專利名稱：袋形注入?yún)^(qū)的離子注入方法及mos晶體管的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體器件的制造領域，尤其涉及形成MOS晶體管袋形注入?yún)^(qū)的離子注入方法及MOS晶體管的制造方法。
背景技術：
隨著半導體器件向高密度和小尺寸發(fā)展，金屬_氧化物_半導體(MOS)晶體管是主要的驅動力。而驅動電流和熱載流子注入是MOS晶體管設計中最為重要的兩個參數(shù)。傳統(tǒng)設計通過控制柵氧化層、溝道區(qū)域、阱區(qū)域、源/漏延伸區(qū)的摻雜形狀、袋形注入(pocketimplant)區(qū)以及源/漏極注入形狀和熱預算等等來獲得預料的性能。 隨著MOS器件的溝道長度變短，源/漏極耗盡區(qū)之間過于接近，會導致出現(xiàn)不希望的穿通(punch through)電流，產生了短溝道效應。因此，本領域的技術人員通常采用輕摻雜漏極(lightly doped drain, LDD)結構，形成源/漏延伸區(qū)，在源/漏延伸區(qū)植入較重的摻雜離子例如砷離子以形成超淺結，以提高器件的閾值電壓Vt并有效控制器件的短溝道效應。并且，對于0. 18um以下尺寸的半導體器件，會在源/漏延伸區(qū)附近形成包圍源/漏延伸區(qū)的袋形注入?yún)^(qū)(pocket/halo)。袋形注入?yún)^(qū)的存在可以減小耗盡區(qū)的耗盡程度，以產生較小的穿透電流。 但是，輕摻雜漏極(lightly doped drain, LDD)結構的摻雜離子種類與半導體襯底或者形成MOSFET區(qū)域的摻雜阱的導電類型不同，而袋形注入?yún)^(qū)域的導電類型與半導體襯底或者形成MOSFET區(qū)域的摻雜阱的導電類型相同，因此，在源/漏延伸區(qū)和袋形注入?yún)^(qū)之間會產生PN結，在輕摻雜漏極結構與袋形注入?yún)^(qū)內的摻雜離子密度都比較高的情況下，產生結漏電。 關于形成袋形注入?yún)^(qū)的更多細節(jié)可以在中國發(fā)明專利第200610030636. 6號所公開的內容中找到。 但是，隨著半導體器件尺寸的進一步減小，如何控制MOS晶體管的結電容Cj。以及避免閾值電壓Vt的變化成為業(yè)界的又一需求。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是如何控制M0S晶體管的結電容及避免閾值電壓Vt的變化。 為解決上述問題，本發(fā)明提供一種形成MOS晶體管袋形注入?yún)^(qū)的離子注入方法，包括步驟將所述晶圓以通過晶圓中心且垂直于晶圓的直線為軸旋轉第一角度；進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入；將所述晶圓以所述直線為軸旋轉第二角度，旋轉第二角度的方向與旋轉第一角度的方向相同；保持離子注入的方向不變，重復進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入和旋轉第二角度的步驟，直至晶圓回到旋轉第一角度后的狀態(tài)；將所述晶圓以所述直線為軸旋轉第三角度，所述第三角度與所述第一角度不相同；進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入；將所述晶圓以所述直線為軸旋轉第四角度，旋轉第四角度的方向與旋轉第一角度的
4方向相同；保持離子注入的方向不變，重復進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入和旋轉第四角度的步驟，直至晶圓回到旋轉第三角度后的狀態(tài)。 可選地，所述晶圓的晶向指數(shù)為〈100〉，所述第一角度為25至70度。 可選地，所述晶圓的晶向指數(shù)為〈100〉，所述第一角度為30至40度或50至60度。可選地，所述第二角度為90度、45度或22. 5度。 可選地，所述晶圓的晶向指數(shù)為〈100〉，晶圓旋轉第三角度后的狀態(tài)與晶圓旋轉第
一角度之前的狀態(tài)之間的夾角為30至40度。 可選地，所述第四角度為90度、45度或22. 5度。 可選地，所述離子注入的方向與晶圓成60度至90度。 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種MOS晶體管的制造方法，包括步驟在半導體襯
底上形成柵極結構；在柵極結構兩側的半導體襯底中進行源/漏延伸區(qū)注入；將所述晶圓
