專利名稱：固體攝像器件及攝像機的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于數(shù)碼攝像機等的MOS型固體攝像器件。
技術(shù)背景MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體)型固體攝像器件，是利用包含形成在 各像素上的絕緣柵電極場效應(yīng)晶體管(以下稱為MOS晶體管)的放大 電路來放大并讀取已存儲在各像素的光電二極管上的光電荷信號的 圖像傳感器。尤其，用COMS (互補MOS)工藝制造的CMOS圖像傳感 器，是低電壓且低功耗的器件，其優(yōu)點是能夠和外圍電路一起形成單 片化，所以，作為個人計算機用小型攝像機等便攜設(shè)備的圖像輸入裝 置引起廣泛關(guān)注。圖1是表示構(gòu)成過去的MOS型固體攝像器件的攝像區(qū)的n溝道 MOS晶體管和溝槽(卜^ > + )元件隔離部的結(jié)構(gòu)一例的剖面圖。如 圖l所示，在硅襯底8上形成了P型阱區(qū)。在P型阱區(qū)內(nèi)形成了n溝 道型M0S晶體管，n溝道型M0S晶體管的源區(qū)成為光電二極管10。在 該光電二極管區(qū)10，把光子轉(zhuǎn)換成電荷(既通過光照射而產(chǎn)生電荷)。 一般，在對鄰接的元件(例如M0S晶體管)之間進行電氣隔離用的元 件隔離部，采用由選擇氧化法(L0C0S: Local oxidation of Silicon: 局部氧化硅隔離)形成的氧化膜。并且，若進一步進行上述固體攝像 器件的微細化，則在元件隔離部使用如圖l所示的溝槽元件隔離部9
那樣的、由溝槽元件隔離(STI: Shallow Trench Isolation)法而 形成的氧化膜。圖2是表示過去的M0S型固體攝像器件的結(jié)構(gòu)一例的圖。該M0S 型固體攝像器件在同一塊硅片8上具有多個像素26排列成二維狀 的攝像區(qū)27，用于像素選擇的垂直移位寄存器28和水平移位寄存器 29，以及向移位寄存器供給所需脈沖的定時信號發(fā)生電路30。攝像 區(qū)27中的各個像素26，由光電變換部31、傳輸用晶體管32、復(fù)位 用晶體管23、放大用晶體管24和選擇用晶體管25這4個M0S晶體 管而構(gòu)成。攝像區(qū)27中的元件隔離部采用LOCOS或STI而形成的MOS型固 體攝像器件，產(chǎn)生氮化膜等引起的膜應(yīng)力、或者因離子注入工序或蝕 刻工序而引起的缺陷。該缺陷是產(chǎn)生暗電流和白傷痕(白^《)的原 因。此外，若采用L0C0S，則出現(xiàn)鳥咀狀("一義匕、一夕)寬度增加、 攝像區(qū)27很難微細化的問題。并且，若采用STI，則有埋入氧化膜 產(chǎn)生應(yīng)力的問題。解決上述問題的方法己公開在日本特開2000—196057號公報(現(xiàn) 有例1)上。結(jié)合圖3A 圖3 F說明該現(xiàn)有例1中記載的上述方法。 圖3A 圖3F是按制造工序順序表示過去的M0S型固體攝像器件的元 件隔離部的剖面概要的剖面圖。如圖3A所示，在半導(dǎo)體襯底61上淀積SiOJ莫作為柵絕緣膜52， 并通過熱氧化達到0.1iim的厚度。然后，通過該柵絕緣膜(熱氧化 膜)52進行離子注入，形成溝道限制部53、光電變換部54和漏極 55。再者，如圖3B所示，以約0.3um的厚度來淀積CVD氧化膜56。 并且，在淀積CVD氧化膜(抗蝕劑)56之后，如圖3C所示，使用掩 模并采用RIE法對CVD氧化膜56和柵氧化膜52進行蝕刻，以便將柵 溝道57開口。然后，如圖3D所示，淀積由多晶硅構(gòu)成的柵電極58，進行再氧
