專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及頂出射型顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來，在引起人們注意的平板顯示裝置中，包括借助于有機(jī)電致發(fā) 光(EL， Electro Luminescence)來顯示圖像的有機(jī)EL顯示裝置。有機(jī)EL 顯示裝置具有寬視角且電能損耗低，具有該寬視角是因為該顯示裝置利 用了有機(jī)EL元件自身能夠發(fā)光的性質(zhì)。此外，因為有機(jī)EL顯示裝置對 高清晰度高速視頻信號具有高響應(yīng)性，所以人們期望在圖像技術(shù)的領(lǐng)域 中找到有機(jī)EL顯示裝置的實(shí)際用途。有機(jī)EL顯示裝置引起人們注意的 原因還在于，如果將有機(jī)EL顯示裝置形成在能讓有機(jī)發(fā)光材料呈現(xiàn)出其 固有柔性特征的柔性塑料基板上，則有機(jī)EL顯示裝置可以用作柔性裝 置。
有機(jī)EL顯示裝置采用有源矩陣型或者無源矩陣型驅(qū)動系統(tǒng)。前者 采用薄膜晶體管(TFT， Thin Film Transistor)作為驅(qū)動元件，并且在響應(yīng) 性和分辨能力方面比后者更有優(yōu)勢。因此，人們認(rèn)為有源矩陣型驅(qū)動系 統(tǒng)特別適合于具有上述特征的有機(jī)EL顯示裝置。有源矩陣型的有機(jī)EL 顯示裝置具有有機(jī)EL元件(各個有機(jī)EL元件包括有機(jī)發(fā)光層)和驅(qū)動面 板，在驅(qū)動面板上布置有驅(qū)動元件(或者上述TFT)從而驅(qū)動有機(jī)EL元件。 在驅(qū)動面板上粘接有(利用粘合劑層)密封面板，從而將有機(jī)EL元件夾持 在它們之間。各個有機(jī)EL元件具有在一對電極之間形成的有機(jī)發(fā)光層。
有機(jī)EL顯示裝置分為底出射型和頂出射型。底出射型有機(jī)EL顯示
6裝置能使各個有機(jī)EL元件發(fā)出的光穿過上述驅(qū)動面板而射出。頂出射型
有機(jī)EL顯示裝置能使各個有機(jī)EL元件發(fā)出的光穿過上述密封面板而射 出。由于頂出射型有機(jī)EL顯示裝置具有較大的開口率，因此它正在成為 發(fā)展的主流。
另外，頂出射型有機(jī)EL顯示裝置被構(gòu)成為，密封面板上的各電極(光 出射側(cè))對每個有機(jī)EL元件都是共用的。這些電極由例如氧化銦錫(ITO， Indium Tin Oxide)等透光性導(dǎo)電材料制成。不利的是，ITO的電阻率比普 通金屬材料高2 3個數(shù)量級。該高電阻率使得在光出射側(cè)的電極上施加 的電壓發(fā)生波動。這使顯示質(zhì)量劣化。
為了解決這個問題，在日本專利申請公開公報No. 2002-318556 (以 下稱為專利文獻(xiàn)l)中己經(jīng)提出了一種技術(shù)，其形成有與光出射側(cè)的電極 連接的輔助布線，該輔助布線與驅(qū)動面板上的電極形成為同一層并由相 同的材料形成。
如果輔助布線由電阻率比光出射側(cè)的電極低的材料形成并且與光出 射側(cè)的電極連接，則可以在一定程度上解決上述的電極內(nèi)不均勻電壓分 布的問題。
然而，上述專利文獻(xiàn)1中所公開的技術(shù)具有以下缺點(diǎn)如果驅(qū)動面 板上的電極由鋁或者鋁合金制成，則由與該電極相同的材料制成的輔助 布線會受到表面氧化。表面氧化會導(dǎo)致輔助布線與光出射側(cè)的電極之間 的連接電阻增大，并因而導(dǎo)致被氧化部分上的大的電壓降。該電壓降接 著又會增加裝置的能耗。
如上所述，現(xiàn)有技術(shù)在如下方面存在著困難，即不管輔助布線的 結(jié)構(gòu)如何也不能避免能耗增大，以及不能通過實(shí)現(xiàn)光出射側(cè)的電極內(nèi)均 勻電壓分布來提高顯示質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于前述的問題而做出的。期望提供一種頂出射型顯示裝 置及其制造方法，所述顯示裝置不管輔助布線的結(jié)構(gòu)如何都能實(shí)現(xiàn)低能 耗并且還能提高顯示質(zhì)量。
7本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種顯示裝置，該顯示裝置具有多個驅(qū)動元件 以及與驅(qū)動元件電連接的布線部，所述顯示裝置包括多個第一電極， 它們對應(yīng)于各個驅(qū)動元件而形成在驅(qū)動元件和布線部上；多個發(fā)光部， 它們各自形成在第一電極上；以及公共的第二電極，其由可透射從發(fā)光 部發(fā)出的光的材料形成，并且形成在發(fā)光部上。所述顯示裝置還包括 輔助布線部，其具有比第二電極低的電阻；以及接觸部，其由多個導(dǎo)電 層形成為層疊結(jié)構(gòu)，并使第二電極和輔助布線部相互電連接，接觸部的 各導(dǎo)電層中的至少最下部導(dǎo)電層與第二電極直接接觸。
本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置被構(gòu)成為使第二電極和輔助布線部通過導(dǎo) 電接觸部相互電連接。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于，即使輔助布線受到表面氧 化，接觸電阻也不會增大。此外，由于接觸部的各導(dǎo)電層中的至少最下 部導(dǎo)電層與第二電極直接接觸，因此，即使上部導(dǎo)電層在大氣中受到表 面氧化且與第二電極(光出射側(cè))的電連接變?nèi)酰虏繉?dǎo)電層與光出射側(cè)的 電極之間仍然能夠保持良好的電連接。
本發(fā)明的實(shí)施例還涉及一種顯示裝置制造方法，其包括以下步驟 在基板上形成多個驅(qū)動元件和布線部，使得這些驅(qū)動元件和布線部相互 電連接；形成具有由多個導(dǎo)電層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)的接觸部；以及在驅(qū)動 元件和布線部上形成分別與多個驅(qū)動元件對應(yīng)的多個第一電極，并形成 輔助布線部。上述方法還包括以下步驟在各個第一電極上形成發(fā)光部， 以及在發(fā)光部上用可透射從各個發(fā)光部發(fā)出的光的材料形成公共的第二 電極，并通過接觸部使第二電極與輔助布線部之間進(jìn)行電連接，其中輔 助布線部由電阻低于第二電極的電阻的材料形成，接觸部的各導(dǎo)電層中 的至少最下部導(dǎo)電層與第二電極直接接觸。
本發(fā)明的實(shí)施例還涉及另一種顯示裝置制造方法，其包括以下步驟 在基板上形成多個驅(qū)動元件和布線部，使得這些驅(qū)動元件和布線部相互 電連接，形成具有由多個導(dǎo)電層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)的接觸部，并一體形成 具有與接觸部相同的層疊結(jié)構(gòu)的輔助布線部，以及在驅(qū)動元件和布線部 上形成分別與多個驅(qū)動元件對應(yīng)的多個第一電極。上述方法還包括以下 步驟在各個第一電極上形成發(fā)光部，以及在發(fā)光部上用可透射從各個 發(fā)光部發(fā)出的光的材料形成公共的第二電極，并通過接觸部使第二電極與輔助布線部進(jìn)行電連接，其中輔助布線部由電阻低于第二電極的電阻 的材料形成，接觸部的各導(dǎo)電層中的至少最下部導(dǎo)電層與第二電極直接 接觸。
