專利名稱：背部照明圖像傳感器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種背部照明圖像傳感器的制造方法。
技術(shù)背景圖像傳感器是一種將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號的半導(dǎo)體器件。圖像傳感器一般被劃分為電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器或互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)圖像傳感器(CIS)。在現(xiàn)有技術(shù)的圖像傳感器中，采用離子注入在襯底中形成光電二極管。 由于為了在不增加芯片尺寸的情況下增加像素的數(shù)目，光電二極管的尺寸越 來越減小，所以光接收部分的面積也減小，使得圖像質(zhì)量降低。此外，因?yàn)槎询B高度減少不像光接收部分的面積一樣減少的那么多，所 以由于稱為艾里斑(airydisk)的光衍射，入射到光接收部分的光子數(shù)目也 減少。作為克服這種局限的一種選擇，進(jìn)行了以下嘗試通過經(jīng)由晶片的背部 接收光，最小化光接收部分的上表面的高度并且消除由于金屬布線(metal routing)引起的光干涉。利用這種方法的圖像傳感器可稱為背部(backside) 照明圖像傳感器。在現(xiàn)有技術(shù)的背部照明圖像傳感器中，在襯底的前部(front side)執(zhí)行 用于形成光接收器件和金屬線的工藝，然后，，執(zhí)行以預(yù)設(shè)厚度去除該襯底 背部的背部磨削。執(zhí)行背部磨削是為了通過將襯底的背部磨削到適當(dāng)?shù)暮?度，調(diào)整外部模塊與光學(xué)透鏡之間的間隔。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的背部照明圖像傳感器，絕緣層上硅(SOI)晶片作為其上 形成有光接收器件和電路的原料晶片(donorwafer)。然后，將SOI晶片接 合至處理晶片。其后，對原料晶片執(zhí)行背部磨薄工藝。.以下將描述現(xiàn)有技術(shù)的用于原料晶片的背部磨薄工藝。首先，執(zhí)行用于原料晶片的背部磨薄，使得隱埋氧化物(BOX)的上表面只保留幾十微米的厚度。其后，執(zhí)行回蝕以完成背部磨薄工藝。然而，由于現(xiàn)有技術(shù)的背部照明圖像傳感器采用昂貴的SOI晶片作為原料晶片，所以制造成本非常高。同樣，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于原料晶片的背部磨削可能引起晶片邊緣變薄。如果發(fā)生晶片邊緣變薄，則位于晶片邊緣的芯片可能失效，所以產(chǎn)量下降。另外，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，由于在回蝕工藝中，也晶片的中心也被暴露于等 離子體損害下以將晶片蝕刻幾十微米的厚度，因此圖像傳感器變化的可能性 增大。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的圖像傳感器的另一種方法是通過沉積非晶硅形成光電二極管的圖像傳感器(參見"3D圖像傳感器")。在硅襯底上形成讀出電 路并在另一個晶片上形成光電二極管，執(zhí)行晶片至晶片的接合，從而在讀出 電路上形成光電二極管。該光電二極管和讀出電路通過金屬線相連接。在將光電二極管設(shè)置在具有讀出電路的晶片上之后，執(zhí)行接合工藝。此 時，由于接合問題，讀出電路可能不會與光電二極管正確電連接。例如，金 屬線常常形成在讀出電路上，然后，執(zhí)行晶片至晶片的接合，使得金屬線接 觸光電二極管。然而，此時，可能很難正確地使金屬線接觸光電二極管，而 且可能很難提供金屬線與光電二極管之間的歐姆接觸。此外，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)， 與光電二極管連接的金屬線可能被短路。盡管有研究致力于防止金屬線之間 短路的缺陷，但是其問題在于需要復(fù)雜的工藝。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實(shí)施例提供一種背部照明圖像傳感器的制造方法，能夠穩(wěn)定有 效地去除其襯底背部。實(shí)施例也提供一種能夠降低制造成本的背部照明圖像傳感器的制造方法。