化，在溝道區(qū)內(nèi)形成柵氧化膜。然后，如圖犯所示，使用抗蝕劑掩模、以至少比柵溝道57大的圖形在柵電極58上進行RIE (快速離子 刻蝕)，形成多晶硅布線圖形。再者，如圖3F所示，淀積Si02等層間 絕緣膜59，并利用RIE進行開口，埋入信號線60，使其與漏極55導(dǎo) 通。一般，MOS型固體攝像器件在各個像素內(nèi)具有放大電路，通過放 大小的電信號，即可實現(xiàn)高靈敏度。因此，在漏入到光電二極管內(nèi)的 漏電流較大的情況下，該漏電流也被放大，所以，產(chǎn)生大的雜音。該 雜音使圖像粗糙化，成為嚴重問題。在此，所謂漏電流是指在光電二 極管區(qū)內(nèi)除了因光子變換成電荷而產(chǎn)生的電流之外的所有漏入到光 電二極管內(nèi)的電流?，F(xiàn)在，為適應(yīng)高級信息處理技術(shù)和便攜機的小型化要求，半導(dǎo)體 器件的微細化和高密度化的研究仍然在大力進行。目前正在開發(fā)以 0. 18 P m (及其以下)的尺寸為設(shè)計標準的CMOS型固體攝像器件。并 且，像素區(qū)和外圍電路的進一步細微化是當前的固體攝像器件的目標之一。通過這種細微化來實現(xiàn)固體攝像器件的高集成化和高密度化， 是固體攝像器件的高速化等高性能化或多功能化的最有效手段，是制造今后的固體攝像器件所必不可少的方法。但是，在固體攝像器件中，作為伴隨上述細微化的特有問題，存 在因攝像區(qū)面積減小而使靈敏度降低的問題。例如，光電二極管區(qū)的 靈敏度，是指進行光電變換的電荷量超過漏電流所引起的雜波電荷量 的最小光電荷量，為了提高其靈敏度，必須降低雜波電荷。如上所述，微細的MOS晶體管，是利用半導(dǎo)體LSI的微細化技術(shù) 而開發(fā)的，目前對漏電流尚未注意。例如，作為適合微細化的元件隔 離結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體器件中廣泛采用上述STI。 STI是在硅片上用干刻 工藝來形成溝槽，在其中充填氧化膜的結(jié)構(gòu)。所以，對充填的氧化膜 和硅片的熱膨脹系數(shù)不同，因此在硅片內(nèi)產(chǎn)生很大應(yīng)力。并且，溝槽
的底端部具有陡峭的角度，所以造成應(yīng)力集中。 一般，若在晶體中存 在大的應(yīng)力，則為了使晶體的能量穩(wěn)定，增加晶體缺陷的密度。來自 該晶體缺陷的電子是造成漏電流的原因之一 。并且，在硅片界面上形成與耦合無關(guān)的界面電平，存在非價電子。再者，在STI中，溝槽元件隔離部通過干刻而形成，所以，硅片與埋 入氧化膜的界面上及界面附近的晶體結(jié)構(gòu)非常雜亂。因此，在上述界 面上和界面附近，存在許多與耦合無關(guān)的非價電子(以下，把界面上 和界面附近的非價電子稱為"界面電平漏泄")。由于該界面電平漏泄 而產(chǎn)生大的漏電流。如上所述，具有用半導(dǎo)體LSI技術(shù)進行微細化的M0S晶體管的固 體攝像器件中，存在的問題是:應(yīng)力引起的晶體缺陷所造成的漏電流、 以及來自與包含硅表面的STI之間的界面電平的泄漏電流，造成很大 的雜音。并且，上述現(xiàn)有技術(shù)中記載的MOS型固體攝像器件及其制造 方法，利用溝道停止注入來形成元件隔離部，在元件隔離部中，為了 充分確保耐壓，必須擴大元件隔離部的區(qū)域?qū)挾?。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的解決方案，其目的在于提 供一種容易實現(xiàn)攝像區(qū)的微細化和確保元件隔離部的耐壓、容易實現(xiàn) 低暗電流及減少白傷痕的M0S型固體攝像器件。為了達到上述目的，本發(fā)明的固體攝像器件，具有包括光電二極 管和晶體管的像素單元的攝像區(qū)，上述光電二極管具有第1導(dǎo)電型的 電荷存儲區(qū)和第2導(dǎo)電型的暗電流抑制層，上述晶體管讀取由該光電 二極管獲得的電荷，上述攝像區(qū)具有將上述晶體管和與其相鄰接的該 攝像區(qū)以外的晶體管進行電隔離的的元件隔離部，其特征在于上述 元件隔離部的深度比上述暗電流抑制層中雜質(zhì)濃度最大的部分的深 度淺。 本發(fā)明的另一種固體攝像器件，具有包括光電二極管和晶體管的 像素單元的攝像區(qū)，上述光電二極管具有第1導(dǎo)電型的電荷存儲區(qū)和第2導(dǎo)電型的暗電流抑制層，上述晶體管讀取由該光電二極管獲得的 電荷，上述攝像區(qū)具有將上述晶體管和與其相鄰接的該攝像區(qū)以外的晶體管進行電隔離的元件隔離部，其特征在于上述元件隔離部的深 度比形成于上述電荷存儲區(qū)的表面附近的上述暗電流抑制層的深度 淺。