本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置及其制造方法具有以下優(yōu)點(diǎn)。由于第二電 極和輔助布線通過導(dǎo)電接觸部彼此電連接，因此，即使輔助布線受到表 面氧化，接觸電阻也不會增大。所以，不管輔助布線的結(jié)構(gòu)如何，該顯 示裝置總會保證低能耗并提高顯示質(zhì)量。
由于接觸部的最下部導(dǎo)電層直接與第二電極電連接，因此，即使上 部導(dǎo)電層在大氣中受到表面氧化而且與第二電極(光出射側(cè)電極)的電連 接變?nèi)酰虏繉?dǎo)電層與光出射側(cè)的電極之間仍然能夠保持良好的電連接。
由于將布線層布置在接觸部的下方層中且在驅(qū)動元件一側(cè)，因而由 平坦化層所引起的臺階變小，并且接觸電阻減小。因此，在不會增大接 觸電阻的情況下能夠提高產(chǎn)率。


圖1是示出了本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的視圖2是示出了圖1所示的像素驅(qū)動電路的一個例子的等效電路圖3是示出了圖l所示的顯示區(qū)域結(jié)構(gòu)的平面圖4是沿圖3中的線IV-IV獲取的截面圖5A和圖5B是示出了圖3所示顯示裝置中的接觸部結(jié)構(gòu)的截面圖6是示出了圖3所示顯示裝置的制造過程的一部分主要步驟的截 面圖7A、圖7B和圖7C是示出了關(guān)于圖6所示那些步驟的各步驟的 截面圖8A、圖8B和圖8C是示出了跟隨在圖7A、圖7B和圖7C所示那 些步驟以后的各步驟的截面圖9A和圖9B是示出了跟隨在圖8A、圖8B和圖8C所示那些步驟 以后的各步驟的截面圖；圖IO是示出了比較例1中的接觸部結(jié)構(gòu)的截面圖11是示出了本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示裝置的接觸部結(jié)構(gòu)的截面
圖12是示出了比較例2中的接觸部結(jié)構(gòu)的截面圖； 圖13是示出了接觸電阻的評估結(jié)果的視圖14是示出了本發(fā)明第三實(shí)施例的顯示裝置的顯示區(qū)域結(jié)構(gòu)的平 面圖15是沿圖14中的線XV-XV獲取的截面圖16A和圖16B是示出了圖15所示顯示裝置中的接觸部結(jié)構(gòu)的截 面圖17是示出了圖15所示顯示裝置的制造過程的一部分主要步驟的 截面圖18A、圖18B和圖18C是示出了關(guān)于圖17所示那些步驟的各步
驟的截面圖19A、圖19B和圖19C是示出了跟隨在圖18A、圖18B和圖18C
所示那些步驟以后的各步驟的截面圖20A和圖20B是示出了跟隨在圖19A、圖19B和圖19C所示那些 步驟以后的各步驟的截面圖21是示出了接觸電阻的評估結(jié)果的視圖22是示出了包括上述實(shí)施例的顯示裝置的模塊結(jié)構(gòu)的示意性平 面圖23是示出了上述實(shí)施例的顯示裝置的應(yīng)用例1的外觀的立體圖24A和圖24B是各自示出了應(yīng)用例2的前側(cè)外觀和后側(cè)外觀的立 體圖25是示出了應(yīng)用例3的外觀的立體圖； 圖26是示出了應(yīng)用例4的外觀的立體圖；以及圖27A 圖27G分別是應(yīng)用例5的打開狀態(tài)前視圖、打開狀態(tài)側(cè)視 圖、閉合狀態(tài)前視圖、閉合狀態(tài)左視圖、閉合狀態(tài)右視圖、閉合狀態(tài)俯 視圖和閉合狀態(tài)仰視圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施例。
第一實(shí)施例
圖1是示出了本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置(有機(jī)EL顯示裝置)的結(jié) 構(gòu)的視圖。有機(jī)EL顯示裝置1是一種用作極薄型有機(jī)彩色顯示裝置的顯 示裝置。有機(jī)EL顯示裝置1包括透明基板10A和多個有機(jī)EL元件(EL)， 這些有機(jī)EL元件以矩陣形式布置在透明基板10A上，從而形成顯示區(qū) 域110。有機(jī)EL顯示裝置1還具有沿顯示區(qū)域110側(cè)邊形成的信號線驅(qū) 動電路120和掃描線驅(qū)動電路130(都用于顯示圖像)。
顯示區(qū)域110具有在其中形成的像素驅(qū)動電路140。圖2是示出了 像素驅(qū)動電路140的例子的視圖。像素驅(qū)動電路140是在第一電極18A (將在稍后說明)下方形成的有源型驅(qū)動電路，并且包括驅(qū)動晶體管Trl、 寫晶體管Tr2、電容器Cs (位于上述兩個晶體管之間)和有機(jī)EL元件(EL)， 該有機(jī)EL元件(EL)位于第一電源線(Vcc)與第二電源線(GND)之間并與 驅(qū)動晶體管Trl串聯(lián)連接。驅(qū)動晶體管Trl以及寫晶體管Tr2是普通的 薄膜晶體管(TFT)，其可以是反向交錯型(所謂的底柵型)或者交錯型(所謂 的頂柵型)。
像素驅(qū)動電路140具有沿列方向布置的多條信號線120A和沿行方 向布置的多條掃描線130A。各條信號線120A與各條掃描線130A的交 叉部對應(yīng)于一個亞像素，該亞像素是任意一個有機(jī)EL元件(EL)。各條信 號線120A與信號線驅(qū)動電路120連接，因此通過信號線120A將圖像信 號傳送給寫晶體管Tr2的源電極。各條掃描線130A與掃描線驅(qū)動電路 130連接，因此通過掃描線130A將掃描信號依次傳送給寫晶體管Tr2的
柵電極。
圖3是示出了有機(jī)EL顯示裝置1的顯示區(qū)域110的平面結(jié)構(gòu)的視 圖。圖4是沿圖3中的線IV-IV獲取的截面圖。
11有機(jī)EL顯示裝置1包括一對絕緣透明基板10A和10B以及夾持在 透明基板IOA與IOB之間的多層膜。具體地說，該多層膜包括向上排列 的柵電極11、柵絕緣膜12、硅膜13A、阻擋絕緣膜14、 n+型非晶硅膜 13B和布線層15A (源漏電極)。它們構(gòu)成了薄膜晶體管Tr。在薄膜晶體 管Tr上布置有絕緣性保護(hù)膜(鈍化膜)16和位于該絕緣性保護(hù)膜頂面上的 平坦化絕緣膜17A。在平坦化絕緣膜17A上形成有與形成薄膜晶體管Tr 的區(qū)域?qū)?yīng)的有機(jī)EL元件(EL)。
透明基板IOA和10B由諸如玻璃或者塑料等絕緣材料形成。
薄膜晶體管Tr是驅(qū)動各個有機(jī)EL元件(EL)的驅(qū)動元件。柵電極11 由鉬(Mo)或其它材料形成，硅膜13A構(gòu)成薄膜晶體管Tr的溝道區(qū)域，并 且硅膜13A由非晶硅膜或其它材料形成。
布線層15A構(gòu)成薄膜晶體管Tr的源電極和漏電極，并且它們用作例 如信號線等布線。布線層15A由諸如鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鋁(Al)、鉬(Mo)、 鴇(W)、鉻(Cr)、金(Au)、鉑(Pt)、銅(Cu)、銀(Ag)、 ITO (indium tin oxide) 以及氧化銦鋅(IZO， indium zinc oxide)等金屬或者合金形成。
