu)選形成板側(cè)對準標記作為負片印模上的凹進圖案。通過將該 板側(cè)對準標記形成凹進圖案，上述對準標記可以轉(zhuǎn)印到基板上。因此，可 以實現(xiàn)第三示例實施例。
如圖9C所示，負片印模59的對準通過移動印刷模壓臺58的軸線進 行，使得板側(cè)對準標記64位于照相機側(cè)對準標記65的中心位置處。因此， 通過對準負片印模59，可以確定負片印模59到設(shè)備的位置。
形成遠側(cè)的板對準設(shè)備67的照相機側(cè)對準標記的對應(yīng)部分的板側(cè)對 準標記和形成近側(cè)的板對準設(shè)備66的照相機側(cè)對準標記的對應(yīng)部分的板 側(cè)對準標記從X-軸的方向來看位于相同的位置上。形成遠側(cè)的板對準設(shè) 備67的照相機側(cè)對準標記的對應(yīng)部分的板側(cè)對準標記和形成板對準設(shè)備 68的照相機側(cè)對準標記的對應(yīng)部分的板側(cè)對準標記從Y-軸的方向來看位 于相同的位置上。這些對準標記布置在將在后面變成LCD面板的TFT圖 案部分69。
因此，通過將板側(cè)對準標記布置在負片印模59的三個位置上，可以 在X-軸、Y-軸和e-軸的方向上進行對準。通過在TFT圖案部分69的外部 布置對準標記，當抗蝕圖案布置在基板上時，在TFT圖案中的對準差異 可以很小。因此，抗蝕圖案可以以高位置精度轉(zhuǎn)印在印刷基板62上。雖 然在以上實例中使用三個對準標記，但多于三個的標記也適用。
2)印刷基板的對準步驟
下面將參照圖IOA、圖10B和圖10C說明印刷基板62和基板表面板
的對準的說明。圖IOA是圖8中的基板表面板部分70的側(cè)視圖，圖10B 是俯視圖，圖IOC表示對準標記圖案。印刷基板62固定在基板表面部分 61上?；灞砻姘?1具有大于印刷基板62的尺寸，而印刷基板62的整 個表面布置在基板表面板61上。印刷基板62和基板表面板61的固定方 法通過將凹進狹槽切進印刷模壓臺中并將狹槽連接到真空系統(tǒng)(未顯示) 進行。無堿玻璃基板用作印刷基板62，所述印刷基板在X-方向具有470mm 的尺寸，在Y-方向具有360mm的尺寸，而在Z-方向(厚度)具有0.7mm 的尺寸。
基板對準設(shè)備72-74為設(shè)置為利用相機圖像確定印刷基板的安裝位置 的公知設(shè)備。這些基板對準設(shè)備中的每個都設(shè)置有識別圖像的照相機、放 置在照相機前面的照相機側(cè)對準標記71、以及根據(jù)用照相機識別的圖像移 動第一基板表面板61的控制機構(gòu)部分(未顯示)。如圖IOB所示，兩個遠 側(cè)的基板對準設(shè)備73和74以及近側(cè)的基板對準設(shè)備72分別連接到固定 框架51。
近側(cè)的基板對準設(shè)備72和近側(cè)的板對準設(shè)備66、遠側(cè)的基板對準設(shè) 備73和遠側(cè)的板對準設(shè)備67、以及基板對準設(shè)備74和板對準設(shè)備68應(yīng) 該分別相同地布置到印刷基板。
每個基板側(cè)對準標記75設(shè)置在印刷基板62的三個位置上，而每個照 相機側(cè)對準標記71設(shè)置在基板對準設(shè)備72-74上，使得相對的兩個標記 布置為滿足預定的位置關(guān)系。
在第二抗蝕圖案14被轉(zhuǎn)印之前，此基板側(cè)對準標記75可以使用通過 任意層或第一抗蝕圖案9形成的標記。然而，在此實例實施例中，第一抗 蝕圖案9用作基板側(cè)對準標記。當采用第一抗蝕圖案9作為對準標記時， 因為該第一抗蝕圖案可以直接布置有第二抗蝕圖案14，所以改進了印刷的 位置精度。
這樣，可以實際使用第三實例實施例(參照圖3)。
如圖10C所示，移動基板表面板61，執(zhí)行印刷基板62的對準使得基 板側(cè)對準標記75和照相機側(cè)對準標記71彼此調(diào)節(jié)。印刷基板62到設(shè)備 的位置以此方式確定。
形成遠側(cè)的基板對準設(shè)備73的照相機側(cè)對準標記的對應(yīng)部分的基板
側(cè)對準標記和形成近側(cè)的基板對準設(shè)備72的照相機側(cè)對準標記的對應(yīng)部 分的基板側(cè)對準標記從X-軸的方向來看位于相同的位置上。形成遠側(cè)的 基板對準設(shè)備73的照相機側(cè)對準標記的對應(yīng)部分的基板側(cè)對準標記和形 成基板對準設(shè)備74的照相機側(cè)對準標記的對應(yīng)部分的基板側(cè)對準標記從 Y-軸的方向來看位于相同的位置上。這些對準標記布置在將在后面變成 LCD面板的TFT圖案部分76的外部。
因此，通過將基板側(cè)對準標記布置在印刷基板62的三個位置上，對 準可以在X-軸、Y-軸和e-軸的方向上進行。通過在TFT圖案部分76的外 部布置對準標記，當?shù)诙刮g圖案布置在基板上時，在TFT圖案中的對 準差異可以很小。因此，抗蝕圖案可以以高位置精度轉(zhuǎn)印在印刷基板62 上。雖然在以上實例中使用三個對準標記，但多于三個的標記也適用。
為了保證印刷的精度，固定在印刷模壓臺58上的負片印模59和固定 在基板表面板61上的印刷基板62的表面高度制作的相同，且可以保證更 好的印刷精度。
3) 在滾筒包襯上形成抗蝕劑墨水膜的步驟
由本發(fā)明使用的涂布機56為沿Y-軸方向伸長和安裝的毛細管(CAP) 涂布機。CAP涂布機的長度制作為350nm。 CAP涂布機的蓋制作為具有 通過毛細管現(xiàn)象引起大約0.2mm的抗蝕劑墨水的寬度。安裝在可移動框 架52中的橡皮滾筒53在Z-軸方向上下降以與抗蝕劑墨水接觸。此后，橡 皮滾筒53升起大約0.4mm，以在滾筒包襯54和蓋之間形成抗蝕劑的流道 (bead)。接下來，橡皮滾筒53通過滾筒包襯表面的移動速度以20mm/s 的速率旋轉(zhuǎn)，而抗蝕劑墨水膜55形成于滾筒包襯54上。所述流道通過抗 蝕劑墨水膜成形后更多地向上移動蓋被破壞。形成于滾筒包襯上的抗蝕劑 墨水膜55保留1分鐘以蒸發(fā)溶劑，以提供使得在圖像拉出時保持該抗蝕 劑墨水膜的形狀的觸變度。在此使用的抗蝕劑墨水為酚醛清漆樹脂，但不 具有感光性，而粘度為10cp，成分由樹脂組成PGMEA (l-甲氧基-2-醋 酸丙酯)IPA (異丙醇)=15wt%: 25wt%: 60wt% 。滾筒包襯54由硅 樹脂制成。
4) 通過抗蝕劑墨水膜與負片印模接觸在滾筒包襯表面上形成預轉(zhuǎn)移
抗蝕圖案的步驟(圖像拉出的步驟)
可移動框架52移動到圖像拉出開始位置，且橡皮滾筒53也旋轉(zhuǎn)以到 達圖像拉出開始位置，從而使該橡皮滾筒到達圖像拉出的開始點。接下來， 橡皮滾筒53在Z-軸方向上下降到負片印模59和滾筒包襯54的夾住寬度 (nip width)變?yōu)?0mm的位置。通過使負片印模59和抗蝕劑墨水膜55 接觸，并在保持可移動框架52的移動速度和滾筒包襯54的表面的旋轉(zhuǎn)速 度相同的同時移動該負片印模和該抗蝕劑墨水膜，在滾筒包襯54上形成 預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案。此后，橡皮滾筒53在Z-軸向上升高到不接觸負片印模 59的位置。
優(yōu)選滾筒包襯54的表面在圖像拉出過程和抗蝕劑墨水膜形成過程中 的兩個移動速度相同。
因此，通過圖像拉出過程在抗蝕劑墨水膜成形過程期間，形成于滾筒 包襯54上的抗蝕劑墨水膜55在滾筒包襯的每個位置上以相等的周期產(chǎn) 生。