根據(jù)與表示本發(fā)明的具體實施方式
的附圖相結(jié)合而進行的下述 說明，可以看出本發(fā)明的目的、優(yōu)點和特征。圖1是表示構(gòu)成過去的MOS型固體攝像器件的攝像區(qū)的MOS晶體管及溝槽元件隔離部的結(jié)構(gòu)一例的剖面圖。圖2是表示過去的M0S型固體攝像器件的結(jié)構(gòu)一例的圖。圖3A至圖3F是按制造工序順序來表示過去的固體攝像器件的元件隔離部的剖面大致結(jié)構(gòu)的剖面圖，是M0S型固體攝像器件的工序順序剖面圖。圖4是表示構(gòu)成本發(fā)明第一個實施方式涉及的M0S型固體攝像器 件的攝像區(qū)的M0S晶體管及溝槽元件隔離部的結(jié)構(gòu)一例的剖面圖。圖5是表示在光電二極管和暗電流抑制層的邊界上殘留的垂直應(yīng) 力的平均值和元件隔離部的深度之間關(guān)系的圖。圖6是表示光電二極管和暗電流抑制層中的雜質(zhì)濃度的圖。圖7是表示STI底面上應(yīng)力集中部分的圖。圖8是攝像區(qū)的晶體管和外圍電路區(qū)的晶體管的剖面圖。圖9是僅用n型晶體管來形成外圍電路時的固體攝像器件的剖面圖。圖10是表示構(gòu)成本發(fā)明第二實施方式涉及的MOS型固體攝像器
件的M0S晶體管及溝槽元件隔離部的結(jié)構(gòu)一例的剖面圖。圖11是表示構(gòu)成本發(fā)明第三實施方式涉及的M0S型固體攝像器件的M0S晶體管及溝槽元件隔離部的結(jié)構(gòu)一例的剖面圖。圖12是表示構(gòu)成本發(fā)明第四實施方式涉及的M0S型固體攝像器件的M0S晶體管及溝槽元件隔離部的結(jié)構(gòu)一例的剖面圖。 圖13是本發(fā)明第五實施方式涉及的攝像機的方框圖。
具體實施方式
以下參照附圖，詳細說明涉及本發(fā)明的實施方式。 〈第一實施方式〉圖4是表示構(gòu)成本發(fā)明第一個實施方式涉及的M0S型固體攝像器 件110的攝像區(qū)的n溝道M0S晶體管及溝槽元件隔離部的結(jié)構(gòu)一例的 剖面圖。該M0S晶體管通過元件隔離部2與鄰接的M0S晶體管分離， 光電二極管3在硅片(或者P型阱)l內(nèi)形成n型擴散區(qū)。該光電二 極管3兼用作攝像區(qū)的M0S晶體管的源極，和其他M0S晶體管一樣， 在與光電二極管3相鄰接的區(qū)內(nèi)形成了元件隔離部2。再者，希望在作為光電二極管3的n型擴散區(qū)的表面附近，形成 P型擴散區(qū)作為暗電流抑制層6。在此情況下，暗電流抑制層6如圖 4所示，延伸到元件隔離部2的周圍。為阻止暗電流抑制層6的光吸 收造成靈敏度降低，希望暗電流抑制層6形成在距離硅片1的表面 10nm以上且200nm以下的位置。尤其為了提高靈敏度，希望暗電流 抑制層6形成在距離硅片1的表面10nm以上且100nm以下的位置。 元件隔離部2用干刻法來形成。元件隔離部2的深度為lnm以上200nm 以下，如上所述，其形成在比暗電流抑制層6淺的區(qū)內(nèi)。圖5是表示在光電二極管和暗電流抑制層的邊界上殘留的垂直應(yīng) 力的平均值和元件隔離部2的深度之間關(guān)系的圖。而且，元件隔離部 2的深度范圍定為50nm 700nm。