布線層15A可以具有諸如Mo/Al/Ti、 Mo/(AlSi合金)/Ti、 Mo/(AlSiCu 合金)/Ti以及Mo/(AlCe合金)/Ti等層疊結(jié)構(gòu)。
保護(hù)絕緣膜16用于保護(hù)薄膜晶體管Tr，并且由諸如Si02、 SiN和 SiON等中的至少一種絕緣材料形成。平坦化絕緣膜17A使層結(jié)構(gòu)變平， 從而在其上形成有機(jī)EL元件(EL)。平坦化絕緣膜17A由諸如感光性聚 酰亞胺樹脂、聚苯并噁唑樹脂、酚醛樹脂、聚羥基苯乙烯 (polyhydroxystyrene)樹脂和丙烯酸樹脂等絕緣材料形成。
各個有機(jī)EL元件(EL)包括向下排列從而形成層疊結(jié)構(gòu)的第一電極 18A、有機(jī)發(fā)光層19和第二電極20。第一電極18A及有機(jī)發(fā)光層19通 過平坦化絕緣膜17A上的電極絕緣膜21而彼此分離。如圖3所示，各自 呈矩形形狀的有機(jī)EL元件(EL)以矩陣形式布置在透明基板10A與10B 之間。如圖4所示，第二電極20是全部有機(jī)EL元件(EL)的公共電極， 并且統(tǒng)一地形成在透明基板IOA與IOB之間。
第一電極18A不但用作向有機(jī)發(fā)光層19施加電壓的陽極或者陰極，還用作將從有機(jī)發(fā)光層19發(fā)出的光向上引導(dǎo)的反射電極。因此，第一電
極18A由諸如Al、 AlNd和AlCe等具有高反射率的金屬或者合金形成。 不利的是，這些材料容易發(fā)生表面氧化。
有機(jī)發(fā)光層19包括依次沉積并夾在第一電極18A與第二電極20之 間的空穴輸運(yùn)層、發(fā)光層和電子輸運(yùn)層(都未圖示)。通過在第一電極18A 和第二電極20之間施加規(guī)定的電壓，發(fā)光層19利用注入至其中的載流 子(空穴和電子)的復(fù)合而發(fā)光。
第二電極20也用作向有機(jī)發(fā)光層19施加電壓的陽極或者陰極。第 二電極20是讓從有機(jī)發(fā)光層19發(fā)出的光向上透射的透明或者半透明電 極。第二電極20由透明材料(諸如ITO和IZO等)或者半透明材料(諸如 MgAg合金、Cu、 Ag、 Mg和Al等)制成。
如圖3和圖4所示，在第一電極18A之間的區(qū)域中，存在著與第一 電極18A形成為同一層的輔助布線18B。輔助布線18B與第二電極20 電連接，從而消除透明且具有高電阻的第二電極20中的不均勻電壓分布。 因此，輔助布線18B由電阻比第二電極20小的材料形成，或者由與第一 電極18A所用材料相同的材料形成。
平坦化絕緣膜17A和電極絕緣膜21各自在形成有輔助布線18B的 區(qū)域的一部分中具有錐形部(向上敞開)。在該錐形開口的底部與柵絕緣膜 12之間具有導(dǎo)電接觸部15B。第二電極20和輔助布線18B在接觸部15B 的上方彼此電連接。
接觸部15B由與布線層15A所用材料相同的材料形成為與布線層 15A處于同一層。具體地說，接觸部15B由鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鋁(A1)、 鉬(Mo)、鴇(W)、鉻(Cr)、金(Au)、鉑(Pt)、銅(Cu)、 ITO (indium tin oxide)、 IZO (indium zinc oxide)、銀(Ag)或者它們的合金形成。接觸部15B的組 分可以部分地含有能夠提供與第二電極20的良好接觸(優(yōu)選歐姆接觸)的 導(dǎo)電材料。
如圖5A和圖5B的放大視圖所示，接觸部15B具有包括第一至第三 導(dǎo)電層的三層結(jié)構(gòu)。第一導(dǎo)電層是最下部的鈦(Ti)層15B1，第二導(dǎo)電層 是中間的鋁(A1)層15B2，第三導(dǎo)電層是最上部的鉬(Mo)層15B3。 Ti層
1315B1比Al層15B2和Mo層15B3寬。該寬出部分W使得Ti層15B1能
與第二電極20直接接觸。以這種方式構(gòu)成的有機(jī)EL顯示裝置1能夠通 過作為接觸部15B的最下層的Ti層15B1來保證第二電極20與輔助布線 18B之間有良好的電連接。這能夠?qū)崿F(xiàn)低能耗并提高顯示質(zhì)量。
最下層(或Ti層15Bl)優(yōu)選由相對于第一電極18A具有高蝕刻選擇 性的材料形成。在形成第一電極18A時，上述這樣的材料會保護(hù)Ti層 15Bl使其不被蝕刻掉。中間層(或Al層15B2)可以由AlSi合金、AlSiCu 合金或者AlCe合金形成。由于在后述的制造過程中在進(jìn)行蝕刻以形成輔 助布線18B時，最上層(或Mo層15B3)會消失，因此最上層只在具有輔 助布線18B的這一部分接觸部15B中存在，而不會在沒有輔助布線18B 的那一部分接觸部15B中存在。
電極絕緣膜21的開口的側(cè)面逐漸向上擴(kuò)展。電極絕緣膜21的開口 寬于在下方形成有接觸部15B的平坦化絕緣膜17A的開口。如圖4所示， 第二電極20平緩地或者呈臺階狀地向上擴(kuò)展。以這種方式擴(kuò)展能夠防止 在形成第二電極20時會出現(xiàn)的布線斷裂或電阻增大的情況(稍后將給出 詳細(xì)的說明)。此外，電極絕緣膜21由例如感光性聚酰亞胺樹脂等絕緣 材料形成。
在上述的有機(jī)EL元件(EL)中，第二電極20上均勻地涂敷有保護(hù)膜 (未圖示)，并且在該保護(hù)膜與透明基板IOB之間具有密封樹脂17B。以這 種方式構(gòu)成的有機(jī)EL顯示裝置1使得從有機(jī)發(fā)光層19發(fā)出的光通過第 二電極20 (在靠近透明基板IOB—側(cè))向上射出。換句話說，有機(jī)EL顯 示裝置1是頂出射型顯示裝置。
第二電極20上的保護(hù)膜(未圖示)由諸如Si02、 SiN和SiON等絕緣 材料形成。密封樹脂17B使層結(jié)構(gòu)平坦化從而被支撐在透明基板10B上。
薄膜晶體管Tr對應(yīng)于本實(shí)施例中的"驅(qū)動元件"，有機(jī)發(fā)光層19 對應(yīng)于本實(shí)施例中的"發(fā)光部"，平坦化絕緣膜17A和電極絕緣膜21 對應(yīng)于本實(shí)施例中的"絕緣層"。
有機(jī)EL顯示裝置1通過下面參照圖6~圖9B說明的工藝過程制造而 成。圖6~圖9B是說明了有機(jī)EL顯示裝置1的制造過程的一部分步驟的截面圖。
在圖6所示的第一步驟中，在由上面提到的材料形成的透明基板10A 上進(jìn)行濺射、化學(xué)氣相沉積(CVD， chemical vapor deposition)或光刻，從 而在透明基板10A上依次層疊由上面提到的材料形成的柵電極11 (100 nm厚)、柵絕緣膜12 (400 nm厚)、硅膜13A (30 nm厚)、阻擋絕緣膜14 (300 nm厚)、n+型非晶硅膜13B (100 nm厚)和布線層15A (600 nm厚)。這樣 就能夠獲得以矩陣形式布置的薄膜晶體管Tr。
當(dāng)例如利用濺射方法形成布線層15A時，同時還用與布線層15A相 同的材料形成與布線層15A結(jié)構(gòu)相同的接觸部15B。使接觸部15B形成 在柵絕緣膜12上或者與布線層15A處于同一層，并且如圖4所示位于第 一電極18A之間的區(qū)域中。