通過使兩個過程周期以此方式相等，因為抗蝕劑墨水膜55的干燥條 件(觸變度)在每個位置都相同，所以可以在滾筒包襯54上形成穩(wěn)定的圖案。
在此實例實施例中，滾筒包襯54的表面的移動速度為20mm/s。 5)通過使抗蝕劑墨水膜與印刷基板接觸，在滾筒包襯表面上形成預 轉(zhuǎn)移抗蝕圖案的步驟(轉(zhuǎn)印的步驟)
可移動框架52移動到轉(zhuǎn)印開始位置，且橡皮滾筒53也旋轉(zhuǎn)以到達轉(zhuǎn) 印開始位置，從而使其到達轉(zhuǎn)印的開始點。轉(zhuǎn)印開始點和圖像拉出開始點 之間的位置關(guān)系儲存在設(shè)備的控制系統(tǒng)中。且由于負片印模59和印刷基 板62的基板位置分別通過對準確定，所以形成于印刷基板62上的第一抗 蝕圖案9和第二抗蝕圖案14可以重疊。接下來，橡皮滾筒53在Z-軸向上 下降到負片印模59和滾筒包襯54的夾住寬度變?yōu)?0mm的位置。通過使 印刷基板62和抗蝕劑墨水膜55接觸，并在保持可移動框架52的移動速 度和滾筒包襯54的表面的旋轉(zhuǎn)速度相同的同時移動該印刷基板和該抗蝕 劑墨水膜，.在滾筒包襯54上形成預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案。此后，橡皮滾筒53在 Z-軸向上升高到不接觸印刷基板62的位置。滾筒包襯54的表面的移動速 度在此設(shè)定為20mm/s。
優(yōu)選滾筒包襯54的表面在圖像拉出過程和抗蝕圖案轉(zhuǎn)印過程中的移 動速度相同。
因此，在圖像拉出到進行轉(zhuǎn)印的基板后的滾筒包襯的每個位置上以相 等的過程周期產(chǎn)生形成于滾筒包襯54上的預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案。
通過使過程周期相等，因為預轉(zhuǎn)移圖案的干燥條件(觸變度)在每個 位置都相同，所以可以在基板上形成穩(wěn)定的圖案。
接下來，將說明用于獲得良好的轉(zhuǎn)印圖案的在圖像拉出方向和轉(zhuǎn)印方 向的決定程序。
良好的抗蝕圖案可以通過以其對于圖像拉出和轉(zhuǎn)印的方向的優(yōu)先順 序選擇以下決定制作項目(1)到(3)，布置在印刷基板上。
這種優(yōu)先順序的原因在于很難在膠印的印刷方向上形成小圖案。
(1) 在轉(zhuǎn)移圖案包括具有小于lOpm寬度的窄圖案的情況下，根據(jù) 在具有不大于l(Him寬度的這些窄圖案之中的最長圖案，通過將圖像拉出 方向和轉(zhuǎn)印方向設(shè)置為最長圖案的伸長方向的相同方向執(zhí)行圖像拉出和 轉(zhuǎn)印。
(2) 在轉(zhuǎn)移圖案不包括具有不大于10pm寬度的圖案的情況下，根 據(jù)在具有不大于30pm寬度的這些圖案之中的最長圖案，通過將圖像拉出 方向和轉(zhuǎn)印方向設(shè)置成與最長圖案的伸長方向的方向傾斜大約20度來執(zhí) 行圖像拉出和轉(zhuǎn)印。
(3) 在轉(zhuǎn)移圖案不包括具有不大于30pm寬度的圖案的情況下，根 據(jù)與其寬度尺寸無關(guān)的最長圖案，通過將圖像拉出方向和轉(zhuǎn)印方向設(shè)置成 與最長圖案的伸長方向的方向傾斜大約45度來執(zhí)行圖像拉出和轉(zhuǎn)印。
待確定的圖像拉出方向和轉(zhuǎn)印方向涉及以下因素[l]由抗蝕劑材料及 其膜厚度以及橡皮滾筒的旋轉(zhuǎn)速度產(chǎn)生的剪切力，[2]在圖像拉出過程中的 負片印模相對抗蝕劑的粘附力量和抗蝕劑相對滾筒包襯的粘附力量之間 的力量關(guān)系，以及在轉(zhuǎn)印過程中的抗蝕劑相對滾筒包襯的粘附力量和印刷 基板相對抗蝕劑的粘附力量之間的力量關(guān)系。
然而，因為溶劑隨著時間從抗蝕劑蒸發(fā)，所以不可能測量上述粘附性 和彈性，且其不能數(shù)字化。因此，上述決定程序被確定為經(jīng)驗法則。
上述經(jīng)驗法則通過改變以下各種因素由本發(fā)明者確定改變諸如酚醛
清漆樹脂、丙烯酸樹脂、以及酚醛清漆樹脂和丙烯酸樹脂的混合物的抗蝕
劑的種類；在10-30wt^的范圍內(nèi)改變抗蝕劑的樹脂密度；在0.5pm-1.5pm 的范圍內(nèi)改變抗蝕劑膜厚度；在15-50mm/s的范圍內(nèi)改變滾筒包襯54的 表面的移動速度，用玻璃或Cr改變負片印模的凸出部分的材料；以及改 變在圖像拉出和轉(zhuǎn)印時由滾筒包襯、負片印模和印刷基板形成的7-20mm 的范圍內(nèi)的夾住。
例如，應(yīng)該在與第一示例實施例的圖1D中所示的大的白色箭頭表示 的通道寬度"W"方向的相同的方向上，進行用于第二抗蝕圖案14的圖像 拉出過程或轉(zhuǎn)印過程的方向。在第二示例實施例中，如圖2B中的大的白 色箭頭所示，這些處理所需的方向沿著同第一示例實施例一樣的數(shù)據(jù)線的 伸長方向。在第五示例實施例中，如圖4B中的大的白色箭頭所示，雖然 這些處理所需的方向沿著柵極線的伸長方向，S卩，垂直于柵電極的伸長方 向的方向，但考慮到上述優(yōu)先順序，最好傾斜基板。在第八示例實施例中， 如圖6B中的大的白色箭頭所示，這些處理所需的方向沿著數(shù)據(jù)配線的伸 長方向。在第八示例實施例的一個改進方式中，如圖7B中的大的白色箭 頭所示，這些處理所需的方向沿著數(shù)據(jù)線的伸長方向。
6)加熱印刷基板的步驟
將其上已經(jīng)轉(zhuǎn)印第二抗蝕圖案的印刷基板在120'C下加熱5分鐘，以 通過蒸發(fā)其中的溶劑干燥抗蝕劑。干燥后的抗蝕圖案14的膜厚度為 l.Opm。通過此干燥過程，也改進了抗蝕劑膜和基礎(chǔ)膜(ground film)之
間的粘附。
在此示例實施例中，由于抗蝕圖案通過轉(zhuǎn)印形成，所以使用的抗蝕劑 材料沒有感光性，但也可以使用感光樹脂。
在此示例實施例中，第一抗蝕圖案通過利用公知的光刻加工方法形 成，因此使用具有感光性的正性酚醛清漆樹脂。對于第二抗蝕圖案，使用 無感光性的酚醛清漆樹脂。
當設(shè)置有第二抗蝕圖案的基板在轉(zhuǎn)印后立即用上述條件加熱后，檢查 印刷基板為破裂，從而在此后在第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案之間確認邊 界。
然而，當設(shè)置有第二抗蝕圖案的基板在轉(zhuǎn)印后在2分鐘后用上述條件
加熱時，檢査印刷基板為破裂，從而確認第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案之 間沒有這種邊界。
對于這兩種干燥的印刷基板62，雖然在第一示例實施例中說明的樣品 (圖1D和圖1D-I到III)用硝酸鈰銨系統(tǒng)的蝕刻劑處理180秒，但在其 之間的蝕刻結(jié)構(gòu)中不能確認具體的差異。然后，進行相似的蝕刻處理500
秒并觀察。
結(jié)果，在轉(zhuǎn)印后立即加熱的樣品中的第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案之 間的重疊邊界區(qū)段中確認楔形異常蝕刻結(jié)構(gòu)。這種異常蝕刻結(jié)構(gòu)被認為是 由第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案之間的粘附造成。
因此，需要選擇材料和過程條件，使得用于第一抗蝕圖案的抗蝕劑材 料形成為與用于第二抗蝕圖案的抗蝕劑材料混合。