以通過晶圓中心且垂直于晶圓的直線為軸旋轉第一角度；進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注
入；將所述晶圓以所述直線為軸旋轉第二角度，旋轉第二角度的方向與旋轉第一角度的方
向相同；保持離子注入的方向不變，重復進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入和旋轉第二角度
的步驟，直至晶圓回到旋轉第一角度后的狀態(tài)；將所述晶圓以所述直線為軸旋轉第三角度，
所述第三角度與所述第一角度不相同；進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入；將所述晶圓以所
述直線為軸旋轉第四角度，旋轉第四角度的方向與旋轉第一角度的方向相同；保持離子注
入的方向不變，重復進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入和旋轉第四角度的步驟，直至晶圓回
到旋轉第三角度后的狀態(tài)；在柵極結構兩側的半導體襯底中形成源/漏極。 可選地，所述晶圓的晶向指數(shù)為〈100〉，所述第一角度為25至70度。 可選地，所述晶圓的晶向指數(shù)為〈100〉，所述第一角度為30至40度或50至60度。 可選地，所述第二角度為90度、45度或22. 5度。 可選地，所述晶圓的晶向指數(shù)為〈100〉，晶圓旋轉第三角度后的狀態(tài)與晶圓旋轉第
一角度之前的狀態(tài)之間的夾角為30至40度。 可選地，所述第四角度為90度、45度或22. 5度。 可選地，所述離子注入的方向與晶圓成60度至90度。 與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明可以控制MOS晶體管的結電容。 另外，本發(fā)明創(chuàng)造性地選擇了形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入的初始旋轉角度，找到了可以進一步減小MOS晶體管結電容的工藝參數(shù)。 更進一步，利用本發(fā)明所制造的MOS晶體管的閾值電壓Vt隨Id的變化更加平滑，更有利于更小尺寸的MOS晶體管的制造。


圖1為根據(jù)本發(fā)明一個實施例制造MOS晶體管的流程 圖2至圖9為根據(jù)上述流程制造MOS晶體管的示意圖； 圖10至圖19為第一角度13和旋轉夾角S與制成的MOS晶體管結電容之間的關系圖； 圖20為制成的MOS晶體管的Vt-Id曲線。
具體實施例方式
本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在進行袋形注入?yún)^(qū)摻雜時，初始旋轉角度的不同會影響所制成的M0S晶體管的結電容和閾值電壓。 基于上述考慮，在具體實施方式
的以下內容中，提供一種MOS晶體管的制造方法，
如圖l所示，包括步驟 S101，提供晶圓； S102，在晶圓上形成柵極結構； S103，在柵極結構兩側進行源/漏延伸區(qū)注入； S104，將晶圓旋轉第一角度； S105，進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入； S106，將晶圓旋轉第二角度； S107，重復步驟S105和S106，直至晶圓回到旋轉第一角度后的狀態(tài)； S108，將晶圓旋轉第三角度； S109，進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入； S110，將晶圓旋轉第四角度； S111，重復步驟S109和S110，直至晶圓回到旋轉第三角度后的狀態(tài)；
S112，形成源/漏區(qū)。 下面結合附圖對上述步驟進行詳細說明。 如圖2所示，首先執(zhí)行步驟S101，提供晶圓201。形成晶圓201的材料可以為硅、III-V族或者II-VI族化合物半導體、或者絕緣體上硅(SOI)。在晶圓中形成隔離結構202，所述隔離結構202可以為淺溝槽隔離(STI)結構或者局部氧化硅(LOCOS)隔離結構。所述晶圓201中還形成有各種阱(well)結構與襯底表面的柵極溝道層。 一般來說，形成阱(wel 1)結構的離子摻雜導電類型與柵極溝道層離子摻雜導電類型相同，密度較柵極溝道層低；離子注入的深度泛圍較廣，同時需達到大于隔離結構的深度。為了簡化，此處僅以一空白晶圓201圖示，在此不應限制本發(fā)明的保護范圍。 接著執(zhí)行步驟S102，如圖3所示，形成柵極結構203。形成柵極結構203的過程是首先在晶圓201上依次形成柵介質層204與柵極205。 其中，柵介質層204可以是氧化硅(Si02)或氮氧化硅(SiNO)。在65nm以下工藝