上述應(yīng)力的平均值是作為彈性流動模式中的邏輯計算結(jié)果而求出的值。如圖5所示，在元件隔離部2的深度為200 nnT700nm的范 圍內(nèi)，上述應(yīng)力的平均值表示非常大的值，表示與元件隔離部2的深 度幾乎沒有關(guān)系。但是，假定光電二極管和暗電流抑制層6的邊界的 深度為200nm。另一方面，圖5也表示若元件隔離部2的深度小于 200nm則光電二極管的殘留垂直應(yīng)力急劇減小。產(chǎn)生該結(jié)果的主要原 因是元件隔離部2遠離光電二極管和暗電流抑制層6的邊界面，而 且元件隔離部2的深度和寬度之比減小。由此，晶體缺陷的生成焓隨應(yīng)力增大而減少，所以，通過減小應(yīng) 力能夠抑制晶體缺陷的產(chǎn)生。其結(jié)果，把元件隔離部的深度控制在 200nm以下，即可減小漏電流，減小雜音。尤其是為了減小應(yīng)力、減小漏電流，希望元件隔離部的深度設(shè)在 l歷以上且100nm以下。圖6是表示與光電二極管上的硅片表面相垂直的斷面上的雜質(zhì)濃 度分布的圖。在圖6中，縱坐標表示雜質(zhì)濃度，橫坐標表示距離硅片 表面的深度。圖6所示的雜質(zhì)濃度曲線是能夠在光電二極管中高效率 地存貯光電荷、且進行高效的讀取傳輸?shù)淖罴逊植肌Ｔ陔s質(zhì)濃度分布 中，存在2個濃度極大點，淺的表示暗電流抑制層，其最大濃度的深 度約為100nm。另一方面，深的表示光電二極管，其最大濃度的深度 為150nm以上200mn以下，距離硅片表面的元件隔離部的深度定為 150nm以下，使元件隔離部遠離光電二極管的耗盡層，能夠防止在元 件隔離部和硅片的邊界上產(chǎn)生的復(fù)合電子直接擴展到光電二極管，可 抑制暗電流。元件隔離部對硅片侵蝕的深度定為100nm以下，如上所 述，能夠使元件隔離部的深度等于或小于暗電流抑制層的深度。為了 抑制暗電流抑制層的光吸收并防止靈敏度降低，暗電流抑制層的深度 (即離開硅片表面的光電二極管和暗電流抑制層的界面的深度)必須 保持在200nm以下。尤其希望暗電流抑制層的深度為lOnm以上100nm
以下。如圖6所示，在最優(yōu)化的光電二極管和暗電流抑制層的硅片內(nèi) 的雜質(zhì)濃度曲線中，暗電流抑制層和光電二極管的雜質(zhì)濃度的邊界， 距離硅片表面約lOOrnn。通過在暗電流抑制層內(nèi)形成元件隔離部，能 夠抑制元件隔離部和硅片界面上產(chǎn)生的漏電子的復(fù)合和擴散，還能夠 抑制漏電流。如圖6所示，暗電流抑制層的最大雜質(zhì)濃度的深度約為 50nm，把元件隔離部侵蝕硅片的深度控制在50nm以下，這樣，能使 在元件隔離部和硅片的界面上產(chǎn)生的復(fù)合電子向光電二極管方向擴 散的擴散活化能量非常大。于是在300K以上373K以下的溫度范圍內(nèi)， 能防止漏電流存貯在光電二極管內(nèi)，能減少白傷痕。而且，上述圖4所示的元件隔離部2用STI來形成，但也可以用 LOCOS來形成。本發(fā)明在用STI來形成元件隔離部2時尤其有效。以 下詳細說明其理由。圖7是表示STI底面上應(yīng)力集中部分的圖。元件隔離部2可以考 慮利用LOCOS或STI進行的元件隔離等，尤其如圖7所示，在用STI 進行元件隔離的情況下，應(yīng)力集中在STI底面的角部上，所以，在 STI底面與角部相接的半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)，產(chǎn)生大量漏電流。因此，根據(jù)STI 底面的深度方向的位置，漏入到光電二極管表面的漏電流量會發(fā)生巨 大變化。所以，光電二極管的深度、光電二極管的最大濃度的深度、 位于光電二極管表面上的暗電流抑制層的深度、位于光電二極管表面 上的暗電流抑制層的最大濃度的深度，與這4個位置分別對應(yīng)的STI 底面的深度方向的位置，使漏入到光電二極管內(nèi)的漏電流量發(fā)生巨大 變化。而且，以上說明中例示的無MOS晶體管是n溝道型的MOS晶體管， 但也可以是P溝道MOS晶體管構(gòu)成的MOS型固體攝像器件。在此情況 下，MOS晶體管的結(jié)構(gòu)是，在n型半導(dǎo)體襯底(或n型阱)內(nèi)形成P 型擴散區(qū)的源極和漏極。并且，光電二極管由P型擴散區(qū)構(gòu)成，暗電 流抑制層由n型擴散區(qū)構(gòu)成。