接觸部15B的形成過程包括圖7A、圖7B和圖7C所示的以下三個 步驟。如圖7A所示，利用濺射方法在柵絕緣膜12上依次涂敷Ti層15B1 (50 nm厚)、Al層15B2 (500 nm厚)和Mo層15B3 (50 nm厚)。如圖7B 所示，在頂層上涂敷光致抗蝕劑膜PH，該光致抗蝕劑膜隨后會被用作使 用磷酸、硝酸和乙酸的混合物進(jìn)行濕式蝕刻時的掩模。此次蝕刻除去了 Mo層15B3的未被掩蓋部分，并且還選擇性地除去了 Al層15B2的未被 掩蓋部分。如圖7C所示，利用使用氯氣進(jìn)行的干式蝕刻，將Ti層15Bl 選擇性地除去，使得Ti層15B1的表面局部地露出，從而形成圖4所示 的寬出部分W。
最后將光致抗蝕劑膜PH除去。這樣，接觸部15B被形成為與布線 層15A處于同一層。
本實(shí)施例的工藝過程由于通過光刻、Al層15B2上的濕式蝕刻(使用 酸的混合物)和Ti層15B1上的干式蝕刻(使用氯氣)來形成接觸部15B， 因此消除了由蝕刻引起的圖案缺陷。
換句話說，本實(shí)施例的工藝過程具有能減少由干式蝕刻引起的圖案 缺陷的優(yōu)點(diǎn)。這個優(yōu)點(diǎn)來自于如下原因干式蝕刻會使光致抗蝕劑圖案 的線寬與蝕刻后的圖案的線寬之間的差值較小。由于對作為最上層的Mo 層15B3和作為中間層的Al層15B2進(jìn)行濕式蝕刻，而對作為最下層的
15Ti層15B1進(jìn)行干式蝕刻，因此，Ti層當(dāng)然就可寬于Al層。A1層15B2 在大氣中自然氧化，因此它與光出射側(cè)的第二電極20之間的電連接變?nèi)酢?然而，作為最下層的Ti層15Bl與第二電極20之間保持著良好的電連接。
此外，在Ti/Al/Ti層疊結(jié)構(gòu)(見稍后給出的比較例2)上進(jìn)行濕式蝕刻 的情況下，如果Al層具有比上部Ti層快的蝕刻速率，則上部Ti層的邊 緣變得不穩(wěn)定并且破損從而產(chǎn)生會導(dǎo)致圖案缺陷的雜質(zhì)。這是由于Ti與 Al之間的蝕刻速率明顯不同的緣故。
在前述的用于形成薄膜晶體管Tr和接觸部15B的過程以后，進(jìn)行包 括圖8A 圖8C所示的三個步驟的下一個過程。
圖8A所示的步驟的目的是利用CVD方法在薄膜晶體管Tr和接觸 部15B上均勻地形成保護(hù)絕緣膜16(與上面提到的材料相同)。然后，利 用旋轉(zhuǎn)涂敷或者狹縫涂敷方法在保護(hù)絕緣膜16上均勻地涂敷平坦化絕緣 膜17A (與上面提到的材料相同)。在與接觸部15B對應(yīng)的區(qū)域中進(jìn)行曝 光和顯影等光刻過程，從而形成開口。烘烤之后，獲得了用圖8A中的 Pl表示的具有錐形側(cè)面的開口。平坦化絕緣膜由可提供平緩坡度的感光 性樹脂形成。具有平緩坡度的開口還可以通過使用諸如半色調(diào)掩模 (half-tone mask)或者灰色調(diào)掩模(gray-tone mask)等多色調(diào)掩模而形成，或 者通過用開口尺寸不同的幾個掩模進(jìn)行幾次曝光而形成。錐形的斜度可 以根據(jù)第二電極20的厚度和形成方法來適當(dāng)確定。
在平坦化絕緣膜17A中已經(jīng)形成了開口以后的如圖8B所示的下一 個步驟中，利用濺射方法在平坦化絕緣膜17A和接觸部15B上均勻地涂 敷金屬層18 (約300nm厚)。金屬層18由與上面提到的第一電極18A和 輔助布線18B相同的材料形成。
在已經(jīng)形成了金屬層18以后的如圖8C所示的下一個步驟中，利用 光刻過程對金屬層18進(jìn)行選擇性蝕刻，從而形成圖3和圖4所示的第一 電極18A和輔助布線18B。第一電極18A形成在與薄膜晶體管Tr對應(yīng) 的位置處，輔助布線18B形成在第一電極18A之間的區(qū)域中。進(jìn)行形成 圖案的過程，使輔助布線18B的一部分與接觸部15B電連接。接觸部15B 不一定全部都是由相對于金屬層18具有高蝕刻選擇性的材料形成；接觸部15B可以由相對于該導(dǎo)電材料具有高選擇性的任何材料形成。不存在
會將接觸部15B的導(dǎo)電材料一起蝕刻掉的可能性?？梢赃x擇適當(dāng)?shù)奈g刻 方法。
在已經(jīng)形成了第一電極18A和輔助布線18B以后的如圖9A所示的 下一個步驟中，利用旋轉(zhuǎn)涂敷或者狹縫涂敷方法在平坦化絕緣膜17A、 第一電極18A和輔助布線18B上均勻地涂敷與上面提到的材料相同的電 極絕緣膜21。然后利用光刻過程使該涂敷層形成圖案并得到所需的形狀， 以便使第一電極18A及有機(jī)發(fā)光層19彼此分離。這時，利用光刻過程選 擇性地除去與接觸部15B對應(yīng)的區(qū)域，從而形成用圖9A中的P2表示的 錐形開口。該錐形開口被形成為使該錐形開口的斜度盡可能平緩。該目 的可通過使用諸如半色調(diào)掩模和灰色調(diào)掩模等多色調(diào)掩模來實(shí)現(xiàn)，或者 通過用開口尺寸不同的幾個掩模重復(fù)進(jìn)行幾次曝光而實(shí)現(xiàn)。電極絕緣膜 21中的開口應(yīng)當(dāng)具有向上敞幵的錐形形狀。
在已經(jīng)形成了電極絕緣膜21以后的如圖9B所示的下一個步驟中， 利用真空沉積方法在第一電極18A上涂敷有機(jī)發(fā)光層19。然后，利用真 空沉積方法在有機(jī)發(fā)光層19、電極絕緣膜21、平坦化絕緣膜17A、接觸 部15B和輔助布線18B上涂敷與上面提到的材料相同的第二電極20 (約 10 nm厚)。
最后，利用CVD方法在第二電極20上均勻地涂敷與上面提到的材 料相同的保護(hù)膜(未圖示)。在保護(hù)膜(未圖示)上澆注密封樹脂17B，并使 全部組件被夾持在透明基板IOB與IOA之間。以這種方式，就能夠獲得 本實(shí)施例所構(gòu)想的有機(jī)EL顯示裝置1 (如圖3和圖4所示)。
有機(jī)EL顯示裝置1以下述方式工作。在通過布線層15A和薄膜晶 體管Tr向第一電極18A施加電壓的情況下，有機(jī)發(fā)光層19按照跟第一 電極18A與第二電極20之間的電位差成比例的亮度而發(fā)光。從有機(jī)發(fā)光 層19發(fā)出的光被第一電極18A反射，然后穿過第二電極20。因此，所 發(fā)出的光穿過透明基板10B向上射出(圖4中)。各個像素中的各個有機(jī) EL元件(EL)響應(yīng)于像素信號而發(fā)光，因此有機(jī)EL顯示裝置1顯示出所 需的圖像。下面說明有機(jī)EL顯示裝置1的優(yōu)點(diǎn)。第二電極20和輔助布線18B通過導(dǎo)電接觸部15B彼此電連接，導(dǎo)電接觸部15B能抵抗表面氧化并且能提供與第二電極20的良好連接(優(yōu)選歐姆連接)。因此，即使在與第一電極18A的材料相同的輔助布線18B上出現(xiàn)表面氧化，第二電極20與輔助布線18B之間的連接電阻也不會增大。具體地說，如圖4所示，電連接的通道P是第二電極20—最下部Ti層15B1的寬出部分W—中間Al層15B2—最上部Mo層15B3—輔助布線18B。
此外，在圖IO所示的現(xiàn)有的EL顯示裝置IOI(比較例l)中，輔助布線118B由與第一電極118A相同的材料形成為與第一電極118A處于同一層，并與第二電極120直接連接。這種結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)在于，當(dāng)輔助布線118B受到表面氧化時，第二電極120與輔助布線118B之間的連接電阻會增大。