實(shí)施例也提供一種能夠?qū)⑷肷涔饬孔畲蠡⑶覝p少由于金屬布線引起 的光的干涉和反射的背部照明圖像傳感器的制造方法。在一個實(shí)施例中， 一種背部照明圖像傳感器的制造方法，可包括如下步 驟在第一襯底的前部的區(qū)域中形成離子注入層；在形成離子注入層之后，在所述第一襯底的前部中形成器件隔離區(qū)域以定義像素區(qū)域；在所述像素區(qū)域中形成光感測單元和讀出電路；在所述第一襯底上形成層間絕緣層和金屬 線；將第二襯底接合至其上形成有所述金屬線的所述第一襯底的所述前部； 去除第一襯底位于所述離子注入層之下的下部(lower side);以及在所述第 一襯底的背部的光感測單元上形成微透鏡。在另一個實(shí)施例中， 一種背部照明圖像傳感器的制造方法可包括如下步 驟在第一襯底的前部中形成器件隔離區(qū)域以定義像素區(qū)域；在形成離子注 入層之后，在第一襯底的前部的區(qū)域中形成離子注入層；在所述像素區(qū)域中 形成光感測單元和讀出電路；在所述第一襯底上形成層間絕緣層和金屬線； 將第二襯底接合至其上形成有所述金屬線的所述第一襯底的所述前部；去除 第一襯底位于所述離子注入層之下的下部；以及在所述第一襯底的背部的光 感測單元上形成微透鏡。在又一個實(shí)施例中， 一種背部照明圖像傳感器的制造方法可包括如下步 驟在第一襯底的前部的區(qū)域中形成離子注入層；在所述第一襯底的前部形 成光感測單元和讀出電路；在所述第一襯底的前部上形成層間絕緣層和金屬 線；將第二襯底接合至所述第一襯底的所述前部；采用第二襯底作為處理(晶 片)，去除第一襯底位于所述離子注入層之下的下部；以及在所述第一襯底 的背部的光感測單元上形成微透鏡。在再一個實(shí)施例中， 一種背部照明圖像傳感器的制造方法可包括如下步 驟在第一襯底的前部的整個區(qū)域中形成離子注入層；在其中形成有離子注 入層的第一襯底的前部中形成光感測單元和獨(dú)處電路；在所述第一襯底的前 部上形成層間絕緣層和金屬線；將第二襯底接合至所述第一襯底的所述前 部；以及去除第一襯底位于所述離子注入層之下的下部。在另一個實(shí)施例中， 一種背部照明圖像傳感器的制造方法可包括如下步 驟在第一襯底的前部中形成光感測單元；在形成有光感測單元的第一襯底 的前部中形成離子注入層；在所述第一襯底的前部中形成讀出電路；在所述 第一襯底的前部上形成層間絕緣層和金屬線；將第二襯底接合至所述第一襯 底的所述前部；以及去除第一襯底位于所述離子注入層之下的下部。本發(fā)明的制造方法可以采用離子注入技術(shù)穩(wěn)定有效地去除襯底的背部， 而且，通過采用Epi晶片而不是SOI晶片作為原料晶片，可顯著降低制造成以下將在附圖和說明書中闡述一個或多個實(shí)施例的細(xì)節(jié)。根據(jù)說明書和 附圖以及權(quán)利要求書，本發(fā)明的其它特征將變得清楚。


圖1至圖5是示出根據(jù)實(shí)施例的背部照明圖像傳感器的制造方法的橫截 面圖。
具體實(shí)施方式
以下將參照附圖詳細(xì)描述背部照明圖像傳感器的制造方法。 在實(shí)施例的描述中，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)提及一個層(或膜)在另一個層或襯 底"上"時，其可以直接在另一個層或襯底上，或者也可以存在中間層。此 外，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)提及一個層在另一個層"以下"時，其可以直接在另一個 層下，或者也可以存在一個或多個中間層。另外，還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)提及一個 層在兩個層"之間"時，其可以是在兩個層之間的唯一層，或者也可以存在 一個或多個中間層。圖1A至圖1C示例性地顯示了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的形成離子注入 層105的操作。參見圖1A，可在第一襯底100的前部中形成離子注入層105。該第一襯 底100可為Epi晶片，但在本發(fā)明中并不局限于此。在實(shí)施例中，可以在離 子注入層105的上下定義第一襯底100的下部100a與第一襯底100的上部 100b。在根據(jù)一個實(shí)施例的背部照明圖像傳感器的制造方法中，可采用Epi晶 片作為襯底100，充當(dāng)原料晶片。與SOI晶片相比，當(dāng)采用Epi晶片作為原 料晶片時，可顯著節(jié)省制造成本。根據(jù)采用Epi晶片作為原料晶片的實(shí)施例，因?yàn)楣飧袦y單元和電路可一 起形成在Epi晶片上，所以在不實(shí)施對于光電二極管形成在電路上的3D圖 像傳感器而言必須的接合工藝的情況下，可以很容易地制造背部照明圖像傳 感器。因此，無需考慮如在3D圖像傳感器中的接合問題和接觸問題。通過對第一襯底100的前部執(zhí)行離子注入可形成離子注入層105。由于7第一襯底100的背部具有幾百微米的厚度，所以優(yōu)選經(jīng)由襯底的前部執(zhí)行離 子注入。