在此情況下，優(yōu)選將第一抗蝕圖案材料和第二抗蝕圖案材料以下述方 式混合，該方式為使兩種抗蝕劑材料略微混合到無法區(qū)分兩種抗蝕劑材料 的相界的程度，同時保持第二抗蝕圖案的形狀不被破壞。因此，兩種抗蝕 劑材料不需要為相似的抗蝕劑樹脂，而是例如可以為酚醛清漆樹脂和丙烯 酸樹脂的化合物，或者環(huán)氧化物和聚酰亞胺或類似材料的混合。
自然地，在抗蝕劑材料中要求很高的抗蝕刻性。由于特別是第一抗蝕 圖案曝光為至少蝕刻兩次，因此與第二抗蝕圖案材料相比，抗蝕刻性最好 很咼。
在此示例實施例中，雖然當?shù)谝豢刮g圖案通過利用公知的光刻法提 供，但第一抗蝕圖案也可以通過利用轉(zhuǎn)印以及第二抗蝕圖案提供。
為了提高抗蝕刻性，可以使抗蝕劑材料具有熱固特性或照相排字特性 (photosettingproperty)。當給出熱固特性或照相排字特性時，改進了抗蝕 劑材料與基板的粘附，且當蝕刻過程后可以形成良好的圖案。
酚醛清漆樹脂具有高的膜特性(膜密度小)。另一方面，丙烯酸樹脂 具有進入到酚醛清漆樹脂的分子之間的特性。因此，通過將丙烯酸樹脂加 入到酚醛清漆樹脂中形成混合材料，提高了膜密度，并可以提高蝕刻的阻 力。
在此示例實施例中，近側(cè)的基板對準設(shè)備72和近側(cè)的板對準設(shè)備66、 遠側(cè)的基板對準設(shè)備73和遠側(cè)的板對準設(shè)備67、以及基板對準設(shè)備74
52
和板對準設(shè)備68分別同樣地布置到印刷基板上。此外，因為板側(cè)對準標 記64轉(zhuǎn)印在印刷基板62上，而基板側(cè)對準標記75制作為第一抗蝕圖案， 所以當?shù)诙刮g圖案的轉(zhuǎn)印位置正確時，第一抗蝕圖案位于外部，而第二 抗蝕圖案位于該第一抗蝕圖案的中心處。第二抗蝕圖案相對第一抗蝕圖案 的布置關(guān)系可以通過觀察此狀態(tài)確認。通過在設(shè)備中反映出上述布置關(guān)系 的這種觀察結(jié)構(gòu)作為圖像拉出開始點或轉(zhuǎn)印開始點的偏移值，可以提高第 二抗蝕圖案相對第一抗蝕圖案的轉(zhuǎn)印位置精度。
考慮第一示例實施例到第五示例實施例以及第八示例實施例，因為柵 極圖案己經(jīng)形成于印刷基板62上，所以印刷基板62的對準通過利用柵極 層設(shè)置的基板側(cè)對準標記進行。
當通過利用相同的凸版反轉(zhuǎn)式膠印機在朝向基板的相同方向上轉(zhuǎn)印 第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案時，可以忽略由固定框架的直接前進等造成 的圖案變形，并可以提高第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案的重疊精度。
此外，通過利用橡皮滾筒的相同位置轉(zhuǎn)印第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖 案，可以忽略由橡皮滾筒的粗糙度等造成圖案變形。通過利用相同的滾筒 包襯的相同位置的轉(zhuǎn)印，也可以忽略由滾筒包襯的厚度變化的粗糙度等造 成變形。這樣，可以進一步提高重疊精度。
雖然已經(jīng)通過以上第九示例實施例的說明詳細說明了凸版反轉(zhuǎn)式膠 印機，但具體的結(jié)構(gòu)不局限于此示例實施例，且即使在不偏離本發(fā)明點的 范圍內(nèi)在設(shè)計中具有改變等，其都包括在此本發(fā)明中。
本發(fā)明總體上可以應(yīng)用到膠印。本發(fā)明也可以應(yīng)用到例如凸版印刷和 凹版印刷或類似應(yīng)用。
接下來，作為第十示例實施例，以下將說明預先處理技術(shù)，其在完成 第一蝕刻后布置第二抗蝕圖案14之前進行。
此示例實施例的目的是解決用于制造在最近幾年變?yōu)榇笃聊坏恼麄€ LCD面板表面上的完美面板的這種生產(chǎn)問題。
理想地，第二抗蝕圖案14以及第一抗蝕圖案9或圖案14之間作為曝 光基礎(chǔ)基板的粘附較高。
為了提高粘附性，這些處理制作為例如去除諸如由于形成于第一抗蝕圖案9的表面以及用于清洗的被曝光的基礎(chǔ)基板的表面上的物理和/或化 學狀態(tài)造成的變質(zhì)層或沉積層的這些損壞層，或進行粘附改進過程而不用 采用損壞層的去除。
首先，去除損壞層的方法為輕微地蝕刻形成于第一抗蝕圖案9上的損 壞層。
在此示例實施例中，如同在第一現(xiàn)有技術(shù)的第二問題中說明的問題一 樣，不需要在整個表面上均勻地去除損壞層。在此示例實施例中，當包含 在抗蝕劑中的溶劑通過使溶劑可以被去除到從剩余損壞部分的間隙進入 的程度時，其中所述抗蝕劑被干燥到使得盡管其包含溶劑也會保持其形狀 的程度，可能在第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案之間失去邊界。
對已經(jīng)在第一示例實施例中完成第一蝕刻的基板進行預處理，通過以 下過程進行通過以0.6XTMAH (稍微蝕刻)噴淋30秒稍微去除包括損 壞層的第一抗蝕圖案的去除過程、在水中的洗滌過程、以及用N2氣的干 燥過程。然后，第二抗蝕圖案通過利用凸版反轉(zhuǎn)式膠印被轉(zhuǎn)印，并在120°C 下加熱5分鐘而沒有保留時間。
作為破裂和觀測樣品的結(jié)果，確認與上述沒有預處理的情況相比，在 利用酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹脂以及酚醛清漆樹脂和丙烯酸樹脂的混合樹 脂中的任何一個的各樣品中，第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案的邊界變得不 清楚。
雖然TMAH作為預處理溶液用于此示例實施例中，但當可以稍微蝕 刻抗蝕劑時，也可使用其它蝕刻劑。當抗蝕劑由酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹 脂以及酚醛清漆樹脂和丙烯酸樹脂的混合樹脂成分中的任何一個構(gòu)成時， 堿性溶液都適用。除了TMAH夕卜，作為堿性溶液的實例，胺系統(tǒng)溶液和 羥基化堿金屬水溶液或類似溶液都適用。
當堿性溶液與表面活性劑材料混合時，提高了抗蝕劑和預處理液體之 間的潤濕性，從而能夠更有效地進行輕微蝕刻。
輕微蝕刻不局限于濕蝕刻系統(tǒng)，而是可以為利用02氣體或類似氣體 和UV燈或類似物的灰化的干燥方法。
為了提高粘附性而不采用這種處理作為損壞層和表面清洗的去除，例 如，最好將抗蝕圖案暴露到HMDS (六甲基二硅垸基胺)的蒸汽中。 [第十一示例實施例]
接下來，作為第十一示例實施例，將說明在布置第二抗蝕圖案后在第 二蝕刻之前進行的后處理。
此示例實施例的目的是解決用于制造在最近幾年變?yōu)榇笃聊坏恼麄€
LCD面板表面上的完美面板的生產(chǎn)問題。
在第九示例實施例中說明的凸版反轉(zhuǎn)式膠印中，當?shù)诙刮g圖案轉(zhuǎn)印 到印刷基板上時，滾筒包襯和印刷基板接觸。
理想地，雖然抗蝕劑不粘附到滾筒包襯的多余部分上，即，抗蝕圖案 只轉(zhuǎn)印到指定區(qū)域上，但當同樣的滾筒包襯在大量的生產(chǎn)中使用多個小時 后時，具有薄膜形狀的抗蝕劑殘渣(漂泥)殘留在滾筒包襯上，且漂泥有 時轉(zhuǎn)印在印刷基板上。