對固體攝像器件的攝像區(qū)進行驅(qū)動的電路包括多個M0S晶體管， 該M0S晶體管之間用元件隔離部進行電隔離。元件隔離部的結(jié)構(gòu)可以 采用與攝像區(qū)內(nèi)的溝槽元件隔離部相同的結(jié)構(gòu)。也就是說，淺溝槽的 深度為lnm以下200nm以上，與暗電流抑制層相等或者比它小。希望構(gòu)成攝像區(qū)及周圍驅(qū)動電路的MOS晶體管全都是n溝道型 MOS晶體管，或者全都是P溝道型MOS晶體管。尤其是，因為能實現(xiàn) 驅(qū)動電路的高速動作，所以，希望全部MOS晶體管是n溝道MOS晶體 管。在此，與驅(qū)動電路用CMOS型晶體管構(gòu)成的固體攝像器件相比， 驅(qū)動電路的所有MOS晶體管均由同一導(dǎo)電型來構(gòu)成的固體攝像器件 為佳，其原因說明如下。圖8是攝像區(qū)的晶體管和外圍電路區(qū)的晶體管的剖面圖。在CMOS型固體攝像器件的情況下，攝像區(qū)的晶體管是n型晶體 管，外圍電路區(qū)的晶體管由n型晶體管和P型晶體管構(gòu)成。如本發(fā)明那樣，在使元件隔離部減薄的情況下，外圍電路區(qū)內(nèi)的 缺點是，對n型晶體管和P型晶體管進行隔離的元件隔離部的能力可 能降低。這時，產(chǎn)生閉鎖現(xiàn)象，在n型晶體管和P型晶體管之間，有 可能流過本來不應(yīng)當流過的電流，使元件損壞。圖9是僅用n型晶體管來形成外圍電路時的固體攝像器件的剖面 圖。為了消除CMOS型固體攝像器件情況下產(chǎn)生的閉鎖現(xiàn)象，僅用n 型晶體管來形成外圍電路，能夠消除使元件隔離部減薄時的弊病。所 以，僅用n型晶體管來構(gòu)成攝像區(qū)的晶體管和外圍電路的晶體管的n 型CMOS固體攝像器件，能實現(xiàn)沒有上述弊病的固體攝像器件。在上述圖8和圖9中表示攝像區(qū)的晶體管為n型晶體管的情況但 是在攝像區(qū)的晶體管為P型晶體管的情況下，僅用P型晶體管來構(gòu)成 攝像區(qū)的晶體管和外圍電路的晶體管的P型固體攝像器件，能實現(xiàn)無 弊病的固體攝像器件。
〈第二實施方式〉本實施方式涉及的MOS型固體攝像器件中，攝像區(qū)和外圍電路由 利用元件隔離部進行電隔離的多個MOS晶體管構(gòu)成。圖IO表示攝像 區(qū)內(nèi)或外圍電路中的MOS晶體管之間的元件隔離部的結(jié)構(gòu)，是表示晶 體管40和晶體管41用元件隔離部42進行電隔離的剖面圖。元件隔 離部42侵蝕硅片1的深度為lnm以上200nm以下，能在晶體管40的 激活區(qū)43和晶體管41的激活區(qū)44之間產(chǎn)生漏電流。如圖10所示， 在元件隔離部42的正下方設(shè)置抑制漏泄的雜質(zhì)擴散層45，由此能夠 提高與用元件隔離部42進行電隔離的晶體管之間的漏電流有關(guān)的耐 壓，能抑制晶體管之間的漏電流?！吹谌龑嵤┓绞健祱D11表示第三實施方式涉及的MOS型固體攝像器件中的、構(gòu)成 攝像區(qū)內(nèi)或外圍電路中的MOS晶體管之間的元件隔離部的結(jié)構(gòu)一例， 是表示晶體管46和晶體管47通過元件隔離部48進行電隔離的樣子 的剖面圖。如上所述，元件隔離部48和硅片1的界面的晶體結(jié)構(gòu)是 雜亂狀態(tài)，產(chǎn)生漏電流。因此，在形成的元件隔離部48和硅片1的 界面的硅片1一側(cè)，沿著元件隔離部側(cè)壁和硅片1的界面，形成雜質(zhì) 擴散層51，由此能抑制元件隔離部48和硅片1的界面電平漏泄。〈第四實施方式〉圖12表示本發(fā)明第四實施方式涉及的M0S型固體攝像器件的攝 像區(qū)內(nèi)或外圍電路中的M0S晶體管和元件隔離部的結(jié)構(gòu)一例，是表示 晶體管70和晶體管71通過元件隔離部72進行電隔離的樣子的剖面 圖。如圖12所示，與元件隔離部72侵蝕硅片1的深度相比，激活區(qū) 73和74伸長的深度較小。這樣，能使激活區(qū)73和激活區(qū)74的空間 距離增大，使激活區(qū)73和74之間的漏電流減小。元件隔離部72是 在硅片1內(nèi)形成溝槽、并利用硅氧化物進行填充的結(jié)構(gòu)即所謂STI的 元件隔離部，或者是用選擇熱氧化法使硅片1直接熱氧化而生成的利