也就是說，由于與離子注入層105的深度相比，第一襯底100的厚度非 常大，所以難以通過襯底100的背部執(zhí)行離子注入。因此，通過在形成金屬 線140之前(見圖2)或?qū)⒌谝灰r底100與第二襯底200接合之前(見圖3) 預(yù)先形成離子注入層105，能夠在將第一襯底100與第二襯底200接合之后 很容易地去除第一襯底100的下部100a。
根據(jù)實(shí)施例，通過注入離子例如氫(H)或氦(He)可以形成離子注入層105。 然而，本發(fā)明并不局限于此。
在另一個實(shí)施例中，如圖1B所示，可以在將器件隔離層110形成在第 一襯底100的前部中之后形成離子注入層105。在實(shí)施例中，通過例如淺溝 道隔離(STI)，可以在第一襯底100的前部中形成器件隔離層110以定義像素 區(qū)域，然后可以形成離子注入層105。
由于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法不通過磨削就可以容易且穩(wěn)定地去除第 一襯底100的背部，而通過采用預(yù)先形成的離子注入層105，該方法可顯著 地提高背部照明圖像傳感器的產(chǎn)量。
同樣，在實(shí)施例中，可執(zhí)行采用氫(H)或氦(He)的離子注入工藝，使得在 采用Epi晶片的工藝期間，預(yù)先形成切割層(cleaving layer)。在充當(dāng)原料 晶片的第一襯底100的工藝完成之后，可將第一襯底100與充當(dāng)處理晶片的 第二襯底200相接合。使用處理晶片200是因?yàn)橄虏勘蝗コ说牡谝灰r底100 處于薄的狀態(tài)，而處理晶片200有助于平穩(wěn)地執(zhí)行后續(xù)的工藝。
其后，可進(jìn)行分割，用于將作為原料晶片的第一襯底IOO背部打薄。
根據(jù)實(shí)施例，通過使用離子注入工藝和分割工藝，就不需要進(jìn)行背部磨 削和回蝕，從而不會產(chǎn)生例如邊緣裸片瑕疵(edge die fail)、等離子體損傷 之類的現(xiàn)有技術(shù)問題。
同樣，根據(jù)實(shí)施例，由于沒有對原料晶片執(zhí)行磨削，所以沒有對原料晶 片施加物理應(yīng)力，從而抑制對光感測單元和讀出電路的損害。
參見圖1C，在又一個實(shí)施例中，在將光感測單元120形成在像素區(qū)域 中之后，可以形成離子注入層105。光感測單元120可為光電二極管，但實(shí) 施例并不局限于此。在一個實(shí)施例中，可通過在P型第一襯底100中形成N型離子注入?yún)^(qū)域120以及在第一襯底100的N型離子注入?yún)^(qū)域120上形成 Po區(qū)域(未示出)來制備感測單元120。然而，實(shí)施例并不局限于此。對于 利用這種光感測單元120的實(shí)施例，可使用Po區(qū)域抑制額外電子的產(chǎn)生。 此外，通過形成PNP結(jié)(P-襯底、N型離子注入?yún)^(qū)120、 Po區(qū)域)，可以獲 得電荷傾卸(charge dumping effect)效應(yīng)。
參見圖2，在形成離子注入層105之后，可在其上形成有光感測單元120 的第一襯底100上形成讀出電路130，該讀出電路130可包含轉(zhuǎn)移晶體管、 復(fù)位晶體管、驅(qū)動晶體管和選擇晶體管等等，但是實(shí)施例并不局限于此。
可在第一襯底IOO上形成層間絕緣層160，并且可在層間絕緣層160中 形成金屬線140。該金屬線140可包含第一金屬M(fèi)l等等。
焊盤線150也可形成在邏輯區(qū)域中。焊盤線150可包含第一金屬M(fèi)l、 第二金屬M(fèi)2、第三金屬等等，但并不局限于此。此時，焊盤PAD可形成在 與第一金屬M(fèi)1相同的水平面上。這樣，在將第一襯底100和第二襯底200 接合之后，可以容易地從第一襯底100的背部執(zhí)行焊盤開口工藝。這是因?yàn)?從第一襯底100的背部至焊盤PAD的深度小。