很少地，在圖像拉出和轉(zhuǎn)印期間，抗蝕劑造成拉絲，因此薄絲狀抗蝕 劑轉(zhuǎn)印在這些不必要的部分(錯誤圖案)上。當這種漂泥和錯誤圖案轉(zhuǎn)印 在印刷基板62上時，將形成不需要的圖案。
為了解決該問題，漂泥和錯誤圖案應(yīng)該在用于轉(zhuǎn)印在印刷基板上的抗 蝕劑圖案的蝕刻過程之前去除。
漂泥和錯誤圖案可以通過輕微蝕刻在第十示例實施例中說明的損壞 層的同樣過程去除。
在以上第十示例實施例和第十一示例實施例的說明中，雖然其已經(jīng)公 開了將抗蝕圖案布置基板上之后或之前的其它技術(shù)，但具體的結(jié)構(gòu)不局限 于此示例實施例，且即使在不偏離本發(fā)明點的范圍內(nèi)在設(shè)計中具有改變 等，其都包括在此本發(fā)明中。
利用根據(jù)需要的圖，雖然已經(jīng)在以上第一示例實施例到第十一示例實 施例的說明中公開了本發(fā)明，但是為了使本發(fā)明更清晰做出了其它的說 明。
首先，使本發(fā)明中的"抗蝕圖案"的定義更清晰。在本發(fā)明中，"抗蝕 圖案"定義為"起到保護作用使得下層膜在蝕刻位于具有抗蝕圖案的下層 中的膜時的情況下不蝕刻下層膜的圖案(掩模)"。因此，當蝕刻下層膜 后，不是必須要求通過剝離從基板去除抗蝕圖案。
作為抗蝕圖案的實例，不僅有諸如包含上述有機溶劑的酚醛清漆樹
脂、丙烯酸樹脂和聚酰亞胺的有機樹脂材料，而且有具有包含金、銀或鎳 納米顆粒、或ITO漿的納米顆粒墨水的溶劑的導電墨水材料。
參照在第一示例實施例的說明中使用的圖l進行說明，當首先在諸如 玻璃基板的透明基板的絕緣基板1上形成下層金屬膜后，通過光刻加工方 法、蝕刻方法和剝離方法使該下層金屬膜形成圖案，并形成諸如柵電極2、
柵極端子3和柵極配線4的柵極圖案(圖1A和圖IA-I到III)。
接下來，柵極絕緣膜5、半導體膜6和接觸膜7形成設(shè)置有柵極圖案 的絕緣基板1的整個表面。在此，不用在基板上形成上層金屬膜8， Ag 納米顆粒的導電墨水材料用作抗蝕劑，并通過利用凸版反轉(zhuǎn)式膠印轉(zhuǎn)印在 絕緣基板1上，然后將其加熱以蒸發(fā)溶劑等，以設(shè)置第一抗蝕圖案9。(導 電墨水材料意思是至少在TFT基板已經(jīng)完成后表示出具有導電性的材料， 即使其不需要在墨水狀態(tài)下具有導電性也如此。)此后，半導體膜6通過 用第一抗蝕圖案作為掩模的第一蝕刻去除曝光的接觸膜7露出。(圖1C和 圖IC-I到III，然而，假定沒有上層金屬膜8。在下文中，采用同樣的假 設(shè)。)
由酚醛清漆樹脂制成的第二抗蝕圖案14通過凸版反轉(zhuǎn)式膠印轉(zhuǎn)印在 絕緣基板1上并被加熱(圖1D和圖1D-I到III)。
接下來，去除半導體膜6，并暴露柵極絕緣膜5以形成島狀圖案15。
通過利用包括二甲亞砜和單乙醇胺或類似材料的剝離溶液從絕緣基 板去除第二抗蝕圖案。此時，不去除第一抗蝕圖案(圖1E和圖1E-I到m)。
下面將通過在第一示例實施例中說明的相似方法完成TFT基板、LCD 面板和LCD裝置。
下面將詳細說明本發(fā)明。
配線電阻的電阻下降技術(shù)的發(fā)展隨著目前的LCD裝置的高清晰度和 大屏幕的發(fā)展而發(fā)展，純A1或合金材料(此后，稱為A1)為作為配線材 料的主流。
然而，為兩性金屬的Al具有通過酸溶液和堿溶液容易溶解的特征。 因此，在TFT基板的制造步驟中，因為諸如用于用抗蝕圖案進行的顯 影的TMAH的溶液為堿性，問題是A1容易被溶解。
當通過在第三現(xiàn)有技術(shù)之中的第五傳統(tǒng)實例中說明的這種方法，Al
用于數(shù)據(jù)圖案的一個區(qū)域(層疊膜)或整個區(qū)域(單層膜)時，當基板抗 蝕膜通過去除抗蝕膜的薄部分轉(zhuǎn)變時，將露出配線的A1。
因此，可以用于基板相關(guān)技術(shù)的顯影溶液進一步要求具有防止Al的
腐蝕性質(zhì)的功能，因此在執(zhí)行的情況下還具有許多問題。
由此原因，在最近幾年，雖然已經(jīng)堅持不懈地處理具有不溶解Al的 抗腐蝕功能的基板顯影溶液，然而根據(jù)本發(fā)明，可以完全地解決由于在顯 影中Al溶解造成的問題。
原因在于當?shù)谝豢刮g圖案和第二抗蝕圖案通過利用本發(fā)明的轉(zhuǎn)印形 成時不需要顯影過程。
下面將參照在第一示例實施例的說明中使用的圖1說明方法。
首先，下層金屬膜形成于諸如玻璃基板的透明基板的絕緣基板1上， 該下層金屬膜通過光刻加工方法、蝕刻方法和剝離方法形成圖案，并形成 諸如柵電極2、柵極端子3和柵極配線4的柵極圖案(圖1A和圖1A-I到 III )。
接下來，柵極絕緣膜5、半導體膜6和接觸膜7形成為覆蓋設(shè)置有柵 極圖案的絕緣基板l的整個表面，此后，作為上層金屬膜8，能與ITO膜 電連接的Al合金膜形成于其上。作為能與ITO膜電連接的Al合金膜的實 例為，諸如由Kobelco研究院制作的三井礦業(yè)&熔煉(Mitsui Mining & Smelting)及Al-Ni系統(tǒng)耙標的ACX (ver.3)耙標的A1合金材料。
通過利用凸版反轉(zhuǎn)式膠印將ITO漿的導電墨水材料轉(zhuǎn)印在作為抗蝕 劑的絕緣基板1上，并將其加熱以形成第一抗蝕圖案9 (圖IB和圖1B-I 到III)。
接下來，通過利用第一抗蝕圖案9作為掩模，用包括磷酸/硝酸/醋酸 的混和酸液體蝕刻上層金屬膜8以形成數(shù)據(jù)圖案(第一次第一蝕刻)。然 后，曝光的接觸膜7通過蝕刻(第二次第一蝕刻)去除，以露出半導體膜 6。(參照圖1C和圖IC-I到III，但假定沒有上層金屬膜8。此后，采用同 樣的假設(shè)。)
由酚醛清漆樹脂構(gòu)成的第二抗蝕圖案14通過利用凸版反轉(zhuǎn)式膠印轉(zhuǎn) 印在絕緣基板l上，并加熱絕緣基板l (圖1D和圖1D-I到in)。
然后，去除半導體膜6，以通過進行第二蝕刻露出柵極絕緣膜5，并
形成島狀圖案15。
利用由二甲亞砜和單乙醇胺或類似材料組成的剝離溶液將上述抗蝕 圖案從絕緣基板1去除。在此去除的抗蝕劑只是第二抗蝕圖案(圖1E和 圖1E-I到III)。
通過在第一示例實施例中說明的相似方法完成TFT基板、LCD面板 和LCD裝置。
在此，不是必須剝離布置在漏電極上、源電極部分和與通道部分相鄰 的通道部分上的第二抗蝕圖案。
通過留下為基板上的絕緣樹脂的墨水材料的第二抗蝕圖案，而不將該 第二抗蝕圖案剝離，可以防止這些問題，即，由于離子雜質(zhì)等被拉到通道 部分而變?yōu)楣潭ǖ碾姾刹⒂绊懺撏ǖ啦糠侄斐勺儾畹木w管特性、以及 由于通道部分和內(nèi)間隔件之間的摩擦造成的充電所產(chǎn)生的顯示不均勻等 的問題。作為絕緣樹脂的墨水材料的實例，除了酚醛清漆樹脂之外，丙烯 酸樹脂、聚酰亞胺以及這些混合樹脂等也適用。
雖然以上已經(jīng)詳細說明了本發(fā)明的示例實施例，但這些示例實施例可 以根據(jù)需要組合和執(zhí)行。具體的結(jié)構(gòu)不局限于此示例實施例，且即使在不 偏離本發(fā)明點的范圍內(nèi)在設(shè)計中具有改變等，其都包括在此本發(fā)明中。
對于制造LCD裝置的TFT的方法，本發(fā)明可以使用電子部件的圖案 成形方法、以及特別是利用制造TFT的方法的生產(chǎn)單元。
在本發(fā)明的電子部件中，第二抗蝕圖案的突出長度可以制作為具有兩 種或更多種長度。
在本發(fā)明的電子部件中，這些結(jié)構(gòu)適用于沒有重疊第一抗蝕圖案的第 二抗蝕圖案的隔離圖案，和/或沒有重疊第二抗蝕圖案的第一抗蝕圖案的 隔離圖案。