節(jié)點，柵極的特征尺寸很小，柵介質層204優(yōu)選高介電常數(shù)(高K)材料。所述高K材料包
括氧化鉿、氧化鉿硅、氮氧化鉿硅、氧化鑭、氧化鋯、氧化鋯硅、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋇鍶鈦、
氧化鋇鈦、氧化鍶鈦、氧化鋁等。特別優(yōu)選的是氧化鉿、氧化鋯和氧化鋁。 柵極205可以是包含半導體材料的多層結構，例如硅、鍺、金屬或其組合。在本發(fā)
明的一個實施例中，優(yōu)選采用多晶硅來形成柵極205。 然后，在多晶硅柵極205外圍形成偏移隔離層(Offset Spacer) 206以便保護柵極205的邊緣。形成偏移隔離層206的材料可以例如是氮化硅，可以采用原位氧化的方法形成。 接著執(zhí)行步驟S103，如圖4所示，以偏移隔離層206為掩膜，在柵極結構203兩側的晶圓201中進行離子注入，形成源/漏延伸區(qū)207。所述源/漏延伸區(qū)207的導電類型為N型或者P型，即進行源/漏延伸區(qū)207注入的離子可以選自磷離子、砷離子、二氟化硼離子、硼離子或者銦離子中的任意一種。 進行源/漏延伸區(qū)207注入的工藝為當注入離子是砷離子時，離子注入能量為2KeV至5KeV，離子注入劑量為5X1014/cm2至2X1015/cm2 ;當注入離子是磷離子時，離子注入能量為IKeV至3KeV，離子注入劑量為5 X 1014/cm2至2 X 1015/cm2 。 當注入離子是硼離子時，離子注入能量為0. 5KeV至2KeV，離子注入劑量為5X10，ci^至2X1015/0112 ;當注入離子是二氟化硼離子時，離子注入能量為1KeV至4KeV，離子注入劑量為5X 1014/cm2至2X 1015/cm2。 接著執(zhí)行步驟S104，如圖5所示，將晶圓201旋轉第一角度P ，所述的第一角度P小于90度。這里，步驟S104是形成袋形注入?yún)^(qū)208(參考圖6)的第一步。
步驟S104中，晶圓201的旋轉是以通過晶圓201的中心231，且垂直于晶圓201的直線為軸進行旋轉。也就是說，晶圓201是在平行于其圓形表面的平面內進行旋轉的。
步驟S104中旋轉的角度可以找到一個參考點，即晶圓201上的缺口 (notch) 230。這個缺口 230是晶圓201邊緣上用于晶向定位的小凹槽，在用于半導體制造的每一片晶圓上都有這樣一個缺口。當然，選定這個缺口 230僅僅是為了方便標定旋轉的角度，在此不應作為對本發(fā)明的范圍限制，本領域技術人員知道，在晶圓上選定其他參考點也可以實現(xiàn)本發(fā)明的目的。 步驟S104中旋轉的方向可以是順時針方向，也可以是逆時針方向，這可以根據(jù)實際需要進行設定。在以下的實施例中，以采用逆時針方向的旋轉為例進行說明。
然后執(zhí)行步驟S105，進行形成袋形注入?yún)^(qū)208的離子注入。 以注入硼離子形成袋形注入?yún)^(qū)208為例，進行硼離子注入的具體工藝參數(shù)可以為離子注入能量為4KeV至8KeV ;離子注入劑量為2X 1013/cm2至3X 1013/cm2。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，雖然上述工藝參數(shù)可以實現(xiàn)前述目的，但是，為了更好地形成袋形注入?yún)^(qū)208，進行硼離子注入的能量優(yōu)選為5KeV至6KeV，例如5. 5KeV ;注入劑量優(yōu)選為2. 5X 1013/cm2。
如圖6所示，在這里進行硼離子注入可以采用與晶圓201成一定夾角a的傾斜注入。進行硼離子注入的注入夾角a可以為60度至90度。 另外，發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，采用氟化硼離子代替硼離子進行形成袋形注入?yún)^(qū)208的注
入，效果更好。因為氟化硼離子的離子直徑較大，更容易嵌入晶圓201的晶格結構中而不穿
越晶格結構。當然，在這里，采用硼離子和氟化硼離子都只是優(yōu)選的實施例，本領域技術人
員知道，根據(jù)現(xiàn)有技術還可以采用其他離子形成袋形注入?yún)^(qū)208。 接著執(zhí)行步驟S106，如圖7所示，將晶圓201旋轉第二角度Y 。 跟步驟S104相同，步驟S106中的晶圓201的旋轉也是以通過晶圓201的中心231 ，