用硅熱氧化膜的隔離結(jié)構(gòu)即L0C0S，無論哪一種均可適用。無論在哪 一種元件隔離部結(jié)構(gòu)中，也都是如前所述，能實現(xiàn)雜音小的MOS型固 體攝像器件?！吹谖鍖嵤┓绞健祱D13是安裝了具有上述實施方式涉及的元件隔離部結(jié)構(gòu)的任一 種固體攝像器件的攝像機功能框圖。攝像機200具有透鏡104、固 體攝像器件100、驅(qū)動電路101、信號處理部102、以及外部接口部 103。通過透鏡104的光進入固體攝像器件100。信號處理部102通 過驅(qū)動電路101來驅(qū)動固體攝像器件IOO，取出來自固體攝像器件100 的輸出信號。由信號處理部102處理的信號通過外部接口部103輸出 到外部。利用上述第一至第四實施方式的固體攝像器件，使該攝像機200 的圖像質(zhì)量非常好、且靈敏度提高，所以，即使在沒有照明的狀態(tài)下 也能攝影。本發(fā)明涉及的固體攝像器件，具有很容易實現(xiàn)攝像區(qū)的微細化、 確保元件隔離部的耐壓、以及減少白傷痕數(shù)量的效果，能夠用作數(shù)碼 攝像機等內(nèi)使用的MOS型固體攝像器件。
權(quán)利要求
1、一種固體攝像器件，具有包括光電二極管和晶體管的像素單元的攝像區(qū)，上述光電二極管具有第1導(dǎo)電型的電荷存儲區(qū)和第2導(dǎo)電型的暗電流抑制層，上述晶體管讀取由該光電二極管獲得的電荷，上述攝像區(qū)具有將上述晶體管和與其相鄰接的該攝像區(qū)以外的晶體管進行電隔離的的元件隔離部，其特征在于上述元件隔離部的深度比上述暗電流抑制層中雜質(zhì)濃度最大的部分的深度淺。
2、 如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于上述元件 隔離部的深度大于等于lnm且小于等于lOOnm。
3、 一種固體攝像器件，具有包括光電二極管和晶體管的像素單 元的攝像區(qū)，上述光電二極管具有第1導(dǎo)電型的電荷存儲區(qū)和第2導(dǎo) 電型的暗電流抑制層，上述晶體管讀取由該光電二極管獲得的電荷， 上述攝像區(qū)具有將上述晶體管和與其相鄰接的該攝像區(qū)以外的晶體 管進行電隔離的元件隔離部，其特征在于上述元件隔離部的深度比形成于上述電荷存儲區(qū)的表面附近的 上述暗電流抑制層的深度淺。
4、 如權(quán)利要求3所述的固體攝像器件，其特征在于上述元件 隔離部的深度大于等于lnm且小于等于50nm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種固體攝像器件，漏電流小，并具有元件分離結(jié)構(gòu)。該固體攝像器件，形成在硅片上，還包括具有與各個像素相對應(yīng)的攝像區(qū)，其中包括具有第1導(dǎo)電型電荷存儲區(qū)的光電二極管，晶體管和元件隔離部，上述元件隔離部的深度小于其雜質(zhì)濃度最大的上述第1導(dǎo)電型電荷存儲區(qū)的深度。
文檔編號H01L27/14GK101399281SQ20081017381
公開日2009年4月1日 申請日期2004年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月3日
發(fā)明者吉田真治, 山口琢己, 森三佳 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社