作為對比，本實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置l被構(gòu)成為，輔助布線18B形成為與第一電極18A處于同一層，且位于第一電極18A與輔助布線18B之間的區(qū)域中的輔助布線18B只有一部分與跟布線層15A為同一層的接觸部15B連接。因此，當(dāng)形成接觸部15B時，布局不受薄膜晶體管Tr和布線層15A的限制。
如上所述，本實(shí)施例的特征在于，第二電極20和輔助布線18B通過導(dǎo)電接觸部15B相互電連接，且輔助布線18B只有一部分與接觸部15B連接。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于，即使輔助布線18B受到表面氧化，接觸電阻也不會增大，而且在形成接觸部15B時，布局也不會受到限制。這保證了自由布局和低能耗，并且使所獲得的有機(jī)EL顯示裝置1的顯示質(zhì)量得到提高。
因為在形成接觸部15B時布局不會受到限制，所以不會產(chǎn)生由于不自然的布局而可能在布線層15A中出現(xiàn)的短路所導(dǎo)致的缺陷。
因為接觸部15B由與布線層15A相同的材料形成為與布線層15A處于同一層，這就是即使形成接觸部15B也不會使制造步驟增多的原因(由此保持較低的生產(chǎn)成本)。換句話說，布線層15A和接觸部15B在同一步驟中形成，因此簡化了制造過程。另外，因為接觸部15B由相對于第一電極18A具有較高蝕刻比(etching ratio)的材料形成，這消除了當(dāng)通過蝕刻金屬層18而形成第一電極18A和輔助布線18B時，接觸部15B被蝕刻掉的可能性。這就保證了接觸部15B的形成。
此外，因為平坦化絕緣膜17A和電極絕緣膜21被形成為使它們的開口惻面呈錐形(向上擴(kuò)展)，就能夠防止在開口側(cè)面部分中的第二電極20的斷裂以及電阻的增大。這有利于獲得高產(chǎn)率。
此外，本實(shí)施例具有層狀結(jié)構(gòu)的接觸部15B。也就是說，接觸部15B包括最下部的Ti層15B1 (第一導(dǎo)電層)、中間的Al層15B2 (第二導(dǎo)電層)和最上部的Mo層15B3。另外，Ti層15B1具有比A1層15B2和Mo層15B3寬的寬出部分W，從而使第二電極20與Ti層15Bl直接接觸。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于，即使中間的Al層15B2在大氣中受到自然氧化并且與第二電極20(光出射側(cè))的電接觸變?nèi)?，在最下部的Ti層15B1與光出射側(cè)的電極之間仍然能夠保持良好的電接觸。
此外，因為通過用混合酸作為蝕刻劑對Mo層15B3和Al層15B2進(jìn)行濕式蝕刻，然后用氯氣對Ti層15B1進(jìn)行干式蝕刻，由此形成接觸部15B，這能夠減少由干式蝕刻引起的圖案缺陷，并且能夠具有干式蝕刻方法的如下優(yōu)點(diǎn)，即光致抗蝕劑圖案的線寬與蝕刻后的圖案的線寬之間的差值較小。稍后對此進(jìn)行詳細(xì)說明。
第二實(shí)施例
下面說明本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示裝置。第一實(shí)施例和第二實(shí)施例所共有的構(gòu)成元件用相同的符號表示，并且不再重復(fù)對它們的說明。
圖11是示出了本實(shí)施例的顯示裝置(有機(jī)EL顯示裝置)的接觸部25B的結(jié)構(gòu)的截面圖。在接觸部25B的最下方處，在透明基板11A上具有低電阻布線層26，低電阻布線層26與跟薄膜晶體管Tr連接的源信號線或者柵極布線處于同一層。低電阻布線層26具有500 nm的厚度，并且在低電阻布線層26上，向上依次形成有柵電極11、柵絕緣膜12、硅膜13A、阻擋絕緣膜14和n+型非晶硅膜13B。當(dāng)顯示屏變得更大且清晰度提高時，低電阻布線層26能夠防止柵極布線、源信號線和電流供給線
19的電阻隨著它們長度的增加而成比例地增大。此外，低電阻布線層26不
一定需要設(shè)在薄膜晶體管Tr中，因此在圖5A和圖5B所示的第一實(shí)施例中未包括低電阻布線層26。第二實(shí)施例中除了與薄膜晶體管Tr和保護(hù)絕緣膜16相關(guān)的部分以外的結(jié)構(gòu)都與第一實(shí)施例相同。
在本實(shí)施例中，低電阻布線層26存在于接觸部25B的下方。這種結(jié)構(gòu)減小了第一電極18A與第二電極20之間的距離，結(jié)果，由平坦化膜引起的臺階變小，接觸電阻比第一實(shí)施例中減少得更多，并且更不容易出現(xiàn)由斷裂引起的電阻增大。第二實(shí)施例的其它效果與第一實(shí)施例相同。
第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的接觸部15B和25B的接觸電阻與圖12所示的比較例2不同，下面對此進(jìn)行說明。
比較例2
圖12是示出了比較例2中的接觸部115B的結(jié)構(gòu)的截面圖。接觸部115B對應(yīng)于圖5A和圖5B所示的接觸部15B。布線層115A和接觸部115B各具有包括Ti層115B3 (50nm厚)、Al層115B2 (500 nm厚)和Ti層115B1(50nm厚)的三層結(jié)構(gòu)。第二電極120布置在保護(hù)絕緣膜116和平坦化絕緣膜117A上，并與上部Ti層115B3電連接。除了該結(jié)構(gòu)以外，比較例2與上述的第一實(shí)施例和第二實(shí)施例相同。
此外，比較例2的結(jié)構(gòu)在本申請人于2006年6月19日提交的申請(日本專利申請No. 2006-168906)的說明書中被公開。該在先申請的發(fā)明的目的是利用層狀結(jié)構(gòu)的接觸部115B來實(shí)現(xiàn)輔助布線118B與第二電極120(光出射側(cè))之間的良好電連接，其中該層狀結(jié)構(gòu)的最上層由Ti形成。希望這種良好電連接能夠提高靠近驅(qū)動面板的電極的反射率并降低輔助布線的電阻。
此外，如在比較例2中，在用于輔助布線118B和第二電極120 (光出射側(cè))之間電連接的接觸部U5B是Ti和Al的層狀膜的情況下，對該Ti和Al的層狀膜的蝕刻通常通過使用氯氣或三氯化硼氣體進(jìn)行的反應(yīng)蝕刻(reactive etching)來實(shí)現(xiàn)。反應(yīng)蝕刻具有使光致抗蝕劑圖案的線寬與蝕刻后的圖案的線寬的差值較小的優(yōu)點(diǎn)。然而，反應(yīng)蝕刻還具有由于對Al進(jìn)行蝕刻時所出現(xiàn)的雜質(zhì)因而會導(dǎo)致圖案缺陷的缺點(diǎn)。如果為了獲得
20更大的面板和更高的清晰度而將A1膜制成為較厚從而減小源信號線和電流供給線的電阻，則上述缺點(diǎn)會導(dǎo)致低產(chǎn)率。
另外，為了簡化制造過程，應(yīng)優(yōu)選將接觸部U5B形成為與薄膜晶體
管Tr的源漏布線處于同一層。然而，在頂出射型有機(jī)EL顯示裝置的情況下，通常的作法是將聚酰亞胺或者丙烯酸樹脂的平坦化層布置在源漏層與構(gòu)成像素電極的像素電極層之間。該平坦化層厚度約為2pm并且與光致抗蝕劑的情況一樣利用旋轉(zhuǎn)涂敷方法形成。在這種情況下，光出射側(cè)的電極通過在平坦化層中形成的接觸孔與接觸部115B連接。然而，這種方式的連接必須越過平坦化層的臺階，而且這會導(dǎo)致接觸電阻增大的問題。