在本發(fā)明的電子部件中，第一抗蝕圖案可以制作成通過轉(zhuǎn)印形成的結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的顯示裝置中，第二抗蝕圖案覆蓋上述覆蓋有第一抗蝕圖案 的數(shù)據(jù)配線的至少一部分，并布置為使得該第二抗蝕圖案可以伸出，且該 第二抗蝕圖案可以制作為在其之外數(shù)據(jù)配線和半導體膜在伸出的部分處 形成階梯狀的結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，柵極圖案或數(shù)據(jù)圖案可以制作為層疊膜。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，這種結(jié)構(gòu)適用于顯示像素區(qū)域由其中形 成薄膜晶體管的顯示像素區(qū)域與框架密封區(qū)域之間的第二抗蝕圖案包圍， 或第二抗蝕圖案包括在框架密封區(qū)域中。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，重疊標記由兩個隔離圖案形成，使得一 個隔離圖案為不與第一抗蝕圖案重疊的第二抗蝕圖案，而另一個隔離圖案 為不與第二抗蝕圖案重疊的第一抗蝕圖案。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，第一抗蝕圖案包括不與第二抗蝕圖案重 疊的隔離圖案，而用于識別產(chǎn)品的標記可以由隔離圖案形成。
由本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置包括的結(jié)構(gòu)為，第一抗蝕圖案包括不與第二 抗蝕圖案重疊的隔離圖案，而用在后面步驟中的重疊標記通過隔離圖案形 成。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，當?shù)诙g刻已經(jīng)完成后，第一抗蝕圖案 和第二抗蝕圖案可以一起被去除。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，當已經(jīng)完成第二蝕刻后，可以保留第一 抗蝕圖案，而去除第二抗蝕圖案，且第一抗蝕圖案可以制作為導電膜，用 于組成數(shù)據(jù)圖案。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，當已經(jīng)完成第二蝕刻后，第一抗蝕圖案 和第二抗蝕圖案可以一起保留，且第一抗蝕圖案為用于數(shù)據(jù)圖案的導電 膜，而第二抗蝕圖案可以制作為布置在通道部分上的絕緣膜。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，第二抗蝕圖案材料為可以與第一抗蝕圖 案混合的有機樹脂材料，而第一和第二抗蝕圖案的材料是酚醛清漆樹脂、 丙烯酸樹脂以及這些混合樹脂中的任何一種。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，第一抗蝕圖案材料可以由導電墨水材料 制成。作為導電墨水材料的實例，可以為金納米顆粒墨水、銀納米顆粒墨
水、鎳納米顆粒墨水以及ITO漿中的任何一種。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，第一抗蝕圖案材料或第二抗蝕圖案材料 可以由設(shè)置有熱固性或光固化性(photocurabilityproperty)的這種結(jié)構(gòu)制 成。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，可以在完成第一蝕刻后，在布置第二抗 蝕圖案之前，作為預處理輕微蝕刻第一抗蝕圖案。此預處理包括堿性溶液
處理、由02氣體進行的灰化處理和YV燈處理中的任何一個。堿性溶液 包括TMAH (氫氧化四甲基銨(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide))、胺
系統(tǒng)溶液和羥基化堿金屬水溶液中的任何一種。上述堿性化學溶液可以制 作為混合表面活性材料的結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，第一抗蝕圖案可以在完成第一蝕刻后， 在布置第二抗蝕圖案之前暴露到HMDS的蒸汽中。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，當布置第二抗蝕圖案后，去除漂泥或錯 誤圖案的后處理甚至可以在第二蝕刻之前進行。此后處理包括堿性溶液處 理、由02氣體進行的灰化處理和YV燈處理中的任何一個。堿性溶液包 括TMAH、胺系統(tǒng)溶液和羥基化堿金屬水溶液中的任何一種。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，需要通過利用膠印或密封印刷至少形成 第二抗蝕圖案。
在本發(fā)明的膠印方法中，優(yōu)選具有以下特征三個或更多的板側(cè)對準 標記布置在印刷板上，而板側(cè)對準標記布置在產(chǎn)品的圖案部分的外部；基 板對準設(shè)備和板對準設(shè)備布置在印刷基板的相同位置上；對于用于確定第 二抗蝕圖案的轉(zhuǎn)印位置的對準標記，使用由第一抗蝕圖案形成的基板側(cè)對 準標記；以及三個或更多的基板側(cè)對準標記布置在印刷板上，并且基板側(cè) 對準標記布置在產(chǎn)品的圖案部分的外部。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，理想地使?jié)L筒包襯的表面移動速度在膠 印中接近相同，即，在滾筒包襯上形成抗蝕劑的膜時的滾筒包襯的表面移 動速度、在滾筒包襯上形成預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案時的滾筒包襯的表面移動速 度、以及通過將預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案接觸到印刷基板將第二抗蝕圖案轉(zhuǎn)印在印 刷基板上時的滾筒包襯的表面移動速度制作為接近相等。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，理想地在膠印中，圖像拉出和轉(zhuǎn)印的這 些處理通過從(1)到(3)的以下點的優(yōu)先順序進行
(1)在轉(zhuǎn)移圖案包括具有小于10pm寬度的窄圖案的情況下，根據(jù) 在具有不大于l(Vm寬度的這些窄圖案之中的最長圖案，通過將圖像拉出 方向和轉(zhuǎn)印方向設(shè)置為最長圖案的伸長方向的相同方向來執(zhí)行圖像拉出 和轉(zhuǎn)印。
(2) 在轉(zhuǎn)移圖案不包括具有不大于lO)im寬度的圖案的情況下，根 據(jù)在具有不大于30)tim寬度的這些圖案之中的最長圖案，通過將圖像拉出 方向和轉(zhuǎn)印方向設(shè)置為與最長圖案的伸長方向的方向傾斜大約20度來執(zhí) 行圖像拉出和轉(zhuǎn)印。