且垂直于晶圓201的直線為軸進行旋轉。即晶圓201是在平行于其圓形表面的平面內進行
旋轉的。 步驟S106的旋轉方向要與步驟S104中的旋轉方向完全相同，如果步驟S106與步驟S104逆向旋轉將不能實現(xiàn)本發(fā)明的目的，即步驟S104中如果是順時針旋轉，則步驟S106中的旋轉也應是順時針，而如果步驟S104中的旋轉是逆時針旋轉，則步驟S106中的旋轉也應是逆時針。 第二角度Y優(yōu)選的角度可以是90度、45度或22. 5度。但是本領域技術人員知道，第二角度Y也可以是其他角度。
將晶圓201旋轉第二角度Y的目的是為了在后續(xù)再次進行離子注入時，處于晶圓
201上不同位置的各個MOS晶體管的源區(qū)和漏區(qū)所接受的離子更加均勻。 然后執(zhí)行步驟S107，重復步驟S105和S106，直至晶圓201回到旋轉第一角度后的狀態(tài)。 步驟S105和步驟S106以及步驟S107就是為了將形成袋形注入?yún)^(qū)208的離子注入分為多次進行，而且每次注入之前都讓晶圓201旋轉一定的角度來均勻分配注入的離子。并且，步驟S105至步驟S107只完成了形成袋形注入?yún)^(qū)208的離子注入量的一半，剩下的一半離子注入將在后續(xù)旋轉、注入的步驟中完成。 重復執(zhí)行步驟S105和S106，直至晶圓201回到旋轉第一角度后的狀態(tài)，即回到如圖5所示的狀態(tài)。在本發(fā)明的一個實施例中，晶圓201僅回轉一圈即可，也就是說重復步驟S106旋轉第二角度Y的總和是360度。因此，在該實施例中，重復步驟S105和S106的次數(shù)與第二角度Y的大小相關。例如，當?shù)诙嵌萗為90度時，只需旋轉4次就可以回到旋轉第一角度后的狀態(tài)，而當?shù)诙嵌萗為45度時需旋轉8次才可以回到旋轉第一角度后的狀態(tài)，以此類推。 接著執(zhí)行步驟S108，將晶圓201旋轉第三角度，所述的第三角度仍然小于90度。步驟S104是形成袋形注入?yún)^(qū)208的第二階段的開始?，F(xiàn)定義，如圖8所示，執(zhí)行步驟S108后晶圓201的狀態(tài)與執(zhí)行步驟S104第一次旋轉之前晶圓201的狀態(tài)存在的旋轉夾角為S 。
步驟S108中晶圓201的旋轉轉軸跟步驟S104相同，也是以通過晶圓201的中心231，且垂直于晶圓201的直線為軸進行旋轉。 步驟S108中旋轉的方向可以是順時針方向，也可以是逆時針方向，這可以根據(jù)實際需要進行設定。也就是說，步驟S108中的旋轉與步驟S104中的旋轉方向可以不同。
執(zhí)行步驟S108的目的是為了使后續(xù)離子注入的位置與步驟S105至步驟S107的離子注入位置錯開，這樣不僅可以有效降低溝道穿通效應，而且可以更加均勻地形成袋形注入?yún)^(qū)208，從而使得M0S晶體管結電容和短溝道效應同時得以改善，Vt-Id曲線更加平滑。因此，第三角度與第一角度P應該不同，而旋轉夾角S與第一角度e也應該不同。
然后執(zhí)行步驟S109，進行形成袋形注入?yún)^(qū)208的離子注入。 以注入硼離子形成袋形注入?yún)^(qū)208為例，進行硼離子注入的具體工藝參數(shù)可以為離子注入能量為4KeV至8KeV ;離子注入劑量為2X 1013/cm2至3X 1013/cm2。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，雖然上述工藝參數(shù)可以實現(xiàn)前述目的，但是，為了更好地形成袋形注入?yún)^(qū)208，進行硼離子注入的能量優(yōu)選為5KeV至6KeV，例如5. 5KeV ;注入劑量優(yōu)選為2. 5X 1013/cm2。
在步驟S109中進行的硼離子注入也可以與步驟S105中采用相同的傾斜注入夾角a，注入夾角a可以為60度至90度。 接著執(zhí)行步驟S110，如圖9所示，將晶圓201旋轉第四角度e 。 步驟S109中晶圓201的旋轉轉軸跟步驟S104相同，也是以通過晶圓201的中心
231，且垂直于晶圓201的直線為軸進行旋轉。 步驟S109的旋轉方向要與步驟S104中的旋轉方向完全相同，如果步驟S109與步驟S104逆向旋轉將不能實現(xiàn)本發(fā)明的目的，即步驟S104中如果是順時針旋轉，則步驟S109中的旋轉也應是順時針，而如果步驟S104中的旋轉是逆時針旋轉，則步驟S109中的旋轉也應是逆時針。
8