以下述方式對接觸電阻進(jìn)行評估。在比較例2的情況下，接觸部115B被形成為未使其端部露出。在第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的情況下，接觸部15B和25B被形成為使Ti層的端部露出。在上述所有情況下，第二電極具有20 pm的接觸寬度和100 pm的接觸長度。根據(jù)100 iiA的電流I所產(chǎn)生的電壓V來計算電阻R,測量出第一電極與第二電極之間的接觸電阻。圖13給出了結(jié)果。
從圖13中可以看到，圖5A和圖5B所示的結(jié)構(gòu)(第一實(shí)施例)具有稍高的接觸電阻，而圖11所示的結(jié)構(gòu)(第二實(shí)施例)和比較例2的結(jié)構(gòu)具有幾乎相等的接觸電阻。這個結(jié)果表明，即使在形成布線過程中使用上述技術(shù)來保持產(chǎn)率，接觸電阻也不會顯著增大。此外，圖5A和圖5B所示的結(jié)構(gòu)(第一實(shí)施例)由于接觸部15B與輔助布線18B之間的連接而產(chǎn)生了電阻，但是因為該電阻是歐姆接觸電阻，因此電阻的增大是無關(guān)緊要的。
第三實(shí)施例
圖14是示出了本發(fā)明第三實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置1的顯示區(qū)域IIO的平面結(jié)構(gòu)的視圖。圖15是沿圖14中的線XV-XV獲取的截面圖。該有機(jī)EL顯示裝置1除了輔助布線15C具有與接觸部15B相同的層狀結(jié)構(gòu)并與接觸部15B—體形成以外，其它結(jié)構(gòu)與上述第一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置相同。因此，用相同的附圖標(biāo)記表示對應(yīng)的構(gòu)成元件。
21本實(shí)施例與第一實(shí)施例的相同之處有，采用了相同結(jié)構(gòu)的透明基板
IOA和IOB、薄膜晶體管Tr、布線層15A、接觸部15B、保護(hù)絕緣膜16、平坦化絕緣膜17A、電極絕緣膜21、密封樹脂17B以及有機(jī)EL元件(EL)。
輔助布線15C在第一電極18A之間的區(qū)域中形成為與布線層15A處于同一層。類似于第一實(shí)施例中的輔助布線18B，輔助布線15C的目的是消除在具有高電阻的透明第二電極20中的不均勻電壓分布。因此，輔
助布線15C被構(gòu)成為具有比第二電極20低的電阻(或者輔助布線15C由具有低電阻率的材料制成)。具體地說，如圖16A和圖16B所示，輔助布線15C具有與接觸部15B相同的層狀結(jié)構(gòu)，并與接觸部15B —體形成。由于具有這樣的結(jié)構(gòu)，因此有機(jī)EL顯示裝置1在輔助布線15C與接觸部15B之間具有小得多的接觸電阻。
在形成有輔助布線15C的區(qū)域的一部分中，平坦化絕緣膜17A和電極絕緣膜21具有錐形開口(向上擴(kuò)展)(見圖15)。在該開口的底部與柵絕緣膜12之間，形成有與布線層15A處于同一層的導(dǎo)電接觸部15B。借助于接觸部15B，第二電極20和輔助布線15C彼此電連接。
可以通過以下方式來制造該有機(jī)EL顯示裝置1。
首先，如圖17所示，以與第一實(shí)施例相同的方式在透明基板10A上形成多個薄膜晶體管Tr。
用相同材料同時形成布線層15A和接觸部15B。如圖15所示，使接觸部15B形成在柵絕緣膜12上，即，與布線層15A處于同一層，并且位于第一電極18A之間的區(qū)域中。這時，輔助布線15C和接觸部15B彼此一體形成。
首先，如圖18A所示，利用濺射方法在柵絕緣膜12上依次涂敷Ti層15B1 (50 nm厚)、Al層15B2 (500 nm厚)和Mo層15B3 (50 nm厚)。然后，如圖18B所示，通過作為掩模的光致抗蝕劑膜PH,使用磷酸、乙酸和硝酸的混合物進(jìn)行濕式蝕刻，從而部分地除去Mo層15B3并選擇性地除去A1層15B2。接著，如圖18C所示，進(jìn)行使用氯氣的干式蝕刻，從而選擇性地除去Ti層15Bl。這個步驟使Ti層15B1的表面局部地露出，從而形成圖15所示的寬出部分W。最后，除去光致抗蝕劑膜PH。這樣，就能夠?qū)⒔佑|部15B形成為與布線層15A處于同一層，并使輔助 布線15C與接觸部15B —體形成。
如圖19A所示，以與第一實(shí)施例相同的方式，在如上所述已經(jīng)形成 的薄膜晶體管Tr、接觸部15B和輔助布線15C上涂敷保護(hù)絕緣膜16和 平坦化絕緣膜17A，并形成錐形開口(用P1表示)。
如圖19B所示，以與第一實(shí)施例相同的方式，在平坦化絕緣膜17A (其中形成有開口)和接觸部15B上涂敷金屬層18。然后，如圖19C所示， 利用光刻方法對金屬層18進(jìn)行選擇性蝕刻，從而形成第一電極18A (與 各個薄膜晶體管Tr對應(yīng))。
在已經(jīng)形成了第一電極18A以后，如圖20A所示，以與第一實(shí)施例 相同的方式，在平坦化絕緣膜17A和第一電極18A上形成電極絕緣膜21。
在已經(jīng)形成了電極絕緣膜21以后，如圖20B所示，利用真空沉積方 法在第一電極18A上涂敷有機(jī)發(fā)光層19。然后，利用真空沉積方法在有 機(jī)發(fā)光層19、電極絕緣膜21、平坦化絕緣膜17A和接觸部15B上均勻 地形成第二電極20 (約為10nm厚)。
最后，利用CVD方法在第二電極20上均勻地涂敷保護(hù)膜(未圖示)。 利用滴注方法在該保護(hù)膜(未圖示)上均勻地涂敷密封樹脂17B，從而將上 述各構(gòu)成元件夾持在透明基板10A與10B之間。這樣，就能獲得圖14 和圖15所示的本實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置1。
以與第二實(shí)施例相同的方式，在通過上述過程制造而成的有機(jī)EL 顯示裝置1中，對第一電極與第二電極之間的接觸電阻進(jìn)行測試。測試 結(jié)果如圖21所示。可以看到，圖16A和圖16B所示的結(jié)構(gòu)(第三實(shí)施例) 與圖11所示的結(jié)構(gòu)(第二實(shí)施例)獲得了相同的結(jié)果。換句話說，具有與 接觸部15B相同的層狀結(jié)構(gòu)并與接觸部15B —體形成的輔助布線15C進(jìn) 一步減小了輔助布線15C與接觸部15B之間的接觸電阻，并防止了接觸 電阻的顯著增大。
有機(jī)EL顯示裝置1以與第一實(shí)施例中有機(jī)EL顯示裝置相同的方式 工作。也就是說，在通過布線層15A和薄膜晶體管Tr向第一電極18A 施加電壓的情況下，有機(jī)發(fā)光層19按照跟第一電極18A與第二電極20之間的電位差成比例的亮度而發(fā)光。從有機(jī)發(fā)光層19發(fā)出的光被第一電
極18A反射，然后穿過第二電極20。因此，光穿過圖15所示的透明基 板10B向上射出。因此，各個像素中響應(yīng)于像素信號而發(fā)光的有機(jī)EL 元件(EL)在有機(jī)EL顯示裝置中生成所需的圖像。
有機(jī)EL顯示裝置1被構(gòu)成為，輔助布線15C具有與接觸部15B相 同的層狀結(jié)構(gòu)并與接觸部15B—體形成。因此，輔助布線15C與接觸部 15B之間具有小得多的接觸電阻。這使得第二電極20與輔助布線15C之 間的接觸電阻進(jìn)一步減小。