(3) 在轉(zhuǎn)移圖案不包括具有不大于30pm寬度的圖案的情況下，根 據(jù)不考慮其寬度尺寸的最長圖案，通過將圖像拉出方向和轉(zhuǎn)印方向設(shè)置為 與最長圖案的伸長方向的方向傾斜大約45度來進行圖像拉出和轉(zhuǎn)印。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，在膠印中，理想地，朝向基板在相同的 方向上轉(zhuǎn)印第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案，或者朝向基板在相同的方向上 和橡皮滾筒的相同位置上轉(zhuǎn)印第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案。
在本發(fā)明生產(chǎn)的顯示裝置中，膠印為凸版反轉(zhuǎn)式膠印，且這種結(jié)構(gòu)可 以制作為使板側(cè)對準標記通過利用轉(zhuǎn)印布置在印刷基板上，使得標記形成 于具有凹進圖案的負片印模上。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點，通過利用轉(zhuǎn)印方法將第二抗蝕圖案布置在第 一抗蝕圖案上可以有效地形成高品質(zhì)圖案，以便與設(shè)置有第一抗蝕圖案的 漏電極和源電極的一部分重疊，且當通過進行第二蝕刻去除半導體膜后， 覆蓋設(shè)置有通過用第一抗蝕圖案作為掩模進行的第一蝕刻形成的數(shù)據(jù)圖 案和接觸膜的基板的通道部分。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于圖案可以通過容易的方法形成，因為抗蝕 圖案通過利用轉(zhuǎn)印而不是傳統(tǒng)的光刻加工方法形成，所以這些諸如抗蝕劑 涂敷、曝光和顯影的傳統(tǒng)要求的操作就變?yōu)椴皇潜仨毜摹?br>
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，通過利用轉(zhuǎn)印方法將第二抗蝕圖案布置 在第一抗蝕圖案上，以便與設(shè)置有第一抗蝕圖案的漏電極和源電極的一部 分重疊，且覆蓋設(shè)置有通過用第一抗蝕圖案作為掩模進行的第一蝕刻形成 的數(shù)據(jù)圖案和接觸膜的基板的通道部分，且當通過進行第二蝕刻去除半導 體膜后，同時布置伸長為環(huán)繞LCD像素區(qū)域和框架密封區(qū)域之間的LCD 像素區(qū)域的第二抗蝕圖案，可以生產(chǎn)抑制面板顯示不均勻性的高顯示質(zhì)量 的LCD裝置。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，通過利用轉(zhuǎn)印方法將第二抗蝕圖案布置
在第一抗蝕圖案上，以便與設(shè)置有第一抗蝕圖案的漏電極和源電極的一部 分重疊，并覆蓋設(shè)置有通過用第一抗蝕圖案作為掩模進行的第一蝕刻形成 的數(shù)據(jù)圖案和接觸膜的基板的通道部分，且當通過進行第二蝕刻去除半導 體膜后，同時將第二抗蝕圖案布置在框架密封區(qū)域上，可以生產(chǎn)避免框架
不平整的高顯示質(zhì)量的LCD裝置。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，第一隔離抗蝕圖案部分不僅可以用作產(chǎn) 品識別標記，而且也可以以其它步驟作為覆蓋標記。通過利用轉(zhuǎn)印方法將 第二抗蝕圖案布置在第一抗蝕圖案上，以便與設(shè)置有第一抗蝕圖案的漏電 極和源電極的一部分重疊，并覆蓋設(shè)置有通過用第一抗蝕圖案作為掩模進 行的第一蝕刻形成的數(shù)據(jù)圖案和接觸膜的基板的通道部分，并通過在轉(zhuǎn)印 后將重疊的抗蝕圖案和隔離抗蝕圖案設(shè)置在基板上，可以產(chǎn)生這些優(yōu)點。 重疊的抗蝕圖案通過將第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案重疊在通道部分上 獲得，而隔離抗蝕圖案為第一抗蝕圖案不與第二抗蝕圖案重疊的一部分。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案的高重疊 精度可以通過重疊這些隔離抗蝕圖案部分并利用其作為掩模來實現(xiàn)。通過 利用轉(zhuǎn)印方法將第二抗蝕圖案布置在第一抗蝕圖案上，以便與設(shè)置有第一 抗蝕圖案的漏電極和源電極的一部分重疊，并覆蓋設(shè)置有通過用第一抗蝕 圖案作為掩模進行的第一蝕刻形成的數(shù)據(jù)圖案和接觸膜的基板的通道部 分，且同時布置不與第一抗蝕圖案重疊的隔離的第二抗蝕圖案，從而當轉(zhuǎn) 印后，在基板上提供重疊的抗蝕圖案、第二抗蝕圖案的隔離部分以及第一 抗蝕圖案的隔離部分，可以產(chǎn)生該優(yōu)點。重疊的抗蝕圖案通過將第一抗蝕 圖案和第二抗蝕圖案重疊在通道部分上獲得，而第二抗蝕圖案的隔離部分 為第二抗蝕圖案不與第一抗蝕圖案重疊的一部分，而第一抗蝕圖案的隔離 部分為第一抗蝕圖案不與第二抗蝕圖案重疊的一部分。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，通過用第一蝕刻部分蝕刻形成于基板上 的單層膜或?qū)盈B膜，以便通過利用第一抗蝕圖案作為掩模保留部分膜，并 當剩余膜用第二蝕刻蝕刻后，通過利用轉(zhuǎn)印方法將第二抗蝕圖案布置在第 一抗蝕圖案上，以便與部分第一抗蝕圖案重疊并從其延伸出來，可以將圖 案的邊緣形狀制作成階梯狀的向前錐形。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，通過利用第一抗蝕圖案作為掩模，用第
一蝕刻蝕刻在基板上形成的層疊層膜的上層，并當層疊層膜的下層利用與 第一蝕刻中使用的蝕刻劑不同的蝕刻劑的化學溶液通過第二蝕刻蝕刻后， 通過利用轉(zhuǎn)印方法將第二抗蝕圖案布置在第一抗蝕圖案上，以便與部分第 一抗蝕圖案重疊并從其延伸出來，可以將圖案的邊緣形狀制作成階梯狀的 向前錐形。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，圖案的邊緣形狀可以制作為階梯狀的向 前錐形，以便通過將第二抗蝕圖案布置在基板上的第一抗蝕圖案上，在平 坦部分處具有不同的長度(其長度包括為零的情況)，其中該基板經(jīng)過利 用第一抗蝕圖案作為掩模的第一蝕刻，且當進行第二蝕刻后，通過利用轉(zhuǎn) 印方法以便與第一抗蝕圖案的部分重疊并從其延伸兩個或更多個不同的 長度。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，通過采用包含有機溶劑的導電墨水材料 作為第一抗蝕圖案材料簡化制造步驟，這是因為抗蝕圖案可以用作用于數(shù) 據(jù)圖案和柵極圖案的金屬。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，通過利用包含有機溶劑的導電墨水材料 作為第一抗蝕圖案材料形成數(shù)據(jù)圖案，并通過轉(zhuǎn)印布置具有絕緣材料的第 二抗蝕圖案，并完成第二蝕刻，此后，不用剝離絕緣材料，使得通道部分 覆蓋有第二抗蝕圖案，從而用保留在通道部分上的絕緣樹脂材料容易地保 護通道部分，可以提高晶體管特性。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，可以通過提高第二抗蝕圖案和第一抗蝕 圖案以及曝光的基礎(chǔ)膜之間的粘附性形成沒有蝕刻缺陷的圖案。粘附性的 提高可以通過在將第二抗蝕圖案布置在基板上之前將基板經(jīng)過各種處理 來實現(xiàn)。用諸如去除第一抗蝕圖案的損壞層、清洗基板表面、以及將基板 的整個表面改變成一致的表面狀態(tài)而不是去除過程或清洗過程的任何一 個的這種處理，通過利用諸如堿性溶液處理、由02氣體進行的灰化處理、 用通過UV燈處理進行的第一輕微抗蝕圖案的蝕刻處理、表面活性劑處理