接下來，參見圖3，可將第二襯底200接合至其上形成有金屬線140的 第一襯底100的前部。例如，可將第二襯底接合至第一襯底100的前部，以 使第二襯底200 (處理晶片)與第一襯底100的金屬線140相對應(yīng)。
通過在將第二襯底200與第一襯底100相接合之前，在第二襯底200上 形成絕緣層210，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法能夠提高第二襯底200與第一襯 底100之間的接合力。絕緣層210可為氧化層或氮化層，但并不局限于此。 通過使絕緣層210與第一襯底100前部的層間絕緣層160相接觸，以及將絕 緣層210接合至層間絕緣層160，可以顯著提高第一襯底IOO與第二襯底200 之間的接合力。
根據(jù)實(shí)施例，由于Epi晶片可以用作第一襯底100 (原料晶片)，并且 光感測單元120和讀出電路130可以一起形成在第一襯底100上，所以在不 實(shí)施對于其上形成有光電二極管的3D圖像傳感器而言是必要的接合工藝的 情況下，可以很容易地制造背部照明圖像傳感器。因此，也無需考慮接合問 題和接觸問題。同時，由于處理晶片與原料晶片之間的接合是在二者之間插 入層間絕緣層的狀態(tài)下執(zhí)行的，所以可減輕接合問題。
9另外，根據(jù)實(shí)施例，可將位于光感測單元上的堆疊(或材料層厚度)最 小化以將入射光量最大化。另外，由于沒有產(chǎn)生因金屬布線引起的光干涉和 反射現(xiàn)象，所以可以使圖像傳感器的光特性最大化。
接下來，參見圖4，可以相對于離子注入層105而從接合至第二襯底的
第一襯底100去除第一襯底100的下部100a，例如，可對離子注入層105進(jìn) 行熱退火以使氫離子起泡，然后，采用刀片切割并去除第一襯底100的下部 100a，以將第一襯底100的上部100b留在處理晶片200上。然后，可以將 第一襯底100的切割平面平面化。
對于現(xiàn)有技術(shù)中利用分割技術(shù)制造3D圖像傳感器，將光感測單元和讀 出電路形成在獨(dú)立的晶片上，然后執(zhí)行接合和互聯(lián)工藝。在此現(xiàn)有技術(shù)中， 緊接在接合工藝之前，執(zhí)行用于形成分割層的氫或氦離子注入工藝。
而且，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的3-D圖像傳感器，很難正確地實(shí)現(xiàn)讀出電路與光 電二極管之間的電連接，并且與光電二極管電連接的金屬線可能短路。
相反，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，由于采用Epi晶片作為充當(dāng)原料晶片的襯 底100，而光感測單元120和讀出電路130可以一起形成在第一襯底100中， 因此沒有必要在其上形成有光感測單元的襯底與其上形成有電路的襯底之 間實(shí)施接合工藝，例如在光感測單元形成在電路上的3D圖像傳感器的工藝。 因此，可以很容易地實(shí)施制造工藝并且解決接合問題和接觸問題。
在現(xiàn)有技術(shù)的3D圖像傳感器中，在接合工藝之前直接執(zhí)行氫或氦離子 注入工藝的原因在于在光感測單元中產(chǎn)生的電子被傳送到電子電路并且被 轉(zhuǎn)換成電壓。也就是說，在不在襯底上形成金屬和層間絕緣層的情況下，在 該襯底上形成光電二極管PD。
然而，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以將光感測單元120和讀出電路130 — 起形成在同一個晶片上，即，第一襯底100上。因此，根據(jù)實(shí)施例分割的晶 片需要后段(BEOL， back end of line)工藝，例如形成金屬線140和形成層 間絕緣層160的工藝。
這樣，在使用根據(jù)實(shí)施例的工藝方案時，不能像現(xiàn)有技術(shù)那樣在接合工 藝之前直接執(zhí)行離子注入工藝。而是根據(jù)實(shí)施例，在將金屬線140和層間絕 緣層160形成在用作第一襯底100 (原料晶片)的Epi晶片上之前，可以通 過執(zhí)行氫或氦離子注入工藝來形成離子注入層105。接下來，如圖5所示，可在第一襯底100的背部的光感測單元120上形 成濾色鏡170。在光感測單元120是R、 G、 B垂直堆疊類型的光電二極管的 實(shí)施例中，可以忽略濾色鏡。