如上所述，第三實(shí)施例不但產(chǎn)生了與第一實(shí)施例相同的效果，而且 還產(chǎn)生了能夠進(jìn)一步減小輔助布線15C與接觸部15B之間的接觸電阻的 效果，上述后一效果的產(chǎn)生是由于輔助布線15C具有與接觸部15B相同 的層疊結(jié)構(gòu)并與接觸部15B—體形成。這使得輔助布線15C與接觸部15B 之間的接觸電阻進(jìn)一步減小，從而有利于實(shí)現(xiàn)低能耗并提高顯示質(zhì)量。
模塊和應(yīng)用例
上述各實(shí)施例的顯示裝置能夠以各種形式用于電視機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、 筆記本電腦、便攜電話和攝像機(jī)等設(shè)備，這些設(shè)備配備有顯示裝置以便 從外部信號或者內(nèi)部信號產(chǎn)生圖像。
模塊
上述任一實(shí)施例的顯示裝置可以按圖22所示模塊的形式得以應(yīng)用， 該模塊被設(shè)置于在以下應(yīng)用例中所列出的各種電子設(shè)備中。圖22所示的 模塊包括基板ll、密封基板50、粘合劑層40以及從密封基板50和粘合 劑層40延伸的區(qū)域210。區(qū)域210包括用于信號線驅(qū)動電路120和掃描 線驅(qū)動電路130的布線，所述布線的外部端子(未圖示)與用于信號輸入和 輸出的柔性印刷電路220連接。
應(yīng)用例1
圖23是示出了應(yīng)用上述各實(shí)施例的顯示裝置的電視機(jī)的外觀視圖。 該電視機(jī)具有包括前板310和濾色玻璃320的圖像顯示屏300。圖像顯示 屏300是基于上述各實(shí)施例的顯示裝置而構(gòu)成的。應(yīng)用例2
圖24A和圖24B是示出了應(yīng)用上述各實(shí)施例的顯示裝置的數(shù)碼相機(jī) 的外觀視圖。該數(shù)碼相機(jī)具有發(fā)光部410、顯示單元420、菜單開關(guān)430 和快門按鈕440。顯示單元420是基于上述各實(shí)施例的顯示裝置而構(gòu)成 的。
應(yīng)用例3
圖25是示出了應(yīng)用上述各實(shí)施例的顯示裝置的筆記本電腦的外觀 視圖。該筆記本電腦具有主體510、用于輸入操作的鍵盤520和用于圖像 顯示的顯示單元530。顯示單元530是基于上述各實(shí)施例的顯示裝置而構(gòu) 成的。
應(yīng)用例4
圖26是示出了應(yīng)用上述各實(shí)施例的顯示裝置的攝像機(jī)的外觀視圖。 該攝像機(jī)具有主體610、連接至主體610的鏡頭620、開始/停止開關(guān)630 和顯示單元640。顯示單元640是基于上述各實(shí)施例的顯示裝置而構(gòu)成 的。
應(yīng)用例5
圖27A 圖27G是示出了應(yīng)用上述各實(shí)施例的顯示裝置的便攜電話 的外觀視圖。該便攜電話包括利用鉸鏈730接合在一起的上部殼體710 和下部殼體720。該便攜電話還包括顯示部740、副顯示部750、圖片燈 (picture light) 760和照相機(jī)770。顯示部740或者副顯示部750是基于上 述各實(shí)施例的顯示裝置而構(gòu)成的。
已經(jīng)參照具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了說明。然而，在本發(fā)明的范圍 內(nèi)可以不受限制地作出各種變化和修改。
例如，接觸部15B或者25B除了可以被形成為如圖4所示與布線層 15A處于同一層或者與第一電極18A及輔助布線18B處于同一層，還可 以被形成為與其它層處于同一層。
在第一實(shí)施例中，輔助布線18B被形成為與第一電極18A處于同一 層，在第三實(shí)施例中，輔助布線15C被形成為與布線層15A和接觸部15B
25處于同一層。然而，輔助布線18B或者15C也可以形成為與其它層處于 同一層。此外，輔助布線18B和15C可以結(jié)合起來并且可以通過接觸孔 相互連接，因此，當(dāng)一根輔助布線斷裂時，可以用另一根來補(bǔ)充斷裂的 那根。
在上述各實(shí)施例中，電極絕緣膜21具有比它下方的平坦化絕緣膜 17A的開口寬的開口(對應(yīng)于接觸部15B)。然而，電極絕緣膜21的開口 也可以比平坦化絕緣膜17A的開口窄，只要該開口具有向上擴(kuò)展的錐形 形狀即可。
在上述各實(shí)施例中，如果單獨(dú)地形成平坦化絕緣膜17A和保護(hù)絕緣 膜16，則優(yōu)選讓平坦化絕緣膜17A位于接觸部15B上的保護(hù)絕緣膜16 的內(nèi)側(cè)。然而，這不是必須限定的。
在第二實(shí)施例中，在用于形成薄膜晶體管Tr的各步驟中所形成的所 有膜都被留下來作為接觸部15B的下面各層；然而，不一定需要將所有 膜都留下，而是可以將一些膜除去，或者可以形成與薄膜晶體管Tr分離 的附加膜。
本實(shí)施例的顯示裝置不但可以包括在前述各實(shí)施例中說明的具有有 機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示裝置，還可以包括任何其它的顯示裝置。
前述各實(shí)施例中的構(gòu)成元件在材料、厚度、形成過程及形成條件方 面不限于上述具體情況。
前述各實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置1不一定需要具有上述所有層。 此外，它還可以具有例如連接至透明基板10B的濾色層等附加層。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)不同的設(shè)計要求和其他因素，可以 在本發(fā)明所附的權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改、組合、次 組合以及改變。
2權(quán)利要求
1. 一種顯示裝置，其具有多個驅(qū)動元件以及與所述驅(qū)動元件電連接的布線部，所述顯示裝置包括多個第一電極，所述多個第一電極對應(yīng)于各個所述驅(qū)動元件而形成在所述驅(qū)動元件和所述布線部上；多個發(fā)光部，所述多個發(fā)光部各自形成在所述第一電極上；公共的第二電極，其由可透射從所述發(fā)光部發(fā)出的光的材料形成，并且形成在所述發(fā)光部上；輔助布線部，其電阻低于所述第二電極的電阻；以及接觸部，其由多個導(dǎo)電層形成為層疊結(jié)構(gòu)，并使所述第二電極和所述輔助布線部相互電連接，所述接觸部的各導(dǎo)電層中的至少最下部導(dǎo)電層與所述第二電極直接接觸。
2. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置，其中，所述輔助布線部由與所述第一電極相同的材料形成在所述第一電極 之間的區(qū)域中，并且所述接觸部的各導(dǎo)電層中的最上部導(dǎo)電層與所述輔助布線部接觸。
3. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置，其中，所述輔助布線部具有與所 述接觸部相同的層疊結(jié)構(gòu)，并與所述接觸部一體形成。
4. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置，其中，所述接觸部是雙層結(jié)構(gòu)， 該雙層結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電層在第一導(dǎo)電層上，所述第一導(dǎo)電層比所述第二 導(dǎo)電層寬，并且所述第二電極與該寬出部分接觸。