以及對HMDS (六甲基二硅烷基胺)蒸汽的曝光過程的過程，可以處理基 板表面。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，通過利用如堿性溶液處理、由02氣體
進行的灰化處理以及uv燈處理的這種處理，通過在蝕刻之前但在轉(zhuǎn)印抗
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蝕圖案之后，去除基板上的漂泥和錯誤圖案，可以形成沒有蝕刻缺陷的圖 根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，通過在負片印模上提供三個或更多的板
側(cè)對準標記，使得對準可以對x-軸、Y-軸和e-軸的方向進行，同時當將
第二抗蝕圖案布置在基板上時，將對準標記布置在TFT圖案部分的外部， 以使TFT圖案的對準偏差小，可以將第二抗蝕圖案以其位置精確地布置。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案的重疊精 度可以通過其上轉(zhuǎn)印第二抗蝕圖案的基板確認。通過將板側(cè)對準標記設(shè)置 到具有凹進圖案的負片印模上以將其轉(zhuǎn)印到印刷基板上，并進一步將基板 對準設(shè)備和板對準設(shè)備的安裝位置設(shè)置到關(guān)于相同位置的印刷基板上，從 而結(jié)合由第一抗蝕圖案形成的基板側(cè)對準標記，可以獲得該優(yōu)點。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在丁，通過利用由作為用于確定第二抗蝕圖案 的轉(zhuǎn)印位置的對準標記的第一抗蝕圖案制成的基板側(cè)對準標記，第二抗蝕 圖可以與第一抗蝕圖案以高位置精度重疊。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，通過在印刷基板上提供三個或更多的基 板側(cè)對準標記，使得對準可以關(guān)于X-軸、Y-軸和e-軸的方向進行，同時 當將第二抗蝕圖案布置在基板上時，將對準標記布置在TFT圖案的外部， 以使TFT圖案的對準偏差小，可以將第二抗蝕圖案以其位置精確地布置。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于在基板的整個表面上實現(xiàn)穩(wěn)定的轉(zhuǎn)印。通 過使?jié)L筒包襯的表面移動速度以每個步驟都接近相同地進行獲得該優(yōu)點， 即，在滾筒包襯上形成抗蝕劑的膜時的滾筒包襯的表面移動速度、在滾筒 包襯上形成預轉(zhuǎn)移抗蝕圖案時的滾筒包襯的表面移動速度、以及通過將預 轉(zhuǎn)移抗蝕圖案接觸到印刷基板將第二抗蝕圖案轉(zhuǎn)印在印刷基板上時的滾 筒包襯的表面移動速度制作為接近相等。因為在滾筒包襯的每個位置上的 抗蝕圖案存在有相同的周期，因此溶劑量和抗蝕劑的粘性變得相等，并因 此使轉(zhuǎn)印變得穩(wěn)定。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，微細圖案可以通過對于圖像拉出和轉(zhuǎn)印 方向以其優(yōu)先順序選擇以下決定制作項目[1]到[3]進行印刷。在轉(zhuǎn)移圖案包括具有小于10pm寬度的窄圖案的情況下，根據(jù)在具 有不大于l(Hmi寬度的這些窄圖案之中的最長圖案，通過將圖像拉出方向
和轉(zhuǎn)印方向設(shè)置為最長圖案的伸長方向的相同方向來執(zhí)行圖像拉出和轉(zhuǎn)印。在轉(zhuǎn)移圖案不包括具有不大于l(Him寬度的圖案的情況下，根據(jù)在 具有不大于30pm寬度的這些圖案之中的最長圖案，通過將圖像拉出方向 和轉(zhuǎn)印方向設(shè)置為與最長圖案的伸長方向的方向傾斜大約20度來執(zhí)行圖 像拉出和轉(zhuǎn)印。在轉(zhuǎn)移圖案不包括具有不大于30pm寬度的圖案的情況下，根據(jù)不 考慮其寬度尺寸的最長圖案，通過將圖像拉出方向和轉(zhuǎn)印方向設(shè)置為與最 長圖案的伸長方向的方向傾斜大約45度來進行圖像拉出和轉(zhuǎn)印。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，當待轉(zhuǎn)印在基板上的抗蝕劑材料沒有被 給出感光性時，與當使用感光樹脂時相比，因為材料的過程參數(shù)可以降低， 所以圖案成形可以以便于操作的穩(wěn)定性進行。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于通過選擇待混合的抗蝕劑材料以及過程 條件，使得第一抗蝕圖案的抗蝕劑材料和第二抗蝕圖案的抗蝕劑材料彼此 混合，可以提高抗蝕性。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，因為可以忽略由固定架的直接前進等造 成的圖案變形，所以通過利用膠印機朝向基板在相同的方向上轉(zhuǎn)印第一抗 蝕圖案和第二抗蝕圖案，可以提高第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案的重疊精 度。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，因為除了可以忽略由固定架的直接前進 等造成的圖案變形外，還可以忽略由橡皮滾筒的粗糙度等造成的圖案變 形，所以通過利用膠印機以及進一步利用橡皮滾筒的相同位置在相同的方 向上朝著基板轉(zhuǎn)印第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案，可以提高第一抗蝕圖案 和第二抗蝕圖案的重疊精度。
根據(jù)本發(fā)明的示例優(yōu)點在于，因為除了可以忽略由橡皮滾筒的粗糙度 等造成的圖案變形和由固定架的直接前進等造成的圖案變形外，還可以忽 略由滾筒包襯的厚度變化的粗糙度等造成的圖案變形，所以通過利用膠印 機以及進一步利用橡皮滾筒的相同位置、且同時利用相同的滾筒包襯的相 同位置，朝向基板在相同的方向上轉(zhuǎn)印第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案，可 以提高第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案的重疊精度。
根據(jù)本發(fā)明，如前所述，因為第二抗蝕圖案通過轉(zhuǎn)印布置在基板上， 所以不通過背景技術(shù)說明的各種技術(shù)布置的隔離的第一抗蝕圖案和第二 抗蝕圖案可以容易地以可選尺寸、可選形狀和可選位置的高自由度布置。 因此，通過有效地結(jié)合用于抗蝕劑掩模的成形和蝕刻、并通過利用這種圖 案成形方法可以形成具有高自由度的圖案，并且可以提供電子部件，具體 地，提供以高生產(chǎn)率和質(zhì)量生產(chǎn)的顯示裝置。
雖然已經(jīng)參照其示例實施例具體顯示和說明了本發(fā)明，但本發(fā)明不局 限于這些實施例。應(yīng)當理解在不脫離由權(quán)利要求所限定的發(fā)明的范圍和精 神的前提下，本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員可以在此做出形式和細節(jié)上的各種改 變。