接下來，可以在濾色鏡170上形成微透鏡180。
其后，可執(zhí)行將焊盤開口的PAD工藝。在實(shí)施例中，可以從第一襯底 的背部執(zhí)行焊盤開口工藝。也就是說，由于焊盤PAD與第一金屬M(fèi)1形成在 同一水平面上，所以從第一襯底的背部可以很容易地打開焊盤PAD。
根據(jù)實(shí)施例的背部照明圖像傳感器的制造方法，可以采用離子注入技術(shù) 穩(wěn)定有效地去除襯底的背部。也就是說，由于不需要背部磨削或回蝕工藝， 所以不會產(chǎn)生邊緣裸片瑕疵以及等離子體損壞。
此外，根據(jù)實(shí)施例，由于不需要執(zhí)行用于原料晶片的磨削，所以可減少 對光感測單元和電路的損害。
另外，根據(jù)實(shí)施例，通過采用Epi晶片作為原料晶片，光感測單元與電 路可同時形成在Epi晶片上。而且，通過采用Epi晶片而不是SOI晶片，可 顯著降低制造成本。
根據(jù)實(shí)施例，由于采用Epi晶片作為原料晶片并且光感測單元與電路同 時形成在Epi晶片上，所以，在不實(shí)施對于其上形成有光電二極管的3D圖 像傳感器而言是必要的接合工藝的情況下，可以很容易地制造背部照明圖像 傳感器，并且也無需考慮接合問題和接觸問題。同時，由于處理晶片與原料 晶片之間的接合是在二者之間插入中間絕緣層的狀態(tài)下執(zhí)行的，所以可減輕 接合問題。
而且，根據(jù)實(shí)施例，可將光感測單元上的堆疊最小化以使入射光量最大 化，并且，由于沒有產(chǎn)生因金屬布線引起的光干涉和反射現(xiàn)象，所以可以將 圖像傳感器的光特性最大化。
在本說明書中對于"一個實(shí)施例"、"一實(shí)施例"、"示例性實(shí)施例" 等的任意引用表示結(jié)合該實(shí)施例所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā) 明的至少一個實(shí)施例中。在說明書中各個位置中的這種短語的出現(xiàn)不必都涉 及相同的實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合任意實(shí)施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時， 可認(rèn)為在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所屬范圍內(nèi)，可結(jié)合其它實(shí)施例實(shí)現(xiàn)這種特 征、結(jié)構(gòu)或特性。
ii盡管對實(shí)施例的描述中結(jié)合了其中多個示例性實(shí)施例，但可以理解的是本領(lǐng)域技術(shù)人員完全可以推導(dǎo)出許多其它變化和實(shí)施例，并落入本公開內(nèi)容的原理的精神和范圍之內(nèi)。特別是，可以在該公開、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)對組件和/或附件組合設(shè)置中的排列進(jìn)行多種變化和改進(jìn)。除組件和/或排列的變化和改進(jìn)之外，其他可選擇的應(yīng)用對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種背部照明圖像傳感器的制造方法，包括如下步驟在第一襯底的前部的區(qū)域中形成離子注入層；在所述第一襯底的所述前部中形成器件隔離區(qū)域以定義像素區(qū)域；在所述像素區(qū)域中形成光感測單元和讀出電路；在所述第一襯底上形成層間絕緣層和金屬線；將第二襯底接合至其上形成有金屬線的所述第一襯底的所述前部；以及去除所述第一襯底位于所述離子注入層以下的下部。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述離子注入層的步驟在形成所述器件隔離區(qū)域的步驟之前進(jìn)行。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述離子注入層的步驟在形成所述器件隔離區(qū)域的步驟之后、但在形成所述光感測單元和所述讀出電路的步驟之前進(jìn)行。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述離子注入層的步驟在形成所述光感測單元的步驟之后、但在形成所述讀出電路的步驟之前進(jìn)行。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述離子注入層的步驟包括執(zhí)行氫離子注入或氦離子注入。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述離子注入層的步驟包括經(jīng)由所述第一襯底的前部執(zhí)行離子注入。
7. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中去除所述第一襯底位于所述離子注入層以下的下部的步驟包括對所述離子注入層執(zhí)行熱處理。
8. 如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在去除所述第一襯底的所述下部的步驟之后，在所述第一襯底的背部上形成濾色鏡。
9. 如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在去除所述第一襯底的所述下部的步驟之后，在所述第一襯底的背部的所述光感測單元上形成微透鏡。
10. 如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在去除所述第一襯底位于所述離子注入層以下的下部的步驟之后，打開在形成所述層間絕緣層和所述金屬線期間形成的焊盤。
11. 如權(quán)利要求10所述的方法，其中打開所述焊盤的步驟包括從所述第一襯底的背部蝕刻至所述焊盤。
12. 如權(quán)利要求1所述的方法，在將第二襯底接合至所述第一襯底之前，還包括在所述第二襯底上形成絕緣層，其中將所述第二襯底接合至所述第一襯底，使得形成在所述第二襯底上的所述絕緣層與所述第一襯底的前部相接觸。
13. —種背部照明圖像傳感器的制造方法，包括如下步驟在第一襯底的前部的區(qū)域中形成離子注入層；在所述第一襯底的所述前部中形成光感測單元；在所述第一襯底的所述前部上形成讀出電路；在所述第一襯底的所述前部上形成層間絕緣層和金屬線；將第二襯底接合至所述第一襯底的所述前部；以及去除所述第一襯底位于所述離子注入層以下的下部。
14. 如權(quán)利要13所述的方法，其中形成所述離子注入層的步驟包括將氫離子或氦離子注入到其中形成有所述光感測單元的所述第一襯底的前部中。
15. 如權(quán)利要13所述的方法，其中形成所述離子注入層的步驟包括在形成所述光感測單元的步驟之前，將氫離子或氦離子注入到所述第一襯底的前部中。
16. 如權(quán)利要13所述的方法，其中去除所述第一襯底位于所述離子注入層以下的下部的步驟包括對所述離子注入層執(zhí)行熱處理。
17. 如權(quán)利要13所述的方法，還^^括在去除所述第一襯底的下部的步驟之后，在所述第一襯底的背部上形成濾色鏡。
18. 如權(quán)利要13所述的方法，還包括在去除所述第一襯底的下部的步驟之后，在所述第一襯底的背部的所述光感測單元上形成微透鏡。
19. 如權(quán)利要13所述的方法，在將第二襯底接合至所述第一襯底之前，還包括在所述第二襯底上形成絕緣層，其中將所述第二襯底接合至所述第一襯底，使得形成在所述第二襯底上的所述絕緣層與所述第一襯底的所述前部相接觸。
20. 如權(quán)利要13所述的方法，還包括在去除所述第一襯底位于所述離子注入層以下的下部之后，打開在形成所述層間絕緣層和所述金屬線期間形成的焊盤。
全文摘要
本發(fā)明提供一種背部照明圖像傳感器的制造方法。在該方法中，在第一襯底的前部的整個區(qū)域中形成離子注入層；在所述第一襯底的前部中形成器件隔離區(qū)域以定義像素區(qū)域；在所述像素區(qū)域中形成光感測單元和讀出電路；在所述第一襯底上形成層間絕緣層和金屬線；將第二襯底接合至其上形成有金屬線的所述第一襯底的前部；除去第一襯底位于所述離子注入層之下的下部，使得在第一襯底的背部的光感測單元是可用的。本發(fā)明的制造方法可以采用離子注入技術(shù)穩(wěn)定有效地去除襯底的背部，而且，通過采用Epi晶片而不是SOI晶片作為原料晶片，可顯著降低制造成本。
文檔編號H01L21/82GK101645416SQ200810181259
公開日2010年2月10日 申請日期2008年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月6日
發(fā)明者沈喜成, 俊 黃 申請人:東部高科股份有限公司