5. 如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述第一導(dǎo)電層是由Ti、 TiN、 Al、 Mo、 W、 Cr、 Au、 Pt、 Cu、 ITO、 IZO、 Ag及其合金中的任 一種材料形成的金屬層。
6. 如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述第二導(dǎo)電層是A1材 料的金屬層。
7. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置，其中，所述接觸部由與所述驅(qū)動 元件的布線部相同的層形成。
8. 如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，在所述接觸部的下方，形 成有在所述驅(qū)動元件側(cè)的絕緣膜和包含金屬膜的膜。
9. 如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，在所述接觸部與所述第二電極之間形成有絕緣層，所述絕緣層在與 所述接觸部對應(yīng)的區(qū)域中具有開口，并且 所述開口被形成為向上擴(kuò)展的錐形形狀。
10. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述接觸部的各導(dǎo)電層 中的最下部導(dǎo)電層由相對于所述第一電極具有高蝕刻選擇性的材料形 成。
11. 一種顯示裝置制造方法，其包括以下步驟在基板上形成多個驅(qū)動元件和布線部，使得這些驅(qū)動元件和布線部 相互電連接；形成具有由多個導(dǎo)電層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)的接觸部；在所述驅(qū)動元件和所述布線部上形成分別與所述多個驅(qū)動元件對應(yīng) 的多個第一電極，并形成輔助布線部；在各個所述第一電極上形成發(fā)光部；以及在所述發(fā)光部上用可透射從各個所述發(fā)光部發(fā)出的光的材料形成公 共的第二電極，并通過所述接觸部使所述第二電極與所述輔助布線部之 間進(jìn)行電連接，所述輔助布線部由電阻低于所述第二電極的電阻的材料形成， 所述接觸部的各導(dǎo)電層中的至少最下部導(dǎo)電層與所述第二電極直接 接觸。
12. 如權(quán)利要求ll所述的顯示裝置制造方法，其中， 將所述接觸部形成為包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)， 使所述第二導(dǎo)電層層疊在所述第一導(dǎo)電層上，然后，在所述層疊結(jié)構(gòu)上形成掩模，通過所述掩模進(jìn)行濕式蝕刻，從而向下選擇性地除去各層直至選擇性地除去所述第二導(dǎo)電層，通過所述掩模進(jìn)行干式蝕刻，從而選擇性地除去所述第一導(dǎo)電層， 然后，形成所述第二電極，使得所述第二電極覆蓋所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層。
13. 如權(quán)利要求ll所述的顯示裝置制造方法，其中，所述接觸部由 與所述驅(qū)動元件的布線部相同的層形成。
14. 如權(quán)利要求ll所述的顯示裝置制造方法，所述方法還包括以下步驟在所述接觸部與所述第二電極之間形成絕緣層；以及 在所述絕緣層中選擇性地除去與所述接觸部對應(yīng)的區(qū)域，從而形成 具有向上擴(kuò)展的錐形形狀的開口。
15. 如權(quán)利要求14所述的顯示裝置制造方法，其中，通過使用半色 調(diào)掩?；蚧疑{(diào)掩模來形成所述具有向上擴(kuò)展的錐形形狀的開口。
16. —種顯示裝置制造方法，其包括以下步驟在基板上形成多個驅(qū)動元件和布線部，使得這些驅(qū)動元件和布線部 相互電連接；形成具有由多個導(dǎo)電層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)的接觸部，并一體形成具有與所述接觸部相同的層疊結(jié)構(gòu)的輔助布線部；在所述驅(qū)動元件和所述布線部上形成分別與所述多個驅(qū)動元件對應(yīng) 的多個第一電極；在各個所述第一電極上形成發(fā)光部；以及在所述發(fā)光部上用可透射從各個所述發(fā)光部發(fā)出的光的材料形成公共的第二電極，并通過所述接觸部使所述第二電極與所述輔助布線部之 間進(jìn)行電連接，所述輔助布線部由電阻低于所述第二電極的電阻的材料形成， 所述接觸部的各導(dǎo)電層中的至少最下部導(dǎo)電層與所述第二電極直接 接觸。
17. 如權(quán)利要求16所述的顯示裝置制造方法，其中， 將所述接觸部形成為包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)， 使所述第二導(dǎo)電層層疊在所述第一導(dǎo)電層上，然后，在所述層疊結(jié)構(gòu)上形成掩模，通過所述掩模進(jìn)行濕式蝕刻，從而向下選擇性地除去各層直至選擇性地除去所述第二導(dǎo)電層，通過所述掩模進(jìn)行干式蝕刻，從而選擇性地除去所述第一導(dǎo)電層， 然后，形成所述第二電極，使得所述第二電極覆蓋所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層。
18. 如權(quán)利要求16所述的顯示裝置制造方法，其中，所述接觸部由 與所述驅(qū)動元件的布線部相同的層形成。
19. 如權(quán)利要求16所述的顯示裝置制造方法，所述方法還包括以下 步驟在所述接觸部與所述第二電極之間形成絕緣層；以及 在所述絕緣層中選擇性地除去與所述接觸部對應(yīng)的區(qū)域，從而形成 具有向上擴(kuò)展的錐形形狀的開口。
20. 如權(quán)利要求19所述的顯示裝置制造方法，其中，通過使用半色 調(diào)掩?；蚧疑{(diào)掩模來形成所述具有向上擴(kuò)展的錐形形狀的開口。
全文摘要
本發(fā)明提供了顯示裝置及其制造方法，該顯示裝置具有多個驅(qū)動元件以及與驅(qū)動元件電連接的布線部，該顯示裝置包括多個第一電極，這些第一電極對應(yīng)于各個驅(qū)動元件而形成在驅(qū)動元件和布線部上；多個發(fā)光部，這些發(fā)光部各自形成在第一電極上；公共的第二電極，其由可透射從發(fā)光部發(fā)出的光的材料形成，并且形成在發(fā)光部上；輔助布線部，其電阻低于第二電極的電阻；以及接觸部，其由多個導(dǎo)電層形成為層疊結(jié)構(gòu)，并使第二電極和輔助布線部相互電連接，接觸部的各導(dǎo)電層中的至少最下部導(dǎo)電層與第二電極直接接觸。在本發(fā)明的顯示裝置及其制造方法中，第二電極和輔助布線通過導(dǎo)電接觸部彼此電連接；因此，即使輔助布線受到表面氧化，接觸電阻也不會增大。
文檔編號H01L27/32GK101465368SQ200810186409
公開日2009年6月24日 申請日期2008年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月18日
發(fā)明者廣升泰信, 林直輝, 藤岡弘文 申請人:索尼株式會社