此外，即使在申請期間修改權(quán)利要求，本發(fā)明者的發(fā)明也保留主張的 發(fā)明的等效形式。
權(quán)利要求
1. 一種電子部件的制造方法，包括步驟通過利用第一抗蝕圖案作為第一掩模進行第一蝕刻；轉(zhuǎn)印第二抗蝕圖案，以便重疊在所述第一抗蝕圖案的至少一部分上，并從該第一抗蝕圖案延伸出來；以及通過利用所述第一抗蝕圖案和所述第二抗蝕圖案作為第二掩模進行第二蝕刻。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子部件的制造方法，其中轉(zhuǎn)印所述第二抗 蝕圖案，以連接兩個或更多個所述第一抗蝕圖案。
3. —種通過利用薄膜晶體管的制造方法制造顯示裝置的方法，包括 步驟對設(shè)置有柵極圖案的基板和絕緣膜、半導體膜、接觸膜和上層金屬膜 以此順序?qū)盈B在該基板上的膜進行第一蝕刻，以便至少去除所述上層金屬 膜和所述接觸膜，從而形成所述晶體管的通道部分和包括漏電極、源電極、數(shù)據(jù)端子和數(shù)據(jù)配線的數(shù)據(jù)圖案；至少將第二抗蝕圖案轉(zhuǎn)印在位于所述通道部分的兩側(cè)部分上的所述 第一抗蝕圖案上，并覆蓋所述通道部分；以及通過利用所述第一抗蝕圖案和所述第二抗蝕圖案作為第二掩模進行 第二蝕刻，以去除所述半導體膜，用于露出所述絕緣膜，從而將所述半導 體膜處理成島狀圖案。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造顯示裝置的方法，其中所述第二抗蝕圖案布置為覆蓋至少一部分所述數(shù)據(jù)配線和/或所述數(shù)據(jù)端子并從其延伸出 來，并進行所述第二蝕刻，以使所述數(shù)據(jù)配線和/或所述數(shù)據(jù)端子以及所 述半導體膜的橫截面形成為階梯狀形狀。
5. —種通過利用薄膜晶體管的制造方法制造顯示裝置的方法，包括步驟用第一抗蝕圖案作為第一掩模進行第一蝕刻，以部分去除組成數(shù)據(jù)圖 案的膜；轉(zhuǎn)印第二抗蝕圖案，以至少覆蓋一部分所述第一抗蝕圖案，并從所述第一抗蝕圖案延伸出來；以及通過利用所述第一抗蝕圖案和所述第二抗蝕圖案作為第二掩模進行 第二蝕刻，以去除組成所述數(shù)據(jù)圖案的所述膜，從而使所述數(shù)據(jù)圖案具有 階梯狀形狀的橫截面。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造顯示裝置的方法，其中所述第二抗蝕圖 案布置為在所述薄膜晶體管的顯示像素區(qū)域和所述顯示像素區(qū)域周圍的 框架密封區(qū)域之間延伸，以環(huán)繞所述顯示像素區(qū)域。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造顯示裝置的方法，其中所述第二抗蝕圖 案形成于環(huán)繞所述薄膜晶體管的顯示像素區(qū)域的框架密封區(qū)域中。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造顯示裝置的方法，其中所述第二抗蝕圖 案包括不與所述第一抗蝕圖案重疊的第一隔離圖案，而所述第一抗蝕圖案 包括不與所述第二抗蝕圖案重疊的第二隔離圖案，從而形成具有所述第一 和第二隔離圖案的一對重疊標記。
9. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造顯示裝置的方法，其中所述第一抗蝕圖 案包括不與所述第二抗蝕圖案重疊的隔離圖案，以及用于識別產(chǎn)品的標記 通過所述隔離圖案形成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造顯示裝置的方法，其中在完成所述第 二蝕刻后，所述第一抗蝕圖案保留在所述薄膜晶體管上，而將所述第二抗 蝕圖案從所述薄膜晶體管去除。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造顯示裝置的方法，其中所述第一抗蝕圖案為用于組成至少一部分所述數(shù)據(jù)圖案的導電膜。
12. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造顯示裝置的方法，其中在完成所述第 二蝕刻后，所述第一抗蝕圖案和所述第二抗蝕圖案一起保留在所述薄膜晶 體管上。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造顯示裝置的方法，其中所述第一抗蝕 圖案為用于組成至少一部分所述數(shù)據(jù)圖案的導電膜，而所述第二抗蝕圖案 為布置在所述通道部分上的絕緣膜。
14. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的制造顯示裝置的方法，其中所述第一抗蝕 圖案為導電墨水材料。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造顯示裝置的方法，其中所述第一抗蝕 圖案材料為導電墨水材料，而所述第二抗蝕圖案材料為絕緣樹脂的墨水材料。
16. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造顯示裝置的方法，進一步包括進行后 處理的步驟，所述后處理包括堿性溶液處理、通過02氣體進行的灰化處理 和UV燈處理中的至少一個。
17. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造顯示裝置的方法，其中所述第一抗蝕 圖案通過利用所述轉(zhuǎn)印形成。
18. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造顯示裝置的方法，其中所述轉(zhuǎn)印步驟 包括膠印或密封印刷。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造顯示裝置的方法，其中執(zhí)行所述膠 印，使得由所述第一抗蝕圖案形成的基板側(cè)對準標記用作對準標記，所述 對準標記用于確定所述第二抗蝕圖案的轉(zhuǎn)印位置。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造顯示裝置的方法，其中執(zhí)行所述膠 印，使得所述第一抗蝕圖案和所述第二抗蝕圖案朝向所述基板在相同的方 向上被轉(zhuǎn)印。
全文摘要
本發(fā)明的一種電子部件或顯示裝置可以通過利用以下圖案成形方法提供。在用第一抗蝕圖案作為第一掩模的第一蝕刻所處理的基板上，第二抗蝕圖案轉(zhuǎn)印在第一抗蝕圖案上，以便與第一抗蝕圖案部分重疊，并從第一抗蝕圖案部分延伸。然后，通過利用第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案作為第二掩模進行第二蝕刻。第一抗蝕圖案和第二抗蝕圖案用于形成配線和/或端子，而第二抗蝕圖案的延伸部分用于使配線具有階梯狀邊緣形狀的橫截面。
文檔編號H01L21/00GK101378012SQ20081021513
公開日2009年3月4日 申請日期2008年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月31日
發(fā)明者鈴木圣二 申請人:Nec液晶技術(shù)株式會社