第四角度e優(yōu)選的角度可以是90度、45度或22.5度。但是本領域技術人員知道，第四角度e也可以是其他角度。 然后執(zhí)行步驟S111，重復步驟S109和S110，直至晶圓201回到旋轉第三角度后的狀態(tài)，完成形成袋形注入?yún)^(qū)208的離子注入步驟。步驟S109至步驟S111完成了步驟S105至步驟S107所剩下的一半注入量。 重復執(zhí)行步驟S109和S110，直至晶圓201回到旋轉第三角度后的狀態(tài)，即回到如圖8所示的狀態(tài)。在本發(fā)明的一個實施例中，晶圓201僅回轉一圈即可，也就是說重復步驟S106旋轉第四角度e的總和是360度。因此，在該實施例中，重復執(zhí)行步驟S109和S110的次數(shù)與第四角度e的大小相關。例如，當?shù)谒慕嵌萫為90度時，只需旋轉4次就可以回到旋轉第三角度后的狀態(tài)，而當?shù)谒慕嵌萫為45度時需旋轉8次才可以回到旋轉第三角度后的狀態(tài)，以此類推。 在本發(fā)明的一個實施例中，發(fā)明人以晶向指數(shù)為〈100〉的晶圓為例，對將晶圓旋轉不同的第一角度P，以及不同的旋轉夾角S與最終制造出的MOS晶體管的結電容的關系進行考察。 圖10至圖19為第一角度13和旋轉夾角S與制成的MOS晶體管結電容之間的關系圖。如圖所示，MOS晶體管的結電容與這兩個角度都是相關的。根據(jù)圖10至圖19，發(fā)明人選擇第一角度P可以為25至70度而旋轉夾角S可以為30至40度。優(yōu)選的第一角度13可以為30至40度或50至60度，旋轉夾角S可以為35度。 圖20為制成的MOS晶體管的Vt-Id曲線。其中，曲線301代表根據(jù)本發(fā)明一個實施例制造的MOS晶體管，而曲線302代表根據(jù)本發(fā)明另一個實施例不包括步驟S108至Slll所制造的MOS晶體管，曲線303代表根據(jù)現(xiàn)有技術所制造的M0S晶體管。從圖20可以看出，根據(jù)本發(fā)明一個實施例制造的MOS晶體管的Vt-Id曲線更加平滑，這展示了本發(fā)明的一個優(yōu)點。 在本發(fā)明之前，并未有人發(fā)現(xiàn)在進行袋形注入?yún)^(qū)的離子注入時，初始旋轉角度與最終形成的MOS晶體管的結電容之間存在關系，也就更沒有對初始旋轉角度進行過優(yōu)化。發(fā)明人認為，由于通過改變晶圓初始角度，可以改變溝道與離子注入方向在晶圓上投影間的相對角度，同時也改變了離子注入晶圓內的通道路徑，因而有效改變了注入到溝道中的袋形離子注入的橫向和縱向分布。通過優(yōu)化初始旋轉角，可以達到優(yōu)化雜質分布和最大限度抑制溝道效應的效果，從而明顯減小源漏下襯底雜質濃度，有效改善襯底結電容。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了上述關系，因而可以通過旋轉不同的初始角度來控制所制成的MOS晶體管的結電容。更進一步地，發(fā)明人創(chuàng)造性地選擇了使得MOS晶體管結電容最小的初始角度。
最后執(zhí)行步驟S108，形成源/漏區(qū)(圖未示)。在形成源區(qū)和漏區(qū)的過程中，還可以有熱退火等激活注入離子的步驟。形成源區(qū)和漏區(qū)的工藝步驟已為本領域技術人員所熟知，在此不再贅述。 本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定權利要求，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以做出可能的變動和修改，因此本發(fā)明的保護范圍應當以本發(fā)明權利要求所界 的范圍為準。
權利要求
一種形成MOS晶體管袋形注入?yún)^(qū)的離子注入方法，其特征在于，包括步驟將所述晶圓以通過晶圓中心且垂直于晶圓的直線為軸旋轉第一角度；進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入；將所述晶圓以所述直線為軸旋轉第二角度，旋轉第二角度的方向與旋轉第一角度的方向相同；保持離子注入的方向不變，重復進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入和旋轉第二角度的步驟，直至晶圓回到旋轉第一角度后的狀態(tài)；將所述晶圓以所述直線為軸旋轉第三角度，所述第三角度與所述第一角度不相同；進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入；將所述晶圓以所述直線為軸旋轉第四角度，旋轉第四角度的方向與旋轉第一角度的方向相同；保持離子注入的方向不變，重復進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入和旋轉第四角度的步驟，直至晶圓回到旋轉第三角度后的狀態(tài)。
2. 如權利要求1所述的形成M0S晶體管袋形注入?yún)^(qū)的離子注入方法，其特征在于所述晶圓的晶向指數(shù)為〈100〉，所述第一角度為25至70度。
3. 如權利要求1所述的形成MOS晶體管袋形注入?yún)^(qū)的離子注入方法，其特征在于所述晶圓的晶向指數(shù)為〈100〉，所述第一角度為30至40度或50至60度。
4. 如權利要求1所述的形成MOS晶體管袋形注入?yún)^(qū)的離子注入方法，其特征在于所述第二角度為90度、45度或22. 5度。
5. 如權利要求1所述的形成MOS晶體管袋形注入?yún)^(qū)的離子注入方法，其特征在于所述晶圓的晶向指數(shù)為〈100〉，晶圓旋轉第三角度后的狀態(tài)與晶圓旋轉第一角度之前的狀態(tài)之間的夾角為30至40度。
6. 如權利要求1所述的形成M0S晶體管袋形注入?yún)^(qū)的離子注入方法，其特征在于所述第四角度為90度、45度或22. 5度。
7. 如權利要求1所述的形成M0S晶體管袋形注入?yún)^(qū)的離子注入方法，其特征在于所述離子注入的方向與晶圓成60度至90度。
8. —種M0S晶體管的制造方法，其特征在于，包括步驟在半導體襯底上形成柵極結構；在柵極結構兩側的半導體襯底中進行源/漏延伸區(qū)注入；將所述晶圓以通過晶圓中心且垂直于晶圓的直線為軸旋轉第一角度；進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入；將所述晶圓以所述直線為軸旋轉第二角度，旋轉第二角度的方向與旋轉第一角度的方向相同；保持離子注入的方向不變，重復進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入和旋轉第二角度的步驟，直至晶圓回到旋轉第一角度后的狀態(tài)；將所述晶圓以所述直線為軸旋轉第三角度，所述第三角度與所述第一角度不相同；進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入；將所述晶圓以所述直線為軸旋轉第四角度，旋轉第四角度的方向與旋轉第一角度的方向相同；保持離子注入的方向不變，重復進行形成袋形注入?yún)^(qū)的離子注入和旋轉第四角度的步驟，直至晶圓回到旋轉第三角度后的狀態(tài)；在柵極結構兩側的半導體襯底中形成源/漏極。
9. 如權利要求8所述的M0S晶體管的制造方法，其特征在于所述晶圓的晶向指數(shù)為〈100〉，所述第一角度為25至70度。
10. 如權利要求8所述的M0S晶體管的制造方法，其特征在于所述晶圓的晶向指數(shù)為〈100〉，所述第一角度為30至40度或50至60度。
11. 如權利要求8所述的M0S晶體管的制造方法，其特征在于所述第二角度為90度、45度或22. 5度。
12. 如權利要求8所述的M0S晶體管的制造方法，其特征在于所述晶圓的晶向指數(shù)為〈100〉，晶圓旋轉第三角度后的狀態(tài)與晶圓旋轉第一角度之前的狀態(tài)之間的夾角為30至40度。
13. 如權利要求8所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于所述第四角度為90度、45度或22. 5度。
14. 如權利要求8所述的M0S晶體管的制造方法，其特征在于所述離子注入的方向與晶圓成60度至90度。
全文摘要
本發(fā)明涉及形成MOS晶體管袋形注入?yún)^(qū)的離子注入方法及MOS晶體管的制造方法。其中，形成MOS晶體管袋形注入?yún)^(qū)的離子注入方法通過兩次多步旋轉的離子注入來形成袋形注入?yún)^(qū)，并且這兩次多步旋轉的初始角度不同。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明可以控制MOS晶體管的結電容，并使得所制造的MOS晶體管的閾值電壓Vt隨Id的變化更加平滑，因此本發(fā)明更有利于更小尺寸的MOS晶體管的制造。
文檔編號H01L21/04GK101752229SQ200810204618
公開日2010年6月23日 申請日期2008年12月15日 優(yōu)先權日2008年12月15日
發(fā)明者王津洲, 趙猛 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司